JPH1167644A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPH1167644A
JPH1167644A JP9225440A JP22544097A JPH1167644A JP H1167644 A JPH1167644 A JP H1167644A JP 9225440 A JP9225440 A JP 9225440A JP 22544097 A JP22544097 A JP 22544097A JP H1167644 A JPH1167644 A JP H1167644A
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JP
Japan
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air
water
manufacturing apparatus
semiconductor manufacturing
air purifier
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JP9225440A
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English (en)
Inventor
Satoko Nakaoka
里子 中岡
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Separation Of Particles Using Liquids (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光装置本体の稼働を止めること無くこれを
常時稼働状態におくことができ、また露光装置本体の匡
体内を不純物濃度が一定値以下の清浄空気で常に満たす
ことができ、従来のケミカルフィルターを使用した場合
に比べて半導体装置単価の上昇を小さく抑えることがで
きる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 露光装置の匡体内に供給する空気を水中
に通過させてこの空気中に含まれる不純物を前記水中に
溶解させる空気清浄器2を備えた。空気清浄器2におい
て、アンモニアを含んだ空気は、空気取り入れ口24よ
り、純水22が満たされた空気清浄器本体21内に導入
され、パンチングボード23を通過して純水22内を上
昇する間にアンモニアが水中に溶解され、そして空気取
り出し口25より取り出される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
し、特に半導体装置の製造工程において化学増幅型レジ
ストを用いてパターン形成を行う露光装置を備えた半導
体製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置の高密度化、高集積化
に伴い、微細加工技術の必要性がますます増大してい
る。リソグラフィ工程において微細加工を可能にするた
め、露光には、エキシマレーザーを光源とするDUV光
や、EB、X線等の短波長光を用い、レジストは酸発生
を利用した化学増幅型レジストを使用する技術が開発さ
れつつある(「色材」 67<7>、446−455
(1994))。
【0003】化学増幅型レジストは、露光によりレジス
トに酸を発生させた後、必要に応じてPEBを行って発
生した酸を拡散させることで、パターン形成を行うもの
である。このため、レジスト表面にアンモニアなどのア
ルカリ成分が存在すると、露光により発生した酸が失活
して、表面難溶化層が生じ、レジストパターン形状は表
面が膨らんだT−Top形状となる。また、アルカリ成
分が多い場合にはパターンが解像しない場合もある(S.
A.MacDonald et al., Proc.SPIE,vol.1466,p.2(199
1))。そこで露光後の基板をアンモニアを含んだ空気に
さらさないために、露光装置にケミカルフィルターを装
着し、不純物を除去した空気で露光装置の匡体内を満た
すという方法がとられている。一般的に化学増幅型レジ
ストで安定したパターン形状を得ようとした場合、アン
モニア濃度は1ppb 以下にしなければならないと言われ
ている。
【0004】以下、図面を参照しながら、上記した従来
の化学増幅型レジストでパターン形成を行う露光装置を
備えた半導体製造装置について説明する。図3は従来の
露光装置の概略を示すものである。この図3において、
1は露光装置本体、4はケミカルフィルターユニット
で、このケミカルフィルターユニット4によって不純物
を除去した空気が露光装置本体1の匡体内に供給され
る。下記の1式、2式、3式は、ケミカルフィルター上
でアンモニアが除去されるときの反応式を示す。
【0005】 NH3+H3PO4→NH42PO4 (1) NH42PO4+NH3→(NH4)2HPO4 (2) (NH4)2HPO4+NH3→(NH4)3PO4 (3) 以上のように構成された露光装置の動作について説明す
る。
【0006】まず、図3に示すケミカルフィルターユニ
ット4を通して、空気中のアンモニアを除去し、アンモ
ニア濃度を1ppb 以下にする。そして、アンモニアが除
去された空気を露光装置本体1に供給する(例えば、
「月刊セミコンダクターワールド」1994年6月、8
3ページ〜)。ここで使用するケミカルフィルターは、
活性炭繊維に特定の化学物質を添着させて、物理吸着と
同時に化学吸着を利用して、微量ガスを除去するフィル
ターである。例えば、アンモニアのための添着物質はリ
ン酸であり、上述の1式、2式、3式に示す中和反応を
利用してアンモニアの除去を行っている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の構成では、ケミカルフィルターを使用してい
るため、フィルターの劣化に伴って露光装置本体1の匡
体内のアンモニア濃度が上昇し、ついにはアンモニア濃
度1ppb 以下の清浄空気で匡体内を満たすことができな
くなる。一般にケミカルフィルターの寿命は、上流側の
アンモニアの濃度が10ppb の時、下流側濃度1ppb を
維持できるのは1年程度と言われている。したがって、
使用環境によって異なるが、ケミカルフィルターの交換
を1年毎に行わなければならず、その度に、露光装置本
体1の稼働を止める必要が生じる。また、上流側のアン
モニア濃度が高濃度である場合は、ケミカルフィルター
の寿命はさらに短くなり、露光装置本体1を稼働できな
い時間はさらに長くなるという問題点を有している。し
かも、ケミカルフィルターは高額なため、リソグラフィ
ー工程単価、すなわち半導体装置の単価が上昇するとい
う問題点を有している。
【0008】本発明は上記問題点に鑑み、露光装置本体
の稼働を止めること無くこれを常時稼働状態におくこと
ができ、また露光装置本体の匡体内を不純物濃度が一定
値以下の清浄空気で常に満たすことができ、従来のケミ
カルフィルターを使用した場合に比べて半導体装置単価
の上昇を小さく抑えることができる半導体製造装置を提
供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の半導体製造装置は、露光装置の匡体内に供
給する空気を水中に通過させてこの空気中に含まれる不
純物を前記水中に溶解させる空気清浄器を備えたもので
ある。
【0010】これによると、溶解の進行にともなって溶
解効率が低下した場合は、空気清浄器内の水を入れ換え
ることによって、露光装置本体の稼働を止めることなし
に、その匡対内を不純物濃度が一定値以下の清浄空気で
常に満たすことができる。また空気清浄器内の水中に空
気を通すだけであるため、従来のケミカルフィルターを
使用した場合に比べて安価に構成でき、したがって半導
体装置単価の上昇を小さく抑えることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】請求項1に記載の発明は、化学増
幅型レジストを用いてパターン形成を行う半導体製造装
置が、露光装置の匡体内に供給する空気を水中に通過さ
せてこの空気中に含まれる不純物を前記水中に溶解させ
る空気清浄器を備えたものである。
【0012】これによると、空気清浄器内の水を入れ換
えるだけで、露光装置本体の稼働を止めることなしに、
その匡対内を不純物濃度が一定値以下の清浄空気で常に
満たすことができる。また空気清浄器内の水中に空気を
通すだけであるため、従来のケミカルフィルターを使用
した場合に比べて安価に構成でき、したがって半導体装
置単価の上昇を小さく抑えることができる。
【0013】請求項2に記載の発明は空気を純水に通過
させるように構成したものであり、このように純水に通
過させることによって、空気中に含まれる不純物を効率
的に溶解させることができる。
【0014】請求項3に記載の発明は不純物が空気中に
含まれるアンモニアであるようにしたものであり、これ
によれば、空気を水中に通すことで効率よく溶解させて
除去することができる。
【0015】請求項4に記載の発明は水中で空気をバブ
リングさせるための手段を備えたものであり、これによ
れば、空気が水中で小さな気泡となるために不純物を効
率良く水中に溶解させて除去することができる。
【0016】請求項5に記載の発明は水中への不純物の
除去の程度を検知する手段を備えたものであり、これに
よれば、検知された除去の程度を空気清浄器内の水の交
換のための指標とすることができる。
【0017】請求項6に記載の発明は、空気清浄器内の
水中に通過される前の空気における不純物の濃度を測定
する手段と、空気清浄器内の水中を通過された後の空気
における不純物の濃度を測定する手段とを備え、これら
の濃度測定手段の測定結果より、不純物の除去率が基準
値を下回った場合、あるいは水中を通過された後の空気
における不純物の濃度が一定値を上回った場合に、空気
清浄器内の水を入れ替え可能に構成されているようにし
たものである。
【0018】これによれば、水中を通過する前後の空気
における不純物の濃度を測定することで、露光装置の匡
体内に供給する空気に含まれる不純物の濃度すなわち空
気清浄器による不純物の除去の程度を知ることができ、
したがって空気清浄器内の水を交換するための指標を得
ることができる。
【0019】請求項7に記載の発明は空気清浄器を2段
以上連結した構成としたものであり、これによれば、空
気中に含まれる不純物をいっそう確実に除去することが
できる。
【0020】請求項8に記載の発明は空気清浄器におけ
る水を満たす容器をフッ素樹脂で形成したものであり、
これによれば、容器の構成材料から容器内の水中に不純
物が溶出することを防止でき、したがって空気中の不純
物を水中に溶解させる機能を高度に維持させることが可
能となる。
【0021】請求項9に記載の発明は水中で空気をバブ
リングさせるための手段が一層または多層のパンチング
ボードであるようにしたもので、これによれば、きわめ
て細かな気泡を形成して効率よく不純物を水中に溶解さ
せることができる。
【0022】以下、本発明の実施の形態の半導体製造装
置について、図面を参照しながら説明する。図1は本発
明にもとづく空気清浄器2の構成図を示すものである。
この図1において、21は空気清浄器本体で、その内部
には純水22が満たされている。空気清浄器本体21の
内部における底部の近傍には、一定の開口率を持つパン
チングボード23が設けられている。24は管状の空気
取り入れ口で、空気清浄器本体21の上端部を貫通して
その内部に導かれ、その先端はパンチングボード23よ
りも下側の位置で開口している。空気清浄器本体21の
上端部には、清浄空気の取り出し口25が接続されてい
る。
【0023】空気取り入れ口24と、空気取り出し口2
5の近傍における空気清浄器本体21の上端の空気溜め
の部分とには、アンモニア濃度センサー26が設けられ
ている。これらアンモニア濃度センサー26は、アンモ
ニア濃度モニター27に導かれている。また空気清浄器
本体21の底部には、純水22の排水口28と、純水2
2の注水口29とが設けられている。
【0024】図2は本発明にもとづく露光装置の概略図
を示し、この露光装置は、化学増幅型レジストを用いて
パターン形成を行うものである。この図2において、1
は露光装置本体、2は図1に示した空気清浄器、3は送
風機である。
【0025】以上のように構成された露光装置につい
て、以下、図1および図2を用いてその動作を説明す
る。まず図1において、図2の送風機3より送られたア
ンモニアを含んだ空気は、空気取り入れ口24より、純
水22が満たされた空気清浄器本体21内の底部に導入
される。空気清浄器本体21は、純水22中に不純物が
溶出しないようにフッ素樹脂で形成されている。空気清
浄器本体21内に導入された空気は、一定の開口率をも
ったパンチングボード23を通過することによって細か
い気泡となり、純水22内を上昇する。このとき、空気
中に含まれたアンモニアは、純水22中に溶解されるこ
とで、この空気中から除去される。純水22中を通過し
た空気は、空気取り出し口25より取り出される。
【0026】このとき、空気清浄器本体21の内部へ導
入される前の空気のアンモニア濃度と、これを通過した
後の空気のアンモニア濃度とが、アンモニア濃度センサ
ー26で感知され、その濃度がアンモニア濃度モニター
27で常時監視される。
【0027】アンモニアが純水22に溶解されるにつれ
て、その後に空気清浄器本体21の内部へ導入される空
気に含まれるアンモニアは徐々に溶解されにくくなっ
て、その除去効率が低下する。そこで、空気清浄器本体
21を通過した後の空気のアンモニア濃度が1ppb を上
回った場合、あるいは空気清浄器本体21の導入前後の
アンモニア濃度比から得られた空気清浄器のアンモニア
除去率が70%を下回った場合は、空気の導入を一時止
めて、排水口28より空気清浄器本体21内の純水22
をすべて排出し、注水口29より新たな純水22を入れ
て空気清浄器本体21内に満たす。そして、そのうえで
再び空気の導入を開始する。
【0028】図2において、送風機3より送られる空気
は図1の構成の空気清浄器2を通過し、さらに、いずれ
も図示を省略した温湿調器やパーティクル除去のための
フィルターなどを通過して、露光装置本体1に導入され
る。これらの温湿調器やフィルターは、露光装置本体1
に備え付けることができる。
【0029】本発明によれば、図2に示すように、空気
清浄器2を多段に直列につなぐことができる。その場合
は、最終段の空気清浄器2については、空気清浄器2を
通過した後の空気中のアンモニア濃度が1ppb を上回っ
た時に純水22を交換し、それ以外の前段の空気清浄器
2については、アンモニア除去率が70%を下回った時
に純水22を交換することができる。すなわち、最終段
から前段に戻るにつれて、純水22の交換のための条件
をゆるく設定することが合理的である。
【0030】このように、パンチングボード23を設置
したフッ素樹脂製の空気清浄器本体21内の純水22中
で不純物を含んだ空気をバブリングするという構成とし
たことで気泡が細かくなり、したがって不純物としての
アンモニアを含んだ空気と純水22との接触面積が大き
くなって、効率良くアンモニアを除去することが可能と
なる。
【0031】また、アンモニア濃度センサー26を設け
て、空気清浄器2通過後のアンモニア濃度や空気清浄器
2のアンモニア除去率などを監視して、除去効率の落ち
た純水22を新たなものに入れ替えるため、露光装置本
体1の稼働を止めること無しに、アンモニア濃度が1pp
b 以下の空気を安定して供給できることとなる。
【0032】なお、上記においては、アンモニア濃度セ
ンサー26で空気中のアンモニア濃度を監視するとした
が、アンモニアが溶解すると純水22の比抵抗が低下す
ることを利用して、純水22の比抵抗で監視してその入
れ替え時期を決めても良い。
【0033】また、上記においては、空気清浄器内のパ
ンチングボード23は1段としたが、気泡を細かくして
不純物の除去効率を上げるため、数段のパンチングボー
ドを設置してもよい。
【0034】さらに、空気清浄器本体21をフッ素樹脂
製としたが、純水22中に不純物が溶け込むおそれがな
ければ、ステンレスなどの部材を樹脂コーティングした
容器を使用しても良い。
【0035】純水22の交換時期を、空気清浄器本体2
1への導入前後の空気のアンモニア濃度比から得られた
空気清浄器2のアンモニア除去率によって判定する場合
に、上記においては除去率が70%を下回った場合を基
準としたが、図2に示すように空気清浄器2を多段につ
なぐ場合は、半導体製造装置内のアンモニア濃度が1pp
b 以下に保てるのであれば、前段の除去率の基準は50
%程度までゆるめても構わない。
【0036】上記では、除去する目的の不純物がアンモ
ニアである場合について説明したが、アンモニア以外で
も化学増幅型レジストに影響を与える物質で純水22に
可溶な物質ならば、その物質に対応する濃度センサーな
どを付加して、前記と同様に運用することができる。
【0037】
【発明の効果】以上のように本発明は、露光装置の匡体
内に供給する空気を水中に通過させてこの空気中に含ま
れる不純物を前記水中に溶解させる空気清浄器を備えた
ため、不純物の溶解効率が低下した場合は、空気清浄器
内の水を入れ換えることによって、露光装置本体の稼働
を止めることなしに、その匡対内を不純物濃度が一定値
以下の清浄空気で常に満たすことができる。また空気清
浄器内の水中に空気を通すだけであるため、空気清浄化
にかかる費用を低減できてランニングコストを抑えるこ
とができ、したがって従来のケミカルフィルターを使用
する場合と比較して半導体装置の製造コストの上昇を小
さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における空気清浄器の構成
図である。
【図2】図1の空気清浄器と、露光装置とを示す概略図
である。
【図3】従来の空気清浄機能を説明する概略図である。
【符号の説明】
2 空気清浄器 22 純水 23 パンチングボード 24 空気取り入れ口 25 空気取り出し口

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 化学増幅型レジストを用いてパターン形
    成を行う半導体製造装置であって、露光装置の匡体内に
    供給する空気を水中に通過させてこの空気中に含まれる
    不純物を前記水中に溶解させる空気清浄器を備えたこと
    を特徴とする半導体製造装置。
  2. 【請求項2】 空気を純水に通過させるように構成され
    ていることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装
    置。
  3. 【請求項3】 不純物が空気中に含まれるアンモニアで
    あることを特徴とする請求項1または2記載の半導体製
    造装置。
  4. 【請求項4】 水中で空気をバブリングさせるための手
    段を備えたことを特徴とする請求項1から3までのいず
    れか1項記載の半導体製造装置。
  5. 【請求項5】 水中への不純物の除去の程度を検知する
    手段を備えたことを特徴とする請求項1から4までのい
    ずれか1項記載の半導体製造装置。
  6. 【請求項6】 空気清浄器内の水中に通過される前の空
    気における不純物の濃度を測定する手段と、空気清浄器
    内の水中を通過された後の空気における不純物の濃度を
    測定する手段とを備え、これらの濃度測定手段の測定結
    果より、不純物の除去率が基準値を下回った場合、ある
    いは水中を通過された後の空気における不純物の濃度が
    一定値を上回った場合に、空気清浄器内の水を入れ替え
    可能に構成されていることを特徴とする請求項5記載の
    半導体製造装置。
  7. 【請求項7】 空気清浄器を2段以上連結した構成とす
    ることを特徴とする請求項1から6までのいずれか1項
    記載の半導体製造装置。
  8. 【請求項8】 空気清浄器における水を満たす容器をフ
    ッ素樹脂で形成したことを特徴とする請求項1から7ま
    でのいずれか1項記載の半導体製造装置。
  9. 【請求項9】 水中で空気をバブリングさせるための手
    段が一層または多層のパンチングボードであることを特
    徴とする請求項4記載の半導体製造装置。
JP9225440A 1997-08-22 1997-08-22 半導体製造装置 Pending JPH1167644A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002015315A1 (fr) * 2000-08-10 2002-02-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Systeme de pile a combustible

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002015315A1 (fr) * 2000-08-10 2002-02-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Systeme de pile a combustible
US7101636B2 (en) 2000-08-10 2006-09-05 Sanyo Electric Co., Ltd. Fuel cell system

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