JPH1190802A - Method and device for polishing chamfered face of wafer - Google Patents

Method and device for polishing chamfered face of wafer

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JPH1190802A
JPH1190802A JP24904997A JP24904997A JPH1190802A JP H1190802 A JPH1190802 A JP H1190802A JP 24904997 A JP24904997 A JP 24904997A JP 24904997 A JP24904997 A JP 24904997A JP H1190802 A JPH1190802 A JP H1190802A
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JP
Japan
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wafer
polishing
notch
outer peripheral
chamfered
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP24904997A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akihito Yanoo
明仁 矢野尾
Hitoshi Adachi
仁 足立
Akira Higuchi
朗 樋口
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Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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Publication of JPH1190802A publication Critical patent/JPH1190802A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method capable of satisfactorily polishing the whole inner peripheries of the notched sections of a wafer and a device thereof of simple structure and a low cost. SOLUTION: This polishing device is equipped with wafer retaining structure 5 to retain a wafer W chamfered at its outer circumference and notched sections, in a given position, a notched section polishing wheel 24 installed as to intersect the wafer W and rotated on an axis, energizing mechanism 28 to energize and press the notched section polishing wheel 24 against the notched sections of the wafer W with an almost constant pressure, and reciprocating mechanism to move the notched section polishing wheel 24 and the energizing mechanism 28 back and forth in the direction as to intersect the face of the wafer W at right angles. By reciprocating the notched section polishing wheel 24 across the wafer face at right angles while pressing the wheel 24 against the inner face of the notched sections with a constant pressure, the notched section polishing wheel 24 advances or retreats in the diametral direction of the wafer W following the contour of the inner face of the notched section.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
のウェーハの外周縁部に形成したノッチ部の内面を鏡面
加工するための面取り面研磨方法およびその研磨装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for polishing a chamfered surface for mirror-finishing an inner surface of a notch formed on an outer peripheral portion of a wafer such as a semiconductor wafer and a polishing apparatus therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウェーハ(以下、ウェーハとい
う)の外周縁部に、略V字形あるいは略円弧状のノッチ
部を形成することが行われており、特に近年では、ウェ
ーハの大口径化に伴い歩留まりの向上等を目的に広範に
採用されている。図8(a)に示すように、V字形のノ
ッチ部1aが形成されたウェーハWは、エッジのチッピ
ング防止やエピキタシャル成長時のクラウン防止等のた
めに、エッジの上下隅部に外周面取り面2e,2dが形
成されている。この面取りした際のエッジ部の加工歪み
層の残留を除去するために、ドラム状の鏡面加工手段を
前記外周面取り面2e,2dに当接させて鏡面加工を行
う鏡面加工装置が提案されている(例えば、特開平1−
274958号公報等)。
2. Description of the Related Art A substantially V-shaped or substantially arc-shaped notch is formed on an outer peripheral portion of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer). It has been widely adopted for the purpose of improving the yield. As shown in FIG. 8A, the wafer W having the V-shaped notch 1a is provided with an outer chamfered surface 2e at the upper and lower corners of the edge in order to prevent chipping of the edge and crown during epitaxy growth. , 2d are formed. In order to remove the remaining of the processing distortion layer at the edge portion at the time of chamfering, there has been proposed a mirror finishing apparatus for performing mirror finishing by bringing a drum-shaped mirror finishing means into contact with the outer peripheral chamfered surfaces 2e and 2d. (See, for example,
274958, etc.).

【0003】ところで、ノッチ部1aが形成されたウェ
ーハWは、このノッチ部1aの寸法がウェーハWの外周
長に比較して極めて小さいため、前記ドラム状の鏡面加
工手段を用いてノッチ部1aの鏡面加工を行うには困難
を伴っていた。そこで、図8(b)および(c)に示す
ように、水平状態に配置したウェーハWのノッチ部1a
に、このウェーハWと直交するように配置されかつ回転
する研磨ホイール100を水平に押し付けることによ
り、ノッチ部1aの非面取り面(外側面)cを効率良く
研磨することが一般に行われているが、この技術では、
ノッチ部1aの面取り面2a,2bを効率的には研磨で
きないという不具合があった。
Since the size of the notch 1a is extremely small compared to the outer peripheral length of the wafer W, the notch 1a is formed on the wafer W using the drum-shaped mirror processing means. It was difficult to perform mirror finishing. Therefore, as shown in FIGS. 8B and 8C, the notch portion 1a of the wafer W arranged in a horizontal state.
Generally, the non-chamfered surface (outer surface) c of the notch portion 1a is efficiently polished by pressing the rotating polishing wheel 100, which is arranged orthogonally to the wafer W and rotates, horizontally. With this technology,
There is a problem that the chamfered surfaces 2a and 2b of the notch portion 1a cannot be efficiently polished.

【0004】そこで、この不具合を解消するために、ノ
ッチ部の面取り面および非面取り面の両方を研磨可能な
研磨装置が提案されており、以下、この研磨装置につい
て2つの代表例を挙げて説明する。
In order to solve this problem, a polishing apparatus capable of polishing both the chamfered surface and the non-chamfered surface of the notch has been proposed. Hereinafter, this polishing apparatus will be described with reference to two typical examples. I do.

【0005】(1)先ず、図9に示すように、この研磨
装置は、外周の一部にノッチ部(不図示)が形成された
ウェーハWを保持可能なテーブル101と、ウェーハW
のウェーハ面に平行な軸を中心に回転可能で、かつ外周
部形状がほぼノッチ部形状に近い回転バフ102と、こ
の回転バフ102をその軸線回りに回転させるための第
1のモータ(不図示)と、回転バフ102を、保持リン
ク103を介して、テーブル101に保持されるウェー
ハWに対して接離させるシリンダ装置104と、テーブ
ル101を、ウェーハWの前記ノッチ部(不図示)の内
面全域に回転バフ102が接触するように揺動させるた
めの第2のモータ(不図示)と、を備えている(特開平
7−24714号公報参照)。この研磨装置では、ウェ
ーハWを保持するテーブル101を揺動させることによ
り、回転する回転バフ102がノッチ部内面を倣い、ノ
ッチ部内面の研磨が行われる。なお、この研磨装置と同
様な動作を行う研磨装置が、特開平8−168947号
公報にも開示されている。
(1) First, as shown in FIG. 9, this polishing apparatus comprises a table 101 capable of holding a wafer W having a notch (not shown) formed in a part of the outer periphery, and a wafer W
A rotatable buff 102 rotatable about an axis parallel to the wafer surface and having an outer peripheral shape substantially similar to a notch portion, and a first motor (not shown) for rotating the rotatable buff 102 around its axis. ), A cylinder device 104 for bringing the rotating buff 102 into and out of contact with the wafer W held on the table 101 via the holding link 103, and the table 101 with the inner surface of the notch (not shown) of the wafer W. A second motor (not shown) for swinging the rotary buff 102 so as to come into contact with the entire region (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-24714). In this polishing apparatus, by rotating the table 101 holding the wafer W, the rotating rotary buff 102 follows the inner surface of the notch, and the inner surface of the notch is polished. A polishing apparatus that performs the same operation as this polishing apparatus is also disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 8-168947.

【0006】(2)図10に示すように、この研磨装置
は、回転する円板状砥石105と、ウェーハWをその面
が円板状砥石105と交差するように配置させるととも
に、このウェーハWをその面に垂直な中心軸の回り(矢
印θ参照)に所定の角度範囲で回転可能に保持するウェ
ーハ保持機構106と、ウェーハ保持機構106を、円
板状砥石105およびウェーハWがウェーハWの半径方
向(矢印X方向参照)にかつ近接または離間するように
移動させる第1駆動機構107と、円板状砥石105を
ウェーハWの板厚方向(矢印Z方向参照)に移動させる
ための第2の駆動機構108と、を備えている(特許公
報第2613504号参照)。この研磨装置では、ウェ
ーハWをその中心軸回りに回転させるとともに(矢印θ
参照)、ウェーハWを矢印X方向に移動させ、かつ回転
する円板状砥石105を矢印Z方向に移動させることに
より、ノッチ部1aの面取り面2a,2bおよび非面取
り面2cを研磨することができる。
(2) As shown in FIG. 10, this polishing apparatus arranges a rotating disc-shaped grindstone 105 and a wafer W such that the surface thereof intersects the disc-shaped grindstone 105, and the wafer W Holding mechanism rotatably around a central axis perpendicular to the surface thereof (see arrow θ) within a predetermined angle range, and the wafer holding mechanism 106 with a disc-shaped grindstone 105 and a wafer W A first drive mechanism 107 for moving in the radial direction (see the arrow X direction) so as to approach or separate from the other, and a second drive mechanism for moving the disc-shaped grindstone 105 in the thickness direction of the wafer W (see the arrow Z direction). (See Japanese Patent Publication No. 2613504). In this polishing apparatus, the wafer W is rotated around its central axis (arrow θ
By moving the wafer W in the direction of the arrow X and moving the rotating disk-shaped grindstone 105 in the direction of the arrow Z, the chamfered surfaces 2a and 2b and the non-chamfered surface 2c of the notch 1a can be polished. it can.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
(1)のものは、図9に示したように、ウェーハWを水
平状態と上下の傾斜状態との間を揺動させることによ
り、回転ハブ102を定位置にあるノッチ部に押し付け
てこれを研磨するものなので、特に面取り面のウェーハ
面側近傍を良好に研磨することができないという問題点
がある。なお、ウェーハWを大きく傾斜させることによ
り、前記面取り面のウェーハ面側近傍をある程度良好に
研磨することはできるが、前記大きく傾斜さるための機
構が複雑なものとなる上に、ウェーハWを揺動させる際
のウェーハWに作用する慣性力によりウェーハWが変形
する恐れもある。
However, in the case of the above (1), as shown in FIG. 9, by rotating the wafer W between a horizontal state and a vertically inclined state, the rotating hub 102 is rotated. Is pressed against a notch portion at a fixed position and is polished, so that there is a problem that it is not possible to satisfactorily polish the vicinity of the chamfered surface in particular on the wafer surface side. By tilting the wafer W greatly, the vicinity of the chamfer surface on the wafer surface side can be polished to some extent satisfactorily, but the mechanism for tilting the wafer W becomes complicated and the wafer W is shaken. The wafer W may be deformed by the inertial force acting on the wafer W when moving.

【0008】一方、(2)のものは、ウェーハおよび円
板状砥石の両方を移動させるものなので、そのための機
構が複雑になる上に、ウェーハおよび円板状砥石の移動
のタイミングが僅かでもずれた場合、ノッチ部の面取り
面部を良好に研磨することができないという問題点があ
る。すなわち、(2)のものは、ウェーハおよび円板状
砥石が互いに同期してそれぞれ正確なタイミングで移動
することにより、面取り部の良好な研磨面を達成できる
のであり、このためには、ウェーハおよび円板状砥石の
移動のタイミングを司る制御系として、精度が高く高価
なものが必要となる。
On the other hand, the method (2) moves both the wafer and the disk-shaped grindstone, so that the mechanism for the movement is complicated and the timing of movement of the wafer and the disk-shaped grindstone is slightly shifted. In this case, there is a problem that the chamfered surface of the notch cannot be polished well. That is, in the case of (2), a good polished surface of the chamfered portion can be achieved by the wafer and the disk-shaped grindstone moving at the correct timing in synchronization with each other, and for this purpose, A highly accurate and expensive control system is required as a control system for controlling the timing of the movement of the disc-shaped grindstone.

【0009】本発明は、上記従来技術の有する問題点に
鑑みてなされたものであり、ノッチ部の内周面全域を容
易かつ良好に鏡面研磨できる、ウェーハの面取り面研磨
方法、およびこの研磨方法を実施するための、構造が簡
単で装置コストの安い、ウェーハの面取り面研磨装置を
提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and a method for polishing a chamfered surface of a wafer, which can easily and satisfactorily mirror-polish the entire inner peripheral surface of a notch, and this polishing method. It is an object of the present invention to provide a wafer chamfering surface polishing apparatus having a simple structure and a low apparatus cost for carrying out the method.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の、ウェーハの面取り面研磨方法は、外周縁部
およびノッチ部に面取りをしたウェーハを定位置で保持
し、この保持した前記ウェーハのノッチ部に、前記ウェ
ーハと交差するようなノッチ部研磨ホイールの外周部
を、所定の圧力で押し付けるために付勢するとともに、
前記ノッチ部研磨ホイールをその軸線回りに回転させつ
つ前記ウェーハのウェーハ面とほぼ直交する方向に往復
移動させることを特徴とするものである。
According to the present invention, there is provided a method for polishing a chamfered surface of a wafer, comprising: holding a wafer having a chamfered outer peripheral edge and a notch at a fixed position; To the notch portion of the wafer, the outer peripheral portion of the notch portion polishing wheel, which intersects with the wafer, is urged to press with a predetermined pressure,
The method is characterized in that the notch portion polishing wheel is reciprocated in a direction substantially orthogonal to the wafer surface of the wafer while being rotated about its axis.

【0011】本発明の作用としては、定位置にあるウェ
ーハのノッチ部に、外周部形状がノッチ部形状とほぼ合
致するようなノッチ部研磨ホイールを、所定の圧力で押
し付けるために付勢し、この状態で、ノッチ部研磨ホイ
ールをその軸線回りに回転させかつウェーハのウェーハ
面とほぼ直交する方向に往復移動させる。これにより、
ノッチ部研磨ホイールは、前記ノッチ部から受ける研磨
圧の反作用により、ノッチ部の内面形状に沿ってウェー
ハの径方向に進退して、ノッチ部の内面を一定の研磨圧
力で良好に研磨できるとともに、ノッチ部のウェーハ面
近傍をも良好に鏡面加工できる。
According to the operation of the present invention, a notch polishing wheel having an outer peripheral shape substantially matching the notch shape is pressed against a notch portion of a wafer at a predetermined position so as to press the wheel at a predetermined pressure, In this state, the notch polishing wheel is rotated about its axis and reciprocated in a direction substantially orthogonal to the wafer surface of the wafer. This allows
The notch portion polishing wheel, by the reaction of the polishing pressure received from the notch portion, advances and retreats in the radial direction of the wafer along the inner surface shape of the notch portion, and can satisfactorily polish the inner surface of the notch portion at a constant polishing pressure, A mirror surface can be satisfactorily processed even in the vicinity of the wafer surface at the notch.

【0012】この方法を実施するための研磨装置として
は、外周縁部およびノッチ部に面取りをしたウェーハを
定位置で保持するためのウェーハ保持機構と、前記ウェ
ーハと交差するように配置されて、軸線回りに回転する
ノッチ部研磨ホイールと、前記ノッチ部研磨ホイールを
保持するとともに、このノッチ部研磨ホイールを、その
外周部が前記ウェーハの前記ノッチ部に所定の圧力で押
圧するように付勢する付勢機構と、前記付勢機構を、前
記ノッチ部研磨ホイールが前記ウェーハのウェーハ面と
ほぼ直交する方向に往復移動するように駆動する往復移
動機構と、を備えていることを特徴とするものである。
As a polishing apparatus for carrying out this method, a wafer holding mechanism for holding a wafer having a chamfered outer peripheral edge portion and a notch portion at a fixed position, and a wafer holding mechanism arranged so as to intersect with the wafer, A notch polishing wheel that rotates around an axis, and the notch polishing wheel is held, and the notch polishing wheel is urged so that an outer peripheral portion thereof presses the notch of the wafer with a predetermined pressure. A biasing mechanism; and a reciprocating mechanism that drives the biasing mechanism such that the notch polishing wheel reciprocates in a direction substantially orthogonal to the wafer surface of the wafer. It is.

【0013】ここで、前記付勢機構は、前記往復移動機
構によって前記駆動される研磨圧付与シリンダと、前記
ノッチ部研磨ホイールを一端部に備えるとともに他端部
が前記研磨圧付与シリンダのロッドに回動自在に連結さ
れ、かつ中間部が支点として回動自在に支持された研磨
アームとから構成されていることを特徴とするものであ
る。このように、メンテナンスが容易であるとともに安
価な研磨圧付与シリンダの動力により、ノッチ部研磨ホ
イールをウェーハのノッチ部に押圧するように付勢す
る。
The urging mechanism includes a polishing pressure applying cylinder driven by the reciprocating mechanism and the notch polishing wheel at one end, and the other end is attached to a rod of the polishing pressure applying cylinder. A polishing arm that is rotatably connected and that is rotatably supported at an intermediate portion as a fulcrum. In this way, the notch polishing wheel is urged against the notch of the wafer by the power of the polishing pressure applying cylinder, which is easy to maintain and inexpensive.

【0014】また、前記ウェーハ保持機構を前記ウェー
ハの軸線回りに回転させるための回転機構と、前記ウェ
ーハの外周面取り面および外周非面取り面をそれぞれ研
磨するための、外周面取り面研磨部材および外周非面取
り面研磨部材と、を備えていることが好ましい。これに
より、ノッチ部の研磨前あるいは研磨後に、ウェーハ保
持手段によりウェーハをその中心軸回りに回転させると
ともに、回転する外周面取り面研磨部材および外周非面
取り面研磨部材を、ウェーハの外周面取り面および外周
非面取り面にそれぞれ押圧することにより、鏡面研磨で
きる。
A rotating mechanism for rotating the wafer holding mechanism around the axis of the wafer; an outer peripheral chamfered polishing member and an outer peripheral non-chamfered member for polishing an outer chamfered surface and an outer non-chamfered surface of the wafer, respectively; And a chamfered polishing member. Thus, before or after the polishing of the notch portion, the wafer is rotated around its central axis by the wafer holding means, and the rotating outer chamfered polishing member and the outer non-chamfered polishing member are moved to the outer chamfered surface and the outer periphery of the wafer. Mirror polishing can be performed by pressing each of the non-chamfered surfaces.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施形態につい
て図面を参照して説明する。図1は本発明のウェーハの
面取り面研磨装置の一実施形態で、装置本体や装置外装
等を断面にした正面図、図2は図1の左側面図、図3は
図1において装置装置内を右方向から見た概略図であ
る。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an embodiment of a wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention, in which a cross section of an apparatus main body and an apparatus exterior is shown, FIG. 2 is a left side view of FIG. 1, and FIG. FIG. 2 is a schematic view when viewed from the right.

【0016】本実施形態の面取り面研磨装置は、ウェー
ハ吸着盤3により保持されたウェーハWのノッチ部1a
(図4および図5参照)をノッチ部研磨ホイール24に
より鏡面研磨し、また、外周研磨ドラム30および外周
研磨円盤31(図3参照)により、ウェーハWの外周面
取り面2d(図6参照)および外周非面取り面2f(図
7参照)をそれぞれ鏡面研磨することができるものであ
り、以下詳細に説明する。
The chamfered-surface polishing apparatus according to the present embodiment uses the notch 1a of the wafer W held by the wafer suction disk 3.
4 and 5 are mirror-polished by a notch polishing wheel 24, and an outer peripheral chamfered surface 2d (see FIG. 6) of the wafer W and an outer peripheral polishing drum 30 and an outer peripheral polishing disk 31 (see FIG. 3). The outer peripheral non-chamfered surface 2f (see FIG. 7) can be mirror-polished, and will be described in detail below.

【0017】先ず、図1および図2に示すように、装置
基台1には、内部に研磨作業空間を形成するための装置
外装2が備えられている。この装置外装2内の一側方側
(図1中右側)には、装置外装2を貫通するように昇降
自在でかつ軸線回り(矢印C参照)に回転駆動が可能な
支持ロッド4が設けられ、この支持ロッド4の下端に
は、被研磨物としてのウェーハWを水平状態で保持する
ためのウェーハ吸着盤3が備えられている。これらウェ
ーハ吸着盤3および支持ロッド4によりウェーハ保持機
構5が構成されている。そして、図3に示すように、支
持ロッド4を回転駆動するための回転機構39は、減速
機が接続された回転モータ(不図示)と、ウェーハ吸着
盤3の回転角を検出する回転角検出センサ(不図示)と
を備えている。
First, as shown in FIGS. 1 and 2, an apparatus base 1 is provided with an apparatus exterior 2 for forming a polishing work space inside. A support rod 4 is provided on one side (right side in FIG. 1) inside the device exterior 2 so as to be able to move up and down so as to penetrate the device exterior 2 and to be rotatable about an axis (see arrow C). At the lower end of the support rod 4, a wafer suction disk 3 for holding a wafer W as an object to be polished in a horizontal state is provided. The wafer suction mechanism 3 and the support rod 4 constitute a wafer holding mechanism 5. As shown in FIG. 3, the rotation mechanism 39 for rotating the support rod 4 includes a rotation motor (not shown) to which a speed reducer is connected and a rotation angle detection for detecting the rotation angle of the wafer suction plate 3. And a sensor (not shown).

【0018】装置基台1の側方には、研磨ユニット進退
用シリンダ6が、そのロッド6aを水平方向(図1中左
方向)に向けた形態で固定されている。また、装置基台
1の側方には、後述するノッチ部研磨ユニット7を支持
するための研磨ユニット支持ブラケット8が固定されて
いる。この研磨ユニット支持ブラケット8には、スライ
ド機構9を介して、箱状の研磨ユニット本体11が水平
方向(図1中左右方向)に移動自在に支持され、研磨ユ
ニット本体11には、連結部材10を介して、前記研磨
ユニット進退用シリンダ6のロッド6aが連結されてい
る。このような構成に基づいて、研磨を行う際には、研
磨ユニット進退用シリンダ6のロッド6aを引込めて、
ノッチ部研磨ユニット7をウェーハW側(図1中右方
向)に移動させ、研磨が終了すると、研磨ユニット進退
用シリンダ6のロッド6aを突出させて、ノッチ部研磨
ユニット7をウェーハW側とは反対方向に退避させるこ
とができる。なお、図1の状態は、研磨中の状態を示し
ている。
On the side of the apparatus base 1, a cylinder 6 for moving the polishing unit forward and backward is fixed with its rod 6a directed horizontally (leftward in FIG. 1). A polishing unit support bracket 8 for supporting a notch portion polishing unit 7 described below is fixed to the side of the apparatus base 1. A box-shaped polishing unit main body 11 is supported by the polishing unit supporting bracket 8 via a slide mechanism 9 so as to be movable in a horizontal direction (left and right directions in FIG. 1). Is connected to the rod 6a of the cylinder 6 for moving the polishing unit forward and backward. When polishing is performed based on such a configuration, the rod 6a of the polishing unit advance / retreat cylinder 6 is retracted,
The notch polishing unit 7 is moved to the wafer W side (rightward in FIG. 1), and when polishing is completed, the rod 6a of the polishing unit advance / retreat cylinder 6 is protruded to move the notch polishing unit 7 to the wafer W side. It can be evacuated in the opposite direction. The state shown in FIG. 1 shows a state during polishing.

【0019】研磨ユニット7の詳細構造については、研
磨ユニット本体11には、昇降用モータ12がその回転
軸(出力軸)12aを上方に向けた形態で固定されてい
る。この昇降用モータ12の回転軸12aには、カップ
リング13を介してボールねじ軸14が同軸に連結さ
れ、このボールねじ軸14には昇降部材15が螺合され
ている。この昇降部材15は、研磨ユニット本体11に
固定された上下方向に延びるガイド軸16に、上下方向
に移動自在に支持されており、さらに、この昇降部材1
5には後述するシリンダブラケット17が固定されてい
る。このような構成に基づいて、昇降用モータ12の回
転軸12aを一方向に回転させることにより、回転する
ボールねじ軸14に螺合する昇降部材15は上昇し、一
方、昇降用モータ12を逆回転させると、昇降部材15
は下降する。なお、昇降用モータ12、ボールねじ軸1
4および昇降部材15により往復移動機構29が構成さ
れている。
With respect to the detailed structure of the polishing unit 7, an elevating motor 12 is fixed to the polishing unit main body 11 with its rotating shaft (output shaft) 12a facing upward. A ball screw shaft 14 is coaxially connected to a rotary shaft 12 a of the elevating motor 12 via a coupling 13, and an elevating member 15 is screwed to the ball screw shaft 14. The elevating member 15 is supported by a vertically extending guide shaft 16 fixed to the polishing unit main body 11 so as to be vertically movable.
5, a cylinder bracket 17 described later is fixed. By rotating the rotating shaft 12a of the lifting motor 12 in one direction based on such a configuration, the lifting member 15 screwed to the rotating ball screw shaft 14 rises, while the lifting motor 12 is turned upside down. When rotated, the elevating member 15
Descends. The lifting motor 12 and the ball screw shaft 1
The reciprocating mechanism 29 is constituted by the lifting member 4 and the lifting member 15.

【0020】前記シリンダブラケット17には、研磨圧
付与シリンダ18が、そのロッド18aをほぼ真上に向
けた形態で固定されており、この研磨圧付与シリンダ1
8のロッド18aの先端部には、「く」字上に屈曲する
研磨アーム19の一端部が、ピン部材20等を介して回
動自在に連結されている。一方、研磨アーム19の中間
部19aは、前記昇降部材15より側方へ延びる固定ブ
ラケット21に回動自在に支持されている。研磨アーム
19の他端部には、略長円形状の研磨ホイール支持部材
22の一端部が一体的に固定されている。
A polishing pressure applying cylinder 18 is fixed to the cylinder bracket 17 with its rod 18a facing almost directly above.
One end of a polishing arm 19 that bends in a "<" shape is rotatably connected to the tip of the rod 18a via a pin member 20 or the like. On the other hand, an intermediate portion 19a of the polishing arm 19 is rotatably supported by a fixed bracket 21 extending laterally from the elevating member 15. One end of a substantially oval-shaped polishing wheel support member 22 is integrally fixed to the other end of the polishing arm 19.

【0021】この研磨ホイール支持部材22の一端部に
は研磨モータ23が固定され、研磨ホイール支持部材2
2の他端部にはノッチ部研磨ホイール24がその軸線回
り(その周方向)に回転自在に支持されている。そし
て、研磨モータ23の回転は、プーリやベルト等の伝動
機構(不図示)を介して、ノッチ部研磨ホイール24に
伝動されるようになっており、これにより、ノッチ部研
磨ホイール24を一方向(図1中矢印A参照)に回転駆
動させることができる。なお、ノッチ部研磨ホイール2
4の外周部の形状は、ウェーハWのノッチ部1aの形状
と合致するような形状になっている。
A polishing motor 23 is fixed to one end of the polishing wheel support member 22, and the polishing wheel support member 2
A notch polishing wheel 24 is rotatably supported on the other end of the second member 2 around its axis (in its circumferential direction). The rotation of the polishing motor 23 is transmitted to the notch polishing wheel 24 via a transmission mechanism (not shown) such as a pulley or a belt, whereby the notch polishing wheel 24 is moved in one direction. (See arrow A in FIG. 1). Notch polishing wheel 2
The shape of the outer peripheral portion of the wafer 4 is such that it matches the shape of the notch portion 1a of the wafer W.

【0022】ノッチ部1aの研磨を行う際には、研磨圧
付与シリンダ18のロッド18aを引込めることによ
り、研磨アーム19をその中間部19aを支点として図
1中左回り方向に回転させ、ノッチ部研磨ホイール24
を有する研磨ホイール支持部材22をウェーハW側に移
動させ(図4中、矢印B参照)、これにより、ノッチ部
研磨ホイール24の外周部を、ウェーハWのノッチ部1
aに所定の研磨圧力(1.5〜3.5kg/mm2)で
押圧するために付勢することができる。一方、非研磨時
には、研磨圧付与シリンダ18のロッド18aを突出さ
せることにより、研磨アーム19をその中間部19aを
支点として、図1中右回り方向に回転させ、ノッチ部研
磨ホイール24を有する研磨ホイール支持部材22をウ
ェーハWから遠ざかる方向に退避させる。
When the notch portion 1a is polished, the rod 18a of the polishing pressure applying cylinder 18 is retracted, whereby the polishing arm 19 is rotated counterclockwise in FIG. Part grinding wheel 24
Is moved to the wafer W side (see arrow B in FIG. 4), whereby the outer peripheral portion of the notch portion polishing wheel 24 is moved to the notch portion 1 of the wafer W.
It can be urged to press a at a predetermined polishing pressure (1.5 to 3.5 kg / mm 2 ). On the other hand, at the time of non-polishing, the rod 18a of the polishing pressure applying cylinder 18 is projected so that the polishing arm 19 is rotated clockwise in FIG. The wheel support member 22 is retracted in a direction away from the wafer W.

【0023】上記説明から明らかなように、研磨圧付与
シリンダ18および研磨アーム19等により付勢機構2
8が構成されている。なお、研磨時に、研磨液をウェー
ハWのノッチ部1aに供給するための研磨液供給手段
(不図示)が設けられており、この研磨液は排出管27
より装置外装2より排出され、回収されるようになって
いる。
As is clear from the above description, the urging mechanism 2 is constituted by the polishing pressure applying cylinder 18 and the polishing arm 19 and the like.
8 are configured. A polishing liquid supply means (not shown) for supplying the polishing liquid to the notch portion 1a of the wafer W at the time of polishing is provided.
It is discharged from the device exterior 2 and collected.

【0024】上記研磨アーム19、研磨ホイール支持部
材22および研磨モータ23等は、研磨ユニット本体1
1に固定されたカバー部材25内に収容され、このカバ
ー部材25は、ベローズ26を介して装置外装2に対し
て水平方向に移動自在に支持されている。なお、カバー
部材25には、前記ノッチ部研磨ホイール24が通過で
きるような開口部が形成されている。
The polishing arm 19, the polishing wheel support member 22, the polishing motor 23, and the like are connected to the polishing unit main body 1.
1 is accommodated in a cover member 25 fixed to the cover 1, and the cover member 25 is supported by a bellows 26 movably in a horizontal direction with respect to the apparatus exterior 2. The cover member 25 has an opening through which the notch polishing wheel 24 can pass.

【0025】本実施形態の研磨装置は、ウェーハWのノ
ッチ部1aの他に、外周面取り面2dおよび外周非面取
り面(外端面)2fをも研磨できるようになっている。
すなわち、図3に示すように、前記ノッチ部研磨ホイー
ル24の両側位置には、ウェーハWの外周面取り面2d
を研磨するための円柱状の外周研磨ドラム30(外周面
取り面研磨部材)、およびウェーハWの外周非面取り面
2fを研磨するための外周研磨円板31(外周非面取り
面研磨部材)が配置されている。
The polishing apparatus of this embodiment can polish the outer peripheral chamfered surface 2d and the outer peripheral non-chamfered surface (outer end surface) 2f in addition to the notch portion 1a of the wafer W.
That is, as shown in FIG. 3, the outer peripheral chamfered surface 2d of the wafer W is provided on both sides of the notch portion polishing wheel 24.
And an outer peripheral polishing disk 31 (outer peripheral non-chamfered polishing member) for polishing the outer non-chamfered surface 2f of the wafer W are arranged. ing.

【0026】詳述すると、外周研磨ドラム30は、外周
面が面取り面用研磨布34で覆われかつウェーハWの軸
線と直交する軸線を有して回転可能に支持され、この外
周研磨ドラム30を回転させるドラム駆動手段36を備
えている。外周研磨ドラム30は、ドラム駆動手段36
のモータ(不図示)に接続された回転可能に支持された
ドラム回転軸部材32と、このドラム回転軸部材32の
先端部に軸線を同じくして設けられアルミニウム合金等
で形成されたドラム本体33とを備え、このドラム本体
33の外周面に、前記面取り面用研磨布34が巻回状態
で固定されている。
More specifically, the outer peripheral polishing drum 30 is rotatably supported with its outer peripheral surface covered with a chamfering polishing cloth 34 and having an axis perpendicular to the axis of the wafer W. Drum drive means 36 for rotating is provided. The outer peripheral polishing drum 30 includes a drum driving unit 36.
And a rotatable drum rotating shaft member 32 connected to a motor (not shown), and a drum main body 33 made of an aluminum alloy or the like and provided at the tip end of the drum rotating shaft member 32 with the same axis. The polishing cloth for chamfered surface 34 is fixed to the outer peripheral surface of the drum main body 33 in a wound state.

【0027】また、前記ドラム駆動手段36は、外周研
磨ドラム30を軸線方向に進退移動させるボールねじお
よび該ボールねじを回転駆動するモータ等を有するドラ
ム直動ユニット(不図示)や、外周研磨ドラム30をウ
ェーハWの面取り面に押圧状態に当接させるための押圧
用シリンダ(不図示)を備えている。
The drum driving means 36 includes a drum linear motion unit (not shown) having a ball screw for moving the outer peripheral polishing drum 30 forward and backward in the axial direction, a motor for rotating the ball screw, and the like; A pressing cylinder (not shown) for bringing the 30 into contact with the chamfered surface of the wafer W in a pressed state is provided.

【0028】外周研磨円板31は、円板本体35の表面
が外側面用研磨布37で覆われてなるものであり、ウェ
ーハWの軸線と直交する軸線をもって回転可能に支持さ
れており、この外周研磨円板31を回転させる円板駆動
手段38を備えている。この円板駆動手段38は、研磨
時に外周研磨円板31をウェーハWの軸線方向(上下方
向)に移動させる円板移動機構を備えている。
The outer peripheral polishing disk 31 is formed by covering the surface of a disk main body 35 with an outer surface polishing cloth 37, and is rotatably supported with an axis perpendicular to the axis of the wafer W. A disk driving means 38 for rotating the outer peripheral polishing disk 31 is provided. The disk driving means 38 includes a disk moving mechanism for moving the outer peripheral polishing disk 31 in the axial direction of the wafer W (vertical direction) during polishing.

【0029】上記外周研磨ドラム30および外周研磨円
板31の近傍には、研磨時に研磨液を外周研磨ドラム3
0および外周研磨円板31上に供給するとともに、ウェ
ーハWの面取り面および外側面にも供給する研磨液供給
手段(不図示)がそれぞれ設けられている。
In the vicinity of the outer peripheral polishing drum 30 and the outer peripheral polishing disk 31, a polishing liquid is applied during polishing to the outer peripheral polishing drum 3.
A polishing liquid supply means (not shown) for supplying the polishing liquid to the chamfered surface and the outer surface of the wafer W while supplying the polishing liquid to the 0 and outer peripheral polishing disks 31 is provided.

【0030】次に、本発明に係わるウェーハの面取り面
研磨装置の一実施形態における、ウェーハの面取り面研
磨方法の一例について説明する。なお、以下に説明する
本例の研磨方法は、先ず、ウェーハWのノッチ部1aを
研磨した後に、ウェーハWの外周面取り面2bおよび外
周非面取り面2cを研磨するものであるが、これらの工
程を逆に行ってもよい。
Next, an example of a method for polishing a chamfered surface of a wafer in an embodiment of the apparatus for polishing a chamfered surface of a wafer according to the present invention will be described. Note that the polishing method of the present example described below first polishes the notch portion 1a of the wafer W, and then polishes the outer chamfered surface 2b and the outer non-chamfered surface 2c of the wafer W. May be reversed.

【0031】先ず、図1に示すように、ウェーハ吸着盤
3によってウェーハWを下降させ、ウェーハWを所定の
高さに配する。また、ウェーハWのノッチ部1a(図4
参照)がノッチ部研磨ホイール24と対向するように、
ウェーハ吸着盤3を回転させてウェーハWをその周方向
に位置決めする。
First, as shown in FIG. 1, the wafer W is lowered by the wafer suction plate 3, and the wafer W is arranged at a predetermined height. The notch 1a of the wafer W (FIG. 4)
) Is opposed to the notch grinding wheel 24,
The wafer suction plate 3 is rotated to position the wafer W in the circumferential direction.

【0032】次に、研磨ユニット用進退シリンダ6を作
動させて、退避位置(2点鎖線)にあるノッチ部研磨ユ
ニット7を、ウェーハW側(図1中右方向)に移動させ
て、研磨位置に保持する。この後、研磨圧付与シリンダ
18により、研磨アーム19をその支点19aを中心
に、所定角度右回りに回転させることにより、図4およ
び図5に示すように、ノッチ部研磨ホイール24のウェ
ーハW側に移動させ(図4中の矢印B参照)、ノッチ部
研磨ホイール24の外周部を、ウェーハWのノッチ部1
aの下方の面取り面2aにほぼ垂直に所定の押圧力
(1.5〜3.5kg/mm2)で押し付ける。すなわ
ち、ノッチ部研磨ホイール24は、研磨圧付与シリンダ
18の圧力によりウェーハWのノッチ部1aを押圧する
ように付勢されている。
Next, the reciprocating cylinder 6 for the polishing unit is operated to move the notch polishing unit 7 at the retracted position (two-dot chain line) toward the wafer W (to the right in FIG. 1). To hold. Thereafter, the polishing arm 19 is rotated clockwise around the fulcrum 19a by a predetermined angle by the polishing pressure applying cylinder 18, so that the notch portion polishing wheel 24 has a wafer W side as shown in FIGS. (See arrow B in FIG. 4), and the outer peripheral portion of the notch portion polishing wheel 24 is moved to the notch portion 1 of the wafer W.
a with a predetermined pressing force (1.5 to 3.5 kg / mm 2 ) substantially perpendicularly to the chamfered surface 2 a below the lower surface a. That is, the notch polishing wheel 24 is urged to press the notch 1 a of the wafer W by the pressure of the polishing pressure applying cylinder 18.

【0033】この状態で、研磨モータ23を作動させて
ノッチ部研磨ホイール24を回転させるとともに、昇降
用モータ18の正逆回転を繰り返すことにより、研磨ア
ーム19全体を上下方向に往復移動させ、これにより、
回転するノッチ部研磨ホール24も上下方向に往復移動
を返す。この際、図5に示すように、ノッチ部研磨ホイ
ール24は、常時一定の圧力でノッチ部1aの内周面を
ほぼ垂直方向に押圧し、この反作用や研磨圧付与シリン
ダ18のクッション作用と相まって、ノッチ部1aの下
方の面取り面2aおよび非面取り面(外側面)2cの内
面形状に倣ってウェーハWの径方向に進退し、実線位置
24と一点鎖線位置24との間を往復移動することにな
る。この研磨の際には、図示しない研磨液供給手段によ
り研磨液をノッチ部1aに供給する。
In this state, the polishing motor 23 is operated to rotate the notch polishing wheel 24, and the reciprocating rotation of the elevating motor 18 is repeated, whereby the entire polishing arm 19 is reciprocated vertically. By
The rotating notch polishing hole 24 also reciprocates vertically. At this time, as shown in FIG. 5, the notch portion grinding wheel 24 constantly presses the inner peripheral surface of the notch portion 1a in a substantially vertical direction with a constant pressure, and this reaction is combined with the cushioning effect of the polishing pressure applying cylinder 18. Reciprocating between the solid line position 24 and the alternate long and short dash line position 24 in accordance with the inner surface shape of the chamfered surface 2a and the non-chamfered surface (outer surface) 2c below the notch portion 1a. become. At the time of this polishing, a polishing liquid is supplied to the notch portion 1a by a polishing liquid supply means (not shown).

【0034】以上のように、定位置にあるウェーハWの
ノッチ部1aに、外周部形状がほぼノッチ部形状に近い
ノッチ部研磨ホイール24を、押し付けるために付勢
し、この状態で、ノッチ部研磨ホイール24をその軸線
回りに回転させかつウェーハWのウェーハ面と直交する
方向に往復移動させる。これにより、ノッチ部研磨ホイ
ール24は、ノッチ部1aの内面に一定の圧力で押圧し
つつ、この内面形状に沿ってウェーハWの径方向に進退
するので、下方の面取り面2aおよび非面取り面2cの
全域を良好に鏡面加工できる。
As described above, the notch polishing wheel 24 having an outer peripheral shape substantially similar to the notch shape is urged against the notch portion 1a of the wafer W at the fixed position to press the notch portion 1a. The polishing wheel 24 is rotated around its axis and reciprocated in a direction perpendicular to the wafer surface of the wafer W. As a result, the notch portion polishing wheel 24 advances and retreats in the radial direction of the wafer W along the inner surface shape while pressing the inner surface of the notch portion 1a with a constant pressure, so that the lower chamfered surface 2a and the non-chamfered surface 2c Mirror surface processing can be performed favorably over the entire area.

【0035】また、研磨中に、ウェーハWを移動させな
いので、従来にような慣性力によりウェーハWが変形す
ることもない。しかも、ノッチ部研磨ホイール24のみ
を移動させるので、従来のようなウェーハWおよびノッ
チ部研磨ホイール24を互いに同期して移動させるもの
と比較して、高価なタイミング調整手段も不要であるの
で、装置コストが低減する。
Further, since the wafer W is not moved during the polishing, the wafer W is not deformed by the conventional inertial force. Moreover, since only the notch portion polishing wheel 24 is moved, expensive timing adjusting means is not required as compared with a conventional device in which the wafer W and the notch portion polishing wheel 24 are moved in synchronization with each other. Costs are reduced.

【0036】以上のように、ノッチ部1aの下方の面取
り面2aおよび非面取り面2cの研磨が終了したら、研
磨圧付与シリンダ18により、研磨アーム19をその支
点19aを中心に左回りに回転させることにより、ノッ
チ部研磨ホイール24をウェーハWから離間させ、さら
に、研磨ユニット進退用シリンダ6を作動させて、研磨
位置(実線)にあるノッチ部研磨ユニット7を、ウェー
ハWとは反対側(図1中左方向)に移動させて、退避位
置(2点鎖線)に保持する。
As described above, when the polishing of the chamfered surface 2a and the non-chamfered surface 2c below the notch portion 1a is completed, the polishing arm 19 is rotated counterclockwise about the fulcrum 19a by the polishing pressure applying cylinder 18. Thereby, the notch portion polishing wheel 24 is separated from the wafer W, and further, the polishing unit advance / retreat cylinder 6 is operated to move the notch portion polishing unit 7 at the polishing position (solid line) to the opposite side (see FIG. (1 center left direction) and hold it at the retracted position (two-dot chain line).

【0037】次に、外周研磨ドラム30および外周研磨
円板31により、ウェーハWの外周面取り面2dおよび
外周非面取り面2f(外側面)を研磨する工程に移行す
る。すなわち、図3および図6に示すように、先ず、外
周研磨ドラム30を、ドラム駆動手段36のドラム直動
ユニット部等を駆動することによって、ウェーハWの下
方から保持状態のウェーハWの外周面取り面2d側へと
移動させる。さらに、ドラム駆動手段36の押圧用エア
シリンダ等を作動させ、外周研磨ドラム30の面取り面
用研磨布34を、ウェーハWの外周面取り面2dに所定
の押圧力で押圧状態に当接させる。
Next, the process proceeds to a step of polishing the outer peripheral chamfered surface 2d and the outer peripheral non-chamfered surface 2f (outer surface) of the wafer W by the outer peripheral polishing drum 30 and the outer peripheral polishing disk 31. That is, as shown in FIGS. 3 and 6, first, the outer peripheral polishing drum 30 is driven from below the wafer W by driving the drum linear motion unit of the drum driving means 36, and the outer peripheral chamfering of the wafer W in a holding state is performed. Move to the surface 2d side. Further, the pressing air cylinder or the like of the drum driving means 36 is operated, and the polishing cloth 34 for chamfering the outer peripheral polishing drum 30 is brought into contact with the outer peripheral chamfering surface 2d of the wafer W in a pressed state with a predetermined pressing force.

【0038】一方、図3および図7に示すように、外周
研磨円板31を、円板駆動手段38によって、ウェーハ
Wの側方から保持状態のウェーハWの外周非面取り面2
fへの移動させ、所定の押圧力で押圧状態に当接させ
る。
On the other hand, as shown in FIGS. 3 and 7, the outer peripheral polishing disk 31 is held by the disk driving means 38 from the side of the wafer W on the outer peripheral non-chamfered surface 2 of the wafer W.
f and brought into contact with the pressed state with a predetermined pressing force.

【0039】この状態で、研磨液供給手段によって、研
磨液を面取り面用研磨布34および外側面用研磨布37
上に供給するとともに、回転駆動機構39により支持ロ
ッド4およびウェーハ吸着盤3を所定の回転速度で回転
させる。そして、ドラム駆動手段36によって、外周面
取り面2dに当接する外周研磨ドラム30を回転させる
ことによって、外周面取り面2dの研磨を行う。また、
外周研磨ドラム30は、ドラム駆動手段36の直動ユニ
ット部等を駆動することによって、研磨時に常に外周面
取り面2dに当接した状態で、軸線方向に移動させられ
る。
In this state, the polishing liquid is supplied to the polishing cloth 34 for the chamfered surface and the polishing cloth 37 for the outer side by the polishing liquid supply means.
The support rod 4 and the wafer suction disk 3 are rotated at a predetermined rotation speed by the rotation drive mechanism 39 while being supplied. Then, the outer peripheral chamfered surface 2d is polished by rotating the outer peripheral polishing drum 30 which is in contact with the outer peripheral chamfered surface 2d by the drum driving means 36. Also,
The outer peripheral polishing drum 30 is moved in the axial direction by driving the linear motion unit and the like of the drum driving means 36 so as to always contact the outer peripheral chamfered surface 2d during polishing.

【0040】さらに、円板駆動手段38によって、ウェ
ーハWの外周非面取り面2fに当接する外周研磨円板3
1を回転させて、前記外周非面取り面2fの研磨を行
う。また、外周研磨円板31は、円板駆動手段38によ
って、研磨時に常に外周非面取り面2fに当接した状態
で、上下方向に移動させられる。研磨時においては、ウ
ェーハ吸着盤3の回転角が前記回転角検出センサ(不図
示)によって検出され、ウェーハWは正確に360°回
転され、この間、ウェーハWの全周が研磨される。
Further, the outer peripheral polishing disk 3 which comes into contact with the outer peripheral non-chamfered surface 2f of the wafer W by the disk driving means 38.
1 is rotated to grind the outer peripheral non-chamfered surface 2f. Further, the outer peripheral polishing disk 31 is moved up and down by the disk driving means 38 while always abutting on the outer peripheral non-chamfered surface 2f during polishing. During polishing, the rotation angle of the wafer suction disk 3 is detected by the rotation angle detection sensor (not shown), and the wafer W is accurately rotated by 360 °, during which the entire circumference of the wafer W is polished.

【0041】以上のように、本実施形態の研磨装置は、
ウェーハWのノッチ部1aの他に、外周面取り面2dお
よび外周非面取り面2fをも研磨できるので、研磨の生
産性は極めて高い。そして、ノッチ部1aの一方(下
方)の面取り面2aおよび非面取り面2cや、一方(下
方)の外周面取り面2dおよび外周非面取り面2fの研
磨工程終了後、ウェーハWは、洗浄水による洗浄工程へ
と送られ、洗浄後、再び、ノッチ部1aの他方(上方)
の面取り面2bや、他方(上方)の外周面取り面2eを
研磨する。
As described above, the polishing apparatus of the present embodiment
Since the outer peripheral chamfered surface 2d and the outer peripheral non-chamfered surface 2f can be polished in addition to the notch portion 1a of the wafer W, the polishing productivity is extremely high. After the polishing process of one (lower) chamfered surface 2a and non-chamfered surface 2c of the notch portion 1a, and one (lower) outer chamfered surface 2d and outer non-chamfered surface 2f, the wafer W is cleaned with cleaning water. Sent to the process, after washing, again the other (upper) of the notch portion 1a
And the other (upper) outer peripheral chamfered surface 2e are polished.

【0042】[0042]

【発明の効果】本発明は、以上説明したとおりに構成さ
れているので、以下に記載するような効果を奏する。請
求項1に記載の発明は、定位置にあるウェーハのノッチ
部に、外周部形状がノッチ部形状とほぼ合致するような
ノッチ部研磨ホイールを、所定の圧力で押し付けるため
に付勢し、この状態で、ノッチ部研磨ホイールをその軸
線回りに回転させかつウェーハのウェーハ面とほぼ直交
する方向に往復移動させる。これにより、ノッチ部研磨
ホイールは、前記ノッチ部から受ける研磨圧の反作用に
より、ノッチ部の内面形状に沿ってウェーハの径方向に
進退して、ノッチ部の内面を一定の研磨圧力で良好に研
磨できるとともに、ノッチ部のウェーハ面近傍をも良好
に鏡面加工でき、結果的に、ノッチ部の内面全域を良好
に鏡面加工できる。また、ウェーハを移動させずに、ノ
ッチ部研磨ホイールのみを移動させるので、研磨中にウ
ェーハに慣性力が働かず、ウェーハの変形等を回避でき
る。
Since the present invention is configured as described above, it has the following effects. The invention according to claim 1 urges a notch portion grinding wheel whose outer peripheral shape substantially matches the notch portion shape against a notch portion of a wafer at a predetermined position so as to press the notch portion polishing wheel with a predetermined pressure. In this state, the notch polishing wheel is rotated about its axis and reciprocated in a direction substantially orthogonal to the wafer surface of the wafer. As a result, the notch polishing wheel advances and retreats in the radial direction of the wafer along the inner surface shape of the notch due to the reaction of the polishing pressure received from the notch, and satisfactorily polishes the inner surface of the notch with a constant polishing pressure. In addition to this, it is possible to satisfactorily mirror-process the vicinity of the wafer surface in the notch, and consequently to satisfactorily mirror the entire inner surface of the notch. In addition, since only the notch portion polishing wheel is moved without moving the wafer, inertial force does not act on the wafer during polishing, so that deformation of the wafer can be avoided.

【0043】請求項2に記載の発明は、請求項1の研磨
方法を容易に実施できるとともに、ノッチ部研磨ホイー
ルの移動のために従来のような高価な制御系が不要で、
装置構造が複雑化せず、結果的に、装置コストが嵩まな
い。請求項3に記載の発明は、上記効果の他、メンテナ
ンスが容易であるとともに安価な研磨圧付与シリンダに
より、ノッチ部研磨ホイールをウェーハのノッチ部に押
圧するように確実に付勢できるとともに、装置コストの
さらなる低減を図れる。請求項4に記載の発明は、上記
効果の他、1つの研磨装置によりウェーハのノッチ部の
他に、外周の面取り面および外側面をも研磨できるの
で、研磨の生産性を大きく向上させることができる。
According to the second aspect of the present invention, the polishing method of the first aspect can be easily implemented, and an expensive control system as in the related art for moving the notch portion polishing wheel is unnecessary.
The structure of the device is not complicated, and as a result, the cost of the device is not increased. In addition to the above-described effects, the invention according to claim 3 can reliably urge the notch polishing wheel to press against the notch portion of the wafer by using an inexpensive polishing pressure applying cylinder which is easy to maintain and inexpensive. Cost can be further reduced. According to the fourth aspect of the present invention, in addition to the above-described effects, a single polishing apparatus can polish not only the notch portion of the wafer but also the chamfered surface and the outer surface of the outer periphery, so that the productivity of polishing can be greatly improved. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明のウェーハの面取り面研磨装置の一実
施形態で、外装等を断面にした正面図である。
FIG. 1 is a front view showing a cross section of an exterior and the like in one embodiment of a wafer chamfering surface polishing apparatus of the present invention.

【図2】 図1の左側面図である。FIG. 2 is a left side view of FIG.

【図3】 図1において装置内を右方向から見た概略図
である。
FIG. 3 is a schematic view of the inside of the apparatus viewed from the right in FIG.

【図4】 ノッチ部研磨ホイールの外周部の形状および
ウェーハのノッチ部の形状を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a shape of an outer peripheral portion of a notch portion polishing wheel and a shape of a notch portion of a wafer.

【図5】 本発明におけるウェーハのノッチ部を研磨す
る際のノッチ部研磨ホイールの移動状態を示す図であ
る。
FIG. 5 is a view showing a movement state of a notch portion polishing wheel when polishing a notch portion of a wafer in the present invention.

【図6】 研磨ドラムによりウェーハの一方の面取り面
を研磨している状態を示す図である。
FIG. 6 is a view showing a state in which one chamfered surface of a wafer is being polished by a polishing drum.

【図7】 研磨円盤によりウェーハの非面取り面(端
面)を研磨している状態示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a state in which a non-chamfered surface (end surface) of a wafer is polished by a polishing disk.

【図8】 (a)はウェーハの外観斜視図、(b)はウ
ェーハのノッチ部の拡大図、(c)は研磨ホイールによ
り前記ノッチ部を研磨する状態を示す図である。
8A is an external perspective view of a wafer, FIG. 8B is an enlarged view of a notch portion of the wafer, and FIG. 8C is a diagram showing a state where the notch portion is polished by a polishing wheel.

【図9】 従来の、ウェーハのノッチ部研磨装置の概略
図である。
FIG. 9 is a schematic view of a conventional wafer notch polishing apparatus.

【図10】 (a)は従来の、ウェーハのノッチ部研磨
装置の他の例を示す斜視図であり、(b)はこの研磨装
置の研磨ホイールによりノッチ部を研磨する状態を示す
図である。
FIG. 10A is a perspective view showing another example of a conventional notch polishing apparatus for a wafer, and FIG. 10B is a view showing a state in which the notch is polished by a polishing wheel of the polishing apparatus. .

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W ウェーハ 1 装置本体 1a ノッチ部 2 装置外装 2a,2b 面取り面 2c 非面取り面(外側面) 2d,2e 外周面取り面 2f 外周非面取り面(外側面) 3 ウェーハ吸着盤 4 支持ロッド 5 ウェーハ保持機構 6 研磨ユニット進退用シリンダ 6a ロッド 7 ノッチ部研磨ユニット 8 研磨ユニット支持ブラケット 9 スライド機構 10 連結部材 11 研磨ユニット本体 12 昇降用モータ 12a ロッド 13 カップリング 14 ボールねじ軸 15 昇降部材 16 ガイド軸 17 シリンダブラケット 18 研磨圧付与シリンダ 18a ロッド 19 研磨アーム 19a 中間部(支点) 20 ピン部材 21 固定ブラケット 22 研磨ホイール支持部材 23 研磨モータ 23a 回転軸 24 ノッチ部研磨ホイール 25 カバー部材 26 ベローズ 27 排出管 28 付勢機構 29 往復移動機構 30 外周研磨ドラム(外周面取り面研磨部材) 31 外周研磨円板(外周非面取り面研磨部材) 32 ドラム回転軸部材 33 ドラム本体 34 面取り面用研磨布 35 円板本体 36 ドラム駆動手段 37 非面取り面用研磨布 38 円板駆動手段 W wafer 1 device main body 1a notch 2 device exterior 2a, 2b chamfered surface 2c non-chamfered surface (outer surface) 2d, 2e outer chamfered surface 2f outer non-chamfered surface (outer surface) 3 wafer suction disk 4 support rod 5 wafer holding mechanism Reference Signs List 6 Polishing unit advance / retreat cylinder 6a Rod 7 Notch portion polishing unit 8 Polishing unit support bracket 9 Slide mechanism 10 Connecting member 11 Polishing unit main body 12 Lifting motor 12a Rod 13 Coupling 14 Ball screw shaft 15 Lifting member 16 Guide shaft 17 Cylinder bracket 18 Polishing pressure application cylinder 18a Rod 19 Polishing arm 19a Intermediate portion (fulcrum) 20 Pin member 21 Fixed bracket 22 Polishing wheel support member 23 Polishing motor 23a Rotating shaft 24 Notch portion polishing wheel 25 Cover member 26 Bellows Reference Signs List 27 discharge pipe 28 urging mechanism 29 reciprocating movement mechanism 30 outer peripheral polishing drum (outer peripheral chamfering polishing member) 31 outer peripheral polishing disc (outer peripheral non-chamfering polishing member) 32 drum rotating shaft member 33 drum body 34 polishing cloth for chamfering surface 35 Disk body 36 Drum drive means 37 Non-chamfered polishing cloth 38 Disk drive means

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樋口 朗 兵庫県朝来郡生野町口銀谷字猪野々985番 地1 三菱マテリアル株式会社生野製作所 内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Akira Higuchi 985 Ino, Ginya, Ikuno-cho, Asago-gun, Hyogo Pref.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 外周縁部およびノッチ部に面取りをした
ウェーハを定位置で保持し、 この保持した前記ウェーハのノッチ部に、前記ウェーハ
と交差するようなノッチ部研磨ホイールの外周部を、所
定の圧力で押し付けるために付勢するとともに、前記ノ
ッチ部研磨ホイールをその軸線回りに回転させつつ前記
ウェーハのウェーハ面とほぼ直交する方向に往復移動さ
せることを特徴とする、ウェーハの面取り面研磨方法。
1. A wafer having a chamfered outer peripheral edge and a notch is held at a fixed position, and an outer peripheral portion of a notch polishing wheel that intersects with the wafer is fixed to the held notch of the wafer. A method for polishing a chamfered surface of a wafer, comprising: reciprocating in a direction substantially orthogonal to the wafer surface of the wafer while rotating the notch portion polishing wheel about its axis while urging to press with a pressure of .
【請求項2】 外周縁部およびノッチ部に面取りをした
ウェーハを定位置で保持するためのウェーハ保持機構
と、 前記ウェーハと交差するように配置されて、軸線回りに
回転するノッチ部研磨ホイールと、 前記ノッチ部研磨ホイールを保持するとともに、このノ
ッチ部研磨ホイールを、その外周部が前記ウェーハの前
記ノッチ部に所定の圧力で押圧するように付勢する付勢
機構と、 前記付勢機構を、前記ノッチ部研磨ホイールが前記ウェ
ーハのウェーハ面とほぼ直交する方向に往復移動するよ
うに駆動する往復移動機構と、を備えていることを特徴
とする、ウェーハの面取り面研磨装置。
2. A wafer holding mechanism for holding a wafer having a chamfered outer peripheral edge and a notch at a fixed position, a notch polishing wheel arranged to intersect with the wafer and rotated around an axis. An urging mechanism for holding the notch portion polishing wheel, and urging the notch portion polishing wheel so that an outer peripheral portion thereof presses the notch portion of the wafer with a predetermined pressure; and A reciprocating mechanism for driving the notch portion polishing wheel to reciprocate in a direction substantially orthogonal to the wafer surface of the wafer.
【請求項3】 請求項2に記載のウェーハの面取り面研
磨装置において、前記付勢機構は、前記往復移動機構に
よって前記駆動される研磨圧付与シリンダと、前記ノッ
チ部研磨ホイールを一端部に備えるとともに他端部が前
記研磨圧付与シリンダのロッドに回動自在に連結され、
かつ中間部が支点として回動自在に支持された研磨アー
ムとから構成されていることを特徴とする、ウェーハの
面取り面研磨装置。
3. The polishing apparatus for chamfering a wafer according to claim 2, wherein the biasing mechanism includes a polishing pressure applying cylinder driven by the reciprocating mechanism and the notch polishing wheel at one end. The other end is rotatably connected to the rod of the polishing pressure applying cylinder,
And a polishing arm having an intermediate portion rotatably supported as a fulcrum.
【請求項4】 請求項2または請求項3に記載のウェー
ハの面取り面研磨装置において、前記ウェーハ保持機構
を前記ウェーハの軸線回りに回転させるための回転機構
と、前記ウェーハの外周面取り面および外周非面取り面
をそれぞれ研磨するための、外周面取り面研磨部材およ
び外周非面取り面研磨部材と、を備えていることを特徴
とするウェーハの面取り面研磨装置。
4. The wafer chamfering surface polishing apparatus according to claim 2, wherein a rotation mechanism for rotating the wafer holding mechanism around an axis of the wafer, an outer peripheral chamfering surface and an outer periphery of the wafer. An apparatus for polishing a chamfered surface of a wafer, comprising: an outer peripheral chamfered polishing member and an outer peripheral non-chamfered polishing member for polishing the non-chamfered surface, respectively.
JP24904997A 1997-09-12 1997-09-12 Method and device for polishing chamfered face of wafer Withdrawn JPH1190802A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6840841B2 (en) 2002-01-15 2005-01-11 Speedfam Co., Ltd. Wafer edge polishing system
JP2006303112A (en) * 2005-04-19 2006-11-02 Ebara Corp Semiconductor wafer peripheral edge polisher and method therefor

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US6840841B2 (en) 2002-01-15 2005-01-11 Speedfam Co., Ltd. Wafer edge polishing system
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