JPS58108131A - 金属蒸着複合体 - Google Patents
金属蒸着複合体Info
- Publication number
- JPS58108131A JPS58108131A JP20618081A JP20618081A JPS58108131A JP S58108131 A JPS58108131 A JP S58108131A JP 20618081 A JP20618081 A JP 20618081A JP 20618081 A JP20618081 A JP 20618081A JP S58108131 A JPS58108131 A JP S58108131A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上４Ｃｌ１１層として全以上の蒸気圧を
有し、且つ密着性、耐蝕性、耐熱性に優れ、更に金との
拡散が少ない金属層を設け、第２層として第１層となる
金属と金との複合物の層を設け、Ｉｓ３層が金である事
を特徴とする多層金属蒸着複合体に関する。
有し、且つ密着性、耐蝕性、耐熱性に優れ、更に金との
拡散が少ない金属層を設け、第２層として第１層となる
金属と金との複合物の層を設け、Ｉｓ３層が金である事
を特徴とする多層金属蒸着複合体に関する。
Ｉ！に詳しく社、フィルムや成臘品等の基板に、第１層
として金の融点である１０６３℃に於いて１ Ｘ １０
−’ＴＯｒｒ以上の蒸気圧を有し、密着性、耐蝕性に優
れ、融点が２ｏｏ ｔ：以上であシ、且り金との拡散が
少な−、ｒルミニウム、シリコン、銀、アルミニウム、
ベリリュウムの内の１１１１の金属層を設け、第２層と
して線、第１鳩となる金属と金との複合物層が少なくと
も２００１以上であり、第３層金属が金で構成する事を
特徴とする多層金属複合体に関するものである。
として金の融点である１０６３℃に於いて１ Ｘ １０
−’ＴＯｒｒ以上の蒸気圧を有し、密着性、耐蝕性に優
れ、融点が２ｏｏ ｔ：以上であシ、且り金との拡散が
少な−、ｒルミニウム、シリコン、銀、アルミニウム、
ベリリュウムの内の１１１１の金属層を設け、第２層と
して線、第１鳩となる金属と金との複合物層が少なくと
も２００１以上であり、第３層金属が金で構成する事を
特徴とする多層金属複合体に関するものである。
従来より装飾や耐蝕ｔ−目的として多くの分野で金メッ
キが用いられている。しかしながら金メッキはコスト高
につながゐため、金層を薄くするとか、代替品の検討が
盛んであるが、問題点として金属の中で最も密着性が乏
しいといわれている金層を薄くした場合、一層密着の不
安定性中、金の拡散等によ）耐蝕性膜としては使用が―
Ｌ ｖ” ａ又、代替品では全本来の光沢１再現性良く
出し、且つ耐蝕性に優れたものは艶出せず、信頼性のた
めには高価な金を厚化する必費があつ九。
キが用いられている。しかしながら金メッキはコスト高
につながゐため、金層を薄くするとか、代替品の検討が
盛んであるが、問題点として金属の中で最も密着性が乏
しいといわれている金層を薄くした場合、一層密着の不
安定性中、金の拡散等によ）耐蝕性膜としては使用が―
Ｌ ｖ” ａ又、代替品では全本来の光沢１再現性良く
出し、且つ耐蝕性に優れたものは艶出せず、信頼性のた
めには高価な金を厚化する必費があつ九。
金の形成法としては、湿式法や蒸着法があるが、前者に
よるものが大半である。この理由として蒸着法で形成し
た金と基板間の密着力が不足して、本来の耐蝕の目的に
は使用し得ないからである。この欠点を補う丸めに蒸着
法による金メッキでは、基板がガラスやセラミックスの
場合、鳩知の如く密着力向上の丸め、密着性良好な下地
金属を蒸着後、その上に金蒸着する２層構造となってい
る。しかしながら下地金属として用いられるものは、湿
式の場合と同様、ニッケルが主流な丸め、確かに基板と
の密着力は金のみに比べ数段向上する拳が唸められるが
、逆にｒツタ作用の強いニッケルは、酸素を吸着して表
面に保ｍ膜である線化ニッケルを生成し、上層とな、る
金との間での均一な密着性を得る事が困−であつ九。そ
の上、基板がグラスチックの場合は基板との密着性にも
間聰が生じていた。
よるものが大半である。この理由として蒸着法で形成し
た金と基板間の密着力が不足して、本来の耐蝕の目的に
は使用し得ないからである。この欠点を補う丸めに蒸着
法による金メッキでは、基板がガラスやセラミックスの
場合、鳩知の如く密着力向上の丸め、密着性良好な下地
金属を蒸着後、その上に金蒸着する２層構造となってい
る。しかしながら下地金属として用いられるものは、湿
式の場合と同様、ニッケルが主流な丸め、確かに基板と
の密着力は金のみに比べ数段向上する拳が唸められるが
、逆にｒツタ作用の強いニッケルは、酸素を吸着して表
面に保ｍ膜である線化ニッケルを生成し、上層とな、る
金との間での均一な密着性を得る事が困−であつ九。そ
の上、基板がグラスチックの場合は基板との密着性にも
間聰が生じていた。
これは、ニッケルは金に比べて蒸気圧が１０６３℃に於
いて申分以下である事から、ニッケルを蒸着するｌｉ！
ＩＫは金蒸着以上の温度に上げる必要があり、この丸め
ルツがからの輻射熱によシ基板であるプラスチックから
の放出ガスも多く、密着力に悪影響金与えてい九からで
ある。つｔ９基板がプラスチックのフィルム中成製品で
は、下地金属としては、出来る限９蒸気圧が高い事が！
ｌｔＬ＜、少なくても表面層となる全以上の蒸気圧を有
する事が密着性には必要である。
いて申分以下である事から、ニッケルを蒸着するｌｉ！
ＩＫは金蒸着以上の温度に上げる必要があり、この丸め
ルツがからの輻射熱によシ基板であるプラスチックから
の放出ガスも多く、密着力に悪影響金与えてい九からで
ある。つｔ９基板がプラスチックのフィルム中成製品で
は、下地金属としては、出来る限９蒸気圧が高い事が！
ｌｔＬ＜、少なくても表面層となる全以上の蒸気圧を有
する事が密着性には必要である。
立方、従来よシ多く用いられている湿式による金メッキ
で杜、シアン浴勢を用いるため、公害問題があるばかり
か、湿式メッキに於いても同様に強固な密着性を得るた
めには、下地メッキトシてニッケルを用いているが、基
板並びに金に対する均一な密着性を得る事は難かしい。
で杜、シアン浴勢を用いるため、公害問題があるばかり
か、湿式メッキに於いても同様に強固な密着性を得るた
めには、下地メッキトシてニッケルを用いているが、基
板並びに金に対する均一な密着性を得る事は難かしい。
又基板がプラスチック等の絶縁物では、無電解メッキに
よる核付け、更に密着力向上のためニッケルメッキ＊ｔ
−行なった後、金メッキを施す等の工程を経る必要があ
る。ｊ！血各メッキに於ける工楊管ｍｔ−充分に行なわ
なければ基板並びに各層との密着性千金メツ中の光沢等
に大きな影畳を及ぼすといった問題を抱えている。
よる核付け、更に密着力向上のためニッケルメッキ＊ｔ
−行なった後、金メッキを施す等の工程を経る必要があ
る。ｊ！血各メッキに於ける工楊管ｍｔ−充分に行なわ
なければ基板並びに各層との密着性千金メツ中の光沢等
に大きな影畳を及ぼすといった問題を抱えている。
以上の様な理由により金メッキとしては、湿式に比べ無
公害で光沢等４安定してお）、工程４簡略化出来る蒸着
法が望ましいが、前述し丸裸に充分な密着力會有する金
メッキが行なえなｉのが現状であつ九。本発明は上記欠
点を補うべく鋭意検討を重ね、蒸着法によｐ金の薄化に
伴なう密着の不安定性や金の拡散を防止し、低コストな
金メツキ物を発明したものである、以下に本発明を更に
詳しく述べる。
公害で光沢等４安定してお）、工程４簡略化出来る蒸着
法が望ましいが、前述し丸裸に充分な密着力會有する金
メッキが行なえなｉのが現状であつ九。本発明は上記欠
点を補うべく鋭意検討を重ね、蒸着法によｐ金の薄化に
伴なう密着の不安定性や金の拡散を防止し、低コストな
金メツキ物を発明したものである、以下に本発明を更に
詳しく述べる。
本発明に於ける第１層金輌は、基板がプラスチックであ
っても充分な密着力管得るために、基板からの放出ガス
を極力防げる様な蒸気圧が出来るだけ高く、更に金に比
べ大きな密着力を有する金属である必要がある。又表面
に２耐蝕性に優れた金属が存在するからと云って蒸着法
ではミクロなピンホールは避けられず、長期にわたる場
合この部分より腐食が進行する。従って第１層金属とし
ては化学的に安定でなけれはならない。Ｉ！に基板がフ
ィルム等の場合の様に蒸着後加熱成形を伴なう際には、
一般に成形温度Ｆ１１００〜２００℃の軸回になる九め
、融点が２（３０℃以下の金属では成形不可能になる。
っても充分な密着力管得るために、基板からの放出ガス
を極力防げる様な蒸気圧が出来るだけ高く、更に金に比
べ大きな密着力を有する金属である必要がある。又表面
に２耐蝕性に優れた金属が存在するからと云って蒸着法
ではミクロなピンホールは避けられず、長期にわたる場
合この部分より腐食が進行する。従って第１層金属とし
ては化学的に安定でなけれはならない。Ｉ！に基板がフ
ィルム等の場合の様に蒸着後加熱成形を伴なう際には、
一般に成形温度Ｆ１１００〜２００℃の軸回になる九め
、融点が２（３０℃以下の金属では成形不可能になる。
その他低シスト化の丸めに金の薄化が必要となるため、
第１層金属としては金との拡散が少ない事が必擬条件と
なる。
第１層金属としては金との拡散が少ない事が必擬条件と
なる。
ｗＬ２層としての役目は、１１ｇ１層金属と金の密着性
を完全にする友めのものである。つまり従来の様にニッ
ケルを下地に使用した場合には、酸化ニッケルのために
ニッケルと金の間で均−且つ強固な密着力を持つ事は困
難で６つ九が、本発明ではこの欠点を完全に補ったもの
である。
を完全にする友めのものである。つまり従来の様にニッ
ケルを下地に使用した場合には、酸化ニッケルのために
ニッケルと金の間で均−且つ強固な密着力を持つ事は困
難で６つ九が、本発明ではこの欠点を完全に補ったもの
である。
本発明による＠２層は、第１層金属と金の複合体でＴｏ
り、且つ０〜１００ ％の連続的な鎖度勾配を有し、膜
厚として祉信頼性の点から連続膜の限界である２００Ｘ
以上が必要となる。ζこで第２層の形成方法としてはま
ずルッが内に！ｌ！１層とする金属と金を入れ加熱する
。この際まず第１段階として金の融点１０６３℃以下に
して、１８１層金属を蒸着させ、所望のｌ１ｌｉ犀に達
した後、第２段階として１０６３℃以上の亀・度に上げ
金の割合を除々に増加させ第２層の複合体を形成させる
。
り、且つ０〜１００ ％の連続的な鎖度勾配を有し、膜
厚として祉信頼性の点から連続膜の限界である２００Ｘ
以上が必要となる。ζこで第２層の形成方法としてはま
ずルッが内に！ｌ！１層とする金属と金を入れ加熱する
。この際まず第１段階として金の融点１０６３℃以下に
して、１８１層金属を蒸着させ、所望のｌ１ｌｉ犀に達
した後、第２段階として１０６３℃以上の亀・度に上げ
金の割合を除々に増加させ第２層の複合体を形成させる
。
ここでルツｌ内の第１層金属の消滅と共に第３層の金が
形成される。この際、第１！Ｒ階に於ける温度と蒸着時
間並びに第２段階でｑ）温度によって、各層Ｏ膜厚比率
ｅｍｕ−出来、艮にルツが代 ｉ充てんする第１層金属と金の量によって各層の膜厚が
制御出来る。但し第１層金属が金に比べ余ａｍ気圧が高
過ぎると、第１段階から第２段階ヘルツ５ｉｉｔは瞬間
的に上昇させる事社不可能なため、連続的に蒸着出来ず
、第２層の複合体を形成する事が因難になり、均一で＊
固な密着力が得られない。そこで以上の欠点を補うため
、鋭意検討を行なった所、第１層金属としては、金との
蒸気圧差ｔｌｌＪ’以内に押える必要があり、即ち金の
融点である１０６３℃に於ける蒸気圧が、Ｉ Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒからｌ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ ｆ 有す
る金属が望ましい。
形成される。この際、第１！Ｒ階に於ける温度と蒸着時
間並びに第２段階でｑ）温度によって、各層Ｏ膜厚比率
ｅｍｕ−出来、艮にルツが代 ｉ充てんする第１層金属と金の量によって各層の膜厚が
制御出来る。但し第１層金属が金に比べ余ａｍ気圧が高
過ぎると、第１段階から第２段階ヘルツ５ｉｉｔは瞬間
的に上昇させる事社不可能なため、連続的に蒸着出来ず
、第２層の複合体を形成する事が因難になり、均一で＊
固な密着力が得られない。そこで以上の欠点を補うため
、鋭意検討を行なった所、第１層金属としては、金との
蒸気圧差ｔｌｌＪ’以内に押える必要があり、即ち金の
融点である１０６３℃に於ける蒸気圧が、Ｉ Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒからｌ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ ｆ 有す
る金属が望ましい。
従って第１層金属の必喪条件としては、化学的に安定な
耐蝕性、更に加熱成形に耐える２００℃以上の融点゛を
持つ金属であり、たつ金の薄化に耐え得る様に拡散が少
なく、父金に比べ密着性が良好である事が必要となる。
耐蝕性、更に加熱成形に耐える２００℃以上の融点゛を
持つ金属であり、たつ金の薄化に耐え得る様に拡散が少
なく、父金に比べ密着性が良好である事が必要となる。
そして蝦後に第１層と金の完全な密着性を保持させるた
めｔｉｃは、第２層ｔ ２００ Ｘ以上形成する必喪が
６９、この条件として金の融点１０６３℃に於ける蒸気
圧がＩ Ｘ ｌＯ”Ｔｏｒｒからｌ Ｘ ＩＱ−’Ｔｏ
ｒｒ ＠；有する事が望まし−。
めｔｉｃは、第２層ｔ ２００ Ｘ以上形成する必喪が
６９、この条件として金の融点１０６３℃に於ける蒸気
圧がＩ Ｘ ｌＯ”Ｔｏｒｒからｌ Ｘ ＩＱ−’Ｔｏ
ｒｒ ＠；有する事が望まし−。
以上の条件を満す金属を鋭意検討し、本発明に至つ九も
のである。即ち、ｒルマニウム、シリコン、銀、アル建
ニウム、ベリリュウムのみが上記条件を全て満足するも
のでメ〕、上述し丸裸に各層管連続的に形成しているた
めに、従来から蒸着法で行った二層構造あるいは湿式メ
ツΦで行なう二層構造と異なｐ、第１層と金の間の密着
性は合金の破断強度に等しくなった。
のである。即ち、ｒルマニウム、シリコン、銀、アル建
ニウム、ベリリュウムのみが上記条件を全て満足するも
のでメ〕、上述し丸裸に各層管連続的に形成しているた
めに、従来から蒸着法で行った二層構造あるいは湿式メ
ツΦで行なう二層構造と異なｐ、第１層と金の間の密着
性は合金の破断強度に等しくなった。
以上Ｏ橡に懺飾、耐蝕展として金メッキを行なう場合、
金のみでは非常に高価にな９、且つ密着性の乏しい膜に
なるが、本発明を用いた三層構造の金属蒸着膜では、書
着力が優れ、金の使用量を大巾に削減出来、全本来の装
飾用や耐蝕性膜として使用出来る１のになる。
金のみでは非常に高価にな９、且つ密着性の乏しい膜に
なるが、本発明を用いた三層構造の金属蒸着膜では、書
着力が優れ、金の使用量を大巾に削減出来、全本来の装
飾用や耐蝕性膜として使用出来る１のになる。
以下実施例により本発明を罠に詳細に説明する。
実施例
基板として２５％厚ポリエステルフ４ルムに第１層金属
と、して蒙會市いる丸め、ルツかに銀、金をそれぞれ０
．７ ｔ、 ０．３ ｆづつ充填した。第１Ｒ階としチ
ル：／ ｄｔ ｆ ５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒの減圧下
で１０００℃に加熱して第１ｍ金属として＊を蒸着させ
、謳２段階としてルツが温度を１４００℃に上げ、纂２
層の金、銅の複合体を形成した。爽に金のみの第３層を
蒸着して得られた膜の厚みは、第１層が２１００！、第
２層が２４００ ！であり、第３層は５００１であった
。この様にして得られた５０００ ！の膜について密着
性ｔｌＩＩべるために粘着チーブによる引龜社がしテス
トを行ない、又、耐蝕性を藺べるために塩水噴鏝テスト
を行なった結果を第１表に示す。Ｍａｌは本発明による
実施例を示し、又随２は比較例として金のみ會ルツかに
充填して５ Ｘ １０−Ｔｏｒｒの減圧下で１４００
Ｌで同一の５０００１まで蒸着し九ものを示す。第ｉｍ
ｌより明らかな様に本実施例による三層構造膜では密着
性に優れ、化学的に安定であるために、塩水噴勝テスト
に於いても全本来の防食性を示している事が判かる。父
、同一膜厚を得るための金の使用量は約２５％で済み大
巾な低コストイヒ１１１針れた。
と、して蒙會市いる丸め、ルツかに銀、金をそれぞれ０
．７ ｔ、 ０．３ ｆづつ充填した。第１Ｒ階としチ
ル：／ ｄｔ ｆ ５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒの減圧下
で１０００℃に加熱して第１ｍ金属として＊を蒸着させ
、謳２段階としてルツが温度を１４００℃に上げ、纂２
層の金、銅の複合体を形成した。爽に金のみの第３層を
蒸着して得られた膜の厚みは、第１層が２１００！、第
２層が２４００ ！であり、第３層は５００１であった
。この様にして得られた５０００ ！の膜について密着
性ｔｌＩＩべるために粘着チーブによる引龜社がしテス
トを行ない、又、耐蝕性を藺べるために塩水噴鏝テスト
を行なった結果を第１表に示す。Ｍａｌは本発明による
実施例を示し、又随２は比較例として金のみ會ルツかに
充填して５ Ｘ １０−Ｔｏｒｒの減圧下で１４００
Ｌで同一の５０００１まで蒸着し九ものを示す。第ｉｍ
ｌより明らかな様に本実施例による三層構造膜では密着
性に優れ、化学的に安定であるために、塩水噴勝テスト
に於いても全本来の防食性を示している事が判かる。父
、同一膜厚を得るための金の使用量は約２５％で済み大
巾な低コストイヒ１１１針れた。
Claims (2)
- （１） 基板よＫｒルマニウム、シリコン、鋼、アル
ミニウム、ベリリュウムの１樵を第１層とし、第２層と
して第１層となる金属と金の複合物からなる中間層を設
け、更に第３鳩が金である事を特徴とする金属蒸着複合
体。 - （２） 第２層の複合物の膜厚が２００２以上である
特許請求の範囲第（１）項記載の金属蒸着複合体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20618081A JPS58108131A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 金属蒸着複合体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20618081A JPS58108131A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 金属蒸着複合体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108131A true JPS58108131A (ja) | 1983-06-28 |
| JPS6147705B2 JPS6147705B2 (ja) | 1986-10-21 |
Family
ID=16519133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20618081A Granted JPS58108131A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 金属蒸着複合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58108131A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6114946A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | 株式会社 徳力本店 | 金系ラミネ−ト基板 |
| JPS6151270U (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-07 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0535843Y2 (ja) * | 1989-02-27 | 1993-09-10 |
-
1981
- 1981-12-22 JP JP20618081A patent/JPS58108131A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6114946A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | 株式会社 徳力本店 | 金系ラミネ−ト基板 |
| JPS6151270U (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6147705B2 (ja) | 1986-10-21 |
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