JPH118470A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH118470A JPH118470A JP16128597A JP16128597A JPH118470A JP H118470 A JPH118470 A JP H118470A JP 16128597 A JP16128597 A JP 16128597A JP 16128597 A JP16128597 A JP 16128597A JP H118470 A JPH118470 A JP H118470A
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- resin insulating
- insulating layer
- wiring conductor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電子部品の電極を所定の薄膜配線導体層に強固
に電気的接続できない。 【解決手段】基板１上に、有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体層３とを交互に多層に積層するとともに上下に位置
する薄膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に設けたスル
ーホール導体９を介して電気的に接続してなり、最上層
の有機樹脂絶縁層２上面に、前記薄膜配線導体層３と電
気的に接続し、外部の電子部品Ａが接続されるボンディ
ングパッド１０を設けてなる多層配線基板であって、前
記最上層に位置する有機樹脂絶縁層２ａの表面粗さが最
大粗さ（Ｒmax)でＲmax ≦５μｍである。
に電気的接続できない。 【解決手段】基板１上に、有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体層３とを交互に多層に積層するとともに上下に位置
する薄膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に設けたスル
ーホール導体９を介して電気的に接続してなり、最上層
の有機樹脂絶縁層２上面に、前記薄膜配線導体層３と電
気的に接続し、外部の電子部品Ａが接続されるボンディ
ングパッド１０を設けてなる多層配線基板であって、前
記最上層に位置する有機樹脂絶縁層２ａの表面粗さが最
大粗さ（Ｒmax)でＲmax ≦５μｍである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
【０００３】このＭｏ−Ｍｎ法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ツク体とを焼結一体化させる方法である。
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ツク体とを焼結一体化させる方法である。
【０００４】なお、前記配線導体が形成されるセラミッ
ク体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。
ク体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。
【０００５】しかしながら、このＭｏ−Ｍｎ法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で、配線導体を高密度に形成することができない
という欠点を有していた。
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で、配線導体を高密度に形成することができない
という欠点を有していた。
【０００６】そこで、上記欠点を解消するために配線導
体を従来周知の厚膜形成技術により形成するのに変えて
微細化が可能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した
多層配線基板が使用されるようになってきた。
体を従来周知の厚膜形成技術により形成するのに変えて
微細化が可能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した
多層配線基板が使用されるようになってきた。
【０００７】かかる配線導体を薄膜形成技術により形成
した多層配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体から成
るセラミックスやガラス繊維を織り込んだガラス布にエ
ポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエポキシ樹脂
等から成る基板の上面にスピンコート法及び熱硬化処理
によって形成されるエポキシ樹脂等の有機樹脂から成る
絶縁層と、銅やアルミニウム等の金属を無電解めっき法
や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技
術を採用することによって形成される薄膜配線導体層と
を交互に多層に積層させるとともに、上下に位置する薄
膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導
体を介して電気的に接続させた構造を有しており、最上
層の有機樹脂絶縁層上面に前記薄膜配線導体層と電気的
に接続するボンディングパッドを形成しておき、該ボン
ディングパッドに半導体素子等の能動部品や容量素子、
抵抗器等の受動部品の電極を熱圧着等により接続させる
ようになっている。
した多層配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体から成
るセラミックスやガラス繊維を織り込んだガラス布にエ
ポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエポキシ樹脂
等から成る基板の上面にスピンコート法及び熱硬化処理
によって形成されるエポキシ樹脂等の有機樹脂から成る
絶縁層と、銅やアルミニウム等の金属を無電解めっき法
や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技
術を採用することによって形成される薄膜配線導体層と
を交互に多層に積層させるとともに、上下に位置する薄
膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導
体を介して電気的に接続させた構造を有しており、最上
層の有機樹脂絶縁層上面に前記薄膜配線導体層と電気的
に接続するボンディングパッドを形成しておき、該ボン
ディングパッドに半導体素子等の能動部品や容量素子、
抵抗器等の受動部品の電極を熱圧着等により接続させる
ようになっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に積層し
てなる多層配線基板は、各薄膜配線導体層の厚みによる
段差及び各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールに起因
して最上層の有機樹脂絶縁層上面に多数の凹凸が形成さ
れ、最上層の有機樹脂絶縁層上面の表面粗さが最大粗さ
（Ｒmax)でＲmax＞１０μｍとなっている。そのため最
上層の有機樹脂絶縁層上に設けたボンディングパッドも
その面の平坦性が損なわれ、ボンディングパッドに電子
部品の電極を強固に接続することができず、電子部品の
薄膜配線導体層への電気的接続の信頼性が低いものとな
る欠点を誘発した。
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に積層し
てなる多層配線基板は、各薄膜配線導体層の厚みによる
段差及び各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールに起因
して最上層の有機樹脂絶縁層上面に多数の凹凸が形成さ
れ、最上層の有機樹脂絶縁層上面の表面粗さが最大粗さ
（Ｒmax)でＲmax＞１０μｍとなっている。そのため最
上層の有機樹脂絶縁層上に設けたボンディングパッドも
その面の平坦性が損なわれ、ボンディングパッドに電子
部品の電極を強固に接続することができず、電子部品の
薄膜配線導体層への電気的接続の信頼性が低いものとな
る欠点を誘発した。
【０００９】本発明は上述の欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は最上層の有機樹脂絶縁層上面を平滑と
し、最上層の有機樹脂絶縁層上に形成されているボンデ
ィングパッドの平坦性を良好としてボンディングパッド
に半導体素子や容量素子等の電子部品の電極を確実、強
固に電気的接続することができる多層配線基板を提供す
ることにある。
で、その目的は最上層の有機樹脂絶縁層上面を平滑と
し、最上層の有機樹脂絶縁層上に形成されているボンデ
ィングパッドの平坦性を良好としてボンディングパッド
に半導体素子や容量素子等の電子部品の電極を確実、強
固に電気的接続することができる多層配線基板を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に積層す
るとともに上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶
縁層に設けたスルーホール導体を介して電気的に接続し
てなり、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線
導体層と電気的に接続し、外部の電子部品が接続される
ボンディングパッドを設けてなる多層配線基板であっ
て、前記最上層に位置する有機樹脂絶縁層上面の表面粗
さが最大粗さ（Ｒmax)でＲmax ≦５μｍであることを特
徴とするものである。
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に積層す
るとともに上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶
縁層に設けたスルーホール導体を介して電気的に接続し
てなり、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線
導体層と電気的に接続し、外部の電子部品が接続される
ボンディングパッドを設けてなる多層配線基板であっ
て、前記最上層に位置する有機樹脂絶縁層上面の表面粗
さが最大粗さ（Ｒmax)でＲmax ≦５μｍであることを特
徴とするものである。
【００１１】本発明によれば、有機樹脂絶縁層と薄膜配
線導体層とを交互に多層に積層してなる多層配線基板の
最上層に位置する有機樹脂絶縁層上面を、例えば、ロー
ルバフ研磨等によって研磨し、その表面の粗さを最大粗
さ（Ｒmax)でＲmax ≦５μｍの平滑なものとしたことか
ら最上層の有機樹脂絶縁層上に設けるボンディングパッ
ドも平坦性が良好となり、その結果、ボンディングパッ
ドに半導体素子や容量素子等の電子部品の電極を強固に
接続することが可能になるとともに電子部品の電極をボ
ンディングパッドを介して所定の薄膜配線導体層に確実
に電気的接続することが可能となる。
線導体層とを交互に多層に積層してなる多層配線基板の
最上層に位置する有機樹脂絶縁層上面を、例えば、ロー
ルバフ研磨等によって研磨し、その表面の粗さを最大粗
さ（Ｒmax)でＲmax ≦５μｍの平滑なものとしたことか
ら最上層の有機樹脂絶縁層上に設けるボンディングパッ
ドも平坦性が良好となり、その結果、ボンディングパッ
ドに半導体素子や容量素子等の電子部品の電極を強固に
接続することが可能になるとともに電子部品の電極をボ
ンディングパッドを介して所定の薄膜配線導体層に確実
に電気的接続することが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実施
例を示し、１は絶縁性の基板、２は有機樹脂絶縁層、３
は薄膜配線導体層である。
細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実施
例を示し、１は絶縁性の基板、２は有機樹脂絶縁層、３
は薄膜配線導体層である。
【００１３】前記基板１はその上面に有機樹脂絶縁層２
と薄膜配線導体層３とから成る多層配線部４が配設され
ており、該多層配線部４を支持する支持部材として作用
する。
と薄膜配線導体層３とから成る多層配線部４が配設され
ており、該多層配線部４を支持する支持部材として作用
する。
【００１４】前記基板１は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラ
ス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されており、例
えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合
には、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア等の原
料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状と
なすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカ
ンダーロール法等を採用することによってセラミックグ
リーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６００
℃）で焼成することによって、或いはアルミナ等の原料
粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末を
調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によって所
定形状に成形し、最後に前記成形体を約１６００℃の温
度で焼成することによって製作され、またガラスエポキ
シ樹脂から成る場合は、例えば、ガラス繊維を織り込ん
だ布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該エ
ポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによ
って製作される。
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラ
ス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されており、例
えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合
には、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア等の原
料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状と
なすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカ
ンダーロール法等を採用することによってセラミックグ
リーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６００
℃）で焼成することによって、或いはアルミナ等の原料
粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末を
調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によって所
定形状に成形し、最後に前記成形体を約１６００℃の温
度で焼成することによって製作され、またガラスエポキ
シ樹脂から成る場合は、例えば、ガラス繊維を織り込ん
だ布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該エ
ポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによ
って製作される。
【００１５】また前記基板１には上下両面に貫通する孔
径が例えば、直径３００μｍ〜５００μｍの貫通孔５が
形成されており、該貫通孔５の内壁には基板１の上下両
面に導出する導電層６が被着されている。
径が例えば、直径３００μｍ〜５００μｍの貫通孔５が
形成されており、該貫通孔５の内壁には基板１の上下両
面に導出する導電層６が被着されている。
【００１６】前記貫通孔５は後述する基板１の上面に形
成される多層配線部４の薄膜配線導体層３と外部電気回
路とを電気的に接続する、或いは基板１の上下両面に多
層配線部４を形成した場合には両面の多層配線部４の薄
膜配線導体層３同士を電気的に接続する導電層６を形成
するための形成孔として作用し、基板１にドリル孔あけ
加工法を施すことによって基板１の所定位置に所定形状
に形成される。
成される多層配線部４の薄膜配線導体層３と外部電気回
路とを電気的に接続する、或いは基板１の上下両面に多
層配線部４を形成した場合には両面の多層配線部４の薄
膜配線導体層３同士を電気的に接続する導電層６を形成
するための形成孔として作用し、基板１にドリル孔あけ
加工法を施すことによって基板１の所定位置に所定形状
に形成される。
【００１７】更に前記貫通孔５の内壁及び基板１の上下
両面には導電層６が被着形成されており、該導電層６は
例えば、銅やニッケル等の金属材料からなり、従来周知
のめっき法及びエッチング加工技術を採用することによ
って貫通孔５の内壁に両端を基板１の上下両面に導出さ
せた状態で被着形成される。
両面には導電層６が被着形成されており、該導電層６は
例えば、銅やニッケル等の金属材料からなり、従来周知
のめっき法及びエッチング加工技術を採用することによ
って貫通孔５の内壁に両端を基板１の上下両面に導出さ
せた状態で被着形成される。
【００１８】前記導電層６は基板１の上面に形成される
多層配線部４の薄膜配線導体層３を外部電気回路に電気
的に接続したり、基板１の上下両面に形成される各々の
多層配線部４の薄膜配線導体層３同士を電気的に接続す
る作用をなす。
多層配線部４の薄膜配線導体層３を外部電気回路に電気
的に接続したり、基板１の上下両面に形成される各々の
多層配線部４の薄膜配線導体層３同士を電気的に接続す
る作用をなす。
【００１９】また前記基板１に形成した貫通孔５はその
内部にエポキシ樹脂等からなる有機樹脂充填体７が充填
されており、該有機樹脂充填体７によって貫通孔５が完
全に埋められ、同時に有機樹脂充填体７の両端面が基板
１の上下両面に被着させた導電層６の面と同一平面とな
っている。
内部にエポキシ樹脂等からなる有機樹脂充填体７が充填
されており、該有機樹脂充填体７によって貫通孔５が完
全に埋められ、同時に有機樹脂充填体７の両端面が基板
１の上下両面に被着させた導電層６の面と同一平面とな
っている。
【００２０】前記有機樹脂充填体７は基板１の上面及び
／又は下面に後述する有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体
層３とから成る多層配線部４を形成する際、多層配線部
４の有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３の平坦化を維
持する作用をなす。
／又は下面に後述する有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体
層３とから成る多層配線部４を形成する際、多層配線部
４の有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３の平坦化を維
持する作用をなす。
【００２１】なお、前記有機樹脂充填体７は基板１の貫
通孔５内にエポキシ樹脂等の前駆体を充填し、しかる
後、これに８０℃〜２００℃の温度を０．５〜３時間印
如し、完全に熱硬化させることによって基板１の賞通孔
５内に充填される。
通孔５内にエポキシ樹脂等の前駆体を充填し、しかる
後、これに８０℃〜２００℃の温度を０．５〜３時間印
如し、完全に熱硬化させることによって基板１の賞通孔
５内に充填される。
【００２２】更に前記基板１はその上面に有機樹脂絶縁
層２と薄膜配線導体層３とが交互に多層に積層された多
層配線部４が形成されており、かつ薄膜配線導体層３の
一部は導電層６と電気的に接続している。
層２と薄膜配線導体層３とが交互に多層に積層された多
層配線部４が形成されており、かつ薄膜配線導体層３の
一部は導電層６と電気的に接続している。
【００２３】前記多層配線部４を構成する有機樹脂絶縁
層２は上下に位置する薄膜配線導体層３の電気的絶縁を
図る作用をなし、薄膜配線導体層３は電気信号を伝達す
るための伝達路として作用する。
層２は上下に位置する薄膜配線導体層３の電気的絶縁を
図る作用をなし、薄膜配線導体層３は電気信号を伝達す
るための伝達路として作用する。
【００２４】前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２はエ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジ
ン樹脂、ポリフェニンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の感
光性または熱硬化性の有機樹脂から成り、例えば感光性
のエポキシ樹脂から成る場合には、フェノールノボラッ
ク樹脂、メチロールメラミン、ジアリルジアゾニウム塩
にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
を添加混合してペースト状の感光性エポキシ樹脂前駆体
を得るととも該感光性エポキシ樹脂前駆体を基板１の上
部にスピンコート法により被着させ、しかる後、これに
高圧水銀ランプ等を用いた露光機で１０ｍＷ／ｃｍ2 〜
３０ｍＷ／ｃｍ2 のエネルギーを１．５分〜４．５分程
度照射させ、１〜３Ｊ／ｃｍ3 のエネルギーを与えるこ
とによって感光性エポキシ樹脂前駆体を光硬化させるこ
とによって形成され、また熱硬化性のエポキシ樹脂から
成る場合には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボ
ラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ
樹脂等にアミン糸硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無
水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合してペースト状のエ
ポキシ樹脂前駆体を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体
を基板１の上部にスピンコート法により被着させ、しか
る後、これを８０〜２００℃の熱で０．５〜３時間熱処
理し、熱硬化させることによって形成される。
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジ
ン樹脂、ポリフェニンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の感
光性または熱硬化性の有機樹脂から成り、例えば感光性
のエポキシ樹脂から成る場合には、フェノールノボラッ
ク樹脂、メチロールメラミン、ジアリルジアゾニウム塩
にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
を添加混合してペースト状の感光性エポキシ樹脂前駆体
を得るととも該感光性エポキシ樹脂前駆体を基板１の上
部にスピンコート法により被着させ、しかる後、これに
高圧水銀ランプ等を用いた露光機で１０ｍＷ／ｃｍ2 〜
３０ｍＷ／ｃｍ2 のエネルギーを１．５分〜４．５分程
度照射させ、１〜３Ｊ／ｃｍ3 のエネルギーを与えるこ
とによって感光性エポキシ樹脂前駆体を光硬化させるこ
とによって形成され、また熱硬化性のエポキシ樹脂から
成る場合には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボ
ラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ
樹脂等にアミン糸硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無
水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合してペースト状のエ
ポキシ樹脂前駆体を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体
を基板１の上部にスピンコート法により被着させ、しか
る後、これを８０〜２００℃の熱で０．５〜３時間熱処
理し、熱硬化させることによって形成される。
【００２５】また前記有機樹脂絶縁層２はその各々の所
定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚みに対して約
１．５倍程度のスルーホール８が形成されており、該ス
ルーホール８は後述する有機樹脂絶縁層２を挟んで上下
に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気的に接続する
スルーホール導体９を形成するための形成孔として作用
する。
定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚みに対して約
１．５倍程度のスルーホール８が形成されており、該ス
ルーホール８は後述する有機樹脂絶縁層２を挟んで上下
に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気的に接続する
スルーホール導体９を形成するための形成孔として作用
する。
【００２６】前記有機樹脂絶縁層２に設けるスルーホー
ル８は例えば、フォトリソグラフィー技術、具体的には
有機樹脂絶縁層２上にレジスト材を塗布するとともにこ
れに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状
の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチン
グ液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁
層２を除去して、有機樹脂絶縁層２に穴（スルーホー
ル）を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層
２上より剥離させ除去することによって行われる。
ル８は例えば、フォトリソグラフィー技術、具体的には
有機樹脂絶縁層２上にレジスト材を塗布するとともにこ
れに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状
の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチン
グ液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁
層２を除去して、有機樹脂絶縁層２に穴（スルーホー
ル）を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層
２上より剥離させ除去することによって行われる。
【００２７】更に前記各有機樹脂絶縁層２の上面には所
定パターンの薄膜配線導体層３が、また各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール８の内壁にはスルーホール導
体９が各々配設されており、スルーホール導体９によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。
定パターンの薄膜配線導体層３が、また各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール８の内壁にはスルーホール導
体９が各々配設されており、スルーホール導体９によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。
【００２８】前記各有機樹脂絶縁層２の上面及びスルー
ホール８内に配設される薄膜配線導体層３及びスルーホ
ール導体９は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金属
材料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法等の
薄膜形成技術及びエッチング加工技術を採用することに
よって形成され、例えば、銅で形成されている場合に
は、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール８の内壁
面に硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリン０．３
モル／リットル、酸化ナトリウム０．３５モル／リット
ル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／リットルか
ら成る無電解銅めっき浴を用いて厚さ１μｍ乃至４０μ
ｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をエッチング
加工技術を採用することにより所定パターンに加工する
ことによって各有機樹脂絶縁層２間及び各有機樹脂絶縁
層２のスルーホール８内壁に形成される。この場合、薄
膜配線導体層３は薄膜形成技術により形成されることか
ら配線の微細化が可能であり、これによって薄膜配線導
体層３を極めて高密度に形成することが可能となる。
ホール８内に配設される薄膜配線導体層３及びスルーホ
ール導体９は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金属
材料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法等の
薄膜形成技術及びエッチング加工技術を採用することに
よって形成され、例えば、銅で形成されている場合に
は、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール８の内壁
面に硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリン０．３
モル／リットル、酸化ナトリウム０．３５モル／リット
ル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／リットルか
ら成る無電解銅めっき浴を用いて厚さ１μｍ乃至４０μ
ｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をエッチング
加工技術を採用することにより所定パターンに加工する
ことによって各有機樹脂絶縁層２間及び各有機樹脂絶縁
層２のスルーホール８内壁に形成される。この場合、薄
膜配線導体層３は薄膜形成技術により形成されることか
ら配線の微細化が可能であり、これによって薄膜配線導
体層３を極めて高密度に形成することが可能となる。
【００２９】なお、前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とを交互に多層に積層して形成される多層配線部
４は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておく
と、有機樹脂絶縁層２上面と薄膜配線導体層３下面との
接合を強固となすことができる。従って、前記多層配線
部４の各有機樹脂絶縁層２はその上面をエッチング加工
技術等によって粗し、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくことが好まし
い。
体層３とを交互に多層に積層して形成される多層配線部
４は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておく
と、有機樹脂絶縁層２上面と薄膜配線導体層３下面との
接合を強固となすことができる。従って、前記多層配線
部４の各有機樹脂絶縁層２はその上面をエッチング加工
技術等によって粗し、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくことが好まし
い。
【００３０】また前記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚
みが１００μｍを超えると有機樹脂絶縁層３にフォトリ
ソグラフィー技術を採用することによってスルーホール
８を形成する際、エッチングの加工時間が長くなって、
スルーホール８を所望する鮮明な形状に形成するのが困
難となり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の
上面に薄膜配線導体層３との接合強度を上げるための粗
面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴が形成さ
れ、上下に位置する薄膜配線導体層３に不要な電気的短
絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記有機樹
脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ〜１００μｍの範
囲としておくことが好ましい。
みが１００μｍを超えると有機樹脂絶縁層３にフォトリ
ソグラフィー技術を採用することによってスルーホール
８を形成する際、エッチングの加工時間が長くなって、
スルーホール８を所望する鮮明な形状に形成するのが困
難となり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の
上面に薄膜配線導体層３との接合強度を上げるための粗
面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴が形成さ
れ、上下に位置する薄膜配線導体層３に不要な電気的短
絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記有機樹
脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ〜１００μｍの範
囲としておくことが好ましい。
【００３１】更に前記多層配線部４の各薄膜配線導体層
３はその厚みが１μｍ未満であると各薄膜配線導体層３
の電気抵抗が大きなものとなり、また４０μｍを超える
と薄膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に被着させる際
に薄膜配線導体層３の内部に大きな応力が発生内在し、
該大きな内在応力によって薄膜配線導体層３が有機樹脂
絶縁層２か剥離し易いものとなる。従って、前記多層配
線部４の各薄膜配線導体層３の厚みは１μｍ乃至４０μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。
３はその厚みが１μｍ未満であると各薄膜配線導体層３
の電気抵抗が大きなものとなり、また４０μｍを超える
と薄膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に被着させる際
に薄膜配線導体層３の内部に大きな応力が発生内在し、
該大きな内在応力によって薄膜配線導体層３が有機樹脂
絶縁層２か剥離し易いものとなる。従って、前記多層配
線部４の各薄膜配線導体層３の厚みは１μｍ乃至４０μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。
【００３２】前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３
とを交互に多層に積層して形成される多層配線部４は更
に、最上層の有機樹脂絶縁層２ａの上面に薄膜配線導体
層３と電気的に接続しているボンディングパッド１０が
形成されており、該ボンディングパッド１０は半導体素
子や容量素子、抵抗器等の電子部品Ａの電極を薄膜配線
導体層３に電気的に接続する作用をなす。
とを交互に多層に積層して形成される多層配線部４は更
に、最上層の有機樹脂絶縁層２ａの上面に薄膜配線導体
層３と電気的に接続しているボンディングパッド１０が
形成されており、該ボンディングパッド１０は半導体素
子や容量素子、抵抗器等の電子部品Ａの電極を薄膜配線
導体層３に電気的に接続する作用をなす。
【００３３】前記ボンディングパッド１０は例えば、直
径が２００〜５００μｍの円形状をなしており、該ボン
ディングパッド１０に薄膜配線導体層や容量素子、抵抗
器等の電子部品Ａの電極を熱圧着で接続させたり、ボン
ディングワイヤを介して接続させれば薄膜配線導体層や
容量素子等の電子部品Ａの電極は薄膜配線導体層３に電
気的に接続されることとなる。
径が２００〜５００μｍの円形状をなしており、該ボン
ディングパッド１０に薄膜配線導体層や容量素子、抵抗
器等の電子部品Ａの電極を熱圧着で接続させたり、ボン
ディングワイヤを介して接続させれば薄膜配線導体層や
容量素子等の電子部品Ａの電極は薄膜配線導体層３に電
気的に接続されることとなる。
【００３４】なお、前記ボンディングパッド１０は薄膜
配線導体層３と同じ金属材料、具体的には銅、ニッケ
ル、金、アルミニウム等の金属材料から成り、最上層の
有機樹脂絶縁層２上に薄膜配線導体層３を形成する際に
同時に前記薄膜配線導体層３と電気的接続をもって形成
される。
配線導体層３と同じ金属材料、具体的には銅、ニッケ
ル、金、アルミニウム等の金属材料から成り、最上層の
有機樹脂絶縁層２上に薄膜配線導体層３を形成する際に
同時に前記薄膜配線導体層３と電気的接続をもって形成
される。
【００３５】更に前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体
層３とを交互に多層に積層して形成される多層配線部４
は、最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面における表面粗さ
が最大粗さ（Ｒmax)でＲmax ≦５μｍの平滑なものとな
っており、これによって最上層の有機樹脂絶縁層２ａの
上面に設けるボンディングパッド１０もその平坦性が良
好となり、その結果、ボンディングパッド１０に半導体
素子や容量素子等の電子部品Ａの電極を強固に接続する
ことが可能になるとともに電子部品Ａの電極をボンディ
ングパッド１０を介して所定の薄膜配線導体層３に確実
に電気的接続することが可能となる。
層３とを交互に多層に積層して形成される多層配線部４
は、最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面における表面粗さ
が最大粗さ（Ｒmax)でＲmax ≦５μｍの平滑なものとな
っており、これによって最上層の有機樹脂絶縁層２ａの
上面に設けるボンディングパッド１０もその平坦性が良
好となり、その結果、ボンディングパッド１０に半導体
素子や容量素子等の電子部品Ａの電極を強固に接続する
ことが可能になるとともに電子部品Ａの電極をボンディ
ングパッド１０を介して所定の薄膜配線導体層３に確実
に電気的接続することが可能となる。
【００３６】前記最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面にお
ける表面粗さは、最大粗さ（Ｒmax)がＲmax ＞５μｍと
なると、最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面にボンディン
グパッド１０を形成した際、ボンディングパッド１０の
平坦性が損なわれてボンディングパッド１０に容量素
子、抵抗器等の電子部品Ａの電極を強固に接続すること
ができなくなる。従って、前記最上層の有機樹脂絶縁層
２ａ上面における表面粗さは最大粗さ（Ｒmax)がＲmax
≦５μｍの平滑なものに特定される。
ける表面粗さは、最大粗さ（Ｒmax)がＲmax ＞５μｍと
なると、最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面にボンディン
グパッド１０を形成した際、ボンディングパッド１０の
平坦性が損なわれてボンディングパッド１０に容量素
子、抵抗器等の電子部品Ａの電極を強固に接続すること
ができなくなる。従って、前記最上層の有機樹脂絶縁層
２ａ上面における表面粗さは最大粗さ（Ｒmax)がＲmax
≦５μｍの平滑なものに特定される。
【００３７】なお、前記最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上
面における表面粗さを、最大粗さ（Ｒmax)がＲmax ＞５
μｍの平滑なものとなすには各薄膜配線導体層の厚みに
よる段差及び各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールに
起因して上面に多数の凹凸が形成されている最上層の有
機樹脂絶縁層２ａ上面に、例えばロールバフ研磨等の機
械的研磨加工技術を採用することによって行われる。
面における表面粗さを、最大粗さ（Ｒmax)がＲmax ＞５
μｍの平滑なものとなすには各薄膜配線導体層の厚みに
よる段差及び各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールに
起因して上面に多数の凹凸が形成されている最上層の有
機樹脂絶縁層２ａ上面に、例えばロールバフ研磨等の機
械的研磨加工技術を採用することによって行われる。
【００３８】かくして本発明の多層配線基板によれば、
最上層の有機樹脂絶縁層２上面に設けたボンデイングパ
ッド１０に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａの電極
を熱圧着により接続、或いはボンディングワイヤを介し
て接続させ、電子部品Ａの電極をボンディングパッド１
０を介して薄膜配線導体層３に電気的に接続させれば半
導体装置や混成集積回路装置となり、薄膜配線導体層３
を導電層６を介して外部電気回路に接続すると前記電子
部品Ａは外部電気回路に接続されることとなる。
最上層の有機樹脂絶縁層２上面に設けたボンデイングパ
ッド１０に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａの電極
を熱圧着により接続、或いはボンディングワイヤを介し
て接続させ、電子部品Ａの電極をボンディングパッド１
０を介して薄膜配線導体層３に電気的に接続させれば半
導体装置や混成集積回路装置となり、薄膜配線導体層３
を導電層６を介して外部電気回路に接続すると前記電子
部品Ａは外部電気回路に接続されることとなる。
【００３９】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例におい
ては基板１の上面のみに有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とから成る多層配線部４を設けたが、多層配線部
４を基板１の下面側のみに設けても、上下の両面に設け
てもよい。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例におい
ては基板１の上面のみに有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とから成る多層配線部４を設けたが、多層配線部
４を基板１の下面側のみに設けても、上下の両面に設け
てもよい。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、有機樹脂絶縁層と薄膜
配線導体層とを交互に多層に積層してなる多層配線基板
の最上層に位置する有機樹脂絶縁層表面を、例えば、ロ
ールバフ研磨等によって研磨し、その表面の粗さを最大
粗さ（Ｒmax)でＲmax ≦５μｍの平滑なものとしたこと
から最上層の有機樹脂絶縁層に設けるボンディングパッ
ドも平坦性が良好となり、その結果、ボンディングパッ
ドに半導体素子や容量素子等の電子部品の電極を強固に
接続することが可能になるとともに電子部品の電極をボ
ンディングパッドを介して所定の薄膜配線導体層に確実
に電気的接続することが可能となる。
配線導体層とを交互に多層に積層してなる多層配線基板
の最上層に位置する有機樹脂絶縁層表面を、例えば、ロ
ールバフ研磨等によって研磨し、その表面の粗さを最大
粗さ（Ｒmax)でＲmax ≦５μｍの平滑なものとしたこと
から最上層の有機樹脂絶縁層に設けるボンディングパッ
ドも平坦性が良好となり、その結果、ボンディングパッ
ドに半導体素子や容量素子等の電子部品の電極を強固に
接続することが可能になるとともに電子部品の電極をボ
ンディングパッドを介して所定の薄膜配線導体層に確実
に電気的接続することが可能となる。
【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。
である。
１・・・・・・・・・基板 ２・・・・・・・・・有機樹脂絶縁層 ２ａ・・・・・・・・最上層の有機樹脂絶縁層 ３・・・・・・・・・薄膜配線導体層 ４・・・・・・・・・多層配線部 ９・・・・・・・・・スルーホール導体 １０・・・・・・・・ボンディングパッド Ａ・・・・・・・・・電子部品
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体
層とを交互に多層に積層するとともに上下に位置する薄
膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導
体を介して電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶
縁層上面に、前記薄膜配線導体層と電気的に接続し、外
部の電子部品が接続されるボンディングパッドを設けて
なる多層配線基板であって、前記最上層に位置する有機
樹脂絶縁層上面の表面粗さが最大粗さ（Ｒmax)でＲmax
≦５μｍであることを特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16128597A JPH118470A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16128597A JPH118470A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118470A true JPH118470A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15732210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16128597A Pending JPH118470A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118470A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009200500A (ja) * | 2009-03-06 | 2009-09-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 多層配線板の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-18 JP JP16128597A patent/JPH118470A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009200500A (ja) * | 2009-03-06 | 2009-09-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 多層配線板の製造方法 |
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