JPH1197422A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明はプラズマにより成膜やエッチングの処
理を行なうプラズマ処理装置に関し、チャンバの洗浄周
期を長くすることを課題とする。 【解決手段】石英チャンバ４２に誘導結合型のアンテナ
４４を有し、このアンテナ４４に電力を供給して石英チ
ャンバ４２内にプラズマ６０を発生しウエハ５４を処理
するプラズマ処理装置において、前記アンテナ４４を形
成するコイルの両端６６，６８と、アンテナ４４の整合
をとるためのマッチング回路ま４６との間に、前記コイ
ル両端６６，６８を電気的に切り換える切り換え回路７
０を設けた構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理装置に
係り、特にプラズマにより成膜やエッチングの処理を行
なうプラズマ処理装置に関する。プラズマ処理装置は、
プラズマを用いた連続処理で被加工物となる半導体に対
し成膜やエッチングを行なう構成とされている。このプ
ラズマ処理装置によれば、常に同じプラズマを作り、同
様に処理することにより、再現性の良い成膜，エッチン
グを実施することができる。

【０００２】しかるに、処理が行なわれるチャンバ内に
汚れが付着した場合には、プラズマの発生状態が変化
し、再現性の良い成膜，エッチング処理ができなくなる
おそれがある。そこで、チャンバ内の汚れの発生を抑制
しうるプラズマ処理装置が要望されている。

【０００３】

【従来の技術】一般に、半導体プロセスにおいてウエハ
上に膜を形成する際や、ウエハ上の膜をエッチングする
際に、プラズマを利用して処理を行なう場合が多い。こ
の成膜，エッチングに使用されるプラズマ処理装置とし
ては、主として平行平板型，ＥＣＲ型，ヘリコン型，Ｉ
ＣＰ（誘導結合）型等が知られており、近年高密度プラ
ズマの必要性からＥＣＲ型，ヘリコン型，ＩＣＰ（誘導
結合）型が多く使用されるようになってきている。特
に、ＩＣＰ（誘導結合）型は、構造が比較的にコンパク
トであり多用されている。

【０００４】図５はエッチングで使用する従来のＩＣＰ
（誘導結合）型プラズマ処理装置１０（以下、単にプラ
ズマ処理装置と記す）を示す概略図であり、また図６は
プラズマ処理装置のアンテナ１４近傍を拡大して示す図
である。各図に示されるように、プラズマ処理装置１０
は、大略すると石英チャンバ１２、アンテナ１４、マッ
チング回路１６，１８、高周波電源２０、ウエハバイア
ス電源２２等により構成されている。

【０００５】石英チャンバ１２は内部にエッチングガス
が充填されており、その周りにはコイル状のアンテナ１
４が巻回されている。このアンテナ１４は、マッチング
回路１６を介して高周波電源２０に接続されている。具
体的には、図６に示されるように、高周波電源２０（マ
ッチング回路１６）とアンテナ１４は２本の配線３２，
３４により接続されており、一方の配線３４はアースさ
れている。よって、配線３２は給電線として機能し、配
線３４はアース線として機能する。

【０００６】そして、アンテナ１４に対し、高周波電源
２０から高周波電力（プラズマを発生する電力。以下、
ソースパワーと記す）を投入することにより、石英チャ
ンバ１２内にプラズマ３０（図６参照）を発生させる構
成とされている。ウエハ（半導体）２４は、石英チャン
バ１２内に設けられたステージ２６に装着されており、
ブロッキングコンデンサー２８及びマッチング回路１８
を介してウエハバイアス電源２２に交流的に接続されて
いる。ウエハバイアス電源２２によりステージ２６に印
加されるウエハバイアスは、エッチングにおいて高エッ
チングレート，異方性を得るために重要なものである。

【０００７】即ち、ウエハバイアスをかけることによ
り、プラズマで生成したイオンをウエハに垂直に引き込
むことができ、よってエッチングの異方性を達成するこ
とができ、またウエハバイアスの大きさによりエッチン
グレート，下地，及びマスク材との選択比を設定するこ
とができる（ウエハバイアス電源２２の電力を、以下バ
イアスパワーと記す）。

【０００８】プラズマを用いたウエハ処理は、上記した
プラズマ処理装置１０を用い、エッチングガス流量，チ
ャンバ内圧力，ステージ位置，ソースパワー，バイアス
パワー等を処理ウエハ毎に等しくなるよう設定すること
により、常に同量のエッチングレート，下地及びマスク
材との選択比を得るようにしている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ここで、図６及び図７
を用い、誘導結合型のプラズマ装置１０の動作原理につ
いて説明する。図６はプラズマ装置１０のアンテナ１４
近傍を拡大して示す要部構成図であり、また図７は発生
する誘導結合プラズマの等価回路を示している。図６に
示されるように、プラズマ３０は、石英チャンバ１２の
周りに巻かれたアンテナ１４に高周波電源２０からソー
スパワーを投入することにより発生する。この際、アン
テナ１４に高周波電流が流れると高周波磁場が生成され
て誘導電界が発生し、この誘導電界により電子は駆動さ
れてプラズマが生成維持される。この誘導電界により電
子が駆動される機構は、図７に示されるように、アンテ
ナ１４がトランスの１次コイルに、プラズマ３０が２次
コイルに相当する。

【００１０】続いて、上記構成とされたプラズマ処理装
置１０において、石英チャンバ１２が汚れた場合につい
て考える。石英チャンバ１２が汚れると、アンテナ１４
から同じ高周波磁界が発生しても、プラズマ３０がアン
テナ１４から感じる磁界は弱まり、同じソースパワーで
あってもプラズマ３０に与えられる電界は小さくなる。
このような状態になると、プラズマ処理装置１０を一旦
止めて、石英チャンバ１２の洗浄をしなければならな
い。

【００１１】石英チャンバ１２に付着する汚れは、処理
したウエハ２４の枚数が増大する程ひどくなるため定期
的な洗浄を必要とする。また、チャンバ洗浄は半日以上
もの時間を必要とし、当然その間はプラズマ処理装置１
０をストップさせる必要がある。石英チャンバ１２の汚
れの原因は、被エッチング材料，エッチング（スパッ
タ）されたマスク材，エッチング（スパッタ）された下
地材料の再付着、プラズマ３０で生成したラジカルのデ
ポジション等が挙げられる。これらにより石英チャンバ
１２が汚れると、誘導結合型のプラズマ処理装置１０の
ように石英チャンバ１２の外部から電源を投入してプラ
ズマ３０を発生させる装置の場合、電力の投入を汚れが
妨げ、同じプラズマ３０を持続して発生させるのが困難
になる。

【００１２】特に、汚れが導電性物質によるものだと、
汚れによる電力消費が大きくなり、エッチングレート，
下地及びマスク材との選択比の変動は大きくなる。よっ
て、石英チャンバ１２に汚れが付着すると、経時的にプ
ラズマの発生状態が変化し、これにより再現性の良い成
膜，エッチング処理ができなくなるという問題点があ
る。

【００１３】しかるに、従来では石英チャンバ１２に付
着する汚れを抑制する手段が設けられていなかったた
め、石英チャンバ１２に対する洗浄処理を頻繁に行なう
必要があり、よってプラズマ処理装置１０の停止期間が
長くなり、効率的な成膜処理或いはエッチング処理を行
なうことができないという問題点があった。本発明は上
記の点に鑑みてなされたものであり、チャンバの洗浄周
期を長くすることができるプラズマ処理装置を提供する
ことを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、次に述べ
る手段を講じることにより解決することができる。請求
項１記載の発明では、チャンバに誘導結合型のアンテナ
を有し、該アンテナに電力を供給して該チャンバ内にプ
ラズマを発生し半導体を処理するプラズマ処理装置にお
いて、前記アンテナを形成するコイルの両端と、アンテ
ナの整合をとるための回路との間に、前記コイル両端を
電気的に切り換える切り換え手段を設けたことを特徴と
するものである。

【００１５】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載のプラズマ処理装置において、前記切り換え手
段が、１枚の基板処理を行なう毎に前記コイル両端を電
気的に切り換える構成としたことを特徴とするものであ
る。また、請求項３記載の発明では、前記請求項１記載
のプラズマ処理装置において、前記切り換え手段が、基
板処理中に複数回にわたり前記コイル両端を電気的に切
り換える構成としたことを特徴とするものである。

【００１６】更に、請求項４記載の発明では、前記請求
項１乃至３の何れか１項に記載のプラズマ処理装置にお
いて、装置本体に内設される被エッチング材料，マスク
材料，或いは下地材料の内、少なくとも一つが、白金
（Ｐｔ），イリジウム（Ｉｒ），ルテニウム（Ｒｕ），
酸化ルテニウム（ＲｕＯ），或いは銅（Ｃｕ）の内の少
なくとも一つを含むことを特徴とするものである。

【００１７】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明によれば、チャンバに設けられた誘
導結合型のアンテナに電力を供給してチャンバ内にプラ
ズマを発生させることにより、半導体に対して成膜処理
或いはエッチング処理を実施することができる。また、
アンテナを形成するコイルの両端と、アンテナの整合を
とるための回路との間に、コイル両端を電気的に切り換
える切り換え手段を設けたことにより、チャンバに汚れ
が付着するのを抑制することができる。以下、その理由
について説明する。

【００１８】本発明者は、前記した従来構成のプラズマ
処理装置を用いたエッチング処理及びスパッタリング処
理において、チャンバに汚れが付着する位置に注目し
た。その結果、チャンバに汚れが多く付着する位置は、
基本的にアンテナのアースに接続された付近で発生する
ことが判明した。これに対し、アンテナの高周波電力が
供給される給電部付近は発生しにくいことが判明した。

【００１９】これは、高周波電力が供給される付近で
は、スパッタ作用が発生するためにチャンバには汚れが
付着し難くなることに起因していると推定される。従っ
て、従来のようにコイル両端を電気的に切り換えない構
成では、アンテナのアースに接続された付近では、常に
チャンバに汚れが堆積し続ける状態となり、逆にアンテ
ナの高周波電力が供給される給電部付近については常に
チャンバに汚れが付着しない状態となる。

【００２０】これに対し、本発明の如く、アンテナを形
成するコイルの両端とアンテナの整合をとるための回路
との間に、コイル両端を電気的に切り換える切り換え手
段を設けることにより、切り換え処理によりコイル両端
の夫々において上記したスパッタ作用を発生させること
ができる。従って、コイル両端の何れか一方に集中的に
汚れが堆積することを防止でき、チャンバ内に汚れが付
着することを抑制することができる。これにより、チャ
ンバの洗浄周期を長くすることが可能となり、洗浄処理
のためにプラズマ処理装置を停止させる時間を短くする
ことができるため、効率的なプラズマ処理を行なうこと
ができる。

【００２１】この切り換えのタイミングにつていは、請
求項２記載の発明のように、切り換え手段が１枚の基板
処理を行なう毎にコイル両端を電気的に切り換える構成
としてもよく、また請求項３記載の発明のように、基板
処理中に複数回にわたりコイル両端を電気的に切り換え
る構成としてもよい。このように、比較的頻繁に切り換
え処理を行なうことにより、チャンバに汚れが付着する
ことを有効に抑制することができる。

【００２２】また、請求項４記載の発明によれば、被エ
ッチング材料，マスク材料，或いは下地材料が、チャン
バに付着し易い材料である白金（Ｐｔ），イリジウム
（Ｉｒ），ルテニウム（Ｒｕ），酸化ルテニウム（Ｒｕ
Ｏ），或いは銅（Ｃｕ）等を含んでいても、チャンバ内
に汚れが付着することが抑制されるため、従来に比べチ
ャンバの洗浄周期を格段に長くすることができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１乃至図３は、本発明に係る
プラズマ処理装置の実施の一形態を示す図である。図１
はプラズマ処理装置４０の構成図であり、図２及び図３
はプラズマ処理装置４０のアンテナ４４近傍を拡大して
示す構成図である。各図に示されるように、プラズマ処
理装置４０は、大略すると石英チャンバ４２、アンテナ
４４、マッチング回路４６，４８、高周波電源４０、ウ
エハバイアス電源４２、及び本発明の要部となる切り換
え回路７０等により構成されている。

【００２４】石英チャンバ４２は内部にエッチングガス
が充填されており、その周りにはコイル状のアンテナ４
４が巻回されている。このアンテナ４４は、マッチング
回路４６及び切り換え回路７０を介して高周波電源５０
に接続されている。具体的には、図２及び図３に示され
るように、高周波電源５０（マッチング回路４６）とア
ンテナ４４は２本の配線５２，５４により接続されてお
り、一方の配線５４はアースされている。よって、配線
５２は高周波電源５０からアンテナ４４に対し電力を供
給する給電線として機能し（以下、配線５２を給電配線
と記す）、配線５４はアース線として機能する（以下、
配線５４をアース配線と記す）。この２本の配線５２，
５４は、アンテナ４４の接続端子６６，６８に接続され
ている。

【００２５】上記構成において、アンテナ４４に対し高
周波電源５０から高周波電力（プラズマを発生する電
力。以下、ソースパワーと記す）を投入すると、石英チ
ャンバ４２内にプラズマ６０（図２及び図３参照）が発
生する。この際、マッチング回路４６により、石英チャ
ンバ４２内の状態（例えば、ガス濃度等）に応じて印加
電力の周波数調整（マッチング）が行なわれる。このマ
ッチング処理は、プラズマ処理装置４０を統括制御する
制御装置７２がマッチング回路４６を制御することによ
り実施される。

【００２６】被加工物（即ち、成膜処理或いはエッチン
グ処理が行なわれる物）であるウエハ（半導体）５４
は、石英チャンバ４２内に設けられたステージ５６に装
着されている。このステージ５６は、ブロッキングコン
デンサー５８及びマッチング回路４８を介してウエハバ
イアス電源５２に交流的に接続されている。ウエハバイ
アス電源５２によりステージ５６に印加されるウエハバ
イアスは、エッチングにおいて高エッチングレート，異
方性を得るために重要なものである。

【００２７】即ち、ウエハバイアスをかけることによ
り、プラズマ６０で生成したイオンをウエハ５４に垂直
に引き込むことができ、よってエッチングの異方性を達
成することができ、またウエハバイアスの大きさにより
エッチングレート，下地，及びマスク材との選択比を設
定することができる（ウエハバイアス電源２２の電力
を、以下バイアスパワーと記す）。

【００２８】尚、マッチング回路４８は、石英チャンバ
４２内の状態（例えば、ガス濃度等）に応じてウエハバ
イアスの周波数調整（マッチング）を行なうものであ
る。このマッチング処理は、制御装置７２がマッチング
回路４８を制御することにより実施される。一方、切り
換え回路７０は、例えば図２及び図３に示されるような
リレー装置により構成されている。切り換え回路７０
は、その内部に一対の可動接点７４，７６と、４個の固
定接点７８ａ，７８ｂ，８０ａ，８０ｂとを有した構成
とされている。

【００２９】この一対の可動接点７４，７６の内、可動
接点７４は給電配線６２と接続されており、可動接点７
６はアース配線６４と接続されている。また、４個の固
定接点７８ａ，７８ｂ，８０ａ，８０ｂの内、固定接点
７８ａ，７８ｂは途中で一体的に接続された上でアンテ
ナ４４の接続端子６６に接続されている。更に、固定接
点７８ａ，７８ｂ，８０ａ，８０ｂの内、固定接点７８
ａ，７８ｂは途中で一体的に接続された上でアンテナ４
４の接続端子６６に接続されている。また、固定接点８
０ａ，８０ｂも途中で一体的に接続された上でアンテナ
４４の接続端子６８に接続されている。

【００３０】上記構成において、切り換え回路７０内に
配設された一対の可動接点７４，７６は、制御装置７２
により制御される駆動装置（図示せず）により一体的に
可動する構成とされている。具体的には、切り換え回路
７０は、図２に示す一対の可動接点７４，７６が固定接
点７８ａ，７８ｂと接続した第１の状態と、図３に示す
一対の可動接点７４，７６が固定接点８０ａ，８０ｂと
接続した第２の状態とを切り換える。

【００３１】従って、図２に示す第１の状態では、給電
配線６２は可動接点７４，固定接点７８ａを介してアン
テナ４４の接続端子６６に接続され、アース配線６４は
可動接点７６，固定接点８０ａを介してアンテナ４４の
接続端子６８に接続される。即ち、図中上部に位置する
アンテナ４４の接続端子６６に給電が行なわれ、下部に
位置する接続端子６８はアースされる。

【００３２】一方、図３に示す第２の状態では、給電配
線６２は可動接点７４，固定接点８０ｂを介してアンテ
ナ４４の接続端子６８に接続され、アース配線６４は可
動接点７６，固定接点７８ｂを介してアンテナ４４の接
続端子６６に接続される。即ち、図中上部に位置するア
ンテナ４４の接続端子６６はアースされ、下部に位置す
る接続端子６８に給電が行なわれる。

【００３３】上記のように、切り換え回路７０はアンテ
ナ４４を形成するコイル両端の接続端子６６，６８と、
アンテナ４４の整合をとるマッチング回路４６との間に
配設され、接続端子６６，６８を電気的に切り換える機
能を奏する。続いて、上記構成とされたプラズマ処理装
置４０の動作及び作用について説明する。

【００３４】先ず、図２に示す第１の状態に注目する。
この第１の状態では、図中上部に位置するアンテナ４４
の接続端子６６に給電が行なわれ、下部に位置する接続
端子６８はアースされる。また、前記したように、石英
チャンバ４２において、汚れが多く付着する位置は、基
本的にアンテナ４４のアースに接続された付近、即ち接
続端子６８の近傍である（図中、汚れを符号８２で示
す）。

【００３５】これに対し、アンテナ４４の高周波電力が
供給される給電部付近、即ち接続端子６６の近傍位置に
は汚れは殆ど付着しない。これは、高周波電力が供給さ
れる付近では、スパッタ作用が発生するためにチャンバ
には汚れが付着し難くなることに起因していると推定さ
れる。図５及び図６を用いて説明した従来のプラズマ処
理装置１０は、この第１の状態のみしか実現することが
できない構成とされていた。このため、アンテナのアー
スに接続された付近では、常にチャンバに汚れが堆積し
続ける状態となり、これにより洗浄周期を早めなければ
ならなかった。

【００３６】しかるに、本発明の如くコイル両端を電気
的に切り換える切り換え回路７０を設けることにより、
図２に示す第１の状態から図３に示す第２の状態に、プ
ラズマ処理装置４０の状態を変化させることができる。
この第２の状態では、図中下部に位置するアンテナ４４
の接続端子６８に給電が行なわれ、上部に位置する接続
端子６６はアースされる。前記のように、接続端子６８
の近傍には第１の状態において汚れ８２が堆積してい
る。しかるに、接続端子６８に高周波電力が供給される
ことにより発生するスパッタ作用により、この接続端子
６８近傍の汚れ８２は飛散し除去される。また、逆にア
ースされた接続端子６６の近傍位置には、新たに汚れ８
４が発生する。

【００３７】従って、切り換え回路７０により接続端子
６６，６８の電気的極性（特性）を交番的に切り換える
ことにより、接続端子６６，６８の夫々において上記し
たスパッタ作用を発生させることができる。これによ
り、接続端子６６，６８の配設位置近傍の何れか一方に
集中的に汚れ８２，８４が堆積することを防止でき、石
英チャンバ４２の内部全体としての汚れの付着を抑制す
ることができる。

【００３８】このように、石英チャンバ４２内に汚れが
付着することを抑制できることにより、石英チャンバ４
２の洗浄周期を長くすることが可能となり、洗浄処理の
ためにプラズマ処理装置４０を停止させる時間を短くす
ることができるため、効率的なプラズマ処理を行なうこ
とができる。また、切り換え回路７０による上記切り換
えのタイミングは、特に限定されるものではなく、加工
時に石英チャンバ４２内に配設される物（被エッチング
材料，マスク材料，下地材料等）の材質等、或いは加工
状態等に基づき任意に設定することができる。例えば、
切り換え装置７０が１枚のウエハ５４の処理を行なう毎
に接続端子６６，６８を電気的に切り換える構成として
もよく、また１枚のウエハ５４の処理中に複数回にわた
り接続端子６６，６８を電気的に切り換える構成として
もよい。このように、比較的頻繁に切り換え処理を行な
うことにより、石英チャンバ４２に汚れが付着すること
を確実に抑制することができる。

【００３９】また、エッチング（スパッタエッチングも
含む）工程でプラズマ処理装置４０を使用する場合、被
エッチング材料，マスク材料，の少なくても一つが、蒸
気圧の低いＰｔ，Ｉｒ，Ｒｕ，ＲｕＯ，Ｃｕであると、
これら導電性の膜は石英チャンバ４２に付着し易いこと
が知られている。導電性の汚れは、プラズマ６０に大き
な影響を与えるので、エッチンググレート，マスク，下
地の材料との選択比に大きく影響を与える。

【００４０】しかるに、プラズマ処理装置４０は、上記
したように石英チャンバ４２内に汚れが付着することが
有効に抑制されるため、被エッチング材料，マスク材
料，或いは下地材料が、導電性を有した白金（Ｐｔ），
イリジウム（Ｉｒ），ルテニウム（Ｒｕ），酸化ルテニ
ウム（ＲｕＯ），或いは銅（Ｃｕ）等を含んでいても、
従来に比べ石英チャンバ４２の洗浄周期を格段に長くす
ることができる。

【００４１】続いて、本発明の効果を実証するため、本
発明者が実施した実験の実験結果につて説明する。本実
験では、従来のプラズマ処理装置１０と、本発明に係る
プラズマ処理装置４０とを用い、各装置１０，４０で略
同一条件の下でエッチング処理を行い、その結果発生し
た汚れを評価した。 〔比較例〕従来のプラズマ処理装置１０で、Ａｒ：５０
ｃｃ／ｍｉｎ、Ｃｌ₂ ：７５ｃｃ／ｍｉｎ、圧力：５ｍ
Ｔｏｒｒ，ソースパワー：１０００Ｗ一定、バイアスパ
ワー：１０００Ｗ一定の条件で、レジストマスクのＰｔ
エッチングを行なった。

【００４２】この時の処理枚数に対する、Ｐｔのエッチ
ングレート及びＰｔとレジストのエッチングレートの比
（選択比）を図８に示す。同図に示されるように、処理
枚数を重ねる毎に、Ｐｔのエッチングレート及び選択比
は変化していることが判る。 〔実施例〕これに対し、図１乃至図３に示した本発明に
係るプラズマ処理装置４０で、Ａｒ：５０ｃｃ／ｍｉ
ｎ、Ｃｌ₂ ：７５ｃｃ／ｍｉｎ、圧力：５ｍＴｏｒｒ，
ソースパワー：１０００Ｗ一定、バイアスパワー：１０
００Ｗ一定の条件で、レジストマスクのＰｔエッチング
を行なった。アンテナ４４の両端は、ウエハ１枚毎に電
気的に入れ替えている。

【００４３】この時の処理枚数に対する、Ｐｔのエッチ
ングレート及びＰｔとレジストのエッチングレートの比
（選択比）を図４に示す。同図に示されるように、図８
に示めした従来の特性に比べ、Ｐｔのエッチングレート
及び選択比の変化は小さく、チャンバ洗浄周期を長く取
れることが判る。当然、ウエハ１枚の処理で、チャンバ
が汚れてしまうような場有には、ウエハ処理中にコイル
の両端を入れ替えることが効果的である。

【００４４】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、切り換え処
理によりコイル両端の夫々において上記したスパッタ作
用を発生させることができ、よっコイル両端の何れか一
方に集中的に汚れが堆積することを防止でき、チャンバ
内に汚れが付着することを抑制することができる。これ
により、チャンバの洗浄周期を長くすることが可能とな
り、洗浄処理のためにプラズマ処理装置を停止させる時
間を短くすることができるため、効率的なプラズマ処理
を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるプラズマ処理装置の構
成図である。

【図２】本発明の一実施例であるプラズマ処理装置の第
１の切り換え状態を示す要部構成図である。

【図３】本発明の一実施例であるプラズマ処理装置の第
２の切り換え状態を示す要部構成図である。

【図４】本発明の効果を説明するための図であり、ウエ
ハ処理枚数に対するＰｔエッチングレート，Ｐｔ／レジ
スト選択比を示す図である。

【図５】従来のＩＣＰ（誘導結合）型プラズマ処理装置
を示す構成図である。

【図６】従来の一例であるプラズマ処理装置の要部構成
図である。

【図７】誘導結合プラズマの等価回路を示す図である。

【図８】従来のプラズマ処理装置のウエハ処理枚数に対
するＰｔエッチングレート，Ｐｔ／レジスト選択比を示
す図である。

【符号の説明】

４０ プラズマ処理装置 ４２ 石英チャンバ ４４ アンテナ ５０ 高周波電源 ５２ ウエハバイアス電源 ５４ ウエハ ５６ ステージ ６０ プラズマ ６２，６４ 配線 ６６，６８ 接続端子 ７０ 切り換え回路 ７２ 制御装置

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チャンバに誘導結合型のアンテナを有
   し、該アンテナに電力を供給して該チャンバ内にプラズ
   マを発生し半導体を処理するプラズマ処理装置におい
   て、 前記アンテナを形成するコイルの両端と、アンテナの整
   合をとるための回路との間に、前記コイル両端を電気的
   に切り換える切り換え手段を設けたことを特徴とするプ
   ラズマ処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ処理装置におい
   て、 前記切り換え手段が、１枚の基板処理を行なう毎に前記
   コイル両端を電気的に切り換える構成としたことを特徴
   とするプラズマ処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載のプラズマ処理装置におい
   て、 前記切り換え手段が、基板処理中に複数回にわたり前記
   コイル両端を電気的に切り換える構成としたことを特徴
   とするプラズマ処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３の何れか１項に記載のプ
   ラズマ処理装置において、 装置本体に内設される被エッチング材料，マスク材料，
   或いは下地材料の内、少なくとも一つが、白金（Ｐ
   ｔ），イリジウム（Ｉｒ），ルテニウム（Ｒｕ），酸化
   ルテニウム（ＲｕＯ），或いは銅（Ｃｕ）の内の少なく
   とも一つを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。