JPH1164689A - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

光半導体素子収納用パッケージ

Info

Publication number
JPH1164689A
JPH1164689A JP9227881A JP22788197A JPH1164689A JP H1164689 A JPH1164689 A JP H1164689A JP 9227881 A JP9227881 A JP 9227881A JP 22788197 A JP22788197 A JP 22788197A JP H1164689 A JPH1164689 A JP H1164689A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical semiconductor
semiconductor element
base
optical fiber
frame portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9227881A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Tomie
覚 冨江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP9227881A priority Critical patent/JPH1164689A/ja
Publication of JPH1164689A publication Critical patent/JPH1164689A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】光半導体素子と光ファイバーとの間に位置ズレ
が生じ、光ファイバーと光半導体素子との間における光
の授受の効率が大きく低下する。 【解決手段】上面中央部に光半導体素子の載置部1a
が、外周部に前記載置部1aを囲繞する枠部2を設けた
樹脂製の基体1と、前記枠部2を貫通するように取着さ
れた光ファイバー固定用部材6とを具備する光半導体素
子収納用パッケージであって、前記枠部2を有する基体
1は曲げ弾性率が2000Kg/mm2 以上、0〜30
0℃の平均熱膨張係数が0.7×10-5/℃〜1.1×
10-5/℃である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子を収容
するための光半導体素子収納用パッケージに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来、光通信に使用される電気信号を光
信号に変換するレーザーダイオードや光信号を電気信号
に変換するフォトダイオード等の光半導体素子を収容す
るための光半導体素子収納用パッケージは、一般にエポ
キシ樹脂等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央
部に光半導体素子を載置するための載置部を有し、かつ
上面外周部に貫通穴を設けた枠部を有する基体と、該基
体の枠部に設けた貫通穴に挿通され、樹脂等の接着材を
介して接着固定されている略筒状の光ファイバー固定用
部材と、前記基体の枠部に両端が枠部の内外部に突出す
るように取着され、枠部の外側に突出する一端が外部電
気回路に接続される複数個の外部リード端子と、前記基
体の枠部上面に封止材を介して取着され、枠部の内側を
気密に封止する蓋体とから構成されており、筒状の光フ
ァイバー固定用部材内部に光ファイバーを挿通させると
ともに接着材を介して固定し、次に前記基体の載置部上
にシリコンから成る光伝送モジュール基板に実装された
光半導体素子を載置固定するとともに光半導体素子の各
電極を外部リード端子にボンディングワイヤ等の電気的
接続手段を介して電気的に接続させ、しかる後、枠部の
上面に蓋体を封止材を介して接合し、枠部を有する基体
と蓋体とから成る容器内部に光半導体素子を気密に収容
することによって製品として光半導体装置が完成する。
【0003】かかる光半導体装置は光半導体素子に外部
リード端子を介して外部電気回路から供給される電気信
号を印加し、光半導体素子に光を励起させるとともに該
励起した光を光ファイバーに伝達させることによって、
或いは光ファイバーを伝達する光を光半導体素子に照射
し、光半導体素子に照射された光に対応する電気信号を
発生させるととも該発生した電気信号を外部リード端子
を介し取り出すことによって光通信に使用される。
【0004】なお、前記エポキシ樹脂等の電気絶縁材料
から成る上面外周部に枠部を有する基体は、通常、トラ
ンスファモールド法を採用することによって、具体的に
はビスフェノールA型、O- クレゾールノボラック型等
のエポキシ樹脂と、硬化剤、可とう化剤、難燃化助剤、
着色剤、離型剤等とから成るタブレット状に成形された
エポキシ樹脂の原料粉末を所定金型内に注入するととも
にこれを150℃〜200℃の温度で熱硬化させること
によって製作されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この光
半導体素子収納用パッケージにおいては、枠部を有する
基体がエポキシ樹脂により形成されており、該エポキシ
樹脂は一般にその内部に可とう化剤が多量(5重量%程
度)に含まれているため、曲げ弾性率が1400〜17
00Kg/mm2 と低く、0〜300℃の平均熱膨張係
数が1.7×10-5/℃〜2.5×10-5/℃となって
いる。そのためこの光半導体素子収納用パッケージに、
例えば、熱膨張係数が0.9×10-5/℃のガリウムー
砒素(GaAs)等から成る光半導体素子を収容し光半
導体装置となした後、枠部を有する基体や光半導体素子
に熱が作用すると基体と光半導体素子との間に両者の熱
膨張係数の相違に起因する熱応力が発生するとともに該
熱応力によって枠部を有する基体に変形が生じ、その結
果、枠部を有する基体に固定されている光半導体素子と
光ファイバーの各々の位置にズレが生じ、光ファイバー
と光半導体素子とを正確に対向させることができなくな
って光ファイバーと光半導体素子との間における光の授
受の効率が大きく低下してしまうという欠点を有してい
た。
【0006】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は光ファイバーと光半導体素子とを常に正
確に対向させ、光ファイバーと光半導体素子との間にお
ける光の授受を高効率にするとともに内部に収容する光
半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させ
ることができる光半導体素子収納用パッケージを提供す
ることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上面中央部に
光半導体素子の載置部が、外周部に前記載置部を囲繞す
る枠部を設けた樹脂製の基体と、前記枠部を貫通するよ
うに取着された光ファイバー固定用部材とを具備する光
半導体素子収納用パッケージであって、前記枠部を有す
る基体は曲げ弾性率が2000Kg/mm2 以上、0〜
300℃の平均熱膨張係数が0.7×10-5/℃〜1.
1×10-5/℃であることを特徴とするものである。
【0008】本発明の光半導体素子収納用パッケージに
よれば、枠部を有する基体を曲げ弾性率が2000Kg
/mm2 以上、0〜300℃の平均熱膨張係数が0.7
×10-5/℃〜1.1×10-5/℃の有機樹脂で形成し
たことから、この光半導体素子収納用パッケージに、例
えば、熱膨張係数が0.9×10-5/℃のガリウムー砒
素(GaAs)等から成る光半導体素子を収容し光半導
体装置となした後、枠部を有する基体や光半導体素子に
熱が作用したとしても枠部を有する基体と光半導体素子
とは熱膨張係数が近似することから両者間に大きな熱応
力が発生することはなく、また枠部を有する基体の曲げ
弾性率が2000Kg/mm2 以上と高く変形し難いこ
とから基体と光半導体素子と間に発生した熱応力によっ
て枠部を有する基体に大きな変形を生じることはなく、
これによって枠部を有する基体に固定されている光半導
体素子と光ファイバーはその各々の位置が正確となり、
光ファイバーと光半導体素子とを常に正確に対向させ
て、両者間における光の授受の効率を高いものとなすこ
とが可能になる。
【0009】また本発明の光半導体素子収納用パッケー
ジによれば、枠部を有する基体を耐衝撃性に優れた有機
樹脂で形成したことから枠部を有する基体に外部より衝
撃力が印加されても破損を発生することは殆どなく、そ
の結果、枠部を有する基体と蓋体とから成る容器の気密
封止の信頼性が大きく向上し、容器内部に収容する光半
導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させる
ことができる。
【0010】更に本発明の光半導体素子収納用パッケー
ジによれば、有機樹脂から成る枠部を有する基体の内部
に、表面に半径が10乃至100オングストロームの細
孔を有する吸湿材を1乃至50重量%含有させておくと
大気中に含まれる水分が枠部を有する基体を介して内部
に侵入しようとしてもその侵入は吸湿材によって有効に
阻止され、その結果、内部に侵入した水分によって光半
導体素子の電極やボンディングワイヤ等の電気的接続手
段、或いは外部リード端子に酸化腐蝕が発生することは
なく、光半導体素子を常に正常、かつ安定に作動させる
ことが可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図1は、本発明の光半導体素子収納用パ
ッケージの一実施例を示し、1は基体、2は基体1の上
面外周部に形成された枠部、3は蓋体である。この枠部
2を有する基体1と蓋体3とで内部に光半導体素子Sを
収容するための容器が構成される。
【0012】前記基体1は光半導体素子Sを支持するた
めの支持部材として作用し、その上面の略中央部に光半
導体素子Sを載置するための載置部1aを有しており、
この載置部1a上にはシリコン等により形成された光伝
送モジュール基板Lに実装された光半導体素子Sが載置
固定される。
【0013】また前記基体1はその上面外周部に前記光
半導体素子Sが載置される載置部1aを囲繞するように
して枠部2が形成されており、該枠部2はその内側に光
半導体素子Sを収容するための空所を形成するとともに
光ファイバー7が挿通される筒状の光ファイバー固定用
部材6が枠部2の内外部を貫通するように取着され、光
ファイバー固定用部材6を支持する作用をなす。
【0014】前記上面外周部に枠部2を有する基体1
は、例えば、エポキシ樹脂等の有機樹脂から成り、その
曲げ弾性率は2000Kg/mm2 以上、0〜300℃
までの平均熱膨張係数は0.7×10-5/℃〜1.1×
10-5/℃となっている。
【0015】前記上面外周部に枠部2を有する基体1は
0〜300℃までの平均熱膨張係数が0.7×10-5
℃〜1.1×10-5/℃であることから基体1の載置部
1a上に、例えば、熱膨張係数が0.9×10-5/℃の
ガリウムー砒素(GaAs)等から成る光半導体素子S
を載置固定した後、枠部2を有する基体1と光半導体素
子Sに熱が作用したとしても枠部2を有する基体1と光
半導体素子Sとは熱膨張係数が近似することから両者間
に大きな熱応力が発生することはなく、該熱応力によっ
て枠部2を有する基体1に大きな変形が発生したり、光
半導体素子Sが載置部1aより剥離したりすることはな
い。
【0016】また前記上面外周部に枠部2を有する基体
1はその曲げ弾性率が2000Kg/mm2 以上と高
く、変形し難いものになっていることから基体1と光半
導体素子Sとの間にたとえ熱応力が発生したとしてもそ
の熱応力によって枠部2を有する基体1に変形が発生す
ることは殆どなく、これによって基体1の載置部1a上
に固定される光半導体素子Sと枠部2に取着されている
筒状光ファイバー固定用部材6の内部を挿通する光ファ
イバー7はその各々の位置が正確となり、光半導体素子
Sと光ファイバー7とを常に正確に対向させて、両者間
における光の授受の効率を高いものとなすことができ
る。
【0017】更に前記上面外周部に枠部2を有する基体
1はエポキシ樹脂等の有機樹脂から成り、耐衝撃性に優
れていることから枠部2を有する基体1に外部より衝撃
力が印加されても枠部2を有する基体1に破損が発生す
ることは殆どなく、その結果、枠部2を有する基体1と
蓋体3とから成る容器の気密封止の信頼性が大きく向上
し、容器内部に収容する光半導体素子Sを長期間にわた
り正常、かつ安定に作動させることができる。
【0018】前記外周部に枠部2を有する基体1は例え
ば、エポキシ樹脂から成る場合、トランスファモールド
法を採用することによって、具体的には所定金型内にビ
スフェノールA型、O- クレゾールノボラック型等のエ
ポキシ樹脂と、シリカ、アルミナ等の充填剤(フィラ
ー)とその他の硬化剤、可とう化剤、難燃化助剤、着色
剤、離型剤等から成るタブレット状に成形されたエポキ
シ樹脂の原料粉末を注入するとともにこれを150℃〜
200℃の温度で熱硬化させることによって製作され
る。この場合、可とう化剤の量を1.5重量%以下、あ
るいはシリカ、アルミナ等の充填剤(フィラー)を70
〜90重量%程度含有させておくことによって外周部に
枠部2を有する基体1の曲げ弾性率が2000Kg/m
2 以上、0〜300℃までの平均熱膨張係数が0.7
×10-5/℃〜1.1×10-5/℃となすことができ
る。
【0019】また前記枠部2を有する基体1はその内部
に、表面に半径が10乃至100オングストロームの細
孔を有する吸湿材を1.0乃至50重量%含有させてお
くと大気中に含まれる水分が枠部2を有する基体1を介
して内部に侵入しようとしてもその侵入は吸湿材によっ
て有効に阻止され、その結果、内部に侵入した水分によ
って光半導体素子Sの電極や後述するボンディングワイ
ヤ等の電気的接続手段5、或いは外部リード端子4に酸
化腐蝕が発生することはなく、光半導体素子Sを常に正
常、かつ安定に作動させることが可能となる。従って、
前記枠部2を有する基体1はその内部に、表面に半径が
10乃至100オングストロームの細孔を有する吸湿材
を1乃至50重量%含有させておくことが好ましい。
【0020】なお、前記枠部2を有する基体1に吸湿材
を含有させる場合、エポキシ樹脂の原料粉末をトランス
ファモールドすることによって枠部2を有する基体1を
形成する際、エポキシ樹脂の原料粉末に予め球状のシリ
カ粒子等から成る吸湿材を所定量含有させておくことに
よって枠部2を有する基体1の内部に含有される。
【0021】更に前記枠部2を有する基体1の内部に吸
湿材を含有させておく場合、吸湿材表面の細孔半径が1
0オングストローム未満であると基体1に侵入した水分
を吸湿材に完全に吸着させることが困難となり、また1
00オングストロームを超えると吸湿材の比重が軽くな
り、吸湿材を枠部2を有する基体1の全体に分散含有さ
せるのが困難となる。従って、前記枠部2を有する基体
1の内部に吸湿材を含有させておく場合、吸湿材表面の
細孔半径は10オングストローム〜100オングストロ
ームの範囲としておくことが好ましい。
【0022】また更に前記枠部2を有する基体1の内部
に吸湿材を含有させておく場合、吸湿材の含有量が1重
量%未満であると枠部2を有する基体1における水分の
通過が有効に阻止されず、また50重量%を超えるとエ
ポキシ樹脂の原料粉末をトランスファモールドすること
によって枠部2を有する基体1を形成する際、エポキシ
樹脂の流れ性が悪くなって所望形状の枠部2を有する基
体1が得られなくなる危険性がある。従って、前記枠部
2を有する基体1の内部に吸湿材を含有させておく場
合、吸湿材の含有量は1乃至50重量%の範囲としてお
くことが好ましい。
【0023】前記基体1の枠部2にはまた両端が枠部2
の内外に突出する複数個の外部リード端子4が取着され
ており、該外部リード端子4の枠部2内側に突出する領
域に光半導体素子Sの各電極をボンディングワイヤ等の
電気的接続手段5を介して接続し、枠部2の外側に突出
する領域を外部電気回路に電気的に接続させれば、光半
導体素子3の各電極は外部リード端子4を介し外部電気
回路に電気的に接続されることとなる。
【0024】前記外部リード端子4は鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、
例えば、鉄ーニッケルーコバルト合金等から成るインゴ
ット(塊)に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知
の金属加工法を施すことによって所定の形成に形成され
る。
【0025】前記外部リード端子4の枠部2への取着は
枠部2を有する基体1をトランスファモールド法により
形成する際に予め金型内の所定位置に外部リード端子4
をセットしておくことによって枠部2の所定位置に両端
を枠部2の内外部に突出させた状態で一体的に取着され
る。
【0026】前記外部リード端子4はまたその露出する
外表面に良導電性で耐蝕性に優れ、かつロウ材と濡れ性
の良いニッケルや金等の金属をめっき法により所定厚み
(1〜20μm)に被着させておくと、外部リード端子
4の酸化腐蝕を有効に防止することができるとともに外
部リード端子4とボンディングワイヤ等の電気的接続手
段5との接続及び外部リード端子4と外部電気回路との
接続を信頼性の高いものとなすことができる。従って、
前記外部リード端子4はその露出する外表面に良導電性
で耐蝕性に優れ、かつロウ材と濡れ性の良いニッケルや
金等の金属をめっき法により1〜20μmの厚みに被着
させてることが好ましい。
【0027】更に前記基体1の枠部2には筒状の光ファ
イバー固定用部材6が一端を枠部2の内側に、他端が枠
部2の外側に突出させた状態で一体的に取着されてい
る。
【0028】前記筒状の光ファイバー固定用部材6は光
ファイバー7の先端を光半導体素子Sに対向させた状態
で固定する作用をなし、その内部に光ファイバー7が該
光ファイバー7の先端を光半導体素子Sと対向するよう
に挿通され、しかる後、光ファイバー7の外表面に被着
された保護部材8と光ファイバー固定用部材6の外端部
とを樹脂等から成る接着材9を介し接着することによっ
て光ファイバー7はその先端が光半導体素子Sと対向し
た状態で筒状の光ファイバー固定用部材6に固定され
る。
【0029】前記筒状の光ファイバー固定用部材6は、
例えば、鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合
金等の金属材料から成り、鉄ーニッケルーコバルト合金
等に従来周知の圧延加工法やプレス成形法等の金属加工
を施すことによって内径がφ1.0mm、外形がφ2.
0mm程度の筒状に製作される。
【0030】また前記筒状の光ファイバー固定部材6の
枠部2への取着は枠部2を有する基体1をトランスファ
モールド法より形成する際に予め金型内の所定位置に光
ファイバー固定用部材6をセットしておくことによって
行われる。この場合、光ファイバー固定用部材6は枠部
を有する基体をトランスファモールドにより形成する際
に同時に枠部の所定位置に一体的に取着されることから
光ファイバー固定用部材6の外表面と枠部2との間には
クリアランスはなく、直接接触することとなり、その結
果、光ファイバー固定用部材6の枠部2に対する取着位
置はバラツキのない正確な位置とし、この光ファイバー
固定用部材6の内部に光ファイバー7を固定すると該光
ファイバー7の固定位置も正確となって光ファイバー7
と光半導体素子Sとが正確に対向し、光ファイバー7と
光半導体素子Sとの間における光の授受の効率を良好な
ものとなすことができる。
【0031】なお、前記光ファイバー固定用部材6はそ
の露出する外表面に耐蝕性に優れるニッケルや金等の金
属をめっき法により1〜20μmの厚みに被着させてお
くと、光ファイバー固定用部材6の酸化腐蝕を有効に防
止することができる。従って、前記光ファイバー固定用
部材6は酸化腐蝕による外観不良の発生等を有効に防止
するにはその露出する外表面に耐蝕性に優れるニッケル
や金等の金属をめっき法により1〜20μmの厚みに被
着させておくことが好ましい。
【0032】また前記筒状の光ファイバー固定用部材6
の内部には光ファイバー7が挿通固定されており、該光
ファイバー7は光半導体素子Sが発する光を外部に伝達
する、或いは外部から光を光半導体素子Sに伝達するた
めの光の伝達路として作用する。
【0033】更に前記基体1の上面外周部に設けた枠部
2上には有機樹脂等から成る封止材を介して蓋体3が接
合され、該蓋体3で枠部2の内側を塞ぐことよって枠部
2を有する基体1と蓋体3とで構成される容器内に光半
導体素子Sが気密に収容される。
【0034】前記蓋体2はエポキシ樹脂等の有機樹脂や
鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金
属材料から成り、従来周知の形成方法によって所定の板
状に形成される。
【0035】かくして本発明の光半導体素子収納用パッ
ケージによれば、基体1の載置部1aに光伝送モジュー
ル基板Lに実装させた光半導体素子Sを載置固定させる
とともに光半導体素子Sの各電極を所定の外部リード端
子4にボンディングワイヤ等の電気的接続手段5を介し
て電気的に接続し、次に筒状の光ファイバー固定用部材
6の内部に光ファイバー7を挿通させ、その先端を光半
導体素子Sと対向するようにして固定し、しかる後、枠
部2の上面に蓋体3を封止材を介して接合させ、枠部2
を有する基体1と蓋体3とから成る容器内部に光半導体
素子Sを気密に収容することによって製品としての光半
導体装置が完成する。
【0036】かかる光半導体装置は光半導体素子Sに外
部リード端子4を介して外部電気回路から供給される電
気信号を印加し、光半導体素子Sに光を励起させるとと
もに該励起した光を光ファイバー7に伝達させることに
よって、或いは光ファイバー7を伝達する光を光半導体
素子Sに照射し、光半導体素子Sに照射された光に対応
する電気信号を発生させるとともに該発生した電気信号
を外部リード端子4を介し取り出すことによって光通信
に使用される。
【0037】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
【0038】
【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
によれば、枠部を有する基体を曲げ弾性率が2000K
g/mm2 以上、0〜300℃の平均熱膨張係数が0.
7×10-5/℃〜1.1×10-5/℃のエポキシ樹脂で
形成したことから、この光半導体素子収納用パッケージ
に、例えば、熱膨張係数が0.9×10-5/℃のガリウ
ムー砒素(GaAs)等から成る光半導体素子を収容し
光半導体装置となした後、枠部を有する基体や光半導体
素子に熱が作用したとしても枠部を有する基体と光半導
体素子とは熱膨張係数が近似することから両者間に大き
な熱応力が発生することはなく、また枠部を有する基体
の曲げ弾性率が2000Kg/mm2 以上と高く変形し
難いことから基体と光半導体素子と間に発生した熱応力
によって枠部を有する基体に大きな変形を生じることは
なく、これによって枠部を有する基体に固定されている
光半導体素子と光ファイバーはその各々の位置が正確と
なり、光ファイバーと光半導体素子とを常に正確に対向
させて、両者間における光の授受の効率を高いものとな
すことが可能になる。
【0039】また本発明の光半導体素子収納用パッケー
ジによれば、枠部を有する基体を耐衝撃性に優れた有機
樹脂で形成したことから枠部を有する基体に外部より衝
撃力が印加されても破損を発生することは殆どなく、そ
の結果、枠部を有する基体と蓋体とから成る容器の気密
封止の信頼性が大きく向上し、容器内部に収容する光半
導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させる
こともできる。
【0040】更に本発明の光半導体素子収納用パッケー
ジによれば、枠部を有する基体の内部に、表面に半径が
10乃至100オングストロームの細孔を有する吸湿材
を1乃至50重量%含有させておくと大気中に含まれる
水分が枠部を有する基体を介して内部に侵入しようとし
てもその侵入は吸湿材によって有効に阻止され、その結
果、内部に侵入した水分によって光半導体素子の電極や
ボンディングワイヤ等の電気的接続手段、或いは外部リ
ード端子に酸化腐蝕が発生することはなく、光半導体素
子を常に正常、かつ安定に作動させることが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示す断面図である。
【符号の説明】
1・・・樹脂製基体 1a・・載置部 2・・・枠部 3・・・蓋体 4・・・外部リード端子 6・・・光ファイバー固定用部材 7・・・光ファイバー S・・・光半導体素子

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】上面中央部に光半導体素子の載置部が、外
    周部に前記載置部を囲繞する枠部を設けた樹脂製の基体
    と、前記枠部を貫通するように取着された光ファイバー
    固定用部材とを具備する光半導体素子収納用パッケージ
    であって、前記枠部を有する基体は曲げ弾性率が200
    0Kg/mm2 以上、0〜300℃の平均熱膨張係数が
    0.7×10-5/℃〜1.1×10-5/℃であることを
    特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
  2. 【請求項2】前記樹脂製基体の内部に、表面に半径が1
    0乃至100オングストロームの細孔を有する吸湿材が
    1乃至50重量%含有されていることを特徴とする請求
    項1記載の光半導体素子収納用パッケージ。
JP9227881A 1997-08-25 1997-08-25 光半導体素子収納用パッケージ Pending JPH1164689A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9227881A JPH1164689A (ja) 1997-08-25 1997-08-25 光半導体素子収納用パッケージ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9227881A JPH1164689A (ja) 1997-08-25 1997-08-25 光半導体素子収納用パッケージ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1164689A true JPH1164689A (ja) 1999-03-05

Family

ID=16867812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9227881A Pending JPH1164689A (ja) 1997-08-25 1997-08-25 光半導体素子収納用パッケージ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1164689A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7520683B2 (en) 2004-09-06 2009-04-21 Opnext Japan, Inc. Optical module
US20150205059A1 (en) * 2013-01-29 2015-07-23 Kyocera Corporation Package for housing optical semiconductor element and optical semiconductor device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7520683B2 (en) 2004-09-06 2009-04-21 Opnext Japan, Inc. Optical module
US20150205059A1 (en) * 2013-01-29 2015-07-23 Kyocera Corporation Package for housing optical semiconductor element and optical semiconductor device
US9459416B2 (en) * 2013-01-29 2016-10-04 Kyocera Corporation Package for housing optical semiconductor element and optical semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4268113A (en) Signal coupling element for substrate-mounted optical transducers
KR100903709B1 (ko) 반도체 레이저 장치 및 그 제조 방법
JP2001358398A (ja) 半導体レーザー素子ユニットおよび半導体レーザーモジュール
US6426591B1 (en) Package for housing photosemiconductor element
US11349278B2 (en) Stem for semiconductor package, and semiconductor package
JPH1164689A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JPS60180183A (ja) 光半導体素子気密パツケ−ジ
JPH11307692A (ja) 半導体素子支持部材及びこれを用いた半導体素子収納用パッケージ
JP3660790B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP3785026B2 (ja) 光電子デバイス
JP2000183203A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP3443522B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP3663282B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JPH1164688A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP3677377B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JPH1146042A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JPH1146041A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP2003133461A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JPH1146043A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JPH1195069A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP3526518B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP2002246653A (ja) 光半導体パッケージ
JP2000106459A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JPH11340480A (ja) プラスティックパッケージ
JP2003209314A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040622