JPH1154399A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH1154399A JPH1154399A JP20576597A JP20576597A JPH1154399A JP H1154399 A JPH1154399 A JP H1154399A JP 20576597 A JP20576597 A JP 20576597A JP 20576597 A JP20576597 A JP 20576597A JP H1154399 A JPH1154399 A JP H1154399A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- manufacturing
- lens
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- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体集積回路の周辺回路部とセル部のように
高さの差のある複数の平面に投影レンズの焦点深度内で
良好なマスクパターンを結像すること。 【解決手段】周辺回路部のように低い平面に結像する回
折型レンズとセル部のように高い平面に結像する通常の
開口パターンを有する転写用マスクを用いて半導体製造
装置回路パターンの転写を行う。また、両パターンの結
像平面内での露光強度の違いを補正するため開口パター
ンに吸光性膜を付加する。
高さの差のある複数の平面に投影レンズの焦点深度内で
良好なマスクパターンを結像すること。 【解決手段】周辺回路部のように低い平面に結像する回
折型レンズとセル部のように高い平面に結像する通常の
開口パターンを有する転写用マスクを用いて半導体製造
装置回路パターンの転写を行う。また、両パターンの結
像平面内での露光強度の違いを補正するため開口パター
ンに吸光性膜を付加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、本発明は半導体装
置の製造方法に関し、特に半導体装置の回路パターン転
写用マスクに関する。
置の製造方法に関し、特に半導体装置の回路パターン転
写用マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造にはマスク上の回
路パターンを縮小レンズを介してフォトレジストの塗布
されたウエーハ上に投影露光し、さらに現像後エッチン
グを行うことにより回路パターンを形成するフォトリソ
グラフィの方法が使用されている。半導体デバイスのDR
AM(Dynamic Random Access Memory)は、１、０のビット
情報をキャパシタに蓄えるセル部とこのビット情報の書
き込み、読み出しを行う周辺回路部からなる。高さ方向
に膜を積み上げて作るスタック型キャパシタをもつDRAM
の場合、セル部は高さ方向でキャパシタの容量を稼ぐた
め、周辺回路部と比べて１μｍ以上高くなっている。図
７に示すように、セル部３１と周辺回路部３２を接続す
るためには、それぞれの上部にコンタクトホール３１
１、３２１をあけ、そこに導通材を充填することによっ
て高さ方向の接続部を形成し、この接続部の上に配線部
３４０を形成する。
路パターンを縮小レンズを介してフォトレジストの塗布
されたウエーハ上に投影露光し、さらに現像後エッチン
グを行うことにより回路パターンを形成するフォトリソ
グラフィの方法が使用されている。半導体デバイスのDR
AM(Dynamic Random Access Memory)は、１、０のビット
情報をキャパシタに蓄えるセル部とこのビット情報の書
き込み、読み出しを行う周辺回路部からなる。高さ方向
に膜を積み上げて作るスタック型キャパシタをもつDRAM
の場合、セル部は高さ方向でキャパシタの容量を稼ぐた
め、周辺回路部と比べて１μｍ以上高くなっている。図
７に示すように、セル部３１と周辺回路部３２を接続す
るためには、それぞれの上部にコンタクトホール３１
１、３２１をあけ、そこに導通材を充填することによっ
て高さ方向の接続部を形成し、この接続部の上に配線部
３４０を形成する。
【０００３】コンタクトホール３１１、３２１は図８に
示すようにシリコン基板３００上にキャパシタ３０１、
酸化膜３３０の形成後フォトレジスト３５０を塗布し、
ここにマスク１上のにコンタクトホールパターン１１、
１２を転写、現像、エッチングを行うことにより形成さ
れる。実際にはコンタクトホールパターン１１、１２は
マスクパターン描画の効率化のため四角形状が用いられ
る。
示すようにシリコン基板３００上にキャパシタ３０１、
酸化膜３３０の形成後フォトレジスト３５０を塗布し、
ここにマスク１上のにコンタクトホールパターン１１、
１２を転写、現像、エッチングを行うことにより形成さ
れる。実際にはコンタクトホールパターン１１、１２は
マスクパターン描画の効率化のため四角形状が用いられ
る。
【０００４】投影レンズ２の焦点の合う範囲（焦点深
度）は一般に（数１）で与えられる。
度）は一般に（数１）で与えられる。
【０００５】
【数１】
【０００６】ここで、λは露光光の波長、NAは投影レン
ズの開口数である。例えば、λ=0.365μｍ、NA=0.6とす
ると、焦点深度Z0=1.2μｍとなる。実際には投影レンズ
２の収差やフォトレジスト３５０の感光特性から実効的
な焦点深度は１μｍ程度になる。従って、コンタクトホ
ールパターン１１、１２の転写時、段差１μｍ以上の位
置にある２つのコンタクトホール３１１、３２１を同時
に転写することは困難である。
ズの開口数である。例えば、λ=0.365μｍ、NA=0.6とす
ると、焦点深度Z0=1.2μｍとなる。実際には投影レンズ
２の収差やフォトレジスト３５０の感光特性から実効的
な焦点深度は１μｍ程度になる。従って、コンタクトホ
ールパターン１１、１２の転写時、段差１μｍ以上の位
置にある２つのコンタクトホール３１１、３２１を同時
に転写することは困難である。
【０００７】そこで、特開昭63-47926号公報のように、
まず、周辺回路部のコンタクトホールパターン１２を遮
光板で隠した後セル部のコンタクトホールパターン１１
を露光し、次に周辺回路部３２のフォトレジスト３５０
の上面が焦点深度内に入るようにシリコン基板３００を
上昇させた後、セル部のコンタクトホールパターン１１
を遮光、周辺回路部のコンタクトホールパターン１２を
転写する方法が開示されている。
まず、周辺回路部のコンタクトホールパターン１２を遮
光板で隠した後セル部のコンタクトホールパターン１１
を露光し、次に周辺回路部３２のフォトレジスト３５０
の上面が焦点深度内に入るようにシリコン基板３００を
上昇させた後、セル部のコンタクトホールパターン１１
を遮光、周辺回路部のコンタクトホールパターン１２を
転写する方法が開示されている。
【０００８】また、最近は、図９に示すように酸化膜３
３１の上面をセル部３１と周辺回路部３２で揃え、コン
タクトホール３１１、３２１表面の段差をなくすような
加工方法が開発されている。このような加工は酸化膜３
３１の形成後、上面を化学的機械研磨（Chemical Mecha
nical Polishing、以下CMPと略す。)することによって
実現される。
３１の上面をセル部３１と周辺回路部３２で揃え、コン
タクトホール３１１、３２１表面の段差をなくすような
加工方法が開発されている。このような加工は酸化膜３
３１の形成後、上面を化学的機械研磨（Chemical Mecha
nical Polishing、以下CMPと略す。)することによって
実現される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述前者の
コンタクトホールパターン１１、１２をそれぞれ遮光し
て２回露光する方法はスループットが遅くなり、また遮
光板の出し入れによってゴミが発生する問題がある。
コンタクトホールパターン１１、１２をそれぞれ遮光し
て２回露光する方法はスループットが遅くなり、また遮
光板の出し入れによってゴミが発生する問題がある。
【００１０】一方、上述後者のようにCMPにより酸化膜
の上面を平坦化した場合、コンタクトホールの深さに着
目すると、セル部３１では浅く、周辺回路部３２では深
くなる。コンタクトホールの穴加工はエッチングにより
行われる。コンタクトホールが深くなると、例えば「半
導体研究４１、1995、頁２２６」に記載のようにシリコ
ン基板のドライエッチダメージやシリコン表面の炭素な
どの汚染によるコンタクト抵抗の上昇といった、エッチ
ングで加工する上での問題が生じる。
の上面を平坦化した場合、コンタクトホールの深さに着
目すると、セル部３１では浅く、周辺回路部３２では深
くなる。コンタクトホールの穴加工はエッチングにより
行われる。コンタクトホールが深くなると、例えば「半
導体研究４１、1995、頁２２６」に記載のようにシリコ
ン基板のドライエッチダメージやシリコン表面の炭素な
どの汚染によるコンタクト抵抗の上昇といった、エッチ
ングで加工する上での問題が生じる。
【００１１】本発明の目的は回路パターン転写における
焦点深度の問題を解決し、深いコンタクトホールのエッ
チング加工を必要としない半導体集積回路装置の製造方
法を提供することにある。
焦点深度の問題を解決し、深いコンタクトホールのエッ
チング加工を必要としない半導体集積回路装置の製造方
法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、以下の
とおりである。すなわち、本発明による半導体集積回路
装置の製造方法は回路パターン転写用マスクに回折型レ
ンズのような結像作用のあるパターンを含むマスクを使
用するものである。これによりセル部と周辺回路部で段
差のある場合も、低い周辺回路部に対してはマスクの結
像パターンによりパターンの結像位置を部分的に下げる
ことが可能となり、高いセル部、低い周辺回路部とも良
好にパターンを結像することが可能になる。
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、以下の
とおりである。すなわち、本発明による半導体集積回路
装置の製造方法は回路パターン転写用マスクに回折型レ
ンズのような結像作用のあるパターンを含むマスクを使
用するものである。これによりセル部と周辺回路部で段
差のある場合も、低い周辺回路部に対してはマスクの結
像パターンによりパターンの結像位置を部分的に下げる
ことが可能となり、高いセル部、低い周辺回路部とも良
好にパターンを結像することが可能になる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１を用いて本実施形態の半導体
集積回路装置の製造方法について説明する。
集積回路装置の製造方法について説明する。
【００１４】まず、照明光学系４を出射した照明光４０
０はマスク５に入射する。マスク５にはセル部３１に対
応する位置に開口パターン５１、周辺回路部３２に対応
する位置に回折型レンズパターン５２が描画されてい
る。開口パターン５１を出射した光４１０は、投影レン
ズ２を介しセル部３１上のコンタクトホール部３１０に
開口パターン５１が結像される。
０はマスク５に入射する。マスク５にはセル部３１に対
応する位置に開口パターン５１、周辺回路部３２に対応
する位置に回折型レンズパターン５２が描画されてい
る。開口パターン５１を出射した光４１０は、投影レン
ズ２を介しセル部３１上のコンタクトホール部３１０に
開口パターン５１が結像される。
【００１５】一方、回折型レンズ５２を出射した光４２
０はマスク１２の下の結像点Aで一旦結像された後、投
影レンズ２を介して周辺回路部３２上のコンタクトホー
ル部３２０に結像点Ａが結像される。結像点Ａとマスク
１２の距離fはセル部３１と周辺回路部３２の段差Ｚに
対応して決められる。ここで投影レンズ２の投影倍率を
M（例えば1/5）とするとfとＺの関係は次式で表すこと
ができる。
０はマスク１２の下の結像点Aで一旦結像された後、投
影レンズ２を介して周辺回路部３２上のコンタクトホー
ル部３２０に結像点Ａが結像される。結像点Ａとマスク
１２の距離fはセル部３１と周辺回路部３２の段差Ｚに
対応して決められる。ここで投影レンズ２の投影倍率を
M（例えば1/5）とするとfとＺの関係は次式で表すこと
ができる。
【００１６】
【数２】
【００１７】回折型レンズ５２の焦点距離は距離fと等
しくなるよう設計する。
しくなるよう設計する。
【００１８】回折型レンズ５２の設計方法を図２
（ａ），（ｂ）を参照し説明する。回折型レンズ５２は
同心円上の透明薄膜パターンから成り、パターンピッチ
は周辺になるほど細かくなる。回折型レンズ５２の表面
形状d(r)は（数２）で表すことができる。
（ａ），（ｂ）を参照し説明する。回折型レンズ５２は
同心円上の透明薄膜パターンから成り、パターンピッチ
は周辺になるほど細かくなる。回折型レンズ５２の表面
形状d(r)は（数２）で表すことができる。
【００１９】
【数３】
【００２０】ここに、rは中心からの距離、λは照明光
の波長、fは回折型レンズの焦点距離、dmaxは回折型レ
ンズ５２の最大厚さであり、回折型レンズ５２の屈折率
をnとすると
の波長、fは回折型レンズの焦点距離、dmaxは回折型レ
ンズ５２の最大厚さであり、回折型レンズ５２の屈折率
をnとすると
【００２１】
【数４】
【００２２】で表すことができる。また、mは０以上の
整数であり、（数４）を満たす。
整数であり、（数４）を満たす。
【００２３】
【数５】
【００２４】ただし、Rは回折型レンズ５２の最大半径
であり、投影レンズ２の開口率をNAとすると投影レンズ
２の倍率Mおよび回折型レンズ焦点距離fを用いて
であり、投影レンズ２の開口率をNAとすると投影レンズ
２の倍率Mおよび回折型レンズ焦点距離fを用いて
【００２５】
【数６】
【００２６】を満たすように決定することができる。ま
た、回折型レンズ５２の最も細かくなる最外周ピッチΔ
Ｒは
た、回折型レンズ５２の最も細かくなる最外周ピッチΔ
Ｒは
【００２７】
【数７】
【００２８】で表すことができる。例えば、照明光の波
長λを365nm、投影レンズ２のNAを0.5、投影倍率Mを1/5
とするとΔR=3.65μｍとなる。
長λを365nm、投影レンズ２のNAを0.5、投影倍率Mを1/5
とするとΔR=3.65μｍとなる。
【００２９】実用上は（数２）で示す放物線形状は製作
が困難なので、形状を階段形状で近似する。
が困難なので、形状を階段形状で近似する。
【００３０】図３に４段で近似した場合の回折型レンズ
５２の製作方法を示す。まず、ステップ１により半導体
のリソグラフィプロセスと同様に耐エッチング性の感光
剤（フォトレジスト）の塗布されたシリコン基板６１上
に第１のマスク５６１のパターンを転写、現像後エッチ
ングする。
５２の製作方法を示す。まず、ステップ１により半導体
のリソグラフィプロセスと同様に耐エッチング性の感光
剤（フォトレジスト）の塗布されたシリコン基板６１上
に第１のマスク５６１のパターンを転写、現像後エッチ
ングする。
【００３１】次にステップ２で第２のマスク５６２のパ
ターンを用いステップ１と同様のプロセスにより４段の
階段状の表面形状をもつシリコンマスタ６２を製作す
る。
ターンを用いステップ１と同様のプロセスにより４段の
階段状の表面形状をもつシリコンマスタ６２を製作す
る。
【００３２】ステップ３により、化学反応あるいは、ス
パッッタリングのような物理的方法でシリコンマスタ６
２の表面に、例えば金や銀等の導電性薄膜６２１を形成
する。
パッッタリングのような物理的方法でシリコンマスタ６
２の表面に、例えば金や銀等の導電性薄膜６２１を形成
する。
【００３３】ステップ４では導電性膜６２１の上に例え
ばニッケルのような金属を電気めっきにより堆積させ、
金型６３を形成する。金型６３は導電性膜６２１および
シリコンマスタ６２から離型される。
ばニッケルのような金属を電気めっきにより堆積させ、
金型６３を形成する。金型６３は導電性膜６２１および
シリコンマスタ６２から離型される。
【００３４】ステップ５では、金型６３とマスク５の間
に紫外線硬化樹脂５２０を封入し、マスク５側から紫外
線を一定時間照射し、紫外線硬化樹脂５２を硬化させ
る。
に紫外線硬化樹脂５２０を封入し、マスク５側から紫外
線を一定時間照射し、紫外線硬化樹脂５２を硬化させ
る。
【００３５】最後にステップ６で紫外線硬化樹脂５２０
を金型６３から離型し、回折型レンズ５２がマスク５上
に得られる。
を金型６３から離型し、回折型レンズ５２がマスク５上
に得られる。
【００３６】一般にｋ段で近似した場合、焦点に集光さ
れる光の利用効率ηは（数６）で表される。
れる光の利用効率ηは（数６）で表される。
【００３７】
【数８】
【００３８】例えば、４段で近似した場合は８１％とな
るが、使用するマスク数を３枚、４枚と増やすと８段近
似、１６段近似の形状が得られ、この時の光の利用効率
ηはそれぞれ、９５％、９９％へと増加させることがで
きる。
るが、使用するマスク数を３枚、４枚と増やすと８段近
似、１６段近似の形状が得られ、この時の光の利用効率
ηはそれぞれ、９５％、９９％へと増加させることがで
きる。
【００３９】また、k段近似の場合のそれぞれの段差の
中心からの距離（半径）をrとするとrと回折型レンズ厚
さdの対応は（数８）のようになる。
中心からの距離（半径）をrとするとrと回折型レンズ厚
さdの対応は（数８）のようになる。
【００４０】
【数９】
【００４１】回折型レンズ５２の製作上は図４（ａ），
（ｂ）に示すようにk=1の１段での回折型レンズが最も
作りやすい。この場合回折型レンズは１段の透明薄膜で
形成される。また、製造方法は図３の４段近似の回折型
レンズとは異なり、リソグラフィプロセスだけで可能に
なるため製造が簡単になる。図５に製造プロセスを示
す。
（ｂ）に示すようにk=1の１段での回折型レンズが最も
作りやすい。この場合回折型レンズは１段の透明薄膜で
形成される。また、製造方法は図３の４段近似の回折型
レンズとは異なり、リソグラフィプロセスだけで可能に
なるため製造が簡単になる。図５に製造プロセスを示
す。
【００４２】まず、ステップ１１で透明薄膜５３１を塗
布する。
布する。
【００４３】次にステップ１２でフォトレジスト５３２
を塗布し、マスク５６３のパターンをフォトレジスト５
３２上に投影、感光し、現像により感光部を除去する。
を塗布し、マスク５６３のパターンをフォトレジスト５
３２上に投影、感光し、現像により感光部を除去する。
【００４４】さらに、ステップ１３でフォトレジスト５
３２をマスクにエッチングを行う。
３２をマスクにエッチングを行う。
【００４５】最後にステップ１４でフォトレジスト５３
２を除去し、１段の回折型レンズ５３を得る。
２を除去し、１段の回折型レンズ５３を得る。
【００４６】k=1の１段パターンの場合は（数７）によ
り光の利用効率ηは41％となる。従って図１の開口部５
１により露光されるセル部３１のコンタクトホール部３
１０に比べて、回折型レンズ５３によって露光される周
辺部３２のコンタクトホール部３２０での露光強度が小
さくなる。そこで、セル部３１と周辺部３２で露光強度
が等しくなるように、開口部５１に吸光性の薄膜をつけ
る。この吸光性薄膜をつけるための製造プロセスを図６
に示す。
り光の利用効率ηは41％となる。従って図１の開口部５
１により露光されるセル部３１のコンタクトホール部３
１０に比べて、回折型レンズ５３によって露光される周
辺部３２のコンタクトホール部３２０での露光強度が小
さくなる。そこで、セル部３１と周辺部３２で露光強度
が等しくなるように、開口部５１に吸光性の薄膜をつけ
る。この吸光性薄膜をつけるための製造プロセスを図６
に示す。
【００４７】まず、ステップ２１によりマスク５上に吸
光性薄膜５４１、およびフォトレジスト５３２を塗布
し、マスク５６４のパターンをフォトレジスト５３２上
に投影、感光し、現像により感光部を除去する。吸光性
薄膜５４１の厚さは、セル部３１と周辺部３２で露光強
度が等しくなるように設定する。
光性薄膜５４１、およびフォトレジスト５３２を塗布
し、マスク５６４のパターンをフォトレジスト５３２上
に投影、感光し、現像により感光部を除去する。吸光性
薄膜５４１の厚さは、セル部３１と周辺部３２で露光強
度が等しくなるように設定する。
【００４８】次に、ステップ２２でフォトレジスト５３
２をマスクにエッチングを行う。
２をマスクにエッチングを行う。
【００４９】さらに、ステップ２３でフォトレジスト５
３２を除去し、吸光パターン５１１を得る。
３２を除去し、吸光パターン５１１を得る。
【００５０】この後ステップ２４で図５に示した製造プ
ロセスにより、回折型レンズ５３を形成する。
ロセスにより、回折型レンズ５３を形成する。
【００５１】以上の方法により、図２の開口部５１で露
光されるセル部３１と回折型レンズ５３で露光される周
辺部３２の露光強度を等しくさせることが可能になる。
光されるセル部３１と回折型レンズ５３で露光される周
辺部３２の露光強度を等しくさせることが可能になる。
【００５２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００５３】本発明の半導体集積回路装置の製造方法を
用いれば、回折型レンズを有する転写用マスクで露光す
ることにより、高さの異なる平面をもつ基板上のそれぞ
れの平面に対し、投影レンズの焦点深度内で良好なパタ
ーンを転写することができる。
用いれば、回折型レンズを有する転写用マスクで露光す
ることにより、高さの異なる平面をもつ基板上のそれぞ
れの平面に対し、投影レンズの焦点深度内で良好なパタ
ーンを転写することができる。
【００５４】また、本発明の１段回折型レンズと吸光膜
付き開口部を有する転写用マスクは、多段近似の回折型
レンズを有する転写用マスクに比べて比較的簡単なプロ
セスで製作することが可能である。
付き開口部を有する転写用マスクは、多段近似の回折型
レンズを有する転写用マスクに比べて比較的簡単なプロ
セスで製作することが可能である。
【図１】本発明の実施例である段差を有する基板へのパ
ターン転写方法を説明する図。
ターン転写方法を説明する図。
【図２】本発明で使用する回折型レンズを説明する図。
【図３】本発明の４段近似型回折型レンズを有するマス
クの製作方法を説明する図。
クの製作方法を説明する図。
【図４】本発明で使用する１段回折型レンズを説明する
図。
図。
【図５】本発明で使用する１段回折型レンズの製作方法
を説明する図。
を説明する図。
【図６】本発明の、開口部に吸光性薄膜を有するマスク
の製作方法を説明する図。
の製作方法を説明する図。
【図７】半導体デバイスのセル部と周辺回路部の段差を
説明する図。
説明する図。
【図８】従来のパターン転写方法で段差部を有する基板
への転写を行う上での問題点を説明する図。
への転写を行う上での問題点を説明する図。
【図９】CMPによって平坦化された半導体デバイスにお
ける問題点を説明する図。
ける問題点を説明する図。
１…従来の転写パターンマスク、 １１…コンタクト
ホールパターン、２…投影レンズ、 ３１…セル
部、 ３２…周辺回路部、３００…シリコン基
板、 ３０１…キャパシタ部、３１１…コンタクトホ
ール、３２１…コンタクトホール、３３０…酸化膜、
３３１…酸化膜、 ３４０…配線部、３
５０…フォトレジスト、 ５…マスク、
５１…開口パターン、５２…回折型レンズ、 ５３
…１段の回折型レンズ、５１１…吸光膜、 ５
２０…紫外線硬化樹脂、５３１…透明薄膜、５３２…フ
ォトレジスト、 ５６１…第１のマスク、 ５６２…第
２のマスク、５６３…フォトレジスト、 ６１…シリ
コン基板、６２…シリコンマスタ、 ６２１…導電性
膜、 ６３…金型。
ホールパターン、２…投影レンズ、 ３１…セル
部、 ３２…周辺回路部、３００…シリコン基
板、 ３０１…キャパシタ部、３１１…コンタクトホ
ール、３２１…コンタクトホール、３３０…酸化膜、
３３１…酸化膜、 ３４０…配線部、３
５０…フォトレジスト、 ５…マスク、
５１…開口パターン、５２…回折型レンズ、 ５３
…１段の回折型レンズ、５１１…吸光膜、 ５
２０…紫外線硬化樹脂、５３１…透明薄膜、５３２…フ
ォトレジスト、 ５６１…第１のマスク、 ５６２…第
２のマスク、５６３…フォトレジスト、 ６１…シリ
コン基板、６２…シリコンマスタ、 ６２１…導電性
膜、 ６３…金型。
Claims (7)
- 【請求項１】高さの異なる複数平面をもつ半導体集積回
路装置において、該高さの差をZ、投影レンズの投影倍
率をMとした時、投影マスクからほぼZ/M2の位置に結像
する結像性要素を有する開口部と結像性を有さない開口
部をもつ転写用マスクにより露光することを特徴とする
半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項２】上記結像性要素は回折型レンズであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体集積回
路装置の製造方法。 - 【請求項３】上記回折型レンズは表面が鋸型の回折型レ
ンズであることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
の半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項４】上記回折型レンズは2のk乗（kは０以上の
整数）段の階段状の表面形状をもつことを特徴とする特
許請求の範囲第３項記載の半導体集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項５】上記結像性要素を有しない開口部が吸光膜
を具備することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項６】半導体集積回路転写用マスクの製造方法で
あって、複数または１枚のマスクを用いて階段状または
単一段差の表面形状をもつシリコンマスタを製作するシ
リコンマスタ製作工程と該シリコンマスタ上に導電性薄
膜を形成する導電性薄膜形成工程と該導電性薄膜上に金
型を形成する金型形成工程と該金型と紫外線硬化型樹脂
を用いてガラス基板上に回折型レンズを成形する回折型
レンズ形成工程からなることを特徴とする半導体集積回
路転写用マスクの製造方法。 - 【請求項７】半導体集積回路転写用マスクの製造方法で
あって、開口部に吸光性膜を付加する吸光性膜形成工程
と透明薄膜の回折型レンズを形成する回折型レンズ形成
工程からなることを特徴とする半導体集積回路転写用マ
スクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20576597A JPH1154399A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20576597A JPH1154399A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154399A true JPH1154399A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16512307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20576597A Pending JPH1154399A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154399A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100548534B1 (ko) * | 1999-04-22 | 2006-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 셀 프로 젝션 마스크 |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP20576597A patent/JPH1154399A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100548534B1 (ko) * | 1999-04-22 | 2006-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 셀 프로 젝션 마스크 |
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