JPH1150201A - エッチング性に優れた電子部品用低熱膨張合金薄板 - Google Patents

エッチング性に優れた電子部品用低熱膨張合金薄板

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JPH1150201A
JPH1150201A JP9222026A JP22202697A JPH1150201A JP H1150201 A JPH1150201 A JP H1150201A JP 9222026 A JP9222026 A JP 9222026A JP 22202697 A JP22202697 A JP 22202697A JP H1150201 A JPH1150201 A JP H1150201A
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JP
Japan
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etching
thermal expansion
low thermal
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segregation
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JP9222026A
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Tamako Ariga
珠子 有賀
Katsuhisa Yamauchi
克久 山内
Tomoaki Hyodo
知明 兵藤
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JFE Engineering Corp
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NKK Corp
Nippon Kokan Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/147Alloys characterised by their composition
    • H01F1/14708Fe-Ni based alloys
    • H01F1/14716Fe-Ni based alloys in the form of sheets

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 画像の局部的な鮮明度の低下をもたらすスジ
むら等のエッチング不良が発生せず、かつ高精度のエッ
チング加工が可能な電子部品用低熱膨張合金薄板を提供
すること。 【解決手段】 Ni:32〜38wt%を含有するFe
−Ni系合金またはNi:23〜38wt%、Co:7
wt%以下を含有し、かつNi+Coが32〜38wt
%であるFe−Ni−Co系合金からなり、エッチング
加工する面の圧延方向に直交する向きのNiミクロ偏析
について、その濃度変動量をa(wt%)、濃度変動幅
をb(μm)とした時、両者の関係がa×103/b≦
2を満足する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シャドウマスクや
リードフレーム等の微細なエッチング加工を施す電子部
品に使用される低熱膨張合金薄板、特に、コンピュータ
ーディスプレイに使用される高精細用シャドウマスクと
して好適であるエッチング時のスジむら抑制効果に優れ
た低熱膨張合金薄板に関する。
【0002】
【従来の技術】シャドウマスクやリードフレーム等の電
子部品は、一般に薄板にエッチング加工を施して作製さ
れる。この加工の際、材料となる薄板にはエッチング速
度が速いこと、エッチング孔の端部形状と寸法精度が優
れていることなど、高度のエッチング性が要求される。
【0003】例えばシャドウマスクはテレビジョンやコ
ンピューターディスプレイのブラウン管において、電子
銃から発射された電子ビームを蛍光面上の所定の位置に
正確に照射する役割を持っており、特定の色調を与える
ため多数の細孔を有している。ところが、発射された電
子ビームのうち多くは細孔を通過せず、シャドウマスク
に衝突する。そのためシャドウマスクは蛍光面を支持す
るガラス体と比べて高温となる。ここでシャドウマスク
材料の熱膨張率が大きいと、蛍光面に対する孔の位置が
ずれて電子ビームを蛍光面上の所定の位置へ正確に照射
することができなくなり、画像が不鮮明になることが多
かった。
【0004】そこで、シャドウマスク材料として熱膨張
率が小さいFe−Ni系合金の使用が拡大している。こ
の合金は従来の低炭素鋼に比べて熱膨張係数が約1/1
0倍と小さく、高輝度画面における電子ビームの加熱に
対してもその低膨張性は維持されるため、シャドウマス
クとして使用した時の熱膨張による色ずれは生じにく
い。
【0005】しかし、Fe−Ni系合金は優れた低熱膨
張特性を有する一方でエッチング性に劣るため、フォト
エッチング加工で良好な孔形状を得ることが困難であ
り、エッチング不良により局部的に画像の鮮明度不良を
生じることがある。このエッチング不良は、マスク部に
おいて合金薄板の圧延方向に沿った微細な線状のむらと
して観察され、「スジむら」と呼ばれている。スジむら
の多くは数十μm〜数mmの幅を有し、圧延方向の長さ
は数cm〜数mに達するものもある。そのため、この合
金薄板についてエッチング性を改善する試みがなされて
いる。
【0006】例えば、特開昭61−223188号公報
は、スジむらの原因がNiの偏析によるとして、スジむ
ら防止のために、Niの成分偏析率を10%以下、かつ
Niの偏析帯の長さを300mm以下とする技術を開示
している。また、特公昭63−64514号公報に開示
された技術では、スジむらの原因がNiの濃化によるも
のとして、平均濃度に対するNiの濃化部の割合を10
%以下、濃化部の容積率を5%以下、かつその長さを3
0mm以下とすることにより、スジむらの抑制を図って
いる。
【0007】また、特開平2−54744号公報に開示
された技術では、スジむらがC、Si、Mn、Cr等の
不純物元素の偏析、あるいは鋳造時の凝固組織により発
生するものとし、0.001〜0.03wt%のBを添
加するとともに、特定条件でスラブを加熱することによ
り偏析を阻止し、柱状晶組織を低減してスジむらの抑制
を図っている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】近年、テレビジョン画
面の大型化、あるいはコンピューターディスプレイへの
適用拡大に伴って、画像のきめ細かさや高輝度化への要
求が一段と高まってきている。そのためシャドウマスク
に関しては、電子ビームの通過孔をより高輝度に穿孔す
るようなエッチング加工が必要となってきている。特
に、コンピューターディスプレイに使用される高精細の
シャドウマスクでは主として板厚0.15mm以下の素
材が使用され、孔径ピッチが300μm以下であるよう
なファインピッチ化も試行されている。
【0009】このような要求に対し、これまでの技術で
は依然として局部的なエッチング不良が発生し、画像の
鮮明度の改善に至っていない。例えば、前述の特開昭6
1−223188号公報あるいは特公昭63−6451
4号公報に記された手法では、32〜38wt%のNi
を含有するFe−Ni系合金薄板においては、Niが平
均濃度に対して10%を超えて濃化する領域は認められ
ず、一方で、数%の濃化であってもスジむらなどのエッ
チング不良が発生することが確認されている。また、も
ともとシャドウマスクでは、特性を劣化させないために
C、Si、Mn、Cr等の元素は合計しても1wt%に
満たない量に極力低減しており、これらの偏析によるス
ジむらは生じ得ず、特開平2−54744号公報に記載
されている手法によってスジむらを防止することはでき
ない。
【0010】このように、いずれの技術を用いてもFe
−Ni系合金薄板で発生するスジむらを克服することが
できず、むしろ画像の高品位化に伴って、スジむら等の
エッチング不良は増加する傾向にあり、その対策が求め
られている。
【0011】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、画像の局部的な鮮明度の低下をもたらすス
ジむら等のエッチング不良が発生せず、かつ高精度のエ
ッチング加工が可能な電子部品用低熱膨張合金薄板を提
供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、Fe−N
i系低熱膨張合金薄板のエッチング性について種々の検
討を行った結果、前述のスジむらをはじめとするエッチ
ング不良が、製品原板におけるNiミクロ偏析の濃度変
動量と濃度変動幅の双方に起因して発生することを見出
した。
【0013】図1は電子線マイクロアナライザーにより
圧延方向に直角の向きでNi濃度を分析した結果の一例
を示したものであり、(a)はNiミクロ偏析の変動量
が小さい場合、(b)はNiミクロ偏析の変動量が大き
い場合である。図示したようなNiの濃度変動が存在す
ると濃度に応じた相対的なエッチング速度の差により、
スジむら等のエッチング不良を生じやすくなる。特に、
(b)のように濃度変動が急峻になるとスジむらが顕著
になる。すなわち、図1の(c)に示すように、濃度変
動量a(wt%)、濃度変動幅b(μm)を制御するこ
とによってスジむらの発生を抑制することができる。
【0014】本発明はこのような知見に基づいて完成さ
れたものであり、第1に、Ni:32〜38wt%を含
有するFe−Ni系合金からなり、エッチング加工する
面の圧延方向に直交する向きのNiミクロ偏析につい
て、その濃度変動量をa(wt%)、濃度変動幅をb
(μm)とした時、両者の関係が以下に示す(1)式を
満足することを特徴とするエッチング性に優れた電子部
品用低熱膨張合金薄板を提供するものである。
【0015】また第2に、Ni:23〜38wt%、C
o:7wt%以下を含有し、かつNi+Coが32〜3
8wt%であるFe−Ni−Co系合金からなり、エッ
チング加工する面の圧延方向に直交する向きのNiミク
ロ偏析について、その濃度変動量をa(wt%)、濃度
変動幅をb(μm)とした時、両者の関係が以下に示す
(1)式を満足ことを特徴とするエッチング性に優れた
電子部品用低熱膨張合金薄板を提供するものである。 a×103/b≦2 ……(1)
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を説明する。
本発明の合金薄板は、Ni:32〜38wt%を含有す
るFe−Ni系合金またはNi:23〜38wt%、C
o:7wt%以下を含有し、かつNi+Coが32〜3
8wt%であるFe−Ni−Co系合金からなり、エッ
チング加工する面の圧延方向に直交する向きのNiミク
ロ偏析について、その濃度変動量をa(wt%)、濃度
変動幅をb(μm)とした時、両者の関係が(1)式を
満足するものである。 a×103/b≦2 ……(1)
【0017】図2は、エッチング加工の孔ピッチが30
0μm以下の製品の原板となる合金薄板について、Ni
ミクロ偏析の程度を表すファクター(a×103/b)
の値と、スジむら発生との関係を示すグラフである。
【0018】図2で、(a×103/b)の値が2以下
の範囲が、スジむらがほとんど発生せずシャドウマスク
として使用する上で全く問題のない良好なエッチング性
が得られる領域である。さらに、(a×103/b)の
値が1以下の範囲内が、スジむらの全く発生しない領域
である。
【0019】この図に示すように(a×103/b)の
値が2より大、すなわち濃度変動量が大きいか、もしく
は濃度変動幅が小さいため、Niの濃度変動が急峻であ
る領域ではエッチング速度の差が大きいためエッチング
のむらを生じる。したがって、本発明では、a×103
/b≦2を満たすことを要件とする。この場合に、薄板
の任意の部分でa×103/b≦2を満たすことが好ま
しい。
【0020】本発明において、電子部品の性能を低下さ
せる寸法変化や位置ずれが生じないような十分な低熱膨
張性を得るために、Niを32〜38wt%含有するF
e−Ni系合金を用いる。このような合金を用いること
により、室温〜100℃の平均熱膨張係数が2.0×1
-6/℃以下であるような低熱膨張合薄板が実現され
る。
【0021】また、本発明の他の形態においては、7w
t%以下のCoを添加したFe−Ni−Co系合金を用
いる。この場合には、Ni:23〜38wt%、Co:
7wt%以下を含有し、かつNi+Coが30〜38w
t%である。このような組成の合金を用いることによ
り、上記Fe−Ni系合金と同様以上の低熱膨張性を得
ることができる。Coが7wt%を超えるとエッチング
性が著しく低下するため、Coの上限を7wt%とす
る。
【0022】本発明の合金は上記元素の他に、Si、M
n、B、N、Oを含有してもよいが、Si≦0.07w
t%、Mn≦0.5wt%、B≦0.02wt%、N≦
0.005wt%、O≦0.002wt%の範囲に制限
することが望ましい。
【0023】これらの元素の限定理由を以下に示す。 Si:溶鋼の脱酸元素として使用することができるが、
過剰に存在すると黒化処理において板表層に濃化し、均
質で黒色の酸化膜形成を阻害するため0.07wt%以
下であることが望ましい。 Mn:良好な熱間加工性を確保する上で有用であるが、
過剰に存在するとエッチング性を低下させ、また黒化処
理において板の表層に濃化し均質で黒色の酸化膜形成を
阻害するため、0.5wt%以下とすることが望まし
い。 B:熱間加工性の向上やスケール生成を抑制する効果が
あるが、過剰に存在すると黒化処理において板の表層に
濃化し、均質で黒色の酸化膜形成を阻害するため0.0
2wt%以下とすることが望ましい。 N:プレス加工性の劣化やエッチング性の劣化をもたら
すため、0.005wt%とすることが望ましい。 O:プレス前の軟質化焼鈍時に結晶粒の成長を阻害し、
プレス成形性を劣化させるので、0.002wt%以下
であることが望ましい。
【0024】次に、本発明に係る低熱膨張合金薄板の製
造方法について説明する。まず、上記成分組成の合金を
転炉または電気炉で溶解し、連続鋳造法あるいは造塊法
でスラブ(連続鋳造法の場合)または鋼塊(造塊法の場
合)を溶製し、1200〜1300℃で20時間以上の
熱処理を施し、続いて分塊圧延により厚さ160〜25
0mmとする。その後、1050〜1250℃で30分
間以上の熱処理を施し、熱間圧延により厚さ2〜3mm
の熱延鋼板を得る。この熱延鋼板について、冷間圧延と
750℃以上での焼鈍を2回以上繰り返し、板厚0.1
0〜0.25mmの薄板を製造する。この際に、鋼塊か
ら薄板までの累積圧下率は99.9%以上とする。この
場合に、上記本発明のミクロ偏析の変動量および変動幅
は、鋼塊またはスラブの厚さに応じて拡散熱処理の温度
と時間を調整することにより達成することができる。
【0025】本発明は、エッチング加工される電子部品
用の合金薄板全般を対象とするが、特に高精度のエッチ
ング加工と低熱膨張性が要求されるシャドウマスク用素
材の製造方法として好適である。本発明における低熱膨
張特性を有するFe−Ni系またはFe−Ni−Co系
合金薄板を素材とするシャドウマスクは、熱膨張による
位置ずれが少ないので、これを用いたブラウン管の画像
は一段と鮮明になる。
【0026】
【実施例】表1に本実施例で用いた鋼の化学成分組成を
示す。ここではシャドウマスク用素材として必要な低熱
膨張特性、黒化処理性およびプレス成形性が得られるA
〜Cの3種類を溶製した。
【0027】
【表1】
【0028】これらの鋼を溶製した鋼塊に対して120
0〜1300℃で5〜50時間の熱処理を施し、その後
分塊圧延を行った。一部の材料ではさらにスラブに対し
て1200〜1300℃で5〜50時間の熱処理を施
し、再び分塊圧延を行った。引き続き1050〜115
0℃で1〜5時間の熱処理を行い、その後熱間圧延して
厚さ2.0〜3.5mmの熱延鋼板を得た。さらに冷間
圧延と750℃以上の温度での焼鈍を繰り返し行い、板
厚0.1〜0.2mmの表2に示す薄板No.1〜20
を製造した。なお、No.1〜15が本発明例であり、
No.16〜20が比較例である。
【0029】これらNo.1〜20の薄板のNiのミク
ロ偏析に関するファクター(a×103/b)の値を表
2に示す。前述したように、鋼塊を溶製する際の鋳造条
件の調整、鋼塊の厚さに応じた拡散熱処理の温度・時間
の調整、および冷間圧延率と中間焼鈍の温度・時間の調
整によってファクターの異なるこれらの薄板を得た。こ
れらの薄板についてエッチング性を評価した結果も表2
に示す。
【0030】
【表2】
【0031】エッチング性の評価は電子ビーム通過孔の
孔径が120μmφ、孔ピッチが250μmであるフォ
トマスクを使用してフォトエッチング穿孔試験を行い、
加工後のシャドウマスクの外観についてスジむら等のエ
ッチング不良の有無と加工精度を判定した。このときの
フォトエッチングは、高温、高濃度の塩化第二鉄水溶液
をスプレーする手法によって行った。エッチング不良の
有無は、一方向光源を用いた透過光および反射光による
目視観察によって判定した。
【0032】表2に示すように、本発明例であるNo.
1〜15ではエッチング不良が発生せず、高い加工精度
が得られた。これに対して、比較例であるNo.16〜
20はいずれもNi濃度変動が急峻であったために、相
対的なエッチング速度の差が助長されてスジむらを生じ
た。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
特定組成のFe−Ni系合金またはFe−Ni−Co系
合金を素材として用い、Niミクロ偏析を所定の範囲に
規定することにより、エッチング不良の発生を抑制し、
高精度の加工が可能な電子部品用の低熱膨張合金薄板が
提供される。本発明の低熱膨張合金薄板は、特にコンピ
ューターディスプレイに使用されるシャドウマスクとし
て好適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】Niミクロ偏析を説明するための図。
【図2】a×103/bの値とエッチング性との関係を
示す図。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Ni:32〜38wt%を含有するFe
    −Ni系合金からなり、エッチング加工する面の圧延方
    向に直交する向きのNiミクロ偏析について、その濃度
    変動量をa(wt%)、濃度変動幅をb(μm)とした
    時、両者の関係が(1)式を満足することを特徴とする
    エッチング性に優れた電子部品用低熱膨張合金薄板。 a×103/b≦2 ……(1)
  2. 【請求項2】 Ni:23〜38wt%、Co:7wt
    %以下を含有し、かつNi+Coが32〜38wt%で
    あるFe−Ni−Co系合金からなり、エッチング加工
    する面の圧延方向に直交する向きのNiミクロ偏析につ
    いて、その濃度変動量をa(wt%)、濃度変動幅をb
    (μm)とした時、両者の関係が(1)式を満足するこ
    とを特徴とするエッチング性に優れた電子部品用低熱膨
    張合金薄板。 a×103/b≦2 ……(1)
JP9222026A 1997-08-05 1997-08-05 エッチング性に優れた電子部品用低熱膨張合金薄板 Pending JPH1150201A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016011451A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 新報国製鉄株式会社 極低熱膨張合金及びその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2016011451A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 新報国製鉄株式会社 極低熱膨張合金及びその製造方法

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