JPH1154369A - Multilayered electronic component - Google Patents

Multilayered electronic component

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Publication number
JPH1154369A
JPH1154369A JP22002597A JP22002597A JPH1154369A JP H1154369 A JPH1154369 A JP H1154369A JP 22002597 A JP22002597 A JP 22002597A JP 22002597 A JP22002597 A JP 22002597A JP H1154369 A JPH1154369 A JP H1154369A
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JP
Japan
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capacitor
conductors
conductor
electronic component
margin
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Application number
JP22002597A
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Japanese (ja)
Inventor
Masanori Tomaru
昌典 渡丸
Yutaka Irisawa
裕 入沢
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Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
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Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayered electronic component which permits satisfac tory improvement in insulation property, even if the component is miniaturized. SOLUTION: A large margin MA of a capacitor conductor DA for input/ output electrodes 18, 20 is provided. A capacitor conductor DB is wide in the direction of input/output electrodes 18, 20, and provides a small margin for the input/output electrode 18, 20. Since the margin MA between the input/output electrodes 18, 20 and the capacitor conductor DA connected to a GND electrode 16 is large, the pressure resistance between them is improved and dielectric breakdown is reduced. Thus, a multilayered electronic component having a small size and a high capacitance can be obtained without causing deterioration in insulation resistance.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば積層型L
C複合部品や3端子コンデンサのような積層電子部品に
かかわり、更に具体的には、その端子電極における耐圧
性の改良に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to a multilayer electronic component such as a C composite component and a three-terminal capacitor, and more specifically relates to improvement of the withstand voltage of the terminal electrode.

【0002】[0002]

【背景技術】積層電子部品,例えば積層型LC複合部品
の一例を示すと、図6(A)に示すような積層構造となっ
ている。この背景技術は、図6(D)に等価回路を示すよ
うに、いわゆるT型フィルタを構成するLC複合部品の
積層構造の例である。同図に示すように、上部の6層に
よってコンデンサ(キャパシタ)部10が構成されてお
り、下部の10層によってインダクタ(コイル)部12
が構成されている。コンデンサ部10を構成するシート
A1〜A6は例えば誘電体材料によって形成されてお
り、シートA2〜A5にはコンデンサ用導体が形成され
ている。一方、インダクタ部12を構成するシートB1
〜B10は例えば磁性体材料(磁性フェライトなど)に
よって形成されており、シートB2〜B9にはインダク
タ用導体が形成されている。コンデンサ部10とインダ
クタ部12の間には、異種接合材料としてシート14が
設けられている。以上の各シートを積層して成形,圧
着,焼成し、この積層体に外部引出用の端子電極を形成
することで積層型LC複合部品が得られる。
2. Description of the Related Art An example of a laminated electronic component, for example, a laminated LC composite component, has a laminated structure as shown in FIG. This background art is an example of a laminated structure of an LC composite component constituting a so-called T-type filter, as shown in an equivalent circuit in FIG. As shown in the figure, a capacitor (capacitor) section 10 is constituted by the upper six layers, and an inductor (coil) section 12 is constituted by the lower 10 layers.
Is configured. The sheets A1 to A6 forming the capacitor section 10 are formed of, for example, a dielectric material, and the sheets A2 to A5 are formed with capacitor conductors. On the other hand, sheet B1 forming inductor section 12
To B10 are made of, for example, a magnetic material (magnetic ferrite or the like), and inductors are formed on the sheets B2 to B9. A sheet 14 is provided between the capacitor section 10 and the inductor section 12 as a dissimilar joining material. Each of the above sheets is laminated, molded, pressed and fired, and a terminal electrode for external drawing is formed on the laminated body, whereby a laminated LC composite component is obtained.

【0003】コンデンサ部10について説明すると、シ
ートA1は保護層である。シートA2,A4には、一方
のコンデンサ用導体D1がそれぞれ形成されている。こ
れらのコンデンサ用導体D1は積層シートの前後辺側に
露出しており、図6(B)又は(C)に示すGND電極(側面
端子)16に接続されている。シートA3,A5には、
他方のコンデンサ用導体D2がそれぞれ形成されてい
る。これらのコンデンサ用導体D2は、略中央付近でバ
イアホールD3(接続線で表示)によって接続されてい
る。すなわち、上述したコンデンサ用導体D1の中央部
分に窓が設けられており、この部分を通過するバイアホ
ールD3によってコンデンサ用導体D2の上下が接続さ
れている。シートA6も保護層である。以上のコンデン
サ用導体D1,D2によって、図6(D)の等価回路に示
すコンデンサCが構成されている。
[0003] Describing the capacitor section 10, the sheet A1 is a protective layer. One of the capacitor conductors D1 is formed on each of the sheets A2 and A4. These capacitor conductors D1 are exposed on the front and rear sides of the laminated sheet, and are connected to the GND electrodes (side terminals) 16 shown in FIG. 6B or 6C. Sheets A3 and A5
The other capacitor conductors D2 are formed. These capacitor conductors D2 are connected by via holes D3 (indicated by connection lines) near the center. That is, a window is provided at the central portion of the above-described capacitor conductor D1, and the upper and lower portions of the capacitor conductor D2 are connected by a via hole D3 passing through this portion. Sheet A6 is also a protective layer. The capacitor C shown in the equivalent circuit of FIG. 6D is constituted by the capacitor conductors D1 and D2 described above.

【0004】次に、インダクタ部12を説明すると、シ
ートB1は保護層である。シートB2〜B9には、コイ
ル用導体が形成されている。シートB2には、略コ字状
のコイル用導体E1,F1が形成されている。これらの
コイル用導体E1,F1は略逆S字状に連続しており、
その接続部分が、シートA6,14,B1を貫通するバ
イアホールD3によってコンデンサ部10側に接続され
ている。
Next, the inductor portion 12 will be described. The sheet B1 is a protective layer. On the sheets B2 to B9, coil conductors are formed. A substantially U-shaped coil conductor E1, F1 is formed on the sheet B2. These coil conductors E1 and F1 are continuous in a substantially inverted S-shape.
The connection portion is connected to the capacitor section 10 via hole D3 penetrating the sheets A6, 14, B1.

【0005】シートB3には、略コ字状のコイル用導体
E2,F2が、反対側に開口が向くように形成されてい
る。そして、それらの一端は、バイアホールG1,H1
によってそれぞれコイル用導体E1,F1に接続されて
いる。同様に、次のシートB4には、略コ字状のコイル
用導体E3,F3が、開口が向くように形成されてい
る。そして、それらの一端は、バイアホールG2,H2
によってそれぞれコイル用導体E2,F2に接続されて
いる。以下のシートB5,B7には、シートB3と同様
のコイル用導体E2,F2がそれぞれ形成されている。
また、シートB6,B8には、シートB4と同様のコイ
ル用導体E3,F3が形成されている。シートB9に
は、略コ字状のパターンを左右辺側にそれぞれ延長露出
したコイル用導体E4,F4がそれぞれ形成されてい
る。ホール接続も、前記シートと同様である。最下層の
シートB10は保護層である。
[0005] A substantially U-shaped coil conductor E2, F2 is formed on the sheet B3 so that the opening faces the opposite side. One end of each of the via holes G1, H1
Are connected to the coil conductors E1 and F1, respectively. Similarly, a substantially U-shaped coil conductor E3, F3 is formed on the next sheet B4 so that the opening faces. One end of each of the via holes G2, H2
Are connected to the coil conductors E2 and F2, respectively. On the following sheets B5 and B7, coil conductors E2 and F2 similar to sheet B3 are formed, respectively.
Further, the sheet conductors E3 and F3 similar to the sheet B4 are formed on the sheets B6 and B8. On the sheet B9, coil conductors E4 and F4, each of which has a substantially U-shaped pattern extended and exposed to the left and right sides, respectively, are formed. The hole connection is the same as that of the sheet. The lowermost sheet B10 is a protective layer.

【0006】以上の各部のうち、スパイラル状に連続す
るコイル用導体E1,E2,E3,E4及びバイアホー
ルG1,G2によって、図6(D)に示す等価回路のコイ
ルLAが構成されている。また、スパイラル状に連続す
るコイル用導体F1,F2,F3,F4及びバイアホー
ルH1,H2によって、図6(D)に示す等価回路のコイ
ルLBが構成されている。そして、シートB9のコイル
用導体E4,F4が積層シートから左右に露出してお
り、図6(B),(C)の入出力電極18,20にそれぞれ接
続されている。なお、図6(B),(C)の外観構造は、GN
D電極16が積層チップの側面前後にあるか、あるいは
側面全周にあるかの点で異なる。
[0006] Of the above components, the coil conductors E1, E2, E3, E4 and the via holes G1, G2, which are spirally continuous, constitute a coil LA of an equivalent circuit shown in FIG. 6 (D). The coil conductor LB of the equivalent circuit shown in FIG. 6D is constituted by the coil conductors F1, F2, F3, F4 and the via holes H1, H2 which are continuous in a spiral shape. The coil conductors E4 and F4 of the sheet B9 are exposed to the left and right from the laminated sheet, and are connected to the input / output electrodes 18 and 20 of FIGS. 6B and 6C, respectively. The external structure of FIGS. 6B and 6C is GN
The difference lies in whether the D electrode 16 is located before and after the side surface of the laminated chip or on the entire periphery of the side surface.

【0007】ところで、積層型LC複合部品では、コン
デンサ部10の静電容量の値がばらつくと、これによっ
て、図6(D)に示したT型フィルタにおけるカットオフ
周波数fcがばらついてしまう。静電容量のばらつきの
要因の一つとしては、電極の対向面積のばらつきがあ
る。チップ部品が小形化されて電極の対向面積が小さく
なると、わずかな電極面積のずれも静電容量の大きなば
らつきとなる。また、積層ずれによって、電極の対向面
積が変化することもある。そこで、多少ずれが生じても
静電容量のばらつきに影響しないように、対向電極の一
方を他方よりも広くして、多少の積層ずれなどがあって
も対向面積が変化しないように構成している。
In the meantime, in the laminated type LC composite component, if the value of the capacitance of the capacitor section 10 varies, the cutoff frequency fc in the T-type filter shown in FIG. 6 (D) varies. One of the causes of the variation in the capacitance is the variation in the facing area of the electrodes. When the chip component is miniaturized and the facing area of the electrodes is reduced, even a slight displacement of the electrode area causes a large variation in the capacitance. In addition, the facing area of the electrodes may change due to stacking deviation. Therefore, one of the opposing electrodes is made wider than the other so that the opposing area does not change even if there is some misalignment, so that even if a slight displacement occurs, the variation in capacitance is not affected. I have.

【0008】図7には、コンデンサ用導体D1,D2の
具体的な形状寸法の一例が示されており、同図(C)に重
なり具合を示すように、導体D1が導体D2の全体を覆
うように一回り大きい面積となっている。すなわち、コ
ンデンサ用導体は、対向面積が変動しないように構成さ
れている。図中の寸法数値の単位は「mm」である。端子
電極16,18,20は、図7(C)に示すように、チッ
プ素体の表面に直接形成される。
FIG. 7 shows an example of specific shapes and dimensions of the capacitor conductors D1 and D2. As shown in FIG. 7C, the conductor D1 covers the entire conductor D2. As shown in FIG. That is, the capacitor conductor is configured such that the facing area does not change. The unit of the numerical value in the figure is “mm”. The terminal electrodes 16, 18, and 20, as shown in FIG. 7C, are formed directly on the surface of the chip body.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような背景技術には、次のような不都合がある。 (1)部品の小形化,高容量化,高インダクタンス化が要
望されていることから、コンデンサ用導体の対向面積を
可能な限り広くとる傾向にある。従って、外部端子電極
と内部導体との距離(サイドマージン)が狭くなる。こ
の場合に、同電位となる電極と導体では距離が近くても
特に不都合は無いが、異電位となる電極と導体では、距
離が近くなることで絶縁破壊の可能性が高くなる。例え
ば図7の例では、GND電極16に接続されるコンデン
サ用導体D1の方が面積が大きい。このため、コンデン
サ用導体D1と入出力電極18,20との間で絶縁破壊
が生ずる可能性がある。
However, the above background art has the following disadvantages. (1) Since there is a demand for miniaturization, high capacity, and high inductance of components, there is a tendency to make the facing area of the capacitor conductor as large as possible. Therefore, the distance (side margin) between the external terminal electrode and the internal conductor is reduced. In this case, there is no particular inconvenience even if the distance between the electrode and the conductor having the same potential is short, but the possibility of dielectric breakdown increases due to the short distance between the electrode and the conductor having different potentials. For example, in the example of FIG. 7, the area of the capacitor conductor D1 connected to the GND electrode 16 is larger. Therefore, dielectric breakdown may occur between the capacitor conductor D1 and the input / output electrodes 18 and 20.

【0010】(2)また、部品の小型化に伴って、異電位
となる外部端子電極と内部導体との間の電位差が増大す
るようになる。このため、両者の間の積層素体にポア
(気孔)などがあって、これに水分が侵入したような場
合には、その影響を受けて耐圧劣化が生じやすくなり、
絶縁破壊が生ずる可能性がある。
(2) In addition, as the size of components is reduced, the potential difference between the external terminal electrode and the internal conductor, which are different in potential, increases. For this reason, when the laminated element body between the two has pores (pores) or the like and moisture enters the laminated body, the deterioration of the pressure resistance is apt to occur due to the influence thereof,
Dielectric breakdown may occur.

【0011】この発明は、以上の点に着目したもので、
部品を小型化しても良好に絶縁性の向上を図ることがで
きる積層電子部品を提供することを、その目的とする。
The present invention focuses on the above points.
It is an object of the present invention to provide a laminated electronic component capable of satisfactorily improving insulation even if the component is downsized.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、この発明は、外部電極と同電位となる内部導体を、
マージンが小さいパターンとするとともに、前記外部電
極と異電位となる内部導体を、マージンが大きいパター
ンとすることを特徴とする。また、他の発明は、積層体
の外部電極が形成される部分にガラス質を含有させたこ
とを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides an internal conductor having the same potential as an external electrode.
A pattern having a small margin and a pattern having a large margin for an internal conductor having a different potential from the external electrode are provided. Further, another invention is characterized in that a portion where the external electrode of the laminate is formed contains vitreous material.

【0013】本発明によれば、異電位となる外部電極に
対する内部導体のマージンを大きくすることで、この部
分における絶縁抵抗値が増大し、耐圧性が向上する。ま
た、外部電極の所定部分にガラス質を含有させること
で、積層体表層部のポアがガラス質によって充填され、
水分の侵入が防止されて絶縁性が向上する。この発明の
前記及び他の目的,特徴,利点は、以下の詳細な説明及
び添付図面から明瞭になろう。
According to the present invention, by increasing the margin of the internal conductor with respect to the external electrode having a different potential, the insulation resistance value in this portion is increased, and the withstand voltage is improved. Further, by including a vitreous material in a predetermined portion of the external electrode, the pores of the surface layer portion of the laminate are filled with vitreous material,
The penetration of moisture is prevented and the insulation is improved. The above and other objects, features, and advantages of the present invention will be apparent from the following detailed description and the accompanying drawings.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。なお、上述した背景技術と対応する
構成要素には同一の符号を用いることとする。
Embodiments of the present invention will be described below in detail. Note that the same reference numerals are used for components corresponding to the above-described background art.

【0015】(1)実施形態1 図1には、実施形態1の積層構造と電極の形状寸法の一
例が示されている。まず、同図(A)の積層構造から説明
すると、基本的な構成は前記背景技術と同様であるが、
コンデンサ部30の導体DA,DBの形状が異なる。す
なわち、コンデンサ用導体DAは、入出力電極18,2
0の方向に狭い形状となっており、入出力電極18,2
0に対するマージンが大きい寸法となっている。図1
(B)には、コンデンサ用導体DAの一例が示されてい
る。この例によれば、コンデンサ用導体DAの幅WDAが
1.9mmとなっている。上述した背景技術では2.1mm
である。すなわち、本形態では、入出力電極18,20
に対するマージンMAを背景技術よりも0.1mm大きく
とっている。更に、このマージンMAは、コンデンサ用
導体DA,DBの層間距離よりも大きく設定されてい
る。
(1) First Embodiment FIG. 1 shows an example of the laminated structure and the shape and dimensions of an electrode according to a first embodiment. First, when explaining from the laminated structure of FIG.
The shapes of the conductors DA and DB of the capacitor section 30 are different. That is, the capacitor conductor DA is connected to the input / output electrodes 18 and 2.
0, and the input / output electrodes 18 and 2
The dimension has a large margin with respect to 0. FIG.
(B) shows an example of the capacitor conductor DA. According to this example, the width WDA of the capacitor conductor DA is 1.9 mm. In the background art described above, 2.1 mm
It is. That is, in the present embodiment, the input / output electrodes 18 and 20
Is 0.1 mm larger than the background art. Further, the margin MA is set to be larger than the interlayer distance between the capacitor conductors DA and DB.

【0016】なお、コンデンサ用導体DAのみに着目す
ると、接続されるGND電極16側のマージンは狭く、
電位差の大きい入出力電極18,20側のマージンは広
く設計されている。
When attention is paid only to the capacitor conductor DA, the margin on the connected GND electrode 16 side is narrow,
The margin on the side of the input / output electrodes 18 and 20 having a large potential difference is designed to be wide.

【0017】一方、コンデンサ用導体DBは、入出力電
極18,20の方向に広い形状となっており、入出力電
極18,20に対するマージンが小さい寸法となってい
る。図1(C)には、コンデンサ用導体DBの一例が示さ
れている。この例によれば、コンデンサ用導体DBの幅
WDBが2.1mmとなっている。上述した背景技術では
1.9mmである。すなわち、本形態では、入出力電極1
8,20に対するマージンMBが背景技術よりも0.1
mm小さくなっている。
On the other hand, the capacitor conductor DB has a wide shape in the direction of the input / output electrodes 18 and 20, and has a small margin with respect to the input / output electrodes 18 and 20. FIG. 1C shows an example of the capacitor conductor DB. According to this example, the width WDB of the capacitor conductor DB is 2.1 mm. In the background art described above, it is 1.9 mm. That is, in the present embodiment, the input / output electrode 1
The margin MB for 8, 20 is 0.1% more than the background art.
mm smaller.

【0018】なお、コンデンサ用導体DBのみに着目す
ると、電位差の大きいGND電極16側のマージンは広
く、電位差の小さい入出力電極18,20側のマージン
は狭く設計されている。
Focusing only on the capacitor conductor DB, the margin on the side of the GND electrode 16 having a large potential difference is designed to be wide, and the margin on the side of the input / output electrodes 18 and 20 having a small potential difference is designed to be narrow.

【0019】コンデンサ用導体DA,DBの重なり具合
は、例えば図1(D)に示すようになる。このように、本
形態では、コンデンサ用導体DAのマージンDMとコン
デンサ用導体DBのマージンDBとの差が0.1mmとな
っており、入出力電極18,20と、GND電極16に
接続されるコンデンサ用導体DAとのマージンMAが背
景技術よりも大きい。従って、それらの間の耐圧が向上
し絶縁破壊が低減される。これにより、絶縁抵抗の劣化
を来すことなく、小型で高容量の積層電子部品を得るこ
とができる。
The degree of overlap between the capacitor conductors DA and DB is, for example, as shown in FIG. As described above, in the present embodiment, the difference between the margin DM of the capacitor conductor DA and the margin DB of the capacitor conductor DB is 0.1 mm, and is connected to the input / output electrodes 18 and 20 and the GND electrode 16. The margin MA with the capacitor conductor DA is larger than in the background art. Therefore, the breakdown voltage between them is improved, and dielectric breakdown is reduced. Thereby, a small-sized and high-capacity laminated electronic component can be obtained without deteriorating the insulation resistance.

【0020】特に、チップ素体側面部からクラックなど
が入った場合でも、クラックが側面からマージンが近い
同電位の内部導体で抑えられるため、異電位の内部導体
との間の絶縁劣化を防止することができる。すなわち、
チップ素体に入るある種のクラックは、内部導体が形成
された部分で成長が阻止されることが多い。本形態で
は、チップ素体の外側の外部電極の近傍には、マージン
の関係で同電位の内部導体が存在する。このため、チッ
プ素体の周面からクラックが入ったとしても、クラック
の成長は同電位の内部導体で阻止されるようになる。従
って、クラックが内部導体に達するような場合でも、同
電位であるため、それらの間の絶縁抵抗が低下しても致
命的な支障とはならず、高い信頼性が得られる。また、
コンデンサ用導体DA,DBの重なりに余裕があるた
め、対向面積の変動も抑制され、容量のばらつきに対す
る影響が低減される。
In particular, even when a crack or the like enters from the side surface of the chip body, the crack is suppressed by the inner conductor of the same potential which is close to the margin from the side surface, so that the insulation deterioration between the inner conductor of the different potential is prevented. be able to. That is,
Certain types of cracks entering the chip body are often prevented from growing where the inner conductor is formed. In the present embodiment, an inner conductor having the same potential exists in the vicinity of the outer electrode outside the chip body because of a margin. For this reason, even if cracks enter from the peripheral surface of the chip body, the growth of the cracks is prevented by the inner conductor having the same potential. Therefore, even when the crack reaches the internal conductor, the potential is the same, so that even if the insulation resistance between them decreases, it does not cause a fatal problem, and high reliability is obtained. Also,
Since the capacitor conductors DA and DB have a margin for overlapping, the variation of the facing area is also suppressed, and the influence on the variation in capacitance is reduced.

【0021】(2)実施形態2 図2には、実施形態2の積層構造と電極の形状寸法の一
例が示されている。まず、同図(A)の積層構造から説明
すると、インダクタ部12の構成は前記背景技術と同様
であるが、コンデンサ部32が異なる。シートA1は、
背景技術と同様に保護層である。シートA2,A4に
は、一方のコンデンサ用導体DCがそれぞれ形成されて
いる。これらのコンデンサ用導体DCは積層シートの前
後辺側に露出しており、図6(B)又は(C)に示したGND
電極16に接続されている。また、コンデンサ用導体D
Cの左右両端は、ホール接続のためにコ字状に切除され
ている。
(2) Second Embodiment FIG. 2 shows an example of the laminated structure and the shape and dimensions of an electrode according to a second embodiment. First, the structure of the inductor section 12 is the same as that of the background art, but the capacitor section 32 is different. Sheet A1 is
It is a protective layer as in the background art. One of the capacitor conductors DC is formed on each of the sheets A2 and A4. These capacitor conductors DC are exposed on the front and rear sides of the laminated sheet, and are connected to the GND shown in FIG. 6B or 6C.
It is connected to the electrode 16. In addition, the conductor D for the capacitor
The left and right ends of C are cut in a U-shape for hole connection.

【0022】シートA3,A5には、上述した形態1と
同様のコンデンサ用導体DBがそれぞれ形成されてい
る。これらのコンデンサ用導体DBは、左右両端側でバ
イアホールDD,DEによって接続されている。すなわ
ち、上述したコンデンサ用導体DCの左右両端の切除部
分を通過するバイアホールDD,DEによってコンデン
サ用導体DBの上下が接続されている。シートA6も、
背景技術と同様に保護層である。以上のコンデンサ用導
体DB,DCによって、図6(D)の等価回路に示したコ
ンデンサCが構成されている。
On the sheets A3 and A5, the same capacitor conductors DB as those in the first embodiment are formed. These capacitor conductors DB are connected by via holes DD and DE at both left and right ends. That is, the upper and lower portions of the capacitor conductor DB are connected by the via holes DD and DE passing through the cutout portions at the left and right ends of the capacitor conductor DC. Sheet A6 also
It is a protective layer as in the background art. The capacitor C shown in the equivalent circuit of FIG. 6D is constituted by the capacitor conductors DB and DC described above.

【0023】これらのうち、コンデンサ用導体DCは、
入出力電極18,20の方向に狭い形状となっており、
入出力電極18,20に対するマージンが大きい寸法と
なっている。図2(B)には、コンデンサ用導体DCの一
例が示されている。コンデンサ用導体DCの幅WDCも、
前記形態1と同様に1.9mmとなっており、入出力電極
18,20に対するマージンMCが背景技術よりも0.
1mm大きくなっている。
Among these, the capacitor conductor DC is
It has a narrow shape in the direction of the input / output electrodes 18 and 20,
The size of the margin with respect to the input / output electrodes 18 and 20 is large. FIG. 2B shows an example of the capacitor conductor DC. The width WDC of the capacitor conductor DC is also
It is 1.9 mm as in the first embodiment, and the margin MC with respect to the input / output electrodes 18 and 20 is 0.1 mm more than in the background art.
1mm larger.

【0024】コンデンサ用導体DC,DBの重なり具合
は、例えば図2(D)に示すようになる。このように、本
形態でも、コンデンサ用導体DC,DBの差が0.1mm
となっており、入出力電極18,20と、GND電極1
6に接続されるコンデンサ用導体DCとのマージンMC
が背景技術よりも大きい。従って、それらの間の耐圧が
向上し絶縁破壊が低減される。また、コンデンサ用導体
DC,DBの重なりに余裕があるため、対向面積の変動
も抑制され、容量のばらつきに対する影響が低減され
る。また、この形態2によれば、コンデンサ用導体DB
が2つのバイアホールDD,DEによって確実に接続さ
れる。
The degree of overlap between the capacitor conductors DC and DB is, for example, as shown in FIG. Thus, also in this embodiment, the difference between the capacitor conductors DC and DB is 0.1 mm.
And the input / output electrodes 18 and 20 and the GND electrode 1
Margin MC with capacitor conductor DC connected to 6
Is larger than the background art. Therefore, the breakdown voltage between them is improved, and dielectric breakdown is reduced. In addition, since there is a margin in the overlap between the capacitor conductors DC and DB, the variation of the facing area is suppressed, and the influence on the variation in capacitance is reduced. According to the second embodiment, the capacitor conductor DB
Are securely connected by the two via holes DD and DE.

【0025】形態1,2を比較すると、コンデンサ用導
体DA,DCのバイアホールを接続する窓部分はコンデ
ンサとして寄与しない。この窓が、形態1ではコンデン
サ用導体DAの中央にあり、形態2ではコンデンサ用導
体DCの左右端側,すなわちマージンをとる部位にある
点で異なる。
Comparing the first and second embodiments, the window connecting the via holes of the capacitor conductors DA and DC does not contribute as a capacitor. This window is different from the first embodiment in that the window is located at the center of the capacitor conductor DA, and in the second embodiment, the window is located at the left and right end sides of the capacitor conductor DC, that is, at a portion that takes a margin.

【0026】(3)実施形態1,2の実施例 次に、上述した形態1,2と背景技術のサンプルについ
て湿中負荷試験を行った実施例を示す。サンプルは、以
下のような手順で製作した。 TiO2誘電体材料に有機バインダを添加し厚さ50
μmのグリーンシートを得た。また、Ni−Zn系磁性
体材料に同様の処理を行い、厚さ30μmのグリーンシ
ートを得る。そして、これらグリーンシト上に、コンデ
ンサパターン及びインダクタパターンをスクリーン印刷
にて形成した。このようにして得たシートを、内部の層
構成順に編集し、例えば90℃,500Kg/cm2の温度
や圧力で積層した。
(3) Embodiments of Embodiments 1 and 2 Next, an embodiment in which a sample under the above-described Embodiments 1 and 2 and a background art sample were subjected to a wet load test will be described. The sample was manufactured in the following procedure. An organic binder is added to the TiO 2 dielectric material to a thickness of 50
A green sheet of μm was obtained. The same treatment is performed on the Ni—Zn-based magnetic material to obtain a green sheet having a thickness of 30 μm. Then, a capacitor pattern and an inductor pattern were formed on these green sheets by screen printing. The sheet thus obtained was edited in the order of the internal layer constitution, and was laminated at a temperature and pressure of, for example, 90 ° C. and 500 kg / cm 2 .

【0027】以上のようにして得た積層体をダイシン
グマシンにて個々のチップに分離し、500℃にて1h
r(時間)脱バインダ処理を行った後、900℃にて1
hrの焼成を行った。次に、熱処理後のチップに外部電
極用の導電ペーストを塗布し、600℃にて15分間焼
成を行った。導電ペーストとしては、例えば、市販の銀
ペーストを用いることができる。
The laminate obtained as described above is separated into individual chips by a dicing machine and
After performing r (time) binder removal processing, 1 hour at 900 ° C.
hr was fired. Next, a conductive paste for an external electrode was applied to the heat-treated chip, and baked at 600 ° C. for 15 minutes. As the conductive paste, for example, a commercially available silver paste can be used.

【0028】なお、チップ側面のGND電極16につい
ては、スクリーン印刷法又は転写法を用いて形成した。
スクリーン印刷法は平面のみ塗布することが可能である
ため、チップの各面毎に塗布作業が行われる。また、転
写法は、例えば可撓性の平板に形成した溝にペースト材
を充填し、チップ側面を前記平板に押し付けて凹ませ、
チップ側面とその隣接面の端部に渡ってペースト材を塗
布する方法である。更に、チップ端面の入出力電極1
8,20については、導電ペーストを平板上に所定の厚
みに展開し、これにチップ端面を垂直に浸漬して塗布す
るディップ法を用いて形成した。
The GND electrode 16 on the side surface of the chip was formed by using a screen printing method or a transfer method.
Since the screen printing method can apply only a flat surface, the application operation is performed for each surface of the chip. Further, in the transfer method, for example, a groove formed in a flexible flat plate is filled with a paste material, and the chip side surface is pressed against the flat plate to make it concave,
This is a method of applying a paste material over the chip side surface and the end of the adjacent surface. Furthermore, the input / output electrode 1 on the chip end face
For Nos. 8 and 20, the conductive paste was spread on a flat plate to a predetermined thickness, and a chip end face was vertically immersed and applied by a dip method.

【0029】更に、この外部電極形成後のチップに対
し、Niの上にSnやSnPb(半田)によるメッキを
施し、完成品チップを得た。サンプルは、各形態につい
てそれぞれ100個用意した。各サンプルを基板上に実
装し、GND電極16,入出力電極18,20との間
に、DC32Vの負荷電圧を印加した。試験環境は温度
85℃,相対湿度95%RHである。そして、100h
r,500hr,1000hr経過後の不良品の発生個
数をチェックした。なお、絶縁抵抗が1MΩ以下の値の
ものを不良数とした。その結果を示すと、次の表1のよ
うになる。これに示すように、本形態では不良数が発生
しなかったのに対し、背景技術構造では500hrで2
個,1000hrで15個の不良数が発生している。
Further, the chip after the formation of the external electrodes was plated on Ni with Sn or SnPb (solder) to obtain a finished chip. 100 samples were prepared for each form. Each sample was mounted on a substrate, and a load voltage of 32 V DC was applied between the GND electrode 16 and the input / output electrodes 18 and 20. The test environment was a temperature of 85 ° C. and a relative humidity of 95% RH. And 100h
The number of defective products generated after elapse of 500 hours and 1000 hours was checked. In addition, the thing whose insulation resistance was a value of 1 MΩ or less was regarded as a defective number. The results are shown in Table 1 below. As shown in the figure, the number of defects did not occur in the present embodiment, whereas in the background art structure, the number of defects was 2 at 500 hours.
The number of defects is 15 for 1000 hours.

【0030】[0030]

【表1】 [Table 1]

【0031】次に、各サンプルに対して側面方向から衝
撃試験を行ってから、上記と同じ条件の湿中負荷試験を
行った。衝撃試験(2.0Kgf)とは、チップ素体を水
平に支持台に載置し、先端が0.7mmφの尖鋭なピンを
該チップ素体の中央に垂直に立て、該ピンの端部に、
9.2gの剛球を2mmの高さから落下させる試験方法で
あり、一つのサンプルに対して10回繰り返し行う試験
である。この場合の結果は、次の表2に示すようにな
る。これに示すように、100hr経過では、背景技術
で12個,本形態で0個の不良数である。500hr経
過では、背景技術で95個,形態1で0個,形態2で1
個の不良数となっている。更に、1000hrでは、背
景技術で98個,形態1で2個,形態2で3個の不良数
となっている。衝撃試験を行っているので、不良の発生
数は前記表1よりも多いが、本形態における不良数は背
景技術と比較して格段に少ない。
Next, an impact test was performed on each sample from the side direction, and then a wet load test under the same conditions as described above was performed. In the impact test (2.0 kgf), the chip body is placed horizontally on a support table, and a sharp pin with a tip of 0.7 mmφ is set upright at the center of the chip body, and the end of the pin is ,
This is a test method in which a 9.2 g hard ball is dropped from a height of 2 mm, and is a test that is repeated 10 times for one sample. The result in this case is as shown in Table 2 below. As shown, after 100 hours, the number of defects is 12 in the background art and 0 in the present embodiment. After 500 hours, 95 pieces of background art, 0 pieces of form 1 and 1 pieces of form 2
It is the number of defectives. Further, at 1000 hours, the number of defects is 98 in the background art, 2 in the mode 1, and 3 in the mode 2. Since the impact test is performed, the number of defectives is larger than that in Table 1, but the number of defectives in the present embodiment is much smaller than that of the background art.

【0032】[0032]

【表2】 [Table 2]

【0033】以上のように、形態1,2によれば、異電
位の外部電極に対する内部導体パターンのマージンを大
きく設定したので、絶縁破壊が良好に低減され、部品の
信頼性が向上する。
As described above, according to the first and second embodiments, the margin of the internal conductor pattern with respect to the external electrodes having different potentials is set large, so that the dielectric breakdown is favorably reduced and the reliability of the parts is improved.

【0034】(4)実施形態3 次に、図3を参照しながら実施形態3について説明す
る。以下の形態は、外部電極部分の素体にガラス質を含
有させたことを特徴とする。図3(A)は外部電極形成前
の側面図,(B)は(A)を外部電極形成後に#3線に沿って
矢印方向に見た断面である(図4,図5も同様)。図3
において、素体は、コンデンサ部50,異種接合部1
4,インダクタ部12を積層した構成となっている。コ
ンデンサ部50は、上述した形態1,2あるいは背景技
術のいずれの構成であってもよい。
(4) Third Embodiment Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. The following embodiment is characterized in that the element body of the external electrode portion contains vitreous material. FIG. 3A is a side view before the external electrode is formed, and FIG. 3B is a cross-sectional view of FIG. 3A along the line # 3 in the direction of the arrow after the external electrode is formed (the same applies to FIGS. 4 and 5). FIG.
In the element, the capacitor body 50 and the heterogeneous junction 1
4, the inductor section 12 is laminated. The capacitor unit 50 may have any of the configurations of the first and second embodiments and the background art.

【0035】本形態では、素体側面のGND電極16を
耐圧向上の対象としている。そして、コンデンサ部50
の導体D1,DA,DCを除くGND電極16の形成部
分や近傍,すなわちインダクタ部12を構成する磁性フ
ェライト部分に、ガラスペースト52が塗布され、更に
加温,焼き付けされる。磁性フェライト部分は、コンデ
ンサ部50を構成する誘電体層と比較して耐圧が低く、
また一般的には多孔質である。このため、加温されたガ
ラス質52が溶融して内部に拡散し、磁性フェライト部
分に存在するポアを封ずるように作用する。ガラス質5
2は、耐電圧性に優れているため、拡散によって磁性フ
ェライト部分表面の耐圧性を向上させる。なお、ガラス
質52が内部導体と外部電極の接触を妨げることはな
い。このようなガラス質の拡散の後、外部電極16,1
8,20が形成される。
In the present embodiment, the GND electrode 16 on the side surface of the element is intended to improve the breakdown voltage. Then, the capacitor unit 50
The glass paste 52 is applied to the portion where the GND electrode 16 is formed and its vicinity except for the conductors D1, DA, and DC, that is, the magnetic ferrite portion constituting the inductor portion 12, and further heated and baked. The magnetic ferrite portion has a lower withstand voltage than the dielectric layer forming the capacitor portion 50,
It is generally porous. Therefore, the heated glassy material 52 melts and diffuses inside, and acts to seal the pores existing in the magnetic ferrite portion. Vitreous 5
No. 2 is excellent in withstand voltage, and thus improves the pressure resistance of the surface of the magnetic ferrite portion by diffusion. The vitreous material 52 does not hinder the contact between the internal conductor and the external electrode. After such vitreous diffusion, the external electrodes 16, 1
8, 20 are formed.

【0036】このように、本形態によれば、チップ素体
側面に形成されたGND電極16とチップ素体内の導体
との間の耐圧が、ガラス質52の含有によって向上し、
絶縁性が改善される。また、チップ素子表層部のポアが
ガラス質によって充填されるため、水分の侵入も防止さ
れ、この点からも絶縁破壊が低減される。
As described above, according to the present embodiment, the withstand voltage between the GND electrode 16 formed on the side surface of the chip body and the conductor in the chip body is improved by the vitreous material 52,
The insulation is improved. In addition, since the pores in the surface layer of the chip element are filled with glassy material, the invasion of moisture is prevented, and the dielectric breakdown is reduced in this regard.

【0037】(5)実施形態4 次に、図4を参照しながら実施形態4について説明す
る。この形態4では、図4に示すように、コンデンサ部
50にまでガラス質52を含有させている。すなわち、
GND電極16に接続する一方のコンデンサ用導体D
1,DA,DCの部分も含めてガラス質52が含有して
おり、この上にGND電極16が形成される。このた
め、コンデンサ部50における内部導体とGND電極1
6との絶縁性も改善され、耐圧が向上する。
(5) Fourth Embodiment Next, a fourth embodiment will be described with reference to FIG. In the fourth embodiment, as shown in FIG. 4, the vitreous material 52 is contained in the capacitor portion 50. That is,
One capacitor conductor D connected to the GND electrode 16
The vitreous material 52 includes the portions 1, 1, and DC, and the GND electrode 16 is formed thereon. For this reason, the inner conductor and the GND electrode 1 in the capacitor section 50
6 is also improved, and the breakdown voltage is improved.

【0038】(6)実施形態5 次に、図5を参照しながら実施形態5について説明す
る。この形態5では、左右端の入出力電極18,20の
部分にガラス質54,56が含有している。そして、こ
れらガラス質54,56上に入出力電極18,20がそ
れぞれ形成される。この形態によれば、コンデンサ用導
体D1,DA〜DCと入出力電極18,20との耐圧性
が主として改善される。
(6) Fifth Embodiment Next, a fifth embodiment will be described with reference to FIG. In the fifth embodiment, the vitreous materials 54 and 56 are contained in the input / output electrodes 18 and 20 at the left and right ends. The input / output electrodes 18 and 20 are formed on the vitreous materials 54 and 56, respectively. According to this embodiment, the withstand voltage between the capacitor conductors D1, DA to DC and the input / output electrodes 18, 20 is mainly improved.

【0039】(7)実施形態3〜5の実施例 次に、上述した形態3〜5の実施例について説明する。
まず、サンプルの作製手順から説明する。 形態1で説明したように、TiO2誘電体材料に有機
バインダを添加し厚さ50μmのグリーンシートを得
た。また、Ni−Zn系磁性体材料に同様の処理を行い
厚さ30μmのグリーンシートを得る。そして、これら
グリーンシト上に、コンデンサパターン及びインダクタ
パターンをスクリーン印刷にて形成した。このようにし
て得たシートを、内部の層構成順に編集し、例えば90
℃,500Kg/cm2の温度や圧力で積層した。
(7) Examples of Embodiments 3 to 5 Next, examples of Embodiments 3 to 5 will be described.
First, a description will be given of a sample manufacturing procedure. As described in Embodiment 1, an organic binder was added to the TiO 2 dielectric material to obtain a green sheet having a thickness of 50 μm. The same processing is performed on the Ni—Zn-based magnetic material to obtain a green sheet having a thickness of 30 μm. Then, a capacitor pattern and an inductor pattern were formed on these green sheets by screen printing. The sheet thus obtained is edited in the order of the internal layer structure,
The layers were laminated at a temperature of 500 ° C. and a pressure of 500 kg / cm 2 .

【0040】以上のようにして得た積層体をダイシン
グマシンにて個々のチップに分離し、500℃にて1h
r脱バインダ処理を行った後、900℃にて1hrの焼
成を行った。その後、この焼結体の該当部分に、スクリ
ーン印刷法又は転写法でガラスペーストを塗布し、75
0℃にて15分間熱処理を行った。ガラスペーストとし
ては、例えば、硼ケイ酸鉛系の市販のものを用いること
ができる。
The laminate obtained as described above is separated into individual chips by a dicing machine and
After the binder removal treatment, baking was performed at 900 ° C. for 1 hour. Thereafter, a glass paste is applied to a corresponding portion of the sintered body by a screen printing method or a transfer method,
Heat treatment was performed at 0 ° C. for 15 minutes. As the glass paste, for example, a commercially available lead borosilicate-based material can be used.

【0041】次に、熱処理後のチップに外部電極用の
導電ペーストを塗布し、600℃にて15分間焼成を行
った。導電ペーストとしては、例えば、市販の銀ペース
トを用いることができる。なお、チップ側面のGND電
極16については、スクリーン印刷法又は転写法を用い
て形成した。また、チップ端面の入出力電極18,20
については、導電ペーストを平板上に所定の厚みに展開
し、これにチップ端面を垂直に浸漬して塗布するディッ
プ法を用いて形成した。更に、この外部電極形成後のチ
ップに、Ni−SnやPbによるメッキを施し、完成品
チップを得た。サンプルは、各形態についてそれぞれ5
0個用意した。
Next, a conductive paste for an external electrode was applied to the heat-treated chip and baked at 600 ° C. for 15 minutes. As the conductive paste, for example, a commercially available silver paste can be used. The GND electrode 16 on the side surface of the chip was formed by using a screen printing method or a transfer method. Also, the input / output electrodes 18 and 20 on the chip end face are used.
As for (2), a conductive paste was spread to a predetermined thickness on a flat plate, and a chip end face was vertically immersed in the conductive paste and applied by a dip method. Further, the chip after forming the external electrodes was plated with Ni-Sn or Pb to obtain a finished chip. Samples of 5 for each form
0 pieces were prepared.

【0042】完成品チップを基板上に実装し、GND
電極16と、入出力電極18,20との間に、DC50
Vの負荷電圧を1000時間印加した。試験環境は温度
60℃,相対湿度95%RHである。そして、1000
hr試験後のGND電極16と、入出力電極18,20
との間の絶縁抵抗を測定し不良品の発生率を求めた。判
定基準は、試験後の絶縁抵抗値が100MΩ以上のもの
を良品,100MΩ未満のものを不良品とした。その結
果を示すと、次の表3のようになる。この表3に示すよ
うに、いずれの形態においても絶縁不良が発生しなかっ
たのに対し、背景技術では31個の不良品が発生してい
る。
The finished product chip is mounted on a substrate, and GND
A DC 50 is provided between the electrode 16 and the input / output electrodes 18 and 20.
A load voltage of V was applied for 1000 hours. The test environment was a temperature of 60 ° C. and a relative humidity of 95% RH. And 1000
The GND electrode 16 after the hr test and the input / output electrodes 18 and 20
Was measured to determine the incidence of defective products. The criterion was a good product having an insulation resistance value of 100 MΩ or more after the test, and a poor product having an insulation resistance value less than 100 MΩ. The results are shown in Table 3 below. As shown in Table 3, in each of the embodiments, no insulation failure occurred, whereas in the background art, 31 defective products occurred.

【0043】[0043]

【表3】 [Table 3]

【0044】(8)他の形態 この発明には数多くの実施形態があり、以上の開示に基
づいて多様に改変することが可能である。例えば、次の
ようなものも含まれる。 (1)前記形態3,4では外部電極のうちのGND電極部
分にのみガラス質を形成し、形態5では入出力電極部分
にのみガラス質を形成したが、それらを組み合わせて、
全ての外部電極部分にガラス質を形成するようにしても
よい。この場合に、作業を簡略化するため、チップ素体
の全表面にガラスペーストを塗布してガラス質を形成す
るようにしてもよい。
(8) Other Embodiments There are many embodiments of the present invention, and various modifications can be made based on the above disclosure. For example, the following is also included. (1) In the forms 3 and 4, the vitreous is formed only in the GND electrode portion of the external electrode, and in the form 5, the vitreous is formed only in the input / output electrode portion.
Vitreous material may be formed on all external electrode portions. In this case, in order to simplify the operation, a glass paste may be applied to the entire surface of the chip body to form vitreous.

【0045】(2)前記実施形態1,2と実施形態3〜5
を組み合わせるようにしてもよい。 (3)前記形態は、積層チップEMI除去フィルタに本発
明を適用したものであるが、積層コンデンサや3端子コ
ンデンサなど各種の積層チップ部品に適用可能である。
また、フィルタの構成も、T型フィルタの他,π型やダ
ブルπ型などの各種のものに対して本発明は適用可能で
ある。 (4)前記実施形態に示したシートの積層数,導体パター
ン,バイアホール,あるいは前記実施例に示した製造条
件なども、必要に応じて適宜設定してよい。
(2) Embodiments 1 and 2 and Embodiments 3 to 5
May be combined. (3) In the above embodiment, the present invention is applied to a multilayer chip EMI removal filter, but can be applied to various multilayer chip components such as a multilayer capacitor and a three-terminal capacitor.
Also, the present invention is applicable to various types of filters such as π-type and double π-type filters in addition to T-type filters. (4) The number of sheets laminated, the conductor pattern, the via hole, or the manufacturing conditions described in the above-described embodiment may be appropriately set as necessary.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次のような効果がある。 (1)外部電極に対し、同電位となる内部導体のマージン
を小さく取るとともに、異電位となる内部導体のマージ
ンを大きく取ることとしたので、絶縁性が向上し、良好
な製品の信頼性を得ることができる。また、クラックに
対する絶縁劣化も良好に低減される。 (2)外部電極の所定部分にガラス質を形成することとし
たので、絶縁破壊が良好に低減され、部品の信頼性が向
上する。
As described above, according to the present invention,
The following effects are obtained. (1) The margin of the inner conductor at the same potential is made smaller than that of the external electrode, and the margin of the inner conductor at a different potential is made larger.This improves insulation and improves the reliability of the product. Obtainable. In addition, insulation deterioration due to cracks is also favorably reduced. (2) Since the vitreous material is formed at a predetermined portion of the external electrode, the dielectric breakdown is favorably reduced, and the reliability of the component is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施形態1の構成を示す図である。
(A)は積層構造,(B)〜(D)は主要部の平面を示す図であ
る。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first embodiment of the present invention.
(A) is a figure which shows the laminated structure, (B)-(D) shows the plane of the principal part.

【図2】この発明の実施形態2の構成を示す図である。
(A)は積層構造,(B)〜(D)は主要部の平面を示す図であ
る。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a second embodiment of the present invention.
(A) is a figure which shows the laminated structure, (B)-(D) shows the plane of the principal part.

【図3】この発明の実施形態3の構成を示す図である。
(A)は側面,(B)は外部電極形成後の(A)の断面を示す図
である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a third embodiment of the present invention.
(A) is a side view and (B) is a view showing a cross section of (A) after external electrodes are formed.

【図4】この発明の実施形態4の構成を示す図である。
(A)は側面,(B)は外部電極形成後の(A)の断面を示す図
である。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a fourth embodiment of the present invention.
(A) is a side view and (B) is a view showing a cross section of (A) after external electrodes are formed.

【図5】この発明の実施形態5の構成を示す図である。
(A)は側面,(B)は外部電極形成後の(A)の断面を示す図
である。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a fifth embodiment of the present invention.
(A) is a side view and (B) is a view showing a cross section of (A) after external electrodes are formed.

【図6】背景技術の1例を示す図である。(A)は積層構
造,(B)及び(C)は外観,(D)は等価回路を示す図であ
る。
FIG. 6 is a diagram showing an example of the background art. (A) is a diagram showing a laminated structure, (B) and (C) are external views, and (D) is a diagram showing an equivalent circuit.

【図7】前記背景技術の主要部の平面を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a plane of a main part of the background art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,30,32,50…コンデンサ部 12…インダクタ部 14…異種接合層 16…GND電極 18,20…入出力電極 52,54,56…ガラス質 A1〜A6,B1〜B10…シート D1,D2,DA,DB,DC…コンデンサ用導体 D3,DD,DE,G1,G2,H1,H2,…バイア
ホール E1〜E4,F1〜F4…インダクタ用導体 MA,MB,MC…マージン
10, 30, 32, 50: capacitor part 12: inductor part 14: heterogeneous bonding layer 16: GND electrode 18, 20: input / output electrode 52, 54, 56: vitreous A1-A6, B1-B10: sheet D1, D2 , DA, DB, DC: Conductor for capacitor D3, DD, DE, G1, G2, H1, H2, ... Via hole E1 to E4, F1 to F4: Conductor for inductor MA, MB, MC: Margin

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内部導体のパターンが形成されたシート
を積層するとともに、前記内部導体のうちの該当するも
のと接続する外部電極を積層体の外面に形成した積層電
子部品において、 前記外部電極と同電位となる内部導体を、マージンが小
さいパターンとするとともに、前記外部電極と異電位と
なる内部導体を、マージンが大きいパターンとすること
を特徴とする積層電子部品。
1. A laminated electronic component comprising: a sheet on which a pattern of internal conductors is formed; and an external electrode connected to a corresponding one of the internal conductors formed on an outer surface of the laminate. A multilayer electronic component, wherein an internal conductor having the same potential is a pattern having a small margin, and an internal conductor having a different potential from the external electrode is a pattern having a large margin.
【請求項2】 内部導体のパターンが形成されたシート
を積層するとともに、前記内部導体のうちの該当するも
のと接続する外部電極を積層体の外面に形成した積層電
子部品において、 前記積層体の前記外部電極が形成される部分にガラス質
を含有させたことを特徴とする積層電子部品。
2. A laminated electronic component comprising: a sheet on which a pattern of internal conductors is formed; and external electrodes connected to a corresponding one of the internal conductors formed on an outer surface of the laminate. A laminated electronic component, wherein a vitreous material is contained in a portion where the external electrode is formed.
【請求項3】 内部導体のパターンが形成されたシート
を積層するとともに、前記内部導体のうちの該当するも
のと接続する外部電極を積層体の外面に形成した積層電
子部品において、 前記外部電極と同電位となる内部導体を、マージンが小
さいパターンとするとともに、前記外部電極と異電位と
なる内部導体を、マージンが大きいパターンとし、 前記積層体の前記外部電極が形成される部分にガラス質
を含有させたことを特徴とする積層電子部品。
3. A laminated electronic component in which sheets on which patterns of internal conductors are formed are laminated, and external electrodes connected to corresponding ones of the internal conductors are formed on the outer surface of the laminate. The inner conductor having the same potential is a pattern having a small margin, and the inner conductor having a different potential from the external electrode is a pattern having a large margin.The portion of the laminate where the external electrodes are formed is made of glass. A laminated electronic component characterized by being contained.
【請求項4】 前記積層電子部品は、コンデンサ用導体
が形成されたシートを積層することによってコンデンサ
を構成し、インダクタ用導体が形成されたシートを積層
するとともに、インダクタ用導体を接続導体によってシ
ート間で接続することでインダクタを構成した積層型L
C複合部品である請求項1,2又は3記載の積層電子部
品。
4. The laminated electronic component forms a capacitor by laminating sheets on which capacitor conductors are formed, laminates sheets on which inductor conductors are formed, and forms sheets of inductors by connecting conductors with connection conductors. Type L that forms an inductor by connecting between
The multilayer electronic component according to claim 1, 2 or 3, which is a C composite component.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005086676A (en) * 2003-09-10 2005-03-31 Tdk Corp Multilayer lc component and its manufacturing method
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WO2010128609A1 (en) * 2009-05-07 2010-11-11 株式会社村田製作所 Electronic component and process for production thereof

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