JPH1197338A - 露光装置の制御方法 - Google Patents

露光装置の制御方法

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JPH1197338A
JPH1197338A JP9269369A JP26936997A JPH1197338A JP H1197338 A JPH1197338 A JP H1197338A JP 9269369 A JP9269369 A JP 9269369A JP 26936997 A JP26936997 A JP 26936997A JP H1197338 A JPH1197338 A JP H1197338A
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time
control
reticle
wafer
control command
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JP9269369A
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Takakazu Muto
貴和 武藤
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、半導体装置あるいは液晶表示装置な
どの製造の際のフォトリソグラフィ工程で用いられる露
光装置の制御方法に関し、制御コマンド毎に適切なタイ
ムアウト時間を設定することができる露光装置の制御方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】基板(W)にパターンを露光する露光装置
の制御ユニット(MCS)に制御コマンドを送信して露
光装置のハードウエアを制御する露光装置の制御方法に
おいて、制御コマンドを送信して制御ユニットからの応
答があるまでの応答許容時間を設定しておいて、制御コ
マンドを送信して制御ユニットからの応答があるまでの
時間を計測するステップ(S1〜S4)と、計測ステッ
プで計測した時間に基づいて制御コマンドに対する応答
許容時間を変更するステップ(S6)とを有するように
構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置あるい
は液晶表示装置などの製造の際のフォトリソグラフィ工
程で用いられる露光装置の制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置等の製造工程
におけるフォトリソグラフィ工程では、レチクルあるい
は、マスク(以下、レチクルという)に形成された回路
パターンを投影光学系を介して半導体ウェハやガラスプ
レート(以下、ウェハという)上に露光する露光装置が
用いられている。この露光装置としては種々の方式のも
のがあるが、例えば半導体装置の製造の場合、レチクル
の回路パターン全体を内包し得るイメージフィールドを
持つ投影光学系を介してウェハをステップ・アンド・リ
ピート方式で露光する投影露光装置と、レチクルを1次
元に走査しつつ、ウェハをそれと同期した速度で1次元
に走査させる、いわゆるステップ・アンド・スキャン方
式の投影露光装置とがある。
【0003】ところで、これらの投影露光装置の制御系
は、制御用コンピュータとハードウエアを直接制御する
制御ユニットとからなる。制御用コンピュータはオペレ
ータより実行指示を受けると、組み込まれたシーケンス
に従い制御ユニットに対し制御コマンドを送信し、その
完了が返信されるのを待つ。完了が返信されると制御用
コンピュータは制御ユニットに対して次の制御コマンド
を発行する。制御コマンドを受けた制御ユニットがなん
らかの障害によりその完了を制御用コンピュータに返す
のが困難な状態(いわゆるハングアップ状態)に陥った
ことを検出するため制御用コンピュータは、制御コマン
ドを送信してから完了が返信されるまでの時間を計測し
ている。それが所定の応答許容時間(タイムアウト時
間)を越えると制御ユニットがハングアップ状態に陥っ
たと判定し、障害発生をオペレータに対して通知するよ
うになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来、最適なタイムア
ウト時間を個々の制御コマンド毎に設定、管理するのは
困難であることから、十分に余裕のある時間(例えば1
0分程度)を全ての制御コマンドのタイムアウト時間と
して一律に設定している。
【0005】ところが、この種の装置の制御ユニットに
対する制御コマンドは非常に多種類で数が多く、それら
制御コマンドの実行時間も1秒足らずで完了するものか
ら5分以上かかるものまであり、制御コマンド毎に実行
時間に大きな開きがある。また処理条件等が変更される
と実行時間が大きく変化する制御コマンドもある。この
結果、短時間で処理が完了する制御コマンドであって
も、その制御コマンドを受けた制御ユニットがハングア
ップ状態に陥った際、制御用コンピュータがその障害を
検出できるのは、十分な余裕のあるタイムアウト時間の
経過後となってしまうため、必要以上にオペレータヘの
障害発生通知が遅れるという問題が生じている。
【0006】本発明の目的は、制御コマンド毎に適切な
タイムアウト時間を設定することができる露光装置の制
御方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の実施形態を表す
図1乃至図4に対応付けて説明すると上記目的は、基板
(W)にパターンを露光する露光装置の制御ユニット
(MCS)に制御コマンドを送信して露光装置のハード
ウエアを制御する露光装置の制御方法において、制御コ
マンドを送信して制御ユニットからの応答があるまでの
応答許容時間を設定するステップ(S0)と、制御コマ
ンドを送信して制御ユニットからの応答があるまでの時
間を計測するステップ(S1〜S4)と、計測ステップ
で計測した時間に基づいて制御コマンドに対する応答許
容時間を変更するステップ(S6)とを有することを特
徴とする露光装置の制御方法によって達成される。
【0008】そして、応答許容時間は、計測ステップで
計測した時間に1より大きい定数値を乗じて算出するこ
とを特徴とする。また、複数の制御コマンドに対応付け
た複数の応答許容時間をテーブル(図4)として保持す
ることを特徴とする。
【0009】本発明によれば、露光装置の制御用コンピ
ュータが制御ユニットに対する各制御コマンドのタイム
アウト時間を管理するテーブルを作成管理し、各制御コ
マンド実行時に参照するとともに、各制御コマンド正常
終了時にそのコマンド実行に要した時間に1より大きい
定数値を乗じた時間をその制御コマンドのタイムアウト
時間としてタイムアウト時間テーブルの該当する領域に
格納し、次回その制御コマンド実行時に参照するように
したので、多種多様の制御コマンド個々に最適なタイム
アウト時間を常時設定し、且つ更新することができるよ
うになる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態による露光
装置の制御方法を図1乃至図4を用いて説明する。ま
ず、本実施の形態による露光装置の概略の構成を図1を
用いて説明する。露光用の照明光(水銀ランプからのg
線、i線、あるいはエキシマレーザ光源からの紫外線パ
ルス光)ILはフライアイレンズFLを通った後、コン
デンサーレンズCL、ミラーMを介してレチクルRのパ
ターン領域PAを均一な照度で照射する。パターン領域
PAを通過した照明光ILは投影光学系(図においては
両側テレセントリックであるが片側テレセントリックで
もよい)PLを介してウェハステージST上に載置され
ているウェハW上に達する。ウェハステージSTはXY
ステージST1とZステージST2とから構成されてい
る。そして、XYステージST1はXY駆動系1によっ
て投影光学系PLの光軸AXに垂直な方向(XY方向)
に移動可能であり、ZステージST2はZ駆動系2によ
って投影光学系PLの光軸AX方向(Z軸方向)に移動
可能である。XYステージST1の位置(XY座標値)
は、ステージ干渉計3により逐次計測される。Zステー
ジST2のZ軸方向における位置(Z座標値)は、Zス
テージ駆動系2内に設けられているエンコーダによって
求められる。ウェハステージコントローラWSCはステ
ージ干渉計3からのXY座標値、Z駆動系2からのZ座
標値、及び主制御系MCSからの指令等に基づいて、X
Y駆動系1とZ駆動系2を介してXYステージST1と
ZステージST2の移動や位置決めを制御する。
【0011】レチクルRはレチクルホルダーRHによっ
て保持されており、このレチクルホルダーRHはレチク
ルステージRST上に設けられている。レチクルステー
ジRSTはレチクル駆動系4によってXY方向に移動可
能であり、レチクルRの座標値はレチクル干渉計5によ
って逐次計測されている。レチクルステージコントロー
ラRSCはレチクル干渉計5からの座標値や主制御系M
CSからの指令等に基づいて、レチクル駆動系4を介し
てレチクルステージRSTの移動や位置決めを制御す
る。
【0012】レチクルRの内部の回路パターン領域PA
には半導体素子製造用の回路パターンが形成されてい
る。パターン領域PAはほぼ正方形であり、この正方形
のとなりあう2辺の外側(パターン領域の外側)にはパ
ターン領域PAに隣接して夫々アライメントマークRM
x、RMyが設けられている。このアライメントマーク
RMx、RMyはレチクルRの位置を計測するときに用
いられるものである。またレチクルRには、レチクルR
の外周(正方形)の向かい合う2辺に隣接してレチクル
マークRMa、RMbが設けられている。レチクルマー
クRMa、RMbは夫々X方向とY方向とに延びる十字
の形状をしたマーク部を有し、夫々のマーク部の中心点
MCa、MCbは、レチクルRの中心点RCを通りY方
向に延びる直線上に夫々存在する。このレチクルマーク
RMa、RMbはレチクルRを所定の位置に位置決めす
る際に、後述するレチクルアライメント系によって読み
取られるものである。
【0013】さて、図1においてレチクルRの上部には
マーク検出系6、ミラー7から成るレチクルアライメン
ト系(6、7)が設けられている。このレチクルアライ
メント系(6、7)は、レチクルマークRMbを検出す
る。また、本実施の形態の投影露光装置には、レチクル
アライメント系(6、7)と同一の構成からなり、レチ
クルマークRMaを検出するアライメント系が設けられ
ている(不図示)。レチクルアライメント系(6、7)
は例えばHe−Neレーザ等のレーザビームをレチクル
マークRMb上に照射して、その反射光を検出する。主
制御系MCSはレチクルマークRMbの像がマーク検出
系6中の指標に合うようにレチクルステージコントロー
ラRSCを介してレチクルRの位置を制御する。レチク
ルマークRMaも不図示のアライメント系によって同様
に検出され、これらのレチクルアライメント系によって
レチクルRはその中心点が光軸AXと一致するように位
置決めされる。
【0014】さらに、ZステージST2上には基準板F
Mが設けられている。この基準板FMの表面とウェハW
の表面とはほぼ同一平面内にある。基準板FM上にはX
方向、及びY方向を長手方向とする光透過性の発光マー
ク31と、ベースライン計測用のマークとが形成されて
いる。そして、これらのマークは、夫々基準板FM上の
予め決められた位置に配置されており、主制御系MCS
は夫々のマーク間の距離(マークの中心点の間隔)を予
め記憶している。
【0015】次にこの基準板FMに関して投影光学系P
Lと反対側(図1における下側)から、基準板FMに設
けられた発光マーク31に対して光を照射する照明系、
及び発光マークを透過した光を受光する受光系について
説明する。この検出系(以下、「ISS系」と記す)は
レチクルRの位置を計測するためのものである。構成の
詳細については、例えば特開昭64−10105号公報
に開示されているため、ここでは簡単に説明する。
【0016】図1において光源8は露光用の照明光IL
の波長と同一か、又はその近傍の波長の照明光IEを発
生する。この照明光IEはレンズ9、ファイバー10を
介してステージSTの内部(基準板FMの下方)に送ら
れる。ファイバー10を射出した照明光IEはレンズ1
1によって集光され、ミラー12を介して発光マーク3
1を下側から照射する。発光マーク31の像はレチクル
Rに設けられたアライメントマークRMy上で結像す
る。このとき、主制御系MCSはウェハステージWSを
Y方向に走査することによって、アライメントマークR
Myと発光マーク31とを相対走査させる。アライメン
トマークRMyを透過した光はミラーM、コンデンサー
レンズCL、ビームスプリッタ13等を介して光電検出
器14に受光される。ここで、発光マークの像がアライ
メントマークRMyのマーク部と重なったとき、光電検
出器14は照明光IEをほとんど受光しないため、光電
信号のレベルはボトムとなる。信号処理装置101はス
テージ干渉計3からの信号S2 に基づいてこのボトムの
中心位置Yrmを検出する。
【0017】これと同様に主制御系MCSは、レチクル
Rのパターン面上に結像される発光マーク31の像をア
ライメントマークRMx上で走査させる。そして、信号
処理装置101はこのとき光電検出器14から得られる
検出信号がボトムとなる位置Xrmを検出する。そして
主制御系MCSはこれらの計測値(Xrm、Yrm)を
信号処理装置101から入力する。
【0018】主制御系MCSは予めアライメントマーク
RMx、RMyとレチクルRの中心点RCとの位置関係
を記憶しているため、上述した2つの計測値(Xrm、
Yrm)に基づいて、レチクルRの中心点RCの位置を
検出することができる。次に、本装置に組み込まれてい
る焦点検出系の構成について説明する。本実施の形態に
おける焦点検出系は、送光系(15、16、17)と受
光系(19、20、21)とから構成される。
【0019】投光器15はウェハWに塗布されている感
光剤を感光させない波長の光(例えば赤外光等)を射出
する。この投光器15中には送光用のスリット板が設け
られているため、このスリット板を透過した光が投光器
15から射出する。そしてこの光は平行平板ガラス(プ
レーンパラレルガラス)16、集光レンズ17を通っ
て、ウェハW上にスリット像SPとなって照射される。
このスリット像SPの中心点は、投影光学系の結像面と
投影光学系PLの光軸AXとが交差する点に位置する。
図1において、ウェハ表面は投影光学系PLの結像面に
配置されている。また、平行平板ガラス16は送光用の
スリット板の近傍に配置されている。さらに平行平板ガ
ラス16は図1の紙面と垂直な方向(Y方向)、及び紙
面に平行な方向に回転軸を有し、これらの回転軸を中心
に微小量回転することができる。駆動部18aは平行平
板ガラス16を夫々の回転軸の回りに所定の角度範囲内
で回転させる。この回転によってスリット像SPの結像
位置はウェハWの表面とほぼ平行な方向(XY方向)に
変位する。また、駆動部18cは、レンズ17を送光系
の光軸方向移動させることによって、ウェハWの表面上
におけるスリット像の合焦状態を調整する。
【0020】ウェハWで反射した光束(反射光)はレン
ズ19、平行平板ガラス20を通って受光器21に受光
される。この受光器21中には受光用のスリット板が設
けられており、この受光用スリット板を通過した光を光
電検出する。また平行平板ガラス20もY方向に回転軸
を有する。駆動部18bは、所定の角度範囲内で平行平
板ガラス20を回転させることにより、受光器21中に
配置されているスリット板に対する反射光の照射位置を
調整する。受光器21からの検出信号Saは信号処理装
置103に出力される。信号処理装置103は、ウェハ
Wの表面と焦点検出系によって規定されている基準面と
の光軸AX方向の偏差量を検出する。この偏差量は主制
御系MCSに出力される。なお、本実施の形態において
焦点検出系の基準面は投影光学系PLの結像面と一致す
るようにキャリブレーションされている。
【0021】ZステージST2上には、焦点検出系から
のスリット像を受光するエリアセンサ201が配置され
ている。このとき、エリアセンサ201は、その中心点
が投影光学系の光軸AXと一致するように配置される。
このエリアセンサ201は、エリアセンサ201の受光
面上に照射されたスリット像SPを撮像するとともに、
その画像信号を画像処理装置202に出力する。画像処
理装置202は、エリアセンサ201からの信号に基づ
いて、スリット像SPの位置、及びスリット像の結像状
態を検出する。
【0022】さて、さらに本装置はウェハW上のマーク
を検出するためにオフ・アクシス方式のアライメント系
が備えられている。このアライメント系の詳細な構成に
ついては特開昭62−171125号公報に開示されて
いるのでここでは簡単に説明する。図1においてアライ
メント光学系22の光軸AXlは投影光学系PLの光軸
AXから距離LだけX軸方向に離れている。そしてアラ
イメント光学系22は照明光としてある帯域幅をもつブ
ロードな波長分布の光をウェハW上に照射する。そして
アライメント光学系22のウェハW上における検出中心
P2はステージ干渉計3の測定軸上に一致するように定
められる。
【0023】さて、ウェハW上のマークからの反射光は
再びアライメント光学系22に入射し、そのマークの像
はアライメント光学系22中に設けられている指標板の
下面に結像する。そしてウェハW上のマークの像は、指
標板に形成された指標マークの像とともに撮像管23の
撮像面に結像する。撮像管23による画像信号は信号処
理装置102に出力される。信号処理装置102は指標
板によって規定される検出中心点P2に対するウェハW
上のマークの位置ずれ量(Δx、Δy)を検出する。
【0024】また、図1において、主制御系MCSは信
号処理装置101〜103からの信号に基づいてウェハ
ステージコントローラーWSCやレチクルステージコン
トローラーRSCに制御信号S1を出力する他、本装置
全体を統括制御する。
【0025】この主制御系MCSにおける各種制御につ
いて図2を用いて説明する。図2は本実施の形態におけ
る主制御系MCSに含まれている制御ユニットおよび主
制御系MCSと接続している制御用コンピュータ202
を示している。
【0026】制御用コンピュータ202は、通信用バス
219を通じて主制御系MCSの各制御用ユニット21
2〜218と通信を行い、制御ユニット212〜218
に制御コマンドを送信して装置を制御する。制御用コン
ピュータ202には制御用プログラムがインストールさ
れており、これを実行することにより装置制御が可能と
なる。
【0027】ENユニット212は、図1に示した露光
装置本体内部の温度、湿度管理ならびに図1では図示を
省略した光源としての例えば水銀ランプの連続使用時間
等を管埋する。RLユニット213は、露光装置内でレ
チクルRを格納したレチクルライブラリ(図示せず)と
レチクルステージRSTとの間でレチクルを搬送するレ
チクル搬送系(図示せず)を制御する。
【0028】RSユニット214は、レチクルRの位置
合わせを行う際等にレチクルステージRSTを所定量移
動させるためのレチクルステージコントローラRSCに
指令を与えるようになっている。WLユニット215は
図示しないウェハカセットからウェハWを取り出して搬
送し、ウェハステージSTに載置するまでのウェハ搬送
系(図示せず)を制御する。
【0029】WSユニット216は、ウェハステージコ
ントローラWSCに指令を与えて、ステージ干渉計3か
らのXY座標値、Z駆動系2からのZ座標値等に基づい
て、XY駆動系1とZ駆動系2を介してXYステージS
T1とZステージST2の移動や位置決めを制御し、例
えばウェハWとレチクルRの位置関係を正確に測定し、
ずれ量を補正するウェハアライメント時のウェハ位置微
調制御を行うようになっている。また、投影光学系PL
の焦点合わせ(Auto Focus)を行う際には、
送光系(15、16、17)と受光系(19、20、2
1)の制御およびZステージST2のZ方向への移動の
制御も行う。
【0030】ALユニット217は、オフ・アクシス方
式のアライメント光学系22により、ウェハW上に形成
されたアライメント用のマークを観察し、ウェハWの位
置を算出する位置合わせの際にアライメント光学系22
等を制御する。EXユニット218は露光光源からの照
明光を透過あるいは遮光する図示しないシャッタの開閉
を制御し、露光時間を制御するために用いられる。
【0031】このように各制御ユニット212〜218
は制御用コンピュータ202から種々の制御コマンドを
受け取り、所定のハードウエアに対して制御を行って所
定の動作、処理を行わせるようになっている。
【0032】次に、本実施の形態による露光装置の制御
方法を図3を用いて説明する。図3は、制御用コンピュ
ータ202が主制御系MCSに対し制御コマンドを送信
しその返信を受信するまでの処理手順を説明するフロー
チャートである。
【0033】図3において、制御用コンピュータ202
は、すべての制御コマンドのタイムアウト時間を充分長
い時間(例えば500秒)に設定する(ステップS
0)。なお、このステップS0は、プログラムの初期起
動時に一度だけ行う処理である。制御用コンピュータ2
02は主制御系MCSに対して所定の制御コマンドを送
信する前に時間計測を開始する(ステップS1)。そし
て、時間計測の開始とほぼ同時に所定の制御コマンドを
主制御系MCSに送出する(ステップS2)。なお、制
御コマンドとしては、前述のようにレチクルまたはウェ
ハ搬送コマンドやアライメントコマンドなどがある。ス
テップS3において、制御用コンピュータ202は、送
出した制御コマンドに対する応答があるか否かを判断
し、応答が無ければステップS8に移行して予め設定し
ておいた所定のタイムアウト時間を越えたか否かを判断
する。ステップS8で所定のタイムアウト時間に達して
いなければ、ステップS3に戻って送出した制御コマン
ドに対する応答の有無を再び判断する。ステップS8で
所定のタイムアウト時間を超えた場合には、タイムアウ
トエラー処理を行って(ステップS9)、制御コマンド
の処理を終了する。タイムアウトエラー処理としては、
制御コマンドに基づく動作や処理の強制終了、あるいは
動作や処理のやり直し等がある。具体的には、ウェハW
の搬送時にタイムアウトになったときは、ウェハWの真
空吸着にエラーが発生し、ウェハを吸着保持して搬送で
きない場合がある。この場合はウェハWを取り除くよう
なコマンドを出す。また、ウェハWのアライメント時に
タイムアウトになったときは、アライメント光学系22
の視野にウェハWのマークが位置してなかったり、マー
クの不良の場合がある。この場合は、ウェハWのプリア
ライメントを再度行ったり、ウェハWのマーク不良とし
てウェハWをリジェクトするコマンドを出す。
【0034】ステップS3での制御コマンドに対する応
答の有無の判断において、応答があった場合にはステッ
プS4に移行して、ステップS1で開始した時間計測を
終了させる。次に、応答の内容を判断して制御コマンド
に対して正常に処理が終了したか否かを判断する(ステ
ップS5)。応答が正常処理でない場合、つまり何らか
のエラーが発生して制御コマンドに対応した動作/処理
ができなかった場合には、ステップS7に移行してコマ
ンドエラー処理を行ってから制御コマンドの処理を終了
する。コマンドエラー処理としては、タイムアウトエラ
ー処理と同様に制御コマンドに基づく動作や処理のやり
直しやエラー情報の収集等である。
【0035】ステップS5で応答が正常終了であると判
断されたら、ステップS6に移行して当該制御コマンド
に対するタイムアウト時間を算出して、所定のタイムア
ウト時間テーブルに格納する。テーブルに格納したタイ
ムアウト時間は、次回以降に当該制御コマンドが実行さ
れる際のタイムアウト時間として使用される。タイムア
ウト時間の算出は次の式に基づいて行われる。
【0036】タイムアウト時間=ステップS1〜S4で
計測されたコマンド実行時間×定数
【0037】この定数は1より大きい値(例えば2.
0)であるが、制御用コンピュータ202に対し任意に
設定できるようになっている。ステップS6での以上の
処理が終了したら制御コマンド処理が終了する。
【0038】図4はタイムアウト時間テーブルの例示で
ある。このテーブルには制御コマンド毎にタイムアウト
時間が格納されており、(制御ユニット名:コマンド番
号)で識別される制御コマンドに対し1つのタイムアウ
ト時間が設定、管理されている。それ以降、図3を用い
て説明した手順に沿って、各制御コマンドが正常終了す
る度に最適なタイムアウト時間が算出され、テーブルに
格納される。このタイムアウト時間テーブルは、例えば
磁気ディスク上にファイルとして存在しており、制御用
コンピュータ202を再起動した場合でも、再度磁気デ
ィスクから呼び出して用いることができる。
【0039】このように本実施の形態によれば、制御用
コンピュータが制御ユニットに対する各制御コマンドの
タイムアウト時間を管理するテーブルを作成管理し、各
制御コマンド実行時に参照するとともに、各制御コマン
ド正常終了時にそのコマンド実行に要した時間に1より
大きい定数値を乗じた時間をその制御コマンドのタイム
アウト時間としてタイムアウト時間テーブルの該当する
領域に格納し、次回その制御コマンド実行時に参照する
ようにしたので、多種多様の制御コマンド個々に最適な
タイムアウト時間を常時設定し、且つ更新することがで
きるようになる。
【0040】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、最適化さ
れたタイムアウト時間を各制御コマンドに対し設定する
ことが可能となるため、必要以上に制御ユニットのハン
グアップ検出が遅れることもなく、装置の停止時間を最
小限に抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態による露光装置の構成を
示す図である。
【図2】本発明の一実施の形態による露光装置の主制御
系MCSと制御用コンピュータの関係を示す図である。
【図3】本発明の一実施の形態による露光装置の制御方
法を説明するフローチャートを示す図である。
【図4】本発明の一実施の形態におけるタイムアウト時
間テーブルを示す図である。
【符号の説明】
R レチクル PL 投影光学系 W ウェハ FM 基準板 MCS 主制御系 CRT 表示装置 WSC ウェハステージコントローラ RSC レチクルステージコントローラ ST1 XYステージ ST2 Zステージ SP スリット像 15 投光器 16、20 平行平板ガラス 18a、18b 駆動部 21 受光器 101、102、103 信号処理装置 202 制御用コンピュータ 212 ENユニット 213 RLユニット 214 RSユニット 215 WLユニット 216 WSユニット 217 ALユニット 218 EXユニツト 219 通信用バス

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板にパターンを露光する露光装置の制御
    ユニットに制御コマンドを送信して前記露光装置のハー
    ドウエアを制御する露光装置の制御方法において、 前記制御コマンドを送信して前記制御ユニットからの応
    答があるまでの応答許容時間を設定するステップと、 前記制御コマンドを送信して前記制御ユニットからの応
    答があるまでの時間を計測するステップと、 前記計測ステップで計測した時間に基づいて前記制御コ
    マンドに対する前記応答許容時間を変更するステップと
    を有することを特徴とする露光装置の制御方法。
  2. 【請求項2】請求項1記載の露光装置の制御方法におい
    て、 前記応答許容時間は、前記計測ステップで計測した時間
    に1より大きい定数値を乗じて算出することを特徴とす
    る露光装置の制御方法。
  3. 【請求項3】請求項1または2に記載の露光装置の制御
    方法において、 複数の前記制御コマンドに対応付けた複数の前記応答許
    容時間をテーブルとして保持することを特徴とする露光
    装置の制御方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009071246A (ja) * 2007-09-18 2009-04-02 Nuflare Technology Inc 描画装置及び描画データのデータ処理方法

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