JPH1197338A

JPH1197338A - 露光装置の制御方法

Info

Publication number: JPH1197338A
Application number: JP9269369A
Authority: JP
Inventors: Takakazu Muto; 貴和武藤
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-09-16
Filing date: 1997-09-16
Publication date: 1999-04-09

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、半導体装置あるいは液晶表示装置な
どの製造の際のフォトリソグラフィ工程で用いられる露
光装置の制御方法に関し、制御コマンド毎に適切なタイ
ムアウト時間を設定することができる露光装置の制御方
法を提供することを目的とする。【解決手段】基板（Ｗ）にパターンを露光する露光装置
の制御ユニット（ＭＣＳ）に制御コマンドを送信して露
光装置のハードウエアを制御する露光装置の制御方法に
おいて、制御コマンドを送信して制御ユニットからの応
答があるまでの応答許容時間を設定しておいて、制御コ
マンドを送信して制御ユニットからの応答があるまでの
時間を計測するステップ（Ｓ１〜Ｓ４）と、計測ステッ
プで計測した時間に基づいて制御コマンドに対する応答
許容時間を変更するステップ（Ｓ６）とを有するように
構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置あるい
は液晶表示装置などの製造の際のフォトリソグラフィ工
程で用いられる露光装置の制御方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置等の製造工程
におけるフォトリソグラフィ工程では、レチクルあるい
は、マスク（以下、レチクルという）に形成された回路
パターンを投影光学系を介して半導体ウェハやガラスプ
レート（以下、ウェハという）上に露光する露光装置が
用いられている。この露光装置としては種々の方式のも
のがあるが、例えば半導体装置の製造の場合、レチクル
の回路パターン全体を内包し得るイメージフィールドを
持つ投影光学系を介してウェハをステップ・アンド・リ
ピート方式で露光する投影露光装置と、レチクルを１次
元に走査しつつ、ウェハをそれと同期した速度で１次元
に走査させる、いわゆるステップ・アンド・スキャン方
式の投影露光装置とがある。

【０００３】ところで、これらの投影露光装置の制御系
は、制御用コンピュータとハードウエアを直接制御する
制御ユニットとからなる。制御用コンピュータはオペレ
ータより実行指示を受けると、組み込まれたシーケンス
に従い制御ユニットに対し制御コマンドを送信し、その
完了が返信されるのを待つ。完了が返信されると制御用
コンピュータは制御ユニットに対して次の制御コマンド
を発行する。制御コマンドを受けた制御ユニットがなん
らかの障害によりその完了を制御用コンピュータに返す
のが困難な状態（いわゆるハングアップ状態）に陥った
ことを検出するため制御用コンピュータは、制御コマン
ドを送信してから完了が返信されるまでの時間を計測し
ている。それが所定の応答許容時間（タイムアウト時
間）を越えると制御ユニットがハングアップ状態に陥っ
たと判定し、障害発生をオペレータに対して通知するよ
うになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来、最適なタイムア
ウト時間を個々の制御コマンド毎に設定、管理するのは
困難であることから、十分に余裕のある時間（例えば１
０分程度）を全ての制御コマンドのタイムアウト時間と
して一律に設定している。

【０００５】ところが、この種の装置の制御ユニットに
対する制御コマンドは非常に多種類で数が多く、それら
制御コマンドの実行時間も１秒足らずで完了するものか
ら５分以上かかるものまであり、制御コマンド毎に実行
時間に大きな開きがある。また処理条件等が変更される
と実行時間が大きく変化する制御コマンドもある。この
結果、短時間で処理が完了する制御コマンドであって
も、その制御コマンドを受けた制御ユニットがハングア
ップ状態に陥った際、制御用コンピュータがその障害を
検出できるのは、十分な余裕のあるタイムアウト時間の
経過後となってしまうため、必要以上にオペレータヘの
障害発生通知が遅れるという問題が生じている。

【０００６】本発明の目的は、制御コマンド毎に適切な
タイムアウト時間を設定することができる露光装置の制
御方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の実施形態を表す
図１乃至図４に対応付けて説明すると上記目的は、基板
（Ｗ）にパターンを露光する露光装置の制御ユニット
（ＭＣＳ）に制御コマンドを送信して露光装置のハード
ウエアを制御する露光装置の制御方法において、制御コ
マンドを送信して制御ユニットからの応答があるまでの
応答許容時間を設定するステップ（Ｓ０）と、制御コマ
ンドを送信して制御ユニットからの応答があるまでの時
間を計測するステップ（Ｓ１〜Ｓ４）と、計測ステップ
で計測した時間に基づいて制御コマンドに対する応答許
容時間を変更するステップ（Ｓ６）とを有することを特
徴とする露光装置の制御方法によって達成される。

【０００８】そして、応答許容時間は、計測ステップで
計測した時間に１より大きい定数値を乗じて算出するこ
とを特徴とする。また、複数の制御コマンドに対応付け
た複数の応答許容時間をテーブル（図４）として保持す
ることを特徴とする。

【０００９】本発明によれば、露光装置の制御用コンピ
ュータが制御ユニットに対する各制御コマンドのタイム
アウト時間を管理するテーブルを作成管理し、各制御コ
マンド実行時に参照するとともに、各制御コマンド正常
終了時にそのコマンド実行に要した時間に１より大きい
定数値を乗じた時間をその制御コマンドのタイムアウト
時間としてタイムアウト時間テーブルの該当する領域に
格納し、次回その制御コマンド実行時に参照するように
したので、多種多様の制御コマンド個々に最適なタイム
アウト時間を常時設定し、且つ更新することができるよ
うになる。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態による露光
装置の制御方法を図１乃至図４を用いて説明する。ま
ず、本実施の形態による露光装置の概略の構成を図１を
用いて説明する。露光用の照明光（水銀ランプからのｇ
線、ｉ線、あるいはエキシマレーザ光源からの紫外線パ
ルス光）ＩＬはフライアイレンズＦＬを通った後、コン
デンサーレンズＣＬ、ミラーＭを介してレチクルＲのパ
ターン領域ＰＡを均一な照度で照射する。パターン領域
ＰＡを通過した照明光ＩＬは投影光学系（図においては
両側テレセントリックであるが片側テレセントリックで
もよい）ＰＬを介してウェハステージＳＴ上に載置され
ているウェハＷ上に達する。ウェハステージＳＴはＸＹ
ステージＳＴ１とＺステージＳＴ２とから構成されてい
る。そして、ＸＹステージＳＴ１はＸＹ駆動系１によっ
て投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な方向（ＸＹ方向）
に移動可能であり、ＺステージＳＴ２はＺ駆動系２によ
って投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）に移動
可能である。ＸＹステージＳＴ１の位置（ＸＹ座標値）
は、ステージ干渉計３により逐次計測される。Ｚステー
ジＳＴ２のＺ軸方向における位置（Ｚ座標値）は、Ｚス
テージ駆動系２内に設けられているエンコーダによって
求められる。ウェハステージコントローラＷＳＣはステ
ージ干渉計３からのＸＹ座標値、Ｚ駆動系２からのＺ座
標値、及び主制御系ＭＣＳからの指令等に基づいて、Ｘ
Ｙ駆動系１とＺ駆動系２を介してＸＹステージＳＴ１と
ＺステージＳＴ２の移動や位置決めを制御する。

【００１１】レチクルＲはレチクルホルダーＲＨによっ
て保持されており、このレチクルホルダーＲＨはレチク
ルステージＲＳＴ上に設けられている。レチクルステー
ジＲＳＴはレチクル駆動系４によってＸＹ方向に移動可
能であり、レチクルＲの座標値はレチクル干渉計５によ
って逐次計測されている。レチクルステージコントロー
ラＲＳＣはレチクル干渉計５からの座標値や主制御系Ｍ
ＣＳからの指令等に基づいて、レチクル駆動系４を介し
てレチクルステージＲＳＴの移動や位置決めを制御す
る。

【００１２】レチクルＲの内部の回路パターン領域ＰＡ
には半導体素子製造用の回路パターンが形成されてい
る。パターン領域ＰＡはほぼ正方形であり、この正方形
のとなりあう２辺の外側（パターン領域の外側）にはパ
ターン領域ＰＡに隣接して夫々アライメントマークＲＭ
ｘ、ＲＭｙが設けられている。このアライメントマーク
ＲＭｘ、ＲＭｙはレチクルＲの位置を計測するときに用
いられるものである。またレチクルＲには、レチクルＲ
の外周（正方形）の向かい合う２辺に隣接してレチクル
マークＲＭａ、ＲＭｂが設けられている。レチクルマー
クＲＭａ、ＲＭｂは夫々Ｘ方向とＹ方向とに延びる十字
の形状をしたマーク部を有し、夫々のマーク部の中心点
ＭＣａ、ＭＣｂは、レチクルＲの中心点ＲＣを通りＹ方
向に延びる直線上に夫々存在する。このレチクルマーク
ＲＭａ、ＲＭｂはレチクルＲを所定の位置に位置決めす
る際に、後述するレチクルアライメント系によって読み
取られるものである。

【００１３】さて、図１においてレチクルＲの上部には
マーク検出系６、ミラー７から成るレチクルアライメン
ト系（６、７）が設けられている。このレチクルアライ
メント系（６、７）は、レチクルマークＲＭｂを検出す
る。また、本実施の形態の投影露光装置には、レチクル
アライメント系（６、７）と同一の構成からなり、レチ
クルマークＲＭａを検出するアライメント系が設けられ
ている（不図示）。レチクルアライメント系（６、７）
は例えばＨｅ−Ｎｅレーザ等のレーザビームをレチクル
マークＲＭｂ上に照射して、その反射光を検出する。主
制御系ＭＣＳはレチクルマークＲＭｂの像がマーク検出
系６中の指標に合うようにレチクルステージコントロー
ラＲＳＣを介してレチクルＲの位置を制御する。レチク
ルマークＲＭａも不図示のアライメント系によって同様
に検出され、これらのレチクルアライメント系によって
レチクルＲはその中心点が光軸ＡＸと一致するように位
置決めされる。

【００１４】さらに、ＺステージＳＴ２上には基準板Ｆ
Ｍが設けられている。この基準板ＦＭの表面とウェハＷ
の表面とはほぼ同一平面内にある。基準板ＦＭ上にはＸ
方向、及びＹ方向を長手方向とする光透過性の発光マー
ク３１と、ベースライン計測用のマークとが形成されて
いる。そして、これらのマークは、夫々基準板ＦＭ上の
予め決められた位置に配置されており、主制御系ＭＣＳ
は夫々のマーク間の距離（マークの中心点の間隔）を予
め記憶している。

【００１５】次にこの基準板ＦＭに関して投影光学系Ｐ
Ｌと反対側（図１における下側）から、基準板ＦＭに設
けられた発光マーク３１に対して光を照射する照明系、
及び発光マークを透過した光を受光する受光系について
説明する。この検出系（以下、「ＩＳＳ系」と記す）は
レチクルＲの位置を計測するためのものである。構成の
詳細については、例えば特開昭６４−１０１０５号公報
に開示されているため、ここでは簡単に説明する。

【００１６】図１において光源８は露光用の照明光ＩＬ
の波長と同一か、又はその近傍の波長の照明光ＩＥを発
生する。この照明光ＩＥはレンズ９、ファイバー１０を
介してステージＳＴの内部（基準板ＦＭの下方）に送ら
れる。ファイバー１０を射出した照明光ＩＥはレンズ１
１によって集光され、ミラー１２を介して発光マーク３
１を下側から照射する。発光マーク３１の像はレチクル
Ｒに設けられたアライメントマークＲＭｙ上で結像す
る。このとき、主制御系ＭＣＳはウェハステージＷＳを
Ｙ方向に走査することによって、アライメントマークＲ
Ｍｙと発光マーク３１とを相対走査させる。アライメン
トマークＲＭｙを透過した光はミラーＭ、コンデンサー
レンズＣＬ、ビームスプリッタ１３等を介して光電検出
器１４に受光される。ここで、発光マークの像がアライ
メントマークＲＭｙのマーク部と重なったとき、光電検
出器１４は照明光ＩＥをほとんど受光しないため、光電
信号のレベルはボトムとなる。信号処理装置１０１はス
テージ干渉計３からの信号Ｓ2 に基づいてこのボトムの
中心位置Ｙｒｍを検出する。

【００１７】これと同様に主制御系ＭＣＳは、レチクル
Ｒのパターン面上に結像される発光マーク３１の像をア
ライメントマークＲＭｘ上で走査させる。そして、信号
処理装置１０１はこのとき光電検出器１４から得られる
検出信号がボトムとなる位置Ｘｒｍを検出する。そして
主制御系ＭＣＳはこれらの計測値（Ｘｒｍ、Ｙｒｍ）を
信号処理装置１０１から入力する。

【００１８】主制御系ＭＣＳは予めアライメントマーク
ＲＭｘ、ＲＭｙとレチクルＲの中心点ＲＣとの位置関係
を記憶しているため、上述した２つの計測値（Ｘｒｍ、
Ｙｒｍ）に基づいて、レチクルＲの中心点ＲＣの位置を
検出することができる。次に、本装置に組み込まれてい
る焦点検出系の構成について説明する。本実施の形態に
おける焦点検出系は、送光系（１５、１６、１７）と受
光系（１９、２０、２１）とから構成される。

【００１９】投光器１５はウェハＷに塗布されている感
光剤を感光させない波長の光（例えば赤外光等）を射出
する。この投光器１５中には送光用のスリット板が設け
られているため、このスリット板を透過した光が投光器
１５から射出する。そしてこの光は平行平板ガラス（プ
レーンパラレルガラス）１６、集光レンズ１７を通っ
て、ウェハＷ上にスリット像ＳＰとなって照射される。
このスリット像ＳＰの中心点は、投影光学系の結像面と
投影光学系ＰＬの光軸ＡＸとが交差する点に位置する。
図１において、ウェハ表面は投影光学系ＰＬの結像面に
配置されている。また、平行平板ガラス１６は送光用の
スリット板の近傍に配置されている。さらに平行平板ガ
ラス１６は図１の紙面と垂直な方向（Ｙ方向）、及び紙
面に平行な方向に回転軸を有し、これらの回転軸を中心
に微小量回転することができる。駆動部１８ａは平行平
板ガラス１６を夫々の回転軸の回りに所定の角度範囲内
で回転させる。この回転によってスリット像ＳＰの結像
位置はウェハＷの表面とほぼ平行な方向（ＸＹ方向）に
変位する。また、駆動部１８ｃは、レンズ１７を送光系
の光軸方向移動させることによって、ウェハＷの表面上
におけるスリット像の合焦状態を調整する。

【００２０】ウェハＷで反射した光束（反射光）はレン
ズ１９、平行平板ガラス２０を通って受光器２１に受光
される。この受光器２１中には受光用のスリット板が設
けられており、この受光用スリット板を通過した光を光
電検出する。また平行平板ガラス２０もＹ方向に回転軸
を有する。駆動部１８ｂは、所定の角度範囲内で平行平
板ガラス２０を回転させることにより、受光器２１中に
配置されているスリット板に対する反射光の照射位置を
調整する。受光器２１からの検出信号Ｓａは信号処理装
置１０３に出力される。信号処理装置１０３は、ウェハ
Ｗの表面と焦点検出系によって規定されている基準面と
の光軸ＡＸ方向の偏差量を検出する。この偏差量は主制
御系ＭＣＳに出力される。なお、本実施の形態において
焦点検出系の基準面は投影光学系ＰＬの結像面と一致す
るようにキャリブレーションされている。

【００２１】ＺステージＳＴ２上には、焦点検出系から
のスリット像を受光するエリアセンサ２０１が配置され
ている。このとき、エリアセンサ２０１は、その中心点
が投影光学系の光軸ＡＸと一致するように配置される。
このエリアセンサ２０１は、エリアセンサ２０１の受光
面上に照射されたスリット像ＳＰを撮像するとともに、
その画像信号を画像処理装置２０２に出力する。画像処
理装置２０２は、エリアセンサ２０１からの信号に基づ
いて、スリット像ＳＰの位置、及びスリット像の結像状
態を検出する。

【００２２】さて、さらに本装置はウェハＷ上のマーク
を検出するためにオフ・アクシス方式のアライメント系
が備えられている。このアライメント系の詳細な構成に
ついては特開昭６２−１７１１２５号公報に開示されて
いるのでここでは簡単に説明する。図１においてアライ
メント光学系２２の光軸ＡＸｌは投影光学系ＰＬの光軸
ＡＸから距離ＬだけＸ軸方向に離れている。そしてアラ
イメント光学系２２は照明光としてある帯域幅をもつブ
ロードな波長分布の光をウェハＷ上に照射する。そして
アライメント光学系２２のウェハＷ上における検出中心
Ｐ２はステージ干渉計３の測定軸上に一致するように定
められる。

【００２３】さて、ウェハＷ上のマークからの反射光は
再びアライメント光学系２２に入射し、そのマークの像
はアライメント光学系２２中に設けられている指標板の
下面に結像する。そしてウェハＷ上のマークの像は、指
標板に形成された指標マークの像とともに撮像管２３の
撮像面に結像する。撮像管２３による画像信号は信号処
理装置１０２に出力される。信号処理装置１０２は指標
板によって規定される検出中心点Ｐ２に対するウェハＷ
上のマークの位置ずれ量（Δｘ、Δｙ）を検出する。

【００２４】また、図１において、主制御系ＭＣＳは信
号処理装置１０１〜１０３からの信号に基づいてウェハ
ステージコントローラーＷＳＣやレチクルステージコン
トローラーＲＳＣに制御信号Ｓ１を出力する他、本装置
全体を統括制御する。

【００２５】この主制御系ＭＣＳにおける各種制御につ
いて図２を用いて説明する。図２は本実施の形態におけ
る主制御系ＭＣＳに含まれている制御ユニットおよび主
制御系ＭＣＳと接続している制御用コンピュータ２０２
を示している。

【００２６】制御用コンピュータ２０２は、通信用バス
２１９を通じて主制御系ＭＣＳの各制御用ユニット２１
２〜２１８と通信を行い、制御ユニット２１２〜２１８
に制御コマンドを送信して装置を制御する。制御用コン
ピュータ２０２には制御用プログラムがインストールさ
れており、これを実行することにより装置制御が可能と
なる。

【００２７】ＥＮユニット２１２は、図１に示した露光
装置本体内部の温度、湿度管理ならびに図１では図示を
省略した光源としての例えば水銀ランプの連続使用時間
等を管埋する。ＲＬユニット２１３は、露光装置内でレ
チクルＲを格納したレチクルライブラリ（図示せず）と
レチクルステージＲＳＴとの間でレチクルを搬送するレ
チクル搬送系（図示せず）を制御する。

【００２８】ＲＳユニット２１４は、レチクルＲの位置
合わせを行う際等にレチクルステージＲＳＴを所定量移
動させるためのレチクルステージコントローラＲＳＣに
指令を与えるようになっている。ＷＬユニット２１５は
図示しないウェハカセットからウェハＷを取り出して搬
送し、ウェハステージＳＴに載置するまでのウェハ搬送
系（図示せず）を制御する。

【００２９】ＷＳユニット２１６は、ウェハステージコ
ントローラＷＳＣに指令を与えて、ステージ干渉計３か
らのＸＹ座標値、Ｚ駆動系２からのＺ座標値等に基づい
て、ＸＹ駆動系１とＺ駆動系２を介してＸＹステージＳ
Ｔ１とＺステージＳＴ２の移動や位置決めを制御し、例
えばウェハＷとレチクルＲの位置関係を正確に測定し、
ずれ量を補正するウェハアライメント時のウェハ位置微
調制御を行うようになっている。また、投影光学系ＰＬ
の焦点合わせ（ＡｕｔｏＦｏｃｕｓ）を行う際には、
送光系（１５、１６、１７）と受光系（１９、２０、２
１）の制御およびＺステージＳＴ２のＺ方向への移動の
制御も行う。

【００３０】ＡＬユニット２１７は、オフ・アクシス方
式のアライメント光学系２２により、ウェハＷ上に形成
されたアライメント用のマークを観察し、ウェハＷの位
置を算出する位置合わせの際にアライメント光学系２２
等を制御する。ＥＸユニット２１８は露光光源からの照
明光を透過あるいは遮光する図示しないシャッタの開閉
を制御し、露光時間を制御するために用いられる。

【００３１】このように各制御ユニット２１２〜２１８
は制御用コンピュータ２０２から種々の制御コマンドを
受け取り、所定のハードウエアに対して制御を行って所
定の動作、処理を行わせるようになっている。

【００３２】次に、本実施の形態による露光装置の制御
方法を図３を用いて説明する。図３は、制御用コンピュ
ータ２０２が主制御系ＭＣＳに対し制御コマンドを送信
しその返信を受信するまでの処理手順を説明するフロー
チャートである。

【００３３】図３において、制御用コンピュータ２０２
は、すべての制御コマンドのタイムアウト時間を充分長
い時間（例えば５００秒）に設定する（ステップＳ
０）。なお、このステップＳ０は、プログラムの初期起
動時に一度だけ行う処理である。制御用コンピュータ２
０２は主制御系ＭＣＳに対して所定の制御コマンドを送
信する前に時間計測を開始する（ステップＳ１）。そし
て、時間計測の開始とほぼ同時に所定の制御コマンドを
主制御系ＭＣＳに送出する（ステップＳ２）。なお、制
御コマンドとしては、前述のようにレチクルまたはウェ
ハ搬送コマンドやアライメントコマンドなどがある。ス
テップＳ３において、制御用コンピュータ２０２は、送
出した制御コマンドに対する応答があるか否かを判断
し、応答が無ければステップＳ８に移行して予め設定し
ておいた所定のタイムアウト時間を越えたか否かを判断
する。ステップＳ８で所定のタイムアウト時間に達して
いなければ、ステップＳ３に戻って送出した制御コマン
ドに対する応答の有無を再び判断する。ステップＳ８で
所定のタイムアウト時間を超えた場合には、タイムアウ
トエラー処理を行って（ステップＳ９）、制御コマンド
の処理を終了する。タイムアウトエラー処理としては、
制御コマンドに基づく動作や処理の強制終了、あるいは
動作や処理のやり直し等がある。具体的には、ウェハＷ
の搬送時にタイムアウトになったときは、ウェハＷの真
空吸着にエラーが発生し、ウェハを吸着保持して搬送で
きない場合がある。この場合はウェハＷを取り除くよう
なコマンドを出す。また、ウェハＷのアライメント時に
タイムアウトになったときは、アライメント光学系２２
の視野にウェハＷのマークが位置してなかったり、マー
クの不良の場合がある。この場合は、ウェハＷのプリア
ライメントを再度行ったり、ウェハＷのマーク不良とし
てウェハＷをリジェクトするコマンドを出す。

【００３４】ステップＳ３での制御コマンドに対する応
答の有無の判断において、応答があった場合にはステッ
プＳ４に移行して、ステップＳ１で開始した時間計測を
終了させる。次に、応答の内容を判断して制御コマンド
に対して正常に処理が終了したか否かを判断する（ステ
ップＳ５）。応答が正常処理でない場合、つまり何らか
のエラーが発生して制御コマンドに対応した動作／処理
ができなかった場合には、ステップＳ７に移行してコマ
ンドエラー処理を行ってから制御コマンドの処理を終了
する。コマンドエラー処理としては、タイムアウトエラ
ー処理と同様に制御コマンドに基づく動作や処理のやり
直しやエラー情報の収集等である。

【００３５】ステップＳ５で応答が正常終了であると判
断されたら、ステップＳ６に移行して当該制御コマンド
に対するタイムアウト時間を算出して、所定のタイムア
ウト時間テーブルに格納する。テーブルに格納したタイ
ムアウト時間は、次回以降に当該制御コマンドが実行さ
れる際のタイムアウト時間として使用される。タイムア
ウト時間の算出は次の式に基づいて行われる。

【００３６】タイムアウト時間＝ステップＳ１〜Ｓ４で
計測されたコマンド実行時間×定数

【００３７】この定数は１より大きい値（例えば２．
０）であるが、制御用コンピュータ２０２に対し任意に
設定できるようになっている。ステップＳ６での以上の
処理が終了したら制御コマンド処理が終了する。

【００３８】図４はタイムアウト時間テーブルの例示で
ある。このテーブルには制御コマンド毎にタイムアウト
時間が格納されており、（制御ユニット名：コマンド番
号）で識別される制御コマンドに対し１つのタイムアウ
ト時間が設定、管理されている。それ以降、図３を用い
て説明した手順に沿って、各制御コマンドが正常終了す
る度に最適なタイムアウト時間が算出され、テーブルに
格納される。このタイムアウト時間テーブルは、例えば
磁気ディスク上にファイルとして存在しており、制御用
コンピュータ２０２を再起動した場合でも、再度磁気デ
ィスクから呼び出して用いることができる。

【００３９】このように本実施の形態によれば、制御用
コンピュータが制御ユニットに対する各制御コマンドの
タイムアウト時間を管理するテーブルを作成管理し、各
制御コマンド実行時に参照するとともに、各制御コマン
ド正常終了時にそのコマンド実行に要した時間に１より
大きい定数値を乗じた時間をその制御コマンドのタイム
アウト時間としてタイムアウト時間テーブルの該当する
領域に格納し、次回その制御コマンド実行時に参照する
ようにしたので、多種多様の制御コマンド個々に最適な
タイムアウト時間を常時設定し、且つ更新することがで
きるようになる。

【００４０】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、最適化さ
れたタイムアウト時間を各制御コマンドに対し設定する
ことが可能となるため、必要以上に制御ユニットのハン
グアップ検出が遅れることもなく、装置の停止時間を最
小限に抑えることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態による露光装置の構成を
示す図である。

【図２】本発明の一実施の形態による露光装置の主制御
系ＭＣＳと制御用コンピュータの関係を示す図である。

【図３】本発明の一実施の形態による露光装置の制御方
法を説明するフローチャートを示す図である。

【図４】本発明の一実施の形態におけるタイムアウト時
間テーブルを示す図である。

【符号の説明】

ＲレチクルＰＬ投影光学系ＷウェハＦＭ基準板ＭＣＳ主制御系ＣＲＴ表示装置ＷＳＣウェハステージコントローラＲＳＣレチクルステージコントローラＳＴ１ＸＹステージＳＴ２ＺステージＳＰスリット像１５投光器１６、２０平行平板ガラス１８ａ、１８ｂ駆動部２１受光器１０１、１０２、１０３信号処理装置２０２制御用コンピュータ２１２ＥＮユニット２１３ＲＬユニット２１４ＲＳユニット２１５ＷＬユニット２１６ＷＳユニット２１７ＡＬユニット２１８ＥＸユニツト２１９通信用バス

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板にパターンを露光する露光装置の制御
ユニットに制御コマンドを送信して前記露光装置のハー
ドウエアを制御する露光装置の制御方法において、前記制御コマンドを送信して前記制御ユニットからの応
答があるまでの応答許容時間を設定するステップと、前記制御コマンドを送信して前記制御ユニットからの応
答があるまでの時間を計測するステップと、前記計測ステップで計測した時間に基づいて前記制御コ
マンドに対する前記応答許容時間を変更するステップと
を有することを特徴とする露光装置の制御方法。
【請求項２】請求項１記載の露光装置の制御方法におい
て、前記応答許容時間は、前記計測ステップで計測した時間
に１より大きい定数値を乗じて算出することを特徴とす
る露光装置の制御方法。
【請求項３】請求項１または２に記載の露光装置の制御
方法において、複数の前記制御コマンドに対応付けた複数の前記応答許
容時間をテーブルとして保持することを特徴とする露光
装置の制御方法。