JPH1174605A - 窒化物系化合物半導体レーザ - Google Patents
窒化物系化合物半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH1174605A JPH1174605A JP23488397A JP23488397A JPH1174605A JP H1174605 A JPH1174605 A JP H1174605A JP 23488397 A JP23488397 A JP 23488397A JP 23488397 A JP23488397 A JP 23488397A JP H1174605 A JPH1174605 A JP H1174605A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide structure
- mesa
- layer
- semiconductor laser
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 メサ幅を極端に狭くすることなく特性の優れ
た横モード制御を実現することができ、かつしきい値の
低減をはかる。 【解決手段】 サファイア基板１１上に、ＭＱＷ活性層
部１６をＡｌＧａＮクラッド層１５，１７で挟んで形成
されたダブルヘテロ構造のメサを有する半導体レーザに
おいて、メサの側部に活性層部１６よりも屈折率の高い
ＧａＮ層１９を埋め込んで、基本横モードを得るための
反導波型の第１の導波構造を形成し、第１の導波構造の
側部に発振光に対して損失を有する材料であるＡｕ電極
パッド２２を配置し、高次のモードをカットオフするた
めの第２の導波構造を形成した。
た横モード制御を実現することができ、かつしきい値の
低減をはかる。 【解決手段】 サファイア基板１１上に、ＭＱＷ活性層
部１６をＡｌＧａＮクラッド層１５，１７で挟んで形成
されたダブルヘテロ構造のメサを有する半導体レーザに
おいて、メサの側部に活性層部１６よりも屈折率の高い
ＧａＮ層１９を埋め込んで、基本横モードを得るための
反導波型の第１の導波構造を形成し、第１の導波構造の
側部に発振光に対して損失を有する材料であるＡｕ電極
パッド２２を配置し、高次のモードをカットオフするた
めの第２の導波構造を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体材料
を用いた半導体素子に係わり、特にＧａＮ，ＡｌＧａ
Ｎ，ＩｎＧａＮなど窒素を含む化合物半導体からなる窒
化物系化合物半導体レーザに関する。
を用いた半導体素子に係わり、特にＧａＮ，ＡｌＧａ
Ｎ，ＩｎＧａＮなど窒素を含む化合物半導体からなる窒
化物系化合物半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度光ディスクシステム等への
応用を目的として短波長の半導体レーザの開発が進めら
れている。この種のレーザでは、記録密度を高めるため
に発振波長を短くすることが要求されている。短波長の
半導体レーザとしてＩｎＧａＡｌＰ材料による６００ｎ
ｍ帯光源は、ディスクの読み込み、書き込みのどちらも
可能なレベルにまで特性改善され、既に実用化されてい
る。
応用を目的として短波長の半導体レーザの開発が進めら
れている。この種のレーザでは、記録密度を高めるため
に発振波長を短くすることが要求されている。短波長の
半導体レーザとしてＩｎＧａＡｌＰ材料による６００ｎ
ｍ帯光源は、ディスクの読み込み、書き込みのどちらも
可能なレベルにまで特性改善され、既に実用化されてい
る。
【０００３】また、さらなる記録密度向上を目指して青
色体半導体レーザの開発が盛んに行われており、既にII
−VI族系による半導体レーザは発振動作が確認された。
しかし、信頼性が１００時間程度にリミットされるなど
実用化への障壁は多く、また波長も４８０ｎｍ以下は作
ることが困難であるなど、次世代の光ディスクシステム
等への応用には材料的なリミットが数多く存在する。
色体半導体レーザの開発が盛んに行われており、既にII
−VI族系による半導体レーザは発振動作が確認された。
しかし、信頼性が１００時間程度にリミットされるなど
実用化への障壁は多く、また波長も４８０ｎｍ以下は作
ることが困難であるなど、次世代の光ディスクシステム
等への応用には材料的なリミットが数多く存在する。
【０００４】一方、ＧａＮ系半導体レーザは、３５０ｎ
ｍ以下まで短波長が可能で、信頼性に関してもＬＥＤに
おいて１万時間以上の信頼性が確認されるなど有望であ
り盛んに研究、開発が行われている。室温での電流注入
によるレーザ発振も確認された。このようにナイトライ
ド系は、材料的に次世代の光ディスクシステム光源必要
な条件を満たす優れた材料である。
ｍ以下まで短波長が可能で、信頼性に関してもＬＥＤに
おいて１万時間以上の信頼性が確認されるなど有望であ
り盛んに研究、開発が行われている。室温での電流注入
によるレーザ発振も確認された。このようにナイトライ
ド系は、材料的に次世代の光ディスクシステム光源必要
な条件を満たす優れた材料である。
【０００５】光ディスクシステム等へ応用可能にするた
めには、レーザの発振ビーム特性が重要となり、発光部
に接合平面に平行方向に横モード制御構造を形成するこ
とが必須となる。横モード制御構造は通常活性層を一部
残し、異なる屈折率を有する半導体層で埋め込むなどの
方法で作り付けることができる。
めには、レーザの発振ビーム特性が重要となり、発光部
に接合平面に平行方向に横モード制御構造を形成するこ
とが必須となる。横モード制御構造は通常活性層を一部
残し、異なる屈折率を有する半導体層で埋め込むなどの
方法で作り付けることができる。
【０００６】ところが、ＢＨ（Buried Hetero ）構造の
ような実屈折率導波型では、高次モードがカットオフと
なるようにメサ幅を波長程度に低減する必要があるが、
発振波長がそもそも短いため、〜０．５μｍ程度の極め
て狭いメサ幅の制御が必要となる。このような狭い幅の
半導体レーザを製作すること自体プロセス上困難であ
り、歩留まりも極めて悪く、素子抵抗は５０Ωを越える
大きなものとなり、レーザ発振自身が困難となる。そし
て、例え発振しても、著しく素子の信頼性は損なわれて
いた。
ような実屈折率導波型では、高次モードがカットオフと
なるようにメサ幅を波長程度に低減する必要があるが、
発振波長がそもそも短いため、〜０．５μｍ程度の極め
て狭いメサ幅の制御が必要となる。このような狭い幅の
半導体レーザを製作すること自体プロセス上困難であ
り、歩留まりも極めて悪く、素子抵抗は５０Ωを越える
大きなものとなり、レーザ発振自身が困難となる。そし
て、例え発振しても、著しく素子の信頼性は損なわれて
いた。
【０００７】なお、埋め込み層を発振光に対して損失を
持つ材料で形成すれば、高次モードはカットオフとなる
ため、メサ幅を数μｍ程度にまで広くする設計は可能と
なる。しかし、この場合は基本モードも光損失を受ける
ため、しきい値が上昇する問題があった。
持つ材料で形成すれば、高次モードはカットオフとなる
ため、メサ幅を数μｍ程度にまで広くする設計は可能と
なる。しかし、この場合は基本モードも光損失を受ける
ため、しきい値が上昇する問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、Ｇａ
Ｎ系材料を用いた横モード制御レーザにおいては、メサ
幅を極めて狭くする必要があり、プロセスが非常に困難
であるという問題点があった。また、メサ幅を広くする
ために、埋め込み層として発振光に対して損失を持つ材
料を用いると、しきい値が上昇する問題があった。
Ｎ系材料を用いた横モード制御レーザにおいては、メサ
幅を極めて狭くする必要があり、プロセスが非常に困難
であるという問題点があった。また、メサ幅を広くする
ために、埋め込み層として発振光に対して損失を持つ材
料を用いると、しきい値が上昇する問題があった。
【０００９】本発明は、上記の事情を考慮してなされた
もので、その目的とするところは、メサ幅を極端に狭く
することなく特性の優れた横モード制御を実現すること
ができ、かつしきい値の低減をはかり得る窒化物系化合
物半導体レーザを提供することにある。
もので、その目的とするところは、メサ幅を極端に狭く
することなく特性の優れた横モード制御を実現すること
ができ、かつしきい値の低減をはかり得る窒化物系化合
物半導体レーザを提供することにある。
【００１０】
（構成）本発明の骨子は、サファイアなどの基板上に構
成された窒化物系系半導体レーザ素子の構造に関して、
基本横モードを得るための導波構造とは別に高次のモー
ドをカットオフするための導波構造を別に作りつけ、基
本モードと高次モードを選択的に制御することにより、
プロセス上の許容度、再現性も確保したレーザの寸法を
実現し、良好な特性を得るようにするものである。
成された窒化物系系半導体レーザ素子の構造に関して、
基本横モードを得るための導波構造とは別に高次のモー
ドをカットオフするための導波構造を別に作りつけ、基
本モードと高次モードを選択的に制御することにより、
プロセス上の許容度、再現性も確保したレーザの寸法を
実現し、良好な特性を得るようにするものである。
【００１１】即ち本発明は、基板上に窒化物系化合物半
導体層を積層してなる窒化物系化合物半導体レーザであ
って、活性層を含むメサの外側を埋め込み層で埋め込
み、接合面と平行方向に屈折率差を利用して作り付けら
れた第１の導波構造と、発振光に対して損失を有する材
料、又は第１の導波構造を形成する埋め込み層とは異な
る屈折率を有する材料からなり、第１の導波構造の外側
に形成された第２の導波構造とを具備してなることを特
徴とする。
導体層を積層してなる窒化物系化合物半導体レーザであ
って、活性層を含むメサの外側を埋め込み層で埋め込
み、接合面と平行方向に屈折率差を利用して作り付けら
れた第１の導波構造と、発振光に対して損失を有する材
料、又は第１の導波構造を形成する埋め込み層とは異な
る屈折率を有する材料からなり、第１の導波構造の外側
に形成された第２の導波構造とを具備してなることを特
徴とする。
【００１２】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は次のものがあげられる。 (1) 第１の導波構造と第２の導波構造との間隔、即ち第
１の導波構造における埋め込み層の接合面と平行な方向
の厚さを、１〜１０μｍの範囲に設定したこと。 (2) 第１の導波構造と第２の導波構造との間隔、即ち第
１の導波構造における埋め込み層の接合面と平行な方向
の厚さを、１〜４μｍの範囲に設定したこと。
は次のものがあげられる。 (1) 第１の導波構造と第２の導波構造との間隔、即ち第
１の導波構造における埋め込み層の接合面と平行な方向
の厚さを、１〜１０μｍの範囲に設定したこと。 (2) 第１の導波構造と第２の導波構造との間隔、即ち第
１の導波構造における埋め込み層の接合面と平行な方向
の厚さを、１〜４μｍの範囲に設定したこと。
【００１３】(3) 第２の導波構造は、基本横モード以外
の高次のモードに対して大きな損失を有するように形成
されていること。 (4) 第１の導波構造は、反導波型の導波構造であるこ
と。
の高次のモードに対して大きな損失を有するように形成
されていること。 (4) 第１の導波構造は、反導波型の導波構造であるこ
と。
【００１４】(5) 第１の導波構造が半導体層から形成さ
れており、第２の導波構造が半導体以外の材料から形成
されていること。 (6) 第１の導波構造及び第２の導波構造共に、半導体層
から形成されていること。
れており、第２の導波構造が半導体以外の材料から形成
されていること。 (6) 第１の導波構造及び第２の導波構造共に、半導体層
から形成されていること。
【００１５】(7) 窒化物系化合物半導体層は、Ｉｎx Ａ
ｌy Ｇａz Ｎ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１）
であること。 (8) 基板は、サファイア又はＳｉＣであること。
ｌy Ｇａz Ｎ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１）
であること。 (8) 基板は、サファイア又はＳｉＣであること。
【００１６】（作用）本発明によれば、第１の導波構造
の外側に第２の導波構造を設け、この第２の導波構造に
より基本横モード以外の高次のモードに大きな損失を持
与えるか、モードが立ちにくくしているので、基本モー
ドに損失を与えることなく高次モードをカットオフする
ことができる。そしてこの場合、メサ幅を極端に狭くし
なくても高次モードがカットオフとなることから、メサ
幅は十分広くでき、歩留まりの向上と共に素子抵抗の低
減をはかることができる。さらに、基本モードは損失を
受けないため、しきい値が上昇する不都合もない。従っ
て、プロセスの再現性に優れ製造が優しく、低しきい値
動作が可能となり、その有用性は大である。
の外側に第２の導波構造を設け、この第２の導波構造に
より基本横モード以外の高次のモードに大きな損失を持
与えるか、モードが立ちにくくしているので、基本モー
ドに損失を与えることなく高次モードをカットオフする
ことができる。そしてこの場合、メサ幅を極端に狭くし
なくても高次モードがカットオフとなることから、メサ
幅は十分広くでき、歩留まりの向上と共に素子抵抗の低
減をはかることができる。さらに、基本モードは損失を
受けないため、しきい値が上昇する不都合もない。従っ
て、プロセスの再現性に優れ製造が優しく、低しきい値
動作が可能となり、その有用性は大である。
【００１７】また、第１の導波構造を反導波構造とする
ことで、さらにプロセスの許容度を確保することができ
る。また、半導体層により導波構造を形成することで自
己整合型のプロセスを可能にしたり、一部半導体以外の
材料を適宜採用することで再成長などを省略化すること
も可能となる。
ことで、さらにプロセスの許容度を確保することができ
る。また、半導体層により導波構造を形成することで自
己整合型のプロセスを可能にしたり、一部半導体以外の
材料を適宜採用することで再成長などを省略化すること
も可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によつて説明する。 （第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図であ
る。
形態によつて説明する。 （第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図であ
る。
【００１９】各窒化物層は全てＭＯＣＶＤ法（有機金属
気相成長法）により成長を行った。成長条件に関して、
圧力は常圧、バッファ層以外のＧａＮ，ＡｌＧａＮ層の
成長は、基本的には窒素，水素，アンモニアを混合した
雰囲気で１０００℃から１１００℃の範囲、活性層を含
む成長は、窒素とアンモニア雰囲気で７００℃から８５
０℃の範囲とした。
気相成長法）により成長を行った。成長条件に関して、
圧力は常圧、バッファ層以外のＧａＮ，ＡｌＧａＮ層の
成長は、基本的には窒素，水素，アンモニアを混合した
雰囲気で１０００℃から１１００℃の範囲、活性層を含
む成長は、窒素とアンモニア雰囲気で７００℃から８５
０℃の範囲とした。
【００２０】図中１１はサファイア基板であり、１２は
低温成長（５５０℃）のＧａＮバッファ層（厚さ０．０
３μｍ）である。１３は高温（１１００℃）で成長した
ｎ−ＧａＮコンタクト層（Ｓｉドープ；５×１０18ｃｍ
-3、厚さ３μｍ）、１４はＡｌ／Ｔｉ／Ａｕからなるｎ
側電極、１５はｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層（Ｓ
ｉドープ；１×１０18ｃｍ-3、厚さ０．３２μｍ）であ
る。１６は多重量子井戸構造（ＭＱＷ）と光ガイド層を
含む活性層部であり、厚さ０．０５μｍのＧａＮからな
る光ガイド層を有し、井戸層は３ｎｍ厚のＩｎ0.20Ｇａ
0.80Ｎの５層からなり、バリヤ層は厚さ６ｎｍのＩｎ
0.03Ｇａ0.97Ｎから構成される。
低温成長（５５０℃）のＧａＮバッファ層（厚さ０．０
３μｍ）である。１３は高温（１１００℃）で成長した
ｎ−ＧａＮコンタクト層（Ｓｉドープ；５×１０18ｃｍ
-3、厚さ３μｍ）、１４はＡｌ／Ｔｉ／Ａｕからなるｎ
側電極、１５はｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層（Ｓ
ｉドープ；１×１０18ｃｍ-3、厚さ０．３２μｍ）であ
る。１６は多重量子井戸構造（ＭＱＷ）と光ガイド層を
含む活性層部であり、厚さ０．０５μｍのＧａＮからな
る光ガイド層を有し、井戸層は３ｎｍ厚のＩｎ0.20Ｇａ
0.80Ｎの５層からなり、バリヤ層は厚さ６ｎｍのＩｎ
0.03Ｇａ0.97Ｎから構成される。
【００２１】１７はｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層
（Ｍｇドープ；５×１０19ｃｍ-3、厚さ０．３５μ
ｍ）、１８はｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層（Ｍｇドー
プ；５×１０19ｃｍ-3、厚さ０．３μｍ）である。１９
は再成長により形成したｐーＧａＮ埋め込みコンタクト
層（Ｍｇドープ；８×１０19ｃｍ-3、厚さ０．８μｍ）
であり、最上部を高濃度化（Ｍｇドープ；２×１０20ｃ
ｍ-3、厚さ０．１μｍ）している。２０はＰｔ／Ｔｉ／
Ｐｔ／Ａｕからなるｐ側電極、２１はＳｉＯ2 誘電体
膜、２２はＡｕ電極パッド。なお、サファイア基板１１
には（０００１）ｃ面を用いており、レーザミラーはへ
き開により形成している。
（Ｍｇドープ；５×１０19ｃｍ-3、厚さ０．３５μ
ｍ）、１８はｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層（Ｍｇドー
プ；５×１０19ｃｍ-3、厚さ０．３μｍ）である。１９
は再成長により形成したｐーＧａＮ埋め込みコンタクト
層（Ｍｇドープ；８×１０19ｃｍ-3、厚さ０．８μｍ）
であり、最上部を高濃度化（Ｍｇドープ；２×１０20ｃ
ｍ-3、厚さ０．１μｍ）している。２０はＰｔ／Ｔｉ／
Ｐｔ／Ａｕからなるｐ側電極、２１はＳｉＯ2 誘電体
膜、２２はＡｕ電極パッド。なお、サファイア基板１１
には（０００１）ｃ面を用いており、レーザミラーはへ
き開により形成している。
【００２２】本構造を実現するには、図中１２から１８
までの結晶成長後、光リソグラフィ技術とドライエッチ
ング技術を用いて図中１６〜１８が示すような第１のメ
サを形成後、１９，２０の層を再成長した。その後、光
リソグラフィ技術とドライエッチング技術を繰り返し用
いて、第１のメサの外側に第２のメサを形成し、さらに
開口部を有する誘電体膜２１上に電極パッド２２を形成
し、コンタクト層１３上にｎ側電極１４を形成した。
までの結晶成長後、光リソグラフィ技術とドライエッチ
ング技術を用いて図中１６〜１８が示すような第１のメ
サを形成後、１９，２０の層を再成長した。その後、光
リソグラフィ技術とドライエッチング技術を繰り返し用
いて、第１のメサの外側に第２のメサを形成し、さらに
開口部を有する誘電体膜２１上に電極パッド２２を形成
し、コンタクト層１３上にｎ側電極１４を形成した。
【００２３】ここで、接合面と平行な方向において、第
１及び第２のメサ、即ち第１のメサと埋め込みコンタク
ト層１９で第１の導波構造が形成され、電極パッド２２
で第２の導波構造が形成されることになる。第１の導波
構造における第１のメサの幅、即ち残した活性層の幅は
３μｍ、外側のメサ（第２のメサ）の幅は６μｍとし
た。第２のメサの外側には電極パッド２２としてのＡｕ
が接触している。
１及び第２のメサ、即ち第１のメサと埋め込みコンタク
ト層１９で第１の導波構造が形成され、電極パッド２２
で第２の導波構造が形成されることになる。第１の導波
構造における第１のメサの幅、即ち残した活性層の幅は
３μｍ、外側のメサ（第２のメサ）の幅は６μｍとし
た。第２のメサの外側には電極パッド２２としてのＡｕ
が接触している。
【００２４】本構造は、活性層部分のクラッドを含む実
効屈折率は第１のメサの埋め込み層であるＧａＮよりも
小さい、反導波構造となっている。活性層部分で定常解
として立つモード光は基本モード、高次モード共にＧａ
Ｎ部分にしみ出すが、高次モードは基本モードよりも外
側に広がるため、その外側のＡｕで吸収を受け、カット
オフとなる。導波構造よりも反導波構造の方が高次モー
ドの広がりが大きいため、メサ幅を広くかつ外側のメサ
との間隔も広く取れる。一方でしきい電流値自身は電流
注入面積を小さくした方がある範囲までは低減できるの
で、プロセスの精度を高めれば、内側のメサ幅は１μｍ
程度にまでは狭くできる。
効屈折率は第１のメサの埋め込み層であるＧａＮよりも
小さい、反導波構造となっている。活性層部分で定常解
として立つモード光は基本モード、高次モード共にＧａ
Ｎ部分にしみ出すが、高次モードは基本モードよりも外
側に広がるため、その外側のＡｕで吸収を受け、カット
オフとなる。導波構造よりも反導波構造の方が高次モー
ドの広がりが大きいため、メサ幅を広くかつ外側のメサ
との間隔も広く取れる。一方でしきい電流値自身は電流
注入面積を小さくした方がある範囲までは低減できるの
で、プロセスの精度を高めれば、内側のメサ幅は１μｍ
程度にまでは狭くできる。
【００２５】第１の導波構造と第２の導波構造の間隔、
即ち内側のメサと外側のメサの間隔（本実施形態ではＧ
ａＮ埋め込みコンタクト層１９の厚さとなる）は大きい
ほどプロセス許容度は増すが、しみ出した高次モード光
の電界強度が小さくなり過ぎるとカットオフが不可能と
なるため、適した領域が存在する。本実施形態のように
プロセスで作り付ける場合は１μｍ以上が再現性の上か
らも必要となり、上限としてカットオフが必要な１０μ
ｍ以下、更には発振波長の１０倍程度以下、約４μｍ以
下が望ましい。なお、後述するような自己整合型の場合
は下限条件は断面構造にも依存し、１μｍ以下の設定も
可能である。
即ち内側のメサと外側のメサの間隔（本実施形態ではＧ
ａＮ埋め込みコンタクト層１９の厚さとなる）は大きい
ほどプロセス許容度は増すが、しみ出した高次モード光
の電界強度が小さくなり過ぎるとカットオフが不可能と
なるため、適した領域が存在する。本実施形態のように
プロセスで作り付ける場合は１μｍ以上が再現性の上か
らも必要となり、上限としてカットオフが必要な１０μ
ｍ以下、更には発振波長の１０倍程度以下、約４μｍ以
下が望ましい。なお、後述するような自己整合型の場合
は下限条件は断面構造にも依存し、１μｍ以下の設定も
可能である。
【００２６】本実施形態では内側のメサ幅は３μｍの場
合、しきい値６５ｍＡで室温連続発振した。発振波長は
４１５ｎｍ、動作電圧は５．５Ｖであった。メサ幅を１
μｍとした場合、しきい値は３５ｍＡまで下がったが動
作電圧は７Ｖまで上昇した。ビーム特性は単峰であり、
非点隔差は５μｍと十分小さな値が得られた。最高光出
力は連続発振で１０ｍＷまで得られ、信頼性に関しても
室温で１０００時間以上安定に動作した。
合、しきい値６５ｍＡで室温連続発振した。発振波長は
４１５ｎｍ、動作電圧は５．５Ｖであった。メサ幅を１
μｍとした場合、しきい値は３５ｍＡまで下がったが動
作電圧は７Ｖまで上昇した。ビーム特性は単峰であり、
非点隔差は５μｍと十分小さな値が得られた。最高光出
力は連続発振で１０ｍＷまで得られ、信頼性に関しても
室温で１０００時間以上安定に動作した。
【００２７】これらの特性は、基板は下のままヒートシ
ンクにボンディングした構造で得られた。実際のプロセ
スでは内側のメサは必ずしも外側のメサの中心に位置せ
ず、フォトリソグラフィプロセスの際の位置ずれによ
り、偏心することもあるが、高次モードが立ちにくい方
向となるので素子特性上、大きな問題は生じない。
ンクにボンディングした構造で得られた。実際のプロセ
スでは内側のメサは必ずしも外側のメサの中心に位置せ
ず、フォトリソグラフィプロセスの際の位置ずれによ
り、偏心することもあるが、高次モードが立ちにくい方
向となるので素子特性上、大きな問題は生じない。
【００２８】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す
断面図である。ここではメサ構造付近の構造を拡大して
示している。また、図１と同一部分には同一符号を付し
て、その詳しい説明は省略する。
の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す
断面図である。ここではメサ構造付近の構造を拡大して
示している。また、図１と同一部分には同一符号を付し
て、その詳しい説明は省略する。
【００２９】各窒化物層は、全て第１の実施形態と同様
に、ＭＯＣＶＤ法により成長を行った。成長条件等も同
様である。そして、図中の１３〜２０までの各窒化物層
の形成を行った後に、第２のメサはチャネル型に掘り込
むことで形成した。誘電体膜２１及び電極パッド２２も
第１の実施形態と同様にして形成した。
に、ＭＯＣＶＤ法により成長を行った。成長条件等も同
様である。そして、図中の１３〜２０までの各窒化物層
の形成を行った後に、第２のメサはチャネル型に掘り込
むことで形成した。誘電体膜２１及び電極パッド２２も
第１の実施形態と同様にして形成した。
【００３０】本実施形態では、レーザ構造のｐ側部分は
比較的平坦にすることができる。そして、このレーザを
接合面（ｐ側）をヒートシンクにマウントしたところ、
しきい電流値やビーム特性は第１の実施形態と同様であ
ったが、最高連続発振温度は５０℃から８０℃まで高く
することができた。信頼性試験も高温で試すことが可能
となり、５０℃で１０００時間以上安定に動作するのを
確認した。
比較的平坦にすることができる。そして、このレーザを
接合面（ｐ側）をヒートシンクにマウントしたところ、
しきい電流値やビーム特性は第１の実施形態と同様であ
ったが、最高連続発振温度は５０℃から８０℃まで高く
することができた。信頼性試験も高温で試すことが可能
となり、５０℃で１０００時間以上安定に動作するのを
確認した。
【００３１】（第３の実施形態）図３は、本発明の第３
の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す
断面図である。ここでも第２の実施形態と同様に、メサ
構造付近の構造を拡大して示している。また、図１と同
一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略す
る。
の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す
断面図である。ここでも第２の実施形態と同様に、メサ
構造付近の構造を拡大して示している。また、図１と同
一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略す
る。
【００３２】各窒化物層は、全て第１、第２の実施形態
と同様に、ＭＯＣＶＤ法により成長を行った。成長条件
等も同様である。本実施形態では、第２の実施形態と同
様に第２のメサをチャネル型に掘り込むことで形成した
が、これに加えてチャネル内にＺｎＯ膜２３を形成し、
これを第２の導波路構造として用いた。
と同様に、ＭＯＣＶＤ法により成長を行った。成長条件
等も同様である。本実施形態では、第２の実施形態と同
様に第２のメサをチャネル型に掘り込むことで形成した
が、これに加えてチャネル内にＺｎＯ膜２３を形成し、
これを第２の導波路構造として用いた。
【００３３】即ち、Ａｕパッド２２を形成する前に全面
にＺｎＯ膜２３をスピンコートにより形成し、ＲＩＥに
よりバックエッチングすることでチャネル中のみにＺｎ
Ｏ膜２３を残した。ここで、ＺｎＯのバンドギャップは
３．３５ｅＶとＧａＮと類似であるが、スピンコートに
よる膜形成ではバンドギャップにだれを生じ、発振波長
光に適度な吸収を持たせることができる。
にＺｎＯ膜２３をスピンコートにより形成し、ＲＩＥに
よりバックエッチングすることでチャネル中のみにＺｎ
Ｏ膜２３を残した。ここで、ＺｎＯのバンドギャップは
３．３５ｅＶとＧａＮと類似であるが、スピンコートに
よる膜形成ではバンドギャップにだれを生じ、発振波長
光に適度な吸収を持たせることができる。
【００３４】本実施形態では、非常に横モードの制御性
が良くなり、キンクなどのモードの不安定性は殆ど観察
されなかった。これは、Ａｕを用いて高次モードに吸収
を持たせるよりも、ＺｎＯを用いることにより吸収がよ
り大きくなったためと考えられる。この吸収層はスピン
コートで形成するポリイミドなど有機系のものでも良
い。また、ＣＶＤ法によりポリＳｉなどをつけても良
く、Ｗ，Ｍｏなどの金属を用いても良い。本構造では種
々の吸収層が適用可能である。
が良くなり、キンクなどのモードの不安定性は殆ど観察
されなかった。これは、Ａｕを用いて高次モードに吸収
を持たせるよりも、ＺｎＯを用いることにより吸収がよ
り大きくなったためと考えられる。この吸収層はスピン
コートで形成するポリイミドなど有機系のものでも良
い。また、ＣＶＤ法によりポリＳｉなどをつけても良
く、Ｗ，Ｍｏなどの金属を用いても良い。本構造では種
々の吸収層が適用可能である。
【００３５】（第４の実施形態）図４は、本発明の第４
の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す
断面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。
の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す
断面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。
【００３６】本実施形態が第１の実施形態と異なる点
は、第１のメサの埋め込みをＧａＮコンタクト層１９で
はなく、ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ層２４（Ｍｇドープ；
５×１０19ｃｍ-3、厚さ０．４５μｍ）で行ったことに
ある。このｐ−ＡｌＧａＮ埋め込み層２４はｐ−ＧａＮ
コンタクト層１９を成長する前に第１のメサ上にＳｉＯ
2 ストライプを残し、選択成長を行うことで形成した。
は、第１のメサの埋め込みをＧａＮコンタクト層１９で
はなく、ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ層２４（Ｍｇドープ；
５×１０19ｃｍ-3、厚さ０．４５μｍ）で行ったことに
ある。このｐ−ＡｌＧａＮ埋め込み層２４はｐ−ＧａＮ
コンタクト層１９を成長する前に第１のメサ上にＳｉＯ
2 ストライプを残し、選択成長を行うことで形成した。
【００３７】また、ｐ−ＡｌＧａＮ埋め込み層２４を形
成したことにより、ｐ−ＧａＮコンタクト層１９の厚さ
は０．５μｍと第１の実施形態よりも薄くした。さら
に、第１の導波構造における第１のメサの幅、即ち残し
た活性層１６の幅は１．５μｍ、外側のメサ（第２のメ
サ）の幅は３μｍとした。
成したことにより、ｐ−ＧａＮコンタクト層１９の厚さ
は０．５μｍと第１の実施形態よりも薄くした。さら
に、第１の導波構造における第１のメサの幅、即ち残し
た活性層１６の幅は１．５μｍ、外側のメサ（第２のメ
サ）の幅は３μｍとした。
【００３８】本実施形態では、活性層部分のクラッドを
含む実効屈折率は第１のメサの埋め込み層であるＡｌＧ
ａＮよりも大きい、導波構造となっている。そしてこの
場合、しきい値２５ｍＡで室温連続発振した。発振波長
は４１５ｎｍ、動作電圧は５．５Ｖであった。ビーム特
性は単峰であり、非点隔差は３μｍと十分小さな値が得
られた。最高光出力は連続発振で１０ｍＷまで得られ、
信頼性に関しても室温で１０００時間以上安定に動作し
た。
含む実効屈折率は第１のメサの埋め込み層であるＡｌＧ
ａＮよりも大きい、導波構造となっている。そしてこの
場合、しきい値２５ｍＡで室温連続発振した。発振波長
は４１５ｎｍ、動作電圧は５．５Ｖであった。ビーム特
性は単峰であり、非点隔差は３μｍと十分小さな値が得
られた。最高光出力は連続発振で１０ｍＷまで得られ、
信頼性に関しても室温で１０００時間以上安定に動作し
た。
【００３９】これらの特性は、基板は下のままヒートシ
ンクにボンディングした構造で得られた。本実施形態で
は、埋め込み層をｐ−ＡｌＧａＮとしたためｎ−ＡｌＧ
ａＮとの接合でのビルトインポテンシャルが大きくな
り、活性層外側でのリーク電流を低減できる。また、埋
め込み層のＡｌＧａＮはＺｎなどをドープした高抵抗層
としても良い。
ンクにボンディングした構造で得られた。本実施形態で
は、埋め込み層をｐ−ＡｌＧａＮとしたためｎ−ＡｌＧ
ａＮとの接合でのビルトインポテンシャルが大きくな
り、活性層外側でのリーク電流を低減できる。また、埋
め込み層のＡｌＧａＮはＺｎなどをドープした高抵抗層
としても良い。
【００４０】（第５の実施形態）図５は、本発明の第５
の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す
断面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。
の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す
断面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。
【００４１】図中の１１〜２２は第１の実施形態で説明
したのと同じであり、２５はＺｎドープの高抵抗ＧａＮ
埋め込み層である。但し、Ａｕ電極パッド２２はｐ側電
極を兼ねている。製造方法は今までの実施形態と類似で
ある。メサの幅、即ち残した活性層１６の幅は２μｍと
した。本構造は、活性層部分のクラッドを含む実効屈折
率はメサの埋め込み層２５であるＧａＮよりも小さい、
反導波構造となっている。
したのと同じであり、２５はＺｎドープの高抵抗ＧａＮ
埋め込み層である。但し、Ａｕ電極パッド２２はｐ側電
極を兼ねている。製造方法は今までの実施形態と類似で
ある。メサの幅、即ち残した活性層１６の幅は２μｍと
した。本構造は、活性層部分のクラッドを含む実効屈折
率はメサの埋め込み層２５であるＧａＮよりも小さい、
反導波構造となっている。
【００４２】本実施形態では、外側のメサをわざわざ設
けず、ｎ面を出すためのメサと活性層を１．５μｍまで
近接させた。活性層部分からしみ出した高次モードはｎ
面メサの外側のＡｕで吸収を受け、カットオフとなる。
このような非対称の吸収層設定であるが、高次モードを
立ちにくくする観点では問題ない。
けず、ｎ面を出すためのメサと活性層を１．５μｍまで
近接させた。活性層部分からしみ出した高次モードはｎ
面メサの外側のＡｕで吸収を受け、カットオフとなる。
このような非対称の吸収層設定であるが、高次モードを
立ちにくくする観点では問題ない。
【００４３】本実施形態では、しきい値７０ｍＡで室温
連続発振した。発振波長は４１５ｎｍ、動作電圧は５．
５Ｖであった。本実施形態はプロセス上、ｎ面出しメサ
を第２のメサと兼ねられるため大幅に工程を短縮でき
た。
連続発振した。発振波長は４１５ｎｍ、動作電圧は５．
５Ｖであった。本実施形態はプロセス上、ｎ面出しメサ
を第２のメサと兼ねられるため大幅に工程を短縮でき
た。
【００４４】（第６の実施形態）図６は、本発明の第６
の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す
断面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。
の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す
断面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。
【００４５】本実施形態では、第１のメサの埋め込みを
２６，２７，２８で行っている。即ち、第１のメサを形
成した後に、メサ上にＳｉＯ2 を残し、選択成長により
自己整合的に順次ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎの埋め込み層
２６，ｎ−Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8Ｎ電流狭窄・光吸収層２
７，ＧａＮ電流狭窄層２８を形成することにより得られ
る。ここで、２６は基本モード用の低屈折率層として、
２７は高次モード用の光吸収層として、２８は電流狭窄
の安定性のために設けたものである。
２６，２７，２８で行っている。即ち、第１のメサを形
成した後に、メサ上にＳｉＯ2 を残し、選択成長により
自己整合的に順次ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎの埋め込み層
２６，ｎ−Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8Ｎ電流狭窄・光吸収層２
７，ＧａＮ電流狭窄層２８を形成することにより得られ
る。ここで、２６は基本モード用の低屈折率層として、
２７は高次モード用の光吸収層として、２８は電流狭窄
の安定性のために設けたものである。
【００４６】本実施形態では、第１のメサを形成した後
に、ｐ−ＡｌＧａＮの埋め込み層２６，ｎ−ＩｎＧａＮ
電流狭窄・光吸収層２７，ＧａＮ電流狭窄層２８を形成
することにより、第１のメサの両側に、基本モード用の
低屈折率層と高次モード用の光吸収層を作り付けること
ができた。メサの幅、即ち残した活性層１６の幅は２μ
ｍとした。本構造は、活性層部分のクラッドを含む実効
屈折率はメサの埋め込み層であるＡｌＧａＮよりも大き
い、導波構造となっている。
に、ｐ−ＡｌＧａＮの埋め込み層２６，ｎ−ＩｎＧａＮ
電流狭窄・光吸収層２７，ＧａＮ電流狭窄層２８を形成
することにより、第１のメサの両側に、基本モード用の
低屈折率層と高次モード用の光吸収層を作り付けること
ができた。メサの幅、即ち残した活性層１６の幅は２μ
ｍとした。本構造は、活性層部分のクラッドを含む実効
屈折率はメサの埋め込み層であるＡｌＧａＮよりも大き
い、導波構造となっている。
【００４７】本実施形態では、しきい値３０ｍＡで室温
連続発振した。発振波長は４１５ｎｍ、動作電圧は５．
５Ｖであった。本実施形態は、プロセス上の再現性に著
しい再現性と工程数低減をもたらした。
連続発振した。発振波長は４１５ｎｍ、動作電圧は５．
５Ｖであった。本実施形態は、プロセス上の再現性に著
しい再現性と工程数低減をもたらした。
【００４８】（第７の実施形態）図７は、本発明の第７
の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す
断面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。
の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す
断面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。
【００４９】本実施形態が第６の実施形態と異なる点
は、ｐ−ＡｌＧａＮの埋め込み層２６の代わりにｐ−Ｇ
ａＮの埋め込み層２９を用いたことにある。メサの幅、
即ち残した活性層１６の幅は３μｍとした。本構造は、
活性層部分のクラッドを含む実効屈折率はメサの埋め込
み層であるＧａＮよりも小さい、反導波構造となってい
る。
は、ｐ−ＡｌＧａＮの埋め込み層２６の代わりにｐ−Ｇ
ａＮの埋め込み層２９を用いたことにある。メサの幅、
即ち残した活性層１６の幅は３μｍとした。本構造は、
活性層部分のクラッドを含む実効屈折率はメサの埋め込
み層であるＧａＮよりも小さい、反導波構造となってい
る。
【００５０】本実施形態でも、第１のメサを形成後、メ
サ上にＳｉＯ2 を残し、選択成長により自己整合的に順
次、２９，２７，２８と基本モード制御用の埋め込み層
と、高次モード用の光吸収層をメサ側面に精度良く作り
付けることができた。
サ上にＳｉＯ2 を残し、選択成長により自己整合的に順
次、２９，２７，２８と基本モード制御用の埋め込み層
と、高次モード用の光吸収層をメサ側面に精度良く作り
付けることができた。
【００５１】本実施形態では、しきい値３８ｍＡで室温
連続発振した。発振波長は４１５ｎｍ、動作電圧は４．
５Ｖであった。本実施形態も第６の実施形態と同様に、
プロセス上の再現性に著しい再現性と工程数低減をもた
らした。
連続発振した。発振波長は４１５ｎｍ、動作電圧は４．
５Ｖであった。本実施形態も第６の実施形態と同様に、
プロセス上の再現性に著しい再現性と工程数低減をもた
らした。
【００５２】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではない。実施形態では基板としてサファイ
アを用いたが、これに限らず単結晶であればＳｉＣなど
も適用可能で、さらにII−VI族化合物半導体、Ｓｉ，Ｇ
ｅなどを用いても良い。実施形態では、対象層をＡｌＧ
ａＮ等の窒化ガリウム系材料として記述したが、Ｉｎ，
Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃ，Ｎｉなどの元素を混晶にならない不純
物程度の量、含んでいても良い。さらに、必ずしも基板
側をｎ型にする必要はなく、ｐ，ｎ導電型を全て逆にし
てもよい。
されるものではない。実施形態では基板としてサファイ
アを用いたが、これに限らず単結晶であればＳｉＣなど
も適用可能で、さらにII−VI族化合物半導体、Ｓｉ，Ｇ
ｅなどを用いても良い。実施形態では、対象層をＡｌＧ
ａＮ等の窒化ガリウム系材料として記述したが、Ｉｎ，
Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃ，Ｎｉなどの元素を混晶にならない不純
物程度の量、含んでいても良い。さらに、必ずしも基板
側をｎ型にする必要はなく、ｐ，ｎ導電型を全て逆にし
てもよい。
【００５３】実施形態では、活性層までエッチングして
メサを形成し、メサ側部を埋め込むいわゆるＢＨ構造を
中心に詳述したが、活性層をエッチングせず、活性層面
より上の導波構造を用いる構造としても良い。さらに、
発光部上のクラッドを凹部にエッチングし高屈折率層で
埋め込む構造に適用も可能である。また、高次モードに
吸収を与える層、構造もレーザのしきい値に悪影響を与
えないものであれば種々の適用が可能である。さらに
は、導波路構造、受光素子、トランジスタなどの光デバ
イス分野へも適用が可能である。その他、本発明の要旨
を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
メサを形成し、メサ側部を埋め込むいわゆるＢＨ構造を
中心に詳述したが、活性層をエッチングせず、活性層面
より上の導波構造を用いる構造としても良い。さらに、
発光部上のクラッドを凹部にエッチングし高屈折率層で
埋め込む構造に適用も可能である。また、高次モードに
吸収を与える層、構造もレーザのしきい値に悪影響を与
えないものであれば種々の適用が可能である。さらに
は、導波路構造、受光素子、トランジスタなどの光デバ
イス分野へも適用が可能である。その他、本発明の要旨
を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
【００５４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、基
本横モードを得るための導波構造とは別に高次のモード
をカットオフするための導波構造を別に作り付け、基本
モードと高次モードを選択的に制御することによって、
メサ幅は十分広く取れ、素子抵抗が十分に低く、製造方
法も簡単な優れた窒化ガリウム系横モード型半導体レー
ザが実現できる。この半導体レーザは、低しきい値化が
可能で、ビーム特性も良く、信頼性も大幅に向上するこ
とから、その有用性は絶大である。
本横モードを得るための導波構造とは別に高次のモード
をカットオフするための導波構造を別に作り付け、基本
モードと高次モードを選択的に制御することによって、
メサ幅は十分広く取れ、素子抵抗が十分に低く、製造方
法も簡単な優れた窒化ガリウム系横モード型半導体レー
ザが実現できる。この半導体レーザは、低しきい値化が
可能で、ビーム特性も良く、信頼性も大幅に向上するこ
とから、その有用性は絶大である。
【図１】第１の実施形態に係わる青色半導体レーザの概
略構成を示す断面図。
略構成を示す断面図。
【図２】第２の実施形態に係わる青色半導体レーザの概
略構成を示す断面図。
略構成を示す断面図。
【図３】第３の実施形態に係わる青色半導体レーザの概
略構成を示す断面図。
略構成を示す断面図。
【図４】第４の実施形態に係わる青色半導体レーザの概
略構成を示す断面図。
略構成を示す断面図。
【図５】第５の実施形態に係わる青色半導体レーザの概
略構成を示す断面図。
略構成を示す断面図。
【図６】第６の実施形態に係わる青色半導体レーザの概
略構成を示す断面図。
略構成を示す断面図。
【図７】第７の実施形態に係わる青色半導体レーザの概
略構成を示す断面図。
略構成を示す断面図。
１１…サファイア基板 １２…ＧａＮバッファ層 １３…ｎ−ＧａＮコンタクト層 １４…ｎ側電極 １５…ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 １６…ＭＱＷ及び光ガイド層を含む活性層部 １７…ｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 １８…ｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層 １９…ｐ−ＧａＮコンタクト層 ２０…ｐ側電極 ２１…ＳｉＯ2 誘電体膜 ２２…Ａｕ電極パッド ２３…ＺｎＯ埋め込み層 ２４…ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ埋め込み層 ２５…高抵抗ＧａＮ埋め込み層
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に窒化物系化合物半導体層を積層し
てなる窒化物系化合物半導体レーザであって、 活性層を含むメサの外側を埋め込み層で埋め込み、接合
面と平行方向に屈折率差を利用して作り付けられた第１
の導波構造と、発振光に対して損失を有する材料、又は
第１の導波構造を形成する埋め込み層とは異なる屈折率
を有する材料からなり、第１の導波構造の外側に形成さ
れた第２の導波構造とを具備してなることを特徴とする
窒化物系化合物半導体レーザ。 - 【請求項２】第１の導波構造における埋め込み層の接合
面と平行な方向の厚さを、１〜４μｍの範囲に設定した
ことを特徴とする請求項１記載の窒化物系化合物半導体
レーザ。 - 【請求項３】第２の導波構造は、基本横モード以外の高
次のモードに対して大きな損失を有するように形成され
ていることを特徴とする請求項１記載の窒化物系化合物
半導体レーザ。 - 【請求項４】第１の導波構造は、反導波型の導波構造で
あることを特徴とする請求項１記載の窒化物系化合物半
導体レーザ。 - 【請求項５】第１の導波構造が半導体層から形成されて
おり、第２の導波構造が半導体層又は半導体以外の材料
から形成されていることを特徴とする請求項１記載の窒
化物系化合物半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23488397A JP3617910B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 窒化物系化合物半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23488397A JP3617910B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 窒化物系化合物半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174605A true JPH1174605A (ja) | 1999-03-16 |
| JP3617910B2 JP3617910B2 (ja) | 2005-02-09 |
Family
ID=16977823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23488397A Expired - Fee Related JP3617910B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 窒化物系化合物半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3617910B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001111171A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-20 | Xerox Corp | 自己整合インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザ構造 |
| JP2001148545A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-05-29 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| US7450622B2 (en) | 2001-07-27 | 2008-11-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same |
| JP2012089895A (ja) * | 1999-09-29 | 2012-05-10 | Xerox Corp | インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザダイオード構造 |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP23488397A patent/JP3617910B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001148545A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-05-29 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2001111171A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-20 | Xerox Corp | 自己整合インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザ構造 |
| JP2012089895A (ja) * | 1999-09-29 | 2012-05-10 | Xerox Corp | インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザダイオード構造 |
| US7450622B2 (en) | 2001-07-27 | 2008-11-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3617910B2 (ja) | 2005-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6185238B1 (en) | Nitride compound semiconductor laser and its manufacturing method | |
| US6741623B2 (en) | Semiconductor device, semiconductor laser, their manufacturing methods and etching methods | |
| US7830930B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| US20130301667A1 (en) | Semiconductor laser device and manufacturing method of the same | |
| JP5507792B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体光素子 | |
| JPH0818160A (ja) | 半導体レーザ素子及びその設計方法 | |
| JP3678399B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ装置 | |
| JP3864634B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JP3946337B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ | |
| JP3655066B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2003179311A (ja) | ＧａＮ系半導体レーザ素子及びその作製方法 | |
| JP3617910B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体レーザ | |
| JPH11506273A (ja) | 最高３０％のアルミニウムを含む半導体材料又はアルミニウムを含まない半導体材料から成る個別の閉じ込め層を有する放射放出半導体ダイオード | |
| JP3300657B2 (ja) | 化合物半導体レーザ装置 | |
| JP3892637B2 (ja) | 半導体光デバイス装置 | |
| JP2001068789A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2001345516A (ja) | 半導体光デバイス装置 | |
| JP3805295B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ | |
| JPH11330607A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2001102690A (ja) | 窒化物系半導体レーザ装置 | |
| JPH1098234A (ja) | 半導体レーザ，及びその製造方法 | |
| JP2001057458A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3872627B2 (ja) | マルチビーム型半導体光デバイス装置 | |
| JP3292787B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP2000223779A (ja) | 窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040412 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040511 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040712 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041102 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041105 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071119 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081119 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111119 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121119 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |