JPH1161414A - マイクロ波プラズマ装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ装置Info
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- JPH1161414A JPH1161414A JP9215363A JP21536397A JPH1161414A JP H1161414 A JPH1161414 A JP H1161414A JP 9215363 A JP9215363 A JP 9215363A JP 21536397 A JP21536397 A JP 21536397A JP H1161414 A JPH1161414 A JP H1161414A
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- vacuum chamber
- plasma
- electric field
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロ波プラズマ装置によるCVD・エッ
チング等において、プラズマ発生領域のプラズマ密度を
均一化し、厚み分布と膜性能の均一なマイクロ波プラズ
マ装置を提供する。 【解決手段】 プラズマが照射される基体3の表面に対
して、マイクロ波導入窓6がマイクロ波の漏れ角度とほ
ぼ同じ角度を設けて設置されることによりプラズマを均
一化し、厚み分布の均一な薄膜製造を可能にする。また
プラズマ化される導入ガス8を、マイクロ波による電界
強度分布に合わせて導入することによりプラズマ密度を
均一化し、厚み分布と膜性能の均一な薄膜製造を可能に
する。
チング等において、プラズマ発生領域のプラズマ密度を
均一化し、厚み分布と膜性能の均一なマイクロ波プラズ
マ装置を提供する。 【解決手段】 プラズマが照射される基体3の表面に対
して、マイクロ波導入窓6がマイクロ波の漏れ角度とほ
ぼ同じ角度を設けて設置されることによりプラズマを均
一化し、厚み分布の均一な薄膜製造を可能にする。また
プラズマ化される導入ガス8を、マイクロ波による電界
強度分布に合わせて導入することによりプラズマ密度を
均一化し、厚み分布と膜性能の均一な薄膜製造を可能に
する。
Description
【0001】
【発明に属する技術分野】本発明は、真空中に於いて基
体上にプラズマを照射して基体の表面をエッチングまた
は薄膜を形成するプラズマ発生装置に関し、特に薄膜製
造と薄膜性能の安定性に優れた薄膜の製造装置と薄膜の
製造方法に関するものである。
体上にプラズマを照射して基体の表面をエッチングまた
は薄膜を形成するプラズマ発生装置に関し、特に薄膜製
造と薄膜性能の安定性に優れた薄膜の製造装置と薄膜の
製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】薄膜形成法としては真空蒸着法、スパッ
タ法などが多く用いられてきたが、従来の薄膜製造法に
加えて近年プラズマCVDを用いた薄膜の製造方法が多
く用いられるようになってきた。
タ法などが多く用いられてきたが、従来の薄膜製造法に
加えて近年プラズマCVDを用いた薄膜の製造方法が多
く用いられるようになってきた。
【0003】プラズマCVD法による薄膜は、化学反応
による複雑な組成の薄膜や、スパッタ法と同等の薄膜を
高速で形成することが可能となる。従来、最も多くプラ
ズマCVDが用いられてきたのは半導体の製造プロセス
であり、個別のディスク状のウェハー毎に処理を行って
いる。
による複雑な組成の薄膜や、スパッタ法と同等の薄膜を
高速で形成することが可能となる。従来、最も多くプラ
ズマCVDが用いられてきたのは半導体の製造プロセス
であり、個別のディスク状のウェハー毎に処理を行って
いる。
【0004】プラズマの発生方法としては様々な手法が
考えられているが、磁場とマイクロ波の組み合わせによ
り強いプラズマを発生させ、生産性を高める技術が普及
しつつある。このプラズマCVD技術で更に大面積の基
体へも処理できるように、特開平6−236799号公
報などに示されるような装置も検討されている。
考えられているが、磁場とマイクロ波の組み合わせによ
り強いプラズマを発生させ、生産性を高める技術が普及
しつつある。このプラズマCVD技術で更に大面積の基
体へも処理できるように、特開平6−236799号公
報などに示されるような装置も検討されている。
【0005】具体的には、従来では次のように構成され
ている。真空槽にセットされた基体の表面に薄膜を形成
するに際し、マイクロ波はマイクロ波電源で発生し、マ
イクロ波導入管を通ってマイクロ波導入窓より漏れて、
真空槽の内部に導入される。真空槽の内部には、ガス導
入管からプラズマ化されるガスが導入されており、マイ
クロ波による電界により高密度プラズマが発生する。高
密度プラズマにより重合反応が起こり、基体の上に薄膜
が形成される。また、エッチング装置の場合にはエッチ
ングが実施される。
ている。真空槽にセットされた基体の表面に薄膜を形成
するに際し、マイクロ波はマイクロ波電源で発生し、マ
イクロ波導入管を通ってマイクロ波導入窓より漏れて、
真空槽の内部に導入される。真空槽の内部には、ガス導
入管からプラズマ化されるガスが導入されており、マイ
クロ波による電界により高密度プラズマが発生する。高
密度プラズマにより重合反応が起こり、基体の上に薄膜
が形成される。また、エッチング装置の場合にはエッチ
ングが実施される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来では、マイクロ波
導入窓からマイクロ波の漏れを利用して真空槽内に電界
を発生しているが、マイクロ波が進行方向に向かって進
行するに従って、基体上においては電界強度が強くなる
ことから、マイクロ波の進行が進むにつれ基体上のプラ
ズマ密度が向上し、基体上ではマイクロ波の進行方向で
の製膜速度またはエッチング速度が不均一になる。ま
た、マイクロ波はその周波数に応じた定在波と呼ばれる
電界強度の周期性を持つ。
導入窓からマイクロ波の漏れを利用して真空槽内に電界
を発生しているが、マイクロ波が進行方向に向かって進
行するに従って、基体上においては電界強度が強くなる
ことから、マイクロ波の進行が進むにつれ基体上のプラ
ズマ密度が向上し、基体上ではマイクロ波の進行方向で
の製膜速度またはエッチング速度が不均一になる。ま
た、マイクロ波はその周波数に応じた定在波と呼ばれる
電界強度の周期性を持つ。
【0007】従来のガス導入方法ではプラズマ密度は電
界強度の周期に同調し、電界の強い部分では製膜速度は
向上するが、電界の弱い部分では製膜速度は低下する。
結果的に基体上ではマイクロ波の進行方向では電界の周
期に応じた不均一な製膜となる。また、エッチング装置
の場合には、電界の強い部分で基板の目的の場所をエッ
チングする場合を想定すると、エッチングレートを向上
させようとしてガス流量を高くすると、電界の弱い部分
に位置させてある前記基板のエッチングをあまり進行さ
せたくない部分もエッチングが進行して好ましくない。
界強度の周期に同調し、電界の強い部分では製膜速度は
向上するが、電界の弱い部分では製膜速度は低下する。
結果的に基体上ではマイクロ波の進行方向では電界の周
期に応じた不均一な製膜となる。また、エッチング装置
の場合には、電界の強い部分で基板の目的の場所をエッ
チングする場合を想定すると、エッチングレートを向上
させようとしてガス流量を高くすると、電界の弱い部分
に位置させてある前記基板のエッチングをあまり進行さ
せたくない部分もエッチングが進行して好ましくない。
【0008】本発明は、プラズマ密度を安定化させ、均
一な薄膜または高いエッチングレートでの選択的なエッ
チング処理を実現できるマイクロ波プラズマ装置を提供
することを目的とする。
一な薄膜または高いエッチングレートでの選択的なエッ
チング処理を実現できるマイクロ波プラズマ装置を提供
することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、マイクロ波導
入窓から漏れて導入されるマイクロ波、すなわち電界強
度の角度に合わせてマイクロ波導入窓を基体に対して角
度を設けて構成している。また、プラズマ化させる導入
ガスを、マイクロ波の定在波によって発生する電界強度
分布に合わせて選択的に供給できるガス導入管を有す
る。
入窓から漏れて導入されるマイクロ波、すなわち電界強
度の角度に合わせてマイクロ波導入窓を基体に対して角
度を設けて構成している。また、プラズマ化させる導入
ガスを、マイクロ波の定在波によって発生する電界強度
分布に合わせて選択的に供給できるガス導入管を有す
る。
【0010】これにより、製膜された膜の厚み分布や膜
質の均一な成膜、または高レートでの選択的なエッチン
グ処理を実施できるマイクロ波プラズマ発生装置が得ら
れる。
質の均一な成膜、または高レートでの選択的なエッチン
グ処理を実施できるマイクロ波プラズマ発生装置が得ら
れる。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明のマイクロ波プラズマ装置
は、マイクロ波電源と真空槽をマイクロ波導入管を介し
て接続し、前記マイクロ波導入管に形成されたマイクロ
波導入窓から真空槽の内部に漏れるマイクロ波によって
前記真空槽の内部のガスをプラズマ状態として、前記真
空槽にセットされた基体を処理するマイクロ波プラズマ
装置であって、前記マイクロ波導入窓の開口面を、前記
基体の面に対して平行で無く角度を設けて構成したこと
を特徴とし、基体表面上における電界強度を均一にして
プラズマ密度分布を均一にできる。
は、マイクロ波電源と真空槽をマイクロ波導入管を介し
て接続し、前記マイクロ波導入管に形成されたマイクロ
波導入窓から真空槽の内部に漏れるマイクロ波によって
前記真空槽の内部のガスをプラズマ状態として、前記真
空槽にセットされた基体を処理するマイクロ波プラズマ
装置であって、前記マイクロ波導入窓の開口面を、前記
基体の面に対して平行で無く角度を設けて構成したこと
を特徴とし、基体表面上における電界強度を均一にして
プラズマ密度分布を均一にできる。
【0012】また、本発明のマイクロ波プラズマ装置
は、マイクロ波電源と真空槽をマイクロ波導入管を介し
て接続し、前記マイクロ波導入管に形成されたマイクロ
波導入窓から真空槽の内部に漏れるマイクロ波によって
前記真空槽の内部のガスをプラズマ状態として、前記真
空槽にセットされた基体を処理するマイクロ波プラズマ
装置であって、真空槽の内部での前記ガスの流量の分布
を、前記真空槽の内部の電界分布に対応して弱電界の部
分と強電界の部分とにガス流量の差をつけて供給するよ
うに構成したことを特徴とし、成膜装置の場合には弱電
界の部分には強電界の部分よりもガス流量が高くなるよ
うにして電界強度の弱い部分ではガスの流量によりプラ
ズマ密度を向上させ、電界強度の強い部分と同等のプラ
ズマ密度にすることにより、均一な成膜を実現できる。
は、マイクロ波電源と真空槽をマイクロ波導入管を介し
て接続し、前記マイクロ波導入管に形成されたマイクロ
波導入窓から真空槽の内部に漏れるマイクロ波によって
前記真空槽の内部のガスをプラズマ状態として、前記真
空槽にセットされた基体を処理するマイクロ波プラズマ
装置であって、真空槽の内部での前記ガスの流量の分布
を、前記真空槽の内部の電界分布に対応して弱電界の部
分と強電界の部分とにガス流量の差をつけて供給するよ
うに構成したことを特徴とし、成膜装置の場合には弱電
界の部分には強電界の部分よりもガス流量が高くなるよ
うにして電界強度の弱い部分ではガスの流量によりプラ
ズマ密度を向上させ、電界強度の強い部分と同等のプラ
ズマ密度にすることにより、均一な成膜を実現できる。
【0013】エッチング装置の場合には、強電界の部分
には弱電界の部分よりもガス流量が高くなるようにして
電界強度の強い部分ではガスの流量によりプラズマ密度
を向上させてエッチングレートが高くなり、電界強度の
弱い部分でのプラズマ密度を小さくすることにより、選
択的なエッチングを実現できる。
には弱電界の部分よりもガス流量が高くなるようにして
電界強度の強い部分ではガスの流量によりプラズマ密度
を向上させてエッチングレートが高くなり、電界強度の
弱い部分でのプラズマ密度を小さくすることにより、選
択的なエッチングを実現できる。
【0014】以下、本発明の各実施の形態を図1と図2
に基づいて説明する。 (実施の形態1)図1は本発明のマイクロ波プラズマ装
置を示す。
に基づいて説明する。 (実施の形態1)図1は本発明のマイクロ波プラズマ装
置を示す。
【0015】真空槽1の内部には基体ホルダ2が設けら
れており、基体3はこの基体ホルダ2にセットされてい
る。マイクロ波はマイクロ波電源4で発生し、マイクロ
波導入管5を通ってマイクロ波導入窓6より漏れて、真
空槽1の内部に導入される。
れており、基体3はこの基体ホルダ2にセットされてい
る。マイクロ波はマイクロ波電源4で発生し、マイクロ
波導入管5を通ってマイクロ波導入窓6より漏れて、真
空槽1の内部に導入される。
【0016】真空槽1の内部には、ガス導入管7からプ
ラズマ化されるガス8が導入されるとともに、真空ポン
プ9で排気されている。これによって、真空槽1の内部
ではマイクロ波による電界により高密度プラズマが発生
し、高密度プラズマにより重合反応が起こり、基体3の
上に薄膜が形成される。
ラズマ化されるガス8が導入されるとともに、真空ポン
プ9で排気されている。これによって、真空槽1の内部
ではマイクロ波による電界により高密度プラズマが発生
し、高密度プラズマにより重合反応が起こり、基体3の
上に薄膜が形成される。
【0017】マイクロ波導入窓6より漏れて真空槽1の
内部に供給されるマイクロ波は、進行方向に進むに従っ
てマイクロ波導入窓6より遠くへ到達するが、マイクロ
波の漏れ角度に合わせてマイクロ波導入窓6が設置され
ている。
内部に供給されるマイクロ波は、進行方向に進むに従っ
てマイクロ波導入窓6より遠くへ到達するが、マイクロ
波の漏れ角度に合わせてマイクロ波導入窓6が設置され
ている。
【0018】これにより、基体3上ではマイクロ波の進
行方向に対する電界10の強度分布は均一となり、すな
わち、基体3上のプラズマ強度分布は均一となる。この
実施の形態では、マイクロ波のマイクロ波導入窓6に対
する漏れ角度を測定するとマイクロ波導入窓6に対して
10deg.であり、基体3に対して10deg.の角
度を設けてマイクロ波導入窓6を設置した。
行方向に対する電界10の強度分布は均一となり、すな
わち、基体3上のプラズマ強度分布は均一となる。この
実施の形態では、マイクロ波のマイクロ波導入窓6に対
する漏れ角度を測定するとマイクロ波導入窓6に対して
10deg.であり、基体3に対して10deg.の角
度を設けてマイクロ波導入窓6を設置した。
【0019】以下、マイクロ波プラズマCVDの場合を
例に挙げて具体例を説明する。真空ポンプ9により5×
10E−5Torr程度まで真空引きされた真空槽1内
に、ガス導入管7よりメタンガス50SCCM、アルゴ
ンガス12.5SCCMの混合ガスを導入する。
例に挙げて具体例を説明する。真空ポンプ9により5×
10E−5Torr程度まで真空引きされた真空槽1内
に、ガス導入管7よりメタンガス50SCCM、アルゴ
ンガス12.5SCCMの混合ガスを導入する。
【0020】マイクロ波電源4より500Wのマイクロ
波をマイクロ波導入管6より導入すると、混合ガスはプ
ラズマ化し基体3であるシリコンウエハ上に硬質炭素膜
が成膜される。
波をマイクロ波導入管6より導入すると、混合ガスはプ
ラズマ化し基体3であるシリコンウエハ上に硬質炭素膜
が成膜される。
【0021】ここでは、マイクロ波導入窓6の長さを6
00mmとして、10秒間成膜した時のシリコンウエハ
上の硬質炭素膜の厚み分布を60mm間隔で9点マイク
ロ波の進行方向において測定し、結果を従来例(特開平
6−236799号公報)と比較して下記の(表1)に
まとめた。なお、(表1)の数値の単位はnmである。
00mmとして、10秒間成膜した時のシリコンウエハ
上の硬質炭素膜の厚み分布を60mm間隔で9点マイク
ロ波の進行方向において測定し、結果を従来例(特開平
6−236799号公報)と比較して下記の(表1)に
まとめた。なお、(表1)の数値の単位はnmである。
【0022】
【表1】
【0023】従来例では厚み分布が3nmから5nm程
度の変動を持ちながら約11nmから約24nmへ傾斜
を持って変化していることに対して、本発明では3nm
程度の変動はあるものの、約22nmから約24nmの
厚み分布であり、従来例のような厚み分布の傾斜は発生
しなかった。
度の変動を持ちながら約11nmから約24nmへ傾斜
を持って変化していることに対して、本発明では3nm
程度の変動はあるものの、約22nmから約24nmの
厚み分布であり、従来例のような厚み分布の傾斜は発生
しなかった。
【0024】また、(実施の形態1)においてマイクロ
波導入窓6を基体3に対して10deg.の角度を設け
たが、5〜15deg.の範囲でも同等の結果が得られ
ると共に、基体3をマイクロ波導入窓6に対して角度を
設けて設置しても差し支えない。
波導入窓6を基体3に対して10deg.の角度を設け
たが、5〜15deg.の範囲でも同等の結果が得られ
ると共に、基体3をマイクロ波導入窓6に対して角度を
設けて設置しても差し支えない。
【0025】(実施の形態2)図2は本発明の(実施の
形態2)のマイクロ波プラズマ装置を示し、図1に示し
た(実施の形態1)のに示した装置とは、真空槽1の内
部におけるガス導入管7の構造が異なっている。
形態2)のマイクロ波プラズマ装置を示し、図1に示し
た(実施の形態1)のに示した装置とは、真空槽1の内
部におけるガス導入管7の構造が異なっている。
【0026】マイクロ波電源4にて発生したマイクロ波
はマイクロ波導入管5を通ってマイクロ波導入窓6より
漏れて真空槽1内に供給される。ガス導入管7にはマイ
クロ波電源4で発生されるマイクロ波によって発生する
電界10の周期と同じ間隔で設けられたガス供給孔7a
が穿設されており、電界10の周期に合わせてガス8が
真空槽1に導入される。
はマイクロ波導入管5を通ってマイクロ波導入窓6より
漏れて真空槽1内に供給される。ガス導入管7にはマイ
クロ波電源4で発生されるマイクロ波によって発生する
電界10の周期と同じ間隔で設けられたガス供給孔7a
が穿設されており、電界10の周期に合わせてガス8が
真空槽1に導入される。
【0027】(実施の形態2)におけるマイクロ波電源
4は周波数2.45GHzであり、その波長は約122
mmとなり、その時の電界10の周期は約61mmとな
ることからガス導入管7にはガス供給孔7aが61mm
の間隔で真空槽1の内部における電界分布に対応させ
て、弱電界の部分には強電界の部分よりもガス流量が高
くなるように構成した。具体的には、ガス導入管7とし
ては材質がフッ素系樹脂などのように電界に影響を与え
ないものを使用した。
4は周波数2.45GHzであり、その波長は約122
mmとなり、その時の電界10の周期は約61mmとな
ることからガス導入管7にはガス供給孔7aが61mm
の間隔で真空槽1の内部における電界分布に対応させ
て、弱電界の部分には強電界の部分よりもガス流量が高
くなるように構成した。具体的には、ガス導入管7とし
ては材質がフッ素系樹脂などのように電界に影響を与え
ないものを使用した。
【0028】以下、マイクロ波プラズマCVDの場合を
例に挙げて具体例を示す。真空ポンプ9により5×10
E−5Torr程度まで真空引きされた真空槽1内に、
61mm間隔で孔径1mm以下のガス供給孔7aを設け
たガス導入管7よりメタンガス50SCCM、アルゴン
ガス12.5SCCMの混合ガスを導入する。マイクロ
波電源4より500Wのマイクロ波をマイクロ波導入窓
6より導入すると、混合ガスはプラズマ化し基体3であ
るシリコンウエハ上に硬質炭素膜が成膜される。ここで
は、マイクロ波導入窓6の長さを600mmとして、1
0秒間成膜した時のシリコンウエハ上の硬質炭素膜の厚
み分布を61mm間隔で9点マイクロ波の進行方向にお
いて測定し、結果を従来例と比較して下記の(表2)に
まとめる。なお、(表2)の数値の単位はnmである。
例に挙げて具体例を示す。真空ポンプ9により5×10
E−5Torr程度まで真空引きされた真空槽1内に、
61mm間隔で孔径1mm以下のガス供給孔7aを設け
たガス導入管7よりメタンガス50SCCM、アルゴン
ガス12.5SCCMの混合ガスを導入する。マイクロ
波電源4より500Wのマイクロ波をマイクロ波導入窓
6より導入すると、混合ガスはプラズマ化し基体3であ
るシリコンウエハ上に硬質炭素膜が成膜される。ここで
は、マイクロ波導入窓6の長さを600mmとして、1
0秒間成膜した時のシリコンウエハ上の硬質炭素膜の厚
み分布を61mm間隔で9点マイクロ波の進行方向にお
いて測定し、結果を従来例と比較して下記の(表2)に
まとめる。なお、(表2)の数値の単位はnmである。
【0029】
【表2】
【0030】従来例では厚み分布が3nm程度の変動を
持っているが、本発明では、厚み分布の変動は1nm程
度であった。また、(実施の形態2)においてガス導入
管7は1本のガス導入管に供給孔を設けたが、複数のガ
ス導入管を用いて各々を流量制御しながらガスを導入し
ても差し支えない。
持っているが、本発明では、厚み分布の変動は1nm程
度であった。また、(実施の形態2)においてガス導入
管7は1本のガス導入管に供給孔を設けたが、複数のガ
ス導入管を用いて各々を流量制御しながらガスを導入し
ても差し支えない。
【0031】この(実施の形態2)では(実施の形態
1)のようにマイクロ波導入窓の開口面を基体の面に対
して角度を設けて構成したが、マイクロ波導入窓の開口
面が前記基体の面に対して平行の場合にも良好な結果が
得られる。
1)のようにマイクロ波導入窓の開口面を基体の面に対
して角度を設けて構成したが、マイクロ波導入窓の開口
面が前記基体の面に対して平行の場合にも良好な結果が
得られる。
【0032】(実施の形態3)上記の各実施の形態で
は、成膜装置の場合を例を挙げて説明し、ガス流量につ
いては、弱電界の部分には強電界の部分よりもガスの流
量を高くなるように構成したが、基板を選択的にエッチ
ングするエッチング装置の場合には、エッチングしたい
部分を強電界に配置し、エッチングしたくない部分を弱
電界に配置し、強電界の部分へのアルゴンまたは窒素ガ
スの供給量を弱電界の部分へのガス供給量よりも少なく
することによって、強電界の部分でのエッチングレート
を弱電界の部分でのそれよりも大幅に高めることがで
き、エッチングしたい部分を迅速にエッチング処理で
き、しかもエッチングしたくない部分のエッチングを僅
かに抑えることができる。
は、成膜装置の場合を例を挙げて説明し、ガス流量につ
いては、弱電界の部分には強電界の部分よりもガスの流
量を高くなるように構成したが、基板を選択的にエッチ
ングするエッチング装置の場合には、エッチングしたい
部分を強電界に配置し、エッチングしたくない部分を弱
電界に配置し、強電界の部分へのアルゴンまたは窒素ガ
スの供給量を弱電界の部分へのガス供給量よりも少なく
することによって、強電界の部分でのエッチングレート
を弱電界の部分でのそれよりも大幅に高めることがで
き、エッチングしたい部分を迅速にエッチング処理で
き、しかもエッチングしたくない部分のエッチングを僅
かに抑えることができる。
【0033】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、マイクロ
波導入窓の開口面を、前記基体の面に対して平行で無く
角度を設けて構成したり、真空槽の内部での前記ガスの
流量の分布を電界分布に応じて変更できるように構成し
たので、均一な成膜または良好な選択的なエッチングを
実現できる。
波導入窓の開口面を、前記基体の面に対して平行で無く
角度を設けて構成したり、真空槽の内部での前記ガスの
流量の分布を電界分布に応じて変更できるように構成し
たので、均一な成膜または良好な選択的なエッチングを
実現できる。
【図1】本発明の(実施の形態1)で使用したマイクロ
波プラズマ装置の概念図
波プラズマ装置の概念図
【図2】本発明の(実施の形態2)で使用したマイクロ
波プラズマ装置の概念図
波プラズマ装置の概念図
1 真空槽 2 基体ホルダ 3 基体 4 マイクロ波電源 5 マイクロ波導入管 6 マイクロ波導入窓 7 ガス導入管 7a ガス供給孔 8 ガス 9 真空ポンプ 10 電界強度の概念
Claims (4)
- 【請求項1】 マイクロ波電源と真空槽をマイクロ波導
入管を介して接続し、前記マイクロ波導入管に形成され
たマイクロ波導入窓から真空槽の内部に漏れるマイクロ
波によって前記真空槽の内部のガスをプラズマ状態とし
て、前記真空槽にセットされた基体を処理するマイクロ
波プラズマ装置であって、 前記マイクロ波導入窓の開口面を、前記基体の面に対し
て平行で無く角度を設けて構成したマイクロ波プラズマ
装置。 - 【請求項2】 マイクロ波電源と真空槽をマイクロ波導
入管を介して接続し、前記マイクロ波導入管に形成され
たマイクロ波導入窓から真空槽の内部に漏れるマイクロ
波によって前記真空槽の内部のガスをプラズマ状態とし
て、前記真空槽にセットされた基体を処理するマイクロ
波プラズマ装置であって、 真空槽の内部での前記ガスの流量の分布を、前記真空槽
の内部の電界分布に対応して弱電界の部分と強電界の部
分とにガス流量の差をつけて供給できるように構成した
マイクロ波プラズマ装置。 - 【請求項3】 マイクロ波導入管とマイクロ波導入窓が
平行であり、マイクロ波導入窓よりマイクロ波が漏れて
真空槽内に導入されるマイクロ波プラズマ装置におい
て、マイクロ波導入窓と漏れて導入されるマイクロ波と
に発生する角度と、同じ角度の傾斜を前記マイクロ波導
入窓が基体面に対して設けて構成される請求項1記載の
マイクロ波プラズマ装置。 - 【請求項4】 マイクロ波電源と真空槽をマイクロ波導
入管を介して接続し、前記マイクロ波導入管に形成され
たマイクロ波導入管から真空槽の内部に漏れるマイクロ
波によって前記真空槽の内部のガスをプラズマ状態とし
て、前記真空槽にセットされた基体を処理するマイクロ
波プラズマ装置であって、 前記マイクロ波導入窓の開口面を、前記基体の面に対し
て平行で無く角度を設けて、 真空槽の内部での前記ガスの流量の分布を、前記真空槽
の内部の電界分布に対応して弱電界の部分と強電界の部
分とにガス流量に差をつけて供給できるように構成した
マイクロ波プラズマ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9215363A JPH1161414A (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | マイクロ波プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9215363A JPH1161414A (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | マイクロ波プラズマ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1161414A true JPH1161414A (ja) | 1999-03-05 |
Family
ID=16671060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9215363A Pending JPH1161414A (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | マイクロ波プラズマ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1161414A (ja) |
-
1997
- 1997-08-11 JP JP9215363A patent/JPH1161414A/ja active Pending
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