JPH1197468A - Resin sealed semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents

Resin sealed semiconductor device and manufacture thereof

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JPH1197468A
JPH1197468A JP25364297A JP25364297A JPH1197468A JP H1197468 A JPH1197468 A JP H1197468A JP 25364297 A JP25364297 A JP 25364297A JP 25364297 A JP25364297 A JP 25364297A JP H1197468 A JPH1197468 A JP H1197468A
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sealing
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent generation of mold flashes. SOLUTION: In this method, a resin sealed semiconductor device is manufactured by seal molding a semiconductor chip, by using a sealing resin, on a lead frame which comprises an island 7 for mounting a semiconductor chip, internal leads 2a and external leads 2 arranged around the island 7, tie bars 1 for supporting the leads with a given interval therebetween, and suspension leads 6 for supporting the island 7. Prior to seal molding, side surfaces of the internal leads 2a are covered with a first resin 4 composed of a low-melting- point resin. Further, the first resin 4 is covered with a second resin 3 which has a thermal expansion coefficient larger than that of the sealing resin so as to fill up the spaces between the internal leads 2a, followed by seal molding using the sealing resin.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に樹脂封止型半導体装置に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a resin-sealed semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】樹脂封止された半導体装置の製造方法が
特開昭63−87753号公報に開示されている。この
技術について図3乃至図5を参照して説明する。図3
は、半導体装置の樹脂封止を完了した状態の上面図であ
り、図4は図3のA−A線に沿った側断面図の部分拡大
図である。また、図5は図3のB−B線に沿った側断面
図の部分拡大図である。
2. Description of the Related Art A method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-87753. This technique will be described with reference to FIGS. FIG.
FIG. 4 is a top view showing a state where resin sealing of the semiconductor device is completed, and FIG. 4 is a partially enlarged view of a side sectional view taken along line AA of FIG. FIG. 5 is a partially enlarged view of a side sectional view taken along line BB of FIG.

【0003】樹脂封止する半導体装置の製造方法におい
ては、図3に示すように半導体チップをリードフレーム
に接続後、リードフレームのタイバー1、内部リード2
aおよび外部リード2の接続部分を耐熱シール11で被
覆し、次いで樹脂で半導体チップ部分を封止し樹脂封止
部9を形成する。その樹脂封止する際に、封止樹脂が内
部リード2aからタイバー1方向に流れ出すために、そ
の樹脂のリード表面への付着削減とその付着した樹脂の
除去を容易にするために耐熱シール11が使用される。
なお、タイバー1は内部リード2aと外部リード2を所
定の間隔に支持すると同時に外部リード2上への封止樹
脂の流れだしを防止する働きをする。
In a method of manufacturing a semiconductor device to be sealed with a resin, a semiconductor chip is connected to a lead frame as shown in FIG.
Then, a connection portion between a and the external lead 2 is covered with a heat-resistant seal 11, and then the semiconductor chip portion is sealed with resin to form a resin sealing portion 9. When the resin is sealed, since the sealing resin flows out from the internal lead 2a in the direction of the tie bar 1, the heat-resistant seal 11 is used to reduce the adhesion of the resin to the lead surface and to facilitate the removal of the adhered resin. used.
The tie bar 1 functions to support the internal lead 2a and the external lead 2 at a predetermined interval and at the same time prevent the sealing resin from flowing onto the external lead 2.

【0004】図4の断面図には内部リード2aの表面に
耐熱シール11が被覆され、流れ出した封止樹脂が耐熱
シール11上に付着している様子が示されている。この
耐熱シール11上に付着した樹脂は、一般にバリ12と
呼ばれている。また図5の断面図には、樹脂封止部9か
ら封止樹脂が流れ出しバリ12を形成した様子が示され
ている。
[0004] A cross-sectional view of FIG. 4 shows a state in which the surface of the internal lead 2 a is covered with a heat-resistant seal 11, and the sealing resin that has flowed out adheres to the heat-resistant seal 11. The resin attached on the heat-resistant seal 11 is generally called a burr 12. In addition, the cross-sectional view of FIG. 5 shows a state in which the sealing resin flows out of the resin sealing portion 9 to form the burr 12.

【0005】耐熱シール11を剥離すると、耐熱シール
11上に付着したバリ12は機械的に除去できることに
なる。耐熱シール11が被覆されずリード2上に形成さ
れたバリ12は、耐熱シール上のバリに引きずられて剥
離される。そのため、一般に、耐熱シール11は樹脂封
止部9になるべく近接して被覆される。
[0005] When the heat-resistant seal 11 is peeled off, the burrs 12 adhered to the heat-resistant seal 11 can be mechanically removed. The burrs 12 formed on the leads 2 without being covered with the heat-resistant seal 11 are separated by being pulled by the burrs on the heat-resistant seal. Therefore, generally, the heat-resistant seal 11 is coated as close to the resin sealing portion 9 as possible.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術の第1
の問題点は、樹脂封止後、耐熱シール11をはがしてバ
リ12を取り除く際に、内部リード2aとバリ12の密
着性が高く、完全にバリ12を除去できないことであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The first of the prior arts described above.
The problem is that when the heat-resistant seal 11 is peeled off after the resin sealing and the burr 12 is removed, the adhesion between the internal lead 2a and the burr 12 is high and the burr 12 cannot be completely removed.

【0007】上記従来技術の第2の問題点は、樹脂封止
時、内部リード上に貼られた耐熱シール11が金型に押
され、内部リードを変形を発生させてしまうことであ
る。そのリード間隔が狭いほど耐熱シールの熱膨張の影
響を受けやすく、該リードが変形しやすくなる。
A second problem of the above-mentioned prior art is that the heat-resistant seal 11 affixed on the internal lead is pressed by a mold during resin sealing, causing deformation of the internal lead. The smaller the lead interval, the more easily the thermal expansion of the heat-resistant seal is affected, and the more easily the lead is deformed.

【0008】本発明は、上記の従来技術の問題点を解決
した完全にバリの除去が可能で、樹脂封止時のリード変
形も発生させない樹脂封止型半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device which can completely remove burrs and does not cause lead deformation during resin encapsulation, which solves the above-mentioned problems of the prior art. Aim.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、外部リードと
内部リードとを所定の間隔にタイバーにより支持するリ
ードフレームのアイランドに半導体チップを搭載し、封
止樹脂で封止成型する樹脂封止型半導体装置の製造方法
において、その封止成型前に、前記前記内部リードの側
面に低融点樹脂からなる第1の樹脂を被覆し、さらに前
記第1の樹脂の上に前記封止樹脂よりも熱膨張係数の大
きな第2の樹脂を被覆して前記内部リード間隙を充填し
た後、前記封止樹脂で封止成型すること含む構成からな
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a resin sealing method in which a semiconductor chip is mounted on an island of a lead frame which supports an external lead and an internal lead at a predetermined interval by a tie bar, and is molded with a sealing resin. In the method of manufacturing a mold semiconductor device, before encapsulation molding, a side surface of the internal lead is coated with a first resin made of a low-melting point resin, and the first resin is coated on the first resin more than the encapsulation resin. After filling the internal lead gap with a second resin having a large thermal expansion coefficient, the internal lead gap is sealed and molded with the sealing resin.

【0010】上記本発明の前記第1の樹脂として低融点
の熱可塑性樹脂を使用することができる。また、前記第
2の樹脂としては、前記封止樹脂より熱膨張係数が大き
な熱硬化型または紫外線硬化型の樹脂が使用できる。
[0010] As the first resin of the present invention, a thermoplastic resin having a low melting point can be used. Further, as the second resin, a thermosetting resin or an ultraviolet curing resin having a larger coefficient of thermal expansion than the sealing resin can be used.

【0011】上記の第1の樹脂は、封止樹脂で封止成型
する際、温度で融解し、第2の樹脂の熱膨張により前記
内部リード上より流れだし除去される。内部リード間に
は第2の樹脂が残り、この樹脂で封止樹脂の過剰な流れ
出しが防止できる。封止成型後、冷却により、内部リー
ド間の第2の樹脂は体積が減少し、内部リードと第2の
樹脂の間隙ができるために、第2の樹脂は除去されやす
く、この樹脂の除去の際の内部リードの変形の発生も防
止できる。
When the first resin is sealed with a sealing resin, the first resin melts at a temperature and flows out of the internal leads due to thermal expansion of the second resin and is removed. The second resin remains between the internal leads, and this resin can prevent the sealing resin from flowing out excessively. After the encapsulation molding, the volume of the second resin between the internal leads is reduced by cooling, and a gap is formed between the internal leads and the second resin. Therefore, the second resin is easily removed. In this case, the deformation of the internal lead can be prevented.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0013】図1は本発明の実施の形態の樹脂封止型半
導体装置の製造方法を説明するための封止樹脂で封止成
型する前のリード間に第1および第2の樹脂を形成した
後の状態を示す半導体装置要部の拡大平面図である。な
お、図1では半導体チップ等については表示を省略して
ある。
FIG. 1 illustrates a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention, in which first and second resins are formed between leads before being encapsulated and molded with an encapsulating resin. FIG. 13 is an enlarged plan view of a main part of the semiconductor device, showing a state after the above. In FIG. 1, the illustration of the semiconductor chip and the like is omitted.

【0014】図1において、符号1はタイバー、2は外
部リード、2aは内部リードを示し、また3、4は内部
リード2aの側面に形成された第2の樹脂および第1の
樹脂を示す。符号6は吊りリード、符号7は半導体チッ
プを搭載するためのアイランド、符号10は吊りリード
とタイバーを接続するフレームを示す。また、符号5は
封止成型の封止ラインを示す。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a tie bar, 2 denotes an external lead, 2a denotes an internal lead, and 3 and 4 denote a second resin and a first resin formed on the side surface of the internal lead 2a. Reference numeral 6 denotes a suspension lead, reference numeral 7 denotes an island for mounting a semiconductor chip, and reference numeral 10 denotes a frame for connecting the suspension lead and the tie bar. Reference numeral 5 denotes a sealing line for sealing molding.

【0015】封止ライン5とタイバー間のリード側面に
は第1および第2の樹脂は形成されていない空隙が存在
する。この空隙の作用については後述するが、この空隙
を設けることも本発明の重要なポイントである。
There is a gap on the lead side surface between the sealing line 5 and the tie bar where the first and second resins are not formed. The function of this gap will be described later, but providing this gap is also an important point of the present invention.

【0016】次に、本発明の実施の形態の樹脂封止型半
導体装置の製造方法について図2を参照して詳細に説明
する。
Next, a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

【0017】図2(a)乃至図2(d)は本発明の実施
の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法における第1
および第2の樹脂被覆工程と封止樹脂による封止成型工
程を説明するリードフレームのリード要部の拡大平面図
である。
FIGS. 2A to 2D show a first method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an enlarged plan view of a main part of a lead of a lead frame for explaining a second resin coating step and a sealing molding step using a sealing resin.

【0018】まず、半導体チップをリードフレームのア
イランド(図1参照)に接続した後、図2(a)に示す
ように、内部リード2a間のリード側面に低融点樹脂か
らなる第1の樹脂4を厚さ20〜50μm形成する。こ
の第1の樹脂としては、低融点の熱可塑性樹脂が適して
おり、封止成型温度(例えば、170〜190℃)で融
解する塩化ビニル樹脂やポリスチレン樹脂を使用するこ
とができ、スクリーン印刷法等で形成できる。
First, after connecting the semiconductor chip to the island of the lead frame (see FIG. 1), as shown in FIG. 2A, a first resin 4 made of a low melting point resin is provided on the side surfaces of the leads between the internal leads 2a. Is formed to a thickness of 20 to 50 μm. As the first resin, a thermoplastic resin having a low melting point is suitable, and a vinyl chloride resin or a polystyrene resin that melts at a sealing molding temperature (for example, 170 to 190 ° C.) can be used. Etc. can be formed.

【0019】次に、第1の樹脂4の上に第2の樹脂3を
内部リード2a間隙が埋まるようにスクリーン印刷法等
で被覆し硬化させる。この第2の樹脂としては、封止樹
脂よりも熱膨張係数の大きく、封止成型温度で融解する
樹脂でなければ使用できる。本発明では、封止樹脂とし
ては、熱膨張係数が10〜20×10-6/℃のシリカ等
のフィフーを添加した粉末状で熱硬化型のエポキシ樹脂
が使用されるが、本発明では、樹脂のフィラー量を減ら
し、該封止樹脂の硬化物よりも大きな熱膨張係数(例え
ば、50〜70×l0-6/℃)の熱硬化型または紫外線
硬化型の液状のエポキシ樹脂等を使用できる。この第2
の樹脂として熱膨張係数が大きく、封止成型温度で融解
しない樹脂を使用することも本発明の重要なポイントで
ある。次に、温度170〜190℃に熱した金型のゲー
トから封止樹脂のエポキシ樹脂を5〜10秒間流し込み
半導体チップを樹脂封止する。この樹脂封止する際の温
度で、内部リード2a間の第1の樹脂4は融解し、第2
の樹脂3の熱膨張により内部リード2a間から流れ出
し、内部リード2a間には第2の樹脂3が残る(図2
(b)。この第2の樹脂は熱膨張し、内部リード2a間
に機械的に固持された状態である。封止樹脂8は封止ラ
インの方に流れ出し(図2(c))、やがて内部リード
2a間の第2の樹脂3を封止ライン5の外に追いやるた
めに、封止ライン5とタイバー1の間の内部リード2a
の間隙は第2の樹脂3で充填されるようになる。第2の
樹脂3はタイバー1で動きを止められるため、封止樹脂
8の流れも封止ラインで止まるようになる(図2
(d))。即ち、従来のような封止樹脂の過剰な流れ出
しが防止でき、、封止樹脂によるバリの発生が防止でき
ることになる。なお、この封止ライン5でちょうど封止
樹脂8の流れが止まるように、予め第2に樹脂3の形成
長さを求めておけばよい。封止成型後、冷却すれば、第
2の樹脂3は体積が小さくなり内部リード2a間に隙間
が生じ、高圧エアーの吹き付けや機械的な振動により内
部リード2a間から容易に除去できる。従って、従来の
ように耐熱シール剥離の際のリードの変形の問題も発生
しない。
Next, the second resin 3 is coated on the first resin 4 by a screen printing method or the like so as to fill the gap between the internal leads 2a and is cured. As the second resin, a resin having a larger thermal expansion coefficient than that of the sealing resin and melting at the sealing molding temperature can be used. In the present invention, as the sealing resin, a powdery thermosetting epoxy resin to which a fifo such as silica having a thermal expansion coefficient of 10 to 20 × 10 −6 / ° C. is added is used. The amount of resin filler is reduced, and a thermosetting or ultraviolet-curing liquid epoxy resin having a larger thermal expansion coefficient (for example, 50 to 70 × 10 −6 / ° C.) than the cured product of the sealing resin can be used. . This second
It is also an important point of the present invention to use a resin which has a large thermal expansion coefficient and does not melt at a sealing molding temperature as the resin. Next, an epoxy resin as a sealing resin is poured from the gate of the mold heated to a temperature of 170 to 190 ° C. for 5 to 10 seconds to seal the semiconductor chip with the resin. At the temperature at which the resin is sealed, the first resin 4 between the internal leads 2a is melted,
2 flows out from between the internal leads 2a due to the thermal expansion of the resin 3, and the second resin 3 remains between the internal leads 2a (FIG. 2).
(B). The second resin thermally expands and is mechanically held between the internal leads 2a. The sealing resin 8 flows toward the sealing line (FIG. 2 (c)), and in order to drive the second resin 3 between the internal leads 2a out of the sealing line 5, the sealing line 5 and the tie bar 1 are used. Internal lead 2a between
Is filled with the second resin 3. Since the movement of the second resin 3 is stopped by the tie bar 1, the flow of the sealing resin 8 also stops at the sealing line (FIG. 2).
(D)). That is, it is possible to prevent the overflow of the sealing resin as in the related art, and to prevent the occurrence of burrs due to the sealing resin. In addition, the formation length of the resin 3 may be obtained in advance so that the flow of the sealing resin 8 just stops at the sealing line 5. If the second resin 3 is cooled after the sealing molding, the volume of the second resin 3 is reduced and a gap is formed between the internal leads 2a, and the second resin 3 can be easily removed from between the internal leads 2a by blowing high-pressure air or mechanical vibration. Therefore, there is no problem of lead deformation at the time of peeling off the heat-resistant seal as in the related art.

【0020】[0020]

【発明の効果】本発明の第1の効果は、封止成型時に封
止樹脂より熱膨張係数の大きな樹脂(第2の樹脂)によ
り封止ラインからタイバー迄の空隙が埋められ、封止樹
脂の封止ラインからの流れ出しを防止できるため、封止
樹脂によるバリの発生を防止できることである。
The first effect of the present invention is that the gap from the sealing line to the tie bar is filled with a resin (second resin) having a larger thermal expansion coefficient than the sealing resin at the time of sealing molding. Therefore, it is possible to prevent burrs from occurring due to the sealing resin.

【0021】本発明の第2の効果は、内部リード側面に
低融点樹脂の第1の樹脂を被覆し、第2の樹脂の熱膨張
によってこの第1樹脂が内部リード間から流れ出し除去
されるために、第2の樹脂による熱ストレスが緩和で
き、また封止成型後の第2の樹脂も容易に除去できるた
めに内部リード変形が発生しないことである。
The second effect of the present invention is that the first resin, which is a low melting point resin, is coated on the side surface of the internal lead, and the first resin flows out from between the internal leads and is removed by thermal expansion of the second resin. In addition, since the thermal stress due to the second resin can be reduced, and the second resin after the encapsulation molding can be easily removed, the deformation of the internal lead does not occur.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を説明するための封止樹脂で封止成型する前の
内部リード間に第1および第2の樹脂を形成した後の状
態を示す半導体装置要部の拡大平面図である。
FIG. 1 is a view illustrating a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention, after forming first and second resins between internal leads before sealing and molding with a sealing resin. FIG. 4 is an enlarged plan view of a main part of the semiconductor device showing the state of FIG.

【図2】本発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法における第1および第2の樹脂被覆工程と封止
樹脂による封止成型工程を説明するリードフレームのリ
ード要部の拡大平面図である。
FIG. 2 is an enlarged view of a main part of a lead of a lead frame for explaining first and second resin coating steps and a sealing molding step using a sealing resin in the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention; It is a top view.

【図3】従来技術の半導体装置の樹脂封止を完了した状
態の上面図である。
FIG. 3 is a top view showing a state in which resin sealing of a conventional semiconductor device is completed.

【図4】図3のA―A線に沿った側断面図の部分拡大図
である。
FIG. 4 is a partially enlarged view of a side sectional view taken along line AA of FIG. 3;

【図5】図3のB―B線に沿った側断面図の部分拡大図
である。
FIG. 5 is a partially enlarged view of a side sectional view taken along line BB of FIG. 3;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 タイバー 2 外部リード 2a 内部リード 3 第2の樹脂 4 第1の樹脂 5 封止ライン 6 吊りリード 7 アイランド 8 封止樹脂 9 樹脂封止部 10 フレーム 11 耐熱シール 12 バリ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Tie bar 2 External lead 2a Internal lead 3 Second resin 4 First resin 5 Sealing line 6 Suspended lead 7 Island 8 Sealing resin 9 Resin sealing portion 10 Frame 11 Heat resistant seal 12 Burr

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 外部リードと内部リードとを所定の間隔
にタイバーにより支持するリードフレームのアイランド
に半導体チップを搭載し、封止樹脂で封止成型する樹脂
封止型半導体装置の製造方法において、その封止成型前
に、前記前記内部リードの側面に低融点樹脂からなる第
1の樹脂を被覆し、さらに前記第1の樹脂の上に前記封
止樹脂よりも熱膨張係数の大きな第2の樹脂を被覆して
前記内部リード間隙を充填した後、前記封止樹脂で封止
成型すること含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装
置の製造方法。
1. A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising: mounting a semiconductor chip on an island of a lead frame for supporting an external lead and an internal lead at a predetermined interval by a tie bar; Before the sealing molding, a side surface of the internal lead is coated with a first resin made of a low melting point resin, and a second resin having a larger coefficient of thermal expansion than the sealing resin is formed on the first resin. A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising: filling a gap between the internal leads by coating with a resin; and sealing and molding with a sealing resin.
【請求項2】 前記封止前の前記第1の樹脂および前記
第2の樹脂を前記内部リード間と前記タイバーとの間に
間隙ができるように形成した請求項1記載の樹脂封止型
半導体装置の製造方法。
2. The resin-sealed semiconductor according to claim 1, wherein the first resin and the second resin before the sealing are formed such that a gap is formed between the internal leads and the tie bar. Device manufacturing method.
【請求項3】 前記第1の樹脂として熱可塑性樹脂を使
用した請求項1または請求項2記載の樹脂封止型半導体
装置の製造方法。
3. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein a thermoplastic resin is used as said first resin.
【請求項4】 前記熱可塑性樹脂として、塩化ビニル樹
脂またはポリスチレン樹脂を使用した請求項3記載の樹
脂封止型半導体装置の製造方法。
4. The method according to claim 3, wherein a vinyl chloride resin or a polystyrene resin is used as the thermoplastic resin.
【請求項5】 前記第2の樹脂として熱硬化型または紫
外線硬化型樹脂を使用した請求項1乃至請求項4記載の
樹脂封止型半導体装置の製造方法。
5. The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein a thermosetting resin or an ultraviolet-curing resin is used as the second resin.
【請求項6】 前記第2の樹脂として熱硬化型または紫
外線硬化型のエポキシ樹脂を使用した請求項5記載の樹
脂封止型半導体装置の製造方法。
6. The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 5, wherein a thermosetting or ultraviolet-curing epoxy resin is used as said second resin.
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