JPS58113232A - 多孔質体の焼結方法 - Google Patents
多孔質体の焼結方法Info
- Publication number
- JPS58113232A JPS58113232A JP21060981A JP21060981A JPS58113232A JP S58113232 A JPS58113232 A JP S58113232A JP 21060981 A JP21060981 A JP 21060981A JP 21060981 A JP21060981 A JP 21060981A JP S58113232 A JPS58113232 A JP S58113232A
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- JP
- Japan
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- porous body
- glass
- gas
- sintering
- porous
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
４発明は多孔質体を燻始する原封入容器を用いずに該ガ
ラス中に含まれる添加物の逃散を抑え、かつ比較的低温
でも加圧焼結を行うことのできる焼結方法に関する。
ラス中に含まれる添加物の逃散を抑え、かつ比較的低温
でも加圧焼結を行うことのできる焼結方法に関する。
従来多孔質体あるいは粒状物の集合体ｔ−焼結する方法
として第１図に示す方法がある。これは、多孔質体１０
を圧力伝運用の容器１１をこ封入し、これ會加熱炉１２
に装入して炉内に加圧流体を供給し、この流体による静
圧を加えなから容器ごと多孔質体を加熱することにより
焼結する方法である。この手法は、（１）焼結の進み難
い物質が比軟的低温かつ短時間で焼結が進み、高密度体
が侍らねる （ｉｔ）流体によシ静圧を加えると圧力全
等力的に印加できるため焼結前の形状がその葦ま保持さ
れて焼結できる、などの長所があり有用である。−カ、
この方法での難点は、流体により圧力を印加させる際に
必要となる圧力伝−ｉｉ！！用の容器に関する問題であ
る。この圧力伝達用８器としては、流体分子を容器内部
に通さず、両温に耐え、力っ加圧１１Ｃ范じて容易に変
形することが必蒙である。従来この容器としては焼結条
件、例えば温嵐、圧力、被焼結体の材質などに応じて個
々に特殊な金属や、カラス材などが使用されている。と
ころがこの容器を用いる方法においではこの谷ビ８が被
焼結体を汚染し易く、汚染を避けるために＃殊な月質の
ものを用いる必☆がある。また決結俵にこの容器を隙去
する場合にその手間が煩雑であるなどの欠点がおる。史
に上記容器と被焼結体との隙間が大きいと、これらを加
圧した際、被焼結体に圧力が加わる時間的なずれが生じ
、この加圧の部分的なずれによシ被焼結体が変形を受け
る場合がある。
として第１図に示す方法がある。これは、多孔質体１０
を圧力伝運用の容器１１をこ封入し、これ會加熱炉１２
に装入して炉内に加圧流体を供給し、この流体による静
圧を加えなから容器ごと多孔質体を加熱することにより
焼結する方法である。この手法は、（１）焼結の進み難
い物質が比軟的低温かつ短時間で焼結が進み、高密度体
が侍らねる （ｉｔ）流体によシ静圧を加えると圧力全
等力的に印加できるため焼結前の形状がその葦ま保持さ
れて焼結できる、などの長所があり有用である。−カ、
この方法での難点は、流体により圧力を印加させる際に
必要となる圧力伝−ｉｉ！！用の容器に関する問題であ
る。この圧力伝達用８器としては、流体分子を容器内部
に通さず、両温に耐え、力っ加圧１１Ｃ范じて容易に変
形することが必蒙である。従来この容器としては焼結条
件、例えば温嵐、圧力、被焼結体の材質などに応じて個
々に特殊な金属や、カラス材などが使用されている。と
ころがこの容器を用いる方法においではこの谷ビ８が被
焼結体を汚染し易く、汚染を避けるために＃殊な月質の
ものを用いる必☆がある。また決結俵にこの容器を隙去
する場合にその手間が煩雑であるなどの欠点がおる。史
に上記容器と被焼結体との隙間が大きいと、これらを加
圧した際、被焼結体に圧力が加わる時間的なずれが生じ
、この加圧の部分的なずれによシ被焼結体が変形を受け
る場合がある。
本発明は上１欠点を解消する焼結方法を提供するもので
あり、そのｌｌＩ＆は、多孔質体の表面にガラス膜層を
形成し九俵、鉄成形体を加熱炉に装入し、加圧流体を骸
加熱炉に供給して上記多孔質体をガラス編層ごと熱間静
圧成形下で焼結することｔ−特徴とする。
あり、そのｌｌＩ＆は、多孔質体の表面にガラス膜層を
形成し九俵、鉄成形体を加熱炉に装入し、加圧流体を骸
加熱炉に供給して上記多孔質体をガラス編層ごと熱間静
圧成形下で焼結することｔ−特徴とする。
以下に本発明を一１１１１Ｉ′を参照して詳細に説明す
る。
る。
本発明の多孔質体としてはＶＡＤ法、外付法、内付法な
どによ多形成されたガラス微粒子体や、會相を利用して
形成された多孔質ガラス体を用いることができる。又、
その他の多孔質体であってもよい。該多孔質体２０ｔ′
容器２４内に挿入し、容器内部にＨｅガスを供給して該
多孔質体２０’ｔＨｅ ガス雰囲気中に保持する。上記
Ｈｅガスの処理によシ多孔質体２０の表面に吸着してい
るガスが取除かれ、代りにＨｅガスが多孔′ｊｌ［捧２
００次面に吸着される。Ｈｅガスは多孔質体２０に＃解
し拡散し易い反面、不活性なため多孔質体２０の成分と
反応しない、このためＨｅを奴潰させた多孔質体２０は
熔融ガラス膜層２１１に形成した後の加圧処理中に気泡
を生ずることがなく、＾密［な焼結体を得ることができ
る。次に上ｌＨｅガス処理の後に多孔質体２０の表面に
ガラス展層２１に形成する。該ガラス膜層２１を形成す
るにはｗＪ３図に示すようにバーナ２２にＨ２ガス、０
２ガスと共にガラス原料であるＳ Ｉ Ｃｔ１１＊ Ｐ
ＱＣＺ ） ｒ Ｂ Ｂｒ ５ ＋’ｒｔｃｚ４ 、
ＩＪＩＣ１５、などを導き、高温の火炎加水分解によシ
上記原料ガスを燃焼させて５ｉＯｚ ＋ Ｐ２Ｏ５＋Ｂ
２Ｏ５、ＴｉＯ２，Ａｔｚ０５などの微粒子を火炎中で
形成させると共にこの微粒子を上記多孔質体２０會被う
ようにその表面に熔融カラス状態で堆積させる。
どによ多形成されたガラス微粒子体や、會相を利用して
形成された多孔質ガラス体を用いることができる。又、
その他の多孔質体であってもよい。該多孔質体２０ｔ′
容器２４内に挿入し、容器内部にＨｅガスを供給して該
多孔質体２０’ｔＨｅ ガス雰囲気中に保持する。上記
Ｈｅガスの処理によシ多孔質体２０の表面に吸着してい
るガスが取除かれ、代りにＨｅガスが多孔′ｊｌ［捧２
００次面に吸着される。Ｈｅガスは多孔質体２０に＃解
し拡散し易い反面、不活性なため多孔質体２０の成分と
反応しない、このためＨｅを奴潰させた多孔質体２０は
熔融ガラス膜層２１１に形成した後の加圧処理中に気泡
を生ずることがなく、＾密［な焼結体を得ることができ
る。次に上ｌＨｅガス処理の後に多孔質体２０の表面に
ガラス展層２１に形成する。該ガラス膜層２１を形成す
るにはｗＪ３図に示すようにバーナ２２にＨ２ガス、０
２ガスと共にガラス原料であるＳ Ｉ Ｃｔ１１＊ Ｐ
ＱＣＺ ） ｒ Ｂ Ｂｒ ５ ＋’ｒｔｃｚ４ 、
ＩＪＩＣ１５、などを導き、高温の火炎加水分解によシ
上記原料ガスを燃焼させて５ｉＯｚ ＋ Ｐ２Ｏ５＋Ｂ
２Ｏ５、ＴｉＯ２，Ａｔｚ０５などの微粒子を火炎中で
形成させると共にこの微粒子を上記多孔質体２０會被う
ようにその表面に熔融カラス状態で堆積させる。
□
ここで上記ガラス展層２１の材質としては、多孔質ガラ
スの焼結の場合、該多孔質カラスの焼結温度に対応させ
、ＰＯＣｌ２ 、 ＢＢｒ３などの添加物によりその性
質を調整する。即ち、多孔質体の焼結温度が低い場合に
は、Ｐ２Ｏ５＋Ｂ２Ｏ５など５ｉＯｚ ガラスを軟化さ
せる添加剤を加えてガラス展層の焼結温度を内部の多孔
質体に一致させ、又、多孔質体の焼結＠鼓が高い場合に
は８１Ｃｊ略、ＴｉＣＡ４．人ｙｃｔ５などｔ原料に加
えより硬質な８ｉ０２−ＴｉＯｚ−ムｔ２０５系ガラス
姶の膜層を多孔質体外面に形成する。尚、該ガラス展層
の厚さは多孔質体２０が径５０■φＳ度のガラス体であ
る場合に約３−＠度でよい。
スの焼結の場合、該多孔質カラスの焼結温度に対応させ
、ＰＯＣｌ２ 、 ＢＢｒ３などの添加物によりその性
質を調整する。即ち、多孔質体の焼結温度が低い場合に
は、Ｐ２Ｏ５＋Ｂ２Ｏ５など５ｉＯｚ ガラスを軟化さ
せる添加剤を加えてガラス展層の焼結温度を内部の多孔
質体に一致させ、又、多孔質体の焼結＠鼓が高い場合に
は８１Ｃｊ略、ＴｉＣＡ４．人ｙｃｔ５などｔ原料に加
えより硬質な８ｉ０２−ＴｉＯｚ−ムｔ２０５系ガラス
姶の膜層を多孔質体外面に形成する。尚、該ガラス展層
の厚さは多孔質体２０が径５０■φＳ度のガラス体であ
る場合に約３−＠度でよい。
ガラス展層２１を表面に設けた多孔質ガラス体２０を加
熱炉に装入し、所定の流圧含有する加圧ガスを加熱炉に
供給して、上記多孔質ガラス体２ｏに静圧を加えながら
炉内を高温に加熱して該多孔質ガラス体２０を熱間焼結
し、焼結ガラス体２３′ｆ：造る。
熱炉に装入し、所定の流圧含有する加圧ガスを加熱炉に
供給して、上記多孔質ガラス体２ｏに静圧を加えながら
炉内を高温に加熱して該多孔質ガラス体２０を熱間焼結
し、焼結ガラス体２３′ｆ：造る。
次いで必要に応じ、焼結ガラス体２３を機械的研削し、
又はＨＦ＠ｔ−用いてエツチングすること＆Ｃよシ上配
ガラス膜層２１を除去する。尚、光フアイバ用ガラスを
製造する際には上記ガラス展層２１を比較的厚く形成し
て該ガラス膜層２１ｔ−クラツドに代用させることも可
能でア如、勿論この場合、膜層除去の後処理を施す必歎
壷ユムい以上述べた本発明の焼結方法＆Ｃよれは、ガラ
ス展層２１が多孔質カラス体２００表面′に扱うことか
ら、従前の加圧焼結で用いていたような容器を必要とし
ない。このため焼結後に圧力伝達用容器を除去するなど
の手間が省ける。更に被焼結体が圧力伝達用容器によっ
て汚染されることもない。
又はＨＦ＠ｔ−用いてエツチングすること＆Ｃよシ上配
ガラス膜層２１を除去する。尚、光フアイバ用ガラスを
製造する際には上記ガラス展層２１を比較的厚く形成し
て該ガラス膜層２１ｔ−クラツドに代用させることも可
能でア如、勿論この場合、膜層除去の後処理を施す必歎
壷ユムい以上述べた本発明の焼結方法＆Ｃよれは、ガラ
ス展層２１が多孔質カラス体２００表面′に扱うことか
ら、従前の加圧焼結で用いていたような容器を必要とし
ない。このため焼結後に圧力伝達用容器を除去するなど
の手間が省ける。更に被焼結体が圧力伝達用容器によっ
て汚染されることもない。
又本発明においては多孔質体の表面上にガラス膜層を形
成するため従前みられたような容器と被焼結体との間の
隙間に起因する変形金み等も生ずることがない。
成するため従前みられたような容器と被焼結体との間の
隙間に起因する変形金み等も生ずることがない。
第１図は従来の加圧焼結方法の鉄＆栖ｈｉ、概略嫡・第
２図ないし第４図は本発明の焼結方法を示す説明図であ
り、第２図は多孔質体のＨｅガス処理、第３図はガラス
展層の形成、第４図は焼結工程全それぞれ示す。 図中１０．２０−多孔質体、１１−＠：器、１２−加熱
炉、１３−加圧流体、２１−ガラス展層、２２−バーナ
、２３−焼結ガラス体、２４−容器Ｔ：ある。 特許出願人 日本電信電話公社 住友電気工業株式会社
２図ないし第４図は本発明の焼結方法を示す説明図であ
り、第２図は多孔質体のＨｅガス処理、第３図はガラス
展層の形成、第４図は焼結工程全それぞれ示す。 図中１０．２０−多孔質体、１１−＠：器、１２−加熱
炉、１３−加圧流体、２１−ガラス展層、２２−バーナ
、２３−焼結ガラス体、２４−容器Ｔ：ある。 特許出願人 日本電信電話公社 住友電気工業株式会社
Claims (2)
- （１）多孔質体の表面にガラス展層を形成した彼、該敢
彫体を加熱炉に装入し、加圧流体を該加熱炉に供給して
上記多孔質体をガラス膜層ごと熱間静圧成形下で焼結す
ることを％徽とする多孔質体の焼結方法。 - （２） 上記多孔質体ｔＨｅ雰囲気に保持した彼に鉦
多孔質体の表面にガラス展層を形成することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の多孔質体の焼結方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21060981A JPS58113232A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 多孔質体の焼結方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21060981A JPS58113232A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 多孔質体の焼結方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58113232A true JPS58113232A (ja) | 1983-07-06 |
| JPH0130769B2 JPH0130769B2 (ja) | 1989-06-21 |
Family
ID=16592152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21060981A Granted JPS58113232A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 多孔質体の焼結方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58113232A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6265947A (ja) * | 1985-09-14 | 1987-03-25 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | 光フアイバ用母材の製造方法 |
| JP2007169111A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Nok Corp | 無機複合中空管の製造方法 |
| JP2007169110A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Nok Corp | 無機複合中空管の製造方法 |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP21060981A patent/JPS58113232A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6265947A (ja) * | 1985-09-14 | 1987-03-25 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | 光フアイバ用母材の製造方法 |
| JP2007169111A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Nok Corp | 無機複合中空管の製造方法 |
| JP2007169110A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Nok Corp | 無機複合中空管の製造方法 |
| JP4738163B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-08-03 | Ｎｏｋ株式会社 | 無機複合中空管の製造方法 |
| JP4742852B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-08-10 | Ｎｏｋ株式会社 | 無機複合中空管の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0130769B2 (ja) | 1989-06-21 |
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