JPH1174452A - パワーモジュール - Google Patents
パワーモジュールInfo
- Publication number
- JPH1174452A JPH1174452A JP16248598A JP16248598A JPH1174452A JP H1174452 A JPH1174452 A JP H1174452A JP 16248598 A JP16248598 A JP 16248598A JP 16248598 A JP16248598 A JP 16248598A JP H1174452 A JPH1174452 A JP H1174452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- base plate
- circuit pattern
- metal base
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体パワーモジュールにはノイズによる誤
動作や伝導・放射のノイズの発生といった課題があっ
た。 【解決手段】 モジュール内部に設けられた各種類毎の
ダイオード等のパワー素子を実装する金属基板の金属ベ
ース板を、その素子およびそれに繋がる回路パターンが
構成される領域毎に分割し、隣り合う領域間に絶縁層を
設ける、あるいはその領域間に金属ベース板と同電位を
有する他の回路パターンを上方に突出させて設けた。
動作や伝導・放射のノイズの発生といった課題があっ
た。 【解決手段】 モジュール内部に設けられた各種類毎の
ダイオード等のパワー素子を実装する金属基板の金属ベ
ース板を、その素子およびそれに繋がる回路パターンが
構成される領域毎に分割し、隣り合う領域間に絶縁層を
設ける、あるいはその領域間に金属ベース板と同電位を
有する他の回路パターンを上方に突出させて設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体応用機器
に搭載されるパワーモジュールに係るものであり、特に
複数のパワー素子を搭載するパワーモジュールより発生
する伝導・放射ノイズの低減およびモジュールの内部回
路の干渉を抑制することのできるパワーモジュールに関
するものである。
に搭載されるパワーモジュールに係るものであり、特に
複数のパワー素子を搭載するパワーモジュールより発生
する伝導・放射ノイズの低減およびモジュールの内部回
路の干渉を抑制することのできるパワーモジュールに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２０は、例えば特開平８−３３０６９
１号公報に示されたパワーモジュールの内部に搭載され
る従来の金属基板である。図において、２１は金属製基
材、２２は第１の回路パターン部、２３は第２の回路パ
ターン部、２４，２５は金属製基材２１の表面に設けら
れる絶縁層、２６は絶縁層２４，２５の間に配置される
シールド層、２７は第１の回路パターン部２２上に実装
されるパルス動作部、２８は第２の回路パターン部２３
上に実装される非パルス動作部、２９はシールド層２６
を接地レベルに接続するスルーホール接続部である。こ
こで、パワーモジュールとは、複数個の半導体チップす
なわちパワー素子を特定の結線に構成して１つのパッケ
ージに組み込んだものであり、ダイオード、サイリス
タ、トランジスタなどのパワー素子を用いた各種の電
圧、電流、結線のものがある。
１号公報に示されたパワーモジュールの内部に搭載され
る従来の金属基板である。図において、２１は金属製基
材、２２は第１の回路パターン部、２３は第２の回路パ
ターン部、２４，２５は金属製基材２１の表面に設けら
れる絶縁層、２６は絶縁層２４，２５の間に配置される
シールド層、２７は第１の回路パターン部２２上に実装
されるパルス動作部、２８は第２の回路パターン部２３
上に実装される非パルス動作部、２９はシールド層２６
を接地レベルに接続するスルーホール接続部である。こ
こで、パワーモジュールとは、複数個の半導体チップす
なわちパワー素子を特定の結線に構成して１つのパッケ
ージに組み込んだものであり、ダイオード、サイリス
タ、トランジスタなどのパワー素子を用いた各種の電
圧、電流、結線のものがある。
【０００３】次に動作について説明する。上記の構成に
よれば、金属製基材２１と回路パターン部２２，２３の
間に存在する浮遊容量を、シールド層２６により小さく
することができ、金属製基材２１に流れ込もうとするノ
イズがシールド層２６で遮断される。また、パルス動作
部品を、シールド層２６を介在させた回路パターン部２
２に搭載しているので、金属製基材２１へのノイズの混
入を遮断できる。また、金属製基材２１と第１の回路パ
ターン部２２の間に存在する浮遊容量をシールド層２６
により小さくすることができ、この部分から金属製基材
２１に流れ込もうとするノイズがシールド層２６により
遮断される。
よれば、金属製基材２１と回路パターン部２２，２３の
間に存在する浮遊容量を、シールド層２６により小さく
することができ、金属製基材２１に流れ込もうとするノ
イズがシールド層２６で遮断される。また、パルス動作
部品を、シールド層２６を介在させた回路パターン部２
２に搭載しているので、金属製基材２１へのノイズの混
入を遮断できる。また、金属製基材２１と第１の回路パ
ターン部２２の間に存在する浮遊容量をシールド層２６
により小さくすることができ、この部分から金属製基材
２１に流れ込もうとするノイズがシールド層２６により
遮断される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のパワーモジュー
ルに搭載される金属基板は以上のように構成されている
ので次のような課題があった。通常の絶縁層２４に加え
シールド層２６、さらに絶縁層２５を介してパワー素子
が実装されることになるので、パワー素子から発生する
熱の放熱が悪くなる。また、シールド層２６によりノイ
ズを遮断する構成となっているが、従来技術およびこの
発明で問題にしているノイズは金属ベース板すなわち金
属製基材２１が十分に接地電位に落ちていない場合に多
く発生するので、ここで設置されるシールド層２６も同
様な理由で十分に接地電位に落ちていない場合も想定さ
れる。この場合、シールド層２６が大きな面積で金属製
基材２１と対向し、この間に存在する絶縁層２４も放熱
性への影響を考えればあまり厚くできないので金属製基
材との間にある程度大きな浮遊容量が生じ、これにより
素子間のノイズが結合するおそれがある。また、絶縁層
２４，２５やシールド層２６が何層にも重なって構成さ
れるので構造が複雑となる。
ルに搭載される金属基板は以上のように構成されている
ので次のような課題があった。通常の絶縁層２４に加え
シールド層２６、さらに絶縁層２５を介してパワー素子
が実装されることになるので、パワー素子から発生する
熱の放熱が悪くなる。また、シールド層２６によりノイ
ズを遮断する構成となっているが、従来技術およびこの
発明で問題にしているノイズは金属ベース板すなわち金
属製基材２１が十分に接地電位に落ちていない場合に多
く発生するので、ここで設置されるシールド層２６も同
様な理由で十分に接地電位に落ちていない場合も想定さ
れる。この場合、シールド層２６が大きな面積で金属製
基材２１と対向し、この間に存在する絶縁層２４も放熱
性への影響を考えればあまり厚くできないので金属製基
材との間にある程度大きな浮遊容量が生じ、これにより
素子間のノイズが結合するおそれがある。また、絶縁層
２４，２５やシールド層２６が何層にも重なって構成さ
れるので構造が複雑となる。
【０００５】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、簡単な構成でパワーモジュール内
部に於ける素子および内部回路間の干渉による誤動作の
防止や伝導・放射ノイズの低減効果を実現するパワーモ
ジュールを得ることを目的とする。
めになされたもので、簡単な構成でパワーモジュール内
部に於ける素子および内部回路間の干渉による誤動作の
防止や伝導・放射ノイズの低減効果を実現するパワーモ
ジュールを得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るパワーモ
ジュールは、金属ベース板とこの上に形成された第１絶
縁層とからなる金属基板と、この金属基板上に形成され
た複数のパワー素子と、これらのパワー素子とそれぞれ
接続する第１回路パターンの群と、第１回路パターンが
形成された領域同士を電気的に分離するために介在する
第２絶縁層とを備えたものである。
ジュールは、金属ベース板とこの上に形成された第１絶
縁層とからなる金属基板と、この金属基板上に形成され
た複数のパワー素子と、これらのパワー素子とそれぞれ
接続する第１回路パターンの群と、第１回路パターンが
形成された領域同士を電気的に分離するために介在する
第２絶縁層とを備えたものである。
【０００７】この発明に係るパワーモジュールは、金属
ベース板とこの上に形成された第１絶縁層とからなる金
属基板と、この金属基板上に設けられた複数のパワー素
子と、これらのパワー素子とそれぞれ接続する第１回路
パターンの群と、第１回路パターンが形成された領域同
士を分離するように上方に突出して介在し金属ベース板
と同電位を有する第２回路パターンとを備えたものであ
る。
ベース板とこの上に形成された第１絶縁層とからなる金
属基板と、この金属基板上に設けられた複数のパワー素
子と、これらのパワー素子とそれぞれ接続する第１回路
パターンの群と、第１回路パターンが形成された領域同
士を分離するように上方に突出して介在し金属ベース板
と同電位を有する第２回路パターンとを備えたものであ
る。
【０００８】この発明に係るパワーモジュールは、金属
ベース板とこの上に形成された第１絶縁層とからなる金
属基板と、この金属基板上に設けられた複数のパワー素
子と、これらのパワー素子とそれぞれ接続する第１回路
パターンの群と、第１回路パターンが形成された領域同
士間に介在する第２絶縁層と、この第２絶縁層に隣接し
ながら上方に突出して前記領域間に介在し、金属ベース
板と同電位を有する第２回路パターンとを備えたもので
ある。
ベース板とこの上に形成された第１絶縁層とからなる金
属基板と、この金属基板上に設けられた複数のパワー素
子と、これらのパワー素子とそれぞれ接続する第１回路
パターンの群と、第１回路パターンが形成された領域同
士間に介在する第２絶縁層と、この第２絶縁層に隣接し
ながら上方に突出して前記領域間に介在し、金属ベース
板と同電位を有する第２回路パターンとを備えたもので
ある。
【０００９】この発明に係るパワーモジュールは、第２
回路パターンは第２絶縁層の両側に設けられるものであ
る。
回路パターンは第２絶縁層の両側に設けられるものであ
る。
【００１０】この発明に係るパワーモジュールは、金属
ベース板とこの上に形成された第１絶縁層とからなる金
属基板と、この上に形成された複数のパワー素子と、こ
れらのパワー素子とそれぞれ接続する第１回路パターン
の群とを備えたものであり、パワー素子および第１回路
パターンが形成された領域毎に第１絶縁層の厚みを可変
的に形成するものである。
ベース板とこの上に形成された第１絶縁層とからなる金
属基板と、この上に形成された複数のパワー素子と、こ
れらのパワー素子とそれぞれ接続する第１回路パターン
の群とを備えたものであり、パワー素子および第１回路
パターンが形成された領域毎に第１絶縁層の厚みを可変
的に形成するものである。
【００１１】この発明に係るパワーモジュールは、金属
ベース板とこの上に形成された第１絶縁層とからなる金
属基板と、この上に形成された複数のパワー素子と、こ
れらのパワー素子とそれぞれ接続する第１回路パターン
の群とを備えたものであり、パワー素子および第１回路
パターンが形成された領域毎に第１絶縁層の厚みを可変
的に形成するものであり、さらに、第１回路パターンが
形成された領域同士を電気的に分離するように介在する
第２絶縁層を備えたものである。
ベース板とこの上に形成された第１絶縁層とからなる金
属基板と、この上に形成された複数のパワー素子と、こ
れらのパワー素子とそれぞれ接続する第１回路パターン
の群とを備えたものであり、パワー素子および第１回路
パターンが形成された領域毎に第１絶縁層の厚みを可変
的に形成するものであり、さらに、第１回路パターンが
形成された領域同士を電気的に分離するように介在する
第２絶縁層を備えたものである。
【００１２】この発明に係るパワーモジュールは、第１
回路パターンが形成された領域同士を分離するように上
方に突出しつつ介在し、金属ベース板と同電位を有する
第２回路パターンを備えたものである。
回路パターンが形成された領域同士を分離するように上
方に突出しつつ介在し、金属ベース板と同電位を有する
第２回路パターンを備えたものである。
【００１３】この発明に係るパワーモジュールは、第１
回路パターンが形成された領域同士を分離するように介
在する第２絶縁層と、且つこの第２絶縁層に隣接しなが
ら上方に突出して領域間に介在し、金属ベース板と同電
位を有する第２回路パターンとを備えたものである。
回路パターンが形成された領域同士を分離するように介
在する第２絶縁層と、且つこの第２絶縁層に隣接しなが
ら上方に突出して領域間に介在し、金属ベース板と同電
位を有する第２回路パターンとを備えたものである。
【００１４】この発明に係るパワーモジュールは、第２
回路パターンは第２絶縁層の両側に設けられるものであ
る。
回路パターンは第２絶縁層の両側に設けられるものであ
る。
【００１５】この発明に係るパワーモジュールは、金属
基板の下面には導電層が形成され、金属ベース板に対応
して導電層を分割・絶縁するものである。
基板の下面には導電層が形成され、金属ベース板に対応
して導電層を分割・絶縁するものである。
【００１６】この発明に係るパワーモジュールは、金属
ベース板とこの上に形成された第１絶縁層とからなる金
属基板と、この上に形成された複数のパワー素子と、こ
れらのパワー素子とそれぞれ接続する回路パターンの群
と、回路パターンが形成された領域同士を電気的に分離
するために介在する第２絶縁層と、金属基板の下面に形
成され金属ベース板に対応して分割・絶縁された導電層
とを備えたものであり、金属ベース板と導電層の間には
領域に応じて第３絶縁層を配置するものである。
ベース板とこの上に形成された第１絶縁層とからなる金
属基板と、この上に形成された複数のパワー素子と、こ
れらのパワー素子とそれぞれ接続する回路パターンの群
と、回路パターンが形成された領域同士を電気的に分離
するために介在する第２絶縁層と、金属基板の下面に形
成され金属ベース板に対応して分割・絶縁された導電層
とを備えたものであり、金属ベース板と導電層の間には
領域に応じて第３絶縁層を配置するものである。
【００１７】この発明に係るパワーモジュールは、第２
絶縁層がフェライトなどの強磁性体による層により形成
されているものである。
絶縁層がフェライトなどの強磁性体による層により形成
されているものである。
【００１８】この発明に係るパワーモジュールは、第３
絶縁層がフェライトなどの強磁性体による層により形成
されているものである。
絶縁層がフェライトなどの強磁性体による層により形成
されているものである。
【００１９】この発明に係るパワーモジュールは、第１
回路パターンが形成された領域同士を分離するように上
方に突出して介在し金属ベース板と同電位を有する第２
の回路パターンと空間的電気的に接続された金属板を金
属基板と対向するように配置するものである。
回路パターンが形成された領域同士を分離するように上
方に突出して介在し金属ベース板と同電位を有する第２
の回路パターンと空間的電気的に接続された金属板を金
属基板と対向するように配置するものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１は、この実施の形態１に係るパワー
モジュールの断面の拡大図、図２はノイズの伝搬経路の
概念図である。図１において、１はパワーモジュール、
２はパワーモジュール１内に配置される金属基板、３は
金属基板２を構成する金属ベース板、４は金属ベース板
３の表面に構成される第１絶縁層、５は第１絶縁層４上
に構成される第１回路パターン、６は金属基板２に実装
されるパワー素子、７はパワー素子６と第１回路パター
ン５とを接続するワイヤー線、８は金属ベース板３の間
に挟まれる第２絶縁層である。また、図２において、３
１はパワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５と金属ベース板３の間に生じる浮遊容量、３２は金属
ベース板３を第２絶縁層８で絶縁した場合に生じる浮遊
容量を示す。
説明する。 実施の形態１．図１は、この実施の形態１に係るパワー
モジュールの断面の拡大図、図２はノイズの伝搬経路の
概念図である。図１において、１はパワーモジュール、
２はパワーモジュール１内に配置される金属基板、３は
金属基板２を構成する金属ベース板、４は金属ベース板
３の表面に構成される第１絶縁層、５は第１絶縁層４上
に構成される第１回路パターン、６は金属基板２に実装
されるパワー素子、７はパワー素子６と第１回路パター
ン５とを接続するワイヤー線、８は金属ベース板３の間
に挟まれる第２絶縁層である。また、図２において、３
１はパワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５と金属ベース板３の間に生じる浮遊容量、３２は金属
ベース板３を第２絶縁層８で絶縁した場合に生じる浮遊
容量を示す。
【００２１】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板を絶縁したものである。これにより図２
に示すように、上記各領域での金属ベース板３の間に浮
遊容量３１が生じ、ノイズはこの浮遊容量３１を介して
伝搬することになるので、各々のパワー素子６間のノイ
ズの結合が抑制されることになり、このノイズの結合に
よる誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減す
ることができる。また、金属ベース板３の間にある第２
絶縁層８の厚さは放熱に対する制約がないので、ある程
度厚みを得ることができ、浮遊容量３２を小さくするこ
とができる。
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板を絶縁したものである。これにより図２
に示すように、上記各領域での金属ベース板３の間に浮
遊容量３１が生じ、ノイズはこの浮遊容量３１を介して
伝搬することになるので、各々のパワー素子６間のノイ
ズの結合が抑制されることになり、このノイズの結合に
よる誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減す
ることができる。また、金属ベース板３の間にある第２
絶縁層８の厚さは放熱に対する制約がないので、ある程
度厚みを得ることができ、浮遊容量３２を小さくするこ
とができる。
【００２２】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５が構成される各領域毎に分割された各々の金属ベース
板３の間に浮遊容量が生じ、パワー素子６間の誘導およ
び容量的結合を抑制することができ、これによりパワー
素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導および放射
ノイズの伝搬を低減することができるという効果が得ら
れる。
ば、パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５が構成される各領域毎に分割された各々の金属ベース
板３の間に浮遊容量が生じ、パワー素子６間の誘導およ
び容量的結合を抑制することができ、これによりパワー
素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導および放射
ノイズの伝搬を低減することができるという効果が得ら
れる。
【００２３】実施の形態２．図３は、この実施の形態２
に係るパワーモジュールの断面の拡大図、図４はノイズ
の伝搬経路の概念図である。図３において、１はパワー
モジュール、２はパワーモジュール１内に配置される金
属基板、３は金属基板２を構成する金属ベース板、４は
金属ベース板３の表面に構成される第１絶縁層、５は第
１絶縁層４上に構成される第１回路パターン、６は金属
基板２に実装されるパワー素子、７はパワー素子６と第
１回路パターン５とを接続するワイヤー線、１１はパワ
ー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５により
構成される領域間に配置され、金属ベース板３と電気的
に接続される第２回路パターンである。また、図４にお
いて、３３は空間的な誘導的・容量的結合である。
に係るパワーモジュールの断面の拡大図、図４はノイズ
の伝搬経路の概念図である。図３において、１はパワー
モジュール、２はパワーモジュール１内に配置される金
属基板、３は金属基板２を構成する金属ベース板、４は
金属ベース板３の表面に構成される第１絶縁層、５は第
１絶縁層４上に構成される第１回路パターン、６は金属
基板２に実装されるパワー素子、７はパワー素子６と第
１回路パターン５とを接続するワイヤー線、１１はパワ
ー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５により
構成される領域間に配置され、金属ベース板３と電気的
に接続される第２回路パターンである。また、図４にお
いて、３３は空間的な誘導的・容量的結合である。
【００２４】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部の金属基板２上に実装される各々のパワー素
子６とそれに繋がる第１回路パターン５により構成され
る各領域の間に金属基板２の構成要素である金属ベース
板３と電気的に接続した第２回路パターン１１を設けた
ものである。これによりパワー素子６およびそれに繋が
る第１回路パターン５と金属ベース板３と同電位の第２
回路パターン１１との空間的な誘導的・容量的結合が強
くなることになり、各々のパワー素子６およびそれに繋
がる第１回路パターン５間での結合が抑制される。これ
により、パワー素子６間のノイズの結合による誤動作や
伝導および放射ノイズの伝搬をより低減することができ
る。
ール１内部の金属基板２上に実装される各々のパワー素
子６とそれに繋がる第１回路パターン５により構成され
る各領域の間に金属基板２の構成要素である金属ベース
板３と電気的に接続した第２回路パターン１１を設けた
ものである。これによりパワー素子６およびそれに繋が
る第１回路パターン５と金属ベース板３と同電位の第２
回路パターン１１との空間的な誘導的・容量的結合が強
くなることになり、各々のパワー素子６およびそれに繋
がる第１回路パターン５間での結合が抑制される。これ
により、パワー素子６間のノイズの結合による誤動作や
伝導および放射ノイズの伝搬をより低減することができ
る。
【００２５】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の間に金属ベース板３と同電位の第２回路パタ
ーン１１を設けることにより、各パワー素子６およびそ
れに繋がる第１回路パターン５間の誘導および容量結合
を抑制し、これによりパワー素子６間のノイズの結合に
よる誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬を低減するこ
とができるという効果が得られる。
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の間に金属ベース板３と同電位の第２回路パタ
ーン１１を設けることにより、各パワー素子６およびそ
れに繋がる第１回路パターン５間の誘導および容量結合
を抑制し、これによりパワー素子６間のノイズの結合に
よる誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬を低減するこ
とができるという効果が得られる。
【００２６】実施の形態３．図５は、この実施の形態３
に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、図にお
いて、１はパワーモジュール、２はパワーモジュール１
内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成する金
属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成される第
１絶縁層、５は第１絶縁層４上に構成される第１回路パ
ターン、６は金属基板２に実装されるパワー素子、７は
パワー素子６と第１回路パターン５とを接続するワイヤ
ー線、８は金属ベース板３の間に挟まれる第２絶縁層で
ある。１１は金属ベース板３と導電位でパワー素子６お
よびそれに繋がる第１回路パターン５により構成される
領域間の第２絶縁層８の片側に配置され、金属ベース板
３と電気的に接続される第２回路パターンである。
に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、図にお
いて、１はパワーモジュール、２はパワーモジュール１
内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成する金
属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成される第
１絶縁層、５は第１絶縁層４上に構成される第１回路パ
ターン、６は金属基板２に実装されるパワー素子、７は
パワー素子６と第１回路パターン５とを接続するワイヤ
ー線、８は金属ベース板３の間に挟まれる第２絶縁層で
ある。１１は金属ベース板３と導電位でパワー素子６お
よびそれに繋がる第１回路パターン５により構成される
領域間の第２絶縁層８の片側に配置され、金属ベース板
３と電気的に接続される第２回路パターンである。
【００２７】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板３を絶縁したものである。更に、第２絶
縁層８の片側に金属基板２の構成要素である金属ベース
板３と電気的に接続した第２回路パターン１１を設けた
ものである。
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板３を絶縁したものである。更に、第２絶
縁層８の片側に金属基板２の構成要素である金属ベース
板３と電気的に接続した第２回路パターン１１を設けた
ものである。
【００２８】これにより前述の図２に示すように、上記
各領域での金属ベース板３間に浮遊容量３１が生じ、ノ
イズはこの浮遊容量３１を介して伝搬することになり、
各々のパワー素子６間のノイズの結合が抑制される。こ
れとともに、第２絶縁層８の片側に金属ベース板３と同
電位の第２回路パターン１１が存在することにより、こ
の金属ベース板上に構成されるパワー素子６およびそれ
に繋がる第１回路パターン５とこの第２回路パターン１
１との空間での誘導および伝導的結合が強くなり、第２
回路パターン１１が配置される側のパワー素子６および
第１回路パターン５から第２回路パターン１１の無い側
のパワー素子６および第１回路パターン５へのノイズの
結合が抑制される。これにより、パワー素子６間のノイ
ズの結合による誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬を
より低減することができる。
各領域での金属ベース板３間に浮遊容量３１が生じ、ノ
イズはこの浮遊容量３１を介して伝搬することになり、
各々のパワー素子６間のノイズの結合が抑制される。こ
れとともに、第２絶縁層８の片側に金属ベース板３と同
電位の第２回路パターン１１が存在することにより、こ
の金属ベース板上に構成されるパワー素子６およびそれ
に繋がる第１回路パターン５とこの第２回路パターン１
１との空間での誘導および伝導的結合が強くなり、第２
回路パターン１１が配置される側のパワー素子６および
第１回路パターン５から第２回路パターン１１の無い側
のパワー素子６および第１回路パターン５へのノイズの
結合が抑制される。これにより、パワー素子６間のノイ
ズの結合による誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬を
より低減することができる。
【００２９】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の金属ベース板３を絶縁したパワーモジュール
において、隣り合う領域の片側に金属ベース板３と同電
位の第２回路パターン１１を設けることにより、金属ベ
ース板３を介するパワー素子６間の容量的結合の低減に
加えて、金属ベース板３と同電位の第２回路パターン１
１を領域間の第２絶縁層８に沿って設けた側のパワー素
子６およびそれに繋がる第１回路パターン５から他のパ
ワー素子６への誘導および容量結合が抑制され、これに
よりパワー素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導
および放射ノイズの伝搬をより低減することができると
いう効果が得られる。
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の金属ベース板３を絶縁したパワーモジュール
において、隣り合う領域の片側に金属ベース板３と同電
位の第２回路パターン１１を設けることにより、金属ベ
ース板３を介するパワー素子６間の容量的結合の低減に
加えて、金属ベース板３と同電位の第２回路パターン１
１を領域間の第２絶縁層８に沿って設けた側のパワー素
子６およびそれに繋がる第１回路パターン５から他のパ
ワー素子６への誘導および容量結合が抑制され、これに
よりパワー素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導
および放射ノイズの伝搬をより低減することができると
いう効果が得られる。
【００３０】実施の形態４．図６は、この実施の形態４
に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、図６に
おいて、１はパワーモジュール、２はパワーモジュール
１内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成する
金属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成される
第１絶縁層、５は絶縁層４上に構成される第１回路パタ
ーン、６は金属基板２に実装されるパワー素子、７はパ
ワー素子６と第１回路パターン５とを接続するワイヤー
線、８は金属ベース板３の間に挟まれる第２絶縁層であ
る。１１は金属ベース板３と導電位でパワー素子６およ
びそれに繋がる第１回路パターン５により構成される領
域間の第２絶縁層８の両側に配置され、金属ベース板３
と電気的に接続される第２回路パターンである。
に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、図６に
おいて、１はパワーモジュール、２はパワーモジュール
１内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成する
金属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成される
第１絶縁層、５は絶縁層４上に構成される第１回路パタ
ーン、６は金属基板２に実装されるパワー素子、７はパ
ワー素子６と第１回路パターン５とを接続するワイヤー
線、８は金属ベース板３の間に挟まれる第２絶縁層であ
る。１１は金属ベース板３と導電位でパワー素子６およ
びそれに繋がる第１回路パターン５により構成される領
域間の第２絶縁層８の両側に配置され、金属ベース板３
と電気的に接続される第２回路パターンである。
【００３１】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる回路パターン５が構成さ
れる領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３の間
に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々の金
属ベース板３を絶縁したものである。更に、第２絶縁層
８の両側に金属基板２の構成要素である金属ベース板３
と電気的に接続した第２回路パターン１１を設けたもの
である。
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる回路パターン５が構成さ
れる領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３の間
に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々の金
属ベース板３を絶縁したものである。更に、第２絶縁層
８の両側に金属基板２の構成要素である金属ベース板３
と電気的に接続した第２回路パターン１１を設けたもの
である。
【００３２】これにより、上述の各領域での金属ベース
板間に浮遊容量３１が生じ、ノイズはこの浮遊容量を介
して伝搬することになり、各々のパワー素子６間のノイ
ズの結合が抑制される。これとともに、第２絶縁層８の
両側に金属ベース板３と同電位の第２回路パターン１１
が存在することにより、この金属ベース板３上に構成さ
れるパワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５とこの第２回路パターン１１との空間での誘導および
伝導的結合が強くなり、パワー素子６およびそれに繋が
る第１回路パターン５と他のパワー素子６およびそれに
繋がる第１回路パターン５とのノイズの結合が抑制され
る。これにより、パワー素子６間のノイズの結合による
誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減するこ
とができる。
板間に浮遊容量３１が生じ、ノイズはこの浮遊容量を介
して伝搬することになり、各々のパワー素子６間のノイ
ズの結合が抑制される。これとともに、第２絶縁層８の
両側に金属ベース板３と同電位の第２回路パターン１１
が存在することにより、この金属ベース板３上に構成さ
れるパワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５とこの第２回路パターン１１との空間での誘導および
伝導的結合が強くなり、パワー素子６およびそれに繋が
る第１回路パターン５と他のパワー素子６およびそれに
繋がる第１回路パターン５とのノイズの結合が抑制され
る。これにより、パワー素子６間のノイズの結合による
誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減するこ
とができる。
【００３３】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の金属ベース板３を絶縁したパワーモジュール
において、隣り合う領域の両側に金属ベース板３と同電
位の第２回路パターン１１を領域間の第２絶縁層８に沿
って設けることにより、金属ベース板３を介するパワー
素子６間の容量的結合の低減に加えて、各パワー素子６
およびそれに繋がる第１回路パターン５間の誘導および
容量結合が抑制され、これによりパワー素子６間のノイ
ズの結合による誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬を
より一層低減することができるという効果が得られる。
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の金属ベース板３を絶縁したパワーモジュール
において、隣り合う領域の両側に金属ベース板３と同電
位の第２回路パターン１１を領域間の第２絶縁層８に沿
って設けることにより、金属ベース板３を介するパワー
素子６間の容量的結合の低減に加えて、各パワー素子６
およびそれに繋がる第１回路パターン５間の誘導および
容量結合が抑制され、これによりパワー素子６間のノイ
ズの結合による誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬を
より一層低減することができるという効果が得られる。
【００３４】実施の形態５．図７は、この実施の形態５
に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、図にお
いて、１はパワーモジュール、２はパワーモジュール１
内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成する金
属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成され、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５によ
り構成される領域毎に厚さを調整できる第１絶縁層、５
は第１絶縁層４上に構成される第１回路パターン、６は
金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワー素子６
と第１回路パターン５とを接続するワイヤー線である。
に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、図にお
いて、１はパワーモジュール、２はパワーモジュール１
内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成する金
属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成され、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５によ
り構成される領域毎に厚さを調整できる第１絶縁層、５
は第１絶縁層４上に構成される第１回路パターン、６は
金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワー素子６
と第１回路パターン５とを接続するワイヤー線である。
【００３５】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部の金属ベース板３上に設置される第１絶縁層
４を、パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パター
ン５が構成される領域毎に分割し、その上部に実装する
パワー素子６に応じて第１絶縁層４の厚みを調整できる
ようにしたものである。これにより、各々のパワー素子
６の絶縁電圧と放熱量を考慮し、絶縁層４の厚みをでき
る限り厚くすることにより、上述の各領域と金属ベース
板３間における浮遊容量３１を小さくすることができる
ので、金属ベース板３を介する各々のパワー素子６間の
ノイズの結合が抑制されることになり、パワー素子６間
のノイズの結合による誤動作や伝導および放射ノイズの
伝搬をより低減することができる。
ール１内部の金属ベース板３上に設置される第１絶縁層
４を、パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パター
ン５が構成される領域毎に分割し、その上部に実装する
パワー素子６に応じて第１絶縁層４の厚みを調整できる
ようにしたものである。これにより、各々のパワー素子
６の絶縁電圧と放熱量を考慮し、絶縁層４の厚みをでき
る限り厚くすることにより、上述の各領域と金属ベース
板３間における浮遊容量３１を小さくすることができる
ので、金属ベース板３を介する各々のパワー素子６間の
ノイズの結合が抑制されることになり、パワー素子６間
のノイズの結合による誤動作や伝導および放射ノイズの
伝搬をより低減することができる。
【００３６】以上のように、この実施の形態５によれ
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の金属ベース板３と第１回路パターン５間の第
１絶縁層４の厚さをパワー素子６が構成される領域毎に
調整できることにより、パワー素子６の放熱量に応じた
第１絶縁層４の厚みを設定でき、これにより放熱量の少
ない素子の第１絶縁層４の厚みを大きくできることにな
り、金属ベース板３を介したパワー素子６間の容量結合
が抑制され、パワー素子６間のノイズの結合による誤動
作や伝導および放射ノイズの伝搬を低減することができ
るという効果が得られる。
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の金属ベース板３と第１回路パターン５間の第
１絶縁層４の厚さをパワー素子６が構成される領域毎に
調整できることにより、パワー素子６の放熱量に応じた
第１絶縁層４の厚みを設定でき、これにより放熱量の少
ない素子の第１絶縁層４の厚みを大きくできることにな
り、金属ベース板３を介したパワー素子６間の容量結合
が抑制され、パワー素子６間のノイズの結合による誤動
作や伝導および放射ノイズの伝搬を低減することができ
るという効果が得られる。
【００３７】実施の形態６．図８は、この実施の形態６
に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、図にお
いて、１はパワーモジュール、２はパワーモジュール１
内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成する金
属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成され、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５によ
り構成される領域毎に厚さを調整できる第１絶縁層、５
は第１絶縁層４上に構成される第１回路パターン、６は
金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワー素子６
と第１回路パターン５とを接続するワイヤー線、８は金
属ベース板３の間に挟まれる第２絶縁層である。
に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、図にお
いて、１はパワーモジュール、２はパワーモジュール１
内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成する金
属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成され、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５によ
り構成される領域毎に厚さを調整できる第１絶縁層、５
は第１絶縁層４上に構成される第１回路パターン、６は
金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワー素子６
と第１回路パターン５とを接続するワイヤー線、８は金
属ベース板３の間に挟まれる第２絶縁層である。
【００３８】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板３を絶縁したものである。更に、金属ベ
ース板３上に設置される第１絶縁層４を、パワー素子６
およびそれに繋がる第１回路パターン５が構成される領
域毎に分割し、その上部に実装するパワー素子６に応じ
て第１絶縁層４の厚みを調整できるようにしたものであ
る。
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板３を絶縁したものである。更に、金属ベ
ース板３上に設置される第１絶縁層４を、パワー素子６
およびそれに繋がる第１回路パターン５が構成される領
域毎に分割し、その上部に実装するパワー素子６に応じ
て第１絶縁層４の厚みを調整できるようにしたものであ
る。
【００３９】これにより、上述の各領域での金属ベース
板３間に浮遊容量３１が生じ、ノイズはこの浮遊容量３
１を介して伝搬することになり、各々のパワー素子６間
のノイズの結合が抑制される。これとともに、各々のパ
ワー素子６の絶縁電圧と放熱量を考慮し、第１絶縁層４
の厚みをできる限り厚くすることにより、上記各領域と
金属ベース板３間に浮遊容量３１を小さくすることがで
きるので、金属ベース板３を介する各々のパワー素子６
間のノイズの結合が抑制されることになり、パワー素子
６間のノイズの結合による誤動作や伝導および放射ノイ
ズの伝搬をより低減することができる。
板３間に浮遊容量３１が生じ、ノイズはこの浮遊容量３
１を介して伝搬することになり、各々のパワー素子６間
のノイズの結合が抑制される。これとともに、各々のパ
ワー素子６の絶縁電圧と放熱量を考慮し、第１絶縁層４
の厚みをできる限り厚くすることにより、上記各領域と
金属ベース板３間に浮遊容量３１を小さくすることがで
きるので、金属ベース板３を介する各々のパワー素子６
間のノイズの結合が抑制されることになり、パワー素子
６間のノイズの結合による誤動作や伝導および放射ノイ
ズの伝搬をより低減することができる。
【００４０】以上のように、この実施の形態６によれ
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の金属ベース板３を絶縁したパワーモジュール
において、この領域の金属ベース板３と第１回路パター
ン５間の第１絶縁層４の厚さをパワー素子６が構成され
る領域毎に調整できることにより、金属ベース板３を介
したパワー素子６間の容量結合がより抑制され、パワー
素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導および放射
ノイズの伝搬を低減することができるという効果が得ら
れる。
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の金属ベース板３を絶縁したパワーモジュール
において、この領域の金属ベース板３と第１回路パター
ン５間の第１絶縁層４の厚さをパワー素子６が構成され
る領域毎に調整できることにより、金属ベース板３を介
したパワー素子６間の容量結合がより抑制され、パワー
素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導および放射
ノイズの伝搬を低減することができるという効果が得ら
れる。
【００４１】実施の形態７．図９は、この実施の形態７
に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、図にお
いて、１はパワーモジュール、２はパワーモジュール１
内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成する金
属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成され、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５によ
り構成される領域毎に厚さを調整できる第１絶縁層、５
は第１絶縁層４上に構成される第１回路パターン、６は
金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワー素子６
と第１回路パターン５とを接続するワイヤー線、１１は
パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５に
より構成される領域間に配置され、金属ベース板３と電
気的に接続される第２回路パターンである。
に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、図にお
いて、１はパワーモジュール、２はパワーモジュール１
内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成する金
属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成され、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５によ
り構成される領域毎に厚さを調整できる第１絶縁層、５
は第１絶縁層４上に構成される第１回路パターン、６は
金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワー素子６
と第１回路パターン５とを接続するワイヤー線、１１は
パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５に
より構成される領域間に配置され、金属ベース板３と電
気的に接続される第２回路パターンである。
【００４２】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部の金属基板２上に実装される各々のパワー素
子６とそれに繋がる第１回路パターン５により構成され
る各領域の間に金属基板２の構成要素である金属ベース
板３と電気的に接続した第２回路パターン１１を設け、
更に、金属ベース板３上に設置される第１絶縁層４を、
パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が
構成される領域毎に分割し、その上部に実装するパワー
素子６に応じて第１絶縁層４の厚みを調整できるように
したものである。
ール１内部の金属基板２上に実装される各々のパワー素
子６とそれに繋がる第１回路パターン５により構成され
る各領域の間に金属基板２の構成要素である金属ベース
板３と電気的に接続した第２回路パターン１１を設け、
更に、金属ベース板３上に設置される第１絶縁層４を、
パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が
構成される領域毎に分割し、その上部に実装するパワー
素子６に応じて第１絶縁層４の厚みを調整できるように
したものである。
【００４３】これによりパワー素子６およびそれに繋が
る第１回路パターン５と金属ベース板３と同電位の第２
回路パターン１１との空間的な誘導的および容量的結合
が強くなることになり、各々のパワー素子６およびそれ
に繋がる第１回路パターン５間での結合が抑制される。
これとともに、各々のパワー素子６の絶縁電圧と放熱量
を考慮し、第１絶縁層４の厚みをできる限り厚くするこ
とにより、上述の各領域と金属ベース板３間にある浮遊
容量３１を小さくすることができるので、金属ベース板
３を介する各々のパワー素子６間のノイズの結合が抑制
されることになり、パワー素子６間のノイズの結合によ
る誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減する
ことができる。
る第１回路パターン５と金属ベース板３と同電位の第２
回路パターン１１との空間的な誘導的および容量的結合
が強くなることになり、各々のパワー素子６およびそれ
に繋がる第１回路パターン５間での結合が抑制される。
これとともに、各々のパワー素子６の絶縁電圧と放熱量
を考慮し、第１絶縁層４の厚みをできる限り厚くするこ
とにより、上述の各領域と金属ベース板３間にある浮遊
容量３１を小さくすることができるので、金属ベース板
３を介する各々のパワー素子６間のノイズの結合が抑制
されることになり、パワー素子６間のノイズの結合によ
る誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減する
ことができる。
【００４４】以上のように、この実施の形態７によれ
ば、各パワー素子およびそれに繋がる第１の回路パター
ン５が構成される領域の金属ベース板を絶縁し、更に隣
り合う領域の片側の領域に金属ベース板３と同電位の第
２回路パターン１１を領域間の第１絶縁層４の側面に設
けたパワーモジュールにおいて、この領域の金属ベース
板３と第１回路パターン５間の第１絶縁層４の厚さをパ
ワー素子６が構成される領域毎に調整できることによ
り、パワー素子６間の空間的な誘導および容量結合の抑
制に加え、金属ベース板３を介したパワー素子６間の容
量結合が抑制され、パワー素子６間のノイズの結合によ
る誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより一層低減
することができるという効果が得られる。
ば、各パワー素子およびそれに繋がる第１の回路パター
ン５が構成される領域の金属ベース板を絶縁し、更に隣
り合う領域の片側の領域に金属ベース板３と同電位の第
２回路パターン１１を領域間の第１絶縁層４の側面に設
けたパワーモジュールにおいて、この領域の金属ベース
板３と第１回路パターン５間の第１絶縁層４の厚さをパ
ワー素子６が構成される領域毎に調整できることによ
り、パワー素子６間の空間的な誘導および容量結合の抑
制に加え、金属ベース板３を介したパワー素子６間の容
量結合が抑制され、パワー素子６間のノイズの結合によ
る誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより一層低減
することができるという効果が得られる。
【００４５】実施の形態８．図１０は、この実施の形態
８に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、図に
おいて、１はパワーモジュール、２はパワーモジュール
１内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成する
金属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成され、
パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５に
より構成される領域毎に厚さを調整できる第１絶縁層、
５は第１絶縁層４上に構成される第１回路パターン、６
は金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワー素子
６と第１回路パターン５とを接続するワイヤー線、８は
金属ベース板３の間に挟まれる第２絶縁層である。１１
は金属ベース板３と導電位でパワー素子６およびそれに
繋がる第１回路パターン５により構成される領域間の第
２絶縁層８の片側に配置され、金属ベース板３と電気的
に接続される第２回路パターンである。
８に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、図に
おいて、１はパワーモジュール、２はパワーモジュール
１内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成する
金属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成され、
パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５に
より構成される領域毎に厚さを調整できる第１絶縁層、
５は第１絶縁層４上に構成される第１回路パターン、６
は金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワー素子
６と第１回路パターン５とを接続するワイヤー線、８は
金属ベース板３の間に挟まれる第２絶縁層である。１１
は金属ベース板３と導電位でパワー素子６およびそれに
繋がる第１回路パターン５により構成される領域間の第
２絶縁層８の片側に配置され、金属ベース板３と電気的
に接続される第２回路パターンである。
【００４６】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板を絶縁し、そして、第２絶縁層８の片側
に金属基板２の構成要素である金属ベース板３と電気的
に接続した第２回路パターン１１を設けたものである。
更に、金属ベース板３上に設置される第１絶縁層４を、
パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が
構成される領域毎に分割し、その上部に実装するパワー
素子６に応じて第１絶縁層４の厚みを調整できるように
したものである。
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板を絶縁し、そして、第２絶縁層８の片側
に金属基板２の構成要素である金属ベース板３と電気的
に接続した第２回路パターン１１を設けたものである。
更に、金属ベース板３上に設置される第１絶縁層４を、
パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が
構成される領域毎に分割し、その上部に実装するパワー
素子６に応じて第１絶縁層４の厚みを調整できるように
したものである。
【００４７】これにより、上述の各領域での金属ベース
板間に浮遊容量３１が生じ、ノイズはこの浮遊容量を介
して伝搬することになり、各々のパワー素子６間のノイ
ズの結合が抑制される。これとともに、第２絶縁層８の
片側に金属ベース板３と同電位の第２回路パターン１１
が存在することにより、この金属ベース板３上に構成さ
れるパワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５と第２回路パターン１１との空間での誘導および伝導
的結合が強くなり、第２回路パターン１１が配置される
側のパワー素子６および第１回路パターン５から第２回
路パターン１１の無い側のパワー素子６および第１回路
パターン５へのノイズの結合が抑制される。
板間に浮遊容量３１が生じ、ノイズはこの浮遊容量を介
して伝搬することになり、各々のパワー素子６間のノイ
ズの結合が抑制される。これとともに、第２絶縁層８の
片側に金属ベース板３と同電位の第２回路パターン１１
が存在することにより、この金属ベース板３上に構成さ
れるパワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５と第２回路パターン１１との空間での誘導および伝導
的結合が強くなり、第２回路パターン１１が配置される
側のパワー素子６および第１回路パターン５から第２回
路パターン１１の無い側のパワー素子６および第１回路
パターン５へのノイズの結合が抑制される。
【００４８】更に、各々のパワー素子６の絶縁電圧と放
熱量を考慮し、第１絶縁層４の厚みをできる限り厚くす
ることにより、上記各領域と金属ベース板３間に存在す
る浮遊容量３１を小さくすることができるので、金属ベ
ース板３を介する各々のパワー素子６間のノイズの結合
が抑制されることになり、パワー素子６間のノイズの結
合による誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低
減することができる。
熱量を考慮し、第１絶縁層４の厚みをできる限り厚くす
ることにより、上記各領域と金属ベース板３間に存在す
る浮遊容量３１を小さくすることができるので、金属ベ
ース板３を介する各々のパワー素子６間のノイズの結合
が抑制されることになり、パワー素子６間のノイズの結
合による誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低
減することができる。
【００４９】以上のように、この実施の形態８によれ
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の金属ベース板３を絶縁し、更に隣り合う領域
の片側の領域に金属ベース板３と同電位の第２回路パタ
ーン１１を領域間の第２絶縁層８の横に設けたパワーモ
ジュールにおいて、この領域の金属ベース板３と第１回
路パターン５間の第１絶縁層４の厚さをパワー素子６が
構成される領域毎に調整できることにより、パワー素子
６間の空間的な誘導および容量結合の抑制に加え、金属
ベース板３を介したパワー素子６間の容量結合が抑制さ
れ、パワー素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導
および放射ノイズの伝搬をより一層低減することができ
るという効果が得られる。
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の金属ベース板３を絶縁し、更に隣り合う領域
の片側の領域に金属ベース板３と同電位の第２回路パタ
ーン１１を領域間の第２絶縁層８の横に設けたパワーモ
ジュールにおいて、この領域の金属ベース板３と第１回
路パターン５間の第１絶縁層４の厚さをパワー素子６が
構成される領域毎に調整できることにより、パワー素子
６間の空間的な誘導および容量結合の抑制に加え、金属
ベース板３を介したパワー素子６間の容量結合が抑制さ
れ、パワー素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導
および放射ノイズの伝搬をより一層低減することができ
るという効果が得られる。
【００５０】実施の形態９．図１１は、この実施の形態
９に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、図に
おいて、１はパワーモジュール、２はパワーモジュール
１内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成する
金属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成され、
パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５に
より構成される領域毎に厚さを調整できる第１絶縁層、
５は第１絶縁層４上に構成される第１回路パターン、６
は金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワー素子
６と第１回路パターン５とを接続するワイヤー線、８は
金属ベース板３の間に挟まれる第２絶縁層である。１１
は金属ベース板３と導電位でパワー素子６およびそれに
繋がる第１回路パターン５により構成される領域間の第
２絶縁層８の両側に配置され、金属ベース板３と電気的
に接続される第２回路パターンである。
９に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、図に
おいて、１はパワーモジュール、２はパワーモジュール
１内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成する
金属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成され、
パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５に
より構成される領域毎に厚さを調整できる第１絶縁層、
５は第１絶縁層４上に構成される第１回路パターン、６
は金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワー素子
６と第１回路パターン５とを接続するワイヤー線、８は
金属ベース板３の間に挟まれる第２絶縁層である。１１
は金属ベース板３と導電位でパワー素子６およびそれに
繋がる第１回路パターン５により構成される領域間の第
２絶縁層８の両側に配置され、金属ベース板３と電気的
に接続される第２回路パターンである。
【００５１】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板を絶縁し、そして第２絶縁層８の両側に
金属基板２の構成要素である金属ベース板３と電気的に
接続した第２回路パターン１１を設けたものである。更
に、金属ベース板３上に設置される第１絶縁層４を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その上部に実装するパワー素
子６に応じて第１絶縁層４の厚みを調整できるようにし
たものである。
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板を絶縁し、そして第２絶縁層８の両側に
金属基板２の構成要素である金属ベース板３と電気的に
接続した第２回路パターン１１を設けたものである。更
に、金属ベース板３上に設置される第１絶縁層４を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その上部に実装するパワー素
子６に応じて第１絶縁層４の厚みを調整できるようにし
たものである。
【００５２】これにより、上述の各領域での金属ベース
板間に浮遊容量３１が生じ、ノイズはこの浮遊容量を介
して伝搬することになり、各々のパワー素子６間のノイ
ズの結合が抑制される。これとともに、第２絶縁層８の
両側に金属ベース板３と同電位の第２回路パターン１１
が存在することにより、この金属ベース板上に構成され
るパワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５
とこの第２回路パターン１１との空間での誘導および伝
導的結合が強くなり、パワー素子６およびそれに繋がる
第１回路パターン５と他のパワー素子６およびそれに繋
がる第１回路パターン５とのノイズの結合が抑制され
る。更に、各々のパワー素子６の絶縁電圧と放熱量を考
慮し、第１絶縁層４の厚みをできる限り厚くすることに
より、上記各領域と金属ベース板間に存在する浮遊容量
３１を小さくすることができるので、金属ベース板３を
介する各々のパワー素子６間のノイズの結合が抑制され
ることになり、パワー素子６間のノイズの結合による誤
動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減すること
ができる。
板間に浮遊容量３１が生じ、ノイズはこの浮遊容量を介
して伝搬することになり、各々のパワー素子６間のノイ
ズの結合が抑制される。これとともに、第２絶縁層８の
両側に金属ベース板３と同電位の第２回路パターン１１
が存在することにより、この金属ベース板上に構成され
るパワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５
とこの第２回路パターン１１との空間での誘導および伝
導的結合が強くなり、パワー素子６およびそれに繋がる
第１回路パターン５と他のパワー素子６およびそれに繋
がる第１回路パターン５とのノイズの結合が抑制され
る。更に、各々のパワー素子６の絶縁電圧と放熱量を考
慮し、第１絶縁層４の厚みをできる限り厚くすることに
より、上記各領域と金属ベース板間に存在する浮遊容量
３１を小さくすることができるので、金属ベース板３を
介する各々のパワー素子６間のノイズの結合が抑制され
ることになり、パワー素子６間のノイズの結合による誤
動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減すること
ができる。
【００５３】さらに、各パワー素子６および第１回路パ
ターン５が構成される領域の金属ベース板３を絶縁し、
更に隣り合う領域の両側の領域に金属ベース板３と同電
位の第２回路パターン１１を領域間の第２絶縁層８の側
面に設けたパワーモジュールにおいて、この領域の金属
ベース板３と第２回路パターン１１間の第２絶縁層８の
厚さをパワー素子６が構成される領域毎に調整できるこ
とにより、パワー素子６間の空間的な誘導および容量結
合の抑制に加え、金属ベース板３を介したパワー素子６
間の容量結合が抑制され、パワー素子６間のノイズの結
合による誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより一
層低減することができる。
ターン５が構成される領域の金属ベース板３を絶縁し、
更に隣り合う領域の両側の領域に金属ベース板３と同電
位の第２回路パターン１１を領域間の第２絶縁層８の側
面に設けたパワーモジュールにおいて、この領域の金属
ベース板３と第２回路パターン１１間の第２絶縁層８の
厚さをパワー素子６が構成される領域毎に調整できるこ
とにより、パワー素子６間の空間的な誘導および容量結
合の抑制に加え、金属ベース板３を介したパワー素子６
間の容量結合が抑制され、パワー素子６間のノイズの結
合による誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより一
層低減することができる。
【００５４】以上のように、この実施の形態９によれ
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の金属ベース板３を絶縁し、更に隣り合う領域
の両側の領域に金属ベース板３と同電位の第２回路パタ
ーン１１を領域間の第２絶縁層８の側面に設けたパワー
モジュールにおいて、この領域の金属ベース板３と第１
回路パターン５間の第１絶縁層４の厚さをパワー素子６
が構成される領域毎に調整できることにより、パワー素
子６間の空間的な誘導および容量結合の抑制に加え、金
属ベース板３を介したパワー素子６間の容量結合が抑制
され、パワー素子６間のノイズの結合による誤動作や伝
導および放射ノイズの伝搬をより一層低減することがで
きるという効果が得られる。
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の金属ベース板３を絶縁し、更に隣り合う領域
の両側の領域に金属ベース板３と同電位の第２回路パタ
ーン１１を領域間の第２絶縁層８の側面に設けたパワー
モジュールにおいて、この領域の金属ベース板３と第１
回路パターン５間の第１絶縁層４の厚さをパワー素子６
が構成される領域毎に調整できることにより、パワー素
子６間の空間的な誘導および容量結合の抑制に加え、金
属ベース板３を介したパワー素子６間の容量結合が抑制
され、パワー素子６間のノイズの結合による誤動作や伝
導および放射ノイズの伝搬をより一層低減することがで
きるという効果が得られる。
【００５５】実施の形態１０．図１２は、この実施の形
態１０に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、
図において、１はパワーモジュール、２はパワーモジュ
ール１内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成
する金属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成さ
れ、パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５により構成される領域毎に厚さを調整できる第１絶縁
層、５は第１絶縁層４上に構成される第１回路パター
ン、６は金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワ
ー素子６と第１回路パターン５とを接続するワイヤー
線、８は金属ベース板３の間に挟まれる第２絶縁層、１
２は金属ベース板の底面に配置され、金属ベース板３に
対応して分割され、第２絶縁層８で各領域毎に絶縁され
た金属板（導電層）である。
態１０に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、
図において、１はパワーモジュール、２はパワーモジュ
ール１内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成
する金属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成さ
れ、パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５により構成される領域毎に厚さを調整できる第１絶縁
層、５は第１絶縁層４上に構成される第１回路パター
ン、６は金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワ
ー素子６と第１回路パターン５とを接続するワイヤー
線、８は金属ベース板３の間に挟まれる第２絶縁層、１
２は金属ベース板の底面に配置され、金属ベース板３に
対応して分割され、第２絶縁層８で各領域毎に絶縁され
た金属板（導電層）である。
【００５６】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板３を絶縁したものである。更に、金属ベ
ース板３の底面に金属板１２が配置される場合に金属板
１２を金属ベース板３に対応するよう分割し、金属板１
２それぞれを絶縁する。これにより、上記各領域で金属
ベース板３間に浮遊容量３１が生じ、パワー素子６間の
容量結合が抑制されるとともに、金属板１２を介したパ
ワー素子６間のノイズの結合も防ぐことができ、パワー
素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導および放射
ノイズの伝搬をより低減することができる。
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板３を絶縁したものである。更に、金属ベ
ース板３の底面に金属板１２が配置される場合に金属板
１２を金属ベース板３に対応するよう分割し、金属板１
２それぞれを絶縁する。これにより、上記各領域で金属
ベース板３間に浮遊容量３１が生じ、パワー素子６間の
容量結合が抑制されるとともに、金属板１２を介したパ
ワー素子６間のノイズの結合も防ぐことができ、パワー
素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導および放射
ノイズの伝搬をより低減することができる。
【００５７】以上のように、この実施の形態１０によれ
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域毎に金属ベース板３を分割・絶縁し、更に金属
ベース板３の第１絶縁層４と反対側の表面に金属板１２
を配置したパワーモジュールにおいて、この金属板１２
を金属ベース板３に対応する領域で分割し、その間に第
２絶縁層８を設け、各金属板１２を絶縁することによ
り、金属板１２が配置された場合においても、パワー素
子６間の金属ベース板３を介したノイズの容量結合が抑
制され、パワー素子６間のノイズの結合による誤動作や
伝導および放射ノイズの伝搬を低減することができると
いう効果が得られる。
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域毎に金属ベース板３を分割・絶縁し、更に金属
ベース板３の第１絶縁層４と反対側の表面に金属板１２
を配置したパワーモジュールにおいて、この金属板１２
を金属ベース板３に対応する領域で分割し、その間に第
２絶縁層８を設け、各金属板１２を絶縁することによ
り、金属板１２が配置された場合においても、パワー素
子６間の金属ベース板３を介したノイズの容量結合が抑
制され、パワー素子６間のノイズの結合による誤動作や
伝導および放射ノイズの伝搬を低減することができると
いう効果が得られる。
【００５８】実施の形態１１．図１３は、この実施の形
態１１に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、
図において、１はパワーモジュール、２はパワーモジュ
ール１内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成
する金属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成さ
れ、パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５により構成される領域毎に厚さを調整できる第１絶縁
層、５は第１絶縁層４上に構成される第１回路パター
ン、６は金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワ
ー素子６と第１回路パターン５とを接続するワイヤー
線、８は金属ベース板３の間に挟まれる第２絶縁層、１
６は金属ベース板の底面に位置し、放熱フィンや筐体に
相当する金属板（導電層）、１３は金属ベース板の底面
にパワー素子６およびこれに繋がる第１回路パターン５
が構成される領域に対応して配置される第３絶縁層であ
る。
態１１に係るパワーモジュールの断面の拡大図であり、
図において、１はパワーモジュール、２はパワーモジュ
ール１内に配置される金属基板、３は金属基板２を構成
する金属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構成さ
れ、パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５により構成される領域毎に厚さを調整できる第１絶縁
層、５は第１絶縁層４上に構成される第１回路パター
ン、６は金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワ
ー素子６と第１回路パターン５とを接続するワイヤー
線、８は金属ベース板３の間に挟まれる第２絶縁層、１
６は金属ベース板の底面に位置し、放熱フィンや筐体に
相当する金属板（導電層）、１３は金属ベース板の底面
にパワー素子６およびこれに繋がる第１回路パターン５
が構成される領域に対応して配置される第３絶縁層であ
る。
【００５９】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板３を絶縁したものである。更に、金属ベ
ース板３の底面に上述の領域に応じて第３絶縁層１３を
配置できるようにする。これにより、上述の各領域で金
属ベース板３間に浮遊容量３１が生じ、パワー素子６間
の容量結合が抑制されるとともに、第３絶縁層１３によ
り放熱フィン等の金属板１６がパワーモジュール１に接
続される場合に金属ベース板３および金属板１６を介し
たパワー素子６間のノイズの結合も防ぐことができ、パ
ワー素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導および
放射ノイズの伝搬をより低減することができる。
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板３を絶縁したものである。更に、金属ベ
ース板３の底面に上述の領域に応じて第３絶縁層１３を
配置できるようにする。これにより、上述の各領域で金
属ベース板３間に浮遊容量３１が生じ、パワー素子６間
の容量結合が抑制されるとともに、第３絶縁層１３によ
り放熱フィン等の金属板１６がパワーモジュール１に接
続される場合に金属ベース板３および金属板１６を介し
たパワー素子６間のノイズの結合も防ぐことができ、パ
ワー素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導および
放射ノイズの伝搬をより低減することができる。
【００６０】以上のように、この実施の形態１１によれ
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域毎に金属ベース板３を分割、絶縁したパワーモ
ジュールにおいて、この領域に応じて金属ベース板３上
の第１絶縁層４と反対側の表面に第３絶縁層１３を配置
することにより、パワーモジュールが放熱板等の金属板
１６に接続する場合に、パワー素子６間の金属ベース板
３および放熱板を介したノイズの容量結合が抑制され、
パワー素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導およ
び放射ノイズの伝搬を低減することができるという効果
が得られる。
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域毎に金属ベース板３を分割、絶縁したパワーモ
ジュールにおいて、この領域に応じて金属ベース板３上
の第１絶縁層４と反対側の表面に第３絶縁層１３を配置
することにより、パワーモジュールが放熱板等の金属板
１６に接続する場合に、パワー素子６間の金属ベース板
３および放熱板を介したノイズの容量結合が抑制され、
パワー素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導およ
び放射ノイズの伝搬を低減することができるという効果
が得られる。
【００６１】実施の形態１２．図１４は、この実施の形
態１２に係るパワーモジュールの断面の拡大図、図１５
はノイズの伝搬経路の概念図である。図１４において、
１はパワーモジュール、２はパワーモジュール１内に配
置される金属基板、３は金属基板２を構成する金属ベー
ス板、４は金属ベース板３の表面に構成される第１絶縁
層、５は第１絶縁層４上に構成される第１回路パター
ン、６は金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワ
ー素子６と第１回路パターン５とを接続するワイヤー
線、１４は金属ベース板３の間に挟まれ，フェライトな
どで形成された強磁性体層である。また、図１５におい
て、３１はパワー素子６およびそれに繋がる第１回路パ
ターン５と金属ベース板３の間に生じる浮遊容量、３４
は金属ベース板３を強磁性体層１４で分割した場合に生
じるインダクタンスを示す。
態１２に係るパワーモジュールの断面の拡大図、図１５
はノイズの伝搬経路の概念図である。図１４において、
１はパワーモジュール、２はパワーモジュール１内に配
置される金属基板、３は金属基板２を構成する金属ベー
ス板、４は金属ベース板３の表面に構成される第１絶縁
層、５は第１絶縁層４上に構成される第１回路パター
ン、６は金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワ
ー素子６と第１回路パターン５とを接続するワイヤー
線、１４は金属ベース板３の間に挟まれ，フェライトな
どで形成された強磁性体層である。また、図１５におい
て、３１はパワー素子６およびそれに繋がる第１回路パ
ターン５と金属ベース板３の間に生じる浮遊容量、３４
は金属ベース板３を強磁性体層１４で分割した場合に生
じるインダクタンスを示す。
【００６２】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に強磁性体層１４を設けることにより分割された各
々の金属ベース板を絶縁したものである。これにより図
１５に示すように、上記各領域での金属ベース板３間に
インダクタンス３４が生じ、ノイズはこのインダクタン
ス３４を介して伝搬することになるので、各々のパワー
素子６間のノイズの結合がインダクタンス３４により抑
制されることになり、このノイズの結合による誤動作や
伝導および放射ノイズの伝搬をより低減することができ
る。また、金属ベース板３の間にある強磁性体層１４の
厚さは放熱に対する制約がないので、ある程度厚みを得
ることができ、インダクタンス３４を大きくすることが
できる。
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に強磁性体層１４を設けることにより分割された各
々の金属ベース板を絶縁したものである。これにより図
１５に示すように、上記各領域での金属ベース板３間に
インダクタンス３４が生じ、ノイズはこのインダクタン
ス３４を介して伝搬することになるので、各々のパワー
素子６間のノイズの結合がインダクタンス３４により抑
制されることになり、このノイズの結合による誤動作や
伝導および放射ノイズの伝搬をより低減することができ
る。また、金属ベース板３の間にある強磁性体層１４の
厚さは放熱に対する制約がないので、ある程度厚みを得
ることができ、インダクタンス３４を大きくすることが
できる。
【００６３】以上のように、この実施の形態１２によれ
ば、パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５が構成される各領域毎に分割された各々の金属ベース
板３の間にインダクタンスが生じ、パワー素子６間の誘
導および容量的結合を抑制することができ、これにより
パワー素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導およ
び放射ノイズの伝搬を低減することができるという効果
が得られる。
ば、パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５が構成される各領域毎に分割された各々の金属ベース
板３の間にインダクタンスが生じ、パワー素子６間の誘
導および容量的結合を抑制することができ、これにより
パワー素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導およ
び放射ノイズの伝搬を低減することができるという効果
が得られる。
【００６４】実施の形態１３．図１６は、この実施の形
態１３に係るパワーモジュールの断面の拡大図、図１７
はノイズの伝搬経路の概念図である。図１６において、
１はパワーモジュール、２はパワーモジュール１内に配
置される金属基板、３は金属基板２を構成する金属ベー
ス板、４は金属ベース板３の表面に構成される第１絶縁
層、５は第１絶縁層４上に構成される第１回路パター
ン、６は金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワ
ー素子６と第１回路パターン５とを接続するワイヤー
線、１６は金属ベース板の底面に位置し、放熱フィンや
筐体に相当する金属板、１５は金属ベース板の底面にパ
ワー素子６およびこれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域に対応して配置され、フェライトなどで形
成された強磁性体層である。また、図１７において、３
１はパワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５と金属ベース板３の間に生じる浮遊容量、３５は金属
ベース板３と金属板１６の間に挿入された強磁性体層１
４に生じるインダクタンスを示す。
態１３に係るパワーモジュールの断面の拡大図、図１７
はノイズの伝搬経路の概念図である。図１６において、
１はパワーモジュール、２はパワーモジュール１内に配
置される金属基板、３は金属基板２を構成する金属ベー
ス板、４は金属ベース板３の表面に構成される第１絶縁
層、５は第１絶縁層４上に構成される第１回路パター
ン、６は金属基板２に実装されるパワー素子、７はパワ
ー素子６と第１回路パターン５とを接続するワイヤー
線、１６は金属ベース板の底面に位置し、放熱フィンや
筐体に相当する金属板、１５は金属ベース板の底面にパ
ワー素子６およびこれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域に対応して配置され、フェライトなどで形
成された強磁性体層である。また、図１７において、３
１はパワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン
５と金属ベース板３の間に生じる浮遊容量、３５は金属
ベース板３と金属板１６の間に挿入された強磁性体層１
４に生じるインダクタンスを示す。
【００６５】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板３を絶縁したものである。更に、金属ベ
ース板３の底面に上述の領域に応じて強磁性体層１５を
配置できるようにする。これにより、上述の各領域で金
属ベース板３間にインダクタンス３５が生じ、パワー素
子６間の容量結合が抑制されるとともに、強磁性体層１
５により放熱フィン等の金属板１６がパワーモジュール
に１に接続される場合に金属ベース板３および金属板１
６を介したパワー素子６間のノイズの結合および放熱フ
ィンへのノイズの漏洩も防ぐことができ、これらのノイ
ズによる誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低
減することができる。
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板３を絶縁したものである。更に、金属ベ
ース板３の底面に上述の領域に応じて強磁性体層１５を
配置できるようにする。これにより、上述の各領域で金
属ベース板３間にインダクタンス３５が生じ、パワー素
子６間の容量結合が抑制されるとともに、強磁性体層１
５により放熱フィン等の金属板１６がパワーモジュール
に１に接続される場合に金属ベース板３および金属板１
６を介したパワー素子６間のノイズの結合および放熱フ
ィンへのノイズの漏洩も防ぐことができ、これらのノイ
ズによる誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低
減することができる。
【００６６】以上のように、この実施の形態１３によれ
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域毎に金属ベース板３を分割、絶縁したパワーモ
ジュールにおいて、この領域に応じて金属ベース板３上
の第１絶縁層４と反対側の表面にフェライトなどで形成
された強磁性体層１５を配置することにより、パワーモ
ジュールが放熱板等の金属板１６に接続する場合に、パ
ワー素子６間の金属ベース板３および放熱板を介したノ
イズの容量結合および放熱フィンへのノイズの漏洩が抑
制され、これらのノイズによる誤動作や伝導および放射
ノイズの伝搬を低減することができるという効果が得ら
れる。
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域毎に金属ベース板３を分割、絶縁したパワーモ
ジュールにおいて、この領域に応じて金属ベース板３上
の第１絶縁層４と反対側の表面にフェライトなどで形成
された強磁性体層１５を配置することにより、パワーモ
ジュールが放熱板等の金属板１６に接続する場合に、パ
ワー素子６間の金属ベース板３および放熱板を介したノ
イズの容量結合および放熱フィンへのノイズの漏洩が抑
制され、これらのノイズによる誤動作や伝導および放射
ノイズの伝搬を低減することができるという効果が得ら
れる。
【００６７】実施の形態１４．図１８は、この実施の形
態１４に係るパワーモジュールの断面の拡大図である。
図１８において、１はパワーモジュール、２はパワーモ
ジュール１内に配置される金属基板、３は金属基板２を
構成する金属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構
成される第１絶縁層、５は第１絶縁層４上に構成される
第１回路パターン、６は金属基板２に実装されるパワー
素子、７はパワー素子６と第１回路パターン５とを接続
するワイヤー線、１６は金属ベース板の底面に位置し、
放熱フィンや筐体に相当する金属板（導電層）、１５は
金属ベース板の底面金属板１６の間に配置され、フェラ
イトなどで形成された強磁性体層である。
態１４に係るパワーモジュールの断面の拡大図である。
図１８において、１はパワーモジュール、２はパワーモ
ジュール１内に配置される金属基板、３は金属基板２を
構成する金属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構
成される第１絶縁層、５は第１絶縁層４上に構成される
第１回路パターン、６は金属基板２に実装されるパワー
素子、７はパワー素子６と第１回路パターン５とを接続
するワイヤー線、１６は金属ベース板の底面に位置し、
放熱フィンや筐体に相当する金属板（導電層）、１５は
金属ベース板の底面金属板１６の間に配置され、フェラ
イトなどで形成された強磁性体層である。
【００６８】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板３を絶縁したものである。更に、金属ベ
ース板３の底面に上述の領域に応じて強磁性体層１５を
配置できるようにする。これにより、上述の各領域で金
属ベース板３間にインダクタンスが生じ、パワー素子６
間の容量結合が抑制されるとともに、強磁性体層１５に
より放熱フィン等の金属板１６がパワーモジュールに１
に接続される場合に金属ベース板３および金属板１６を
介したパワー素子６間のノイズの結合および放熱フィン
へのノイズの漏洩も防ぐことができ、これらのノイズに
よる誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減す
ることができる。
ール１内部に配置され、パワー素子６をその上部に実装
する金属基板２の構成要素である金属ベース板３を、パ
ワー素子６およびそれに繋がる第１回路パターン５が構
成される領域毎に分割し、その隣り合う金属ベース板３
の間に第２絶縁層８を設けることにより分割された各々
の金属ベース板３を絶縁したものである。更に、金属ベ
ース板３の底面に上述の領域に応じて強磁性体層１５を
配置できるようにする。これにより、上述の各領域で金
属ベース板３間にインダクタンスが生じ、パワー素子６
間の容量結合が抑制されるとともに、強磁性体層１５に
より放熱フィン等の金属板１６がパワーモジュールに１
に接続される場合に金属ベース板３および金属板１６を
介したパワー素子６間のノイズの結合および放熱フィン
へのノイズの漏洩も防ぐことができ、これらのノイズに
よる誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減す
ることができる。
【００６９】以上のように、この実施の形態１４によれ
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域毎に金属ベース板３を分割、絶縁したパワーモ
ジュールにおいて、金属ベース板３上の第１絶縁層４と
反対側の表面にフェライトなどで形成された強磁性体層
１５を配置することにより、パワーモジュールが放熱板
等の金属板１６に接続する場合に、パワー素子６間の金
属ベース板３および放熱板を介したノイズの容量結合お
よび放熱フィンへのノイズの漏洩が抑制され、これらの
ノイズによる誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬を低
減することができるという効果が得られる。
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域毎に金属ベース板３を分割、絶縁したパワーモ
ジュールにおいて、金属ベース板３上の第１絶縁層４と
反対側の表面にフェライトなどで形成された強磁性体層
１５を配置することにより、パワーモジュールが放熱板
等の金属板１６に接続する場合に、パワー素子６間の金
属ベース板３および放熱板を介したノイズの容量結合お
よび放熱フィンへのノイズの漏洩が抑制され、これらの
ノイズによる誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬を低
減することができるという効果が得られる。
【００７０】実施の形態１５．図１９は、この実施の形
態１５に係るパワーモジュールの断面の拡大図である。
図１９において、１はパワーモジュール、２はパワーモ
ジュール１内に配置される金属基板、３は金属基板２を
構成する金属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構
成される第１絶縁層、５は第１絶縁層４上に構成される
第１回路パターン、６は金属基板２に実装されるパワー
素子、７はパワー素子６と第１回路パターン５とを接続
するワイヤー線、１１はパワー素子６およびそれに繋が
る第１回路パターン５により構成される領域間に配置さ
れ、金属ベース板３と電気的に接続される第２回路パタ
ーン、１７は第２回路パターン１１と電気的空間的に接
続し、金属基板２を覆うようにパワーモジュール１内に
配置される金属板である。
態１５に係るパワーモジュールの断面の拡大図である。
図１９において、１はパワーモジュール、２はパワーモ
ジュール１内に配置される金属基板、３は金属基板２を
構成する金属ベース板、４は金属ベース板３の表面に構
成される第１絶縁層、５は第１絶縁層４上に構成される
第１回路パターン、６は金属基板２に実装されるパワー
素子、７はパワー素子６と第１回路パターン５とを接続
するワイヤー線、１１はパワー素子６およびそれに繋が
る第１回路パターン５により構成される領域間に配置さ
れ、金属ベース板３と電気的に接続される第２回路パタ
ーン、１７は第２回路パターン１１と電気的空間的に接
続し、金属基板２を覆うようにパワーモジュール１内に
配置される金属板である。
【００７１】次に動作について説明する。パワーモジュ
ール１内部の金属基板２上に実装される各々のパワー素
子６とそれに繋がる第１回路パターン５により構成され
る各領域の間に金属基板２の構成要素である金属ベース
板３と電気的に接続した第２回路パターン１１を設け、
更に第２回路パターン１１と電気的、空間的に接続さ
れ、金属基板２を覆うように配置される金属板１７を設
けたものである。これによりパワー素子６およびそれに
繋がる第１回路パターン５を金属ベース板３と同電位の
第２回路パターン１１と同じく同電位の金属板１７によ
り空間的に覆うことになり、各々のパワー素子６および
それに繋がる第１回路パターン５間での結合が抑制され
る。これにより、パワー素子６間のノイズの結合による
誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減するこ
とができる。
ール１内部の金属基板２上に実装される各々のパワー素
子６とそれに繋がる第１回路パターン５により構成され
る各領域の間に金属基板２の構成要素である金属ベース
板３と電気的に接続した第２回路パターン１１を設け、
更に第２回路パターン１１と電気的、空間的に接続さ
れ、金属基板２を覆うように配置される金属板１７を設
けたものである。これによりパワー素子６およびそれに
繋がる第１回路パターン５を金属ベース板３と同電位の
第２回路パターン１１と同じく同電位の金属板１７によ
り空間的に覆うことになり、各々のパワー素子６および
それに繋がる第１回路パターン５間での結合が抑制され
る。これにより、パワー素子６間のノイズの結合による
誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減するこ
とができる。
【００７２】以上のように、この実施の形態１５によれ
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の間に金属ベース板３と同電位の第２回路パタ
ーン１１、同じく同電位の金属板１７を設けることによ
り、各パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パター
ン５間の誘導および容量結合を抑制し、これによりパワ
ー素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導および放
射ノイズの伝搬を低減することができるという効果が得
られる。
ば、各パワー素子６および第１回路パターン５が構成さ
れる領域の間に金属ベース板３と同電位の第２回路パタ
ーン１１、同じく同電位の金属板１７を設けることによ
り、各パワー素子６およびそれに繋がる第１回路パター
ン５間の誘導および容量結合を抑制し、これによりパワ
ー素子６間のノイズの結合による誤動作や伝導および放
射ノイズの伝搬を低減することができるという効果が得
られる。
【００７３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、パワ
ー素子およびそれに繋がる回路パターンの領域ごとに単
位化して金属ベース板を分離し、隣接する領域間に第２
絶縁層を設けて分離するように構成したので、隣接する
領域同士の金属ベース板間には浮遊容量が生じ、ノイズ
はこの浮遊容量を介して伝搬することになるので、各々
の領域に搭載されたパワー素子間のノイズの結合が抑制
されることになり、したがってこのノイズの結合による
誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減できる
効果がある。
ー素子およびそれに繋がる回路パターンの領域ごとに単
位化して金属ベース板を分離し、隣接する領域間に第２
絶縁層を設けて分離するように構成したので、隣接する
領域同士の金属ベース板間には浮遊容量が生じ、ノイズ
はこの浮遊容量を介して伝搬することになるので、各々
の領域に搭載されたパワー素子間のノイズの結合が抑制
されることになり、したがってこのノイズの結合による
誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減できる
効果がある。
【００７４】この発明によれば、第１回路パターンは第
１絶縁層上に設けられた複数のパワー素子と接続し、第
２回路パターンは第１回路パターンが形成された領域同
士を分離するように上方に突出しつつ介在し金属ベース
板と同電位を有するように構成したので、パワー素子お
よびそれに繋がる第１回路パターンと金属ベース板と同
電位の第２回路パターンとの空間的な誘導的および容量
的結合が強くなることになり、各々のパワー素子および
それに繋がる第１回路パターン間でのこれらの結合が抑
制され、したがってパワー素子間のノイズの結合による
誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減できる
効果がある。
１絶縁層上に設けられた複数のパワー素子と接続し、第
２回路パターンは第１回路パターンが形成された領域同
士を分離するように上方に突出しつつ介在し金属ベース
板と同電位を有するように構成したので、パワー素子お
よびそれに繋がる第１回路パターンと金属ベース板と同
電位の第２回路パターンとの空間的な誘導的および容量
的結合が強くなることになり、各々のパワー素子および
それに繋がる第１回路パターン間でのこれらの結合が抑
制され、したがってパワー素子間のノイズの結合による
誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減できる
効果がある。
【００７５】この発明によれば、第１回路パターンは第
１絶縁層上に設けられた複数のパワー素子と接続し、第
２回路パターンは第１回路パターンが形成された領域同
士間に介在する第２絶縁層に隣接しながら上方に突出し
つつ領域間に介在し、金属ベース板と同電位を有するよ
うに構成した。したがって、各領域での金属ベース板間
に浮遊容量が生じ、各々のパワー素子間のノイズの結合
が抑制される効果がある。加えて、第２絶縁層の片側に
金属ベース板と同電位の第２回路パターンが存在するこ
とにより、第１絶縁層上に構成されるパワー素子および
それに繋がる第１回路パターンとこの第２回路パターン
との空間での誘導および伝導的結合が強くなり、第２回
路パターンが配置される側のパワー素子および第１回路
パターンから第２回路パターンの無い側の素子および回
路パターンへのノイズの結合が抑制される。これによ
り、パワー素子間のノイズの結合による誤動作や伝導お
よび放射ノイズの伝搬をより低減できる効果がある。
１絶縁層上に設けられた複数のパワー素子と接続し、第
２回路パターンは第１回路パターンが形成された領域同
士間に介在する第２絶縁層に隣接しながら上方に突出し
つつ領域間に介在し、金属ベース板と同電位を有するよ
うに構成した。したがって、各領域での金属ベース板間
に浮遊容量が生じ、各々のパワー素子間のノイズの結合
が抑制される効果がある。加えて、第２絶縁層の片側に
金属ベース板と同電位の第２回路パターンが存在するこ
とにより、第１絶縁層上に構成されるパワー素子および
それに繋がる第１回路パターンとこの第２回路パターン
との空間での誘導および伝導的結合が強くなり、第２回
路パターンが配置される側のパワー素子および第１回路
パターンから第２回路パターンの無い側の素子および回
路パターンへのノイズの結合が抑制される。これによ
り、パワー素子間のノイズの結合による誤動作や伝導お
よび放射ノイズの伝搬をより低減できる効果がある。
【００７６】この発明によれば、第２回路パターンは第
２絶縁層の両側に設けられるように構成したので、まず
第２絶縁層により各々の領域での金属ベース板間に浮遊
容量が生じ、各々のパワー素子間のノイズの結合が抑制
される効果がある。加えて、第２絶縁層の両側に金属ベ
ース板と同電位の第２回路パターンが存在することによ
り、第１絶縁層上に構成されるパワー素子およびそれに
繋がる第１回路パターンとこの第２回路パターンとの空
間での誘導および伝導的結合が強くなり、第２回路パタ
ーンが配置される両側のパワー素子および第１回路パタ
ーン間のノイズの結合が抑制される。これにより、パワ
ー素子間のノイズの結合による誤動作や伝導および放射
ノイズの伝搬をより低減できる効果がある。
２絶縁層の両側に設けられるように構成したので、まず
第２絶縁層により各々の領域での金属ベース板間に浮遊
容量が生じ、各々のパワー素子間のノイズの結合が抑制
される効果がある。加えて、第２絶縁層の両側に金属ベ
ース板と同電位の第２回路パターンが存在することによ
り、第１絶縁層上に構成されるパワー素子およびそれに
繋がる第１回路パターンとこの第２回路パターンとの空
間での誘導および伝導的結合が強くなり、第２回路パタ
ーンが配置される両側のパワー素子および第１回路パタ
ーン間のノイズの結合が抑制される。これにより、パワ
ー素子間のノイズの結合による誤動作や伝導および放射
ノイズの伝搬をより低減できる効果がある。
【００７７】この発明によれば、パワー素子および第１
回路パターンが形成された領域毎に金属ベース板上に形
成された第１絶縁層の厚みを可変的に構成するようにし
たので、各々のパワー素子の絶縁電圧と放熱量を考慮し
ながら第１絶縁層の厚みをできる限り厚くすることによ
り、上記各領域と金属ベース板間における浮遊容量を小
さくでき、金属ベース板を介した各々のパワー素子間の
ノイズの結合が抑制され、このノイズの結合による誤動
作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減できる効果
がある。
回路パターンが形成された領域毎に金属ベース板上に形
成された第１絶縁層の厚みを可変的に構成するようにし
たので、各々のパワー素子の絶縁電圧と放熱量を考慮し
ながら第１絶縁層の厚みをできる限り厚くすることによ
り、上記各領域と金属ベース板間における浮遊容量を小
さくでき、金属ベース板を介した各々のパワー素子間の
ノイズの結合が抑制され、このノイズの結合による誤動
作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減できる効果
がある。
【００７８】この発明によれば、第１回路パターンが形
成された領域同士を電気的に分離できるように第２絶縁
層を備えて構成したので、パワー素子およびそれに繋が
る第１回路パターンの領域ごとに金属ベース板を分割
し、その領域間に第２絶縁層を設けることにより、各々
の領域の金属ベース板間に浮遊容量が生じ、互いに別領
域に配置されたパワー素子間のノイズの結合が抑制され
るという効果がある。加えて、各々のパワー素子の絶縁
電圧と放熱量を考慮し、第１絶縁層の厚みをできる限り
厚くすることにより、各領域と金属ベース板間における
浮遊容量を小さくでき、金属ベース板を介した各々のパ
ワー素子間のノイズの結合が抑制される。これにより、
パワー素子間のノイズの結合による誤動作や伝導および
放射ノイズの伝搬をより低減できる効果がある。
成された領域同士を電気的に分離できるように第２絶縁
層を備えて構成したので、パワー素子およびそれに繋が
る第１回路パターンの領域ごとに金属ベース板を分割
し、その領域間に第２絶縁層を設けることにより、各々
の領域の金属ベース板間に浮遊容量が生じ、互いに別領
域に配置されたパワー素子間のノイズの結合が抑制され
るという効果がある。加えて、各々のパワー素子の絶縁
電圧と放熱量を考慮し、第１絶縁層の厚みをできる限り
厚くすることにより、各領域と金属ベース板間における
浮遊容量を小さくでき、金属ベース板を介した各々のパ
ワー素子間のノイズの結合が抑制される。これにより、
パワー素子間のノイズの結合による誤動作や伝導および
放射ノイズの伝搬をより低減できる効果がある。
【００７９】この発明によれば、第２回路パターンは、
第１回路パターンが形成された領域同士を分離するよう
に上方に突出しつつ介在し、金属ベース板と同電位を有
するように構成したので、パワー素子およびそれに繋が
る第１回路パターンと金属ベース板と同電位の第１回路
パターンとの空間的な誘導的および容量的結合が強くな
ることになり、各々のパワー素子およびそれに繋がる第
１回路パターン間での結合が抑制されるという効果があ
る。加えて、各々のパワー素子の絶縁電圧と放熱量を考
慮し、第１絶縁層の厚みをできる限り厚くすることによ
り、各領域と金属ベース板間における浮遊容量を小さく
でき、金属ベース板を介した各々のパワー素子間のノイ
ズの結合が抑制される。これにより、パワー素子間のノ
イズの結合による誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬
をより低減できる効果がある。
第１回路パターンが形成された領域同士を分離するよう
に上方に突出しつつ介在し、金属ベース板と同電位を有
するように構成したので、パワー素子およびそれに繋が
る第１回路パターンと金属ベース板と同電位の第１回路
パターンとの空間的な誘導的および容量的結合が強くな
ることになり、各々のパワー素子およびそれに繋がる第
１回路パターン間での結合が抑制されるという効果があ
る。加えて、各々のパワー素子の絶縁電圧と放熱量を考
慮し、第１絶縁層の厚みをできる限り厚くすることによ
り、各領域と金属ベース板間における浮遊容量を小さく
でき、金属ベース板を介した各々のパワー素子間のノイ
ズの結合が抑制される。これにより、パワー素子間のノ
イズの結合による誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬
をより低減できる効果がある。
【００８０】この発明によれば、第２絶縁層は第１回路
パターンが形成された領域同士を分離するように介在
し、第２回路パターンは第２絶縁層に隣接しながら上方
に突出しつつ前記領域間に介在し金属基板と同電位を有
するように構成した。したがって、パワー素子およびそ
れに繋がる回路パターンの領域ごとに金属ベース板を分
割し、その間に第２絶縁層を設けることにより、各領域
での金属ベース板間に浮遊容量が生じ、各々のパワー素
子間のノイズの結合が抑制されるという効果がある。加
えて、第２絶縁層の片側に金属ベース板と同電位の第２
回路パターンが存在することにより、この第１絶縁層上
に構成されるパワー素子およびそれに繋がる第１回路パ
ターンとこの第２回路パターンとの空間での誘導および
伝導的結合が強くなり、第２回路パターンが配置される
側のパワー素子および第１回路パターンから第２回路パ
ターンの無い側のパワー素子および第１回路パターンへ
のノイズの結合が抑制される。更に、第１回路パターン
と金属ベース板間の第１絶縁層の厚みを各パワー素子に
応じてできる限り厚くすることにより、上記各領域と金
属ベース板間における浮遊容量を小さくでき、金属ベー
ス板を介した各々のパワー素子間のノイズの結合が抑制
される。これにより、パワー素子間のノイズの結合によ
る誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減でき
る効果がある。
パターンが形成された領域同士を分離するように介在
し、第２回路パターンは第２絶縁層に隣接しながら上方
に突出しつつ前記領域間に介在し金属基板と同電位を有
するように構成した。したがって、パワー素子およびそ
れに繋がる回路パターンの領域ごとに金属ベース板を分
割し、その間に第２絶縁層を設けることにより、各領域
での金属ベース板間に浮遊容量が生じ、各々のパワー素
子間のノイズの結合が抑制されるという効果がある。加
えて、第２絶縁層の片側に金属ベース板と同電位の第２
回路パターンが存在することにより、この第１絶縁層上
に構成されるパワー素子およびそれに繋がる第１回路パ
ターンとこの第２回路パターンとの空間での誘導および
伝導的結合が強くなり、第２回路パターンが配置される
側のパワー素子および第１回路パターンから第２回路パ
ターンの無い側のパワー素子および第１回路パターンへ
のノイズの結合が抑制される。更に、第１回路パターン
と金属ベース板間の第１絶縁層の厚みを各パワー素子に
応じてできる限り厚くすることにより、上記各領域と金
属ベース板間における浮遊容量を小さくでき、金属ベー
ス板を介した各々のパワー素子間のノイズの結合が抑制
される。これにより、パワー素子間のノイズの結合によ
る誤動作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減でき
る効果がある。
【００８１】この発明によれば、第２回路パターンは第
２絶縁層の両側に設けられるように構成したので、パワ
ー素子およびそれに繋がる第１回路パターンの領域ごと
に金属ベース板を分割し、その領域間に第２絶縁層を設
けることにより、各領域での金属ベース板間に浮遊容量
が生じ、各々のパワー素子間のノイズの結合が抑制され
るという効果がある。また、第２絶縁層の両側に金属ベ
ース板と同電位の第２回路パターンが存在することによ
り、第１絶縁層上に構成されるパワー素子およびそれに
繋がる第１回路パターンとこの第２回路パターンとの空
間での誘導および伝導的結合が強くなり、第２回路パタ
ーンが配置される両側のパワー素子および第１回路パタ
ーン間のノイズの結合が抑制される。これに加えて、第
１回路パターンと金属ベース板間の第１絶縁層の厚みを
各素子に応じてできる限り厚くすることにより、各領域
と金属ベース板間における浮遊容量を小さくでき、金属
ベース板を介した各々のパワー素子間のノイズの結合が
抑制される。これにより、このノイズの結合による誤動
作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減できる効果
がある。
２絶縁層の両側に設けられるように構成したので、パワ
ー素子およびそれに繋がる第１回路パターンの領域ごと
に金属ベース板を分割し、その領域間に第２絶縁層を設
けることにより、各領域での金属ベース板間に浮遊容量
が生じ、各々のパワー素子間のノイズの結合が抑制され
るという効果がある。また、第２絶縁層の両側に金属ベ
ース板と同電位の第２回路パターンが存在することによ
り、第１絶縁層上に構成されるパワー素子およびそれに
繋がる第１回路パターンとこの第２回路パターンとの空
間での誘導および伝導的結合が強くなり、第２回路パタ
ーンが配置される両側のパワー素子および第１回路パタ
ーン間のノイズの結合が抑制される。これに加えて、第
１回路パターンと金属ベース板間の第１絶縁層の厚みを
各素子に応じてできる限り厚くすることにより、各領域
と金属ベース板間における浮遊容量を小さくでき、金属
ベース板を介した各々のパワー素子間のノイズの結合が
抑制される。これにより、このノイズの結合による誤動
作や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減できる効果
がある。
【００８２】この発明によれば、金属ベース板の下面に
導電層が形成されている構造に於いても、領域毎に分離
された金属ベース板に対応させて導電層を分割・絶縁す
るように構成したので、導電層を介したノイズの伝搬が
抑制され、金属基板での容量結合の抑制が損なわれず、
パワー素子間のノイズの結合による誤動作や伝導および
放射ノイズの伝搬をより低減できる効果がある。
導電層が形成されている構造に於いても、領域毎に分離
された金属ベース板に対応させて導電層を分割・絶縁す
るように構成したので、導電層を介したノイズの伝搬が
抑制され、金属基板での容量結合の抑制が損なわれず、
パワー素子間のノイズの結合による誤動作や伝導および
放射ノイズの伝搬をより低減できる効果がある。
【００８３】この発明によれば、第１回路パターンは金
属基板上に形成された複数のパワー素子とそれぞれ接続
し、第２絶縁層は第１回路パターンが形成された領域同
士を電気的に分離するために介在し、金属基板の下面に
形成される導電層と金属基板との間には領域に応じて第
３絶縁層を配置するように構成したので、パワーモジュ
ールが放熱フィンなどの導電層に配置される場合におい
ても、パワー素子およびそれに繋がる第１回路パターン
が構成される領域に応じて、金属基板の底面に他の絶縁
層を設けることにより、導電層を介してのノイズの伝搬
が抑制され、金属ベース板での容量結合の抑制が損なわ
れず、パワー素子間のノイズの結合による誤動作や伝導
および放射ノイズの伝搬をより低減できる効果がある。
属基板上に形成された複数のパワー素子とそれぞれ接続
し、第２絶縁層は第１回路パターンが形成された領域同
士を電気的に分離するために介在し、金属基板の下面に
形成される導電層と金属基板との間には領域に応じて第
３絶縁層を配置するように構成したので、パワーモジュ
ールが放熱フィンなどの導電層に配置される場合におい
ても、パワー素子およびそれに繋がる第１回路パターン
が構成される領域に応じて、金属基板の底面に他の絶縁
層を設けることにより、導電層を介してのノイズの伝搬
が抑制され、金属ベース板での容量結合の抑制が損なわ
れず、パワー素子間のノイズの結合による誤動作や伝導
および放射ノイズの伝搬をより低減できる効果がある。
【００８４】この発明によれば、パワー素子およびそれ
に繋がる回路パターンの領域ごとに単位化して金属ベー
ス板を分離し、隣接する領域間に強磁性体で形成された
層を設けて分離するように構成したので、隣接する領域
同士の金属ベース板間にはインダクタンスが生じ、ノイ
ズはこのインダクタンスを介して伝搬することになるの
で、各々の領域に搭載されたパワー素子間のノイズの結
合がインダクタンスにより抑制されることになり、した
がってこのノイズの結合による誤動作や伝導および放射
ノイズの伝搬をより低減できる効果がある。
に繋がる回路パターンの領域ごとに単位化して金属ベー
ス板を分離し、隣接する領域間に強磁性体で形成された
層を設けて分離するように構成したので、隣接する領域
同士の金属ベース板間にはインダクタンスが生じ、ノイ
ズはこのインダクタンスを介して伝搬することになるの
で、各々の領域に搭載されたパワー素子間のノイズの結
合がインダクタンスにより抑制されることになり、した
がってこのノイズの結合による誤動作や伝導および放射
ノイズの伝搬をより低減できる効果がある。
【００８５】この発明によれば、第１回路パターンは金
属基板上に形成された複数のパワー素子とそれぞれ接続
し、第２絶縁層は第１回路パターンが形成された領域の
金属ベース板を電気的に分離するために介在し、導電層
は金属基板の下面に形成され、金属基板と導電層の間に
は領域に応じて強磁性体で形成された層を配置するよう
に構成したので、パワーモジュールに放熱フィンなどの
導電層が配置される場合においても、パワー素子および
それに繋がる第１回路パターンが構成される領域に応じ
て、金属基板の底面にこの層を設けることにより、導電
層を介してのノイズの伝搬が強磁性体層のインダクタン
スにより抑制され、金属ベース板での容量結合の抑制が
損なわれず、パワー素子間のノイズの結合による誤動作
や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減できる効果が
ある。
属基板上に形成された複数のパワー素子とそれぞれ接続
し、第２絶縁層は第１回路パターンが形成された領域の
金属ベース板を電気的に分離するために介在し、導電層
は金属基板の下面に形成され、金属基板と導電層の間に
は領域に応じて強磁性体で形成された層を配置するよう
に構成したので、パワーモジュールに放熱フィンなどの
導電層が配置される場合においても、パワー素子および
それに繋がる第１回路パターンが構成される領域に応じ
て、金属基板の底面にこの層を設けることにより、導電
層を介してのノイズの伝搬が強磁性体層のインダクタン
スにより抑制され、金属ベース板での容量結合の抑制が
損なわれず、パワー素子間のノイズの結合による誤動作
や伝導および放射ノイズの伝搬をより低減できる効果が
ある。
【００８６】この発明によれば、第１回路パターンは第
１絶縁層上に設けられた複数のパワー素子と接続し、第
２回路パターンは第１回路パターンが形成された領域同
士を分離するように上方に突出しつつ介在し金属ベース
板と同電位を有するように構成し、更に金属板を金属基
板を覆うように配置し、第２回路パターンと電気的、空
間的に接続するよう構成したので、パワー素子およびそ
れに繋がる第１回路パターンを金属ベース板と同電位の
第２回路パターンと同じく同電位の金属板によりの空間
的に覆うことになり、各々のパワー素子およびそれに繋
がる第１回路パターン間でのこれらの結合が抑制され、
したがってパワー素子間のノイズの結合による誤動作や
伝導および放射ノイズの伝搬をより低減できる効果があ
る。
１絶縁層上に設けられた複数のパワー素子と接続し、第
２回路パターンは第１回路パターンが形成された領域同
士を分離するように上方に突出しつつ介在し金属ベース
板と同電位を有するように構成し、更に金属板を金属基
板を覆うように配置し、第２回路パターンと電気的、空
間的に接続するよう構成したので、パワー素子およびそ
れに繋がる第１回路パターンを金属ベース板と同電位の
第２回路パターンと同じく同電位の金属板によりの空間
的に覆うことになり、各々のパワー素子およびそれに繋
がる第１回路パターン間でのこれらの結合が抑制され、
したがってパワー素子間のノイズの結合による誤動作や
伝導および放射ノイズの伝搬をより低減できる効果があ
る。
【図１】 この発明の実施の形態１によるパワーモジュ
ールを示す部分断面図である。
ールを示す部分断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１によるパワーモジュ
ールにおけるノイズ伝搬の概念図である。
ールにおけるノイズ伝搬の概念図である。
【図３】 この発明の実施の形態２によるパワーモジュ
ールを示す部分断面図である。
ールを示す部分断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態２によるパワーモジュ
ールにおけるノイズ伝搬の概念図である。
ールにおけるノイズ伝搬の概念図である。
【図５】 この発明の実施の形態３によるパワーモジュ
ールの部分断面図である。
ールの部分断面図である。
【図６】 この発明の実施の形態４によるパワーモジュ
ールの部分断面図である。
ールの部分断面図である。
【図７】 この発明の実施の形態５によるパワーモジュ
ールの部分断面図である。
ールの部分断面図である。
【図８】 この発明の実施の形態６によるパワーモジュ
ールの部分断面図である。
ールの部分断面図である。
【図９】 この発明の実施の形態７によるパワーモジュ
ールの部分断面図である。
ールの部分断面図である。
【図１０】 この発明の実施の形態８によるパワーモジ
ュールの部分断面図である。
ュールの部分断面図である。
【図１１】 この発明の実施の形態９によるパワーモジ
ュールの部分断面図である。
ュールの部分断面図である。
【図１２】 この発明の実施の形態１０によるパワーモ
ジュールの部分断面図である。
ジュールの部分断面図である。
【図１３】 この発明の実施の形態１１によるパワーモ
ジュールの部分断面図である。
ジュールの部分断面図である。
【図１４】 この発明の実施の形態１２によるパワーモ
ジュールの部分断面図である。
ジュールの部分断面図である。
【図１５】 この発明の実施の形態１２によるパワーモ
ジュールにおけるノイズ伝搬の概念図である。
ジュールにおけるノイズ伝搬の概念図である。
【図１６】 この発明の実施の形態１３によるパワーモ
ジュールの部分断面図である。
ジュールの部分断面図である。
【図１７】 この発明の実施の形態１３によるパワーモ
ジュールにおけるノイズ伝搬の概念図である。
ジュールにおけるノイズ伝搬の概念図である。
【図１８】 この発明の実施の形態１４によるパワーモ
ジュールの部分断面図である。
ジュールの部分断面図である。
【図１９】 この発明の実施の形態１５によるパワーモ
ジュールの部分断面図である。
ジュールの部分断面図である。
【図２０】 従来のパワーモジュールの部分断面図であ
る。
る。
１ パワーモジュール、２ 金属基板、３ 金属ベース
板、４ 第１絶縁層、５ 第１回路パターン、６ パワ
ー素子、８ 第２絶縁層、１１ 第２回路パターン、１
２，１６ 金属板（導電層）、１３ 第３絶縁層、１
４，１５ 強磁性体層、１７ 金属板、２４，２５ 絶
縁層。
板、４ 第１絶縁層、５ 第１回路パターン、６ パワ
ー素子、８ 第２絶縁層、１１ 第２回路パターン、１
２，１６ 金属板（導電層）、１３ 第３絶縁層、１
４，１５ 強磁性体層、１７ 金属板、２４，２５ 絶
縁層。
Claims (14)
- 【請求項１】 金属ベース板とこの上に形成された第１
絶縁層とからなる金属基板と、該金属基板上に形成され
た複数のパワー素子と、これらのパワー素子とそれぞれ
接続する第１回路パターンの群と、上記第１回路パター
ンが形成された領域同士を電気的に分離するために介在
する第２絶縁層とを備えたパワーモジュール。 - 【請求項２】 金属ベース板とこの上に形成された第１
絶縁層とからなる金属基板と、該金属基板上に設けられ
た複数のパワー素子と、これらのパワー素子とそれぞれ
接続する第１回路パターンの群と、上記第１回路パター
ンが形成された領域同士を分離するように上方に突出し
て介在し上記金属ベース板と同電位を有する第２回路パ
ターンとを備えたパワーモジュール。 - 【請求項３】 金属ベース板とこの上に形成された第１
絶縁層とからなる金属基板と、該金属基板上に設けられ
た複数のパワー素子と、これらのパワー素子とそれぞれ
接続する第１回路パターンの群と、上記第１回路パター
ンが形成された領域同士間に介在する第２絶縁層と、こ
の第２絶縁層に隣接しながら上方に突出して上記領域間
に介在し、上記金属ベース板と同電位を有する第２回路
パターンとを備えたパワーモジュール。 - 【請求項４】 第２回路パターンは第２絶縁層の両側に
設けられることを特徴とする請求項３記載のパワーモジ
ュール。 - 【請求項５】 金属ベース板とこの上に形成された第１
絶縁層とからなる金属基板と、この第１絶縁層上に形成
された複数のパワー素子と、これらのパワー素子とそれ
ぞれ接続する第１回路パターンの群とを備えたパワーモ
ジュールにおいて、上記パワー素子および上記第１回路
パターンが形成された領域毎に上記第１絶縁層の厚みを
可変的に形成することを特徴とするパワーモジュール。 - 【請求項６】 第１回路パターンが形成された領域同士
を電気的に分離するように介在する第２絶縁層を備えた
ことを特徴とする請求項５記載のパワーモジュール。 - 【請求項７】 第１回路パターンが形成された領域同士
を分離するように上方に突出して介在し金属ベース板と
同電位を有する第２回路パターンを備えたことを特徴と
する請求項５記載のパワーモジュール。 - 【請求項８】 第１回路パターンが形成された領域同士
を分離するように介在する第２絶縁層と、且つこの第２
絶縁層に隣接しながら上方に突出して上記領域間に介在
し、金属ベース板と同電位を有する第２回路パターンと
を備えたことを特徴とする請求項５記載のパワーモジュ
ール。 - 【請求項９】 第２回路パターンは第２絶縁層の両側に
設けられることを特徴とする請求項８記載のパワーモジ
ュール。 - 【請求項１０】 金属基板の下面には導電層が形成さ
れ、上記金属ベース板に対応して上記導電層を分割・絶
縁することを特徴とする請求項１記載のパワーモジュー
ル。 - 【請求項１１】 金属ベース板とこの上に形成された第
１絶縁層とからなる金属基板と、該金属基板上に形成さ
れた複数のパワー素子と、これらのパワー素子とそれぞ
れ接続する第１回路パターンの群と、上記第１回路パタ
ーンが形成された領域同士を電気的に分離するために介
在する第２絶縁層と、上記金属基板の下面に形成され上
記金属ベース板に対応して分割・絶縁された導電層とを
備えたパワーモジュールにおいて、上記金属ベース板と
上記導電層の間に上記領域に応じて第３絶縁層を配置す
ることを特徴とするパワーモジュール。 - 【請求項１２】 第２絶縁層の代わりに強磁性体で形成
された層を用いることを特徴とする請求項１記載のパワ
ーモジュール。 - 【請求項１３】 第３絶縁層の代わりに強磁性体で形成
された層を用いることを特徴とする請求項１１記載のパ
ワーモジュール。 - 【請求項１４】 金属基板上に設けられた複数のパワー
素子の上部に、金属基板を覆うように配置され、第１回
路パターンが形成された領域同士を分離するように上方
に突出して介在した第２回路パターンと同電位を有する
金属板を備えたことを特徴とする請求項２記載のパワー
モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16248598A JP4086963B2 (ja) | 1997-06-25 | 1998-06-10 | パワーモジュール |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16929597 | 1997-06-25 | ||
| JP9-169295 | 1997-06-25 | ||
| JP16248598A JP4086963B2 (ja) | 1997-06-25 | 1998-06-10 | パワーモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174452A true JPH1174452A (ja) | 1999-03-16 |
| JP4086963B2 JP4086963B2 (ja) | 2008-05-14 |
Family
ID=26488264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16248598A Expired - Fee Related JP4086963B2 (ja) | 1997-06-25 | 1998-06-10 | パワーモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4086963B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005096252A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Panel for display device, and display device |
| JP2008042124A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体パワーモジュール |
| US7907390B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-03-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device |
| CN103582291A (zh) * | 2012-08-02 | 2014-02-12 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种金属基印制电路板及电子设备 |
| JP2015106646A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JP2017011836A (ja) * | 2015-06-19 | 2017-01-12 | 株式会社明電舎 | 電力変換装置用モジュール |
| WO2018146815A1 (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-16 | 新電元工業株式会社 | 電子モジュール |
-
1998
- 1998-06-10 JP JP16248598A patent/JP4086963B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005096252A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Panel for display device, and display device |
| US7724234B2 (en) | 2004-04-01 | 2010-05-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Panel for display device, and display device |
| US7907390B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-03-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device |
| JP2008042124A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体パワーモジュール |
| CN103582291A (zh) * | 2012-08-02 | 2014-02-12 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种金属基印制电路板及电子设备 |
| JP2015106646A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| EP2881988B1 (en) * | 2013-11-29 | 2020-07-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| JP2017011836A (ja) * | 2015-06-19 | 2017-01-12 | 株式会社明電舎 | 電力変換装置用モジュール |
| WO2018146815A1 (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-16 | 新電元工業株式会社 | 電子モジュール |
| JPWO2018146815A1 (ja) * | 2017-02-13 | 2019-02-14 | 新電元工業株式会社 | 電子モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4086963B2 (ja) | 2008-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2854757B2 (ja) | 半導体パワーモジュール | |
| KR100588986B1 (ko) | 집적회로 | |
| US7474190B2 (en) | Component arrangement with a planar transformer | |
| US6606011B2 (en) | Energy conditioning circuit assembly | |
| US8830694B2 (en) | Circuit device | |
| US6011299A (en) | Apparatus to minimize integrated circuit heatsink E.M.I. radiation | |
| TW201003868A (en) | Shielded integrated circuit pad structure | |
| KR20020019413A (ko) | 집적된 전자기 차폐 디바이스 | |
| US6396123B1 (en) | Semiconductor device provided with on-chip decoupling condenser utilizing CMP dummy patterns | |
| EP1085594A2 (en) | High frequency circuit apparatus | |
| US20080116541A1 (en) | Structure for integrating an rf shield structure in a carrier substrate | |
| JP2018133531A (ja) | 電子装置 | |
| JP4086963B2 (ja) | パワーモジュール | |
| JP2001127387A (ja) | プリント配線基板 | |
| KR102279978B1 (ko) | 모듈 | |
| JPH11340630A (ja) | プリント配線基板 | |
| KR100427111B1 (ko) | 에너지 조절 회로 조립체 | |
| US20230253341A1 (en) | Circuit module | |
| JP2010183100A (ja) | 半導体増幅器 | |
| JPH0272660A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3904273B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2940478B2 (ja) | シールド付き表面実装部品 | |
| JP2002057418A (ja) | プリント配線基板 | |
| JP3116782B2 (ja) | 誘導相殺コンデンサを備えた回路基板 | |
| JP2004014862A (ja) | 配線構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041101 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060117 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060316 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070313 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070426 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070710 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070907 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20071009 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080122 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080220 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140228 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |