JPH1158404A - 半導体装置製造用金型 - Google Patents
半導体装置製造用金型Info
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- JPH1158404A JPH1158404A JP23220797A JP23220797A JPH1158404A JP H1158404 A JPH1158404 A JP H1158404A JP 23220797 A JP23220797 A JP 23220797A JP 23220797 A JP23220797 A JP 23220797A JP H1158404 A JPH1158404 A JP H1158404A
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- resin
- parts
- semiconductor device
- molding
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/37—Mould cavity walls, i.e. the inner surface forming the mould cavity, e.g. linings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2907/00—Use of elements other than metals as mould material
- B29K2907/04—Carbon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金型部品の表面硬度を高めて表面が摩耗し難
くあるいは表面に打痕等が付き難くし、金型部品の耐用
期間を延ばすことができる半導体装置製造用金型を提供
する。 【解決手段】 上型及び下型からなり半導体素子２８を
トランスファ成形により樹脂封止するための半導体装置
製造用金型において、樹脂注入に際し上型１１及び下型
１２を位置決め固定する位置決め用金型部品１７，２５
と、注入された樹脂２６の流路となる成形金型部品１
５，１６，２０，２４と、樹脂２６を成形金型部品に注
入する樹脂注入用金型部品２１，２２，２３の各表面
に、ＣａＣＮ2の熱分解を利用した窒化処理、タングス
テンカーバイドの溶射処理、及びＤＬＣ膜処理の内のい
ずれか２種以上の処理を行なう。
くあるいは表面に打痕等が付き難くし、金型部品の耐用
期間を延ばすことができる半導体装置製造用金型を提供
する。 【解決手段】 上型及び下型からなり半導体素子２８を
トランスファ成形により樹脂封止するための半導体装置
製造用金型において、樹脂注入に際し上型１１及び下型
１２を位置決め固定する位置決め用金型部品１７，２５
と、注入された樹脂２６の流路となる成形金型部品１
５，１６，２０，２４と、樹脂２６を成形金型部品に注
入する樹脂注入用金型部品２１，２２，２３の各表面
に、ＣａＣＮ2の熱分解を利用した窒化処理、タングス
テンカーバイドの溶射処理、及びＤＬＣ膜処理の内のい
ずれか２種以上の処理を行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造用
金型に関し、特に、金型部品の表面に２種以上の硬化処
理を行なって金型部品の表面硬度を高めた半導体装置製
造用金型に関するものである。
金型に関し、特に、金型部品の表面に２種以上の硬化処
理を行なって金型部品の表面硬度を高めた半導体装置製
造用金型に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置であるＩＣプラスチックパッ
ケージは、例えば半導体製造用トランスファ成形モール
ド金型により成形される。この金型は、上型と下型に分
割され、上型には、キャビティインサート、カルインサ
ート、位置決めブロック等の各金型部品が組み込まれ、
下型には、キャビティインサート、ポットインサート、
ポット、プランジャ、ゲートインサート、位置決めブロ
ック等の各金型部品が組み込まれている。
ケージは、例えば半導体製造用トランスファ成形モール
ド金型により成形される。この金型は、上型と下型に分
割され、上型には、キャビティインサート、カルインサ
ート、位置決めブロック等の各金型部品が組み込まれ、
下型には、キャビティインサート、ポットインサート、
ポット、プランジャ、ゲートインサート、位置決めブロ
ック等の各金型部品が組み込まれている。
【０００３】この下型に、半導体素子とリードフレーム
及び成形用樹脂をセットした後、下型と上型を締め付け
て固定し、半導体素子とリードフレームを収納するキャ
ビティ内にポットから樹脂を注入し、その後一定時間加
圧することによりパッケージが成形される。下型と上型
の締め付け時、両位置決めブロックの噛み合わせによ
り、上型と下型の相対位置が決められる。
及び成形用樹脂をセットした後、下型と上型を締め付け
て固定し、半導体素子とリードフレームを収納するキャ
ビティ内にポットから樹脂を注入し、その後一定時間加
圧することによりパッケージが成形される。下型と上型
の締め付け時、両位置決めブロックの噛み合わせによ
り、上型と下型の相対位置が決められる。
【０００４】金型部品は、一部に超硬鋼も用いられるが
一般的には工具鋼やステンレス鋼により形成され、その
表面には硬質クロムメッキ処理が施される。この硬質ク
ロムメッキ処理により、金型部品の耐摩耗性が向上す
る。
一般的には工具鋼やステンレス鋼により形成され、その
表面には硬質クロムメッキ処理が施される。この硬質ク
ロムメッキ処理により、金型部品の耐摩耗性が向上す
る。
【０００５】また、このような硬質クロムメッキ以外の
表面処理を施した樹脂成形用の金型として、以下に示す
ものが知られている。例えば、リードフレーム上に搭載
した半導体素子をトランスファ成形により樹脂封止する
際に使用する樹脂封止型半導体装置用封止金型におい
て、前記金型の表面に、ニッケル−リン被膜を形成した
樹脂封止型半導体装置用封止金型（特開平１−２９３５
２３号公報参照）。また、上下金型のＰ．Ｌ面（分割
面）における溶融樹脂材料との接触面の所要箇所に、ニ
ッケルメッキ層を施して構成したことを特徴とする電子
部品の樹脂封止成形用金型（特開平１−２３５６２０号
公報参照）。更に、ポット内に供給した樹脂材料を加熱
溶融化すると共に、プランジャにて加圧することにより
該溶融樹脂材料を樹脂通路を通してキャビティ内に注入
させる樹脂成形用金型であって、少なくとも上記溶融樹
脂材料が接触する上記金型部材の表面にアモルファス表
面処理層を形成したことを特徴とする樹脂成形用金型
（特開平８−３０９８０３号公報参照）。
表面処理を施した樹脂成形用の金型として、以下に示す
ものが知られている。例えば、リードフレーム上に搭載
した半導体素子をトランスファ成形により樹脂封止する
際に使用する樹脂封止型半導体装置用封止金型におい
て、前記金型の表面に、ニッケル−リン被膜を形成した
樹脂封止型半導体装置用封止金型（特開平１−２９３５
２３号公報参照）。また、上下金型のＰ．Ｌ面（分割
面）における溶融樹脂材料との接触面の所要箇所に、ニ
ッケルメッキ層を施して構成したことを特徴とする電子
部品の樹脂封止成形用金型（特開平１−２３５６２０号
公報参照）。更に、ポット内に供給した樹脂材料を加熱
溶融化すると共に、プランジャにて加圧することにより
該溶融樹脂材料を樹脂通路を通してキャビティ内に注入
させる樹脂成形用金型であって、少なくとも上記溶融樹
脂材料が接触する上記金型部材の表面にアモルファス表
面処理層を形成したことを特徴とする樹脂成形用金型
（特開平８−３０９８０３号公報参照）。
【０００６】これらの樹脂成形用の金型においては、金
型から硬化した成形樹脂を容易に引き剥がすことができ
るように離型性を高めること、あるいは摺動部材の摺動
性を高めること等を目的として、金型表面にニッケル−
リン被膜やニッケルメッキ層やアモルファス表面処理層
を形成している。
型から硬化した成形樹脂を容易に引き剥がすことができ
るように離型性を高めること、あるいは摺動部材の摺動
性を高めること等を目的として、金型表面にニッケル−
リン被膜やニッケルメッキ層やアモルファス表面処理層
を形成している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た硬質クロムメッキ等による表面処理が施された金型部
品において、位置決めブロックは上型と下型の締め付け
時の接触により、ポットとプランジャは金型内での摺動
時や樹脂の粒子との接触により、キャビティインサー
ト、カルインサート、ポットインサート及びゲートイン
サートは樹脂注入時に流動する樹脂との接触により、金
型部品の表面が摩耗しあるいは表面に打痕等が付いてし
まうのが避けられない。このような摩耗や打痕等に対し
ては硬質クロムメッキを用いた場合でも硬度が十分でな
く、また、上記公報記載の金型表面に形成したニッケル
−リン被膜やニッケルメッキ層やアモルファス表面処理
層等でも十分な硬度を有するものではなく、これらの膜
や層を形成した従来の樹脂成形用の金型においてはいず
れも同様に、表面が摩耗しあるいは表面に打痕等が付い
てしまう。
た硬質クロムメッキ等による表面処理が施された金型部
品において、位置決めブロックは上型と下型の締め付け
時の接触により、ポットとプランジャは金型内での摺動
時や樹脂の粒子との接触により、キャビティインサー
ト、カルインサート、ポットインサート及びゲートイン
サートは樹脂注入時に流動する樹脂との接触により、金
型部品の表面が摩耗しあるいは表面に打痕等が付いてし
まうのが避けられない。このような摩耗や打痕等に対し
ては硬質クロムメッキを用いた場合でも硬度が十分でな
く、また、上記公報記載の金型表面に形成したニッケル
−リン被膜やニッケルメッキ層やアモルファス表面処理
層等でも十分な硬度を有するものではなく、これらの膜
や層を形成した従来の樹脂成形用の金型においてはいず
れも同様に、表面が摩耗しあるいは表面に打痕等が付い
てしまう。
【０００８】金型部品の表面が摩耗しあるいは表面に打
痕等が付いてしまうと、樹脂成形されたＩＣプラスチッ
クパッケージに成形不良や傷付き等が発生するため、金
型部品の定期的な交換が必要となる。この金型部品の交
換に際しては、交換する金型部品の費用や交換に多大な
工数を要し、交換のために設備使用不能となる期間（設
備ダウンタイム）等の発生を招き、稼働率が低下して生
産性を低下させる。
痕等が付いてしまうと、樹脂成形されたＩＣプラスチッ
クパッケージに成形不良や傷付き等が発生するため、金
型部品の定期的な交換が必要となる。この金型部品の交
換に際しては、交換する金型部品の費用や交換に多大な
工数を要し、交換のために設備使用不能となる期間（設
備ダウンタイム）等の発生を招き、稼働率が低下して生
産性を低下させる。
【０００９】本発明は、上記従来技術を考慮してなされ
たものであって、金型部品の表面硬度を高めて表面が摩
耗し難くあるいは表面に打痕等が付き難くし、金型部品
の耐用期間を延ばすことができる半導体装置製造用金型
の提供を目的とする。
たものであって、金型部品の表面硬度を高めて表面が摩
耗し難くあるいは表面に打痕等が付き難くし、金型部品
の耐用期間を延ばすことができる半導体装置製造用金型
の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明においては、上型及び下型からなり、半導体
素子をトランスファ成形により樹脂封止するための半導
体装置製造用金型において、樹脂注入に際し前記上型及
び下型を位置決め固定する位置決め用金型部品と、注入
された樹脂の流路となる成形金型部品と、前記樹脂を該
成形金型部品に注入する樹脂注入用金型部品の各表面
に、ＣａＣＮ2の熱分解を利用した窒化処理、タングス
テンカーバイドの溶射処理、及びＤＬＣ膜処理の内のい
ずれか２種以上の処理を行なうことを特徴とする半導体
装置製造用金型を提供する。
め、本発明においては、上型及び下型からなり、半導体
素子をトランスファ成形により樹脂封止するための半導
体装置製造用金型において、樹脂注入に際し前記上型及
び下型を位置決め固定する位置決め用金型部品と、注入
された樹脂の流路となる成形金型部品と、前記樹脂を該
成形金型部品に注入する樹脂注入用金型部品の各表面
に、ＣａＣＮ2の熱分解を利用した窒化処理、タングス
テンカーバイドの溶射処理、及びＤＬＣ膜処理の内のい
ずれか２種以上の処理を行なうことを特徴とする半導体
装置製造用金型を提供する。
【００１１】上記構成によれば、各金型部品の各表面
に、ＣａＣＮ2の熱分解を利用した窒化処理、タングス
テンカーバイドの溶射処理、及びＤＬＣ膜処理の内のい
ずれか２種以上の処理が施される。これにより、金型部
品の表面硬度を高めて表面が摩耗し難くあるいは表面に
打痕等が付き難くし、金型部品の耐用期間を延ばすこと
ができる。
に、ＣａＣＮ2の熱分解を利用した窒化処理、タングス
テンカーバイドの溶射処理、及びＤＬＣ膜処理の内のい
ずれか２種以上の処理が施される。これにより、金型部
品の表面硬度を高めて表面が摩耗し難くあるいは表面に
打痕等が付き難くし、金型部品の耐用期間を延ばすこと
ができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】好ましい実施の形態においては、
前記処理が行なわれる各金型部品は、工具鋼又はステン
レス鋼により形成されたものであることを特徴としてい
る。
前記処理が行なわれる各金型部品は、工具鋼又はステン
レス鋼により形成されたものであることを特徴としてい
る。
【００１３】この構成により、各処理の対象となる母材
が従来使用されている工具鋼やステンレス鋼であるた
め、昇温時の熱膨張係数等を気にせずに部品設計等をす
ることができる。
が従来使用されている工具鋼やステンレス鋼であるた
め、昇温時の熱膨張係数等を気にせずに部品設計等をす
ることができる。
【００１４】以下、本発明の実施の形態を図面に基づい
て説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る半導体
装置製造用金型の斜視図であり、図２は、図１の半導体
装置製造用金型の締め付け時の部分断面図である。
て説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る半導体
装置製造用金型の斜視図であり、図２は、図１の半導体
装置製造用金型の締め付け時の部分断面図である。
【００１５】図１及び図２に示すように、一般的な半導
体製造用トランスファ成形モールド金型１０は、上型１
１と下型１２に分割されている。上型１１には、上型基
部１３に突設された受け枠であるチェイス１４に、キャ
ビティインサート１５、カルインサート１６及び位置決
めブロック１７等の各金型部品が組み込まれ、下型１２
には、下型基部１８に突設された受け枠であるチェイス
１９にキャビティインサート２０、ポットインサート２
１、ポット２２、プランジャ２３、ゲートインサート２
４及び位置決めブロック２５等の各金型部品が組み込ま
れている。
体製造用トランスファ成形モールド金型１０は、上型１
１と下型１２に分割されている。上型１１には、上型基
部１３に突設された受け枠であるチェイス１４に、キャ
ビティインサート１５、カルインサート１６及び位置決
めブロック１７等の各金型部品が組み込まれ、下型１２
には、下型基部１８に突設された受け枠であるチェイス
１９にキャビティインサート２０、ポットインサート２
１、ポット２２、プランジャ２３、ゲートインサート２
４及び位置決めブロック２５等の各金型部品が組み込ま
れている。
【００１６】両位置決めブロック１７，２５は、樹脂注
入に際し上型１１及び下型１２を位置決め固定する位置
決め用金型部品であり、両キャビティインサート１５，
２０、カルインサート１６及びゲートインサート２４
は、注入樹脂の流路となる成形金型部品であり、ポット
インサート２１、ポット２２及びプランジャ２３は、ポ
ット２２内の樹脂２６（図２参照）を成形金型部品に注
入する樹脂注入用金型部品である。
入に際し上型１１及び下型１２を位置決め固定する位置
決め用金型部品であり、両キャビティインサート１５，
２０、カルインサート１６及びゲートインサート２４
は、注入樹脂の流路となる成形金型部品であり、ポット
インサート２１、ポット２２及びプランジャ２３は、ポ
ット２２内の樹脂２６（図２参照）を成形金型部品に注
入する樹脂注入用金型部品である。
【００１７】これら各金型部品は、各チェイス１４，１
９に対し各個別に離脱自在に装着され、ポット２２から
カル及びゲートを経てキャビティへと通じる成形樹脂の
注入路を形成する。
９に対し各個別に離脱自在に装着され、ポット２２から
カル及びゲートを経てキャビティへと通じる成形樹脂の
注入路を形成する。
【００１８】各金型部品は、一部には超硬鋼も用いられ
るが、一般的には加工し易い工具鋼やステンレス鋼によ
り形成され、これら工具鋼やステンレス鋼の表面に、Ｃ
ａＣＮ2の熱分解を利用した窒化処理、タングステンカ
ーバイドの溶射処理、及びＤＬＣ膜処理の内のいずれか
２種以上の処理が施される。
るが、一般的には加工し易い工具鋼やステンレス鋼によ
り形成され、これら工具鋼やステンレス鋼の表面に、Ｃ
ａＣＮ2の熱分解を利用した窒化処理、タングステンカ
ーバイドの溶射処理、及びＤＬＣ膜処理の内のいずれか
２種以上の処理が施される。
【００１９】ＣａＣＮ2の熱分解を利用した浸透型の表
面硬化の窒化処理は、例えば以下に示す方法により行な
われる。処理対象をマッフル炉内に充填した粒状の石灰
窒素（主成分はＣａＣＮ2）中に埋めて密封し、減圧
（約２０ｔｏｒｒ）した後に、窒素をキャリヤ・ガスと
してマッフル炉の側壁に設けたノズルからアンモニアを
導入するとともに、マッフル炉を外側の内燃式タンクに
より窒化温度、例えば５００℃に加熱保持する。この結
果、ＣａＣＮ2の熱分解によって生じた高い窒素ポテン
シャルによる処理対象の窒化が進行し、外部から導入す
るアンモニアガスの分解による窒素ポテンシャルの補給
により、窒化反応を安定に継続させることができ、細孔
や深孔の内面にでも窒素を浸入させて均一に窒化を進行
させることが可能である（熱処理 第３５巻第６号（１
９９５年１２月）別刷参照）。
面硬化の窒化処理は、例えば以下に示す方法により行な
われる。処理対象をマッフル炉内に充填した粒状の石灰
窒素（主成分はＣａＣＮ2）中に埋めて密封し、減圧
（約２０ｔｏｒｒ）した後に、窒素をキャリヤ・ガスと
してマッフル炉の側壁に設けたノズルからアンモニアを
導入するとともに、マッフル炉を外側の内燃式タンクに
より窒化温度、例えば５００℃に加熱保持する。この結
果、ＣａＣＮ2の熱分解によって生じた高い窒素ポテン
シャルによる処理対象の窒化が進行し、外部から導入す
るアンモニアガスの分解による窒素ポテンシャルの補給
により、窒化反応を安定に継続させることができ、細孔
や深孔の内面にでも窒素を浸入させて均一に窒化を進行
させることが可能である（熱処理 第３５巻第６号（１
９９５年１２月）別刷参照）。
【００２０】また、超硬質合金のタングステンカーバイ
ド粉末の溶射処理は、例えば超硬質合金のタングステン
カーバイドを粉末状にし、高速フレーム溶射技術により
この粉末を高温で溶かして処理対象に吹き付け、硬質の
ＷＣ−１２Ｃｏ溶射被膜を形成する。
ド粉末の溶射処理は、例えば超硬質合金のタングステン
カーバイドを粉末状にし、高速フレーム溶射技術により
この粉末を高温で溶かして処理対象に吹き付け、硬質の
ＷＣ−１２Ｃｏ溶射被膜を形成する。
【００２１】また、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ
Ｃａｒｂｏｎ）膜処理は、例えば以下に示す方法によ
り行なわれる。処理対象である母材を材種別に特殊洗浄
処理した後、ＰＶＤ炉において、あるいは第１中間膜コ
ーティング処理（Ｔｉ系、０．２μｍ）と、第２中間膜
コーティング処理（Ｓｉ系、０．２μｍ）を施し、その
後低温プラズマＣＶＤ炉において、ＤＬＣ膜コーティン
グ処理を施す。
Ｃａｒｂｏｎ）膜処理は、例えば以下に示す方法によ
り行なわれる。処理対象である母材を材種別に特殊洗浄
処理した後、ＰＶＤ炉において、あるいは第１中間膜コ
ーティング処理（Ｔｉ系、０．２μｍ）と、第２中間膜
コーティング処理（Ｓｉ系、０．２μｍ）を施し、その
後低温プラズマＣＶＤ炉において、ＤＬＣ膜コーティン
グ処理を施す。
【００２２】上述した各処理を工具鋼やステンレス鋼に
施した後の表面硬度と、各処理を施す以前の工具鋼やス
テンレス鋼それ自体の表面硬度の、ビッカース硬さでの
比較を以下に示す。
施した後の表面硬度と、各処理を施す以前の工具鋼やス
テンレス鋼それ自体の表面硬度の、ビッカース硬さでの
比較を以下に示す。
【００２３】各チェイス１４，１９や各キャビティイン
サート１５，２０等に使用される工具鋼やステンレス鋼
は、７００〜８００（ｋｇ／ｍｍ2）であり、ポット２
２やプランジャ２３あるいはゲートインサート２４等に
使用される超硬鋼は、１６００〜２０００（ｋｇ／ｍｍ
2）である。これに対し、工具鋼やステンレス鋼に浸透
型の表面硬化の窒化処理を施した場合、１０００〜１４
００（ｋｇ／ｍｍ2）となり、タングステンカーバイド
溶射処理を施した場合、１６００〜２０００（ｋｇ／ｍ
ｍ2）となり、ＤＬＣ膜処理を施した場合、３０００〜
４５００（ｋｇ／ｍｍ2）となる。よって、これら各種
処理を施すことにより、工具鋼やステンレス鋼の表面硬
度が大幅に高められることがわかる。
サート１５，２０等に使用される工具鋼やステンレス鋼
は、７００〜８００（ｋｇ／ｍｍ2）であり、ポット２
２やプランジャ２３あるいはゲートインサート２４等に
使用される超硬鋼は、１６００〜２０００（ｋｇ／ｍｍ
2）である。これに対し、工具鋼やステンレス鋼に浸透
型の表面硬化の窒化処理を施した場合、１０００〜１４
００（ｋｇ／ｍｍ2）となり、タングステンカーバイド
溶射処理を施した場合、１６００〜２０００（ｋｇ／ｍ
ｍ2）となり、ＤＬＣ膜処理を施した場合、３０００〜
４５００（ｋｇ／ｍｍ2）となる。よって、これら各種
処理を施すことにより、工具鋼やステンレス鋼の表面硬
度が大幅に高められることがわかる。
【００２４】このように、金型部品を形成する工具鋼や
ステンレス鋼に対し、各金型部品に要求される硬度に応
じて、ＣａＣＮ2の熱分解を利用した窒化処理、タング
ステンカーバイドの溶射処理、及びＤＬＣ膜処理の内の
いずれか２種、あるいは３種全ての処理を組み合せて施
すことにより、上述した各処理を単独で行う場合より更
に金型部品の表面硬度が高まって耐摩耗性が格段に向上
し、従来の金型部品に比べて部品寿命を延ばすことがで
きる。工具鋼やステンレス鋼に限らず、金型部品を形成
する超硬鋼についても同様であり、更に表面硬度が高ま
って部品寿命を延ばすことができる。
ステンレス鋼に対し、各金型部品に要求される硬度に応
じて、ＣａＣＮ2の熱分解を利用した窒化処理、タング
ステンカーバイドの溶射処理、及びＤＬＣ膜処理の内の
いずれか２種、あるいは３種全ての処理を組み合せて施
すことにより、上述した各処理を単独で行う場合より更
に金型部品の表面硬度が高まって耐摩耗性が格段に向上
し、従来の金型部品に比べて部品寿命を延ばすことがで
きる。工具鋼やステンレス鋼に限らず、金型部品を形成
する超硬鋼についても同様であり、更に表面硬度が高ま
って部品寿命を延ばすことができる。
【００２５】上記構成を有する半導体装置製造用金型に
よる半導体製造用トランスファモールド成形について説
明する。先ず、パーティングライン（Ｐ．Ｌ）となる下
型１２のキャビティインサート２０上にリードフレーム
２７と半導体素子２８を、またポット２２に樹脂２６を
それぞれセットし、型締め機構を持つ金型設備（図示し
ない）で、上型１１と下型１２を締め付ける。このと
き、上型１１の位置決めブロック１７と下型１２の位置
決めブロック２５が相互に噛み合わされて、上型１１と
下型１２の相対位置が決められる。次に、プランジャ２
３とそれを支えるポット２２から注入路へ樹脂２６が押
し出されて、キャビティ内に成形樹脂が充填され、その
後、一定時間加圧されることにより、ＩＣプラスチック
パッケージが成形される。
よる半導体製造用トランスファモールド成形について説
明する。先ず、パーティングライン（Ｐ．Ｌ）となる下
型１２のキャビティインサート２０上にリードフレーム
２７と半導体素子２８を、またポット２２に樹脂２６を
それぞれセットし、型締め機構を持つ金型設備（図示し
ない）で、上型１１と下型１２を締め付ける。このと
き、上型１１の位置決めブロック１７と下型１２の位置
決めブロック２５が相互に噛み合わされて、上型１１と
下型１２の相対位置が決められる。次に、プランジャ２
３とそれを支えるポット２２から注入路へ樹脂２６が押
し出されて、キャビティ内に成形樹脂が充填され、その
後、一定時間加圧されることにより、ＩＣプラスチック
パッケージが成形される。
【００２６】この際、従来の各金型部品において、両位
置決めブロック１７，２５は上型１１と下型１２の締め
付け時の接触により、ポット２２とプランジャ２３は金
型内での摺動時や樹脂の粒子との接触により、両キャビ
ティインサート１５，２０、カルインサート１６、ポッ
トインサート２１及びゲートインサート２４は樹脂注入
時に流動する樹脂２６との接触により、金型部品の表面
が摩耗しあるいは表面に打痕等が付いてしまうのが避け
られなかった。これに対し、本発明に係るＣａＣＮ2の
熱分解を利用した浸透型の窒化処理、タングステンカー
バイドの溶射処理、及びＤＬＣ膜処理の内のいずれか２
種以上の処理が施された金型部品にあっては、表面が摩
耗し難くあるいは表面への打痕等が付き難いため、金型
部品の耐用期間を延ばすことができ、この結果、金型部
品の交換を頻繁に行わなくて済み交換に要するコストを
大幅に削減することができる。
置決めブロック１７，２５は上型１１と下型１２の締め
付け時の接触により、ポット２２とプランジャ２３は金
型内での摺動時や樹脂の粒子との接触により、両キャビ
ティインサート１５，２０、カルインサート１６、ポッ
トインサート２１及びゲートインサート２４は樹脂注入
時に流動する樹脂２６との接触により、金型部品の表面
が摩耗しあるいは表面に打痕等が付いてしまうのが避け
られなかった。これに対し、本発明に係るＣａＣＮ2の
熱分解を利用した浸透型の窒化処理、タングステンカー
バイドの溶射処理、及びＤＬＣ膜処理の内のいずれか２
種以上の処理が施された金型部品にあっては、表面が摩
耗し難くあるいは表面への打痕等が付き難いため、金型
部品の耐用期間を延ばすことができ、この結果、金型部
品の交換を頻繁に行わなくて済み交換に要するコストを
大幅に削減することができる。
【００２７】また、上記各処理の対象となる母材が従来
使用されている工具鋼やステンレス鋼であるため、昇温
時の熱膨張係数等を気にせずに部品設計等をすることが
できる。
使用されている工具鋼やステンレス鋼であるため、昇温
時の熱膨張係数等を気にせずに部品設計等をすることが
できる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置製造用金型によれば、各金型部品の各表面に、Ｃ
ａＣＮ2の熱分解を利用した窒化処理、タングステンカ
ーバイドの溶射処理、及びＤＬＣ膜処理の内のいずれか
２種以上の処理が施されるので、金型部品の表面硬度を
高めて表面が摩耗し難くあるいは表面に打痕等が付き難
くし、金型部品の耐用期間を延ばすことができ、この結
果、金型部品の交換を頻繁に行わなくて済み交換に要す
るコストを大幅に削減することができる。
体装置製造用金型によれば、各金型部品の各表面に、Ｃ
ａＣＮ2の熱分解を利用した窒化処理、タングステンカ
ーバイドの溶射処理、及びＤＬＣ膜処理の内のいずれか
２種以上の処理が施されるので、金型部品の表面硬度を
高めて表面が摩耗し難くあるいは表面に打痕等が付き難
くし、金型部品の耐用期間を延ばすことができ、この結
果、金型部品の交換を頻繁に行わなくて済み交換に要す
るコストを大幅に削減することができる。
【００２９】また、前記処理が行なわれる各金型部品
は、工具鋼又はステンレス鋼により形成されたものであ
る構成とすれば、各処理の対象となる母材が従来使用さ
れている工具鋼やステンレス鋼であるので、昇温時の熱
膨張係数等を気にせずに部品設計等をすることができ
る。
は、工具鋼又はステンレス鋼により形成されたものであ
る構成とすれば、各処理の対象となる母材が従来使用さ
れている工具鋼やステンレス鋼であるので、昇温時の熱
膨張係数等を気にせずに部品設計等をすることができ
る。
【図１】 本発明の一実施例に係る半導体装置製造用金
型の斜視図。
型の斜視図。
【図２】 図１の半導体装置製造用金型の締め付け時の
部分断面図。
部分断面図。
１０：半導体製造用トランスファ成形モールド金型、１
１：上型、１２：下型、１３：上型基部、１４，１９：
チェイス、１５，２０：キャビティインサート、１６：
カルインサート、１７，２５：位置決めブロック、１
８：下型基部、２１：ポットインサート、２２：ポッ
ト、２３：プランジャ、２４：ゲートインサート、２
６：樹脂、２７：リードフレーム、２８：半導体素子。
１：上型、１２：下型、１３：上型基部、１４，１９：
チェイス、１５，２０：キャビティインサート、１６：
カルインサート、１７，２５：位置決めブロック、１
８：下型基部、２１：ポットインサート、２２：ポッ
ト、２３：プランジャ、２４：ゲートインサート、２
６：樹脂、２７：リードフレーム、２８：半導体素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (2)
- 【請求項１】上型及び下型からなり、半導体素子をトラ
ンスファ成形により樹脂封止するための半導体装置製造
用金型において、 樹脂注入に際し前記上型及び下型を位置決め固定する位
置決め用金型部品と、注入された樹脂の流路となる成形
金型部品と、前記樹脂を該成形金型部品に注入する樹脂
注入用金型部品の各表面に、ＣａＣＮ2の熱分解を利用
した窒化処理、タングステンカーバイドの溶射処理、及
びＤＬＣ膜処理の内のいずれか２種以上の処理を行なう
ことを特徴とする半導体装置製造用金型。 - 【請求項２】前記処理が行なわれる各金型部品は、工具
鋼又はステンレス鋼により形成されたものであることを
特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23220797A JPH1158404A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 半導体装置製造用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23220797A JPH1158404A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 半導体装置製造用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1158404A true JPH1158404A (ja) | 1999-03-02 |
Family
ID=16935673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23220797A Pending JPH1158404A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 半導体装置製造用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1158404A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1048432A1 (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Mold and method for producing molded fluoroelastomer parts |
| JP2005343065A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Nsk Ltd | シールリング成形金型及びシールリング |
| JP2008114418A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止金型 |
| CN103367173A (zh) * | 2012-03-27 | 2013-10-23 | 瑞萨电子株式会社 | 用于制造半导体器件的方法和半导体器件 |
| JP2015182085A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | アイシン軽金属株式会社 | ダイカスト用金型 |
-
1997
- 1997-08-28 JP JP23220797A patent/JPH1158404A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1048432A1 (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Mold and method for producing molded fluoroelastomer parts |
| US6468463B1 (en) | 1999-04-28 | 2002-10-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing molded fluoroelastomer parts |
| JP2005343065A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Nsk Ltd | シールリング成形金型及びシールリング |
| JP2008114418A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止金型 |
| JP4755068B2 (ja) * | 2006-11-01 | 2011-08-24 | Ｔｏｗａ株式会社 | 電子部品の樹脂封止金型 |
| CN103367173A (zh) * | 2012-03-27 | 2013-10-23 | 瑞萨电子株式会社 | 用于制造半导体器件的方法和半导体器件 |
| JP2015182085A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | アイシン軽金属株式会社 | ダイカスト用金型 |
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