JPS5139078B1 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS5139078B1 JPS5139078B1 JP44015528A JP1552869A JPS5139078B1 JP S5139078 B1 JPS5139078 B1 JP S5139078B1 JP 44015528 A JP44015528 A JP 44015528A JP 1552869 A JP1552869 A JP 1552869A JP S5139078 B1 JPS5139078 B1 JP S5139078B1
- Authority
- JP
- Japan
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP44015528A JPS5139078B1 (nl) | 1969-02-28 | 1969-02-28 | |
US14174A US3603848A (en) | 1969-02-27 | 1970-02-25 | Complementary field-effect-type semiconductor device |
DE2009102A DE2009102C3 (de) | 1969-02-27 | 1970-02-26 | Integrierte Halbleiteranordnung mit komplementären Feldeffekttransistoren |
GB9346/70A GB1261494A (en) | 1969-02-27 | 1970-02-26 | Complementary field-effect type semiconductor device |
NLAANVRAGE7002793,A NL170349C (nl) | 1969-02-27 | 1970-02-27 | Halfgeleiderinrichting met complementaire veldeffecttransistoren. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP44015528A JPS5139078B1 (nl) | 1969-02-28 | 1969-02-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5139078B1 true JPS5139078B1 (nl) | 1976-10-26 |
Family
ID=11891295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP44015528A Pending JPS5139078B1 (nl) | 1969-02-27 | 1969-02-28 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5139078B1 (nl) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006049895A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 半導体デバイス、半導体チップ及び半導体デバイス製造方法 |
JP2007073799A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JP2009535808A (ja) * | 2006-04-28 | 2009-10-01 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 引張歪みを有し、結晶方位に沿って方向付けられた、電荷キャリア移動度が増加したチャネルを有するトランジスタ |
JP2013153176A (ja) * | 2013-02-26 | 2013-08-08 | Tohoku Univ | 相補型mis装置の製造方法 |
-
1969
- 1969-02-28 JP JP44015528A patent/JPS5139078B1/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006049895A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 半導体デバイス、半導体チップ及び半導体デバイス製造方法 |
JP2007073799A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JP2009535808A (ja) * | 2006-04-28 | 2009-10-01 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 引張歪みを有し、結晶方位に沿って方向付けられた、電荷キャリア移動度が増加したチャネルを有するトランジスタ |
JP2013153176A (ja) * | 2013-02-26 | 2013-08-08 | Tohoku Univ | 相補型mis装置の製造方法 |