JPS58102486A - Ｅｌ層の形成方法 - Google Patents
Ｅｌ層の形成方法Info
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- JPS58102486A JPS58102486A JP56200366A JP20036681A JPS58102486A JP S58102486 A JPS58102486 A JP S58102486A JP 56200366 A JP56200366 A JP 56200366A JP 20036681 A JP20036681 A JP 20036681A JP S58102486 A JPS58102486 A JP S58102486A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明は＃膜ＥＬ素子の製造に係シ、特にＺｎ８■ｂよ
シなるＥＬ層の形成方法の改良に関するものである。
シなるＥＬ層の形成方法の改良に関するものである。
（２）技術の背景
近来、エレクトロルミネッセンス（以下ＥＬ、！：称す
る）ｐＩＭを絶縁体層でサンドイッチ状にはさんだ、い
わゆる２］ｌｉ絶縁層構造の薄膜ＫＬ素子が開発されて
いる。
る）ｐＩＭを絶縁体層でサンドイッチ状にはさんだ、い
わゆる２］ｌｉ絶縁層構造の薄膜ＫＬ素子が開発されて
いる。
（６） 従来技術と問題点
このような薄膜ＥＬ素子を製造する従来の方法は、第１
図に示すようにまず透明なガラス基板１上に透明なイン
ジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を蒸着によって形成したのち
、ホトリソグラフィ法を用いて線状の前面電極２を平行
に多数配設する。
図に示すようにまず透明なガラス基板１上に透明なイン
ジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を蒸着によって形成したのち
、ホトリソグラフィ法を用いて線状の前面電極２を平行
に多数配設する。
その後該基板上に誘電率の大きいチタン酸鉛（ＰｂＴｉ
Ｏ，）よりなる第１の絶縁体層６を蒸着によって形成す
る。更に該基板上にマンガンを添加した硫化亜鉛（Ｚｎ
８ ： Ｍｎ ）からなるＥＬ層４を蒸着によって形成
してから、その上に酸化イツトリウム（ＹｍＯａ）から
なる第２の絶縁体層５を蒸着によって形成する。
Ｏ，）よりなる第１の絶縁体層６を蒸着によって形成す
る。更に該基板上にマンガンを添加した硫化亜鉛（Ｚｎ
８ ： Ｍｎ ）からなるＥＬ層４を蒸着によって形成
してから、その上に酸化イツトリウム（ＹｍＯａ）から
なる第２の絶縁体層５を蒸着によって形成する。
艶に該基板上にアルミニウム（Ｍ）よりなる金属層を蒸
着によって被着したのち、該Ｍ金属層をホトリソグラフ
ィ法によシ前述の前面電極に対して直交になるように多
数形成して背面電極６とする。
着によって被着したのち、該Ｍ金属層をホトリソグラフ
ィ法によシ前述の前面電極に対して直交になるように多
数形成して背面電極６とする。
ところで前記Ｚｎ８ ： ＭｌｌよシなるＥＬ層を形成
するのにはマンガン（Ｍｎ ）を０．５〜０．１重量％
添加した硫化亜鉛（Ｚｎ８ ）を加圧焼成して円板状の
微少なベレット状としたものを蒸着源として用いてステ
ンレス製の治具中に収賽し九のち電子ビームを用いて鋏
蒸着源を溶融したのち、蒸発した粒子を基板に付着させ
る電子ビーム蒸着法が採用されている。
するのにはマンガン（Ｍｎ ）を０．５〜０．１重量％
添加した硫化亜鉛（Ｚｎ８ ）を加圧焼成して円板状の
微少なベレット状としたものを蒸着源として用いてステ
ンレス製の治具中に収賽し九のち電子ビームを用いて鋏
蒸着源を溶融したのち、蒸発した粒子を基板に付着させ
る電子ビーム蒸着法が採用されている。
然るにＺｎ８にＭｎを添加した場合、Ｚｎ８の比抵抗が
上昇する傾向があシ、そのため電子ビームを蒸着源のＺ
ｎ８：Ｍｎに照射した場合、その蒸着源の表面に電荷が
帯電する傾向が見られる。この丸めある所定の値以上に
電子ビームを照射するための電子銃に印加されるエミッ
ション電流を上昇させないと、蒸着源よシ蒸着源の成分
が所定の蒸発速度で蒸発し暖い欠点を生じる。
上昇する傾向があシ、そのため電子ビームを蒸着源のＺ
ｎ８：Ｍｎに照射した場合、その蒸着源の表面に電荷が
帯電する傾向が見られる。この丸めある所定の値以上に
電子ビームを照射するための電子銃に印加されるエミッ
ション電流を上昇させないと、蒸着源よシ蒸着源の成分
が所定の蒸発速度で蒸発し暖い欠点を生じる。
第２図［Ｚｎ８ＬＭムを蒸着源として従来の方法を用い
てＥＬ層を形成した場合の形成されるＥＬ層の蒸着速度
（オングストロームＸ７分）とエミッション電゛流との
関係を示す。図で横軸Ｘはエミッション電流（ｍム）を
示し縦軸Ｖは蒸着速度（蓋７分）を示す。
てＥＬ層を形成した場合の形成されるＥＬ層の蒸着速度
（オングストロームＸ７分）とエミッション電゛流との
関係を示す。図で横軸Ｘはエミッション電流（ｍム）を
示し縦軸Ｖは蒸着速度（蓋７分）を示す。
この第２図から判るようにＺｎ８：Ｍｎの蒸着に際して
は、エミッション電流をあるしきい値例えば図で６０ｍ
Ａ程度にしたとき、いきなシ蒸着速度が５０００１／分
となシ、エミッション電流をこの値より上昇させたとき
蒸着速度は急激に上昇するようになる。他方、エミッシ
ョン電流をしきい値以下にしたときは殆んど蒸着源から
の蒸発はみられず、また多少蒸発してもその蒸発量をエ
ミッション電流で制御するのは困難である。
は、エミッション電流をあるしきい値例えば図で６０ｍ
Ａ程度にしたとき、いきなシ蒸着速度が５０００１／分
となシ、エミッション電流をこの値より上昇させたとき
蒸着速度は急激に上昇するようになる。他方、エミッシ
ョン電流をしきい値以下にしたときは殆んど蒸着源から
の蒸発はみられず、また多少蒸発してもその蒸発量をエ
ミッション電流で制御するのは困難である。
ところで前記ＥＬ層は１０００１／分程度以下の蒸着速
度でないと形成されるＥＬ層の結晶配列状ｌが悪く発光
特性の良好でないＥＬ層しか得られない。
度でないと形成されるＥＬ層の結晶配列状ｌが悪く発光
特性の良好でないＥＬ層しか得られない。
（４）発明の目的
本発明は上述した欠点を除去し、蒸着速度が低下し、か
つ結晶配列状態が良好となるようなＥＬ層の形成方法の
提供を目的とするものである。
つ結晶配列状態が良好となるようなＥＬ層の形成方法の
提供を目的とするものである。
（５）発明の構成
かかる目的を達成するための本発明によるＥＬ層の形成
方法は、蒸着源として用いるＭｎを添加したＺｎ８のタ
ーゲットにあらかじめ弗化ガドリニウム（ＧｄＦ、）を
添加して、蒸着することを特徴とするものである。
方法は、蒸着源として用いるＭｎを添加したＺｎ８のタ
ーゲットにあらかじめ弗化ガドリニウム（ＧｄＦ、）を
添加して、蒸着することを特徴とするものである。
（６） 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る。
る。
本発明の薄膜ＥＬ素子のＩＣ１層の形成方法の従来の方
法と異なる点は蒸着源としてＭｎを添加したＺｎ８に更
にＧｄＦ、を添加して、これを蒸着源として用いて電子
ビーム蒸着法によって１１層を形成する点にある。この
ような蒸着源を形成するには前述したＭｎを０．５〜０
．１重量％添加したＺｎ８の焼結し九粉末状のベレット
に更にＧｄＦ、の粉末を０．５〜０．０５重量％の値で
添加したのち加圧して直径２０−１１１１程度の円板状
に加圧成形してから焼成するとよい。このようにＧｄＦ
、を添加するのは例えば他の希土類元素のテルビウム（
Ｔｂ）の弗化物等を添加した場合、緑色の発光をするよ
うになって具合が悪くなり、また他の金属元素をＺｎ８
８Ｍｎに添加した場合でも元の発光色が変化するように
なって具合が悪く、このＧｄＦ、のみが形成される薄膜
ＢＬ素子の発光特性に侮辱変化を及ぼさずまたＧｄＦ、
を添加することで蒸着源の比抵抗が低下し蒸着源の表面
で前述した電荷の帯電を生じないためである。
法と異なる点は蒸着源としてＭｎを添加したＺｎ８に更
にＧｄＦ、を添加して、これを蒸着源として用いて電子
ビーム蒸着法によって１１層を形成する点にある。この
ような蒸着源を形成するには前述したＭｎを０．５〜０
．１重量％添加したＺｎ８の焼結し九粉末状のベレット
に更にＧｄＦ、の粉末を０．５〜０．０５重量％の値で
添加したのち加圧して直径２０−１１１１程度の円板状
に加圧成形してから焼成するとよい。このようにＧｄＦ
、を添加するのは例えば他の希土類元素のテルビウム（
Ｔｂ）の弗化物等を添加した場合、緑色の発光をするよ
うになって具合が悪くなり、また他の金属元素をＺｎ８
８Ｍｎに添加した場合でも元の発光色が変化するように
なって具合が悪く、このＧｄＦ、のみが形成される薄膜
ＢＬ素子の発光特性に侮辱変化を及ぼさずまたＧｄＦ、
を添加することで蒸着源の比抵抗が低下し蒸着源の表面
で前述した電荷の帯電を生じないためである。
このようにＧｄＦ、を添加したＺｎ８：Ｍｎを蒸着源と
して用いた場合のエミッション電流に対するＥＬ層の蒸
着速度の関係を第３図に示す。図で横軸はエミッション
電流（ｍム）を示し、縦軸はＺｎ８：ＭｎよりなるＥＬ
層の蒸着速度（Ｘ／分）を表わす。図示するように本発
明めＥＬ層の形成方法によればエミッション電流を５０
ｍＡ程に低下させればＥＬ層の蒸着速度が１０００ （
１７分）と低い蒸着速度に充分制御でき得るようになる
。このように低い蒸着速度で形成したＥＬ層は結晶粒子
の配列状態が規則正しく行われるようになシ、このよう
なＥＬ層を用いて薄膜ＥＬ素子を形成すると発光特性も
良好となる。
して用いた場合のエミッション電流に対するＥＬ層の蒸
着速度の関係を第３図に示す。図で横軸はエミッション
電流（ｍム）を示し、縦軸はＺｎ８：ＭｎよりなるＥＬ
層の蒸着速度（Ｘ／分）を表わす。図示するように本発
明めＥＬ層の形成方法によればエミッション電流を５０
ｍＡ程に低下させればＥＬ層の蒸着速度が１０００ （
１７分）と低い蒸着速度に充分制御でき得るようになる
。このように低い蒸着速度で形成したＥＬ層は結晶粒子
の配列状態が規則正しく行われるようになシ、このよう
なＥＬ層を用いて薄膜ＥＬ素子を形成すると発光特性も
良好となる。
（７）発明の効果
以上述べたように本発明の方法で１１層を形成すれば結
晶粒が規則正しく配列したＥＬ層が再現性良く形成され
、このようなＥＬ層を用いてＫＬ素子を形成すれば、形
成されるＥＬ素子の発光特性が良好な本のが得られる利
点を生じる。壕九以上のＥＬ層の形成方法は交流電源に
て駆勢するＥＬ素子のみならず直流電源で駆動するＥＬ
素子にも適用できることは勿論である。
晶粒が規則正しく配列したＥＬ層が再現性良く形成され
、このようなＥＬ層を用いてＫＬ素子を形成すれば、形
成されるＥＬ素子の発光特性が良好な本のが得られる利
点を生じる。壕九以上のＥＬ層の形成方法は交流電源に
て駆勢するＥＬ素子のみならず直流電源で駆動するＥＬ
素子にも適用できることは勿論である。
第１図はＥＬ素子の構造を示す断面図で、第２図は従来
のＥＬ層の形成方法においてＥＬ層の蒸着速度とエミッ
ション電流の関係を示す図で、第３図は本発明のＥＬ層
の形成方法においてＥＬ層の蒸着速度とエミッション電
流の関係を示す図である。 図において１は基板、２は前面電極、３は第１の絶縁体
層、４はＥＬ層、５は第２の絶縁体層、６は背面電極を
示す。 第１ツ１ 第２図
のＥＬ層の形成方法においてＥＬ層の蒸着速度とエミッ
ション電流の関係を示す図で、第３図は本発明のＥＬ層
の形成方法においてＥＬ層の蒸着速度とエミッション電
流の関係を示す図である。 図において１は基板、２は前面電極、３は第１の絶縁体
層、４はＥＬ層、５は第２の絶縁体層、６は背面電極を
示す。 第１ツ１ 第２図
Claims (1)
- Ｚｎ８ ： Ｍｎを主成分とするＥＬ層をそなえた薄膜
ＥＬ素子において、前記ＥＬ層の形成に際し、Ｍｎ を
添加したＺｎ８ にさらに弗化ガドリニウム（ＧｄＦｍ
）を添加した形のターゲットを用いて蒸着することを特
徴とするＥＬ層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56200366A JPS58102486A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | Ｅｌ層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56200366A JPS58102486A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | Ｅｌ層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102486A true JPS58102486A (ja) | 1983-06-18 |
Family
ID=16423104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56200366A Pending JPS58102486A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | Ｅｌ層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102486A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155594A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | 株式会社日立製作所 | 薄膜ｅｌ素子用タ−ゲツトの製造方法 |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP56200366A patent/JPS58102486A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155594A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | 株式会社日立製作所 | 薄膜ｅｌ素子用タ−ゲツトの製造方法 |
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