JPH1157752A - Ｔｏｃ成分除去の制御方法及び装置 - Google Patents
Ｔｏｃ成分除去の制御方法及び装置Info
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- JPH1157752A JPH1157752A JP23649297A JP23649297A JPH1157752A JP H1157752 A JPH1157752 A JP H1157752A JP 23649297 A JP23649297 A JP 23649297A JP 23649297 A JP23649297 A JP 23649297A JP H1157752 A JPH1157752 A JP H1157752A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ＴＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成分をヒドロキ
シルラジカルにより有機酸まで分解し、得られる処理水
からイオン除去するＴＯＣ成分除去方法において、ヒド
ロキシルラジカルによる処理後の処理水のＴＯＣ値によ
りヒドロキシルラジカル発生量をフィードバック制御す
ることにより、安定で正確なＴＯＣ成分除去の制御方法
及び装置を提供する。 【解決手段】 ヒドロキシルラジカルによる処理後の処
理水のＴＯＣ値を監視し、このＴＯＣ値が０．５〜２．
５ｍｇ／Ｌとなるようにヒドロキシルラジカル発生量を
フィードバック制御し、後段のイオン除去で最終処理水
のＴＯＣ値が０．３ｍｇ／Ｌ以下となるようにする。ヒ
ドロキシルラジカル発生機構としては、オゾンと過酸化
水素の組み合わせ、オゾンとアルカリとの組み合わせ、
オゾンと紫外線との組み合わせが好ましく用いられる。
シルラジカルにより有機酸まで分解し、得られる処理水
からイオン除去するＴＯＣ成分除去方法において、ヒド
ロキシルラジカルによる処理後の処理水のＴＯＣ値によ
りヒドロキシルラジカル発生量をフィードバック制御す
ることにより、安定で正確なＴＯＣ成分除去の制御方法
及び装置を提供する。 【解決手段】 ヒドロキシルラジカルによる処理後の処
理水のＴＯＣ値を監視し、このＴＯＣ値が０．５〜２．
５ｍｇ／Ｌとなるようにヒドロキシルラジカル発生量を
フィードバック制御し、後段のイオン除去で最終処理水
のＴＯＣ値が０．３ｍｇ／Ｌ以下となるようにする。ヒ
ドロキシルラジカル発生機構としては、オゾンと過酸化
水素の組み合わせ、オゾンとアルカリとの組み合わせ、
オゾンと紫外線との組み合わせが好ましく用いられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＯＣ成分除去の
制御方法及び装置に関し、特に、ＴＯＣ成分を実質的に
含まない水、例えば、電子工業の洗浄工程に使われる純
水、超純水の製造や回収のためのＴＯＣ成分除去の制御
方法及び装置に関する。
制御方法及び装置に関し、特に、ＴＯＣ成分を実質的に
含まない水、例えば、電子工業の洗浄工程に使われる純
水、超純水の製造や回収のためのＴＯＣ成分除去の制御
方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】オゾン、過酸化水素、紫外線及び各種酸
化触媒などを適当に組み合わせることにより、個々のこ
れらの酸化手段単独よりも酸化力が強いヒドロキシルラ
ジカルが発生する。これらの酸化手段は酸素元素と水素
元素以外のものを発生しないので、二次汚染の恐れが低
く、後段の処理における塩負荷も低くなる。このような
特徴から、上記の各種酸化手段の適当な組み合わせやオ
ゾンとアルカリとの組み合わせ（アルカリは酸化剤では
無いが、この組み合わせによりヒドロキシルラジカルが
発生する）によりヒドロキシルラジカルを発生させ、こ
れによりＴＯＣ成分含有水（以下、時に「原水」と言
う）中のＴＯＣ成分を酸化分解して、純水、超純水等の
製造並びに使用後の純水、超純水の回収のために原水か
らＴＯＣ成分除去を行うことが広く行われている。
化触媒などを適当に組み合わせることにより、個々のこ
れらの酸化手段単独よりも酸化力が強いヒドロキシルラ
ジカルが発生する。これらの酸化手段は酸素元素と水素
元素以外のものを発生しないので、二次汚染の恐れが低
く、後段の処理における塩負荷も低くなる。このような
特徴から、上記の各種酸化手段の適当な組み合わせやオ
ゾンとアルカリとの組み合わせ（アルカリは酸化剤では
無いが、この組み合わせによりヒドロキシルラジカルが
発生する）によりヒドロキシルラジカルを発生させ、こ
れによりＴＯＣ成分含有水（以下、時に「原水」と言
う）中のＴＯＣ成分を酸化分解して、純水、超純水等の
製造並びに使用後の純水、超純水の回収のために原水か
らＴＯＣ成分除去を行うことが広く行われている。
【０００３】このように、上記の各種酸化手段の種々の
組み合わせやオゾンとアルカリとの組み合わせにより、
共通してヒドロキシルラジカルが発生するが、これらの
組み合わせは、それぞれ互いに異なった特徴を有する。
例えば、過酸化水素と紫外線（ＵＶ）との組み合わせは
古典的な使い方であるが、反応速度が遅いため、数時間
以上の反応時間を要するのが通常である。オゾンと紫外
線（ＵＶ）との組み合わせは、オゾンによるＵＶ吸収率
が非常に高いため、反応速度はかなり速くなるが、紫外
線照射装置のためにイニシャルコストとランニングコス
ト（電力料と紫外線ランプの交換費用を含む）の両方が
増加することになる。オゾンとアルカリとの組み合わせ
は、反応速度が速く、ランニングコストも低いが、アル
カリ側で反応するため高濃度のＴＯＣ成分が存在する場
合に、炭酸イオン（ＣＯ3 2- ）や重炭酸イオン（ＨＣＯ
3 - ）等のラジカルスカベンジャーによる反応阻害を受
ける（アルカリ側では、ＴＯＣ成分の分解生成物の一つ
である二酸化炭素が炭酸イオンや重炭酸イオンとして存
在し、高濃度のＴＯＣ成分が存在する場合には、二酸化
炭素の生成量も多くなるため）。一方、オゾンと過酸化
水素との組み合わせは、反応速度は少し落ちるが、ラジ
カルスカベンジャーからの影響が少なく、経済的にも有
利であるため、比較的広い使用選択幅を持つものにな
る。なお、重炭酸イオンよりも炭酸イオンの方がラジカ
ルスカベンジャーとしての作用が大きい。
組み合わせやオゾンとアルカリとの組み合わせにより、
共通してヒドロキシルラジカルが発生するが、これらの
組み合わせは、それぞれ互いに異なった特徴を有する。
例えば、過酸化水素と紫外線（ＵＶ）との組み合わせは
古典的な使い方であるが、反応速度が遅いため、数時間
以上の反応時間を要するのが通常である。オゾンと紫外
線（ＵＶ）との組み合わせは、オゾンによるＵＶ吸収率
が非常に高いため、反応速度はかなり速くなるが、紫外
線照射装置のためにイニシャルコストとランニングコス
ト（電力料と紫外線ランプの交換費用を含む）の両方が
増加することになる。オゾンとアルカリとの組み合わせ
は、反応速度が速く、ランニングコストも低いが、アル
カリ側で反応するため高濃度のＴＯＣ成分が存在する場
合に、炭酸イオン（ＣＯ3 2- ）や重炭酸イオン（ＨＣＯ
3 - ）等のラジカルスカベンジャーによる反応阻害を受
ける（アルカリ側では、ＴＯＣ成分の分解生成物の一つ
である二酸化炭素が炭酸イオンや重炭酸イオンとして存
在し、高濃度のＴＯＣ成分が存在する場合には、二酸化
炭素の生成量も多くなるため）。一方、オゾンと過酸化
水素との組み合わせは、反応速度は少し落ちるが、ラジ
カルスカベンジャーからの影響が少なく、経済的にも有
利であるため、比較的広い使用選択幅を持つものにな
る。なお、重炭酸イオンよりも炭酸イオンの方がラジカ
ルスカベンジャーとしての作用が大きい。
【０００４】また、上記のいずれのヒドロキシルラジカ
ル発生機構においても、中間生成物として有機酸を生成
するため、かかるヒドロキシルラジカル発生機構で更に
実質的に完全に二酸化炭素と水にまで酸化分解してＴＯ
Ｃ成分を実質的に完全に除去するのでは無く、経済的な
処理方法として、生成した有機酸の中で二酸化炭素と水
にまで分解されない分を残し、この有機酸残部を後段に
設けたイオン除去機構〔例えば、イオン交換装置や逆浸
透膜（ＲＯ）装置等のイオン除去装置〕を用いて除去す
ることがある。
ル発生機構においても、中間生成物として有機酸を生成
するため、かかるヒドロキシルラジカル発生機構で更に
実質的に完全に二酸化炭素と水にまで酸化分解してＴＯ
Ｃ成分を実質的に完全に除去するのでは無く、経済的な
処理方法として、生成した有機酸の中で二酸化炭素と水
にまで分解されない分を残し、この有機酸残部を後段に
設けたイオン除去機構〔例えば、イオン交換装置や逆浸
透膜（ＲＯ）装置等のイオン除去装置〕を用いて除去す
ることがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようなＴＯＣ成分
除去の殆どの場合、ヒドロキシルラジカル発生量の制御
が行われていないため、安全サイドで装置を運転する。
そのため、ヒドロキシルラジカルは常に過剰量となる。
また、一部の場合には、原水のＴＯＣ値（ＴＯＣ濃度）
によるフィードフォワード制御が行われているが、ＴＯ
Ｃ値とヒドロキシルラジカル必要量の関係は、分解除去
対象物である原水中のＴＯＣ源（ＴＯＣ成分としての有
機物質の種類）により変わるため、原水のＴＯＣ値によ
るこのようなフィードフォワード制御では、正確さに欠
ける。一方、イオン除去装置から得られた処理水のＴＯ
Ｃ値により、ヒドロキシルラジカル発生量をフィードバ
ック制御すると、タイムラグが長くなるのは避けられ
ず、イオン除去装置の前に設けた酸化剤分解用の活性炭
接触装置の活性炭によりＴＯＣ成分が吸着されたり放出
されたりするために安定な制御を確保し難く、また、イ
オン除去装置から得られる処理水のＴＯＣ値が非常に低
いため、充分な制御幅を確保し難い。
除去の殆どの場合、ヒドロキシルラジカル発生量の制御
が行われていないため、安全サイドで装置を運転する。
そのため、ヒドロキシルラジカルは常に過剰量となる。
また、一部の場合には、原水のＴＯＣ値（ＴＯＣ濃度）
によるフィードフォワード制御が行われているが、ＴＯ
Ｃ値とヒドロキシルラジカル必要量の関係は、分解除去
対象物である原水中のＴＯＣ源（ＴＯＣ成分としての有
機物質の種類）により変わるため、原水のＴＯＣ値によ
るこのようなフィードフォワード制御では、正確さに欠
ける。一方、イオン除去装置から得られた処理水のＴＯ
Ｃ値により、ヒドロキシルラジカル発生量をフィードバ
ック制御すると、タイムラグが長くなるのは避けられ
ず、イオン除去装置の前に設けた酸化剤分解用の活性炭
接触装置の活性炭によりＴＯＣ成分が吸着されたり放出
されたりするために安定な制御を確保し難く、また、イ
オン除去装置から得られる処理水のＴＯＣ値が非常に低
いため、充分な制御幅を確保し難い。
【０００６】本発明は、従来技術の上述のような欠点を
解消し、ＴＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成分をヒドロキシ
ルラジカルにより少なくとも有機酸まで分解し、得られ
る処理水中の有機酸を更にイオン除去機構により処理す
ることによりＴＯＣ成分を除去して純水を製造するに当
たり、安定且つ正確なヒドロキシルラジカル発生量の制
御を可能とするＴＯＣ成分除去の制御方法及び装置を提
供せんとするものである。
解消し、ＴＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成分をヒドロキシ
ルラジカルにより少なくとも有機酸まで分解し、得られ
る処理水中の有機酸を更にイオン除去機構により処理す
ることによりＴＯＣ成分を除去して純水を製造するに当
たり、安定且つ正確なヒドロキシルラジカル発生量の制
御を可能とするＴＯＣ成分除去の制御方法及び装置を提
供せんとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記のような
課題を解決するために行った下記のような実験の結果に
基づいて完成されたものである。即ち、本発明は、ＴＯ
Ｃ成分含有水中のＴＯＣ成分をヒドロキシルラジカルに
より少なくとも有機酸まで分解し、得られる処理水中の
有機酸を更にイオン除去手段により処理することにより
ＴＯＣ成分を除去して純水を製造するに当たり、ヒドロ
キシルラジカルにより処理された処理水のＴＯＣ値を監
視し、そのＴＯＣ値が０．５〜２．５ｍｇ／Ｌとなるよ
うにヒドロキシルラジカルの発生量を自動制御し、前記
イオン除去手段により処理された最終処理水中のＴＯＣ
値を０．３ｍｇ／Ｌ以下にすることを特徴とするＴＯＣ
成分除去の制御方法、並びに、ＴＯＣ成分含有水中のＴ
ＯＣ成分をヒドロキシルラジカルにより少なくとも有機
酸まで分解するためのヒドロキシラジカル発生装置、前
記ヒドロキシラジカル発生装置からの処理水中のＴＯＣ
成分としての有機酸を除去するためのイオン除去装置、
前記ヒドロキシルラジカル発生装置からの処理水のＴＯ
Ｃ値を監視し、そのＴＯＣ値が０．５〜２．５ｍｇ／Ｌ
となるようにヒドロキシルラジカルの発生量を自動制御
し、前記イオン除去装置からの最終処理水中のＴＯＣ値
を０．３ｍｇ／Ｌ以下にするためのフィードバック制御
機構を包含することを特徴とするＴＯＣ成分除去の装置
を提供するものである。
課題を解決するために行った下記のような実験の結果に
基づいて完成されたものである。即ち、本発明は、ＴＯ
Ｃ成分含有水中のＴＯＣ成分をヒドロキシルラジカルに
より少なくとも有機酸まで分解し、得られる処理水中の
有機酸を更にイオン除去手段により処理することにより
ＴＯＣ成分を除去して純水を製造するに当たり、ヒドロ
キシルラジカルにより処理された処理水のＴＯＣ値を監
視し、そのＴＯＣ値が０．５〜２．５ｍｇ／Ｌとなるよ
うにヒドロキシルラジカルの発生量を自動制御し、前記
イオン除去手段により処理された最終処理水中のＴＯＣ
値を０．３ｍｇ／Ｌ以下にすることを特徴とするＴＯＣ
成分除去の制御方法、並びに、ＴＯＣ成分含有水中のＴ
ＯＣ成分をヒドロキシルラジカルにより少なくとも有機
酸まで分解するためのヒドロキシラジカル発生装置、前
記ヒドロキシラジカル発生装置からの処理水中のＴＯＣ
成分としての有機酸を除去するためのイオン除去装置、
前記ヒドロキシルラジカル発生装置からの処理水のＴＯ
Ｃ値を監視し、そのＴＯＣ値が０．５〜２．５ｍｇ／Ｌ
となるようにヒドロキシルラジカルの発生量を自動制御
し、前記イオン除去装置からの最終処理水中のＴＯＣ値
を０．３ｍｇ／Ｌ以下にするためのフィードバック制御
機構を包含することを特徴とするＴＯＣ成分除去の装置
を提供するものである。
【０００８】本発明者の行った実験の結果によると、上
述のようにイオン除去装置から得られた処理水のＴＯＣ
値を０．３ｍｇ／Ｌ以下、好ましくは０．２ｍｇ／Ｌ以
下にすれば、上記イオン除去装置からの処理水から超純
水を製造する場合、後段の超純水製造装置におけるＵＶ
（紫外線）酸化、ＲＯ処理（逆浸透膜処理）等によりＴ
ＯＣ値を更に０．０２ｍｇ／Ｌ以下にすることができる
ことが分かった。
述のようにイオン除去装置から得られた処理水のＴＯＣ
値を０．３ｍｇ／Ｌ以下、好ましくは０．２ｍｇ／Ｌ以
下にすれば、上記イオン除去装置からの処理水から超純
水を製造する場合、後段の超純水製造装置におけるＵＶ
（紫外線）酸化、ＲＯ処理（逆浸透膜処理）等によりＴ
ＯＣ値を更に０．０２ｍｇ／Ｌ以下にすることができる
ことが分かった。
【０００９】一般に、ヒドロキシルラジカルによるＴＯ
Ｃ成分の分解経路（一連の反応）は分解対象物質の種類
により異なるが、殆どの有機物は最終段階においてプロ
ピオン酸、酢酸、蟻酸等の低分子有機酸を経て二酸化炭
素と水とに変化する。従って、原水（ＴＯＣ成分含有
水）のＴＯＣ値やＴＯＣ源（ＴＯＣ成分としての有機物
質の種類）が異なっても、ヒドロキシルラジカルによる
酸化処理により殆どのＴＯＣ成分が少なくとも低分子有
機酸にまで転化した段階では、二酸化炭素と水に転化し
た分は最早ＴＯＣ成分では無いので、ヒドロキシルラジ
カルによる処理後の処理水中のＴＯＣ値はかなり狭い範
囲内に入る。
Ｃ成分の分解経路（一連の反応）は分解対象物質の種類
により異なるが、殆どの有機物は最終段階においてプロ
ピオン酸、酢酸、蟻酸等の低分子有機酸を経て二酸化炭
素と水とに変化する。従って、原水（ＴＯＣ成分含有
水）のＴＯＣ値やＴＯＣ源（ＴＯＣ成分としての有機物
質の種類）が異なっても、ヒドロキシルラジカルによる
酸化処理により殆どのＴＯＣ成分が少なくとも低分子有
機酸にまで転化した段階では、二酸化炭素と水に転化し
た分は最早ＴＯＣ成分では無いので、ヒドロキシルラジ
カルによる処理後の処理水中のＴＯＣ値はかなり狭い範
囲内に入る。
【００１０】オゾンと過酸化水素との組み合わせによる
処理を例にすると、その処理水のＴＯＣ値範囲は凡そ
０．５〜２．５ｍｇ／Ｌになる。特に、アルコール系有
機物が主なＴＯＣ源である場合、この組み合わせのヒド
ロキシルラジカルによる処理水のＴＯＣ値範囲は凡そ
０．５〜１．５ｍｇ／Ｌになる。原水の主なＴＯＣ源が
分子量の大きい界面活性剤の場合、この組み合わせのの
ヒドロキシルラジカルによる処理水のＴＯＣ値範囲は凡
そ０．５〜２．５ｍｇ／Ｌになる。このようにして得ら
れた処理水について更にイオン除去を行うと、イオン除
去後の処理水中のＴＯＣ値は０．３ｍｇ／Ｌ以下、殆ど
の場合０．２ｍｇ／Ｌ以下となる。
処理を例にすると、その処理水のＴＯＣ値範囲は凡そ
０．５〜２．５ｍｇ／Ｌになる。特に、アルコール系有
機物が主なＴＯＣ源である場合、この組み合わせのヒド
ロキシルラジカルによる処理水のＴＯＣ値範囲は凡そ
０．５〜１．５ｍｇ／Ｌになる。原水の主なＴＯＣ源が
分子量の大きい界面活性剤の場合、この組み合わせのの
ヒドロキシルラジカルによる処理水のＴＯＣ値範囲は凡
そ０．５〜２．５ｍｇ／Ｌになる。このようにして得ら
れた処理水について更にイオン除去を行うと、イオン除
去後の処理水中のＴＯＣ値は０．３ｍｇ／Ｌ以下、殆ど
の場合０．２ｍｇ／Ｌ以下となる。
【００１１】このように、ヒドロキシルラジカル発生装
置からの処理水のＴＯＣ値は後段のイオン除去装置から
の処理水のＴＯＣ値と一定の相関関係があるため、ヒド
ロキシルラジカル発生装置からの処理水のＴＯＣ値を所
定値となるようにヒドロキシルラジカル発生量を制御す
ると、ヒドロキシルラジカル発生装置からの処理水のＴ
ＯＣ値に相応したイオン除去装置からの処理水のＴＯＣ
値が得られる。
置からの処理水のＴＯＣ値は後段のイオン除去装置から
の処理水のＴＯＣ値と一定の相関関係があるため、ヒド
ロキシルラジカル発生装置からの処理水のＴＯＣ値を所
定値となるようにヒドロキシルラジカル発生量を制御す
ると、ヒドロキシルラジカル発生装置からの処理水のＴ
ＯＣ値に相応したイオン除去装置からの処理水のＴＯＣ
値が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
無い。
態を説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
無い。
【００１３】オゾン／過酸化水素反応槽（ヒドロキシル
ラジカル発生装置）からの処理水のＴＯＣ値が０．５〜
２．５ｍｇ／Ｌの範囲、望ましくは０．５〜１．５ｍｇ
／Ｌの範囲内になるようにオゾン発生量を制御すると、
例えば、イオン交換樹脂処理（イオン除去処理）後の処
理水のＴＯＣ値が０．３ｍｇ／Ｌ以下、殆どの場合０．
２ｍｇ／Ｌ以下となる。この場合、過酸化水素の供給量
はオゾン発生量に比例するように、詰まり、過酸化水素
／オゾン重量比が０．２／１〜０．４／１になるように
制御するのが好ましい。
ラジカル発生装置）からの処理水のＴＯＣ値が０．５〜
２．５ｍｇ／Ｌの範囲、望ましくは０．５〜１．５ｍｇ
／Ｌの範囲内になるようにオゾン発生量を制御すると、
例えば、イオン交換樹脂処理（イオン除去処理）後の処
理水のＴＯＣ値が０．３ｍｇ／Ｌ以下、殆どの場合０．
２ｍｇ／Ｌ以下となる。この場合、過酸化水素の供給量
はオゾン発生量に比例するように、詰まり、過酸化水素
／オゾン重量比が０．２／１〜０．４／１になるように
制御するのが好ましい。
【００１４】オゾンとアルカリとの組み合わせによるＴ
ＯＣ成分除去もほぼ同様である。即ち、オゾン／アルカ
リ反応槽（ヒドロキシルラジカル発生装置）からの処理
水のＴＯＣ値が０．５〜２．５ｍｇ／Ｌの範囲、望まし
くは０．５〜１．５ｍｇ／Ｌの範囲内になるようにオゾ
ン発生量を制御すると、イオン交換樹脂処理（イオン除
去）後の処理水のＴＯＣ値が０．３ｍｇ／Ｌ以下、殆ど
の場合０．２ｍｇ／Ｌ以下となる。この場合、アルカリ
の添加量はオゾン発生量と比例させる代わりに、処理水
のｐＨ値によって制御するのが好ましい。詰まり、処理
水のｐＨがアルカリ側、好ましくは８〜１１、更に好ま
しくは８．５〜１０．５の範囲内の値になるようにすれ
ばよい。なお、一般的に、ｐＨ値を高くすると、反応速
度は大きくなるが、アルカリの添加量が多いのでそれだ
けイオン交換樹脂処理等のイオン除去処理における塩負
荷が大きくなり、また、二酸化炭素が炭酸イオンや重炭
酸イオン、特に炭酸イオンとして存在する割合が増える
のでラジカルスカベンジャーとしての作用も増大する。
アルカリとしては、例えば、水酸化ナトリウムや水酸化
カリウム等を用いることができる。
ＯＣ成分除去もほぼ同様である。即ち、オゾン／アルカ
リ反応槽（ヒドロキシルラジカル発生装置）からの処理
水のＴＯＣ値が０．５〜２．５ｍｇ／Ｌの範囲、望まし
くは０．５〜１．５ｍｇ／Ｌの範囲内になるようにオゾ
ン発生量を制御すると、イオン交換樹脂処理（イオン除
去）後の処理水のＴＯＣ値が０．３ｍｇ／Ｌ以下、殆ど
の場合０．２ｍｇ／Ｌ以下となる。この場合、アルカリ
の添加量はオゾン発生量と比例させる代わりに、処理水
のｐＨ値によって制御するのが好ましい。詰まり、処理
水のｐＨがアルカリ側、好ましくは８〜１１、更に好ま
しくは８．５〜１０．５の範囲内の値になるようにすれ
ばよい。なお、一般的に、ｐＨ値を高くすると、反応速
度は大きくなるが、アルカリの添加量が多いのでそれだ
けイオン交換樹脂処理等のイオン除去処理における塩負
荷が大きくなり、また、二酸化炭素が炭酸イオンや重炭
酸イオン、特に炭酸イオンとして存在する割合が増える
のでラジカルスカベンジャーとしての作用も増大する。
アルカリとしては、例えば、水酸化ナトリウムや水酸化
カリウム等を用いることができる。
【００１５】オゾンと紫外線（ＵＶ）との組み合わせに
よるＴＯＣ成分除去もほぼ同様である。即ち、オゾン／
ＵＶ反応槽（ヒドロキシルラジカル発生装置）からの処
理水のＴＯＣ値が０．５〜２．５ｍｇ／Ｌの範囲、望ま
しくは０．５〜１．５ｍｇ／Ｌの範囲内になるようにオ
ゾン発生量を制御すると、イオン交換樹脂処理（イオン
除去）後の処理水のＴＯＣ値が０．３ｍｇ／Ｌ以下、殆
どの場合０．２ｍｇ／Ｌ以下となる。この場合、例え
ば、紫外線（ＵＶ）ランプの出力量をオゾン発生量と連
動させて制御するのが好ましく、ＵＶランプ出力量はオ
ゾン発生量に比例するように、詰まり、ＵＶランプ出力
量／オゾン発生量の比を０．２〜５ｋｗ／ｋｇ−Ｏ3 に
なるように制御すればよい。使用する紫外線ランプとし
ては、主波長が２５４ｎｍ、あるいは主波長が２５４ｎ
ｍと１８５ｎｍである低圧水銀ランプ、及び主波長が３
６５ｎｍの高圧水銀ランプのいずれでもよいが、好まし
くは主波長が２５４ｎｍの低圧水銀ランプを使用する。
よるＴＯＣ成分除去もほぼ同様である。即ち、オゾン／
ＵＶ反応槽（ヒドロキシルラジカル発生装置）からの処
理水のＴＯＣ値が０．５〜２．５ｍｇ／Ｌの範囲、望ま
しくは０．５〜１．５ｍｇ／Ｌの範囲内になるようにオ
ゾン発生量を制御すると、イオン交換樹脂処理（イオン
除去）後の処理水のＴＯＣ値が０．３ｍｇ／Ｌ以下、殆
どの場合０．２ｍｇ／Ｌ以下となる。この場合、例え
ば、紫外線（ＵＶ）ランプの出力量をオゾン発生量と連
動させて制御するのが好ましく、ＵＶランプ出力量はオ
ゾン発生量に比例するように、詰まり、ＵＶランプ出力
量／オゾン発生量の比を０．２〜５ｋｗ／ｋｇ−Ｏ3 に
なるように制御すればよい。使用する紫外線ランプとし
ては、主波長が２５４ｎｍ、あるいは主波長が２５４ｎ
ｍと１８５ｎｍである低圧水銀ランプ、及び主波長が３
６５ｎｍの高圧水銀ランプのいずれでもよいが、好まし
くは主波長が２５４ｎｍの低圧水銀ランプを使用する。
【００１６】上述した好ましい実施の形態では、ヒドロ
キシルラジカル発生機構として、オゾン／過酸化水素、
オゾン／アルカリ、オゾン／紫外線（ＵＶ）の各組み合
わせの場合について述べたが、フェントン酸化（Ｆｅ2+
＋Ｈ2 Ｏ2 ）／紫外線（ＵＶ）、オゾン／酸化触媒、触
媒（ＴｉＯ2 等）／紫外線（ＵＶ）などのＡＯＰ法（ad
vanced oxidation processes、促進酸化法）と称される
各種の方法を用いることもでき、また、詳述した組み合
わせの方法やＡＯＰ法と称される方法から複数の方法を
選んで更に組み合わせて用いることもでき、例えば、多
段に組み合わせたり、また、例えば、オゾン／過酸化水
素／紫外線（ＵＶ）のように組み合わせて一段に用いる
こともできる。また、オゾンの発生方法としては、無声
放電法、水電解法等の各種の方法を用いることができ
る。
キシルラジカル発生機構として、オゾン／過酸化水素、
オゾン／アルカリ、オゾン／紫外線（ＵＶ）の各組み合
わせの場合について述べたが、フェントン酸化（Ｆｅ2+
＋Ｈ2 Ｏ2 ）／紫外線（ＵＶ）、オゾン／酸化触媒、触
媒（ＴｉＯ2 等）／紫外線（ＵＶ）などのＡＯＰ法（ad
vanced oxidation processes、促進酸化法）と称される
各種の方法を用いることもでき、また、詳述した組み合
わせの方法やＡＯＰ法と称される方法から複数の方法を
選んで更に組み合わせて用いることもでき、例えば、多
段に組み合わせたり、また、例えば、オゾン／過酸化水
素／紫外線（ＵＶ）のように組み合わせて一段に用いる
こともできる。また、オゾンの発生方法としては、無声
放電法、水電解法等の各種の方法を用いることができ
る。
【００１７】ヒドロキシルラジカルによる処理後の処理
水は、残存する酸化剤が後段のイオン除去装置において
用いるイオン交換樹脂や逆浸透膜等の材料の劣化を引き
起こす悪影響を忌避するため、残存する酸化剤の除去を
イオン除去に先立って行うのが通常である。残存酸化剤
の除去方法としては、活性炭処理、還元剤（例えば、亜
硫酸ナトリウム）注入、紫外線照射、還元触媒（例え
ば、パラジウム系触媒）接触等の方法を挙げることがで
きるが、活性炭処理が低コスト且つ装置的にも簡便で好
ましい。
水は、残存する酸化剤が後段のイオン除去装置において
用いるイオン交換樹脂や逆浸透膜等の材料の劣化を引き
起こす悪影響を忌避するため、残存する酸化剤の除去を
イオン除去に先立って行うのが通常である。残存酸化剤
の除去方法としては、活性炭処理、還元剤（例えば、亜
硫酸ナトリウム）注入、紫外線照射、還元触媒（例え
ば、パラジウム系触媒）接触等の方法を挙げることがで
きるが、活性炭処理が低コスト且つ装置的にも簡便で好
ましい。
【００１８】上述した好ましい実施の形態では、一例と
して、イオン除去をイオン交換樹脂処理により行う場合
について述べたが、イオン除去は、各種のイオン交換法
（装置）や逆浸透膜（ＲＯ）法（装置）等のイオン除去
法（装置）を用いて行うことができる。
して、イオン除去をイオン交換樹脂処理により行う場合
について述べたが、イオン除去は、各種のイオン交換法
（装置）や逆浸透膜（ＲＯ）法（装置）等のイオン除去
法（装置）を用いて行うことができる。
【００１９】なお、本発明方法による上述の制御に加え
て、イオン除去装置からの処理水のＴＯＣ値をモニタリ
ング（監視）し、イオン除去後の処理水のＴＯＣ値が
０．３ｍｇ／Ｌ以下となるようにヒドロキシルラジカル
発生量を制御する操作を補助的に追加することも有効で
あり、これにより、イオン除去後の処理水のＴＯＣ値を
より確実に０．３ｍｇ／Ｌ以下とすることができる。
て、イオン除去装置からの処理水のＴＯＣ値をモニタリ
ング（監視）し、イオン除去後の処理水のＴＯＣ値が
０．３ｍｇ／Ｌ以下となるようにヒドロキシルラジカル
発生量を制御する操作を補助的に追加することも有効で
あり、これにより、イオン除去後の処理水のＴＯＣ値を
より確実に０．３ｍｇ／Ｌ以下とすることができる。
【００２０】
【実施例】オゾン／過酸化水素の組み合わせによるＴＯ
Ｃ成分除去処理を一例として、以下の実施例により本発
明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定さ
れるものでは無い。
Ｃ成分除去処理を一例として、以下の実施例により本発
明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定さ
れるものでは無い。
【００２１】図１に実施例で用いたＴＯＣ成分除去装置
を示すが、この図は本発明の装置の一例を示すシステム
フロー図でもある。リアクター１０１がヒドロキシルラ
ジカル発生装置で、このリアクター１０１には原水ポン
プ１４０により原水ライン１４１から原水が送水され
る。リアクター１０１でヒドロキシルラジカル処理され
た後の処理水の一部はＴＯＣ計１２０でＴＯＣ値を計測
され、このＴＯＣ値に基づきＰＩＤ制御器１２１から制
御用信号１２２が送信され、オゾン発生器１３０の制御
を行うと共に、オゾン発生量と連動された過酸化水素ポ
ンプ制御用信号１２３となり過酸化水素ポンプ１５０の
制御を行う。オゾン発生器１３０で生じたオゾン化ガス
はオゾン化ガスライン１３１を通じて、リアクター１０
１と連結された循環ライン１３３に注入され、循環ポン
プ１３２によりリアクター１０１に供給される。なお、
オゾンの溶解は、ディフューザー（diffuser、散気
板）、エジェクター（ejector ）、ラインミキサー（in
-line mixer ）等の種々の手段により行うことができ
る。過酸化水素ポンプ１５０により過酸化水素ライン１
５１を通って過酸化水素がリアクター１０１に供給され
る。ヒドロキシルラジカル処理された後の処理水の大部
分は、ヒドロキシルラジカル処理水ライン１１０を通じ
て活性炭塔１１１に送水され、ここで酸化剤（過酸化水
素、オゾン）は分解され、活性炭処理された処理水は、
イオン交換樹脂塔１１２に送水され、ここでイオン交換
により有機酸等を除去され、イオン交換後の処理水とし
てイオン交換処理水ライン１１３に流出して来る。な
お、１６０は、排ガス排出管である。
を示すが、この図は本発明の装置の一例を示すシステム
フロー図でもある。リアクター１０１がヒドロキシルラ
ジカル発生装置で、このリアクター１０１には原水ポン
プ１４０により原水ライン１４１から原水が送水され
る。リアクター１０１でヒドロキシルラジカル処理され
た後の処理水の一部はＴＯＣ計１２０でＴＯＣ値を計測
され、このＴＯＣ値に基づきＰＩＤ制御器１２１から制
御用信号１２２が送信され、オゾン発生器１３０の制御
を行うと共に、オゾン発生量と連動された過酸化水素ポ
ンプ制御用信号１２３となり過酸化水素ポンプ１５０の
制御を行う。オゾン発生器１３０で生じたオゾン化ガス
はオゾン化ガスライン１３１を通じて、リアクター１０
１と連結された循環ライン１３３に注入され、循環ポン
プ１３２によりリアクター１０１に供給される。なお、
オゾンの溶解は、ディフューザー（diffuser、散気
板）、エジェクター（ejector ）、ラインミキサー（in
-line mixer ）等の種々の手段により行うことができ
る。過酸化水素ポンプ１５０により過酸化水素ライン１
５１を通って過酸化水素がリアクター１０１に供給され
る。ヒドロキシルラジカル処理された後の処理水の大部
分は、ヒドロキシルラジカル処理水ライン１１０を通じ
て活性炭塔１１１に送水され、ここで酸化剤（過酸化水
素、オゾン）は分解され、活性炭処理された処理水は、
イオン交換樹脂塔１１２に送水され、ここでイオン交換
により有機酸等を除去され、イオン交換後の処理水とし
てイオン交換処理水ライン１１３に流出して来る。な
お、１６０は、排ガス排出管である。
【００２２】実施例１ 図１に示す装置において、１０Ｌ容量のリアクター１０
１に、６Ｌ／ｈｒの流量で各種ＴＯＣ値の原水を通水し
ながら、循環ポンプ１３２の吸引側の循環ライン１３３
に無声放電により発生させたオゾンを供給し、また、過
酸化水素ポンプ１５０により過酸化水素を連続的に供給
した。ＴＯＣ源はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で
あった。リアクター１０１においてヒドロキシルラジカ
ルにより処理（ＴＯＣ成分の酸化処理）された後の処理
水１１０のＴＯＣ値をシーバス８１０型ＴＯＣ計１２０
〔シーバス社（米国）製〕によりオンラインで測定し、
ＴＯＣ計１２０からの測定信号をＰＩＤ制御器１２１に
送り、オゾン発生量をＴＯＣ計１２０の測定値が所定値
となるようにＰＩＤ制御器１２１により制御すると共
に、過酸化水素／オゾン重量比＝０．３１／１となるよ
うに過酸化水素ポンプ１５０を制御し、この両者により
ヒドロキシルラジカルの発生量を自動制御した。リアク
ター１０１内の水のｐＨ値は７．５前後にほぼ一定に維
持された。リアクター１０１からの処理水は活性炭塔１
１１で処理し、酸化剤（Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ2）を分解後、イ
オン交換樹脂塔１１２によりイオン状有機物（有機酸）
を除去した。このＴＯＣ成分除去処理の結果を表１に示
す。
１に、６Ｌ／ｈｒの流量で各種ＴＯＣ値の原水を通水し
ながら、循環ポンプ１３２の吸引側の循環ライン１３３
に無声放電により発生させたオゾンを供給し、また、過
酸化水素ポンプ１５０により過酸化水素を連続的に供給
した。ＴＯＣ源はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で
あった。リアクター１０１においてヒドロキシルラジカ
ルにより処理（ＴＯＣ成分の酸化処理）された後の処理
水１１０のＴＯＣ値をシーバス８１０型ＴＯＣ計１２０
〔シーバス社（米国）製〕によりオンラインで測定し、
ＴＯＣ計１２０からの測定信号をＰＩＤ制御器１２１に
送り、オゾン発生量をＴＯＣ計１２０の測定値が所定値
となるようにＰＩＤ制御器１２１により制御すると共
に、過酸化水素／オゾン重量比＝０．３１／１となるよ
うに過酸化水素ポンプ１５０を制御し、この両者により
ヒドロキシルラジカルの発生量を自動制御した。リアク
ター１０１内の水のｐＨ値は７．５前後にほぼ一定に維
持された。リアクター１０１からの処理水は活性炭塔１
１１で処理し、酸化剤（Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ2）を分解後、イ
オン交換樹脂塔１１２によりイオン状有機物（有機酸）
を除去した。このＴＯＣ成分除去処理の結果を表１に示
す。
【００２３】
【表１】 ────────────────────────────────── 原水ＴＯＣ値 酸化処理直後ＴＯＣ値 イオン交換後ＴＯＣ値 （ｍｇ／Ｌ） （ｍｇ／Ｌ） （ｍｇ／Ｌ） ────────────────────────────────── ２ １．４ ０．３５ ２ ０．６ ０．０８ ４ １．８ ０．３２ ４ ０．７ ０．０７ ６ １．７ ０．２８ ６ ０．５ ０．０４ ──────────────────────────────────
【００２４】表１から分かるように、原水のＴＯＣ値が
変動しても、酸化処理直後（活性炭処理前）の処理水の
ＴＯＣ値が一定になるようにすれば、イオン交換処理後
の処理水のＴＯＣ値もそれと相応した値となるため、酸
化処理直後の処理水のＴＯＣ値によりヒドロキシルラジ
カル発生量を制御することが有効であることが分かっ
た。また、比較のために、イオン交換処理後の処理水の
ＴＯＣ値によるヒドロキシルラジカル発生量の制御も試
みたが、ラグタイムが長すぎるため、安定な制御を行う
ことができなかった。
変動しても、酸化処理直後（活性炭処理前）の処理水の
ＴＯＣ値が一定になるようにすれば、イオン交換処理後
の処理水のＴＯＣ値もそれと相応した値となるため、酸
化処理直後の処理水のＴＯＣ値によりヒドロキシルラジ
カル発生量を制御することが有効であることが分かっ
た。また、比較のために、イオン交換処理後の処理水の
ＴＯＣ値によるヒドロキシルラジカル発生量の制御も試
みたが、ラグタイムが長すぎるため、安定な制御を行う
ことができなかった。
【００２５】実施例２ 図１に示す装置において、実施例１と同じ条件で、界面
活性剤をＴＯＣ源として含む原水の処理を行った。界面
活性剤の主成分は、ポリオキシエチレンアルキルエーテ
ル、スルフォ琥珀酸アルキルエーテル、ジエチレングリ
コールモノベンジルエーテル及びオレフィンである。リ
アクター１０１からの処理水は活性炭塔１１１で処理
し、酸化剤（Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ2 ）を分解後、イオン交換樹
脂塔１１２によりイオン状有機物（有機酸）を除去し
た。このＴＯＣ成分除去処理の結果を表２に示す。
活性剤をＴＯＣ源として含む原水の処理を行った。界面
活性剤の主成分は、ポリオキシエチレンアルキルエーテ
ル、スルフォ琥珀酸アルキルエーテル、ジエチレングリ
コールモノベンジルエーテル及びオレフィンである。リ
アクター１０１からの処理水は活性炭塔１１１で処理
し、酸化剤（Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ2 ）を分解後、イオン交換樹
脂塔１１２によりイオン状有機物（有機酸）を除去し
た。このＴＯＣ成分除去処理の結果を表２に示す。
【００２６】
【表２】 ────────────────────────────────── 原水ＴＯＣ値 酸化処理直後ＴＯＣ値 イオン交換後ＴＯＣ値 （ｍｇ／Ｌ） （ｍｇ／Ｌ） （ｍｇ／Ｌ） ────────────────────────────────── ４．３ ２．５ ０．２５ ４．５ １．８ ０．１１ ６．６ ２．６ ０．２２ ６．５ １．９ ０．０９ ──────────────────────────────────
【００２７】表２から分かるように、原水のＴＯＣ値が
変動しても、酸化処理直後（活性炭処理前）の処理水の
ＴＯＣ値が一定になるようにすれば、イオン交換処理後
の処理水のＴＯＣ値もそれと相応した値となるため、酸
化処理直後の処理水のＴＯＣ値によりヒドロキシルラジ
カル発生量を制御することが有効であることが分かっ
た。また、比較のために、イオン交換処理後の処理水の
ＴＯＣ値によるヒドロキシルラジカル発生量の制御も試
みたが、ラグタイムが長すぎるため、安定な制御を行う
ことができなかった。
変動しても、酸化処理直後（活性炭処理前）の処理水の
ＴＯＣ値が一定になるようにすれば、イオン交換処理後
の処理水のＴＯＣ値もそれと相応した値となるため、酸
化処理直後の処理水のＴＯＣ値によりヒドロキシルラジ
カル発生量を制御することが有効であることが分かっ
た。また、比較のために、イオン交換処理後の処理水の
ＴＯＣ値によるヒドロキシルラジカル発生量の制御も試
みたが、ラグタイムが長すぎるため、安定な制御を行う
ことができなかった。
【００２８】
【発明の効果】一般に、ヒドロキシルラジカルによるＴ
ＯＣ成分の分解経路（一連の反応）は分解対象物質の種
類により異なるが、殆どの有機物は最終段階においてプ
ロピオン酸、酢酸、蟻酸等の低分子有機酸を経て二酸化
炭素と水とに変化する。従って、原水（ＴＯＣ成分含有
水）のＴＯＣ値やＴＯＣ源（ＴＯＣ成分としての有機物
質の種類）が異なっても、ヒドロキシルラジカルによる
酸化処理によりＴＯＣ成分が少なくとも低分子有機酸に
まで転化した段階では、二酸化炭素と水に転化した分は
最早ＴＯＣ成分では無いので、本発明の方法によれば、
ヒドロキシルラジカルによる酸化処理後の処理水中のＴ
ＯＣ値をかなり狭い範囲内（０．５〜２．５ｍｇ／Ｌ）
に入るようにすることができる。
ＯＣ成分の分解経路（一連の反応）は分解対象物質の種
類により異なるが、殆どの有機物は最終段階においてプ
ロピオン酸、酢酸、蟻酸等の低分子有機酸を経て二酸化
炭素と水とに変化する。従って、原水（ＴＯＣ成分含有
水）のＴＯＣ値やＴＯＣ源（ＴＯＣ成分としての有機物
質の種類）が異なっても、ヒドロキシルラジカルによる
酸化処理によりＴＯＣ成分が少なくとも低分子有機酸に
まで転化した段階では、二酸化炭素と水に転化した分は
最早ＴＯＣ成分では無いので、本発明の方法によれば、
ヒドロキシルラジカルによる酸化処理後の処理水中のＴ
ＯＣ値をかなり狭い範囲内（０．５〜２．５ｍｇ／Ｌ）
に入るようにすることができる。
【００２９】また、ヒドロキシルラジカル発生装置から
の処理水のＴＯＣ値は後段のイオン除去装置からの処理
水のＴＯＣ値と一定の相関関係があるため、本発明の方
法に従い、ヒドロキシルラジカル発生装置からの処理水
のＴＯＣ値を所定値（０．５〜２．５ｍｇ／Ｌ）となる
ようにヒドロキシルラジカル発生量を制御すると、ヒド
ロキシルラジカル発生装置からの処理水のＴＯＣ値に相
応したイオン除去装置からの処理水のＴＯＣ値が得ら
れ、イオン除去後の処理水のＴＯＣ値を０．３ｍｇ／Ｌ
以下にすることができる。従って、本発明の方法によれ
ば、安定且つ正確なＴＯＣ成分除去の制御を行うことが
できる。
の処理水のＴＯＣ値は後段のイオン除去装置からの処理
水のＴＯＣ値と一定の相関関係があるため、本発明の方
法に従い、ヒドロキシルラジカル発生装置からの処理水
のＴＯＣ値を所定値（０．５〜２．５ｍｇ／Ｌ）となる
ようにヒドロキシルラジカル発生量を制御すると、ヒド
ロキシルラジカル発生装置からの処理水のＴＯＣ値に相
応したイオン除去装置からの処理水のＴＯＣ値が得ら
れ、イオン除去後の処理水のＴＯＣ値を０．３ｍｇ／Ｌ
以下にすることができる。従って、本発明の方法によれ
ば、安定且つ正確なＴＯＣ成分除去の制御を行うことが
できる。
【００３０】なお、上記制御に加えて、イオン除去装置
からの処理水のＴＯＣ値をモニタリング（監視）し、イ
オン除去後の処理水のＴＯＣ値が０．３ｍｇ／Ｌ以下と
なるようにヒドロキシルラジカル発生量を制御する操作
を補助的に追加することも有効であり、これにより、イ
オン除去後の処理水のＴＯＣ値をより確実に０．３ｍｇ
／Ｌ以下とすることができる。
からの処理水のＴＯＣ値をモニタリング（監視）し、イ
オン除去後の処理水のＴＯＣ値が０．３ｍｇ／Ｌ以下と
なるようにヒドロキシルラジカル発生量を制御する操作
を補助的に追加することも有効であり、これにより、イ
オン除去後の処理水のＴＯＣ値をより確実に０．３ｍｇ
／Ｌ以下とすることができる。
【００３１】このように、イオン除去後の処理水のＴＯ
Ｃ値を０．３ｍｇ／Ｌ以下にすれば、この処理水を超純
水の製造工程に送ることができ、後段の超純水製造装置
におけるＵＶ酸化、ＲＯ処理等によりＴＯＣ値を更に
０．０２ｍｇ／Ｌ以下にすることができる。
Ｃ値を０．３ｍｇ／Ｌ以下にすれば、この処理水を超純
水の製造工程に送ることができ、後段の超純水製造装置
におけるＵＶ酸化、ＲＯ処理等によりＴＯＣ値を更に
０．０２ｍｇ／Ｌ以下にすることができる。
【図１】図１は、実施例で用いた本発明のＴＯＣ成分除
去の装置の一例を示すシステムフロー図である。
去の装置の一例を示すシステムフロー図である。
１０１ リアクター １１０ ヒドロキシルラジカル処理水ライン １１１ 活性炭塔 １１２ イオン交換樹脂塔 １１３ イオン交換処理水ライン １２０ ＴＯＣ計 １２１ ＰＩＤ制御器 １２２ 制御用信号 １２３ 過酸化水素ポンプ制御用信号 １３０ オゾン発生器 １３１ オゾン化ガスライン １３２ 循環ポンプ １３３ 循環ライン １４０ 原水ポンプ １４１ 原水ライン １５０ 過酸化水素ポンプ １５１ 過酸化水素ライン １６０ 排ガス排出管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０２Ｆ 1/78 Ｃ０２Ｆ 1/78
Claims (5)
- 【請求項１】 ＴＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成分をヒド
ロキシルラジカルにより少なくとも有機酸まで分解し、
得られる処理水中の有機酸を更にイオン除去手段により
処理することによりＴＯＣ成分を除去して純水を製造す
るに当たり、ヒドロキシルラジカルにより処理された処
理水のＴＯＣ値を監視し、そのＴＯＣ値が０．５〜２．
５ｍｇ／Ｌとなるようにヒドロキシルラジカルの発生量
を自動制御し、前記イオン除去手段により処理された最
終処理水中のＴＯＣ値を０．３ｍｇ／Ｌ以下にすること
を特徴とするＴＯＣ成分除去の制御方法。 - 【請求項２】 前記ヒドロキシルラジカルをオゾンと過
酸化水素との組み合わせにより発生させ、このヒドロキ
シルラジカルにより処理された処理水のＴＯＣ値が０．
５〜２．５ｍｇ／Ｌとなるように、オゾン発生量を制御
しながら過酸化水素の供給量をオゾン発生量と連動させ
て制御することにより前記のヒドロキシルラジカルの発
生量を自動制御することを特徴とする請求項１に記載の
ＴＯＣ成分除去の制御方法。 - 【請求項３】 前記ヒドロキシルラジカルをオゾンとア
ルカリとの組み合わせにより発生させ、このヒドロキシ
ルラジカルにより処理された処理水のＴＯＣ値及びｐＨ
値を監視し、前記処理水のＴＯＣ値が０．５〜２．５ｍ
ｇ／Ｌとなるように、オゾン発生量を制御しながら前記
処理水のｐＨ値がアルカリ側になるようにアルカリの添
加量を制御することにより前記のヒドロキシルラジカル
の発生量を自動制御することを特徴とする請求項１に記
載のＴＯＣ成分除去の制御方法。 - 【請求項４】 前記ヒドロキシルラジカルをオゾンと紫
外線ランプとの組み合わせにより発生させ、このヒドロ
キシルラジカルにより処理された処理水のＴＯＣ値が
０．５〜２．５ｍｇ／Ｌとなるように、オゾン発生量を
制御しながら前記紫外線ランプの出力量をオゾン発生量
と連動させて制御することにより前記のヒドロキシルラ
ジカルの発生量を自動制御することを特徴とする請求項
１に記載のＴＯＣ成分除去の制御方法。 - 【請求項５】 ＴＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成分をヒド
ロキシルラジカルにより少なくとも有機酸まで分解する
ためのヒドロキシラジカル発生装置、前記ヒドロキシラ
ジカル発生装置からの処理水中のＴＯＣ成分としての有
機酸を除去するためのイオン除去装置、前記ヒドロキシ
ルラジカル発生装置からの処理水のＴＯＣ値を監視し、
そのＴＯＣ値が０．５〜２．５ｍｇ／Ｌとなるようにヒ
ドロキシルラジカルの発生量を自動制御し、前記イオン
除去装置からの最終処理水中のＴＯＣ値を０．３ｍｇ／
Ｌ以下にするためのフィードバック制御機構を包含する
ことを特徴とするＴＯＣ成分除去の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23649297A JP3491666B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | Ｔｏｃ成分除去の制御方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23649297A JP3491666B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | Ｔｏｃ成分除去の制御方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1157752A true JPH1157752A (ja) | 1999-03-02 |
| JP3491666B2 JP3491666B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=17001543
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23649297A Expired - Fee Related JP3491666B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | Ｔｏｃ成分除去の制御方法及び装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3491666B2 (ja) |
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- 1997-08-19 JP JP23649297A patent/JP3491666B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3491666B2 (ja) | 2004-01-26 |
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| JPH0317557B2 (ja) |
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|
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