JPH1183449A - 段差測定方法 - Google Patents
段差測定方法Info
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- JPH1183449A JPH1183449A JP24324897A JP24324897A JPH1183449A JP H1183449 A JPH1183449 A JP H1183449A JP 24324897 A JP24324897 A JP 24324897A JP 24324897 A JP24324897 A JP 24324897A JP H1183449 A JPH1183449 A JP H1183449A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を傷つけることなく、正確に基板上の段
差測定ができる段差測定方法を提供する。 【解決手段】 段差上部10a上および段差下部10b
上に設けられた、反射率の高い材質からなる段差検出マ
ーク10a上および段差検出マーク10b上に、ビーム
光11を入射角φで入射する。段差検出マーク10a、
10b上で反射したビーム光11の反射光11a、11
bが基板10上方に備えられた光検出器14に入射する
位置の差d1を測定することにより、段差10cの高さ
dを求める。
差測定ができる段差測定方法を提供する。 【解決手段】 段差上部10a上および段差下部10b
上に設けられた、反射率の高い材質からなる段差検出マ
ーク10a上および段差検出マーク10b上に、ビーム
光11を入射角φで入射する。段差検出マーク10a、
10b上で反射したビーム光11の反射光11a、11
bが基板10上方に備えられた光検出器14に入射する
位置の差d1を測定することにより、段差10cの高さ
dを求める。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、膜厚測定や半導体
基板上などの段差測定など、微小な段差の高さを測定す
る方法に関する。
基板上などの段差測定など、微小な段差の高さを測定す
る方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、基板上に形成された薄膜の厚さ
や、半導体基板上などの微小な段差の計測方法の1つと
して触針法が用いられている。
や、半導体基板上などの微小な段差の計測方法の1つと
して触針法が用いられている。
【0003】図11は、従来の触針法による基板表面の
段差測定方法を示す模式図である。図11(a)に示す
ように、まず、段差測定用の針90の先端を、基板10
の段差10c近傍の表面(m点)に一定の圧力で接触さ
せる。次に、針90をm点からm’点まで、段差10c
を跨いで一定速度で移動させる。このときに、段差10
cの高さdだけ針90の位置が上下する。この針90の
上下動を、電気信号に変えることにより、針90の移動
した距離に対応する高さの変化が、図11(b)に示す
ようなチャートとして出力される。このチャートにおけ
る高さの変化量d’を求めることにより、段差10cの
高さdを測定することができる。
段差測定方法を示す模式図である。図11(a)に示す
ように、まず、段差測定用の針90の先端を、基板10
の段差10c近傍の表面(m点)に一定の圧力で接触さ
せる。次に、針90をm点からm’点まで、段差10c
を跨いで一定速度で移動させる。このときに、段差10
cの高さdだけ針90の位置が上下する。この針90の
上下動を、電気信号に変えることにより、針90の移動
した距離に対応する高さの変化が、図11(b)に示す
ようなチャートとして出力される。このチャートにおけ
る高さの変化量d’を求めることにより、段差10cの
高さdを測定することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のような触針法に
よる段差測定では、段差測定用の針を直接基板上に接触
させて移動させ、その針の上下動を観測することにより
基板上の段差の高さを測定することができる。
よる段差測定では、段差測定用の針を直接基板上に接触
させて移動させ、その針の上下動を観測することにより
基板上の段差の高さを測定することができる。
【0005】しかしながら、このような触針法による段
差測定では、針を基板上に接触させるため、その針の圧
力により基板を傷つけてしまうという問題があった。ま
た、針の先端形状や、圧力計測などの検出系誤差が、段
差測定の精度に大きく影響するという問題があった。さ
らに、硬度が異なる複数の材質からなる部分の段差を測
定する場合(例えば基板上に形成された薄膜の厚さを測
定する場合など)、基板材質の硬度の違いにより針の挙
動が変化するために、正確な段差測定ができないという
問題があった。
差測定では、針を基板上に接触させるため、その針の圧
力により基板を傷つけてしまうという問題があった。ま
た、針の先端形状や、圧力計測などの検出系誤差が、段
差測定の精度に大きく影響するという問題があった。さ
らに、硬度が異なる複数の材質からなる部分の段差を測
定する場合(例えば基板上に形成された薄膜の厚さを測
定する場合など)、基板材質の硬度の違いにより針の挙
動が変化するために、正確な段差測定ができないという
問題があった。
【0006】そこで、本発明は、基板を傷つけることな
く、正確に段差測定ができる段差測定装置及び段差測定
方法を提供することを課題とする。
く、正確に段差測定ができる段差測定装置及び段差測定
方法を提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、以下の構成を採用した。すなわち、請求
項1の発明は、基板表面上の段差の高さを測定するため
の段差測定方法において、a)光源から出射されたビー
ム光を前記基板表面上における段差の上側に位置する第
1平坦部に設けられた第1の反射部材に一定の入射角で
入射し、b)前記光源から出射された前記ビーム光を前
記基板表面上における段差の下側に位置する第2平坦部
に設けられた第2の反射部材に前記一定の入射角で斜入
射し、c)前記第1反射部材で反射したビーム光と前記
第2反射部材で反射したビーム光とのずれを検出し、検
出された前記各反射光の光路のずれに基づいて前記基板
表面上の段差の高さを測定することを特徴とする。
決するために、以下の構成を採用した。すなわち、請求
項1の発明は、基板表面上の段差の高さを測定するため
の段差測定方法において、a)光源から出射されたビー
ム光を前記基板表面上における段差の上側に位置する第
1平坦部に設けられた第1の反射部材に一定の入射角で
入射し、b)前記光源から出射された前記ビーム光を前
記基板表面上における段差の下側に位置する第2平坦部
に設けられた第2の反射部材に前記一定の入射角で斜入
射し、c)前記第1反射部材で反射したビーム光と前記
第2反射部材で反射したビーム光とのずれを検出し、検
出された前記各反射光の光路のずれに基づいて前記基板
表面上の段差の高さを測定することを特徴とする。
【0008】このような段差測定方法によれば、基板表
面上に設けられた第1および第2反射部材上で反射した
ビーム光の、それらの反射光の光路の違いを用いて、基
板表面上の段差測定を行うことができる。従って、非接
触で段差測定を行うことができるため、基板に傷を付け
ることなく、正確に段差測定を行うことができる。
面上に設けられた第1および第2反射部材上で反射した
ビーム光の、それらの反射光の光路の違いを用いて、基
板表面上の段差測定を行うことができる。従って、非接
触で段差測定を行うことができるため、基板に傷を付け
ることなく、正確に段差測定を行うことができる。
【0009】ここで、反射部材とは、高い反射率で光を
反射する材質からなり、基板に対して常に一定の厚さを
有する薄膜形状のものを示す。具体的にはアルミニウム
やクロム、金、白金などの金属薄膜などが挙げられる。
また、これらの金属膜は蒸着やスパッタなどにより形成
されるものでもよいし、該金属の箔を基板上に装着する
ことにより形成されるものであってもよい。また、この
反射部材は、極めて細い短冊形の金属薄膜が等間隔に複
数並べられた回折格子形状のものであってもよい。
反射する材質からなり、基板に対して常に一定の厚さを
有する薄膜形状のものを示す。具体的にはアルミニウム
やクロム、金、白金などの金属薄膜などが挙げられる。
また、これらの金属膜は蒸着やスパッタなどにより形成
されるものでもよいし、該金属の箔を基板上に装着する
ことにより形成されるものであってもよい。また、この
反射部材は、極めて細い短冊形の金属薄膜が等間隔に複
数並べられた回折格子形状のものであってもよい。
【0010】また、ビーム光は、後述する光検出手段が
検出できる強度および波長の光であれば、いずれの光を
も用いることができる。具体的には、レーザ光などを用
いることが望ましい。
検出できる強度および波長の光であれば、いずれの光を
も用いることができる。具体的には、レーザ光などを用
いることが望ましい。
【0011】請求項2の発明は、基板表面上の段差の高
さを測定するための段差測定方法において、A)光源か
ら出射されたビーム光を前記基板表面上における段差の
上側に位置する第1平坦部に設けられた第1の反射部材
に一定の入射角で斜入射し、B)前記第1の反射部材上
で反射した前記第1ビーム光の反射光が、前記基板に対
して垂直な方向に昇降自在に設けられた光検出手段の基
準位置に入射するように、前記光検出手段の位置を調節
し、C)前記光源から出射された前記ビーム光を前記基
板表面上における段差の下側に位置する第2平坦部に設
けられた第2の反射部材に前記一定の入射角で斜入射
し、D)前記光源から出射された第2ビーム光を前記第
2の反射部材に前記一定の入射角で斜入射し、E)前記
第2反射部材上で反射した前記第2ビーム光の反射光が
前記光検出手段の前記基準位置に入射するように、前記
光検出手段の位置を調節し、F)前記第1および第2ビ
ーム光のそれぞれの反射光が前記光検出手段の基準位置
に入射したときの前記光検出手段のそれぞれの位置のず
れを計測することによって前記基板上の段差の高さを測
定することを特徴とする。
さを測定するための段差測定方法において、A)光源か
ら出射されたビーム光を前記基板表面上における段差の
上側に位置する第1平坦部に設けられた第1の反射部材
に一定の入射角で斜入射し、B)前記第1の反射部材上
で反射した前記第1ビーム光の反射光が、前記基板に対
して垂直な方向に昇降自在に設けられた光検出手段の基
準位置に入射するように、前記光検出手段の位置を調節
し、C)前記光源から出射された前記ビーム光を前記基
板表面上における段差の下側に位置する第2平坦部に設
けられた第2の反射部材に前記一定の入射角で斜入射
し、D)前記光源から出射された第2ビーム光を前記第
2の反射部材に前記一定の入射角で斜入射し、E)前記
第2反射部材上で反射した前記第2ビーム光の反射光が
前記光検出手段の前記基準位置に入射するように、前記
光検出手段の位置を調節し、F)前記第1および第2ビ
ーム光のそれぞれの反射光が前記光検出手段の基準位置
に入射したときの前記光検出手段のそれぞれの位置のず
れを計測することによって前記基板上の段差の高さを測
定することを特徴とする。
【0012】ここで、光検出手段とは、光が入射される
位置や強度を検出する光学機器などを用いることができ
る。具体的には、PSD(position sensitive detecto
r)やCCD(charge coupled device)、フォトダイオ
ード、光導電型撮像管などが用いられる。
位置や強度を検出する光学機器などを用いることができ
る。具体的には、PSD(position sensitive detecto
r)やCCD(charge coupled device)、フォトダイオ
ード、光導電型撮像管などが用いられる。
【0013】請求項3の発明は、基板表面上の段差の高
さを測定するための段差測定方法において、i)前記基
板に対して垂直な方向に昇降自在に設けられた支持部材
により前記基板を支持し、ii)光源から出射されたビー
ム光を前記基板表面上における段差の上側に位置する第
1平坦部に設けられた第1の反射部材に一定の入射角で
斜入射し、iii)前記第1の反射部材上で反射した前記
第1ビーム光の反射光が、光検出器の基準位置に入射す
るように、前記支持部材の位置を調節し、iv)前記光源
から出射された前記ビーム光を前記基板表面上における
段差の下側に位置する第2平坦部に設けられた第2の反
射部材に前記一定の入射角で斜入射し、v)前記第2の
反射部材上で反射した前記第2ビーム光の反射光が、前
記光検出器の基準位置に入射するように、前記支持部材
の位置を調節し、vi)前記第1および第2ビーム光のそ
れぞれの反射光が前記光検出手段の基準位置に入射した
ときの前記支持部材のそれぞれの位置のずれを計測する
ことによって前記基板上の段差の高さを測定することを
特徴とする。
さを測定するための段差測定方法において、i)前記基
板に対して垂直な方向に昇降自在に設けられた支持部材
により前記基板を支持し、ii)光源から出射されたビー
ム光を前記基板表面上における段差の上側に位置する第
1平坦部に設けられた第1の反射部材に一定の入射角で
斜入射し、iii)前記第1の反射部材上で反射した前記
第1ビーム光の反射光が、光検出器の基準位置に入射す
るように、前記支持部材の位置を調節し、iv)前記光源
から出射された前記ビーム光を前記基板表面上における
段差の下側に位置する第2平坦部に設けられた第2の反
射部材に前記一定の入射角で斜入射し、v)前記第2の
反射部材上で反射した前記第2ビーム光の反射光が、前
記光検出器の基準位置に入射するように、前記支持部材
の位置を調節し、vi)前記第1および第2ビーム光のそ
れぞれの反射光が前記光検出手段の基準位置に入射した
ときの前記支持部材のそれぞれの位置のずれを計測する
ことによって前記基板上の段差の高さを測定することを
特徴とする。
【0014】請求項4の発明は、請求項2または請求項
3に記載の段差測定方法が 前記反射部材は光を反射す
る部分と光を反射しない部分とが等間隔に縞状に並べら
れた回折格子状に形成されたものであり、前記光源から
出射される光は単波長光であることで特定したものであ
る。
3に記載の段差測定方法が 前記反射部材は光を反射す
る部分と光を反射しない部分とが等間隔に縞状に並べら
れた回折格子状に形成されたものであり、前記光源から
出射される光は単波長光であることで特定したものであ
る。
【0015】請求項5の発明は、請求項4記載の段差測
定方法が、前記光検出手段は、その受光面上の一部に光
を遮断する遮光部材を備えることで特定したものであ
る。請求項6の発明は、請求項4または請求項5に記載
の段差測定方法が、前記光検出手段は2次元PSDであ
ることで特定したものである。
定方法が、前記光検出手段は、その受光面上の一部に光
を遮断する遮光部材を備えることで特定したものであ
る。請求項6の発明は、請求項4または請求項5に記載
の段差測定方法が、前記光検出手段は2次元PSDであ
ることで特定したものである。
【0016】請求項7の発明は、請求項4または請求項
5に記載の段差測定方法が、前記光検出手段はCCD
(charge coupled device)であることで特定したもので
ある。
5に記載の段差測定方法が、前記光検出手段はCCD
(charge coupled device)であることで特定したもので
ある。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて、本発明の
実施の形態を説明する。 〈第1実施形態〉図1(a)は、本第1実施形態による
段差測定に用いる反射部材としての段差検出マークを説
明する斜視図であり、図1(b)は、本実施形態による
段差測定装置の測定原理を示すために図1(a)のAの
方向から見た側視図である。本第1実施形態の段差測定
装置は、基板10上に固着された段差検出マーク12
a,12bと、ビーム光を出射する光源13と、一定の
範囲内で基板に対して垂直な方向(図1(b)のz軸に
平行な方向)へ昇降自在な光検出器14とを備えてい
る。
実施の形態を説明する。 〈第1実施形態〉図1(a)は、本第1実施形態による
段差測定に用いる反射部材としての段差検出マークを説
明する斜視図であり、図1(b)は、本実施形態による
段差測定装置の測定原理を示すために図1(a)のAの
方向から見た側視図である。本第1実施形態の段差測定
装置は、基板10上に固着された段差検出マーク12
a,12bと、ビーム光を出射する光源13と、一定の
範囲内で基板に対して垂直な方向(図1(b)のz軸に
平行な方向)へ昇降自在な光検出器14とを備えてい
る。
【0018】段差検出マーク12a,12bは金属など
の反射率の高い材質からなる箔状の形状を有しており、
それぞれの厚さは一定に形成されているので、各段差検
出マーク12a,12bの表面は基板10の表面と平行
になっている。これらの段差検出マーク12a,12b
は、段差10cの上側の基板表面(以下、段差上部10
aと表記する),及び段差10cの下側の基板表面(以
下、段差下部10bと表記する)のそれぞれに配置され
ている。なお、本第1実施形態においては、第1平坦部
を段差上部10aとし、第2平坦部を段差下部10bと
している。
の反射率の高い材質からなる箔状の形状を有しており、
それぞれの厚さは一定に形成されているので、各段差検
出マーク12a,12bの表面は基板10の表面と平行
になっている。これらの段差検出マーク12a,12b
は、段差10cの上側の基板表面(以下、段差上部10
aと表記する),及び段差10cの下側の基板表面(以
下、段差下部10bと表記する)のそれぞれに配置され
ている。なお、本第1実施形態においては、第1平坦部
を段差上部10aとし、第2平坦部を段差下部10bと
している。
【0019】光源13は、その位置及び出射方向が常に
一定に保たれるように、基板10の上方に固定されてい
る。従って、光源13から出射されるビーム光11は、
基板10上に配置された段差検出マーク12a及び12
b表面に対して、常に入射角φで入射する。なお、この
ビーム光11としては、レーザ光などを用いることが好
ましいが、レーザ光に限らず、そのビーム軸上に強度の
ピークを持つスポット光であればよい。
一定に保たれるように、基板10の上方に固定されてい
る。従って、光源13から出射されるビーム光11は、
基板10上に配置された段差検出マーク12a及び12
b表面に対して、常に入射角φで入射する。なお、この
ビーム光11としては、レーザ光などを用いることが好
ましいが、レーザ光に限らず、そのビーム軸上に強度の
ピークを持つスポット光であればよい。
【0020】光検出器14(光検出手段)は、光の入射
位置を検出し、それを電気信号に変換するものであり、
本第1実施形態においては、PSD(position sensiti
ve detector、個体位置検出素子)やCCD(charge co
upled device)、フォトダイオード、光導電型撮像管な
どを用いることができる。この光検出器14は、段差検
出マーク12a、12b上で反射したビーム光が、その
受光面に対して直角に入射されるように、基板10の上
方に設置されている。また、光検出器14は、ビーム光
の入射位置に応じて、基板に対して垂直な方向(z軸の
方向)に平行移動させることが可能である。
位置を検出し、それを電気信号に変換するものであり、
本第1実施形態においては、PSD(position sensiti
ve detector、個体位置検出素子)やCCD(charge co
upled device)、フォトダイオード、光導電型撮像管な
どを用いることができる。この光検出器14は、段差検
出マーク12a、12b上で反射したビーム光が、その
受光面に対して直角に入射されるように、基板10の上
方に設置されている。また、光検出器14は、ビーム光
の入射位置に応じて、基板に対して垂直な方向(z軸の
方向)に平行移動させることが可能である。
【0021】以下、図1(b)を用いて、本第1実施形
態による段差測定方法を説明する。まず、光源13か
ら、ビーム光11(第1ビーム光)を出射し、段差上部
10a上に配置された段差検出マーク12a(第1反射
部材)上に入射させる。出射されたビーム光11は、段
差検出マーク12a上で反射し、その反射光11aは光
検出器14に向かって進行する。そこで、反射光11a
が光検出器14の受光面上の一定点(例えば中心、以
下、基準点O1と表記する)に直角に入射するように、
光検出器14のz軸方向の位置を調節する。このときの
光検出器のz軸上の座標(第1の位置)をA1とする。
態による段差測定方法を説明する。まず、光源13か
ら、ビーム光11(第1ビーム光)を出射し、段差上部
10a上に配置された段差検出マーク12a(第1反射
部材)上に入射させる。出射されたビーム光11は、段
差検出マーク12a上で反射し、その反射光11aは光
検出器14に向かって進行する。そこで、反射光11a
が光検出器14の受光面上の一定点(例えば中心、以
下、基準点O1と表記する)に直角に入射するように、
光検出器14のz軸方向の位置を調節する。このときの
光検出器のz軸上の座標(第1の位置)をA1とする。
【0022】次に、ビーム光11(第2ビーム光)が、
段差下部10bに配置された段差検出マーク12b(第
2反射部材)上に入射されるように、基板10をAの方
向(基板10の表面に平行な方向)に僅かに移動させ
る。すると、ビーム光11は、段差検出マーク12b上
で反射し、その反射光11bは光検出器14を掠めるよ
うに進行する。そこで、反射光11bが光検出器14の
基準位置O1に入射するように、光検出器14のz軸方
向の位置を調節する。すると、光検出器14は図2中の
点線で示されている位置まで移動する。このときの光検
出器のz軸上の座標(第2の位置)をA2とする。
段差下部10bに配置された段差検出マーク12b(第
2反射部材)上に入射されるように、基板10をAの方
向(基板10の表面に平行な方向)に僅かに移動させ
る。すると、ビーム光11は、段差検出マーク12b上
で反射し、その反射光11bは光検出器14を掠めるよ
うに進行する。そこで、反射光11bが光検出器14の
基準位置O1に入射するように、光検出器14のz軸方
向の位置を調節する。すると、光検出器14は図2中の
点線で示されている位置まで移動する。このときの光検
出器のz軸上の座標(第2の位置)をA2とする。
【0023】これらの反射光11a,11bが光検出器
14の基準位置O1へ入射する位置の差,即ち光検出器
14のz軸方向の移動距離d1(=A1−A2)は、基板
10の段差10cの高さdに対応し、d1=2dの関係
を有している。従って、光検出器14の移動距離d1を
計測することにより、段差10cの高さdを求めること
ができる。
14の基準位置O1へ入射する位置の差,即ち光検出器
14のz軸方向の移動距離d1(=A1−A2)は、基板
10の段差10cの高さdに対応し、d1=2dの関係
を有している。従って、光検出器14の移動距離d1を
計測することにより、段差10cの高さdを求めること
ができる。
【0024】このように、本第1実施形態によれば、ビ
ーム光11を、段差上部10a及び段差下部10b上に
それぞれ配置された段差検出マーク12a,12bに斜
入射し、その反射光11a,11bが光検出器14に入
射する高さの違いd1を計測することにより、基板10
上の段差の高さdを測定することができる。従って、非
接触で基板10上の段差の高さを測定することができる
ため、基板10の表面を傷つける心配がない。また、硬
度が異なる材質からなる基板10上の段差の高さdも精
度良く測定することができる。
ーム光11を、段差上部10a及び段差下部10b上に
それぞれ配置された段差検出マーク12a,12bに斜
入射し、その反射光11a,11bが光検出器14に入
射する高さの違いd1を計測することにより、基板10
上の段差の高さdを測定することができる。従って、非
接触で基板10上の段差の高さを測定することができる
ため、基板10の表面を傷つける心配がない。また、硬
度が異なる材質からなる基板10上の段差の高さdも精
度良く測定することができる。
【0025】なお、本第1実施形態を変形して、反射光
11a,11bの両方が入射可能なPSDなどの光検出
器を基板10の上方に固定し、この光検出器を用いて段
差測定を行うことも可能である。この場合には、光検出
器に入射された反射光11a,11bの光路の差,即ち
入射位置(高さ)の差を計測することにより、段差10
cの高さdが求められる。
11a,11bの両方が入射可能なPSDなどの光検出
器を基板10の上方に固定し、この光検出器を用いて段
差測定を行うことも可能である。この場合には、光検出
器に入射された反射光11a,11bの光路の差,即ち
入射位置(高さ)の差を計測することにより、段差10
cの高さdが求められる。
【0026】〈第2実施形態〉図2は、本第2実施形態
による段差測定に用いる反射部材としての段差検出パタ
ーンを説明する斜視図である。また、図3及び図4は、
それぞれ本第2実施形態による段差測定装置の測定原理
を示すために、図2のAの方向から見た側視図,及びB
の方向から見た平面図である。本第2実施形態の段差測
定装置は、基板10上に設けられた回折格子形状の段差
検出パターン22a,22bと、単波長のビーム光(レ
ーザ光)を出射する光源26と、段差検出パターン22
a及び22b上で回折した回折光の位置を検出するため
のポジション・センシティブ・ディテクタ24(positi
on sensitive detector、以下PSDと表記する)とを
備えている。
による段差測定に用いる反射部材としての段差検出パタ
ーンを説明する斜視図である。また、図3及び図4は、
それぞれ本第2実施形態による段差測定装置の測定原理
を示すために、図2のAの方向から見た側視図,及びB
の方向から見た平面図である。本第2実施形態の段差測
定装置は、基板10上に設けられた回折格子形状の段差
検出パターン22a,22bと、単波長のビーム光(レ
ーザ光)を出射する光源26と、段差検出パターン22
a及び22b上で回折した回折光の位置を検出するため
のポジション・センシティブ・ディテクタ24(positi
on sensitive detector、以下PSDと表記する)とを
備えている。
【0027】段差検出パターン22a、22bは金属な
どの反射率の高い材質からなり、図2に示すように、極
めて細い一定の幅の短冊形の金属薄膜が、等間隔且つ平
行に複数並べられた回折格子形状を有している。このよ
うな段差検出パターン22a,22bは、個々の金属薄
膜の幅及び金属薄膜同士の間隔が数μm〜数十μmであ
る。この金属薄膜同士の間隔は、次のように設定され
る。この間隔をD、ビーム光の波長をλとすると、n次
回折光は、Dsinθ=nλを満たす角度θで回折す
る。ここで、nは次数で整数値となる。よって、回折光
がPSDに取り込めるように間隔Dを設定すればよい。
どの反射率の高い材質からなり、図2に示すように、極
めて細い一定の幅の短冊形の金属薄膜が、等間隔且つ平
行に複数並べられた回折格子形状を有している。このよ
うな段差検出パターン22a,22bは、個々の金属薄
膜の幅及び金属薄膜同士の間隔が数μm〜数十μmであ
る。この金属薄膜同士の間隔は、次のように設定され
る。この間隔をD、ビーム光の波長をλとすると、n次
回折光は、Dsinθ=nλを満たす角度θで回折す
る。ここで、nは次数で整数値となる。よって、回折光
がPSDに取り込めるように間隔Dを設定すればよい。
【0028】また、それぞれの薄膜の厚さはすべて一定
に形成されているので、各段差検出マーク22a、22
bの表面は、基板10の表面と平行になっている。この
ような回折格子状の段差検出パターン22a,22b
は、図4の方向から見て、いずれも後述するビーム光の
入射方向に対して、パターンの向きが平行になるよう
に、基板10上に配置されている。段差検出パターン2
2a,22bは、基板10上への該金属のスパッタや蒸
着により金属膜を形成した後に、フォトレジストを用い
たエッチングを行って形成されたものであってもよい。
また、その表面に回折格子状のパターンが予め形成され
たシート状物を基板10上に着脱自在に接着することに
より形成されたものであってもよい。
に形成されているので、各段差検出マーク22a、22
bの表面は、基板10の表面と平行になっている。この
ような回折格子状の段差検出パターン22a,22b
は、図4の方向から見て、いずれも後述するビーム光の
入射方向に対して、パターンの向きが平行になるよう
に、基板10上に配置されている。段差検出パターン2
2a,22bは、基板10上への該金属のスパッタや蒸
着により金属膜を形成した後に、フォトレジストを用い
たエッチングを行って形成されたものであってもよい。
また、その表面に回折格子状のパターンが予め形成され
たシート状物を基板10上に着脱自在に接着することに
より形成されたものであってもよい。
【0029】このように回折格子状に形成された段差検
出パターン22a,22bは、光が照射されると、回折
格子として機能する。これらの段差検出パターン22
a,22bは、段差10cの上側の基板表面(以下、段
差上部10aと表記する),及び段差10cの下側の基
板表面(以下、段差下部10bと表記する)のそれぞれ
に配置されている。なお、本第2実施形態においては、
第1平坦部を段差上部10aとし、第2平坦部を段差下
部10bとしている。
出パターン22a,22bは、光が照射されると、回折
格子として機能する。これらの段差検出パターン22
a,22bは、段差10cの上側の基板表面(以下、段
差上部10aと表記する),及び段差10cの下側の基
板表面(以下、段差下部10bと表記する)のそれぞれ
に配置されている。なお、本第2実施形態においては、
第1平坦部を段差上部10aとし、第2平坦部を段差下
部10bとしている。
【0030】光源26はレーザダイオードであり、各段
差検出パターン22a,22bの全面にビーム光を照射
できるよう、その出射面が横広に(A方向側に広く)形
成されている。また、光源26は、その位置及び出射方
向が常に一定に保たれるように、基板10の上方に固定
されている。従って、光源26から出射されるビーム光
21は、それぞれ基板10上に配置された段差検出マー
ク上22a表面,22b表面に対して、常に入射角φで
入射する。また、ビーム光21は、各段差検出パターン
22a,22bの全面に照射されるように、横長のスリ
ット光状に整形されたレーザ光である。
差検出パターン22a,22bの全面にビーム光を照射
できるよう、その出射面が横広に(A方向側に広く)形
成されている。また、光源26は、その位置及び出射方
向が常に一定に保たれるように、基板10の上方に固定
されている。従って、光源26から出射されるビーム光
21は、それぞれ基板10上に配置された段差検出マー
ク上22a表面,22b表面に対して、常に入射角φで
入射する。また、ビーム光21は、各段差検出パターン
22a,22bの全面に照射されるように、横長のスリ
ット光状に整形されたレーザ光である。
【0031】2次元PSD24(光検出手段)は、光の
入射位置を検出し、それを電気信号に変換するものであ
る。この2次元PSD24は、段差検出パターン22
a,22b上で回折したビーム光21の回折光21a,
21bが、その受光面に対して直角に入射するように、
基板10の上方に設置されている。なお、本第2実施形
態においては、2次元PSD24の、段差検出パターン
22a,22bのパターンの向きに対して、図4の方向
から見て直交する方向をx軸方向とし、x軸に直交する
方向をy軸方向とする。
入射位置を検出し、それを電気信号に変換するものであ
る。この2次元PSD24は、段差検出パターン22
a,22b上で回折したビーム光21の回折光21a,
21bが、その受光面に対して直角に入射するように、
基板10の上方に設置されている。なお、本第2実施形
態においては、2次元PSD24の、段差検出パターン
22a,22bのパターンの向きに対して、図4の方向
から見て直交する方向をx軸方向とし、x軸に直交する
方向をy軸方向とする。
【0032】また、2次元PSDの受光面上には、段差
検出パターン22a,22b上で回折してその2次元P
SD24に入射する回折光21a,21bの0次光を遮
断するために、帯状の遮光部材からなるマスク28が、
x軸方向の中央において、y軸方向に向けて装着されて
いる。
検出パターン22a,22b上で回折してその2次元P
SD24に入射する回折光21a,21bの0次光を遮
断するために、帯状の遮光部材からなるマスク28が、
x軸方向の中央において、y軸方向に向けて装着されて
いる。
【0033】以下、図3及び図4を用いて、本第2実施
形態による段差測定方法を説明する。まず、光源26か
ら、ビーム光21(第1ビーム光)を、段差上部10a
上に配置された段差検出パターン22a(第1反射部
材)上に入射させる。すると、ビーム光21は、段差検
出パターン22a上で回折し、その回折光21aは2次
元PSD24に向かって進行する。但し、回折光21a
の0次光はマスク28によって遮断されるため、2次元
PSD24には、遮断された0次光を除く回折光21a
が入射する。2次元PSD24に入射した回折光21a
のy軸方向の光量は、図3中のグラフに実線で示される
ように、ピーク(極大値)を有する分布を持つ。2次元
PSDに入射する光量がピークとなる位置は、2次元P
SDの各出力端子から出力される電流比に基づいて算出
される。このピーク位置の、y軸方向の座標B1を、回
折光21aの2次元PSD24への入射位置(第1の位
置)とする。
形態による段差測定方法を説明する。まず、光源26か
ら、ビーム光21(第1ビーム光)を、段差上部10a
上に配置された段差検出パターン22a(第1反射部
材)上に入射させる。すると、ビーム光21は、段差検
出パターン22a上で回折し、その回折光21aは2次
元PSD24に向かって進行する。但し、回折光21a
の0次光はマスク28によって遮断されるため、2次元
PSD24には、遮断された0次光を除く回折光21a
が入射する。2次元PSD24に入射した回折光21a
のy軸方向の光量は、図3中のグラフに実線で示される
ように、ピーク(極大値)を有する分布を持つ。2次元
PSDに入射する光量がピークとなる位置は、2次元P
SDの各出力端子から出力される電流比に基づいて算出
される。このピーク位置の、y軸方向の座標B1を、回
折光21aの2次元PSD24への入射位置(第1の位
置)とする。
【0034】次に、ビーム光21(第2ビーム光)が、
段差下部10b上に配置された段差検出パターン22b
(第2反射部材)上に入射されるように、基板10をA
の方向(基板10の表面に平行な方向)に僅かに移動さ
せる。すると、ビーム光21は、段差検出パターン22
b上で回折し、その回折光21bは2次元PSD24に
向かって進行する。すると、回折光21aと同様に、回
折光21bの0次光も、マスク28によって遮断され
る。従って、2次元PSD24に入射した回折光21b
のy軸方向の光量は、図3中のグラフに点線で示される
ように、ピークを有する分布を持つ。よって、回折光2
1aと同様に、回折光21bのy軸方向のピーク位置
も、2次元PSD24により検出される。このピーク位
置の、y軸方向の座標B2(第2の位置)を、回折光2
1bの2次元PSD24への入射位置とする。
段差下部10b上に配置された段差検出パターン22b
(第2反射部材)上に入射されるように、基板10をA
の方向(基板10の表面に平行な方向)に僅かに移動さ
せる。すると、ビーム光21は、段差検出パターン22
b上で回折し、その回折光21bは2次元PSD24に
向かって進行する。すると、回折光21aと同様に、回
折光21bの0次光も、マスク28によって遮断され
る。従って、2次元PSD24に入射した回折光21b
のy軸方向の光量は、図3中のグラフに点線で示される
ように、ピークを有する分布を持つ。よって、回折光2
1aと同様に、回折光21bのy軸方向のピーク位置
も、2次元PSD24により検出される。このピーク位
置の、y軸方向の座標B2(第2の位置)を、回折光2
1bの2次元PSD24への入射位置とする。
【0035】それぞれの回折光21a,21bの、2次
元PSD24へのy軸方向の入射位置の座標の差d
2(=B1−B2),即ち光路の差は、段差10cの高さ
dに対応し、d=d2cosφの関係が成り立つ。従っ
て、2次元PSD24の座標の差d2の長さを計測する
ことにより、段差10cの高さdを求めることができ
る。
元PSD24へのy軸方向の入射位置の座標の差d
2(=B1−B2),即ち光路の差は、段差10cの高さ
dに対応し、d=d2cosφの関係が成り立つ。従っ
て、2次元PSD24の座標の差d2の長さを計測する
ことにより、段差10cの高さdを求めることができ
る。
【0036】なお、2次元PSD24の受光面にマスク
28を設けたのは以下の理由による。即ち、回折光21
a及び21bの0次光が2次元PSD24に入射する位
置には、段差検出パターン22a,22b以外の部分
(例えば回路パターンなど)で反射した光も入射される
ため、検出誤差の原因となる。そこで、マスク28によ
ってこの0次光の入射位置を遮光することによって、段
差検出パターン22a、22bによる回折光以外の他の
反射光が2次元PSD24に入射するのを防ぐことがで
きる。従って、段差検出パターン22a,22bが配置
された部分の段差を、精度良く測定することができる。
28を設けたのは以下の理由による。即ち、回折光21
a及び21bの0次光が2次元PSD24に入射する位
置には、段差検出パターン22a,22b以外の部分
(例えば回路パターンなど)で反射した光も入射される
ため、検出誤差の原因となる。そこで、マスク28によ
ってこの0次光の入射位置を遮光することによって、段
差検出パターン22a、22bによる回折光以外の他の
反射光が2次元PSD24に入射するのを防ぐことがで
きる。従って、段差検出パターン22a,22bが配置
された部分の段差を、精度良く測定することができる。
【0037】このように、本第2実施形態によれば、段
差上部10a及び段差下部10bの各表面に配置された
段差検出パターン22a、22bに斜入射されたビーム
光21の、回折光21a、21bが2次元PSD24に
入射する高さの違いを計測することにより、基板10上
の段差の高さを測定することができる。従って、非接触
で基板10上の段差の高さを測定することができるた
め、基板表面を傷つける心配がない。また、硬度が異な
る材質からなる基板10上の段差も精度良く測定するこ
とができる。また、回折格子状の段差検出パターン22
a,22bと、2次元PSD24に装着されたマスク2
8を用いることにより、他の部分からの反射光による誤
差を低減し、精度良く段差測定を行うことができる。
差上部10a及び段差下部10bの各表面に配置された
段差検出パターン22a、22bに斜入射されたビーム
光21の、回折光21a、21bが2次元PSD24に
入射する高さの違いを計測することにより、基板10上
の段差の高さを測定することができる。従って、非接触
で基板10上の段差の高さを測定することができるた
め、基板表面を傷つける心配がない。また、硬度が異な
る材質からなる基板10上の段差も精度良く測定するこ
とができる。また、回折格子状の段差検出パターン22
a,22bと、2次元PSD24に装着されたマスク2
8を用いることにより、他の部分からの反射光による誤
差を低減し、精度良く段差測定を行うことができる。
【0038】なお、本第2実施形態の変形例として、光
源26に単波長光を出射する発光ダイオードなどを用い
てもよい。また、単波長の平行光を出射する他の光源を
用いることも可能である。さらに、光検出手段として、
2次元PSD24の他にCCD(固体撮像素子)や光導
電型撮像管などを用いることもできる。
源26に単波長光を出射する発光ダイオードなどを用い
てもよい。また、単波長の平行光を出射する他の光源を
用いることも可能である。さらに、光検出手段として、
2次元PSD24の他にCCD(固体撮像素子)や光導
電型撮像管などを用いることもできる。
【0039】〈第3実施形態〉図5は、本第3実施形態
による段差測定に用いられる段差検出パターンを説明す
る斜視図である。また、図6及び図7は、それぞれ本第
3実施形態による段差測定装置の測定原理を示すため
に、図5のAの方向から見た側視図,及びBの方向から
見た平面図である。本第3実施形態は、2個の光源3
6、37から出射されたビーム光を同時に段差検出マー
ク32a,32b上に照射し、形成された回折光の位置
をCCD34が同時に検出することにより、段差測定を
行うことを特徴とし、他の部分を第2実施形態と同一と
する。
による段差測定に用いられる段差検出パターンを説明す
る斜視図である。また、図6及び図7は、それぞれ本第
3実施形態による段差測定装置の測定原理を示すため
に、図5のAの方向から見た側視図,及びBの方向から
見た平面図である。本第3実施形態は、2個の光源3
6、37から出射されたビーム光を同時に段差検出マー
ク32a,32b上に照射し、形成された回折光の位置
をCCD34が同時に検出することにより、段差測定を
行うことを特徴とし、他の部分を第2実施形態と同一と
する。
【0040】即ち、本第3実施形態による段差測定装置
は、基板10上に設けられた回折格子形状の段差検出パ
ターン32a,32bと、単波長のビーム光を出射する
光源36,37と、段差検出パターン32a及び32b
上で回折した回折光の位置を検出するためのCCD34
とを備えている。
は、基板10上に設けられた回折格子形状の段差検出パ
ターン32a,32bと、単波長のビーム光を出射する
光源36,37と、段差検出パターン32a及び32b
上で回折した回折光の位置を検出するためのCCD34
とを備えている。
【0041】図5に示すように、基板10の段差上部1
0aには段差検出パターン32aが、段差下部10b上
には段差検出パターン32bが、それぞれ配置されてい
る。これらの段差検出パターン32a,32bは、第2
実施形態と同様に、回折格子形状に形成されている。
0aには段差検出パターン32aが、段差下部10b上
には段差検出パターン32bが、それぞれ配置されてい
る。これらの段差検出パターン32a,32bは、第2
実施形態と同様に、回折格子形状に形成されている。
【0042】光源36,37は、レーザダイオードであ
り、それぞれ段差検出パターン32a表面または32b
表面の全面にビーム光を照射できるよう、その出射面が
横広に(A方向側に広く)形成されている。また、光源
36,37は、それらの位置及び出射方向が常に一定に
保たれるように、基板10の上方に固定されている。従
って、光源36から出射されるビーム光31aは、段差
上部10a上の段差検出パターン32a表面に対して、
常に入射角φで入射する。ビーム光31aは段差検出パ
ターン32a上で回折し、その回折光31a’はCCD
34に向かって進行する。なお、本第3実施形態におい
ては、CCD34の、段差検出パターン32a,32b
のパターンの向きに対して、図4の方向から見て直交す
る方向をx軸方向とし、x軸に直交する方向をy軸方向
とする。
り、それぞれ段差検出パターン32a表面または32b
表面の全面にビーム光を照射できるよう、その出射面が
横広に(A方向側に広く)形成されている。また、光源
36,37は、それらの位置及び出射方向が常に一定に
保たれるように、基板10の上方に固定されている。従
って、光源36から出射されるビーム光31aは、段差
上部10a上の段差検出パターン32a表面に対して、
常に入射角φで入射する。ビーム光31aは段差検出パ
ターン32a上で回折し、その回折光31a’はCCD
34に向かって進行する。なお、本第3実施形態におい
ては、CCD34の、段差検出パターン32a,32b
のパターンの向きに対して、図4の方向から見て直交す
る方向をx軸方向とし、x軸に直交する方向をy軸方向
とする。
【0043】また、光源37から出射されるビーム光3
1bも、段差下部10b上の段差検出パターン32b表
面に対して、常に入射角φで入射する。ビーム光31b
は段差検出パターン32b上で回折し、その回折光31
b’はCCD34にに向かって進行する。従って、CC
D34には、回折光31a’,31b’が同時に入射す
るが、これらの回折光31a’,31b’の0次光のC
CD34へのx方向の入射位置がほぼ一致するように、
光源36,37の向きが固定されている。また、段差検
出パターン32a,32bのパターンの向きも、図6,
7に示すように、ビーム光31a,31bの出射方向と
平行になるように配置されている。なお、光源36,3
7から出射される単波長のビーム光31a,31bは、
第2実施形態と同様に、横長のスリット状に整形された
平行光である。
1bも、段差下部10b上の段差検出パターン32b表
面に対して、常に入射角φで入射する。ビーム光31b
は段差検出パターン32b上で回折し、その回折光31
b’はCCD34にに向かって進行する。従って、CC
D34には、回折光31a’,31b’が同時に入射す
るが、これらの回折光31a’,31b’の0次光のC
CD34へのx方向の入射位置がほぼ一致するように、
光源36,37の向きが固定されている。また、段差検
出パターン32a,32bのパターンの向きも、図6,
7に示すように、ビーム光31a,31bの出射方向と
平行になるように配置されている。なお、光源36,3
7から出射される単波長のビーム光31a,31bは、
第2実施形態と同様に、横長のスリット状に整形された
平行光である。
【0044】光検出手段としては、本第3実施形態にお
いては、複数の入射光を個別に検出できる手段であるこ
とが必要であるため、CCD34を用いている。CCD
34は、段差検出パターン32a,32bで回折した回
折光31a’,31b’がy軸方向において直角に入射
するように、基板10の上方に固定されている。また、
このCCD34上の一部には、前述した回折光31
a’,31b’による0次光を遮断するための帯状のマ
スク28が、x軸方向の中央において、y軸方向に向け
て装着されている。
いては、複数の入射光を個別に検出できる手段であるこ
とが必要であるため、CCD34を用いている。CCD
34は、段差検出パターン32a,32bで回折した回
折光31a’,31b’がy軸方向において直角に入射
するように、基板10の上方に固定されている。また、
このCCD34上の一部には、前述した回折光31
a’,31b’による0次光を遮断するための帯状のマ
スク28が、x軸方向の中央において、y軸方向に向け
て装着されている。
【0045】以下、図6及び図7を用いて、本第3実施
形態による段差測定方法を説明する。光源36、37か
ら出射したビーム光31a,31bは、基板10上の段
差検出パターン32a,32b上で回折し、それらの回
折光31a’,31b’は、光検出器34に入射する。
回折光31a’,31b’の0次光はマスク28によっ
て遮断されるため、CCD34には0次光を除く回折光
31a’,31b’が入射する。CCD34は、入射し
た光量の分布を検出し、それらを電気信号に変換して出
力を行う。これにより、CCDに入射した回折光31
a’,31b’のy軸方向の位置が検出される。回折光
31a’,31b’のCCDへのy軸方向の入射位置間
の距離d3は、基板10の段差10cの高さdに対応
し、d=d3cosφの関係が成り立つ。従って、CC
D34により検出される回折光31a’,31b’の入
射位置間の距離d3,即ち光路の差を計測することによ
り、段差10cの高さdを求めることができる。
形態による段差測定方法を説明する。光源36、37か
ら出射したビーム光31a,31bは、基板10上の段
差検出パターン32a,32b上で回折し、それらの回
折光31a’,31b’は、光検出器34に入射する。
回折光31a’,31b’の0次光はマスク28によっ
て遮断されるため、CCD34には0次光を除く回折光
31a’,31b’が入射する。CCD34は、入射し
た光量の分布を検出し、それらを電気信号に変換して出
力を行う。これにより、CCDに入射した回折光31
a’,31b’のy軸方向の位置が検出される。回折光
31a’,31b’のCCDへのy軸方向の入射位置間
の距離d3は、基板10の段差10cの高さdに対応
し、d=d3cosφの関係が成り立つ。従って、CC
D34により検出される回折光31a’,31b’の入
射位置間の距離d3,即ち光路の差を計測することによ
り、段差10cの高さdを求めることができる。
【0046】このように、本第3実施形態によれば、第
2実施形態と同様に、非接触で精度良く段差測定を行う
ことができる。しかも、段差上部および下部の回折光を
同時に測定することにより、基板10を固定したまま、
より簡単且つ正確に段差測定を行うことができる。
2実施形態と同様に、非接触で精度良く段差測定を行う
ことができる。しかも、段差上部および下部の回折光を
同時に測定することにより、基板10を固定したまま、
より簡単且つ正確に段差測定を行うことができる。
【0047】なお、本第3実施形態の変形例として、光
源36,37に単波長光を出射する発光ダイオードなど
を用いてもよい。また、CCD34の代わりに光導電型
撮像管などを用いてもよい。
源36,37に単波長光を出射する発光ダイオードなど
を用いてもよい。また、CCD34の代わりに光導電型
撮像管などを用いてもよい。
【0048】〈第4実施形態〉図8は、本第4実施形態
による段差測定に用いられる段差検出パターンを説明す
る斜視図である。また、図9及び図10は、それぞれ本
第4実施形態による段差測定装置の測定原理を示すため
に、図8のAの方向から見た側視図,及びBの方向から
見た平面図である。本第4実施形態による段差測定装置
は、基板10を載置した状態での、基板10の表面に対
して垂直な方向(図9のz軸に平行な方向)に昇降自在
に設けられた、支持部材としてのステージ40を備える
ことを特徴とし、他の部分を第2実施形態と同一とす
る。即ち、本第4実施形態による段差測定装置は、段差
を測定する基板10を設置するためのステージ40と、
基板10上に設けられた回折格子形状の段差検出パター
ン42a,42bと、単波長のビーム光を出射する光源
46と、段差検出パターン42a,42b上で回折した
回折光の位置を検出するための光検出器44とを備えて
いる。
による段差測定に用いられる段差検出パターンを説明す
る斜視図である。また、図9及び図10は、それぞれ本
第4実施形態による段差測定装置の測定原理を示すため
に、図8のAの方向から見た側視図,及びBの方向から
見た平面図である。本第4実施形態による段差測定装置
は、基板10を載置した状態での、基板10の表面に対
して垂直な方向(図9のz軸に平行な方向)に昇降自在
に設けられた、支持部材としてのステージ40を備える
ことを特徴とし、他の部分を第2実施形態と同一とす
る。即ち、本第4実施形態による段差測定装置は、段差
を測定する基板10を設置するためのステージ40と、
基板10上に設けられた回折格子形状の段差検出パター
ン42a,42bと、単波長のビーム光を出射する光源
46と、段差検出パターン42a,42b上で回折した
回折光の位置を検出するための光検出器44とを備えて
いる。
【0049】基板10が載置されたステージ40は、基
板10の表面に対して垂直な方向(図9のz軸に平行な
方向)に上下に昇降自在に設けられている。また、ステ
ージ40には、その高さを計測するための、図示せぬ目
盛りが備えられている。
板10の表面に対して垂直な方向(図9のz軸に平行な
方向)に上下に昇降自在に設けられている。また、ステ
ージ40には、その高さを計測するための、図示せぬ目
盛りが備えられている。
【0050】基板10の段差上部10a上,及び段差下
部10b上には、第2実施形態のものと全く同様に、回
折格子状の段差検出パターン42a,及び42bが、そ
れぞれ配置されている。さらに、本第4実施形態では、
ビーム光41を出射する光源46,及び光検出器44
は、互いの位置関係を保ちながら、若干の範囲で基板1
0の表面に対して平行に,即ち図8及び図10のAの方
向に平行に移動することができる。なお、光源46は、
その出射方向が常に一定に保たれるように固定されてい
る。従って、光源46から出射されたビーム光41は、
基板10上に配置された段差検出マーク42a,42b
表面に対して常に入射角φで入射する。
部10b上には、第2実施形態のものと全く同様に、回
折格子状の段差検出パターン42a,及び42bが、そ
れぞれ配置されている。さらに、本第4実施形態では、
ビーム光41を出射する光源46,及び光検出器44
は、互いの位置関係を保ちながら、若干の範囲で基板1
0の表面に対して平行に,即ち図8及び図10のAの方
向に平行に移動することができる。なお、光源46は、
その出射方向が常に一定に保たれるように固定されてい
る。従って、光源46から出射されたビーム光41は、
基板10上に配置された段差検出マーク42a,42b
表面に対して常に入射角φで入射する。
【0051】光源46から出射されたビーム光41は段
差検出パターン42a上で回折し、その回折光41aは
PSD44に入射する。そして、PSD44により、第
2実施例と同様にして回折光41aのPSD44への入
射位置(入射した光量のピーク位置)が検出される。そ
して、図9(a)及び図10(a)に示すように、その
回折光41aの入射位置と、PSD44上の一定点(以
下、基準点O2と表記する)とが一致するように、ステ
ージ40のz軸方向の位置を調節する。このときのステ
ージ40のz軸方向の座標をz0とする。
差検出パターン42a上で回折し、その回折光41aは
PSD44に入射する。そして、PSD44により、第
2実施例と同様にして回折光41aのPSD44への入
射位置(入射した光量のピーク位置)が検出される。そ
して、図9(a)及び図10(a)に示すように、その
回折光41aの入射位置と、PSD44上の一定点(以
下、基準点O2と表記する)とが一致するように、ステ
ージ40のz軸方向の位置を調節する。このときのステ
ージ40のz軸方向の座標をz0とする。
【0052】次に、ビーム光を出射する光源46及びP
SD44を、図10(b)に示すように、Aの方向に沿
って段差下部10b側に平行移動し、ビーム光41を段
差下部10b上の段差検出パターン42b上に入射す
る。ビーム光41は段差検出パターン42b上で回折
し、その回折光41bはPSD44に入射する。そし
て、PSD44により、回折光41bの入射位置を検出
する。そして、図9(b)及び図10(b)に示すよう
に、その回折光41bの入射位置と、PSD44の基準
点O2とが一致するように、ステージ40のz軸方向の
位置を調節する。このときのステージ40のz軸方向の
座標をz1とする。
SD44を、図10(b)に示すように、Aの方向に沿
って段差下部10b側に平行移動し、ビーム光41を段
差下部10b上の段差検出パターン42b上に入射す
る。ビーム光41は段差検出パターン42b上で回折
し、その回折光41bはPSD44に入射する。そし
て、PSD44により、回折光41bの入射位置を検出
する。そして、図9(b)及び図10(b)に示すよう
に、その回折光41bの入射位置と、PSD44の基準
点O2とが一致するように、ステージ40のz軸方向の
位置を調節する。このときのステージ40のz軸方向の
座標をz1とする。
【0053】このステージ40の移動距離z1−z0は段
差10cの高さdに等しい。従って、段差10cの高さ
dは、このステージ40の移動距離z1−z0を求めるこ
とにより得ることができる。
差10cの高さdに等しい。従って、段差10cの高さ
dは、このステージ40の移動距離z1−z0を求めるこ
とにより得ることができる。
【0054】このように、本第4実施形態によれば、第
2実施形態と同様に、非接触で精度良く段差測定を行う
ことができる。 〈変形例〉以上説明した段差測定装置及び段差測定方法
は、次のように変形することも可能である。例えば、段
差検出マーク(または段差検出パターン)と光検出器と
の間の、各反射光の光路上に、ビームエキスパンダーな
どの光学系を設置もよい。すると、光検出器の受光面上
に入射した、段差上部及び下部からの各反射光間の距離
が拡大されるため、さらに高精度の段差測定を行うこと
ができる。
2実施形態と同様に、非接触で精度良く段差測定を行う
ことができる。 〈変形例〉以上説明した段差測定装置及び段差測定方法
は、次のように変形することも可能である。例えば、段
差検出マーク(または段差検出パターン)と光検出器と
の間の、各反射光の光路上に、ビームエキスパンダーな
どの光学系を設置もよい。すると、光検出器の受光面上
に入射した、段差上部及び下部からの各反射光間の距離
が拡大されるため、さらに高精度の段差測定を行うこと
ができる。
【0055】
【発明の効果】本発明によれば、基板を傷つけることな
く、正確に段差測定ができる段差測定装置および段差測
定方法を提供することができる。
く、正確に段差測定ができる段差測定装置および段差測
定方法を提供することができる。
【図1】 (a)本発明の第1実施形態による段差測定
に用いる段差検出マークを説明する斜視図,および
(b)本発明の第1実施形態による段差測定装置を説明
するために図1(a)の方向から見た側視図
に用いる段差検出マークを説明する斜視図,および
(b)本発明の第1実施形態による段差測定装置を説明
するために図1(a)の方向から見た側視図
【図2】 本発明の第2実施形態による段差測定に用い
る段差検出パターンを説明する斜視図
る段差検出パターンを説明する斜視図
【図3】 本発明の第2実施形態による段差測定装置の
測定原理を示すために、図2のAの方向から見た側視図
測定原理を示すために、図2のAの方向から見た側視図
【図4】 本発明の第2実施形態による段差測定装置の
測定原理を示すために、図2のBの方向から見た平面図
測定原理を示すために、図2のBの方向から見た平面図
【図5】 本発明の第3実施形態による段差測定に用い
る段差検出パターンを説明する斜視図
る段差検出パターンを説明する斜視図
【図6】 本発明の第3実施形態による段差測定装置の
測定原理を示すために、図5のAの方向から見た側視図
測定原理を示すために、図5のAの方向から見た側視図
【図7】 本発明の第3実施形態による段差測定装置の
測定原理を示すために、図5のBの方向から見た平面図
測定原理を示すために、図5のBの方向から見た平面図
【図8】 本発明の第4実施形態による段差測定に用い
る段差検出マークを説明する斜視図
る段差検出マークを説明する斜視図
【図9】 本発明の第4実施形態による段差測定装置の
測定原理を示すために、図8のAの方向から見た側視図
測定原理を示すために、図8のAの方向から見た側視図
【図10】 本発明の第4実施形態による段差測定装置
の測定原理を示すために、図8のBの方向から見た平面
図
の測定原理を示すために、図8のBの方向から見た平面
図
【図11】 従来技術の触針法による段差測定方法の説
明図
明図
10 基板 11、21、31a、31b、41 ビーム光 11a、11b 反射光 12 段差検出マーク 13、26、36、46 光源 14 光検出器 21a、21b、31a’、31b’、41a、41b
回折光 22、32、42 段差検出パターン 24、44 2次元PSD 28 マスク 34 CCD
回折光 22、32、42 段差検出パターン 24、44 2次元PSD 28 マスク 34 CCD
Claims (7)
- 【請求項1】 基板表面上の段差の高さを測定するため
の段差測定方法において、 光源から出射されたビーム光を前記基板表面上における
段差の上側に位置する第1平坦部に設けられた第1の反
射部材に一定の入射角で入射し、 前記光源から出射された前記ビーム光を前記基板表面上
における段差の下側に位置する第2平坦部に設けられた
第2の反射部材に前記一定の入射角で斜入射し、 前記第1反射部材で反射したビーム光と前記第2反射部
材で反射したビーム光とのずれを検出し、 検出された前記各反射光の光路のずれに基づいて前記基
板表面上の段差の高さを測定することを特徴とする段差
測定方法。 - 【請求項2】 基板表面上の段差の高さを測定するため
の段差測定方法において、 光源から出射されたビーム光を前記基板表面上における
段差の上側に位置する第1平坦部に設けられた第1の反
射部材に一定の入射角で斜入射し、 前記第1の反射部材上で反射した前記第1ビーム光の反
射光が、前記基板に対して垂直な方向に昇降自在に設け
られた光検出手段の基準位置に入射するように、前記光
検出手段の位置を調節し、 前記光源から出射された前記ビーム光を前記基板表面上
における段差の下側に位置する第2平坦部に設けられた
第2の反射部材に前記一定の入射角で斜入射し、 前記光源から出射された第2ビーム光を前記第2の反射
部材に前記一定の入射角で斜入射し、 前記第2反射部材上で反射した前記第2ビーム光の反射
光が前記光検出手段の前記基準位置に入射するように、
前記光検出手段の位置を調節し、 前記第1および第2ビーム光のそれぞれの反射光が前記
光検出手段の基準位置に入射したときの前記光検出手段
のそれぞれの位置のずれを計測することによって前記基
板上の段差の高さを測定することを特徴とする段差測定
方法。 - 【請求項3】 基板表面上の段差の高さを測定するため
の段差測定方法において、 前記基板に対して垂直な方向に昇降自在に設けられた支
持部材により前記基板を支持し、 光源から出射されたビーム光を前記基板表面上における
段差の上側に位置する第1平坦部に設けられた第1の反
射部材に一定の入射角で斜入射し、 前記第1の反射部材上で反射した前記第1ビーム光の反
射光が、光検出器の基準位置に入射するように、前記支
持部材の位置を調節し、 前記光源から出射された前記ビーム光を前記基板表面上
における段差の下側に位置する第2平坦部に設けられた
第2の反射部材に前記一定の入射角で斜入射し、 前記第2の反射部材上で反射した前記第2ビーム光の反
射光が、前記光検出器の基準位置に入射するように、前
記支持部材の位置を調節し、 前記第1および第2ビーム光のそれぞれの反射光が前記
光検出手段の基準位置に入射したときの前記支持部材の
それぞれの位置のずれを計測することによって前記基板
上の段差の高さを測定することを特徴とする段差測定方
法。 - 【請求項4】 前記反射部材は光を反射する部分と光を
反射しない部分とが等間隔に縞状に並べられた回折格子
状に形成されたものであり、 前記光源から出射される光は単波長光であることを特徴
とする請求項2または請求項3に記載の段差測定方法。 - 【請求項5】 前記光検出手段は、その受光面上の一部
に光を遮断する遮光部材を備えることを特徴とする請求
項4記載の段差測定方法。 - 【請求項6】 前記光検出手段は2次元PSDであるこ
とを特徴とする請求項4または請求項5に記載の段差測
定方法。 - 【請求項7】 前記光検出手段はCCD(charge coupl
ed device)であることを特徴とする請求項4または請
求項5に記載の段差測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24324897A JPH1183449A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 段差測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24324897A JPH1183449A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 段差測定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1183449A true JPH1183449A (ja) | 1999-03-26 |
Family
ID=17101051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24324897A Pending JPH1183449A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 段差測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1183449A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100611078B1 (ko) * | 2000-12-16 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치에서 단차 측정 방법 및 이를 수행하기 위한장치 |
JP2011133405A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Hitachi Ltd | 2次元光切断法による寸法測定方法および装置 |
-
1997
- 1997-09-08 JP JP24324897A patent/JPH1183449A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100611078B1 (ko) * | 2000-12-16 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치에서 단차 측정 방법 및 이를 수행하기 위한장치 |
JP2011133405A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Hitachi Ltd | 2次元光切断法による寸法測定方法および装置 |
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