JPH1156812A - 受信コイル用バラン - Google Patents
受信コイル用バランInfo
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- JPH1156812A JPH1156812A JP9230993A JP23099397A JPH1156812A JP H1156812 A JPH1156812 A JP H1156812A JP 9230993 A JP9230993 A JP 9230993A JP 23099397 A JP23099397 A JP 23099397A JP H1156812 A JPH1156812 A JP H1156812A
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- JP
- Japan
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- center point
- balun
- edge
- receiving coil
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＲＦパルスにより誘導された起電力で大電流
が流れてしまうことを防止できる受信コイル用バランを
提供する。 【解決手段】 長方形の受信コイル用バラン３におい
て、長方形が第１辺Ｈ１側と第２辺Ｈ２側とに２等分さ
れるような幾何学的配置で第３辺Ｈ３の中央点ｍ３と第
４辺Ｈ４の中央点ｍ４の間にダイオード回路３１を接続
する。また、長方形が第３辺Ｈ３側と第４辺Ｈ４側とに
２等分されるような幾何学的配置で第１辺Ｈ１の中央点
ｍ１の近傍まで第２辺Ｈ２の中央点ｍ２からリード導体
Ａを配設し、第１辺Ｈ１の中央点ｍ１およびその近傍の
前記リード導体Ａの端点から受信コイル１のデカップリ
ング部２へ配線を引き出す。 【効果】 誘導された起電力で大電流が流れてしまうこ
とを防止でき、ＲＦパルスの照射量の多いＭＲＩシーケ
ンスでも回路素子が損傷することがなくなる。
が流れてしまうことを防止できる受信コイル用バランを
提供する。 【解決手段】 長方形の受信コイル用バラン３におい
て、長方形が第１辺Ｈ１側と第２辺Ｈ２側とに２等分さ
れるような幾何学的配置で第３辺Ｈ３の中央点ｍ３と第
４辺Ｈ４の中央点ｍ４の間にダイオード回路３１を接続
する。また、長方形が第３辺Ｈ３側と第４辺Ｈ４側とに
２等分されるような幾何学的配置で第１辺Ｈ１の中央点
ｍ１の近傍まで第２辺Ｈ２の中央点ｍ２からリード導体
Ａを配設し、第１辺Ｈ１の中央点ｍ１およびその近傍の
前記リード導体Ａの端点から受信コイル１のデカップリ
ング部２へ配線を引き出す。 【効果】 誘導された起電力で大電流が流れてしまうこ
とを防止でき、ＲＦパルスの照射量の多いＭＲＩシーケ
ンスでも回路素子が損傷することがなくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、受信コイル用バラ
ンに関し、さらに詳しくは、誘導された起電力で大電流
が流れてしまうことを防止できるようにした受信コイル
用バランに関する。
ンに関し、さらに詳しくは、誘導された起電力で大電流
が流れてしまうことを防止できるようにした受信コイル
用バランに関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の受信コイル用バランの一
例を含む、ＭＲＩ（Ｍagnetic Ｒesonanse Imaging）装
置のフェーズアレイ型受信回路を示す回路図である。こ
のフェーズアレイ型受信回路は、受信コイル１と、その
デカップリング部２と、受信コイル用バラン５３と、ダ
イオードスイッチ４と、低インピーダンスアンプ５と、
バイアス切換スイッチ６とからなる複数の受信回路を備
えている。
例を含む、ＭＲＩ（Ｍagnetic Ｒesonanse Imaging）装
置のフェーズアレイ型受信回路を示す回路図である。こ
のフェーズアレイ型受信回路は、受信コイル１と、その
デカップリング部２と、受信コイル用バラン５３と、ダ
イオードスイッチ４と、低インピーダンスアンプ５と、
バイアス切換スイッチ６とからなる複数の受信回路を備
えている。
【０００３】前記受信コイル用バラン５３は、長方形の
４辺を第１辺Ｈ１，第２辺Ｈ２，第３辺Ｈ３および第４
辺Ｈ４とし、前記第１辺Ｈ１と前記第２辺Ｈ２が互いに
対辺であり、前記第３辺Ｈ３と前記第４辺Ｈ４が互いに
対辺であるとするとき、前記第１辺Ｈ１を第１インダク
タ１１と第１コンデンサ１２の直列回路とし、前記第１
辺の一方端側に前記第１インダクタ１１を配置すると共
に他方端側に前記第１コンデンサ１２を配置し、前記第
２辺Ｈ２を第２コンデンサ２１と第２インダクタ２２の
直列回路とし、前記第２辺の一方端側に前記第２コンデ
ンサ２１を配置すると共に他方端側に前記第２インダク
タ２２を配置し、前記第３辺Ｈ３を前記第１辺Ｈ１の一
方端と前記第２辺Ｈ２の一方端を接続する導体とし、前
記第４辺Ｈ４を前記第１辺Ｈ１の他方端と前記第２辺Ｈ
２の他方端を接続する導体とし、前記第１インダクタ１
１と前記第１コンデンサ１２の間および前記第２コンデ
ンサ２１と前記第２インダクタ２２の間から前記デカッ
プリング部２へ配線を引き出し、前記第２辺Ｈ２の両端
から前記ダイオードスイッチ４へ配線を引き出す構成で
ある。
４辺を第１辺Ｈ１，第２辺Ｈ２，第３辺Ｈ３および第４
辺Ｈ４とし、前記第１辺Ｈ１と前記第２辺Ｈ２が互いに
対辺であり、前記第３辺Ｈ３と前記第４辺Ｈ４が互いに
対辺であるとするとき、前記第１辺Ｈ１を第１インダク
タ１１と第１コンデンサ１２の直列回路とし、前記第１
辺の一方端側に前記第１インダクタ１１を配置すると共
に他方端側に前記第１コンデンサ１２を配置し、前記第
２辺Ｈ２を第２コンデンサ２１と第２インダクタ２２の
直列回路とし、前記第２辺の一方端側に前記第２コンデ
ンサ２１を配置すると共に他方端側に前記第２インダク
タ２２を配置し、前記第３辺Ｈ３を前記第１辺Ｈ１の一
方端と前記第２辺Ｈ２の一方端を接続する導体とし、前
記第４辺Ｈ４を前記第１辺Ｈ１の他方端と前記第２辺Ｈ
２の他方端を接続する導体とし、前記第１インダクタ１
１と前記第１コンデンサ１２の間および前記第２コンデ
ンサ２１と前記第２インダクタ２２の間から前記デカッ
プリング部２へ配線を引き出し、前記第２辺Ｈ２の両端
から前記ダイオードスイッチ４へ配線を引き出す構成で
ある。
【０００４】次に、動作を説明する。被検体にＲＦパル
スを送信する時は、バイアス切換スイッチ６を図５の実
線のように切り換える。すると、ダイオードスイッチ４
は、受信コイル用バラン５３と低インピーダンスアンプ
５を遮断する。また、ダイオードスイッチ４から第２イ
ンダクタ２２を介してデカップリング部２のダイオード
のアノードに正電圧＋が印加され、ダイオードスイッチ
４から第１インダクタ１１を介してデカップリング部２
のダイオードのカソードに負電圧−が印加され、デカッ
プリング部２のダイオードが導通し、図６の（ａ）に示
す等価回路のように、デカップリング部２に並列共振回
路が形成される。この並列共振回路は、ＲＦパルスの周
波数に共振するため、ＲＦパルスに対する受信コイル１
のインピーダンスが極めて大きくなる。従って、ＲＦパ
ルスにより受信コイル１に誘導電流が流れることが防止
される。被検体からのＮＭＲ（Ｎuclear Ｍagnetic Ｒe
sonance）信号を受信する時は、バイアス切換スイッチ
６を図５の破線のように切り換える。すると、ダイオー
ドスイッチ４は、受信コイル用バラン５３と低インピー
ダンスアンプ５を接続する。また、ダイオードスイッチ
４から第１インダクタ１１を介してデカップリング部２
のダイオードのカソードに正電圧＋が印加され、ダイオ
ードスイッチ４から第２インダクタ２２を介してデカッ
プリング部２のダイオードのアノードに負電圧−が印加
され、デカップリング部２のダイオードが遮断し、図６
の（ｂ）に示す等価回路のように、デカップリング部２
に並列共振回路が形成されなくなる。従って、被検体か
らのＮＭＲ信号によって受信コイル１に誘導電流が流
れ、その誘導電流が受信用バラン５３を介して低インピ
ーダンスアンプ５で検出される。
スを送信する時は、バイアス切換スイッチ６を図５の実
線のように切り換える。すると、ダイオードスイッチ４
は、受信コイル用バラン５３と低インピーダンスアンプ
５を遮断する。また、ダイオードスイッチ４から第２イ
ンダクタ２２を介してデカップリング部２のダイオード
のアノードに正電圧＋が印加され、ダイオードスイッチ
４から第１インダクタ１１を介してデカップリング部２
のダイオードのカソードに負電圧−が印加され、デカッ
プリング部２のダイオードが導通し、図６の（ａ）に示
す等価回路のように、デカップリング部２に並列共振回
路が形成される。この並列共振回路は、ＲＦパルスの周
波数に共振するため、ＲＦパルスに対する受信コイル１
のインピーダンスが極めて大きくなる。従って、ＲＦパ
ルスにより受信コイル１に誘導電流が流れることが防止
される。被検体からのＮＭＲ（Ｎuclear Ｍagnetic Ｒe
sonance）信号を受信する時は、バイアス切換スイッチ
６を図５の破線のように切り換える。すると、ダイオー
ドスイッチ４は、受信コイル用バラン５３と低インピー
ダンスアンプ５を接続する。また、ダイオードスイッチ
４から第１インダクタ１１を介してデカップリング部２
のダイオードのカソードに正電圧＋が印加され、ダイオ
ードスイッチ４から第２インダクタ２２を介してデカッ
プリング部２のダイオードのアノードに負電圧−が印加
され、デカップリング部２のダイオードが遮断し、図６
の（ｂ）に示す等価回路のように、デカップリング部２
に並列共振回路が形成されなくなる。従って、被検体か
らのＮＭＲ信号によって受信コイル１に誘導電流が流
れ、その誘導電流が受信用バラン５３を介して低インピ
ーダンスアンプ５で検出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の受信回路で
は、デカップリング回路２を設けているため、ＲＦパル
スによる誘導電流が受信コイル１に流れることはない。
一方、図６の（ａ）に示すように、送信時、デカップリ
ング部２のダイオードが導通状態となっているから、受
信用バラン５３は、図７に示す等価回路となる。ここ
で、Ｌ１は第１インダクタ１１および第２インダクタ２
２のインダクタンスであり、Ｃ１は第１コンデンサ１２
および第２コンデンサ２１のキャパシタンスである。こ
のＬ１，Ｃ１は、ラーモア周波数をωとするとき、 ω＝１／√｛Ｌ１・Ｃ１｝ の関係にある。従って、受信用バラン５３は、ＲＦパル
スに対する２つの直列共振回路となる。このため、ＲＦ
パルスによる大きな誘導電流が受信用バラン５３に流れ
ることとなり、カップリングによる悪影響を生じたり、
第１コンデンサ１２および第２コンデンサ２１が損傷し
たりする問題点があった。そこで、本発明の目的は、誘
導された起電力で大電流が流れてしまうことを防止でき
るようにした受信コイル用バランを提供することにあ
る。
は、デカップリング回路２を設けているため、ＲＦパル
スによる誘導電流が受信コイル１に流れることはない。
一方、図６の（ａ）に示すように、送信時、デカップリ
ング部２のダイオードが導通状態となっているから、受
信用バラン５３は、図７に示す等価回路となる。ここ
で、Ｌ１は第１インダクタ１１および第２インダクタ２
２のインダクタンスであり、Ｃ１は第１コンデンサ１２
および第２コンデンサ２１のキャパシタンスである。こ
のＬ１，Ｃ１は、ラーモア周波数をωとするとき、 ω＝１／√｛Ｌ１・Ｃ１｝ の関係にある。従って、受信用バラン５３は、ＲＦパル
スに対する２つの直列共振回路となる。このため、ＲＦ
パルスによる大きな誘導電流が受信用バラン５３に流れ
ることとなり、カップリングによる悪影響を生じたり、
第１コンデンサ１２および第２コンデンサ２１が損傷し
たりする問題点があった。そこで、本発明の目的は、誘
導された起電力で大電流が流れてしまうことを防止でき
るようにした受信コイル用バランを提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の受信コイル用バ
ランは、長方形の４辺を第１辺，第２辺，第３辺および
第４辺とし、前記第１辺と前記第２辺が互いに対辺であ
り、前記第３辺と前記第４辺が互いに対辺であるとする
とき、前記第１辺を第１インダクタと第１コンデンサの
直列回路とし、前記第１辺の中央点より一方側に前記第
１インダクタを配置すると共に他方側に前記第１コンデ
ンサを配置し、前記第２辺を第２コンデンサと第２イン
ダクタの直列回路とし、前記第２辺の中央点より一方側
に前記第２コンデンサを配置すると共に他方側に前記第
２インダクタを配置し、前記第３辺を前記第１辺の一方
側端と前記第２辺の一方側端を接続する導体とし、前記
第４辺を前記第１辺の他方側端と前記第２辺の他方側端
を接続する導体とし、前記長方形が前記第１辺側と前記
第２辺側とに２等分されるような幾何学的配置で前記第
３辺の中央点と前記第４辺の中央点の間にダイオード回
路を接続し、前記長方形が前記第３辺側と前記第４辺側
とに２等分されるような幾何学的配置で前記第１辺の中
央点の近傍まで前記第２辺の中央点からリード導体を配
設し、前記第１辺の中央点およびその近傍の前記リード
導体の端点から受信コイルのデカップリング部へ配線を
引き出すようにしたことを特徴とするものである。上記
第１の観点による受信コイル用バランでは、長方形が第
１辺側と第２辺側とに２等分されるような幾何学的配置
で第３辺の中央点と第４辺の中央点の間にダイオード回
路を接続する。また、長方形が第３辺側と第４辺側とに
２等分されるような幾何学的配置で第１辺の中央点の近
傍まで第２辺の中央点からリード導体を配設し、第１辺
の中央点およびその近傍の前記リード導体の端点から受
信コイルのデカップリング部へ配線を引き出す。これに
より、ＲＦパルスの送信時には、長方形が４つの面積の
等しい小長方形に４分割され、互いに対角の位置にある
小長方形が８の字形に導体で連続することになる。この
８の字形に導体で連続している結果、互いに対角の位置
にある小長方形でＲＦパルスによりそれぞれ誘導された
起電力は互いに逆向きに加わることになり、誘導電流は
流れない。すなわち、誘導された起電力で大電流が流れ
てしまうことを防止できるようになる。
ランは、長方形の４辺を第１辺，第２辺，第３辺および
第４辺とし、前記第１辺と前記第２辺が互いに対辺であ
り、前記第３辺と前記第４辺が互いに対辺であるとする
とき、前記第１辺を第１インダクタと第１コンデンサの
直列回路とし、前記第１辺の中央点より一方側に前記第
１インダクタを配置すると共に他方側に前記第１コンデ
ンサを配置し、前記第２辺を第２コンデンサと第２イン
ダクタの直列回路とし、前記第２辺の中央点より一方側
に前記第２コンデンサを配置すると共に他方側に前記第
２インダクタを配置し、前記第３辺を前記第１辺の一方
側端と前記第２辺の一方側端を接続する導体とし、前記
第４辺を前記第１辺の他方側端と前記第２辺の他方側端
を接続する導体とし、前記長方形が前記第１辺側と前記
第２辺側とに２等分されるような幾何学的配置で前記第
３辺の中央点と前記第４辺の中央点の間にダイオード回
路を接続し、前記長方形が前記第３辺側と前記第４辺側
とに２等分されるような幾何学的配置で前記第１辺の中
央点の近傍まで前記第２辺の中央点からリード導体を配
設し、前記第１辺の中央点およびその近傍の前記リード
導体の端点から受信コイルのデカップリング部へ配線を
引き出すようにしたことを特徴とするものである。上記
第１の観点による受信コイル用バランでは、長方形が第
１辺側と第２辺側とに２等分されるような幾何学的配置
で第３辺の中央点と第４辺の中央点の間にダイオード回
路を接続する。また、長方形が第３辺側と第４辺側とに
２等分されるような幾何学的配置で第１辺の中央点の近
傍まで第２辺の中央点からリード導体を配設し、第１辺
の中央点およびその近傍の前記リード導体の端点から受
信コイルのデカップリング部へ配線を引き出す。これに
より、ＲＦパルスの送信時には、長方形が４つの面積の
等しい小長方形に４分割され、互いに対角の位置にある
小長方形が８の字形に導体で連続することになる。この
８の字形に導体で連続している結果、互いに対角の位置
にある小長方形でＲＦパルスによりそれぞれ誘導された
起電力は互いに逆向きに加わることになり、誘導電流は
流れない。すなわち、誘導された起電力で大電流が流れ
てしまうことを防止できるようになる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図に示す実施形態により本
発明をさらに詳しく説明する。なお、これにより本発明
が限定されるものではない。
発明をさらに詳しく説明する。なお、これにより本発明
が限定されるものではない。
【０００８】図１は、本発明の一実施形態にかかる受信
コイル用バランを含む、ＭＲＩ装置のフェーズアレイ型
受信回路を示す回路図である。このフェーズアレイ型受
信回路は、受信コイル１と、そのデカップリング部２
と、受信コイル用バラン３と、ダイオードスイッチ４
と、低インピーダンスアンプ５と、バイアス切換スイッ
チ６とからなる複数の受信回路を備えている。
コイル用バランを含む、ＭＲＩ装置のフェーズアレイ型
受信回路を示す回路図である。このフェーズアレイ型受
信回路は、受信コイル１と、そのデカップリング部２
と、受信コイル用バラン３と、ダイオードスイッチ４
と、低インピーダンスアンプ５と、バイアス切換スイッ
チ６とからなる複数の受信回路を備えている。
【０００９】前記受信コイル用バラン３は、長方形の４
辺を第１辺Ｈ１，第２辺Ｈ２，第３辺Ｈ３および第４辺
Ｈ４とし、前記第１辺Ｈ１と前記第２辺Ｈ２が互いに対
辺であり、前記第３辺Ｈ３と前記第４辺Ｈ４が互いに対
辺であるとするとき、前記第１辺Ｈ１を第１インダクタ
１１と第１コンデンサ１２の直列回路とし、前記第１辺
Ｈ１の中央点ｍ１より一方側に前記第１インダクタ１１
を配置すると共に他方側に前記第１コンデンサ１２を配
置し、前記第２辺Ｈ２を第２コンデンサ２１と第２イン
ダクタ２２の直列回路とし、前記第２辺Ｈ２の中央点ｍ
２より一方側に前記第２コンデンサ２１を配置すると共
に他方側に前記第２インダクタ２２を配置し、前記第３
辺Ｈ３を前記第１辺Ｈ１の一方端と前記第２辺Ｈ２の一
方端を接続する導体とし、前記第４辺Ｈ４を前記第１辺
Ｈ１の他方端と前記第２辺Ｈ２の他方端を接続する導体
とし、前記長方形が前記第１辺Ｈ１側と前記第２辺Ｈ２
側とに２等分されるような幾何学的配置で前記第３辺Ｈ
３の中央点ｍ３と前記第４辺Ｈ４の中央点ｍ４の間にダ
イオード回路３１を接続し、前記長方形が前記第３辺Ｈ
３側と前記第４辺Ｈ４側とに２等分されるような幾何学
的配置で前記第１辺の中央点ｍ１の近傍まで前記第２辺
Ｈ２の中央点ｍ２からリード導体Ａを配設し、前記第１
辺Ｈ１の中央点ｍ１およびその近傍の前記リード導体Ａ
の端点から受信コイル１のデカップリング部２へ配線を
引き出す構成である。
辺を第１辺Ｈ１，第２辺Ｈ２，第３辺Ｈ３および第４辺
Ｈ４とし、前記第１辺Ｈ１と前記第２辺Ｈ２が互いに対
辺であり、前記第３辺Ｈ３と前記第４辺Ｈ４が互いに対
辺であるとするとき、前記第１辺Ｈ１を第１インダクタ
１１と第１コンデンサ１２の直列回路とし、前記第１辺
Ｈ１の中央点ｍ１より一方側に前記第１インダクタ１１
を配置すると共に他方側に前記第１コンデンサ１２を配
置し、前記第２辺Ｈ２を第２コンデンサ２１と第２イン
ダクタ２２の直列回路とし、前記第２辺Ｈ２の中央点ｍ
２より一方側に前記第２コンデンサ２１を配置すると共
に他方側に前記第２インダクタ２２を配置し、前記第３
辺Ｈ３を前記第１辺Ｈ１の一方端と前記第２辺Ｈ２の一
方端を接続する導体とし、前記第４辺Ｈ４を前記第１辺
Ｈ１の他方端と前記第２辺Ｈ２の他方端を接続する導体
とし、前記長方形が前記第１辺Ｈ１側と前記第２辺Ｈ２
側とに２等分されるような幾何学的配置で前記第３辺Ｈ
３の中央点ｍ３と前記第４辺Ｈ４の中央点ｍ４の間にダ
イオード回路３１を接続し、前記長方形が前記第３辺Ｈ
３側と前記第４辺Ｈ４側とに２等分されるような幾何学
的配置で前記第１辺の中央点ｍ１の近傍まで前記第２辺
Ｈ２の中央点ｍ２からリード導体Ａを配設し、前記第１
辺Ｈ１の中央点ｍ１およびその近傍の前記リード導体Ａ
の端点から受信コイル１のデカップリング部２へ配線を
引き出す構成である。
【００１０】次に、動作を説明する。被検体にＲＦパル
スを送信する時は、バイアス切換スイッチ６を図１の実
線のように切り換える。すると、ダイオードスイッチ４
は、受信コイル用バラン３と低インピーダンスアンプ５
を遮断する。また、ダイオードスイッチ４から第２イン
ダクタ２２を介してデカップリング部２のダイオードの
アノードに正電圧＋が印加され、ダイオードスイッチ４
から第１インダクタ１１を介してデカップリング部２の
ダイオードのカソードに負電圧−が印加され、デカップ
リング部２のダイオードが導通し、図２に示す等価回路
のように、デカップリング部２に並列共振回路が形成さ
れる。この並列共振回路は、ＲＦパルスの周波数に共振
するため、ＲＦパルスに対する受信コイル１のインピー
ダンスが極めて大きくなる。従って、ＲＦパルスにより
受信コイル１に誘導電流が流れることが防止される。
スを送信する時は、バイアス切換スイッチ６を図１の実
線のように切り換える。すると、ダイオードスイッチ４
は、受信コイル用バラン３と低インピーダンスアンプ５
を遮断する。また、ダイオードスイッチ４から第２イン
ダクタ２２を介してデカップリング部２のダイオードの
アノードに正電圧＋が印加され、ダイオードスイッチ４
から第１インダクタ１１を介してデカップリング部２の
ダイオードのカソードに負電圧−が印加され、デカップ
リング部２のダイオードが導通し、図２に示す等価回路
のように、デカップリング部２に並列共振回路が形成さ
れる。この並列共振回路は、ＲＦパルスの周波数に共振
するため、ＲＦパルスに対する受信コイル１のインピー
ダンスが極めて大きくなる。従って、ＲＦパルスにより
受信コイル１に誘導電流が流れることが防止される。
【００１１】また、ダイオードスイッチ４からダイオー
ド回路３１のアノード側に正電圧＋が印加され、ダイオ
ードスイッチ４からダイオード回路３１のカソード側に
負電圧−が印加され、ダイオード回路３１が導通し、図
２に示す等価回路のように、第３辺Ｈ３の中央点ｍ３と
第４辺Ｈ４の中央点ｍ４が短絡される。そこで、図３に
示すように、長方形が４つの面積の等しい小長方形ａ，
ｂ，ｃ，ｄに４分割され、互いに対角の位置にある小長
方形ａとｂが８の字形に導体で連続すると共に小長方形
ｃとｄが８の字形に導体で連続することになる。この８
の字形に導体で連続している結果、互いに対角の位置に
ある小長方形ａとｂでＲＦパルスによりそれぞれ誘導さ
れた起電力は互いに逆向きに加わることになる。また、
互いに対角の位置にある小長方形ｃとｄでＲＦパルスに
よりそれぞれ誘導された起電力は互いに逆向きに加わる
ことになる。このため、誘導電流は流れない。すなわ
ち、誘導された起電力で大電流が流れてしまうことが防
止される。
ド回路３１のアノード側に正電圧＋が印加され、ダイオ
ードスイッチ４からダイオード回路３１のカソード側に
負電圧−が印加され、ダイオード回路３１が導通し、図
２に示す等価回路のように、第３辺Ｈ３の中央点ｍ３と
第４辺Ｈ４の中央点ｍ４が短絡される。そこで、図３に
示すように、長方形が４つの面積の等しい小長方形ａ，
ｂ，ｃ，ｄに４分割され、互いに対角の位置にある小長
方形ａとｂが８の字形に導体で連続すると共に小長方形
ｃとｄが８の字形に導体で連続することになる。この８
の字形に導体で連続している結果、互いに対角の位置に
ある小長方形ａとｂでＲＦパルスによりそれぞれ誘導さ
れた起電力は互いに逆向きに加わることになる。また、
互いに対角の位置にある小長方形ｃとｄでＲＦパルスに
よりそれぞれ誘導された起電力は互いに逆向きに加わる
ことになる。このため、誘導電流は流れない。すなわ
ち、誘導された起電力で大電流が流れてしまうことが防
止される。
【００１２】被検体からのＮＭＲ信号を受信する時は、
バイアス切換スイッチ６を図１の破線のように切り換え
る。すると、ダイオードスイッチ４は、受信コイル用バ
ラン３と低インピーダンスアンプ５を接続する。また、
ダイオードスイッチ４から第１インダクタ１１を介して
デカップリング部２のダイオードのカソードに正電圧＋
が印加され、ダイオードスイッチ４から第２インダクタ
２２を介してデカップリング部２のダイオードのアノー
ドに負電圧−が印加され、デカップリング部２のダイオ
ードが遮断し、図４に示す等価回路のように、デカップ
リング部２に並列共振回路が形成されなくなる。また、
ダイオードスイッチ４からダイオード回路３１のアノー
ド側に負電圧−が印加され、ダイオードスイッチ４から
ダイオード回路３１のカソード側に正電圧＋が印加さ
れ、ダイオード回路３１が遮断し、図４に示す等価回路
のように、ダイオード回路３１が存在しないことにな
る。従って、ＲＦパルスにより受信コイル１に誘導電流
が流れ、その誘導電流が受信用バラン３を介して低イン
ピーダンスアンプ５で検出される。
バイアス切換スイッチ６を図１の破線のように切り換え
る。すると、ダイオードスイッチ４は、受信コイル用バ
ラン３と低インピーダンスアンプ５を接続する。また、
ダイオードスイッチ４から第１インダクタ１１を介して
デカップリング部２のダイオードのカソードに正電圧＋
が印加され、ダイオードスイッチ４から第２インダクタ
２２を介してデカップリング部２のダイオードのアノー
ドに負電圧−が印加され、デカップリング部２のダイオ
ードが遮断し、図４に示す等価回路のように、デカップ
リング部２に並列共振回路が形成されなくなる。また、
ダイオードスイッチ４からダイオード回路３１のアノー
ド側に負電圧−が印加され、ダイオードスイッチ４から
ダイオード回路３１のカソード側に正電圧＋が印加さ
れ、ダイオード回路３１が遮断し、図４に示す等価回路
のように、ダイオード回路３１が存在しないことにな
る。従って、ＲＦパルスにより受信コイル１に誘導電流
が流れ、その誘導電流が受信用バラン３を介して低イン
ピーダンスアンプ５で検出される。
【００１３】上記受信コイル用バラン３によれば、ＲＦ
パルスにより誘導された起電力で大電流が流れてしまう
ことを防止でき、ＲＦパルスの照射量の多いＭＲＩシー
ケンスでもコンデンサ１２，２１などが損傷することが
なくなる。また、デカップリング部２のダイオードの導
通，遮断を制御するための構成（バイアス切換スイッチ
６など）を利用してダイオード回路３１の導通，遮断を
制御できる利点もある。
パルスにより誘導された起電力で大電流が流れてしまう
ことを防止でき、ＲＦパルスの照射量の多いＭＲＩシー
ケンスでもコンデンサ１２，２１などが損傷することが
なくなる。また、デカップリング部２のダイオードの導
通，遮断を制御するための構成（バイアス切換スイッチ
６など）を利用してダイオード回路３１の導通，遮断を
制御できる利点もある。
【００１４】
【発明の効果】本発明の受信コイル用バランによれば、
誘導された起電力で大電流が流れてしまうことを防止で
きる。従って、ＲＦパルスの照射量の多いＭＲＩシーケ
ンスでも回路素子が損傷することがなくなる。
誘導された起電力で大電流が流れてしまうことを防止で
きる。従って、ＲＦパルスの照射量の多いＭＲＩシーケ
ンスでも回路素子が損傷することがなくなる。
【図１】本発明の一実施形態にかかる受信コイル用バラ
ンを含む、ＭＲＩ装置のフェーズアレイ型受信回路を示
す回路図である。
ンを含む、ＭＲＩ装置のフェーズアレイ型受信回路を示
す回路図である。
【図２】ＲＦパルス送信時における図１のデカップリン
グ部と受信コイル用バランの等価回路図である。
グ部と受信コイル用バランの等価回路図である。
【図３】本発明の受信コイル用バランの動作原理の説明
図である。
図である。
【図４】ＮＭＲ信号受信時における図１のデカップリン
グ部と受信コイル用バランの等価回路図である。
グ部と受信コイル用バランの等価回路図である。
【図５】従来の受信コイル用バランの一例を含む、ＭＲ
Ｉ装置のフェーズアレイ型受信回路を示す回路図であ
る。
Ｉ装置のフェーズアレイ型受信回路を示す回路図であ
る。
【図６】（ａ）はＲＦパルス送信時における図５のデカ
ップリング部と受信コイル用バランの等価回路図であ
り、（ｂ）はＮＭＲ信号受信時における図５のデカップ
リング部と受信コイル用バランの等価回路図である。
ップリング部と受信コイル用バランの等価回路図であ
り、（ｂ）はＮＭＲ信号受信時における図５のデカップ
リング部と受信コイル用バランの等価回路図である。
【図７】従来の受信コイル用バランの動作原理の説明図
である。
である。
１ 受信用コイル ２ デカップリング回路 ３ 受信コイル用バラン １１ 第１インダクタ １２ 第１コンデンサ ２１ 第２コンデンサ ２２ 第２インダクタ ３１ ダイオード回路 Ｈ１ 第１辺 Ｈ２ 第２辺 Ｈ３ 第３辺 Ｈ４ 第４辺
Claims (1)
- 【請求項１】 長方形の４辺を第１辺，第２辺，第３辺
および第４辺とし、前記第１辺と前記第２辺が互いに対
辺であり、前記第３辺と前記第４辺が互いに対辺である
とするとき、 前記第１辺を第１インダクタと第１コンデンサの直列回
路とし、前記第１辺の中央点より一方側に前記第１イン
ダクタを配置すると共に他方側に前記第１コンデンサを
配置し、 前記第２辺を第２コンデンサと第２インダクタの直列回
路とし、前記第２辺の中央点より一方側に前記第２コン
デンサを配置すると共に他方側に前記第２インダクタを
配置し、 前記第３辺を前記第１辺の一方側端と前記第２辺の一方
側端を接続する導体とし、 前記第４辺を前記第１辺の他方側端と前記第２辺の他方
側端を接続する導体とし、 前記長方形が前記第１辺側と前記第２辺側とに２等分さ
れるような幾何学的配置で前記第３辺の中央点と第４辺
の中央点の間にダイオード回路を接続し、 前記長方形が前記第３辺側と前記第４辺側とに２等分さ
れるような幾何学的配置で前記第１辺の中央点の近傍ま
で前記第２辺の中央点からリード導体を配設し、前記第
１辺の中央点およびその近傍の前記リード導体の端点か
ら受信コイルのデカップリング部へ配線を引き出すよう
にしたことを特徴とする受信コイル用バラン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23099397A JP3703948B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 受信コイル用バラン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23099397A JP3703948B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 受信コイル用バラン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1156812A true JPH1156812A (ja) | 1999-03-02 |
| JP3703948B2 JP3703948B2 (ja) | 2005-10-05 |
Family
ID=16916560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23099397A Expired - Fee Related JP3703948B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 受信コイル用バラン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3703948B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1085338A1 (en) * | 1999-09-17 | 2001-03-21 | Marconi Medical Systems, Inc. | Magnetic resonance apparatus |
| WO2003044552A2 (en) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Koninklijke Philips Electronics Nv | Multi-channel rf cable trap for magnetic resonance apparatus |
| JP2010081166A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Panasonic Electric Works Co Ltd | アンテナ装置 |
| JP2011056247A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 磁気共鳴イメージング装置 |
| JP2011251118A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Quality Electrodynamics Llc | Ｒｆコイルアセンブリ、その保護方法および磁気共鳴イメージングシステム |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10877115B2 (en) * | 2018-09-12 | 2020-12-29 | General Electric Company | Systems and methods for a radio frequency coil for MR imaging |
-
1997
- 1997-08-27 JP JP23099397A patent/JP3703948B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1085338A1 (en) * | 1999-09-17 | 2001-03-21 | Marconi Medical Systems, Inc. | Magnetic resonance apparatus |
| US6320385B1 (en) | 1999-09-17 | 2001-11-20 | Picker International, Inc. | Multi-channel balun for magnetic resonance apparatus |
| WO2003044552A2 (en) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Koninklijke Philips Electronics Nv | Multi-channel rf cable trap for magnetic resonance apparatus |
| WO2003044552A3 (en) * | 2001-11-20 | 2003-12-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Multi-channel rf cable trap for magnetic resonance apparatus |
| JP2010081166A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Panasonic Electric Works Co Ltd | アンテナ装置 |
| JP2011056247A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 磁気共鳴イメージング装置 |
| US8922213B2 (en) | 2009-08-12 | 2014-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic resonance imaging apparatus |
| JP2011251118A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Quality Electrodynamics Llc | Ｒｆコイルアセンブリ、その保護方法および磁気共鳴イメージングシステム |
| US9157972B2 (en) | 2010-06-01 | 2015-10-13 | Quality Electrodynamics, Llc | Failsafe protection from induced RF current for MRI RF coil assembly having transmit functionality |
| US9366737B2 (en) | 2010-06-01 | 2016-06-14 | Quality Electrodynamics, Llc | Failsafe protection from induced RF current for MRI RF coil assembly having transmit functionality |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3703948B2 (ja) | 2005-10-05 |
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