JPH1192807A - ニッケルタングステン合金粉末およびその製造方法 - Google Patents
ニッケルタングステン合金粉末およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH1192807A JPH1192807A JP9254420A JP25442097A JPH1192807A JP H1192807 A JPH1192807 A JP H1192807A JP 9254420 A JP9254420 A JP 9254420A JP 25442097 A JP25442097 A JP 25442097A JP H1192807 A JPH1192807 A JP H1192807A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- tungsten
- alloy powder
- earth metal
- salt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 65
- MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N nickel tungsten Chemical compound [Ni].[W] MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 44
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 30
- -1 alkaline-earth metal salt Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 35
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000008 nickel(II) carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) carbonate Chemical compound [Ni+2].[O-]C([O-])=O ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N tungsten(iv) oxide Chemical group O=[W]=O DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BFDHFSHZJLFAMC-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ni+2] BFDHFSHZJLFAMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001934 tungsten pentoxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 abstract description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 9
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 abstract 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 14
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 159000000003 magnesium salts Chemical class 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 4
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 description 4
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 159000000007 calcium salts Chemical class 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 積層セラミックコンデンサーの内部電極用電
極材料に適したニッケルタングステン合金粉末およびそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 タングステンの含有量が5重量%以上4
0重量%以下であり、平均粒径が0.1μm以上1μm
以下であることを特徴とするニッケルタングステン合金
粉末であり、上記合金粉末は、アルカリ土類金属塩とニ
ッケル塩とタングステン塩とを混合し、水素を含む雰囲
気で還元焙焼し、焙焼後アルカリ土類金属塩を酸により
溶解除去することで得られる。前記製造方法において、
アルカリ土類金属塩の混合比率は、焙焼後生成するニッ
ケルタングステン合金粉末の重量との重量比で0.1倍
以上2倍以下が好ましい。また、焙焼方法は、400℃
以上800℃以下の温度で行う焙焼後に、1000℃以
上1500℃以下の温度でさらに焙焼する二段焙焼であ
ることが好ましい。
極材料に適したニッケルタングステン合金粉末およびそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 タングステンの含有量が5重量%以上4
0重量%以下であり、平均粒径が0.1μm以上1μm
以下であることを特徴とするニッケルタングステン合金
粉末であり、上記合金粉末は、アルカリ土類金属塩とニ
ッケル塩とタングステン塩とを混合し、水素を含む雰囲
気で還元焙焼し、焙焼後アルカリ土類金属塩を酸により
溶解除去することで得られる。前記製造方法において、
アルカリ土類金属塩の混合比率は、焙焼後生成するニッ
ケルタングステン合金粉末の重量との重量比で0.1倍
以上2倍以下が好ましい。また、焙焼方法は、400℃
以上800℃以下の温度で行う焙焼後に、1000℃以
上1500℃以下の温度でさらに焙焼する二段焙焼であ
ることが好ましい。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサーの内部電極用の電極材料として使用するニッ
ケルタングステン合金粉末およびその製造方法に関す
る。
ンデンサーの内部電極用の電極材料として使用するニッ
ケルタングステン合金粉末およびその製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】現在、積層セラミックコンデンサーは、
その小型で高容量である特徴を生かし大量に生産されて
いる。現在、製造されている積層セラミックコンデンサ
ーの内部電極の材料としては、パラジウム粉、銀−パラ
ジウム合金粉、ニッケル粉が主に使用されており、特
に、低価格化のためニッケル粉を内部電極に使用したコ
ンデンサーが主流となってきている。
その小型で高容量である特徴を生かし大量に生産されて
いる。現在、製造されている積層セラミックコンデンサ
ーの内部電極の材料としては、パラジウム粉、銀−パラ
ジウム合金粉、ニッケル粉が主に使用されており、特
に、低価格化のためニッケル粉を内部電極に使用したコ
ンデンサーが主流となってきている。
【0003】積層セラミックコンデンサーは、0.5〜
2μmのニッケル等の粉末を有機成分と混合してペース
ト化し、得られたペーストを誘電体セラミック上にスク
リーン印刷などの方法で印刷し、それをくり返して電極
層と誘電体層を交互に積み重ね、それを焼成して形成さ
れている。焼成中にニッケル等の粉末が焼結することで
緻密な金属面が形成され、内部電極となる。
2μmのニッケル等の粉末を有機成分と混合してペース
ト化し、得られたペーストを誘電体セラミック上にスク
リーン印刷などの方法で印刷し、それをくり返して電極
層と誘電体層を交互に積み重ね、それを焼成して形成さ
れている。焼成中にニッケル等の粉末が焼結することで
緻密な金属面が形成され、内部電極となる。
【0004】現在、積層セラミックコンデンサーの小型
化、高容量化の進行に伴い内部電極の薄層化が進んでい
る。現在の主流であるニッケル粉末を使用した方法で
は、薄層化による使用ニッケル粉末の微細化や1層中の
ニッケル量の減少により焼結時の過焼結現象が発生し、
電極がとぎれるなどの問題が発生している。
化、高容量化の進行に伴い内部電極の薄層化が進んでい
る。現在の主流であるニッケル粉末を使用した方法で
は、薄層化による使用ニッケル粉末の微細化や1層中の
ニッケル量の減少により焼結時の過焼結現象が発生し、
電極がとぎれるなどの問題が発生している。
【0005】これは、純ニッケルの融点が1460℃程
度と誘電体セラミックの焼結温度との差が少なく、微細
なニッケル粉末を使用した場合焼成温度付近ででニッケ
ルの焼結が急速に進行するためである。この問題は、ニ
ッケルの基本的な物性によるものであり純ニッケルを電
極材料に用いる限り解決出来ないものである。
度と誘電体セラミックの焼結温度との差が少なく、微細
なニッケル粉末を使用した場合焼成温度付近ででニッケ
ルの焼結が急速に進行するためである。この問題は、ニ
ッケルの基本的な物性によるものであり純ニッケルを電
極材料に用いる限り解決出来ないものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
のニッケル粉を積層セラミックコンデンサーの内部電極
用電極材料に用いた場合の問題点を解決するニッケルタ
ングステン合金粉末およびその製造方法を提供すること
である。
のニッケル粉を積層セラミックコンデンサーの内部電極
用電極材料に用いた場合の問題点を解決するニッケルタ
ングステン合金粉末およびその製造方法を提供すること
である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題点
をニッケルをタングステンと合金化して、高融点化する
ことによりセラミックコンデンサーの焼成温度域での過
焼結現象を押さえ、内部電極の過焼結による電極とぎれ
などの問題を解決する。すなわち、ニッケルとタングス
テンの合金粉末であって、タングステンの含有量が5重
量%以上40重量%以下であり、平均粒径が0.1μm
以上1μm以下であることを特徴とするニッケルタング
ステン合金粉末である。
をニッケルをタングステンと合金化して、高融点化する
ことによりセラミックコンデンサーの焼成温度域での過
焼結現象を押さえ、内部電極の過焼結による電極とぎれ
などの問題を解決する。すなわち、ニッケルとタングス
テンの合金粉末であって、タングステンの含有量が5重
量%以上40重量%以下であり、平均粒径が0.1μm
以上1μm以下であることを特徴とするニッケルタング
ステン合金粉末である。
【0008】また、上記合金粉末は、アルカリ土類金属
塩、たとえば、アルカリ土類金属酸化物、炭酸塩、水酸
化物とニッケル塩とタングステン塩とを混合し、水素を
含む雰囲気、たとえば水素単独、または水素と窒素、も
しくは水素とアルゴンの混合気流中で焙焼し、焙焼後ア
ルカリ土類金属塩を酸により溶解除去することで得られ
る。ここで使用するアルカリ土類金属塩は、酸化マグネ
シウム、酸化カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸カル
シウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムの少な
くとも1種であることが好ましく、ニッケル塩は、水酸
化ニッケル、酸化ニッケル、塩基性炭酸ニッケルの少な
くとも1種であることが好ましく、タングステン塩は、
二酸化タングステン、三酸化タングステン、五酸化タン
グステンの少なくとも1種であることが好ましいニッケ
ルタングステン合金粉末の製造方法である。
塩、たとえば、アルカリ土類金属酸化物、炭酸塩、水酸
化物とニッケル塩とタングステン塩とを混合し、水素を
含む雰囲気、たとえば水素単独、または水素と窒素、も
しくは水素とアルゴンの混合気流中で焙焼し、焙焼後ア
ルカリ土類金属塩を酸により溶解除去することで得られ
る。ここで使用するアルカリ土類金属塩は、酸化マグネ
シウム、酸化カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸カル
シウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムの少な
くとも1種であることが好ましく、ニッケル塩は、水酸
化ニッケル、酸化ニッケル、塩基性炭酸ニッケルの少な
くとも1種であることが好ましく、タングステン塩は、
二酸化タングステン、三酸化タングステン、五酸化タン
グステンの少なくとも1種であることが好ましいニッケ
ルタングステン合金粉末の製造方法である。
【0009】前記製造方法において、アルカリ土類金属
塩の混合比率は、焙焼後生成するニッケルタングステン
合金粉末の重量との重量比で0.1倍以上2倍以下が好
ましい。また、焙焼方法は、400℃以上800℃以下
の温度で行う焙焼後に、1000℃以上1500℃以下
の温度でさらに焙焼する二段焙焼であることが好ましい
ニッケルタングステン合金粉末の製造方法である。
塩の混合比率は、焙焼後生成するニッケルタングステン
合金粉末の重量との重量比で0.1倍以上2倍以下が好
ましい。また、焙焼方法は、400℃以上800℃以下
の温度で行う焙焼後に、1000℃以上1500℃以下
の温度でさらに焙焼する二段焙焼であることが好ましい
ニッケルタングステン合金粉末の製造方法である。
【0010】
【発明の実施の形態】一般に金属の焼結温度は、その金
属の融点が高いほど高くなる。そのため、純ニッケルで
過焼結が発生する温度で過焼結現象を防止するために
は、合金化することで高融点となる元素を添加すること
が考えられる。そのために本発明では、タングステンを
選択した。タングステンは、全金属元素中最高の融点を
有し、電気伝導性も良好であり、ニッケルとの合金化も
容易なためである。
属の融点が高いほど高くなる。そのため、純ニッケルで
過焼結が発生する温度で過焼結現象を防止するために
は、合金化することで高融点となる元素を添加すること
が考えられる。そのために本発明では、タングステンを
選択した。タングステンは、全金属元素中最高の融点を
有し、電気伝導性も良好であり、ニッケルとの合金化も
容易なためである。
【0011】本発明においてニッケル中のタングステン
品位が5重量%以下では、ニッケルの融点の上昇が少な
く過焼結を防止する効果が低く、40重量%以上ではコ
ンデンサーの製造温度域で合金粉末の焼結が進行せず良
好な電極が形成されないためである。
品位が5重量%以下では、ニッケルの融点の上昇が少な
く過焼結を防止する効果が低く、40重量%以上ではコ
ンデンサーの製造温度域で合金粉末の焼結が進行せず良
好な電極が形成されないためである。
【0012】また、ニッケルタングステン合金粉末の平
均粒径が0.1μm以下では空気中での酸化が激しく、
空気中で金属状態で取り扱うことが困難となり、1μm
以上では、電極の層厚以上の粒径となるためコンデンサ
ーの内部電極用には使用できない。
均粒径が0.1μm以下では空気中での酸化が激しく、
空気中で金属状態で取り扱うことが困難となり、1μm
以上では、電極の層厚以上の粒径となるためコンデンサ
ーの内部電極用には使用できない。
【0013】本発明のニッケルタングステン合金粉末
は、以下のようにして得られる。本発明に用いるアルカ
リ土類金属塩、たとえば、アルカリ土類金属酸化物、炭
酸塩、水酸化物は、それぞれ酸化マグネシウム、酸化カ
ルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化
マグネシウム、水酸化カルシウム単独あるいは、混合物
であることが好ましい。以上のアルカリ土類金属酸化
物、炭酸塩、水酸化物等を総称して以下アルカリ土類金
属塩と呼ぶこととする。
は、以下のようにして得られる。本発明に用いるアルカ
リ土類金属塩、たとえば、アルカリ土類金属酸化物、炭
酸塩、水酸化物は、それぞれ酸化マグネシウム、酸化カ
ルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化
マグネシウム、水酸化カルシウム単独あるいは、混合物
であることが好ましい。以上のアルカリ土類金属酸化
物、炭酸塩、水酸化物等を総称して以下アルカリ土類金
属塩と呼ぶこととする。
【0014】アルカリ土類金属塩は、融点が2000℃
以上であり、金属ニッケル、金属タングステンとの反応
もない。また、アルカリ土類金属塩は、金属との濡れ性
が悪いため、金属同士の焼結を防止し、生成するニッケ
ルタングステン合金粉末が1μm以上に粗大化すること
を効果的に防止する。
以上であり、金属ニッケル、金属タングステンとの反応
もない。また、アルカリ土類金属塩は、金属との濡れ性
が悪いため、金属同士の焼結を防止し、生成するニッケ
ルタングステン合金粉末が1μm以上に粗大化すること
を効果的に防止する。
【0015】上述のアルカリ土類金属塩の焼結防止効果
を効果的に発揮させるためには、ニッケル原料とタング
ステン原料粉末とアルカリ土類金属塩が均一に混合され
ている必要がある。そのため、焙焼前の原料は、アルカ
リ土類金属塩とニッケル原料、タングステン原料を固体
同士でボールミルなどの粉砕混合機を使用して均一に混
合する方法やアルカリ土類金属塩の水溶性塩溶液とニッ
ケルおよびタングステンの水溶性塩溶液を混合し、苛性
アルカリや炭酸アルカリで共沈物を生成させる方法など
で出来るだけ均一に混合する必要がある。
を効果的に発揮させるためには、ニッケル原料とタング
ステン原料粉末とアルカリ土類金属塩が均一に混合され
ている必要がある。そのため、焙焼前の原料は、アルカ
リ土類金属塩とニッケル原料、タングステン原料を固体
同士でボールミルなどの粉砕混合機を使用して均一に混
合する方法やアルカリ土類金属塩の水溶性塩溶液とニッ
ケルおよびタングステンの水溶性塩溶液を混合し、苛性
アルカリや炭酸アルカリで共沈物を生成させる方法など
で出来るだけ均一に混合する必要がある。
【0016】この混合が不十分であると焙焼後のニッケ
ルタングステン合金粉末中のニッケルやタングステンが
均一に分布せず、上記の焼結防止効果が不十分となる。
また、アルカリ土類金属塩の分布が不均一であるとアル
カリ土類金属塩の少ないところでは、生成ニッケルタン
グステン合金粉同士の焼結が進行し粗大粒子が生成し、
コンデンサーの内部電極に使用した際の短絡の原因とな
る。
ルタングステン合金粉末中のニッケルやタングステンが
均一に分布せず、上記の焼結防止効果が不十分となる。
また、アルカリ土類金属塩の分布が不均一であるとアル
カリ土類金属塩の少ないところでは、生成ニッケルタン
グステン合金粉同士の焼結が進行し粗大粒子が生成し、
コンデンサーの内部電極に使用した際の短絡の原因とな
る。
【0017】焙焼雰囲気は、ニッケルおよびタングステ
ン塩を還元する必要から還元剤である水素を添加し還元
雰囲気とする必要がある。還元焙焼は、2段階で行うの
が効果的である。1段目の還元温度が400℃以下では
ニッケルの還元が不十分となり、2段目の高温焙焼時に
ニッケル塩とアルカリ土類金属塩が反応し、難還元性化
合物を生成する。1段目の焙焼温度が800℃以上でも
ニッケル塩とアルカリ土類金属塩が反応し、難還元性化
合物を生成する。2段目の焙焼温度が1000℃以下で
は、タングステンのニッケルへの拡散が不十分となり合
金化が進まない。また、1500℃以上では、粒子の焼
結が進行し、得られるニッケルタングステン合金粉が粗
大となる。
ン塩を還元する必要から還元剤である水素を添加し還元
雰囲気とする必要がある。還元焙焼は、2段階で行うの
が効果的である。1段目の還元温度が400℃以下では
ニッケルの還元が不十分となり、2段目の高温焙焼時に
ニッケル塩とアルカリ土類金属塩が反応し、難還元性化
合物を生成する。1段目の焙焼温度が800℃以上でも
ニッケル塩とアルカリ土類金属塩が反応し、難還元性化
合物を生成する。2段目の焙焼温度が1000℃以下で
は、タングステンのニッケルへの拡散が不十分となり合
金化が進まない。また、1500℃以上では、粒子の焼
結が進行し、得られるニッケルタングステン合金粉が粗
大となる。
【0018】アルカリ土類金属塩の混合比率が焙焼後生
成するニッケルタングステン合金粉末の重量との重量比
で0.1倍以下では、焙焼中のニッケルタングステン合
金粉末の焼結や融着を防止できず、得られるニッケルタ
ングステン合金粉末が粗大化する。2倍以上では、焼結
や融着の防止効果に向上が見られず、後工程でのアルカ
リ土類金属塩の溶解に使用する酸量が増加するだけであ
る。
成するニッケルタングステン合金粉末の重量との重量比
で0.1倍以下では、焙焼中のニッケルタングステン合
金粉末の焼結や融着を防止できず、得られるニッケルタ
ングステン合金粉末が粗大化する。2倍以上では、焼結
や融着の防止効果に向上が見られず、後工程でのアルカ
リ土類金属塩の溶解に使用する酸量が増加するだけであ
る。
【0019】アルカリ土類金属塩を溶解する際に使用す
る酸は、アルカリ土類金属塩を溶解可能な酸ならば有
機、無機問わず使用可能であるが、工業的には、安価な
硫酸もしくは塩酸が適当である。
る酸は、アルカリ土類金属塩を溶解可能な酸ならば有
機、無機問わず使用可能であるが、工業的には、安価な
硫酸もしくは塩酸が適当である。
【0020】本発明の製造方法で得られるニッケルタン
グステン合金粉末は、タングステンを含有することで純
ニッケルよりも融点が上昇し、セラミックコンデンサー
の製造温度範囲において純ニッケルよりも焼結性が低下
し、微小粒径のものであっても過焼結現象が発生しな
い。
グステン合金粉末は、タングステンを含有することで純
ニッケルよりも融点が上昇し、セラミックコンデンサー
の製造温度範囲において純ニッケルよりも焼結性が低下
し、微小粒径のものであっても過焼結現象が発生しな
い。
【0021】
(実施例1)試薬無水タングステン酸6.3gと試薬塩
基性炭酸ニッケル102gと試薬水酸化マグネシウム5
0gとを1リットルの純水中に懸濁させ、直径5mmの
ジルコニアボールを使用して12時間粉砕混合を行い、
ボールを分離して懸濁液を得た。得られた懸濁液を吸引
ろ過でろ別し、残さを80℃で12時間大気乾燥を行っ
た。
基性炭酸ニッケル102gと試薬水酸化マグネシウム5
0gとを1リットルの純水中に懸濁させ、直径5mmの
ジルコニアボールを使用して12時間粉砕混合を行い、
ボールを分離して懸濁液を得た。得られた懸濁液を吸引
ろ過でろ別し、残さを80℃で12時間大気乾燥を行っ
た。
【0022】得られた乾燥物を乳鉢で塊砕し水素気流中
450℃で1時間焙焼を行い、その後1200℃に昇温
し2時間保持した。焙焼後に得られた焙焼物を1リット
ルの純水中に懸濁させ、86gの試薬1級硫酸を純水2
00mlで希釈した溶液を添加して30分間撹拌し、マ
グネシウム塩を溶解した。マグネシウム塩の溶解後吸引
ろ過し、ろ別したニッケルタングステン粉末は、1リッ
トルの純水で2回水洗し、60℃12時間真空乾燥を行
った。
450℃で1時間焙焼を行い、その後1200℃に昇温
し2時間保持した。焙焼後に得られた焙焼物を1リット
ルの純水中に懸濁させ、86gの試薬1級硫酸を純水2
00mlで希釈した溶液を添加して30分間撹拌し、マ
グネシウム塩を溶解した。マグネシウム塩の溶解後吸引
ろ過し、ろ別したニッケルタングステン粉末は、1リッ
トルの純水で2回水洗し、60℃12時間真空乾燥を行
った。
【0023】以上の操作で48gのニッケルタングステ
ン粉末を得た。得られたニッケルタングステン粉末を走
査電子顕微鏡で観察したところ平均粒径で約0.3μm
の球状の粉末であった。
ン粉末を得た。得られたニッケルタングステン粉末を走
査電子顕微鏡で観察したところ平均粒径で約0.3μm
の球状の粉末であった。
【0024】また、得られたニッケルタングステン合金
粉末をベークライト樹脂で固結し、研磨を行ってニッケ
ルタングステン粉末の断面を日立製X−650EPMA
装置で観察しニッケルとタングステンの分布を調査し
た。その結果、ニッケルとタングステンが均一に分布し
ていることが確認された。得られた粉末中のニッケル、
タングステンの分析品位は、それぞれ90%と9.2%
であった。
粉末をベークライト樹脂で固結し、研磨を行ってニッケ
ルタングステン粉末の断面を日立製X−650EPMA
装置で観察しニッケルとタングステンの分布を調査し
た。その結果、ニッケルとタングステンが均一に分布し
ていることが確認された。得られた粉末中のニッケル、
タングステンの分析品位は、それぞれ90%と9.2%
であった。
【0025】また、焼結性の試験として得られた粉末を
10g採取し、1t/cm2の圧力下で直径19mm、
厚さ6.7mmのタブレットに成型し、1100℃で1
時間不活性気流中で焼成して焼結によるタブレットの収
縮率を測定したところ、収縮率は30%であった。
10g採取し、1t/cm2の圧力下で直径19mm、
厚さ6.7mmのタブレットに成型し、1100℃で1
時間不活性気流中で焼成して焼結によるタブレットの収
縮率を測定したところ、収縮率は30%であった。
【0026】(実施例2)試薬無水タングステン酸1
2.6gと試薬塩基性炭酸ニッケル91gと試薬水酸化
マグネシウム75gを実施例1と同様に純水中に懸濁さ
せ、粉砕混合を行い、ろ別し、大気乾燥を行った。得ら
れた乾燥物を乳鉢で塊砕し水素気流中450℃で1時間
焙焼を行い、その後1300℃に昇温し2時間保持し
た。焙焼後に得られた焙焼物を1リットルの純水中に懸
濁させ、129gの試薬1級硫酸を純水400mlで希
釈した溶液を添加して30分間撹拌し、マグネシウム塩
を溶解させた。マグネシウム塩の溶解後吸引ろ過し、ろ
別したニッケルタングステン粉末は、1リットルの純水
で2回水洗し、60℃で12時間真空乾燥を行った。
2.6gと試薬塩基性炭酸ニッケル91gと試薬水酸化
マグネシウム75gを実施例1と同様に純水中に懸濁さ
せ、粉砕混合を行い、ろ別し、大気乾燥を行った。得ら
れた乾燥物を乳鉢で塊砕し水素気流中450℃で1時間
焙焼を行い、その後1300℃に昇温し2時間保持し
た。焙焼後に得られた焙焼物を1リットルの純水中に懸
濁させ、129gの試薬1級硫酸を純水400mlで希
釈した溶液を添加して30分間撹拌し、マグネシウム塩
を溶解させた。マグネシウム塩の溶解後吸引ろ過し、ろ
別したニッケルタングステン粉末は、1リットルの純水
で2回水洗し、60℃で12時間真空乾燥を行った。
【0027】以上の操作で47gのニッケルタングステ
ン粉末を得た。得られたニッケルタングステン粉末を走
査電子顕微鏡で観察したところ平均粒径で約0.5μm
の球状の粉末であった。
ン粉末を得た。得られたニッケルタングステン粉末を走
査電子顕微鏡で観察したところ平均粒径で約0.5μm
の球状の粉末であった。
【0028】また、得られたニッケルタングステン合金
粉末を実施例1と同様にEPMA装置で観察しニッケル
とタングステンの分布を調査した。その結果、ニッケル
とタングステンが均一に分布していることが確認され
た。得られた粉末中のニッケル、タングステンの分析品
位は、それぞれ81%と18.4%であった。
粉末を実施例1と同様にEPMA装置で観察しニッケル
とタングステンの分布を調査した。その結果、ニッケル
とタングステンが均一に分布していることが確認され
た。得られた粉末中のニッケル、タングステンの分析品
位は、それぞれ81%と18.4%であった。
【0029】また、実施例1と同様に粉末を10g採取
し、直径19mm、厚さ6.5mmのタブレットに成型
し、1100℃で1時間不活性気流中で焼成して焼成に
よるタブレットの収縮率を見た。収縮率は、27%であ
った。
し、直径19mm、厚さ6.5mmのタブレットに成型
し、1100℃で1時間不活性気流中で焼成して焼成に
よるタブレットの収縮率を見た。収縮率は、27%であ
った。
【0030】(実施例3)試薬無水タングステン酸2
5.2gと試薬塩基性炭酸ニッケル68.2gと試薬水
酸化マグネシウム100gを実施例1と同様に純水中に
懸濁させ、粉砕混合を行い、ろ別し、大気乾燥を行っ
た。
5.2gと試薬塩基性炭酸ニッケル68.2gと試薬水
酸化マグネシウム100gを実施例1と同様に純水中に
懸濁させ、粉砕混合を行い、ろ別し、大気乾燥を行っ
た。
【0031】得られた乾燥物を乳鉢で塊砕し水素気流中
450℃で1時間焙焼を行い、その後1500℃に昇温
し2時間保持した。焙焼後に得られた焙焼物を1リット
ルの純水中に懸濁させ172gの試薬1級硫酸を純水4
00mlで希釈した溶液を添加して、30分間撹拌し、
マグネシウム塩を溶解した。マグネシウム塩の溶解後吸
引ろ過し、ろ別したニッケルタングステン粉末は、1リ
ットルの純水で2回水洗し、60℃で12時間真空乾燥
を行った。
450℃で1時間焙焼を行い、その後1500℃に昇温
し2時間保持した。焙焼後に得られた焙焼物を1リット
ルの純水中に懸濁させ172gの試薬1級硫酸を純水4
00mlで希釈した溶液を添加して、30分間撹拌し、
マグネシウム塩を溶解した。マグネシウム塩の溶解後吸
引ろ過し、ろ別したニッケルタングステン粉末は、1リ
ットルの純水で2回水洗し、60℃で12時間真空乾燥
を行った。
【0032】以上の操作で47gのニッケルタングステ
ン粉末を得た。得られたニッケルタングステン粉末を走
査電子顕微鏡で観察したところ平均粒径で約0.2μm
の球状の粉末であった。
ン粉末を得た。得られたニッケルタングステン粉末を走
査電子顕微鏡で観察したところ平均粒径で約0.2μm
の球状の粉末であった。
【0033】また、得られたニッケルタングステン合金
粉末を実施例1と同様にEPMA装置で観察しニッケル
とタングステンの分布を調査した。その結果、ニッケル
とタングステンが均一に分布していることが確認され
た。得られた粉末中のニッケル、タングステンの分析品
位は、それぞれ61%と38.0%であった。
粉末を実施例1と同様にEPMA装置で観察しニッケル
とタングステンの分布を調査した。その結果、ニッケル
とタングステンが均一に分布していることが確認され
た。得られた粉末中のニッケル、タングステンの分析品
位は、それぞれ61%と38.0%であった。
【0034】また、実施例1と同様に粉末を10g採取
し、直径19mm、厚さ6.8mmのタブレットに成型
し、1100℃で1時間不活性気流中で焼成して焼成に
よるタブレットの収縮率を測定したところ、収縮率は、
25%であった。
し、直径19mm、厚さ6.8mmのタブレットに成型
し、1100℃で1時間不活性気流中で焼成して焼成に
よるタブレットの収縮率を測定したところ、収縮率は、
25%であった。
【0035】(実施例4)試薬無水タングステン酸1
2.6gと試薬塩基性炭酸ニッケル91gと試薬水酸化
カルシウム75gを実施例1と同様に純水中に懸濁さ
せ、粉砕混合を行い、ろ別し、大気乾燥を行った。
2.6gと試薬塩基性炭酸ニッケル91gと試薬水酸化
カルシウム75gを実施例1と同様に純水中に懸濁さ
せ、粉砕混合を行い、ろ別し、大気乾燥を行った。
【0036】得られた乾燥物を乳鉢で塊砕し水素気流中
450℃で1時間焙焼を行い、その後1300℃に昇温
し2時間保持した。焙焼後に得られた焙焼物を1リット
ルの純水中に懸濁させ、220gの試薬1級36%塩酸
を添加して30分間撹拌し、カルシウム塩を溶解した。
カルシウム塩の溶解後吸引ろ過し、ろ別したニッケルタ
ングステン粉末は、1リットルの純水で2回水洗し、6
0℃で12時間真空乾燥を行った。
450℃で1時間焙焼を行い、その後1300℃に昇温
し2時間保持した。焙焼後に得られた焙焼物を1リット
ルの純水中に懸濁させ、220gの試薬1級36%塩酸
を添加して30分間撹拌し、カルシウム塩を溶解した。
カルシウム塩の溶解後吸引ろ過し、ろ別したニッケルタ
ングステン粉末は、1リットルの純水で2回水洗し、6
0℃で12時間真空乾燥を行った。
【0037】以上の操作で46gのニッケルタングステ
ン粉末を得た。得られたニッケルタングステン粉末を走
査電子顕微鏡で観察したところ平均粒径で約0.3μm
の球状の粉末であった。
ン粉末を得た。得られたニッケルタングステン粉末を走
査電子顕微鏡で観察したところ平均粒径で約0.3μm
の球状の粉末であった。
【0038】また、得られたニッケルタングステン合金
粉末を実施例1と同様にEPMA装置で観察しニッケル
とタングステンの分布を調査した。その結果、ニッケル
とタングステンが均一に分布していることが確認され
た。得られた粉末中のニッケル、タングステンの分析品
位は、それぞれ81%と18.3%であった。
粉末を実施例1と同様にEPMA装置で観察しニッケル
とタングステンの分布を調査した。その結果、ニッケル
とタングステンが均一に分布していることが確認され
た。得られた粉末中のニッケル、タングステンの分析品
位は、それぞれ81%と18.3%であった。
【0039】また、実施例1と同様に粉末を10g採取
し、直径19mm、厚さ6.6mmのタブレットに成型
し、1100℃で1時間不活性気流中で焼成して焼成に
よるタブレットの収縮率を測定したところ、収縮率は、
26%であった。
し、直径19mm、厚さ6.6mmのタブレットに成型
し、1100℃で1時間不活性気流中で焼成して焼成に
よるタブレットの収縮率を測定したところ、収縮率は、
26%であった。
【0040】(比較例)市販のカーボニルニッケル粉末
(平均粒径約1μm)を10g採取し、実施例1と同様
に直径19mm、厚さ6.8mmのタブレットに成型
し、1100℃で1時間不活性気流中で焼成して焼成に
よるタブレットの収縮率を測定したところ、収縮率は、
38%であった。
(平均粒径約1μm)を10g採取し、実施例1と同様
に直径19mm、厚さ6.8mmのタブレットに成型
し、1100℃で1時間不活性気流中で焼成して焼成に
よるタブレットの収縮率を測定したところ、収縮率は、
38%であった。
【0041】
【発明の効果】本発明によって、タングステンの含有量
が、5重量%以上40重量%以下であり、平均粒径が
0.1μm以上1μm以下である積層セラミックコンデ
ンサー用に適したニッケルタングステン合金粉末が得ら
れる。
が、5重量%以上40重量%以下であり、平均粒径が
0.1μm以上1μm以下である積層セラミックコンデ
ンサー用に適したニッケルタングステン合金粉末が得ら
れる。
Claims (7)
- 【請求項1】 ニッケルとタングステンの合金粉末であ
って、タングステンの含有量が5重量%以上40重量%
以下であり、平均粒径が0.1μm以上1μm以下であ
ることを特徴とするニッケルタングステン合金粉末。 - 【請求項2】 アルカリ土類金属塩とニッケル塩とタン
グステン塩とを混合し、水素単独、または水素と窒素、
もしくは水素とアルゴンの混合気流中で焙焼し、焙焼後
アルカリ土類金属塩を酸により溶解除去することを特徴
とする、タングステンの含有率が5重量%以上40重量
%以下であり、平均粒径が0.1μm以上1μm以下で
あるニッケルタングステン合金粉末の製造方法。 - 【請求項3】 アルカリ土類金属塩が、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウ
ム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムの少なくと
も1種である請求項2記載のニッケルタングステン合金
粉末の製造方法。 - 【請求項4】 ニッケル塩が水酸化ニッケル、酸化ニッ
ケル、塩基性炭酸ニッケルの少なくとも1種である請求
項2または3に記載のニッケルタングステン合金粉末の
製造方法。 - 【請求項5】 タングステン塩が二酸化タングステン、
三酸化タングステン、五酸化タングステンの少なくとも
1種である請求項2から4のいずれかに記載のニッケル
タングステン合金粉末の製造方法。 - 【請求項6】 アルカリ土類金属塩の混合比率を焙焼後
生成するニッケルタングステン合金粉末の重量との重量
比で0.1倍以上2倍以下とする請求項2から5のいず
れかに記載のニッケルタングステン合金粉末の製造方
法。 - 【請求項7】 焙焼方法が、400℃以上800℃以下
の温度で行う焙焼後に、1000℃以上1500℃以下
の温度でさらに焙焼する二段焙焼である請求項2から6
のいずれかに記載のニッケルタングステン合金粉末の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9254420A JPH1192807A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | ニッケルタングステン合金粉末およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9254420A JPH1192807A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | ニッケルタングステン合金粉末およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1192807A true JPH1192807A (ja) | 1999-04-06 |
Family
ID=17264740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9254420A Pending JPH1192807A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | ニッケルタングステン合金粉末およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1192807A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7277268B2 (en) * | 2001-10-18 | 2007-10-02 | Candian Electronic Powers Corporation | Laminated ceramic capacitor |
US7914279B2 (en) | 2003-01-21 | 2011-03-29 | American Air Liquide, Inc. | Method and apparatus for injecting a gas into a two-phase stream |
WO2012086272A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 昭和電工株式会社 | タングステン粉、コンデンサの陽極体及び電解コンデンサ |
CN109604546A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-04-12 | 河南工学院 | 一种高强度、强立方织构镍钨基带的制备方法 |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP9254420A patent/JPH1192807A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7277268B2 (en) * | 2001-10-18 | 2007-10-02 | Candian Electronic Powers Corporation | Laminated ceramic capacitor |
US7857886B2 (en) | 2001-10-18 | 2010-12-28 | Canadian Electronic Powders Corporation | Powder for laminated ceramic capacitor internal electrode |
US7914279B2 (en) | 2003-01-21 | 2011-03-29 | American Air Liquide, Inc. | Method and apparatus for injecting a gas into a two-phase stream |
WO2012086272A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 昭和電工株式会社 | タングステン粉、コンデンサの陽極体及び電解コンデンサ |
JP5132840B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2013-01-30 | 昭和電工株式会社 | タングステン粉、コンデンサの陽極体及び電解コンデンサ |
US9053860B2 (en) | 2010-12-24 | 2015-06-09 | Showa Denko K.K. | Tungsten powder, anode body for capacitors, and electrolytic capacitor |
CN109604546A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-04-12 | 河南工学院 | 一种高强度、强立方织构镍钨基带的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8075949B2 (en) | Method of production of a conductive particle, conductive paste, and method of production of electronic device | |
KR100743844B1 (ko) | 구리 분말 및 구리 분말의 제조 방법 | |
JP6135935B2 (ja) | 湿式ニッケル粉末の製造方法 | |
US6632265B1 (en) | Nickel powder, method for preparation thereof and conductive paste | |
JP4978785B2 (ja) | ニッケル粉の製造方法 | |
KR100480873B1 (ko) | 니켈 분말 및 도전 페이스트 | |
JP2001214201A (ja) | ニッケル粉、その製造方法及び電子部品電極形成用ペースト | |
JP2003242835A (ja) | グラビア印刷用導電性ペーストおよびその製造方法、ならびに積層セラミック電子部品 | |
JP2011149080A (ja) | ニッケル粉末およびその製造方法 | |
JPH1192807A (ja) | ニッケルタングステン合金粉末およびその製造方法 | |
JP2007197836A (ja) | ニッケル粉 | |
JP3945740B2 (ja) | ニッケル粉 | |
US6517745B2 (en) | Nickel powder and conductive paste | |
JP4244583B2 (ja) | 導電性ペースト、導電性ペーストの製造方法、および積層セラミック電子部品 | |
JPH1192806A (ja) | ニッケルモリブデン合金粉末およびその製造方法 | |
JP3444854B2 (ja) | ニッケル粉、その製造方法及び導電ペースト | |
JP4409989B2 (ja) | ニッケル基超微粉及びその製造方法 | |
JP2003027115A (ja) | 金属粉末の製造方法、金属粉末、導電性ペースト、積層セラミック電子部品 | |
JP2003317542A (ja) | 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 | |
JP2000212609A (ja) | 積層セラミックコンデンサ―内部電極用ニッケル粉およびその製造方法 | |
JP4096645B2 (ja) | ニッケル粉末の製造方法、ニッケル粉末、導電性ペースト、及び積層セラミック電子部品 | |
JP2003073701A (ja) | 積層セラミックコンデンサー外部電極用ニッケル粉およびその製造方法 | |
RU2828418C1 (ru) | Способ получения высокодисперсного сферического порошка, состоящего из ядра керамики и последовательно осажденных слоя серебра и слоя палладия | |
JPH11124606A (ja) | ニッケル銅合金粉末およびその製造方法 | |
JPH11140513A (ja) | 球状ニッケル粉末の製造方法 |