JPH1167878A - Replacement apparatus for dummy substrate - Google Patents
Replacement apparatus for dummy substrateInfo
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- JPH1167878A JPH1167878A JP21936597A JP21936597A JPH1167878A JP H1167878 A JPH1167878 A JP H1167878A JP 21936597 A JP21936597 A JP 21936597A JP 21936597 A JP21936597 A JP 21936597A JP H1167878 A JPH1167878 A JP H1167878A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板移載ボートに
対する基板の移載パターンの変更に伴って、基板移載ボ
ートに載置されている疑似基板を入れ替える疑似基板入
替え装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a simulated substrate replacing apparatus for replacing a simulated substrate mounted on a substrate transfer boat with a change in a substrate transfer pattern on the substrate transfer boat.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体基板(以下「ウェーハ」
という。)の拡散処理や成膜処理を行う縦型拡散装置や
縦型CVD(Chemical Vapor Depo
sition)装置においては、処理室の雰囲気の安定
化及び温度の安定化(均熱長)を図るために、ウェーハ
移載ボートの上下両端に疑似ウェーハ(以下「サイドダ
ミーウェーハ」という。)を載置するようになってい
る。2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor substrate (hereinafter, referred to as "wafer")
That. ) And vertical CVD (Chemical Vapor Depo) for performing diffusion processing and film formation processing.
In a site apparatus, pseudo wafers (hereinafter, referred to as “side dummy wafers”) are mounted on both upper and lower ends of a wafer transfer boat in order to stabilize the atmosphere in the processing chamber and stabilize the temperature (soaking length). To be placed.
【0003】このサイドダミーウェーハは、製品ウェー
ハやテストウェーハ等の被処理ウェーハと同様に、入れ
替えられる。この入替えは、サイドダミーウェーハをウ
ェーハ移載ボードからウェーハ収納カセットに移載する
ディスチャージと、ウェーハ収納カセットからウェーハ
移載ボードに移載するチャージとからなる。The side dummy wafer is replaced in the same manner as a wafer to be processed such as a product wafer or a test wafer. This replacement includes a discharge for transferring the side dummy wafer from the wafer transfer board to the wafer storage cassette and a charge for transferring the side dummy wafer from the wafer storage cassette to the wafer transfer board.
【0004】また、この入替え処理は、通常、1バッチ
分の拡散処理等ごとではなく、数バッチ分の拡散処理等
ごとに実行される。これは、縦型拡散装置や縦型CVD
装置のスループットを向上させるためである。[0006] The replacement process is usually performed not for each batch of diffusion processing but for every several batches of diffusion processing. This is a vertical diffusion device or vertical CVD
This is for improving the throughput of the apparatus.
【0005】このような運用においては、サイドダミー
ウェーハの入替えは、通常、自動ではなく、手動(マニ
ュアルオペレーション)によって行われる(以下の説明
では、自動による作業を処理といい、手動による作業を
操作という。)。In such an operation, the replacement of the side dummy wafers is usually performed not manually but manually (manual operation) (in the following description, the automatic operation is called processing, and the manual operation is performed. .)
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成では、被処理ウェーハの移載パターンを変更す
る場合、オペレータの負担が大きくなるという問題があ
った。However, such a configuration has a problem that the operator's burden increases when the transfer pattern of the wafer to be processed is changed.
【0007】すなわち、1つの装置においても、被処理
ウェーハの移載パターンが異なる場合がある。例えば、
拡散処理や成膜処理(プロセス)の都合で、被処理ウェ
ーハをウェーハ移載ボートの各スロットごとに載置する
場合と1スロットおきに載置する場合とでは、被処理ウ
ェーハの移載パターンが異なる。That is, even in one apparatus, the transfer pattern of the wafer to be processed may be different. For example,
Due to the diffusion process and the film formation process (process), the transfer pattern of the wafer to be processed is different between the case where the wafer to be processed is mounted in each slot of the wafer transfer boat and the case where the wafer is mounted every other slot. different.
【0008】被処理ウェーハの移載パターンが異なる場
合、サイドダミーウェーハの載置パターン(載置枚数や
載置位置)も異なる。したがって、被処理ウェーハの移
載パターンが異なるために、この移載パターンを変更し
なければならない場合、サイドダミーウェーハの入替え
も同時に行わなければならない。When the transfer pattern of the wafer to be processed is different, the mounting pattern (the number of mounted wafers and the mounting position) of the side dummy wafer is also different. Therefore, when the transfer pattern has to be changed because the transfer pattern of the wafer to be processed is different, the replacement of the side dummy wafer must be performed at the same time.
【0009】しかしながら、この入替えは、上記のごと
く、手動により行われる。したがって、被処理ウェーハ
の移載パターンを変更する場合、オペレータは、移載パ
ターンの変更操作の他に、サイドダミーウェーハの入替
え操作も行わなければならない。これにより、この場
合、オペレータの負担が大きくなる。しかも、サイドダ
ミーウェーハの入替え操作は、変更後の移載パターンに
よって規定されるサイドダミーウェーハの載置パターン
とウェーハ移載ボートに現在載置されているサイドダミ
ーウェーハの載置パターンとを常に意識しながら行わな
ければならないため、その負担は非常に大きなものとな
る。However, this replacement is performed manually as described above. Therefore, when changing the transfer pattern of the wafer to be processed, the operator must also perform the operation of replacing the side dummy wafer in addition to the operation of changing the transfer pattern. Thus, in this case, the burden on the operator increases. In addition, the replacement operation of the side dummy wafer is always conscious of the mounting pattern of the side dummy wafer specified by the changed transfer pattern and the mounting pattern of the side dummy wafer currently mounted on the wafer transfer boat. The burden is very large.
【0010】図5にこの様子を示す。図5は、ウェーハ
移載シーケンスを示す図である。図において、101
は、ウェーハ移載ボートを示し、102は、被処理ウェ
ーハを示し、103は、サイドダミーウェーハを示す。FIG. 5 shows this state. FIG. 5 is a diagram showing a wafer transfer sequence. In the figure, 101
Indicates a wafer transfer boat, 102 indicates a wafer to be processed, and 103 indicates a side dummy wafer.
【0011】また、T1,T3は、拡散処理や成膜処理
が実行される期間を示す。言い換えれば、移載パターン
パラメータ(プロセスレシピ)に従って自動的に被処理
ウェーハ102のチャージ処理やディスチャージ処理が
実行される期間を示す。T2は、移載パターンの変更操
作とサイドダミーウェーハ103の入替え操作とが行わ
れる期間を示す。すなわち、手動によって移載パターン
の変更とサイドダミーウェーハの入替えとが行われる期
間を示す。ここで、期間T1,T2,T3は、この順序
で進行する。Further, T1 and T3 indicate periods during which the diffusion process and the film formation process are performed. In other words, it indicates a period during which the charge processing and the discharge processing of the processing target wafer 102 are automatically performed according to the transfer pattern parameter (process recipe). T2 indicates a period during which the operation of changing the transfer pattern and the operation of replacing the side dummy wafer 103 are performed. That is, it indicates a period during which the transfer pattern is changed and the side dummy wafers are replaced manually. Here, the periods T1, T2, T3 proceed in this order.
【0012】図示のごとく、期間T1においては、ま
ず、被処理ウェーハ102のチャージ処理が実行され
る。このチャージ処理が終了すると、拡散処理や成膜処
理(プロセス)が実行される。この拡散処理や成膜処理
が終了すると、被処理ウェーハ102のディスチャージ
処理が実行される。As shown in the figure, in a period T1, first, a charging process of the wafer to be processed 102 is performed. When the charging process is completed, a diffusion process and a film forming process (process) are performed. When the diffusion process and the film forming process are completed, a discharge process of the wafer to be processed 102 is performed.
【0013】次の期間T2においては、まず、オペレー
タによりサイドダミーウェーハ103のディスチャージ
操作が実行される。このディスチャージ操作が終了する
と、オペレータにより移載パターンの変更操作が実行さ
れる。この変更操作が終了すると、オペレータによりサ
イドダミーウェーハ103のチャージ操作が実行され
る。次の期間T3では、期間T1と同じような処理が実
行される。In the next period T2, first, a discharge operation of the side dummy wafer 103 is performed by an operator. When the discharge operation is completed, the operator performs a transfer pattern changing operation. When this change operation is completed, a charge operation of the side dummy wafer 103 is performed by the operator. In the next period T3, processing similar to that in the period T1 is performed.
【0014】期間T2に示すごとく、被処理ウェーハ1
02の移載パターンが異なる場合、オペレータは、サイ
ドダミーウェーハ103のディスチャージ操作と、移載
パターンの変更操作と、サイドダミーウェーハ103の
チャージ操作とを順次実行しなければならない。これに
より、オペレータの負担が大きくなる。As shown in a period T2, the processing target wafer 1
When the transfer pattern of No. 02 is different, the operator must sequentially execute the operation of discharging the side dummy wafer 103, the operation of changing the transfer pattern, and the operation of charging the side dummy wafer 103. This increases the burden on the operator.
【0015】この問題を解決するためには、縦型拡散装
置等として、移載パターンの変更を自動的に行うことが
可能な自動化装置を用いるようにすればよい。しかしな
がら、現在の自動化装置では、サイドダミーウェーハ1
03の入替えを自動的に行うためには、この入替え処理
を1バッチ分の拡散処理等ごとに実行しなければならな
いため、装置のスループットが低下するという問題が新
たに生じる。In order to solve this problem, an automatic device capable of automatically changing a transfer pattern may be used as a vertical diffusion device or the like. However, in the current automated equipment, the side dummy wafer 1
In order to perform the replacement of 03 automatically, this replacement process must be performed for each batch of diffusion process or the like, which causes a new problem that the throughput of the apparatus is reduced.
【0016】本発明は上記の事情に対処すべくなされた
もので、装置のスループットを低下させることなく、基
板の移載パターンを変更する場合のオペレータの負担を
軽減することができる疑似基板入替え装置を提供するこ
とを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has an object to reduce the burden on an operator when changing a substrate transfer pattern without reducing the throughput of the apparatus. The purpose is to provide.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る疑似基板入替え装置は、基板移載ボート
に対する被処理基板の移載パターンが変更された場合
に、基板移載ボートに載置されている疑似基板を入れ替
える装置において、判定手段と、入替え手段とを設ける
ようにしたものである。In order to achieve the above object, a pseudo-substrate replacement apparatus according to the present invention provides a pseudo-substrate replacement apparatus for a substrate transfer boat when a transfer pattern of a substrate to be processed to the substrate transfer boat is changed. An apparatus for replacing a mounted pseudo substrate is provided with a determination unit and a replacement unit.
【0018】ここで、判定手段は、基板移載ボートに被
処理基板を移載する前に、現在設定中の移載パターンに
より規定される疑似基板の載置パターンが基板移載ボー
トに現在載置されている疑似基板の載置パターンと異な
るか否かを判定する機能を有する。入替え手段は、判定
手段により載置パターンが異なると判定されると、移載
パターンにより規定される疑似基板の配置に従って、基
板移載ボードに載置されている疑似基板を入れ替える機
能を有する。Here, before the substrate to be processed is transferred to the substrate transfer boat, the determining means determines whether the pattern of the pseudo substrate specified by the transfer pattern currently being set is currently loaded on the substrate transfer boat. It has a function of determining whether or not the placement pattern of the placed pseudo substrate is different. The replacement means has a function of replacing the pseudo substrate mounted on the substrate transfer board according to the arrangement of the pseudo substrate specified by the transfer pattern when the determination means determines that the placement pattern is different.
【0019】上記構成においては、基板移載ボートに被
処理基板を移載する前に、判定手段により、現在設定中
の移載パターンにより規定される疑似基板の載置パター
ンが基板移載ボートに現在載置されている疑似基板の載
置パターンと異なるか否かが判定される。この判定処理
により、載置パターンが異なると判定されると、入替え
手段により、移載パターンにより規定される疑似基板の
載置パターンに従って、疑似基板の入替え処理が実行さ
れる。In the above configuration, before the substrate to be processed is transferred to the substrate transfer boat, the determination means sets the pseudo-substrate mounting pattern defined by the transfer pattern currently set to the substrate transfer boat. It is determined whether or not the mounting pattern is different from the mounting pattern of the currently mounted pseudo substrate. When it is determined that the placement patterns are different from each other by the determination process, the replacement unit executes the replacement process of the pseudo substrate according to the placement pattern of the pseudo substrate defined by the transfer pattern.
【0020】このような構成によれば、移載パターンが
変更された場合、疑似基板は手動ではなく、自動的に入
れ替えられる。これにより、移載パターンが変更された
場合のオペレータの負担を軽減することができる。ま
た、移載パターンが変更された場合だけ疑似基板の入替
え処理を実行すればよく、1バッチ分の基板処理ごとに
入替え処理を実行する必要がないので、装置のスループ
ットの低下も防止することができる。According to such a configuration, when the transfer pattern is changed, the pseudo substrate is automatically replaced instead of manually. Thereby, the burden on the operator when the transfer pattern is changed can be reduced. In addition, it is only necessary to execute the replacement process of the pseudo substrate only when the transfer pattern is changed, and it is not necessary to perform the replacement process for each batch of substrate processing. it can.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態を詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0022】図1は、本発明に係る疑似基板入替え装置
の一実施の形態の構成を示すブロック図である。但し、
図1には、この疑似基板入替え装置を備えた基板処理装
置全体の構成を示す。なお、以下の説明では、例えば、
基板処理装置がウェーハを拡散処理する縦型拡散処理装
置であり、疑似基板入替え装置がサイドダミーウェーハ
の入替えを行うサイドダミーウェーハ入替え装置である
ものとして説明する。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an embodiment of a pseudo substrate replacing apparatus according to the present invention. However,
FIG. 1 shows an overall configuration of a substrate processing apparatus provided with the pseudo substrate replacing apparatus. In the following description, for example,
The description will be made on the assumption that the substrate processing apparatus is a vertical diffusion processing apparatus that performs diffusion processing on a wafer, and the pseudo substrate replacement apparatus is a side dummy wafer replacement apparatus that replaces a side dummy wafer.
【0023】図示の縦型拡散装置200は、装置外部か
ら搬入されたウェーハ収納カセットや装置外部に搬出さ
れるウェーハ収納カセットが載置されるカセットステー
ジ201と、このカセットステージ201に載置された
ウェーハ収納カセットを図示しないカセット棚に搬送し
たり、カセット棚に収納されているウェーハ収納カセッ
トをカセットステージ201に搬送するためのカセット
ローダ202とを有する。The illustrated vertical diffusion apparatus 200 has a cassette stage 201 on which a wafer storage cassette loaded from outside the apparatus and a wafer storage cassette unloaded outside the apparatus are mounted, and a cassette stage 201 mounted on the cassette stage 201. It has a cassette loader 202 for transferring the wafer storage cassette to a cassette shelf (not shown) and for transferring the wafer storage cassette stored in the cassette shelf to the cassette stage 201.
【0024】また、図示の縦型拡散装置200は、カセ
ット棚内のウェーハ収納カセットに収納されているウェ
ーハ(被処理ウェーハやサイドダミーウェーハ)を図示
しないウェーハ移載ボートに移載したり、ウェーハ移載
ボートに載置されているウェーハをウェーハ収納カセッ
トに移載したりするウェーハ移載機203と、ウェーハ
移載ボートを図示しない処理室(反応室)の内部に搬入
したり、処理室の内部から搬出したりするためのボート
エレベータ204とを有する。The illustrated vertical diffusion device 200 transfers wafers (processed wafers and side dummy wafers) stored in a wafer storage cassette in a cassette shelf to a wafer transfer boat (not shown), A wafer transfer machine 203 for transferring wafers mounted on a transfer boat to a wafer storage cassette; a wafer transfer boat 203 for loading a wafer transfer boat into a processing chamber (reaction chamber) (not shown); And a boat elevator 204 for carrying it out from the inside.
【0025】また、図示の縦型拡散装置200は、図示
しない給気配管や排気配管等を遮断するための開閉弁を
開閉駆動するソレノイド205と、処理室の内部の圧力
等を検出するためのセンサ206とを有する。The illustrated vertical diffusion device 200 includes a solenoid 205 for opening and closing an open / close valve for shutting off a supply pipe, an exhaust pipe, and the like (not shown), and a pressure sensor for detecting the pressure inside the processing chamber. And a sensor 206.
【0026】また、図示の縦型拡散装置200は、装置
200の搬送系を制御する搬送系制御部207と、装置
200全体の制御を司る上位コンピュータ208と、オ
ペレータが装置200を操作するための主操作部209
と、上位コンピュータ208の制御や主操作部209の
操作に基づいて、搬送系制御部207を制御する主制御
部210とを有する。The illustrated vertical diffusion apparatus 200 includes a transport system control unit 207 for controlling the transport system of the apparatus 200, an upper computer 208 for controlling the entire apparatus 200, and an operator for operating the apparatus 200. Main operation unit 209
And a main control unit 210 that controls the transport system control unit 207 based on the control of the host computer 208 and the operation of the main operation unit 209.
【0027】上記搬送系制御部207は、主制御部21
0との間で、データの送受信を行うためのデータ送受信
部1Aと、搬送系制御部207の各部の制御を司る中央
処理装置(以下「CPU」という。)2Aと、このCP
U2Aの処理プログラム等を格納するための読出し専用
メモリ(以下「ROM」という。)3Aと、このCPU
2Aの作業メモリとして使用されるランダムアクセスメ
モリ(以下「RAM」という。)4Aとを有する。The transport system control unit 207 includes the main control unit 21
0, a data transmission / reception unit 1A for transmitting / receiving data, a central processing unit (hereinafter referred to as “CPU”) 2A for controlling each unit of the transport system control unit 207, and the CP.
A read-only memory (hereinafter referred to as "ROM") 3A for storing a U2A processing program and the like;
And a random access memory (hereinafter referred to as "RAM") 4A used as a 2A working memory.
【0028】また、上記搬送系制御部207は、移載パ
ターンパラメータ(プロセスレシピ)等の各種パラメー
タを解析するためのパラメータ解析部5Aと、ウェーハ
の搬送を制御するための搬送制御データ(移載パラメー
タ)を作成する搬送制御データ作成部6Aと、この搬送
制御データ作成部6Aにより作成された搬送制御データ
に基づいて、カセットステージ201等の動作を制御す
ることにより、ウェーハの搬送を制御する動作制御部7
Aと、CPU2Aの指示に従って、ソレノイド205等
の動作を制御するI/Oデータ入出力部8Aとを有す
る。The transfer system control unit 207 includes a parameter analysis unit 5A for analyzing various parameters such as transfer pattern parameters (process recipe), and transfer control data (transfer control) for controlling transfer of wafers. And an operation for controlling the operation of the cassette stage 201 and the like based on the transfer control data created by the transfer control data creation unit 6A to create wafers, thereby controlling wafer transfer. Control unit 7
A, and an I / O data input / output unit 8A that controls the operation of the solenoid 205 and the like according to instructions from the CPU 2A.
【0029】上記の構成において、動作を説明する。ま
ず、図2を参照しながら、サイドダミーウェーハの入替
え処理の概略を説明する。The operation of the above configuration will be described. First, the outline of the process of replacing the side dummy wafer will be described with reference to FIG.
【0030】図2は、本実施の形態におけるウェーハ移
載シーケンスを示す図である。なお、図において、30
1は、ウェーハ移載ボートを示し、302は、被処理ウ
ェーハを示し、303は、サイドダミーウェーハを示
す。FIG. 2 is a diagram showing a wafer transfer sequence in the present embodiment. In the figure, 30
1 indicates a wafer transfer boat, 302 indicates a wafer to be processed, and 303 indicates a side dummy wafer.
【0031】図示のごとく、このウェーハ移載シーケン
スにおいては、まず、被処理ウェーハ302のチャージ
処理が実行される(B1)。このチャージ処理は、カセ
ット棚内のウェーハ収納カセットに収納されている被処
理ウェーハ302をウェーハ移載機203によりウェー
ハ移載ボート301に移載することにより行われる。As shown in the figure, in the wafer transfer sequence, first, a charging process for the wafer 302 to be processed is executed (B1). This charging process is performed by transferring the wafer 302 to be processed stored in the wafer storage cassette in the cassette shelf to the wafer transfer boat 301 by the wafer transfer machine 203.
【0032】この場合、ウェーハ移載機203の動作
は、動作制御部7Aにより制御される。この動作制御部
7Aは、搬送制御データ作成部6Aにより作成された搬
送制御データに基づいて、ウェーハ移載機203の動作
を制御する。搬送制御データ作成部6Aは、パラメータ
解析部5Aの解析結果に基づいて、搬送制御データを作
成する。パラメータ解析部5Aは、CPU2Aの指示に
従って移載パターンパラメータ等を解析する。In this case, the operation of the wafer transfer machine 203 is controlled by the operation control section 7A. The operation control unit 7A controls the operation of the wafer transfer machine 203 based on the transfer control data created by the transfer control data creation unit 6A. The transfer control data creation unit 6A creates transfer control data based on the analysis result of the parameter analysis unit 5A. The parameter analysis unit 5A analyzes transfer pattern parameters and the like in accordance with instructions from the CPU 2A.
【0033】移載パターンパラメータは、主操作部20
9を使ってオペレータにより入力される。入力された移
載パターンパラメータは、主制御部210とデータ送受
信部1Aを介してCPU2Aに供給される。CPU2A
に供給された移載パターンパラメータは一旦RAM4A
に格納された後、必要に応じて、パラメータ解析部5A
で解析される。The transfer pattern parameters are stored in the main operation unit 20.
9 by the operator. The input transfer pattern parameters are supplied to the CPU 2A via the main control unit 210 and the data transmitting / receiving unit 1A. CPU2A
The transfer pattern parameters supplied to the
After that, if necessary, the parameter analysis unit 5A
Is analyzed by
【0034】このチャージ処理が終了すると、拡散処理
が実行される(B2)。この拡散処理は、ウェーハ30
2,303を処理室に搬入し、反応ガス等を供給するこ
とにより行われる。When the charging process is completed, a diffusion process is performed (B2). This diffusion process is performed on the wafer 30
2, 303 is carried into the processing chamber, and the reaction gas and the like are supplied.
【0035】処理室に対するウェーハ302,303の
搬入は、ウェーハ移載ボート301をボートエレベータ
304によって処理室に搬入することにより行われる。
この場合、ボートエレベータ204の動作は、動作制御
部7Aにより制御される。この動作制御部7Aは、搬送
制御データ作成部6Aにより作成された搬送制御データ
に基づいて、ボートエレベータ204の動作を制御す
る。搬送制御データ作成部6Aは、CPU2Aの指示に
従って、ボートエレベータ204の動作を制御する搬送
制御データを作成する。The loading of the wafers 302 and 303 into the processing chamber is performed by loading the wafer transfer boat 301 into the processing chamber by the boat elevator 304.
In this case, the operation of the boat elevator 204 is controlled by the operation control unit 7A. The operation control section 7A controls the operation of the boat elevator 204 based on the transport control data created by the transport control data creating section 6A. The transfer control data creation unit 6A creates transfer control data for controlling the operation of the boat elevator 204 according to an instruction from the CPU 2A.
【0036】反応ガス等の供給は、ソレノイド205に
よって開閉弁を開くことにより行われる。ソレノイド2
05の動作は、I/Oデータ入出力部8Aにより制御さ
れる。このI/Oデータ入出力部8Aは、CPU2Aの
指示に従って、ソレノイド205の動作を制御する。The supply of the reaction gas and the like is performed by opening the on-off valve by the solenoid 205. Solenoid 2
The operation of 05 is controlled by the I / O data input / output unit 8A. The I / O data input / output unit 8A controls the operation of the solenoid 205 according to an instruction from the CPU 2A.
【0037】この拡散処理が終了すると、被処理ウェー
ハ302のディスチャージ処理が実行される(B3)。
このディスチャージ処理は、ウェーハ移載ボート301
に載置された被処理ウェーハ302をウェーハ移載機2
03によりカセット棚内のウェーハ収納カセットに移載
することにより行われる。この場合のウェーハ移載機3
03の動作も、チャージ時と同様に、搬送制御データ作
成部6Aにより作成された搬送制御データに基づいて、
動作制御部7Aにより制御される。When the diffusion process is completed, a discharge process for the wafer 302 to be processed is executed (B3).
This discharge process is performed in the wafer transfer boat 301
The wafer 302 to be processed placed on the
In step 03, the wafer is transferred to the wafer storage cassette in the cassette shelf. Wafer transfer machine 3 in this case
Also in the operation of 03, similar to the charging operation, based on the transport control data created by the transport control data creating unit 6A,
It is controlled by the operation control unit 7A.
【0038】このディスチャージ処理が終了すると、現
在設定中の移載パターンによって規定されるサイドダミ
ーウェーハ303の載置パターンとウェーハ移載ボート
301に現在載置されているサイドダミーウェーハ30
3の載置パターンとが異なるか否かが判定される(B
5)。異なる場合は、サイドダミーウェーハ303の入
替え処理が実行される(B61,B62)。これに対
し、同じ場合は、被処理ウェーハ303のチャージ処理
が実行される(B7)。When the discharge process is completed, the mounting pattern of the side dummy wafer 303 defined by the transfer pattern currently set and the side dummy wafer 30 currently mounted on the wafer transfer boat 301
3 is determined to be different from the placement pattern (B)
5). If different, the replacement process of the side dummy wafer 303 is executed (B61, B62). On the other hand, if they are the same, the charging process of the processing target wafer 303 is executed (B7).
【0039】図2には、サイドダミーウェーハ303の
載置パターンが異なる場合を示す。すなわち、移載パタ
ーンの変更操作(B4)がなされたために、現在設定中
の移載パターン(変更操作によって新たに設定された移
載パターン)によって規定されるサイドダミーウェーハ
303の載置パターンとウェーハ移載ボート301に現
在載置されているサイドダミーウェーハ303の載置パ
ターンとが異なる場合を示す。FIG. 2 shows a case where the placement pattern of the side dummy wafer 303 is different. That is, since the transfer pattern changing operation (B4) is performed, the mounting pattern of the side dummy wafer 303 and the wafer specified by the transfer pattern currently being set (the transfer pattern newly set by the changing operation). This shows a case where the placement pattern of the side dummy wafer 303 currently placed on the transfer boat 301 is different.
【0040】この場合は、上記のごとく、サイドダミー
ウェーハ303の入替え処理が実行される(B61,B
62)。この入替え処理においては、まず、サイドダミ
ーウェーハ303のディスチャージ処理が実行される
(B61)。このディスチャージ処理は、ウェーハ移載
ボート301に載置されたサイドダミーウェーハ303
をウェーハ移載機303によりカセット棚内のウェーハ
収納カセットに移載することにより行われる。In this case, the replacement process of the side dummy wafer 303 is executed as described above (B61, B61).
62). In this replacement process, first, a discharge process of the side dummy wafer 303 is executed (B61). This discharge process is performed by the side dummy wafer 303 placed on the wafer transfer boat 301.
Is transferred to a wafer storage cassette in the cassette shelf by the wafer transfer machine 303.
【0041】この場合、ウェーハ移載機203の動作
は、搬送制御データ作成部6Aにより作成された搬送制
御データに基づいて、動作制御部7Aにより制御され
る。搬送制御データ作成部6Aは、パラメータ解析部5
Aの解析結果に基づいて、サイドダミーウェーハ303
をディスチャージするための搬送制御データを作成す
る。In this case, the operation of the wafer transfer machine 203 is controlled by the operation control unit 7A based on the transfer control data created by the transfer control data creation unit 6A. The transfer control data creation unit 6A includes the parameter analysis unit 5
A, based on the analysis result of FIG.
Create transfer control data for discharging the.
【0042】このディスチャージ処理が終了すると、サ
イドダミーウェーハ303のチャージ処理が実行される
(B62)。このチャージ処理は、カセット棚内のウェ
ーハ収納カセットに収納されているサイドダミーウェー
ハ303をウェーハ移載機203によりウェーハ移載ボ
ート301に移載することにより行われる。When the discharging process is completed, a charging process for the side dummy wafer 303 is executed (B62). This charging process is performed by transferring the side dummy wafers 303 stored in the wafer storage cassette in the cassette shelf to the wafer transfer boat 301 by the wafer transfer machine 203.
【0043】この場合、ウェーハ移載機203の動作
は、搬送制御データ作成部6Aにより作成された搬送制
御データに基づいて、動作制御部7Aにより制御され
る。搬送制御データ作成部6Aは、パラメータ解析部5
Aの解析結果に基づいて、サイドダミーウェーハ303
をチャージするための搬送制御データを作成する。In this case, the operation of the wafer transfer machine 203 is controlled by the operation control unit 7A based on the transfer control data created by the transfer control data creation unit 6A. The transfer control data creation unit 6A includes the parameter analysis unit 5
A, based on the analysis result of FIG.
To create transfer control data for charging.
【0044】このチャージ処理が終了すると、被処理ウ
ェーハ303のチャージ処理が実行される(B7)。こ
のチャージ処理が終了すると、ウェーハ302,303
の拡散処理が実行される(B8)。この拡散処理が終了
すると、被処理ウェーハ302のディスチャージ処理が
実行される(B9)。このディスチャージ処理が終了す
ると、上述した判定処理が実行される。When the charging process is completed, a charging process of the wafer 303 to be processed is executed (B7). When the charging process is completed, the wafers 302 and 303
Is performed (B8). After the completion of the diffusion process, a discharge process of the processing target wafer 302 is performed (B9). When the discharge process ends, the above-described determination process is executed.
【0045】以下、同様に、被処理ウェーハ302のチ
ャージ処理を行う前に、現在設定中の移載パターンによ
って規定されるサイドダミーウェーハ303の載置パタ
ーンとウェーハ移載ボート301に現在載置されている
サイドダミーウェーハ303の載置パターンとが異なる
か否かを判定する処理が実行される。Similarly, before the charge processing of the wafer 302 to be processed is performed, the mounting pattern of the side dummy wafer 303 defined by the transfer pattern currently being set and the wafer A process is performed to determine whether or not the placement pattern of the side dummy wafer 303 is different.
【0046】この判定の結果、載置パターンが異なれ
ば、サイドダミーウェーハ303の入替え処理が実行さ
れた後、被処理ウェーハ302のチャージ処理が実行さ
れる。これに対し、同じであれば、サイドダミーウェー
ハ303の入替え処理が実行されることなく、被処理ウ
ェーハ302のチャージ処理が実行されるAs a result of this determination, if the placement pattern is different, after the replacement process of the side dummy wafer 303 is performed, the charging process of the wafer 302 to be processed is performed. On the other hand, if they are the same, the charging process of the wafer to be processed 302 is performed without performing the replacement process of the side dummy wafer 303.
【0047】なお、上述した移載パターンの変更操作
は、主操作部209を使って行われる。すなわち、オペ
レータは、主操作部209を使って新しい移載パターン
パラメータを入力する。入力された移載パターンパラメ
ータは、主制御部210からデータ送受信部1Aを介し
てCPU2Aに供給される。CPU2Aに供給された移
載パターンパラメータは、新しい移載パターンパラメー
タとしてRAM4Aに格納される。The transfer pattern changing operation described above is performed using the main operation unit 209. That is, the operator uses the main operation unit 209 to input a new transfer pattern parameter. The input transfer pattern parameters are supplied from the main control unit 210 to the CPU 2A via the data transmission / reception unit 1A. The transfer pattern parameters supplied to the CPU 2A are stored in the RAM 4A as new transfer pattern parameters.
【0048】以上が、サイドダミーウェーハ303の入
替え処理の概略である。次に、図3を参照しながら、こ
の処理におけるCPU2Aの制御を説明する。図3は、
CPU2Aによるウェーハ移載制御を示すフローチャー
トである。The above is the outline of the process of replacing the side dummy wafer 303. Next, control of the CPU 2A in this process will be described with reference to FIG. FIG.
It is a flowchart which shows wafer transfer control by CPU2A.
【0049】この移載制御においては、まず、上位コン
ピュータ208から送られてくる通信データの受信処理
が実行される(ステップS11)。この受信処理が終了
すると、上位コンピュータ208から送られてくる移載
制御コマンドの受信処理が実行される(ステップS1
2)。この受信処理が終了すると、移載条件のチェック
処理が実行される(ステップS13)。これにより、現
在、被処理ウェーハ302のチャージ処理を実行しよう
としているのか、ディスチャージ処理を実行しようとし
ているのかがチェックされる。In this transfer control, first, a process of receiving communication data sent from the host computer 208 is executed (step S11). When the receiving process is completed, a receiving process of the transfer control command sent from the host computer 208 is executed (step S1).
2). When the receiving process is completed, a transfer condition check process is executed (step S13). Thus, it is checked whether the charge processing of the wafer 302 to be processed or the discharge processing is to be performed.
【0050】チャージ処理を実行しようとしている場合
は、パラメータ解析部5Aに対して、ウェーハ移載ボー
ト301上に載置されているサイドダミーウェーハ30
3の解析を指示する処理が実行される(ステップS1
4)。これにより、現在ウェーハ移載ボート301に載
置されているサイドダミーウェーハ303の載置パター
ンが解析される。この解析は、ボードマップに基づいて
行われる。ここで、ボードマップとは、ウェーハ移載ボ
ード301に現在載置されているウェーハ302,30
3の載置パターンを示すマップである。このボードマッ
プを示すデータは、RAM4Aに格納されている。When the charge process is to be executed, the side dummy wafer 30 placed on the wafer transfer boat 301 is sent to the parameter analysis unit 5A.
3 is executed (step S1).
4). Thus, the mounting pattern of the side dummy wafer 303 currently mounted on the wafer transfer boat 301 is analyzed. This analysis is performed based on the board map. Here, the board map refers to the wafers 302, 30 currently mounted on the wafer transfer board 301.
3 is a map showing a placement pattern of No. 3; Data indicating the board map is stored in the RAM 4A.
【0051】この解析処理が終了すると、パラメータ解
析部5Aに対して、移載パターンパラメータの解析を指
示する処理が実行される(ステップS15)。これによ
り、移載パターンによって規定される被処理ウェーハ3
02の載置パターンやサイドダミーウェーハ303の載
置パターンが解析される。When this analysis processing is completed, processing for instructing the parameter analysis unit 5A to analyze the transfer pattern parameters is executed (step S15). Thereby, the processed wafer 3 defined by the transfer pattern
02 and the mounting pattern of the side dummy wafer 303 are analyzed.
【0052】この解析処理が終了すると、移載パターン
パラメータの解析結果に基づいて、新しいボートマップ
の作成処理が実行される(ステップS16)。作成され
たボートマップを示すデータは、RAM4Aに格納され
る。When the analysis process is completed, a new boat map creation process is executed based on the analysis result of the transfer pattern parameters (step S16). Data indicating the created boat map is stored in the RAM 4A.
【0053】この作成処理が終了すると、搬送制御デー
タ作成部6Aに対し、被処理ウェーハ302をチャージ
するための移載パラメータ(搬送制御データ)の作成を
指示する処理が実行される(ステップS17)。これに
より、搬送制御データ作成部6Aにより、被処理ウェー
ハ302の移載パラメータが作成される。この作成は、
パラメータ解析部5Aの解析結果に基づいて行われる。When the creation process is completed, a process for instructing the transfer control data creation unit 6A to create transfer parameters (transport control data) for charging the wafer 302 to be processed is executed (step S17). . As a result, the transfer parameters of the wafer 302 to be processed are created by the transfer control data creation unit 6A. This creation
This is performed based on the analysis result of the parameter analysis unit 5A.
【0054】なお、この作成処理においては、移載パタ
ーンによって規定されるサイドダミーウェーハ303の
載置パターンとウェーハ移載ボート301に現在載置さ
れているサイドダミーウェーハ303の載置パターンと
が異なるか否かを判定する処理が実行される。In this preparation process, the mounting pattern of the side dummy wafer 303 specified by the transfer pattern is different from the mounting pattern of the side dummy wafer 303 currently mounted on the wafer transfer boat 301. A process is performed to determine whether or not this is the case.
【0055】この判定処理により、載置パターンが異な
ると判定された場合は、被処理ウェーハ302のチャー
ジ用の移載パラメータの他に、サイドダミーウェーハ3
03の入替え用の移載パラメータ(搬送制御データ)も
作成される。これに対し、載置パターンが同じと判定さ
れると、被処理ウェーハ302のチャージ用の移載パラ
メータのみが生成される。これらのパラメータは、ウェ
ーハアレンジメントパラメータとしてRAM4Aに格納
される。If it is determined by this determination process that the placement pattern is different, in addition to the transfer parameters for charging the wafer 302 to be processed, the side dummy wafer 3
A transfer parameter (transport control data) for replacement of 03 is also created. On the other hand, if it is determined that the placement patterns are the same, only the transfer parameters for charging the processing target wafer 302 are generated. These parameters are stored in the RAM 4A as wafer arrangement parameters.
【0056】この作成処理が終了すると、ウェーハ30
2,303の移載処理が実行される(ステップS1
8)。この移載処理においては、被処理ウェーハ302
のチャージ用の移載パラメータの他に、サイドダミーウ
ェーハ303の入替え用の移載パラメータが作成されて
いる場合は、サイドダミーウェーハ303の入替え処理
と被処理ウェーハ302のチャージ処理とが実行され
る。これに対し、被処理ウェーハ302のチャージ用の
移載パラメータだけが作成されている場合は、被処理ウ
ェーハ302のチャージ処理だけが実行される。以上
が、被処理ウェーハ302のチャージ処理を実行しよう
としている場合の動作である。When the preparation process is completed, the wafer 30
2, 303 transfer processing is executed (step S1).
8). In this transfer processing, the wafer to be processed 302
If transfer parameters for replacement of the side dummy wafer 303 have been created in addition to the transfer parameters for the charge of the above, the replacement processing of the side dummy wafer 303 and the charge processing of the wafer 302 to be processed are executed. . On the other hand, when only the transfer parameters for charging the processing target wafer 302 have been created, only the charging processing of the processing target wafer 302 is performed. The above is the operation when the charge processing of the processing target wafer 302 is going to be performed.
【0057】これに対し、被処理ウェーハ302のディ
スチャージ処理を実行しようとしている場合は、パラメ
ータ解析部5Aに対して、移載パターンパラメータの解
析を指示する処理が実行される(ステップS19)。On the other hand, when the discharge process of the wafer 302 to be processed is to be executed, a process of instructing the parameter analysis unit 5A to analyze the transfer pattern parameters is executed (step S19).
【0058】この解析処理が終了すると、移載パターン
パラメータの解析結果に基づいて、搬送制御データ作成
部6Aに対し、被処理ウェーハ302をディスチャージ
するための移載パラメータ(搬送制御データ)の作成を
指示する処理が実行される(ステップS20)。これに
より、搬送制御データ作成部6Aでは、被処理ウェーハ
302をディスチャージするための移載パラメータが作
成される。When this analysis processing is completed, the transfer control data creating section 6A creates transfer parameters (transfer control data) for discharging the wafer 302 to be processed based on the analysis result of the transfer pattern parameters. The instructing process is executed (step S20). As a result, the transfer control data creation unit 6A creates transfer parameters for discharging the processing target wafer 302.
【0059】この作成処理が終了すると、被処理ウェー
ハ302のディスチャージ処理が実行される(ステップ
S18)。以上が、被処理ウェーハ302のディスチャ
ージ処理を実行しようとしている場合の動作である。When this forming process is completed, a discharging process of the wafer 302 to be processed is executed (step S18). The above is the operation when the discharge processing of the wafer to be processed 302 is going to be executed.
【0060】図4は、図3で説明した被処理ウェーハ3
02のチャージ処理を実行しようとしている場合の処理
の詳細を示すフローチャートである。FIG. 4 shows the wafer 3 to be processed described with reference to FIG.
13 is a flowchart illustrating details of processing when a charge process is going to be performed.
【0061】この処理においては、まず、被処理ウェー
ハ302のチャージを指示する移載コマンドを受信する
処理が実行される(ステップS31)。この移載コマン
ドは、上位コンピュータ208から送られてくる。この
処理は、図3のステップS12の処理に相当する。In this process, first, a process of receiving a transfer command instructing charging of the wafer 302 to be processed is executed (step S31). This transfer command is sent from the host computer 208. This process corresponds to the process of step S12 in FIG.
【0062】この処理が終了すると、この被処理ウェー
ハ302のチャージ処理を実行可能か否かをチェックす
る処理が実行される(ステップS32)。この処理は、
図3のステップS13の処理に相当する。実行不可能な
場合は、実行可能な状態になるまで待機する。When this process is completed, a process of checking whether or not the charging process of the wafer 302 to be processed can be executed is executed (step S32). This process
This corresponds to the process of step S13 in FIG. If it cannot be executed, it waits until it becomes executable.
【0063】実行可能な場合は、ウェーハアレンジメン
トパラメータとカセット棚内のウェーハ収納カセットの
状態とを解析する処理が実行される(ステップS3
3)。この処理は、図3のステップS14,S15の処
理に相当する。この解析処理が終了すると、この解析結
果に基づいて、移載イメージをボートマップデータとし
て作成する処理が実行される(ステップS34)。この
処理は、図3のステップS16の処理に相当する。If it can be executed, a process for analyzing the wafer arrangement parameters and the state of the wafer storage cassette in the cassette shelf is executed (step S3).
3). This processing corresponds to the processing of steps S14 and S15 in FIG. When the analysis process is completed, a process of creating a transfer image as boat map data is executed based on the analysis result (step S34). This processing corresponds to the processing in step S16 in FIG.
【0064】この作成処理が終了すると、現在設定され
ている移載パターンパラメータによって規定されるサイ
ドダミーウェーハ303の載置パターンとウェーハ移載
ボート301に現在載置されているサイドダミーウェー
ハ303の載置パターンとが異なるか否かを判定する処
理が実行される(ステップS35)。When the preparation process is completed, the mounting pattern of the side dummy wafer 303 currently set on the wafer transfer boat 301 and the mounting pattern of the side dummy wafer 303 specified by the transfer pattern parameter currently set. A process of determining whether or not the placement pattern is different is executed (step S35).
【0065】この判定処理により、載置パターンが異な
ると判定されると、サイドダミーウェーハ303をディ
スチャージするための移載パラメータを作成する処理が
実行される(ステップS36)。この作成処理が終了す
ると、サイドダミーウェーハ303をチャージするため
の移載パラメータを作成する処理が実行される(ステッ
プS37)。When it is determined that the placement patterns are different from each other, a process for creating transfer parameters for discharging the side dummy wafer 303 is executed (step S36). When this creation process is completed, a process for creating a transfer parameter for charging the side dummy wafer 303 is executed (step S37).
【0066】この作成処理が終了すると、被処理ウェー
ハ(製品またはテストウェーハ)302をチャージする
ための移載パラメータを作成する処理が実行される(ス
テップS38)。この作成処理が終了すると、移載処理
が実行される(ステップS39)。すなわち、サイドダ
ミーウェーハ303の入替え処理と被処理ウェーハ30
2のチャージ処理とが実行される。When the creation process is completed, a process of creating transfer parameters for charging the wafer to be processed (product or test wafer) 302 is executed (step S38). When the creation process ends, a transfer process is executed (step S39). That is, the replacement processing of the side dummy wafer 303 and the processing of the
2 is executed.
【0067】これに対し、ステップS35で、載置パタ
ーンが異ならないと判定されると、ステップS38に移
行し、被処理ウェーハ302の移載パラメータの作成処
理(ステップS38)と移載処理(ステップS39)と
が順次実行される。On the other hand, if it is determined in step S35 that the placement patterns are not different, the flow shifts to step S38 to create transfer parameters for the wafer 302 to be processed (step S38) and transfer processing (step S38). S39) are sequentially executed.
【0068】なお、上述したステップS35〜S38の
処理は、図3のステップS17の処理に相当する。ま
た、上述したステップS39の処理は、図3のステップ
S18の処理に相当する。The processing in steps S35 to S38 described above corresponds to the processing in step S17 in FIG. Further, the processing in step S39 described above corresponds to the processing in step S18 in FIG.
【0069】以上詳述した本実施の形態によれば、ウェ
ーハ移載ボート301に被処理ウェーハ302を移載す
る前に、現在設定中の移載パターンにより規定されるサ
イドダミーウェーハ303の載置パターンがウェーハ移
載ボート301に現在載置されているサイドダミーウェ
ーハ303の載置パターンと異なるか否かを判定し、異
なる場合は、移載パターンにより規定されるサイドダミ
ーウェーハ303の載置パターンに従って、ウェーハ移
載ボード301に載置されているサイドダミーウェーハ
303を自動的に入れ替えるようにしたので、移載パタ
ーンを変更する場合、オペレータは移載パターンの変更
操作のみを行えばよい。これにより、移載パターンを変
更する場合のオペレータの負担を小さくすることができ
る。According to the present embodiment described above, before the wafer 302 to be processed is transferred to the wafer transfer boat 301, the side dummy wafer 303 specified by the transfer pattern currently set is placed. It is determined whether or not the pattern is different from the mounting pattern of the side dummy wafer 303 currently mounted on the wafer transfer boat 301. If the pattern is different, the mounting pattern of the side dummy wafer 303 specified by the transfer pattern is determined. , The side dummy wafer 303 placed on the wafer transfer board 301 is automatically replaced. Therefore, when changing the transfer pattern, the operator only has to perform the operation of changing the transfer pattern. As a result, the burden on the operator when changing the transfer pattern can be reduced.
【0070】また、移載パターンが変更された場合だけ
サイドダミーウェーハ303の入替え処理を実行すれば
よく、1バッチ分の拡散処理ごとに入替え処理を実行す
る必要がないので、縦型拡散処理装置200のスループ
ットの低下も防止することができる。Further, only when the transfer pattern is changed, the replacement process of the side dummy wafer 303 may be performed, and it is not necessary to perform the replacement process for each batch diffusion process. A decrease in the throughput of 200 can also be prevented.
【0071】また、サイドダミーウェーハ303の入替
えを自動化することによって、この入替えを手動によっ
て行う場合に比べ確実に行うことができる。これによ
り、被処理ウェーハ302移載時のエラーの発生をなく
すことができる。Further, by automating the replacement of the side dummy wafers 303, the replacement can be performed more reliably than when the replacement is performed manually. Thus, it is possible to eliminate the occurrence of an error when transferring the wafer 302 to be processed.
【0072】以上、本発明の一実施の形態を詳細に説明
したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるも
のではない。As described above, one embodiment of the present invention has been described in detail, but the present invention is not limited to the above-described embodiment.
【0073】例えば、先の実施の形態では、本発明を縦
型拡散装置のサイドダミーウェーハ入替え装置に適用す
る場合を説明した。しかしながら、本発明は、縦型拡散
装置以外のウェーハ処理装置のサイドダミーウェーハ入
替え装置にも適用することができる。また、先の実施の
形態では、本発明をウェーハ、すなわち、半導体基板か
らなる疑似基板の入替え装置に適用する場合を説明し
た。しかしながら、本発明は、例えば、ガラス基板等の
絶縁基板からなる疑似基板の入替え装置にも適用するこ
とができる。このほかにも、本発明は、その要旨を逸脱
しない範囲で、種々様々変形実施可能なことは勿論であ
る。For example, in the above embodiment, the case where the present invention is applied to the side dummy wafer replacement device of the vertical diffusion device has been described. However, the present invention can also be applied to a side dummy wafer replacement device of a wafer processing device other than the vertical diffusion device. Further, in the above embodiment, the case where the present invention is applied to a wafer, that is, a device for replacing a pseudo substrate made of a semiconductor substrate has been described. However, the present invention can also be applied to a device for replacing a pseudo substrate made of an insulating substrate such as a glass substrate. In addition, it goes without saying that the present invention can be variously modified and implemented without departing from the gist thereof.
【0074】[0074]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、基
板移載ボートに基板を移載する前に、現在設定中の移載
パターンにより規定される疑似基板の載置パターンが基
板移載ボートに現在載置されている疑似基板の載置パタ
ーンと異なるか否かを判定し、異なる場合は、移載パタ
ーンにより規定される疑似基板の載置パターンに従っ
て、基板移載ボードに載置されている疑似基板を入れ替
えるようにしたので、移載パターンを変更する場合のオ
ペレータの負担を軽減することができるとともに、基板
処理装置のスループットの低下も防止することができ
る。As described above in detail, according to the present invention, before a substrate is transferred to the substrate transfer boat, the placement pattern of the pseudo substrate defined by the transfer pattern currently set is changed. It is determined whether or not the pattern is different from the mounting pattern of the pseudo board currently mounted on the mounting boat, and if not, the board is mounted on the board transfer board according to the mounting pattern of the pseudo board specified by the transfer pattern. Since the replacement of the pseudo substrate is performed, the burden on the operator when changing the transfer pattern can be reduced, and a decrease in the throughput of the substrate processing apparatus can be prevented.
【図1】本発明に係る疑似基板入替え装置の一実施の形
態の構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an embodiment of a pseudo substrate replacing apparatus according to the present invention.
【図2】本発明に係る疑似基板入替え装置の一実施の形
態の動作を説明するためのシーケンス図である。FIG. 2 is a sequence diagram for explaining an operation of the pseudo substrate replacing apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図3】本発明に係る疑似基板入替え装置の一実施の形
態の動作を説明するためのフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart for explaining the operation of the embodiment of the pseudo substrate replacing apparatus according to the present invention.
【図4】本発明に係る疑似基板入替え装置の一実施の形
態の動作を説明するためのフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart for explaining the operation of the pseudo substrate replacing apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図5】従来の疑似基板入替え装置の動作を説明するた
めのシーケンス図である。FIG. 5 is a sequence diagram for explaining the operation of the conventional pseudo substrate replacing apparatus.
200…縦型拡散装置、201…カセットステージ、2
02…カセットローダ、203…ウェーハ移載機、20
4…ボートエレベータ、205…ソレノイド、206…
センサ、207…搬送系制御部、208…上位コンピュ
ータ、209…主操作部、210…主制御部。200: vertical diffusion device, 201: cassette stage, 2
02: cassette loader, 203: wafer transfer machine, 20
4: boat elevator, 205: solenoid, 206:
Sensors, 207: transport system control unit, 208: host computer, 209: main operation unit, 210: main control unit.
Claims (1)
載パターンが変更された場合に、基板移載ボートに載置
されている疑似基板を入れ替える疑似基板入替え装置に
おいて、 前記基板移載ボートに前記被処理基板を移載する前に、
現在設定中の前記移載パターンにより規定される前記疑
似基板の載置パターンが前記基板移載ボートに現在載置
されている前記疑似基板の載置パターンと異なるか否か
を判定する判定手段と、 この判定手段により前記載置パターンが異なると判定さ
れると、前記移載パターンにより規定される前記疑似基
板の載置パターンに従って、前記基板移載ボートに載置
されている前記疑似基板を入れ替える入替え手段とを備
えたことを特徴とする疑似基板入替え装置。1. A pseudo-substrate replacement device that replaces a pseudo-substrate mounted on a substrate transfer boat when a transfer pattern of a substrate to be processed with respect to the substrate transfer boat is changed. Before transferring the substrate to be processed,
Determining means for determining whether the placement pattern of the pseudo substrate defined by the transfer pattern currently being set is different from the placement pattern of the pseudo substrate currently mounted on the substrate transfer boat; When the determination unit determines that the placement pattern is different, the dummy substrate mounted on the substrate transfer boat is replaced according to the placement pattern of the pseudo substrate defined by the transfer pattern. A pseudo substrate exchanging device, comprising: exchanging means.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21936597A JPH1167878A (en) | 1997-08-14 | 1997-08-14 | Replacement apparatus for dummy substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21936597A JPH1167878A (en) | 1997-08-14 | 1997-08-14 | Replacement apparatus for dummy substrate |
Publications (1)
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JPH1167878A true JPH1167878A (en) | 1999-03-09 |
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ID=16734290
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JP (1) | JPH1167878A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110429045A (en) * | 2019-06-10 | 2019-11-08 | 福建省福联集成电路有限公司 | A kind of management method and system of wafer monitoring piece |
-
1997
- 1997-08-14 JP JP21936597A patent/JPH1167878A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110429045A (en) * | 2019-06-10 | 2019-11-08 | 福建省福联集成电路有限公司 | A kind of management method and system of wafer monitoring piece |
CN110429045B (en) * | 2019-06-10 | 2021-04-09 | 福建省福联集成电路有限公司 | Management method and system for wafer monitoring wafer |
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