JPH11513481A - 脈理を検出する方法 - Google Patents

脈理を検出する方法

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JPH11513481A JP9512046A JP51204697A JPH11513481A JP H11513481 A JPH11513481 A JP H11513481A JP 9512046 A JP9512046 A JP 9512046A JP 51204697 A JP51204697 A JP 51204697A JP H11513481 A JPH11513481 A JP H11513481A
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Abstract

(57)【要約】 試料(13)中の脈理を検出するプロセスが提供されている。このプロセスは、1)干渉計(15,19,21,23,25,27,29)を用いて試料のデジタル化位相プロット(図3)を作製するステップ、2)高パスフィルターをこの位相プロットに適用して試料のバルク性質の影響を除去するステップ(図6)、3)高パス濾過したデーターに統計的フィルターを適用して範囲外のデータポイント除去するステップ(図8)、4)統計的濾過を適用したデータを列平均化するステップ(図10)を含む。

Description

【発明の詳細な説明】 脈理を検出する方法 発明の分野 この発明は、溶融シリカガラスの屈折率の非均一性を干渉計技術を用いて検出 し定量する方法に関する。特にこの発明は、それらガラスの脈理を検出し定量す る方法に関する。 技術の説明 高均一性の溶融シリカガラスは種々のプロセスで製造できるが、最も一般的な ものの一つは、回転する母体の加熱表面にSiO2のスート粒子を付着させるプ ロセスである(一般にボール(boule)と称す)。この技術分野では、この タイプのガラス製造工程は気相加水分解/酸化プロセスまたは単に火炎加水分解 プロセスと言われている。 工業的に実施されているボール(boule)は、直径が5フィート(1.5 メーター)程度、厚さは5―8インチ(13―20cm)程度である。多系統の ブランクがこれらボール(boule)から切断され、レンズ(ミクロリソグラ フィ系のレンズを含む)、プリズム等の光学エレメントを含む種々の製品を製造 するのに使用される。 ブランクは一般には、ボールがその形成の間に回転する軸回りに平行な方向で 切断される。このようなブランクから製造されたレンズエレメントの光学軸も、 一般にはボールの回転軸に対して平行になる。説明を容易にするために、この方 向に形成する不均一性の測定を、ここでは“z‐軸”または“z‐方向”の測定 と呼称する。z‐軸に垂直な方向で行う測定を、“オフ(off)‐軸”測定と 呼称することにする。本発明は、主としてオフ‐軸不均一性の測定に関する。 火炎加水分解プロセスで製造したボールは、ガラスがz‐軸に沿って動くにつ れ、ガラスの屈折率に僅かな変動をしばしば示す。この変動はz‐軸に直交する 各平面で一定になる傾向がある。本発明が検出し定量することを意図するオフ‐ 軸脈理を発生するのはこれら平面である。説明を容易にするために、これら平面 を以後“脈理平面”と呼称する。場合によっては、これら平面は規則的周期パタ ーンで反復する。このような脈理をここでは“オフ‐軸周期的脈理”または単に “周期的脈理”と呼ぶことにする。 ブランクの屈折率の変動の許容できる量は、このブランクから製造される製品 により決まる。例えば、集積回路を作製するのに利用されるミクロリゾグラフィ に使用される光学エレメントには、z‐軸とオフ‐軸の均一性に極めて高いレベ ルが要求される。例えば、Pfau等の“回折限定化深紫外画像化における石英 不均一性の影響”(Applied Optics,Vol.31,No.31 ,6658―6661ページ、1992年11月1日)、及び日本公開特許No .6―308717(1994年11月4日刊行)を参照のこと。 ブランクまたは光学エレメントが特定の応用の均一性要件に合致するか否かを 決めるのに種々の手法が考案されてきた。例えば、オフ‐軸均一性は、点源から の発散光を試料に通し、生ずるパターンを観察スクリーン上で観察するシャドー グラムを使用して観察及び/または測定できる。同様に、平行光を試料に通し、 遠視野回折像を長焦点距離レンズのフーリエ変換平面に観察する回折に基ずく技 法も応用できる。“溶融シリカの脈理ためのコーニング試験”(Laser F ocus World、110ページ、1993年8月)を参照のこと。 ブランクまたは光学エレメントを干渉計で試験する手法が、多分最も一般に使 用されている。本発明は、この干渉計による試験に関係する。 図1は、溶融シリカガラスである試料13のオフ‐軸均一性を測定するに適合 する装置を図示する概略図である。図1に示す系は、ただ引例を意図するもので あり発明の範囲を限定するものではないことは、当然のこととして理解されるべ きである。異なる構成要素を使用したレイアウトも異なる他タイプの干渉計も、 必要に応じ発明を遂行するのに使用できる。 図1の系において、干渉計正フレーム15(例えば、ZYGO ブランド正フ レーム、ZYGO社、コネチカット州ミドルフィールド)により、位相変調装置 19、オイル‐オン板23、試料13及びオイル‐オン板25を貫通するレーザ 光17の平行ビームは発生する。続いて、このビームは基準平面部27に衝突し 、同じ構成要素を通り正フレーム15に反射して戻る。図1の系は更にビームレ ジ ューサー21を内蔵しており、この使用は本発明の内容の一側面を構成するもの であり、以下に論ぜられる。 位相変調装置19は正フレーム15により制御され、干渉パターンが発生した 時に、正フレームと基準平面部の間の光学的経路長を変化させる役を果たす。オ イル‐オン板23と25により、試料を広範囲に磨くことを必要とすることなく 、試料13のための実質的に平らな空気‐ガラス界面が提供される。 試料13は、参照番号29で図示される旋回テーブルに載置されており、旋回 テーブルによりビーム17に相対的に試料は回転可能となり、オフ‐軸脈理によ り発生する干渉パターンの強度を最適化する。必要に応じて、旋回テーブルはモ ーター駆動化される。干渉パターンは脈理平面とビーム17との間の角度に対し て高度に鋭敏であることが実地で判明している。特に、空間周期、Δzstriaeを 有すオフ‐軸周期的脈理では、脈理で発生する干渉パターンが観察される角度範 囲は、次式により理論的に表すことができる。 θ=±arctan(Δzstriae/PL) (1) 式中、PLは試料内の経路距離である。 角度θは、実際の典型的経路距離で遭遇する周期的脈理の角度よりは一般には 小さい。その上、現実に実行する場合には、使用可能の角度範囲は、式(1)で 予測されるよりも更に小さいことが判明している。従って、脈理の検出はビーム 17と試料13の慎重なアラインメントで決ってくる。 試料から生ずる干渉パターンは、例えば縞パターンまたは位相プロットとして 表示できる。以下に十分に述べるように、本発明は、縞パターンとは対照的に、 位相プロットを解析して脈理を検出する。正フレーム15は、このプロットを記 録し表示するデジタルカメラを内蔵(または連動)している。本発明を実施する のに有効であるために、干渉計/カメラ系は対象とする不均一性を検出するに十 分な微細な空間解像度を有する必要がある。 例えば、Δzstriae値が0.5から3.0mm範囲の周期的オフ‐軸脈理には 、空間解像度は18―20ピクセル/ガラス(mm)の範囲にあることが好まし い。高解像度カメラを利用すればこの解像度は達成できる。または、以下に詳細 に論ずるように、このレベルの解像度はビームレジューサー21を使用すれば到 達で きる。必要により高度の解像度も応じて使用できる。同様に、より大きい空間的 広がりを持つ脈理用に、またはこのようなより低度の解像度から生ずる情報の損 失が許容できる場合には、より低度の解像度も使用できる。 歴史的には、脈理は干渉縞の視野観測により特性化されてきた。この方法によ れば、脈理は本来の連続縞の中のよじれまたは突発した小波として定義される。 この縞は直線または僅かに曲線状を示し、この縞曲線の度合は脈理が起こす縞よ じれの度合よりも遥かに大きい。 オフ‐軸脈理に関する規格は、試料の干渉計の観測縞と限界試料のそれとの間 の比較によって設定されてきた。図2はこの手法を図示したものであり、図2A と2Bはそれぞれターゲット及び低限界縞パターンを示し、図2Cと2Dはそれ ぞれ不合格試料と合格試料を示す。 この限界試料手法の主観的性質は図2から明かである。本発明は、従来法の主 観的限界をもたない、脈理を検出し定量する改良法を提供することに向けられて いる。 発明の概要 上述の内容からわかるように、本発明は、溶融シリカから構成される母体等の 透明母体中の脈理を検出し定量する改良法を提供することを目的とする。更に特 に透明母体の屈折率が特定の応用に充分な均一性レベルにあるか否かを確定する のに使用する品質管理工程において、その透明母体の製造に利用できる脈理検出 /定量法を提供することも本発明の目的である。 これらの目的及びその他の目的を達成するために、幾つか実施態様を有する本 発明は、以下のステップから成る試料中の脈理を検出するプロセスを提供する。 (1)干渉計を使用して、試料のデジタル化位相プロットを作成する。該デジ タル化位相プロットは試料上の第一の位置の組の第一の値の組を有する。 (2)この第一の値の組に高パスフィルターを適用し、試料のバルク屈折率性 の影響を除去する。該高パス濾過により、試料上の第二の位置の組に第二の値の 組を作る。 (3)第二の値の組に統計的フィルターを適用し、範囲外のデータポイントを 除去する。該統計的濾過は、試料上の第三の位置の組に第三の値の組を作製する 。 (4)第三の値の組を列平均化し、試料上の第二の位置の組に第四の値の組を 作製する。 (5)第二の位置の組の第四の値の組を検査(即ち、解析)して脈理を検出す る。 本発明のある好ましい実施態様においては、高パス濾過(ステップ2)は、第 一の値の組に低パス濾過を適用して濾過した第一の値の組とし、次にこの濾過し た第一の値の組を元の第一の値の組から差し引き、第二の値の組を作る方法で実 行される。低パス濾過は、必要に応じて他の方法も応用できるが、好ましくは局 部平均化により実施される。 実施する高パス濾過のタイプによって、試料上の第二の位置の組は第一の位置 の組に同一にもなるし、その部分集合体にもなる。高パス濾過に局部平均化が行 われる、本発明の好ましい実施態様では、第二の位置の組は第一の位置の組の部 分集合体である。即ち、部分集合体は、第一の位置の組の端部に沿ったデータポ イントを差し引いた第一の位置の組から成る。 統計的濾過ステップ(ステップ3)は任意であり、所望により省略できる。 使用する統計的フィルターによって、第三の位置の組は第二の位置の組と同一 にもできるし、その部分集合体にもできる。例えば、範囲外のデータポイントを 簡単に除去する場合(好ましい手法)には、第三の位置の組は第二の位置の組の 部分集合体になる。一方、範囲外の値を代替値に置き換える場合には、第三の位 置の組は第二の位置の組と同一になる。 列平均化ステップ(ステップ4)の方法により、図10と図3、5、6または 8のいずれかとを比較すれば分かるように、脈理は顕著に明確になってくる。図 11に図示したように、列平均化した値の組を利用して、透明媒体中の脈理の主 観的品質管理基準とは対照的に、客観的品質管理基準を設定することができる。 図面の簡単な説明 図1は本発明の実施において使用するのに適した干渉計の概要図である。この 図は、そこに示された各エレメントのスケールまたは相対割合を示すことを意図 したものではない。 図2は、脈理を検出し溶融シリカ製品の品質管理基準を提供する従来の技術を 図示するものであり、試料の縞パターンと限界試料の縞パターンとが比較されて いる。 図3は溶融シリカブランクの干渉計によるオフ‐軸位相プロットである。この 図と図5―8及び10で使用する“波”パラメーターは、干渉計のレーザーの波 長で表現した波面の位相を描いている。波長の典型的な値は632.8nmであ る。 図3に示す値は、バルク材料の位相プロットが一般性を持つように、ピストン (PST)と傾動(TLT)の寄与を除去してある。オイル‐オン板からの誤差 を含む空洞誤差は、上述のように脈理が観測できるように試料を一般に回転する 必要があるので、このプロットの値から除去されていない。とりわけこの回転に よりビーム17は異なる位置でオイル‐オン板に衝突するようになり、実際に脈 理が観察されるように空洞を変化させる。しかし空洞誤差は一般には低周波数で あるので、本発明の高パス濾過ステップの間に除去される。加えて、空洞誤差は 、ビームレデューサーを使用するとビームサイズが低減する結果、最小化される 傾向がある。 図4は、干渉計による位相プロットに低パス濾過を実行する好ましい工程を図 示した概要図である。 図5は、図4に図示した好ましい低パス濾過工程を図3のプロットに適用した 結果のプロットである。 図6は図3と図5の各プロット間の差異のプロットである。従って、図6は図 3のデータの高パス濾過バージョンである。 図7は図6のデータ値の柱状図である。 図8は、図7に示した高パス濾過データの統計的分布をベースとする図6のプ ロットの統計的濾過の結果を示す。 図9は、本発明の列平均化ステップを図示する概要図である。 図10は、図8のプロットに列平均化ステップを適用した結果を示す。 図11は、図10のプロットのプロフィル線であり、許容可能なレベルの脈理 のための品質管理基準を設定するのに使用できる。 この明細書に組み込まれその一部を構成する上記の図は、本発明の好ましい実 施態様を図示するものであり、説明と共に発明の原理を明らかにするのに役立つ 。図と説明の双方は本発明の解明のみを目的とし本発明を限定するものではない ことは言うまでもない。 好ましい実施態様の説明 上述のように、本発明は溶融シリカガラスのブランク、光学エレメント(集合 的に試料と呼ぶ)のような透明体の脈理を検出し定量する方法に関する。プロセ スの第一のステップは、干渉計を用いて試料のデジタル化位相プロットを作成す ることから成る。即ち、第一のステップは、試料上の第一の位置の組に第一の測 定値(位相値)の組を得ることから成る。 画像細部を正確に解像するために、干渉計システムのデジタルカメラの空間解 像度は画像細部のサイズより高くなければならない。例えば、サイズが1mmの 欠陥を正確に解像するには、カメラの解像度は少なくとも約10ピクセル/mm でなければならないが、この“ピクセル/mm”は、カメラのピクセル/テスト ピース上のミリメーターを意味する。従って、1mm欠陥を解像するには、欠陥 のサイズにわたって少なくとも10の測定ポイントが存在する必要がある。当然 のことながら、高度な解像度(>10ピクセル/mm)であれば実際の欠陥はそ れだけ良好に表現され、低度な解像度(<10ピクセル/mm)であればあまり 良好な表現ではなくなる。解像度が1ピクセル/mm以下に低下すると、1ミリ メーターより小さい欠陥は全く観察されなくなる。 溶融シリカブランクに観察される脈理の寸法は0.5mm程度の小ささである という特徴を持つ。従って、既に指摘したように干渉計/カメラ系の解像度が1 8−20ピクセル/mmであることが好ましい。これは、高解像度カメラを使用 すれば達成できる。またはこの目的のために、図1に示すように、ビームレジュ ーサー21を使用してもよい。 ビームレジューサーによって、ビーム17が正フレームから基準平面部を通る 時にビームは試料の小部分に集光可能となり、ビームがこの系を通り戻る時にビ ームはその本来の直径まで拡大可能となる。このように、このカメラで高空間解 像度が達成できる。 例えば、代表的な干渉計カメラはx‐方向に210ピクセル、y‐方向に23 0ピクセルを保有する。ビーム17用の典型的直径D1、は100mmである。 従って、ビームを調整しなければ、カメラの空間解像度は約2ピクセル/mmと なる。 干渉計は一般に何らかのズーム(倍率)能を持ち、代表的最大値は6倍である 。この最大倍率で作動すると、系の有効アパーチャ、D2、を約17mmに低減 でき、カメラの空間解像度は約12ピクセル/mmになる。2ピクセル/mmよ りは良好ではあるが、このレベルの解像度は一般にはオフ‐軸不均一性、特にオ フ‐軸周期的脈理を解像するほど十分には高くない。 ビームレジューサー21は、D1がD3になるようにD1上で操作して、ビーム レジューサーは、干渉計のズーム系によって操作されると、有効アパーチャD4 が得られるようにしてこの問題を解決する。3:1ビームレジューサーと100 mmビームでは、3X範囲の倍率で干渉計のズーム系を作動すると、18―20 ピクセル/mmの所望の空間解像度が容易に達成される。 ビームレジューサーは高レベルの解像度を比較的廉価に達成するという利点を 有する。しかし、ビームのサイズが減少するため、一度に検査できるのは試料の 僅かな部分のみである。だが、このサンプリングサイズの減少にも利点がある。 上記のように、ビームレジューサーを使用すると空洞誤差は減少する傾向にある 。また、位相プロットの低空間周波数構成要素は小サンプリングサイズでは比較 的一定となる傾向にあり、これは場合によっては高パス濾過並びに統計的濾過を 省略可能とする。このような改変が行われた場合でも、列平均化ステップは脈理 を顕著に明確にし、脈理に関して試料を主観的ではなく、客観的に試験すること を可能にする重要な利点を依然として提供する。 適合する解像度の位相プロットが得られたなら、プロセスにおける次のステッ プは、脈理をバルク屈折率の変動から区別できるようにこのプロットを高パス濾 過するステップである。位相プロットの低周波数変動を濾過除去するのに種々の 手法が利用でき、その例はデジタル濾過に関する参考書に見ることができる。望 ましい手法は、位相プロットデータに低パス平均フィルターを適用し、次に元の データからこの得られた低周波数データを差し引いて所望の高周波数データにす ることを含む。 この低パスフィルターは、元のデータに交差して変形するピクセルの方形アレ イ(サブアレイ)の形態を採ることができ、各ポイントの中心ピクセルはサブア レイ内のピクセルの平均によって置き替えられる。 この手法に準拠した、画像中の各ピクセルのための別の方法は以下のように説 明される。ピクセルを囲む所定のサイズの核を用いてピクセルを囲む全ての平均 を計算し、この計算した値を対象とするピクセルの位置に置く。このプロセスを それぞれのピクセルに繰り返す。図4はこの手法の概略図である。 核(サブアレイ)のサイズは、脈理上の平坦性を保持しながら位相プロットの 全般的等高線との適合性が良好になるように選択せねばならない。実行例から、 ガラス試料上の7mm×7mmの面積に相当するサブアレイが溶融シリカガラス には旨く機能することが判明した。当然ながら、必要に応じて他のサブアレイサ イズも使用可能である。図4の7×7サブアレイは、例証のみを目的とするもの であることを念頭に入れる必要がある。7mm×7mmの面積を可能とするこの サブアレイの実際のサイズは、干渉計/カメラ系の解像度に依存する。この解像 度が1ピクセル/mmであれば、7×7サブアレイはガラス試料上の7mm×7 mmの面積に相当する。 局部平均化手法の欠点は、データが画像の端部で消失する点にあり、その場合 核は完全ではなくなる。これは図4に図示されており、29×23ピクセルが2 3×17ピクセルに減少することで元のデータアレイの4つの端部のそれぞれに 沿って3つのピクセルが損失している。しかし、これら損失したピクセルの情報 も残った最外部のピクセルの計算に使用される。 上記手法の代替法は、生データに2次元フイット法を適用する方法である。位 相プロットデータを当てはめるのに使用する共通多項式はゼルニケ(Zerni ke)多項式であり、ZYGOブランドの干渉計を含む市販の干渉計は一般には この多項式を用いた高パス濾過を実行するソフトウエアを内蔵している。 ゼルニケ多項式は普通36項から成り、これは焦点(focus)、収差(c oma)、非点収差(stigmatism)等の古典的サイデル収差に極めて 類似している。ゼルニケ項のサブセット、例えばZYGOの命名法でPST(ピ ストン)、TLT(傾斜)、PWR(出力)、AST(非点収差)及びCMA (収差)は、一般には生データの低周波数構成要素に良く適合する。次に生デー タからこの適合値を差し引けば、所望の高周波数データが得られる。 局部平均化手法による濾過と比較すると、ゼルニケ多項式手法は端部でデータ が損失しない利点がある。その手法の欠点は、円形データセットを必要とし、円 対称誤差のために適合性を最適化する点にある。ほとんど脈理ファイルは長方形 であるので、局部平均化手法が一般には好ましい。 また局部平均化手法は、一度以上適用して、まず比較的大きい脈理を検出し次 により小さい空間広がりの脈理を検出できる点でも好ましい。即ち、試料上の比 較的大きい範囲に相当する比較的大きい核につき生データを処理し、一方で高パ スデータ内の大小いずれの脈理を残存させつつバルクの影響を除き、次に大きい 脈理を除去するが小さい脈理を残存させるより小さい核につき高パスデータを再 処理し、小さい脈理に特定的に指向する高パスデータの新しいセットを発生する 。核のサイズは、脈理の予想寸法、及び上記に論じたように、ピクセルが対応す る試料上の範囲を決める干渉計/カメラ系の解像度に基ずき選定する。 いかなる濾過技術が使用されようとも、元の位相プロット中の高周波数情報の み含むデータ値の組が結果として得られる。図3、5及び6は、低パス平均化フ ィルターの手段による生データから高周波数データへの変形を図示したものであ る。詳しく言えば、図3は生データを、図5は低パス濾過後の生データを、図6 は生データと低パス濾過された生データの差を示す。図6の各軸は、図3と5の 軸に対して90度だけ逆時計回りに回転し、等角プロット上の脈理をより明確に していることに注目されたい。この回転があっても、図6では脈理を観察するの は難ずかしい。 この高周波数データには、脈理の影響、並びに普通はスパイクから成る他のラ ンダムなノイズ情報が含まれる。スパイクには、レンズの塵、逆反射または未知 原因によるものがある。 上述のように、火炎加水分解プロセスでは溶融シリカ中のオフ‐軸脈理は本質 的には平面状を採ることができ、位相プロット中には本質的に平行配向として生 ずる脈理のピークと谷部が含まれる。画像化によって、脈理のピークと谷部を、 試料の配向に依存して画像の列または行に沿って生ずるようにすることが可能で ある。脈理平面をランダムノイズから分離するために、更に二つの処理ステップ 、即ち統計的濾過と列平均化、を実施する。 統計的濾過は、脈理を増強しながら、データから偽高周波数の影響を除去する 役割を果たす。高周波数データからピクセル値の柱状図をプロットすると、グラ フは、曲線の中心がデータの平均ピクセル値である正規曲線にこく似する。図7 参照のこと。 完全な正規曲線では、平均プラスまたはマイナス3標準偏差(平均±3σ)が 全データポイントの99.7%を表す。偽データが、データ内の高または低ポイ ントのいずれかであるスパイクから一般的に成ると考えれば、最高または最低デ ータの0.3%を除去することで脈理を増強するはずである。 統計的フィルター“シグマ(sigma)フィルター”はこのように機能し、 ±3σの範囲外のこれらデータポイントを除くのに使用される。詳しく言えば、 本発明のこの側面により、高周波数データの平均と標準偏差が決定され、±3σ の範囲外にあるこれらのポイントは“非データ”ポイントとして符号を付けられ る。上述の試料上の第三の位置の組を作るのは、この“非データ”ポイントの符 号化である。あるいは、これらのポイントの範囲外の値を、全データセットの部 分平均または全体平均のような置換値で置き変えることもできる。この場合には 、第三の位置の組は第二の位置の組と同一である。 図8は、この工程(すなわち“非データ”ポイント工程)を、図6の高周波数 データに適用した結果を表す。これら二つのプロットを比較すると、統計的濾過 により脈理構成要素の増強が達成されることが分かる。 列平均化ステップは、脈理が平面内に生じ、その平面は画像のピクセルマトリ ックスに沿って配向するという事実に基づいて、ランダムノイズも除去する。脈 理平面に平行に存在するピクセルの各列(または各行)は、算出されたピクセル 値の平均値を有す。図9に概略図で示すようにその結果は一連のデータを示し、 各値が全列に沿ったピクセル値の平均を表す。次に、高周波数データの代わりに 列平均化プロフィル線から成る新規画像が構成される。即ち、図9に図示するよ うに、列平均値が列の各ピクセルに替わり置換される。これらピクセルの一部が 統計的濾過ステップにおける“非データ”ポイントとして選定された場合でもそ れに関係なく、高パスデータの組の各ピクセルにこの置換が実行されることに注 目すべきである。従って、列平均化ステツプが終了した後は、第二位置の全組の データが存在するようになる。 図10は列平均化ステップの結果を示す。この図が立証するように、脈理は確 かに明確になっている。 図11は、列平均化データ使用すれば客観的様式で脈理を定量できることを図 示している。この図は列平均化データの線プロットである。この線プロットに各 種判定規準を適用して、許容可能の脈理レベルの品質管理規準を確立できる。 例えば、局部最大及び最小は同定され、波で表したそれらの振幅(y‐軸)及 びそれらのmm単位の位置(x‐軸)で描写できる。脈理の振幅も、隣接する局 部最大と最小(脈理毎の波)の間の光路差、または局部最大と最小(mm)間の 横方向距離により定義が可能となる。またはこれら変数の双方を用いて、脈理毎 の波面傾斜(波/脈理/mm)を明らかにすることができる。 詳しく言えば、特に周期的オフ‐軸脈理を含むオフ‐軸脈理は、Δnstriae/ Δzstriaeの値で特性化できる。ここで、Δnstriaeは脈理の屈折率変動のピー ク〜谷部の大きさの平均値を、Δzstriaeは図11のようなプロフィル線から決 定されるこの変動のピーク〜谷部の平均周期を表す。当然のことながら、波で表 記した変動を、干渉計の波長(例えば632.8nm)を乗じ試料の厚さで割れ ば屈折率の形で表記した変動に容易に変形できる。 もちろん、必要に応じて他の判定規準も使用できる。判定規準または規準の集 合の選択に関係なく、定量化ステツプは容易に自動化でき、その結果を品質管理 値と比較して個々の試料を不合格または合格と決定することができる。 発明の特定の実施態様を説明し図示したが、発明の精神と範囲を逸脱すること がなければ改変が可能であることは言うまでもない。例えば、本発明は主として 火炎加水分解プロセスで製造した溶融シリカガラスについて論じてきたが、他の プロセスで製造した溶融シリカガラスにも使用できる。同様に、本発明は溶融シ リカガラス以外の透明な材料の脈理を検出するのにも利用できる。 本発明の範囲と精神を逸脱しない各種の他の改変も、通常の技能を持つ同業の 各位にはこの開示内容から明かであろう。以下の請求の範囲は、ここに記述した 特定の実施態様、並びに改変、変化およびその同等の事項を包括するものである 。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.脈理があるかどうか透明体を試験する方法であって、 (a)干渉計を用いて、透明体上の第一の位置の組の第一の値の組から成る 、透明体のデジタル化位相 プロットを作製するステップ、 (b)第一の値の組に高パスフィルターを適用して、透明体上の第二の位置 の組に第二の値の組を作製するステップ、 (c)第二の値の組に統計的フィルターを適用して範囲外の値を除去し、透 明体上の第三の位置の組に第三の値の組を作製するステップ、 (d)第三の値の組を列平均化し、透明体上の第二位置の組に第四の値の組 を作製するステップ、及び (e)第二位置の組の第四の値の組を脈理のために検査するステップ、 を有することを特徴とする方法。 2.ステップ(b)が、(i)第一の値の組を低パス濾過して第二の位置の組に 低パス濾過された値の組を作製する、(ii)第一の値の組から低パス濾過され た値の組を差し引き、第二の位置の組に第二の値の組を作製する、ことにより実 行されることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の方法。 3.低パス濾過が第一の値の組の局部平均濾過であることを特徴とする請求の範 囲第2項に記載の方法。 4.第二の位置の組が、第一の位置の組の外端部に沿った位置を差し引いた第一 の位置の組からなることを特徴とする請求の範囲第3項に記載の方法。 5.低パス濾過が、ゼルニケ(Zernike)多項式を第一の値に適合させる ことから成ることを特徴とする請求の範囲第2項に記載の方法。 6.第一の位置の組と第二の位置の組が同一であること特徴とする請求の範囲第 5項に記載の方法。 7.第三の位置の組が第二の位置の組の部分集合体であること特徴とする請求の 範囲第1項に記載の方法。 8.第三の位置の組が第二の位置の組と同一であること特徴とする請求の範囲第 1項に記載の方法。 9.ステップ(e)が品質管理判定規準を第四の値に適用することから成ること を特徴とする請求の範囲第1項に記載の方法。 10.品質管理判定規準を適用する前に、第四の値の組を線プロフィルに変形す ることを特徴とする請求の範囲第9項に記載の方法。 11.前記干渉計がビームレデューサーを内蔵することを特徴とする請求の範囲 第1項に記載の方法。 12.前記透明体が溶融シリカから構成されることを特徴とする請求の範囲第1 項に記載の方法。 13.請求の範囲第1項に記載の方法で試験された透明体。 14.請求の範囲第12項に記載の方法で試験された溶融シリカ体。 15.脈理があるかどうか透明体を試験する方法であって、 (a)干渉計を用いて透明体のデジタル化位相プロットを作製するステップ、 (b)デジタル化位相プロットを列平均化するステップ、及び (c)脈理のために列平均化位相プロットを検査するステップ、 から成ることを特徴とする方法。 16.ステップ(a)と(b)の間に、位相プロットに高パスフィルターを適用 する更なるステップを含むことを特徴とする請求の範囲第15項に記載の方法。 17.ステップ(a)と(b)の間に付加ステップとして、(i)位相プロット に高パスフィルターを適用するステップ、及び(ii)高パスフィルターの結果 に統計的フィルターを適用して統計的な範囲外成分を除去するステップ、を含む ことを特徴とする請求の範囲第15項に記載の方法。 18.前記干渉計がビームレデューサーを内蔵することを特徴とする請求の範囲 第15項の方法。 19.前記透明体が溶融シリカから構成されることを特徴とする請求項15の方 法。 20.請求の範囲第15項に記載の方法で試験された透明体。 21.請求の範囲第19項に記載の方法で試験された溶融シリカ体。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008032581A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Hitachi High-Technologies Corp 表面検査装置及び表面検査方法
JP2016524159A (ja) * 2013-07-02 2016-08-12 コーニング インコーポレイテッド 脈理含有ガラスの傾斜断面測定
JP2017134375A (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 ウシオ電機株式会社 露光装置及び露光方法
JP2020173470A (ja) * 2020-06-30 2020-10-22 株式会社アドテックエンジニアリング 露光方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6783898B2 (en) 1999-02-12 2004-08-31 Corning Incorporated Projection lithography photomask blanks, preforms and method of making
US6242136B1 (en) 1999-02-12 2001-06-05 Corning Incorporated Vacuum ultraviolet transmitting silicon oxyfluoride lithography glass
US6782716B2 (en) * 1999-02-12 2004-08-31 Corning Incorporated Vacuum ultraviolet transmitting silicon oxyfluoride lithography glass
US6682859B2 (en) * 1999-02-12 2004-01-27 Corning Incorporated Vacuum ultraviolet trasmitting silicon oxyfluoride lithography glass
US6265115B1 (en) 1999-03-15 2001-07-24 Corning Incorporated Projection lithography photomask blanks, preforms and methods of making
US6319634B1 (en) 1999-03-12 2001-11-20 Corning Incorporated Projection lithography photomasks and methods of making
WO2002012869A1 (en) * 2000-08-09 2002-02-14 Türkiye Sise Ve Cam Farbrikalari A.S. Method and apparatus for imaging inhomogeneity in a transparent solid medium
US20020083739A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Pandelisev Kiril A. Hot substrate deposition fiber optic preforms and preform components process and apparatus
US7797966B2 (en) * 2000-12-29 2010-09-21 Single Crystal Technologies, Inc. Hot substrate deposition of fused silica
US20020083740A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Pandelisev Kiril A. Process and apparatus for production of silica grain having desired properties and their fiber optic and semiconductor application
DE10111450B4 (de) * 2001-03-09 2005-02-10 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur Bewertung von Schlieren
US6766042B2 (en) 2001-04-26 2004-07-20 Memphis Eye & Contact Associates System to automatically detect eye corneal striae
JP2005500605A (ja) * 2001-08-21 2005-01-06 ウェーブフロント・サイエンシーズ・インコーポレイテッド データセットのハイパスフィルタリング方法
US20030110809A1 (en) * 2001-10-26 2003-06-19 Corning, Inc. Characterization of optical preforms
US7053017B2 (en) 2002-03-05 2006-05-30 Corning Incorporated Reduced striae extreme ultraviolet elements
US7142295B2 (en) * 2003-03-05 2006-11-28 Corning Incorporated Inspection of transparent substrates for defects
US8892630B1 (en) 2008-09-29 2014-11-18 Amazon Technologies, Inc. Facilitating discussion group formation and interaction
US8706685B1 (en) 2008-10-29 2014-04-22 Amazon Technologies, Inc. Organizing collaborative annotations
US9083600B1 (en) 2008-10-29 2015-07-14 Amazon Technologies, Inc. Providing presence information within digital items
US9251130B1 (en) * 2011-03-31 2016-02-02 Amazon Technologies, Inc. Tagging annotations of electronic books
DE102012002174B4 (de) * 2012-02-07 2014-05-15 Schott Ag Vorrichtung und Verfahren zum Erkennen von Fehlstellen innerhalb des Volumens einer transparenten Scheibe und Verwendung der Vorrichtung

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4195931A (en) * 1978-05-18 1980-04-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Clear air turbulence detector
US4998017A (en) * 1989-05-01 1991-03-05 Ryan Fredrick M Method and arrangement for measuring the optical absorptions of gaseous mixtures
US5020904A (en) * 1989-09-06 1991-06-04 Mcmahan Jr Robert K Dynamic laser speckle profilometer and method
US5133601A (en) * 1991-06-12 1992-07-28 Wyko Corporation Rough surface profiler and method
JP3656855B2 (ja) * 1993-04-23 2005-06-08 株式会社ニコン 光リソグラフィー用石英ガラス部材
US5416586A (en) * 1993-10-15 1995-05-16 Tropel Corporation Method of testing aspherical optical surfaces with an interferometer
US5479006A (en) * 1994-08-10 1995-12-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Positioning skew compensation for imaging system using photoconductive material
US5544518A (en) * 1995-06-02 1996-08-13 Veeder-Root Company Apparatus and method for calibrating manifolded tanks

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008032581A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Hitachi High-Technologies Corp 表面検査装置及び表面検査方法
JP2016524159A (ja) * 2013-07-02 2016-08-12 コーニング インコーポレイテッド 脈理含有ガラスの傾斜断面測定
JP2017134375A (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 ウシオ電機株式会社 露光装置及び露光方法
JP2020173470A (ja) * 2020-06-30 2020-10-22 株式会社アドテックエンジニアリング 露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
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