JPH1183637A - 半導体レーザーの干渉性評価方法 - Google Patents
半導体レーザーの干渉性評価方法Info
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- JPH1183637A JPH1183637A JP24880897A JP24880897A JPH1183637A JP H1183637 A JPH1183637 A JP H1183637A JP 24880897 A JP24880897 A JP 24880897A JP 24880897 A JP24880897 A JP 24880897A JP H1183637 A JPH1183637 A JP H1183637A
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- path difference
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Abstract
(57)【要約】
【課題】セカンドピーク以外のピークの光路差について
も正確に求めることにより確度の高い半導体レーザーの
干渉性評価を実現する。 【解決手段】測定対象の半導体レーザーからの光束を第
１および第２の光束に分割した後、これら光束を重ね合
わせて干渉させ、該干渉により生じた干渉縞を、一方の
光束の光路長を固定して他方の光束の光路長を連続的に
可変しながら測定した干渉曲線に基づいて上記半導体レ
ーザーの干渉性を評価する方法において、干渉曲線の最
大ピークと２番目にレベルが高い第２のピークとを求め
て、該第２のピークの光路差を求め、さらに上記第２の
ピークの光路差をｎ（ｎ≧２）倍した光路差の前後にお
いてレベルが最も高い第３のピークを求めて、該第３の
ピークの光路差を求め、各ピークの光路差に基づいて半
導体レーザーの干渉性を評価する。
も正確に求めることにより確度の高い半導体レーザーの
干渉性評価を実現する。 【解決手段】測定対象の半導体レーザーからの光束を第
１および第２の光束に分割した後、これら光束を重ね合
わせて干渉させ、該干渉により生じた干渉縞を、一方の
光束の光路長を固定して他方の光束の光路長を連続的に
可変しながら測定した干渉曲線に基づいて上記半導体レ
ーザーの干渉性を評価する方法において、干渉曲線の最
大ピークと２番目にレベルが高い第２のピークとを求め
て、該第２のピークの光路差を求め、さらに上記第２の
ピークの光路差をｎ（ｎ≧２）倍した光路差の前後にお
いてレベルが最も高い第３のピークを求めて、該第３の
ピークの光路差を求め、各ピークの光路差に基づいて半
導体レーザーの干渉性を評価する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光ヘッドな
どの光源として用いられる半導体レーザーの干渉性を評
価する方法に関する。
どの光源として用いられる半導体レーザーの干渉性を評
価する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的な光ヘッドの構成を図４に示す。
この光ヘッドは、半導体レーザー１００から射出された
光束の進行方向に、コリメートレンズ１０１、回折格子
１０２、ビームスプリッタ１０３が順次配置され、半導
体レーザー１００からの光束がビームスプリッタ１０３
で分割されるようになっている。ビームスプリッタ１０
３を透過した光束（第１の光束）の進行方向には、１／
４波長板１０４、対物レンズ１０５が順次配置され、対
物レンズ１０５の焦点位置にディスク基板１０６が配置
されている。ビームスプリッタ１０３で反射された光束
（第２の光束）の進行方向には、集光レンズ１０７、光
検出器１０８が順次配置されている。
この光ヘッドは、半導体レーザー１００から射出された
光束の進行方向に、コリメートレンズ１０１、回折格子
１０２、ビームスプリッタ１０３が順次配置され、半導
体レーザー１００からの光束がビームスプリッタ１０３
で分割されるようになっている。ビームスプリッタ１０
３を透過した光束（第１の光束）の進行方向には、１／
４波長板１０４、対物レンズ１０５が順次配置され、対
物レンズ１０５の焦点位置にディスク基板１０６が配置
されている。ビームスプリッタ１０３で反射された光束
（第２の光束）の進行方向には、集光レンズ１０７、光
検出器１０８が順次配置されている。
【０００３】上記のように構成された光ヘッドでは、デ
ィスク基板１０６からの戻り光や光路に配置されている
対物レンズ１０５などの光学部材からの戻り光が半導体
レーザー１００内部で干渉すると、雑音が発生し、光出
力に悪影響を及ぼすことになる。そこで、従来は、戻り
光の影響を防止するために、測定対象である半導体レー
ザーの干渉性をマイケルソン干渉計を用いて測定し（半
導体レーザーの干渉性評価）、その測定（評価）結果に
基づいて、戻り光を発生する光学部材の配置を干渉を生
じないような配置とするといった手法を用いていた。以
下に、従来の半導体レーザーの干渉性評価方法を具体的
に説明する。
ィスク基板１０６からの戻り光や光路に配置されている
対物レンズ１０５などの光学部材からの戻り光が半導体
レーザー１００内部で干渉すると、雑音が発生し、光出
力に悪影響を及ぼすことになる。そこで、従来は、戻り
光の影響を防止するために、測定対象である半導体レー
ザーの干渉性をマイケルソン干渉計を用いて測定し（半
導体レーザーの干渉性評価）、その測定（評価）結果に
基づいて、戻り光を発生する光学部材の配置を干渉を生
じないような配置とするといった手法を用いていた。以
下に、従来の半導体レーザーの干渉性評価方法を具体的
に説明する。
【０００４】図５は、測定対象である半導体レーザーの
干渉性を周知のマイケルソン干渉計を用いて測定した際
の干渉曲線（インタフェログラム）を示す。この干渉曲
線は、測定対象である半導体レーザーから射出された光
束を異なる光路を通る２つの光束に分割した後、これら
光束を重ね合わせて干渉させ、該干渉により生じた干渉
縞を、一方の光束の光路長を固定して他方の光束の光路
長を連続的に可変しながら測定することによって得られ
たスペクトルである。図中、干渉曲線の最大ピークが光
路差＝０である。
干渉性を周知のマイケルソン干渉計を用いて測定した際
の干渉曲線（インタフェログラム）を示す。この干渉曲
線は、測定対象である半導体レーザーから射出された光
束を異なる光路を通る２つの光束に分割した後、これら
光束を重ね合わせて干渉させ、該干渉により生じた干渉
縞を、一方の光束の光路長を固定して他方の光束の光路
長を連続的に可変しながら測定することによって得られ
たスペクトルである。図中、干渉曲線の最大ピークが光
路差＝０である。
【０００５】従来の半導体レーザーの干渉性評価方法で
は、干渉曲線の２番目にレベルの高いセカンドピークを
求めて、このセカンドピークの光路差ΔＬを求め、その
求めたセカンドピークの光路差ΔＬに基づいて半導体レ
ーザーの干渉性が評価される。
は、干渉曲線の２番目にレベルの高いセカンドピークを
求めて、このセカンドピークの光路差ΔＬを求め、その
求めたセカンドピークの光路差ΔＬに基づいて半導体レ
ーザーの干渉性が評価される。
【０００６】上記のようにして求められたセカンドピー
クの光路差ΔＬに基づいて、例えば図４に示したような
光ヘッドを構成する光学部材のそれぞれの配置を、各光
学部材からの戻り光が干渉しないような配置、すなわち
各光学部材にて発生する戻り光に関する光路差が上記の
セカンドピークの光路差ΔＬのｎ倍（ｎ≧１）に相当す
る光路差と一致しないような配置とすることにより、戻
り光の影響を防止することができる。
クの光路差ΔＬに基づいて、例えば図４に示したような
光ヘッドを構成する光学部材のそれぞれの配置を、各光
学部材からの戻り光が干渉しないような配置、すなわち
各光学部材にて発生する戻り光に関する光路差が上記の
セカンドピークの光路差ΔＬのｎ倍（ｎ≧１）に相当す
る光路差と一致しないような配置とすることにより、戻
り光の影響を防止することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザー
の干渉性評価方法では、各ピークの間隔がほぼ等間隔に
なるということから、セカンドピーク以外のピークにつ
いては、セカンドピークの光路差ΔＬをｎ（ｎ≧２）倍
した光路差として半導体レーザーの干渉性の評価を行っ
ていた。このようにセカンドピーク以外のピークの光路
差を単に光路差ΔＬをｎ（ｎ≧２）倍した光路差とする
方法では、セカンドピーク以外のピークの光路差が実際
の光路差と若干異なるため、その分、半導体レーザーの
干渉性の評価の確度が悪くなってしまうという問題があ
る。
の干渉性評価方法では、各ピークの間隔がほぼ等間隔に
なるということから、セカンドピーク以外のピークにつ
いては、セカンドピークの光路差ΔＬをｎ（ｎ≧２）倍
した光路差として半導体レーザーの干渉性の評価を行っ
ていた。このようにセカンドピーク以外のピークの光路
差を単に光路差ΔＬをｎ（ｎ≧２）倍した光路差とする
方法では、セカンドピーク以外のピークの光路差が実際
の光路差と若干異なるため、その分、半導体レーザーの
干渉性の評価の確度が悪くなってしまうという問題があ
る。
【０００８】本発明の目的は、上記の問題を解決し、セ
カンドピーク以外のピークの光路差についても正確に求
めることができる、確度の高い半導体レーザーの干渉性
評価方法を提供することにある。
カンドピーク以外のピークの光路差についても正確に求
めることができる、確度の高い半導体レーザーの干渉性
評価方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体レーザーの干渉性評価方法は、測定
対象である半導体レーザーから射出された光束を異なる
光路を通る第１および第２の光束に分割した後、これら
光束を重ね合わせて干渉させ、該干渉により生じた干渉
縞を、一方の光束の光路長を固定して他方の光束の光路
長を連続的に可変しながら測定し、該測定により得られ
た干渉曲線に基づいて前記半導体レーザーに関する干渉
性を評価する方法において、前記干渉曲線の最大ピーク
と２番目にレベルが高い第２のピークとを求めて、該第
２のピークの光路差を求め、さらに前記第２のピークの
光路差をｎ（ｎ≧２）倍した光路差の前後においてレベ
ルが最も高い第３のピークを求めて、該第３のピークの
光路差を求め、これら第２および第３のピークの光路差
に基づいて前記半導体レーザーの干渉性を評価すること
を特徴とする。
め、本発明の半導体レーザーの干渉性評価方法は、測定
対象である半導体レーザーから射出された光束を異なる
光路を通る第１および第２の光束に分割した後、これら
光束を重ね合わせて干渉させ、該干渉により生じた干渉
縞を、一方の光束の光路長を固定して他方の光束の光路
長を連続的に可変しながら測定し、該測定により得られ
た干渉曲線に基づいて前記半導体レーザーに関する干渉
性を評価する方法において、前記干渉曲線の最大ピーク
と２番目にレベルが高い第２のピークとを求めて、該第
２のピークの光路差を求め、さらに前記第２のピークの
光路差をｎ（ｎ≧２）倍した光路差の前後においてレベ
ルが最も高い第３のピークを求めて、該第３のピークの
光路差を求め、これら第２および第３のピークの光路差
に基づいて前記半導体レーザーの干渉性を評価すること
を特徴とする。
【００１０】上記の場合、前記第３のピークをＰとし、
前記第２のピークの光路差をΔＬとするとき、前記第３
のピークＰを、 ｎ×ΔＬ−ΔＬ／２≦Ｐ≦ｎ×ΔＬ＋ΔＬ／２ の範囲において求めるようにしてもよい。
前記第２のピークの光路差をΔＬとするとき、前記第３
のピークＰを、 ｎ×ΔＬ−ΔＬ／２≦Ｐ≦ｎ×ΔＬ＋ΔＬ／２ の範囲において求めるようにしてもよい。
【００１１】さらに、前記第３のピークを複数求めて、
これらピークの光路差を求めるようにしてもよい。
これらピークの光路差を求めるようにしてもよい。
【００１２】上記のとおりの本発明においては、第２の
ピーク（セカンドピーク）以外の第３のピークについて
も、第２のピークの光路差を基に簡単に求めることがで
き、第３のピークの光路差を正確に求めることができ
る。このように、本発明では、第２および第３のピーク
の光路差に基づいて半導体レーザーに関する干渉性を評
価することができるので、半導体レーザーの干渉性評価
は従来の場合より確度が高くなる。
ピーク（セカンドピーク）以外の第３のピークについて
も、第２のピークの光路差を基に簡単に求めることがで
き、第３のピークの光路差を正確に求めることができ
る。このように、本発明では、第２および第３のピーク
の光路差に基づいて半導体レーザーに関する干渉性を評
価することができるので、半導体レーザーの干渉性評価
は従来の場合より確度が高くなる。
【００１３】また、第３のピークの光路差は、第２のピ
ークの光路差をｎ（ｎ≧２）倍した光路差の前後におい
てレベルが最も高いピークを求め、そのピークの光路差
を求めることにより得られるので、任意のピークの光路
差を簡単に得られる。
ークの光路差をｎ（ｎ≧２）倍した光路差の前後におい
てレベルが最も高いピークを求め、そのピークの光路差
を求めることにより得られるので、任意のピークの光路
差を簡単に得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１５】図２は、本発明の半導体レーザーの干渉性
評価方法が適用される半導体レーザー評価装置の概略構
成を示すブロック図である。この半導体レーザー評価装
置は、マイケルソン干渉計１、Ａ／Ｄ変換器２、デジタ
ルフィルタ３、コヒーレンス解析器４、ピーク算出処理
部５、出力部６からなる。
評価方法が適用される半導体レーザー評価装置の概略構
成を示すブロック図である。この半導体レーザー評価装
置は、マイケルソン干渉計１、Ａ／Ｄ変換器２、デジタ
ルフィルタ３、コヒーレンス解析器４、ピーク算出処理
部５、出力部６からなる。
【００１６】マイケルソン干渉計１は周知の構成のもの
で、測定対象である半導体レーザー７から射出された光
束を異なる光路を通る第１および第２の光束に分割した
後、これら光束を重ね合わせて干渉させ、該干渉により
生じた干渉縞を、一方の光束の光路長を固定して他方の
光束の光路長を連続的に可変しながら測定できるように
なっている。図３に、このマイケルソン干渉計の具体的
な構成を示す。
で、測定対象である半導体レーザー７から射出された光
束を異なる光路を通る第１および第２の光束に分割した
後、これら光束を重ね合わせて干渉させ、該干渉により
生じた干渉縞を、一方の光束の光路長を固定して他方の
光束の光路長を連続的に可変しながら測定できるように
なっている。図３に、このマイケルソン干渉計の具体的
な構成を示す。
【００１７】図３に示すように、本形態に用いられたマ
イケルソン干渉計は、半導体レーザー７から射出された
測定光Ｓを平行光束にするためのコリメータ１１と、コ
リメータ１１から射出された平行光束を第１および第２
の光束に分割するビームスプリッタ１２と、第１の光束
を反射して再びビームスプリッタ１２へ戻す固定鏡１３
と、第２の光束を反射して再びビームスプリッタ１２へ
戻す移動鏡１４と、ビームスプリッタ１２にて重ね合わ
された固定鏡１３および移動鏡１４からの第１および第
２の光束を検出する光検出器１５とを有する。このマイ
ケルソン干渉計では、固定鏡１３および移動鏡１４から
の第１および第２の光束がビームスプリッタ１２にて重
ね合わされ、移動鏡１４を連続的に移動させることによ
り、各光束の光路差に応じた干渉縞が光検出器１５にて
測定され、光検出器１５の出力から干渉曲線が得られ
る。なお、このマイケルソン干渉計に、基準光源となる
Ｈｅ−Ｎｅガス・レーザーをさらに設け、このＨｅ−Ｎ
ｅガス・レーザーから射出された光束が測定光Ｓと同一
の光学系内の異なる光路をとおって、もう一つの光検出
器にて検出されるように構成し、Ｈｅ−Ｎｅガス・レー
ザーから射出された光束の干渉縞を測定した干渉曲線を
用いて光検出器１５の出力をサンプリングするようにす
れば、移動鏡の移動差に依存しない一定間隔のサンプリ
ングが可能となる。
イケルソン干渉計は、半導体レーザー７から射出された
測定光Ｓを平行光束にするためのコリメータ１１と、コ
リメータ１１から射出された平行光束を第１および第２
の光束に分割するビームスプリッタ１２と、第１の光束
を反射して再びビームスプリッタ１２へ戻す固定鏡１３
と、第２の光束を反射して再びビームスプリッタ１２へ
戻す移動鏡１４と、ビームスプリッタ１２にて重ね合わ
された固定鏡１３および移動鏡１４からの第１および第
２の光束を検出する光検出器１５とを有する。このマイ
ケルソン干渉計では、固定鏡１３および移動鏡１４から
の第１および第２の光束がビームスプリッタ１２にて重
ね合わされ、移動鏡１４を連続的に移動させることによ
り、各光束の光路差に応じた干渉縞が光検出器１５にて
測定され、光検出器１５の出力から干渉曲線が得られ
る。なお、このマイケルソン干渉計に、基準光源となる
Ｈｅ−Ｎｅガス・レーザーをさらに設け、このＨｅ−Ｎ
ｅガス・レーザーから射出された光束が測定光Ｓと同一
の光学系内の異なる光路をとおって、もう一つの光検出
器にて検出されるように構成し、Ｈｅ−Ｎｅガス・レー
ザーから射出された光束の干渉縞を測定した干渉曲線を
用いて光検出器１５の出力をサンプリングするようにす
れば、移動鏡の移動差に依存しない一定間隔のサンプリ
ングが可能となる。
【００１８】Ａ／Ｄ変換器２は、例えば１００ｋＨｚの
周波数レンジで動作するもので、光検出器１５にて電流
−電圧変換された信号をＡ／Ｄ変換する。デジタルフィ
ルタ３は、Ａ／Ｄ変換器２の分解能を上げるためのもの
で、特定の周波数領域を拡大することで分解能の向上が
図れるようになっている。
周波数レンジで動作するもので、光検出器１５にて電流
−電圧変換された信号をＡ／Ｄ変換する。デジタルフィ
ルタ３は、Ａ／Ｄ変換器２の分解能を上げるためのもの
で、特定の周波数領域を拡大することで分解能の向上が
図れるようになっている。
【００１９】コヒーレンス解析器４は、デジタルフィル
タ３から得られるデータを例えば１０２４ポイントの複
素数データとし、この１０２４ポイントの複素数データ
の後半の５１３ポイントについて、実数部、虚数部のそ
れぞれの二乗和をとり、ピーク値（光路差０のデータ）
で正規化する。これにより、図１（ａ）に示すような、
光路差０が最大ピークとなった干渉曲線が得られる。
タ３から得られるデータを例えば１０２４ポイントの複
素数データとし、この１０２４ポイントの複素数データ
の後半の５１３ポイントについて、実数部、虚数部のそ
れぞれの二乗和をとり、ピーク値（光路差０のデータ）
で正規化する。これにより、図１（ａ）に示すような、
光路差０が最大ピークとなった干渉曲線が得られる。
【００２０】ピーク・光路差算出処理部５は、コヒーレ
ンス解析器４のコヒーレンス解析により得られた干渉曲
線の各ピークを算出してそれぞれの光路差を求める。出
力部６は、コヒーレンス解析器４のコヒーレンス解析に
より得られた干渉曲線を表示したり、その他の情報を表
示するもので、例えばＣＲＴなどの表示手段により構成
される。
ンス解析器４のコヒーレンス解析により得られた干渉曲
線の各ピークを算出してそれぞれの光路差を求める。出
力部６は、コヒーレンス解析器４のコヒーレンス解析に
より得られた干渉曲線を表示したり、その他の情報を表
示するもので、例えばＣＲＴなどの表示手段により構成
される。
【００２１】次に、本発明の半導体レーザーの干渉性評
価方法の特徴であるピーク・光路差算出処理部５におけ
る処理を図１（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。
価方法の特徴であるピーク・光路差算出処理部５におけ
る処理を図１（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。
【００２２】ピーク・光路差算出処理部５では、まず、
コヒーレンス解析器４にて得られた干渉曲線の最大ピー
クと２番目にレベルが高いセカンドピークとを求めて、
セカンドピークの光路差ΔＬ2を求める。続いて、セカ
ンドピークの光路差ΔＬ１をｎ（ｎ≧２）倍した光路差
の前後においてレベルが最も高いピークを求めて、セカ
ンドピーク以外のピーク（ｎ番目のピーク）の光路差Δ
Ｌnを求める。そして、これらセカンドピークの光路差
ΔＬ１およびセカンドピーク以外のピークの光路差ΔＬ
nを半導体レーザー７に関する干渉性の評価データとし
て出力部６へ出力する。この評価データは、干渉曲線と
ともに出力部６に表示される。
コヒーレンス解析器４にて得られた干渉曲線の最大ピー
クと２番目にレベルが高いセカンドピークとを求めて、
セカンドピークの光路差ΔＬ2を求める。続いて、セカ
ンドピークの光路差ΔＬ１をｎ（ｎ≧２）倍した光路差
の前後においてレベルが最も高いピークを求めて、セカ
ンドピーク以外のピーク（ｎ番目のピーク）の光路差Δ
Ｌnを求める。そして、これらセカンドピークの光路差
ΔＬ１およびセカンドピーク以外のピークの光路差ΔＬ
nを半導体レーザー７に関する干渉性の評価データとし
て出力部６へ出力する。この評価データは、干渉曲線と
ともに出力部６に表示される。
【００２３】ここで、ｎ番目のピークＰは、図１（ｂ）
に示すように、 ｎ×ΔＬ1−ΔＬ1／２≦Ｐ≦ｎ×ΔＬ1＋ΔＬ1／２ の範囲において求めることが望ましい。これにより、よ
り確実にピークを求めることが可能となる。
に示すように、 ｎ×ΔＬ1−ΔＬ1／２≦Ｐ≦ｎ×ΔＬ1＋ΔＬ1／２ の範囲において求めることが望ましい。これにより、よ
り確実にピークを求めることが可能となる。
【００２４】上述のようにして得られた評価結果、すな
わちセカンドピークの光路差ΔＬ１およびセカンドピー
ク以外のピーク（ｎ番目のピーク）の光路差ΔＬnを基
に、例えば前述した図４の光ヘッドを構成する光学部材
のそれぞれの配置を、それら光学部材からの戻り光が干
渉しないような配置、すなわち各光学部材にて発生する
戻り光に関する光路差が各ピークの光路差に相当する光
路差が生じないような配置とすることにより、戻り光の
影響を防止することができる。
わちセカンドピークの光路差ΔＬ１およびセカンドピー
ク以外のピーク（ｎ番目のピーク）の光路差ΔＬnを基
に、例えば前述した図４の光ヘッドを構成する光学部材
のそれぞれの配置を、それら光学部材からの戻り光が干
渉しないような配置、すなわち各光学部材にて発生する
戻り光に関する光路差が各ピークの光路差に相当する光
路差が生じないような配置とすることにより、戻り光の
影響を防止することができる。
【００２５】以上の説明では、セカンドピーク以外のピ
ーク（ｎ番目のピーク）の光路差ΔＬnを求めるように
なっているが、このｎ番目のピークの光路差ΔＬnは複
数求めるようにしてもよい。これにより、半導体レーザ
ー７に関する干渉性の評価の確度がより高いものとな
る。
ーク（ｎ番目のピーク）の光路差ΔＬnを求めるように
なっているが、このｎ番目のピークの光路差ΔＬnは複
数求めるようにしてもよい。これにより、半導体レーザ
ー７に関する干渉性の評価の確度がより高いものとな
る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように構成される本発明に
よれば、セカンドピーク以外のピークの光路差について
も求めることができ、各ピークの光路差に基づいて半導
体レーザーに関する干渉性を評価することができるの
で、光ヘッドを設計する上で、各光学部材の配置を、よ
り正確に戻り光の干渉が生じない配置とすることが可能
になる。
よれば、セカンドピーク以外のピークの光路差について
も求めることができ、各ピークの光路差に基づいて半導
体レーザーに関する干渉性を評価することができるの
で、光ヘッドを設計する上で、各光学部材の配置を、よ
り正確に戻り光の干渉が生じない配置とすることが可能
になる。
【図１】（ａ）は干渉曲線の一例、（ｂ）はピークの検
出範囲を示す図である。
出範囲を示す図である。
【図２】本発明の半導体レーザーの干渉性評価方法が適
用される半導体レーザー評価装置の概略構成を示すブロ
ック図である。
用される半導体レーザー評価装置の概略構成を示すブロ
ック図である。
【図３】図１に示す評価装置に用いられるマイケルソン
干渉計の一構成例を示す図である。
干渉計の一構成例を示す図である。
【図４】一般的な光ヘッドの構成を示す図である。
【図５】干渉曲線の一例を示す図である。
１ マイケルソン干渉計 ２ Ａ／Ｄ変換器 ３ デジタルフィルタ ４ コヒーレンス解析器４ ５ ピーク算出処理部 ６ 出力部 ７ 半導体レーザー １１ コリメータ １２ ビームスプリッタ １３ 固定鏡 １４ 移動鏡 １５ 光検出器
Claims (3)
- 【請求項１】 測定対象である半導体レーザーから射出
された光束を異なる光路を通る第１および第２の光束に
分割した後、これら光束を重ね合わせて干渉させ、該干
渉により生じた干渉縞を、一方の光束の光路長を固定し
て他方の光束の光路長を連続的に可変しながら測定し、
該測定により得られた干渉曲線に基づいて前記半導体レ
ーザーに関する干渉性を評価する方法において、 前記干渉曲線の最大ピークと２番目にレベルが高い第２
のピークとを求めて、該第２のピークの光路差を求め、
さらに前記第２のピークの光路差をｎ（ｎ≧２）倍した
光路差の前後においてレベルが最も高い第３のピークを
求めて、該第３のピークの光路差を求め、これら第２お
よび第３のピークの光路差に基づいて前記半導体レーザ
ーの干渉性を評価することを特徴とする半導体レーザー
の干渉性評価方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザーの干渉
性評価方法において、 前記第３のピークをＰとし、前記第２のピークの光路差
をΔＬとするとき、前記第３のピークＰを、 ｎ×ΔＬ−ΔＬ／２≦Ｐ≦ｎ×ΔＬ＋ΔＬ／２ の範囲において求めることを特徴とする半導体レーザー
の干渉性評価方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半導体レーザーの干渉
性評価方法において、 前記第３のピークを複数求めて、これらピークの光路差
を求めることを特徴とする半導体レーザーの干渉性評価
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24880897A JP3914617B2 (ja) | 1997-09-12 | 1997-09-12 | 半導体レーザーの可干渉性解析方法 |
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|---|---|---|---|
| JP24880897A JP3914617B2 (ja) | 1997-09-12 | 1997-09-12 | 半導体レーザーの可干渉性解析方法 |
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|---|---|
| JPH1183637A true JPH1183637A (ja) | 1999-03-26 |
| JP3914617B2 JP3914617B2 (ja) | 2007-05-16 |
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| JP (1) | JP3914617B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111707447A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-09-25 | 中国兵器装备研究院 | 基于双环路探测的多通道光程差检测装置及检测方法 |
-
1997
- 1997-09-12 JP JP24880897A patent/JP3914617B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN111707447A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-09-25 | 中国兵器装备研究院 | 基于双环路探测的多通道光程差检测装置及检测方法 |
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