JPH1146040A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH1146040A JPH1146040A JP19863997A JP19863997A JPH1146040A JP H1146040 A JPH1146040 A JP H1146040A JP 19863997 A JP19863997 A JP 19863997A JP 19863997 A JP19863997 A JP 19863997A JP H1146040 A JPH1146040 A JP H1146040A
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- modulator
- dfb laser
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 集積型光変調器の内部の戻り光によるチャー
ピングの発生を低減し、高速、長距離光伝送を実現す
る。 【解決手段】 ＤＦＢレーザ部２、遷移領域部６、変調
器部５に分けられ、ＤＦＢレーザ部２では、ｎ型ＩｎＰ
基板１上に回折格子３が形成されている。変調器部５の
活性層は、ＤＦＢレーザ部２の活性層よりバンドギャッ
プが小さく、逆バイアスをかけることにより、ＤＦＢレ
ーザ光を消光させることができるようになっている。遷
移領域部６は、活性層のバンドギャップが連続的に変わ
っていく領域である。ｐ側電極２４は、ＤＦＢレーザ部
２と変調器部５とに分離されて形成されている。変調器
部５の光導波路が曲がり導波路となっている。この曲が
り導波路の曲率半径は、１〜３ｍｍである。
ピングの発生を低減し、高速、長距離光伝送を実現す
る。 【解決手段】 ＤＦＢレーザ部２、遷移領域部６、変調
器部５に分けられ、ＤＦＢレーザ部２では、ｎ型ＩｎＰ
基板１上に回折格子３が形成されている。変調器部５の
活性層は、ＤＦＢレーザ部２の活性層よりバンドギャッ
プが小さく、逆バイアスをかけることにより、ＤＦＢレ
ーザ光を消光させることができるようになっている。遷
移領域部６は、活性層のバンドギャップが連続的に変わ
っていく領域である。ｐ側電極２４は、ＤＦＢレーザ部
２と変調器部５とに分離されて形成されている。変調器
部５の光導波路が曲がり導波路となっている。この曲が
り導波路の曲率半径は、１〜３ｍｍである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回折格子構造を有
する光半導体装置に関し、特に、集積型光変調器等の光
半導体装置に関する。
する光半導体装置に関し、特に、集積型光変調器等の光
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】４０ｋｍ〜６００ｋｍの光ファイバ通信
長距離伝送では、低損失の１．５５μｍ帯の光が用いら
れる。しかし、一般に敷設されているファイバは、１．
３μｍで分散が０となるノーマルファイバであるため、
１．５５μｍ帯では分散の影響を受ける。分散の影響を
受けなくするためには、変調時の波長スペクトル広がり
すなわちチャーピングを低く抑える必要がある。そこ
で、直接変調の半導体レーザを用いる代わりに、一定の
半導体レーザ光を外部で消光させる外部変調方式が用い
られる。
長距離伝送では、低損失の１．５５μｍ帯の光が用いら
れる。しかし、一般に敷設されているファイバは、１．
３μｍで分散が０となるノーマルファイバであるため、
１．５５μｍ帯では分散の影響を受ける。分散の影響を
受けなくするためには、変調時の波長スペクトル広がり
すなわちチャーピングを低く抑える必要がある。そこ
で、直接変調の半導体レーザを用いる代わりに、一定の
半導体レーザ光を外部で消光させる外部変調方式が用い
られる。
【０００３】ここでの半導体レーザは、回折格子を内蔵
した分布帰還型レーザと呼ばれるものである。通常ＤＦ
Ｂ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ）レー
ザと呼ばれ、発振波長は回折格子によって決まるため、
発振波長スペクトルは単一モードとなる。この発振波長
は、半導体レーザの活性層の屈折率に依存するため、活
性層のキャリア密度が変動すると、それに伴って変動す
る。外部変調方式においても、変調器から半導体レーザ
に光が戻ると、半導体レーザ内の光密度の揺らぎにより
キャリア密度が揺らぐため、チャーピングが発生する。
これを防止するため、半導体レーザと変調器の間には、
アイソレータを挿入する必要がある。又は、特開平６−
１１６７０号公報に記載されている「光強度変調素子お
よび光強度変調器」のような手段が発案されている。
した分布帰還型レーザと呼ばれるものである。通常ＤＦ
Ｂ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ）レー
ザと呼ばれ、発振波長は回折格子によって決まるため、
発振波長スペクトルは単一モードとなる。この発振波長
は、半導体レーザの活性層の屈折率に依存するため、活
性層のキャリア密度が変動すると、それに伴って変動す
る。外部変調方式においても、変調器から半導体レーザ
に光が戻ると、半導体レーザ内の光密度の揺らぎにより
キャリア密度が揺らぐため、チャーピングが発生する。
これを防止するため、半導体レーザと変調器の間には、
アイソレータを挿入する必要がある。又は、特開平６−
１１６７０号公報に記載されている「光強度変調素子お
よび光強度変調器」のような手段が発案されている。
【０００４】このような単体変調器に対して、近年にお
いては、半導体レーザと光変調器とをモノリシックに集
積した集積型光変調器が開発されている。集積すること
により、装置が小型になるだけでなく、半導体レーザか
ら変調器までの間の光の損失も低減される。しかし、モ
ノリシックであるため、変調器部分から半導体レーザ部
への戻り光対策はより重要であり、通常これを回避する
ために、変調器の出射端面をウィンドウ構造とした上で
ＡＲコーティング膜を施すという手段を講ずる。これ
は、例えば、第８回インターナショナル コンファレン
ス オン インジウム フォスファイド アンド リレ
ーテッド マテリアルズの論文番号ＴｈＡ２−１、Ｙ．
Ｓａｋａｔａ，ｅｔ ａｌ．，”Ｓｔｒａｉｎｅｄ Ｍ
ＱＷ−ＢＨ−ＬＤｓ ａｎｄ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
ｄｅｖｉｃｅｓ ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ ｓｅｌ
ｅｃｔｉｖｅ ＭＯＶＰＥ”，（８ｔｈ Ｉｎｔ．Ｃｏ
ｎｆ．ｏｎ Ｉｎｄｉｕｍ Ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ ａｎ
ｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，ｐａｐｅｒ
ＴｈＡ２−１（１９９６））などで述べられている。
以下、図面を参照して詳細に説明する。
いては、半導体レーザと光変調器とをモノリシックに集
積した集積型光変調器が開発されている。集積すること
により、装置が小型になるだけでなく、半導体レーザか
ら変調器までの間の光の損失も低減される。しかし、モ
ノリシックであるため、変調器部分から半導体レーザ部
への戻り光対策はより重要であり、通常これを回避する
ために、変調器の出射端面をウィンドウ構造とした上で
ＡＲコーティング膜を施すという手段を講ずる。これ
は、例えば、第８回インターナショナル コンファレン
ス オン インジウム フォスファイド アンド リレ
ーテッド マテリアルズの論文番号ＴｈＡ２−１、Ｙ．
Ｓａｋａｔａ，ｅｔ ａｌ．，”Ｓｔｒａｉｎｅｄ Ｍ
ＱＷ−ＢＨ−ＬＤｓ ａｎｄ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
ｄｅｖｉｃｅｓ ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ ｓｅｌ
ｅｃｔｉｖｅ ＭＯＶＰＥ”，（８ｔｈ Ｉｎｔ．Ｃｏ
ｎｆ．ｏｎ Ｉｎｄｉｕｍ Ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ ａｎ
ｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，ｐａｐｅｒ
ＴｈＡ２−１（１９９６））などで述べられている。
以下、図面を参照して詳細に説明する。
【０００５】この種の従来の集積型光変調器は、斜視図
で示すと図６のようになっている。この製造工程を、図
７、図８、図９に示す。
で示すと図６のようになっている。この製造工程を、図
７、図８、図９に示す。
【０００６】最初に、表面の面方位が（１００）面のｎ
型ＩｎＰ基板１上の、長さ４００μｍのＤＦＢレーザ部
２に、（０１１）面に平行な溝がピッチ２４３ｎｍで並
んでいる回折格子３を形成する。次に、間隙が１．８μ
ｍの２対の二酸化シリコン膜４のストライプマスクを形
成する。この二酸化シリコン膜４の幅は、ＤＦＢレーザ
部２で１０μｍ、変調器部５で４μｍであり、変調器部
５のＤＦＢレーザ部２の反対側の端３０μｍの部分にお
いては、２対の二酸化シリコン膜４が閉じる形状とす
る。変調器部５の長さは２５０μｍであり、変調器部５
とＤＦＢレーザ部２との間には二酸化シリコン膜４の幅
が連続的に変化する遷移領域部６が５０μｍの長さで挿
入されている。この二酸化シリコン膜４は、有機金属気
相成長（以下、「ＭＯ−ＶＰＥ」という。）での成長阻
止マスクとなる。このマスク幅をＤＦＢレーザ部２と変
調器部５とで変化させることにより、ＭＯ−ＶＰＥによ
る多重量子井戸構造（以下、「ＭＱＷ」とよぶ。）の遷
移準位を変化させることができる。
型ＩｎＰ基板１上の、長さ４００μｍのＤＦＢレーザ部
２に、（０１１）面に平行な溝がピッチ２４３ｎｍで並
んでいる回折格子３を形成する。次に、間隙が１．８μ
ｍの２対の二酸化シリコン膜４のストライプマスクを形
成する。この二酸化シリコン膜４の幅は、ＤＦＢレーザ
部２で１０μｍ、変調器部５で４μｍであり、変調器部
５のＤＦＢレーザ部２の反対側の端３０μｍの部分にお
いては、２対の二酸化シリコン膜４が閉じる形状とす
る。変調器部５の長さは２５０μｍであり、変調器部５
とＤＦＢレーザ部２との間には二酸化シリコン膜４の幅
が連続的に変化する遷移領域部６が５０μｍの長さで挿
入されている。この二酸化シリコン膜４は、有機金属気
相成長（以下、「ＭＯ−ＶＰＥ」という。）での成長阻
止マスクとなる。このマスク幅をＤＦＢレーザ部２と変
調器部５とで変化させることにより、ＭＯ−ＶＰＥによ
る多重量子井戸構造（以下、「ＭＱＷ」とよぶ。）の遷
移準位を変化させることができる。
【０００７】このＭＯ−ＶＰＥの選択成長では、ＩｎＰ
とＩｎＧａＡｓＰとのエピタキシャル成長を行う。この
とき、原料ガスは、トリメチルインジウム（以下、「Ｔ
ＭＩ」という。）、トリメチルガリウム（以下、「ＴＭ
Ｇ」という。）、アルシン（以下、ＡｓＨ3 とい
う。）、フォスフィン（以下、「ＰＨ3 」という。）を
用い、有機金属は、水素のバブリングにより供給する。
ドーピングについては、適宜、ジシラン（以下、「Ｓｉ
2 Ｈ6 」という。）、ジメチルジンク（以下、「ＤＭＺ
ｎ」という。）を水素で希釈したガスを用いる。また、
成長圧力は、１００Ｔｏｒｒとする。
とＩｎＧａＡｓＰとのエピタキシャル成長を行う。この
とき、原料ガスは、トリメチルインジウム（以下、「Ｔ
ＭＩ」という。）、トリメチルガリウム（以下、「ＴＭ
Ｇ」という。）、アルシン（以下、ＡｓＨ3 とい
う。）、フォスフィン（以下、「ＰＨ3 」という。）を
用い、有機金属は、水素のバブリングにより供給する。
ドーピングについては、適宜、ジシラン（以下、「Ｓｉ
2 Ｈ6 」という。）、ジメチルジンク（以下、「ＤＭＺ
ｎ」という。）を水素で希釈したガスを用いる。また、
成長圧力は、１００Ｔｏｒｒとする。
【０００８】二酸化シリコン膜４形成後、図１０のよう
な層構造で、ＭＯ−ＶＰＥ選択成長を行う。まず、１．
１３μｍ組成のｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層７に始まっ
て、ｎ−ＩｎＰスペーサ層８、１．２μｍ組成のｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ ＳＣＨ層９、歪ＭＱＷ層１０を順次成長
する。歪ＭＱＷ層１０は、８層の圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰ
ウェル層１１とその間に１．２μｍ組成のＩｎＧａＡｓ
Ｐバリア層１２がはさまれた構造となっており、遷移波
長は、ＤＦＢレーザ部２で１．５６μｍ、変調器部５で
１．４７μｍである。その上に、１．２μｍ組成のＩｎ
ＧａＡｓＰ ＳＣＨ層１３、ＩｎＧａＡｓＰ中間層１
４、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ ＳＣＨ層１５、ｐ−ＩｎＰク
ラッド層１６を成長する。ここで、ｐ側のＳＣＨ層を、
１．２μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰからＩｎＰまで、徐々
にバンドギャップを変えていくことにより、変調器で発
生したホールキャリアをｐ側電極２４へ速やかに引き抜
くようにする。このようにして、図７のような選択成長
形状が得られる。ＭＯ−ＶＰＥでは、（１１１）Ｂ面の
成長速度が遅いため、一般に、選択成長側面には、（１
１１）Ｂ面が形成されるが、変調器部５出射部のウィン
ドウ部１７の側面は、（１１１）Ａ面が形成される。
な層構造で、ＭＯ−ＶＰＥ選択成長を行う。まず、１．
１３μｍ組成のｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層７に始まっ
て、ｎ−ＩｎＰスペーサ層８、１．２μｍ組成のｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ ＳＣＨ層９、歪ＭＱＷ層１０を順次成長
する。歪ＭＱＷ層１０は、８層の圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰ
ウェル層１１とその間に１．２μｍ組成のＩｎＧａＡｓ
Ｐバリア層１２がはさまれた構造となっており、遷移波
長は、ＤＦＢレーザ部２で１．５６μｍ、変調器部５で
１．４７μｍである。その上に、１．２μｍ組成のＩｎ
ＧａＡｓＰ ＳＣＨ層１３、ＩｎＧａＡｓＰ中間層１
４、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ ＳＣＨ層１５、ｐ−ＩｎＰク
ラッド層１６を成長する。ここで、ｐ側のＳＣＨ層を、
１．２μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰからＩｎＰまで、徐々
にバンドギャップを変えていくことにより、変調器で発
生したホールキャリアをｐ側電極２４へ速やかに引き抜
くようにする。このようにして、図７のような選択成長
形状が得られる。ＭＯ−ＶＰＥでは、（１１１）Ｂ面の
成長速度が遅いため、一般に、選択成長側面には、（１
１１）Ｂ面が形成されるが、変調器部５出射部のウィン
ドウ部１７の側面は、（１１１）Ａ面が形成される。
【０００９】次に、選択成長リッジ部１８の両脇１μｍ
の二酸化シリコン膜４を除去する。ウィンドウ部１７に
おいても全体の抜け幅が等しくなるように、二酸化シリ
コン膜４を除去する。その上で、ｐ−ＩｎＰ埋込み層１
９、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２０、ｐ−ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層２１を成長する。そして、図８のよ
うに、リッジ部以外の平坦成長部のエピを除去する。
の二酸化シリコン膜４を除去する。ウィンドウ部１７に
おいても全体の抜け幅が等しくなるように、二酸化シリ
コン膜４を除去する。その上で、ｐ−ＩｎＰ埋込み層１
９、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２０、ｐ−ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層２１を成長する。そして、図８のよ
うに、リッジ部以外の平坦成長部のエピを除去する。
【００１０】次に、遷移領域部６のｐ−ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層２０、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１
を除去し、ＤＦＢレーザ部２、変調器部５の選択成長上
面でのみ開口した二酸化シリコン膜２２を図９のように
形成する。
コンタクト層２０、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１
を除去し、ＤＦＢレーザ部２、変調器部５の選択成長上
面でのみ開口した二酸化シリコン膜２２を図９のように
形成する。
【００１１】次に、ポリイミド２３を選択成長の上面が
露出するように形成し、ｐ側電極２４をＤＦＢレーザ部
２及び変調器部５に形成する。次に、裏面研磨を行っ
て、ウェハーの厚さを１２０μｍにしてから、ｎ側電極
２５を形成する。
露出するように形成し、ｐ側電極２４をＤＦＢレーザ部
２及び変調器部５に形成する。次に、裏面研磨を行っ
て、ウェハーの厚さを１２０μｍにしてから、ｎ側電極
２５を形成する。
【００１２】最後に、端面劈開を行い、図６のように、
変調器部５側の端面にシリコン窒化膜からなるＡＲコー
ティング膜２６を施す。ＤＦＢレーザ部２側の端面は二
酸化シリコン膜／アモルファスシリコン膜／二酸化シリ
コン膜の３層コーティングにより、７５％の端面反射率
を得るようにする。
変調器部５側の端面にシリコン窒化膜からなるＡＲコー
ティング膜２６を施す。ＤＦＢレーザ部２側の端面は二
酸化シリコン膜／アモルファスシリコン膜／二酸化シリ
コン膜の３層コーティングにより、７５％の端面反射率
を得るようにする。
【００１３】以上の工程により作成された、ウィンドウ
部１７＋ＡＲコーティング膜２６の構造により、変調器
部５端面の反射率は、０．０４％以下にすることができ
る。１９９６年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会講演論文集の論文番号Ｃ−３１１の青木他
「電界吸収型光変調器集積ＤＦＢレーザにおける前端面
光反射の伝送特性に与える影響」で述べられているよう
に、０．０４％以下の前端面反射率とすれば、２．４８
８３２Ｇｂ／ｓの５００ｋｍ伝送を行うことができる。
しかし、１０Ｇｂ／ｓでは、よりチャーピングの影響が
大きくなるため、この程度の戻り光抑制では、８０ｋｍ
程度までしか伝送距離をのばすことができない。
部１７＋ＡＲコーティング膜２６の構造により、変調器
部５端面の反射率は、０．０４％以下にすることができ
る。１９９６年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会講演論文集の論文番号Ｃ−３１１の青木他
「電界吸収型光変調器集積ＤＦＢレーザにおける前端面
光反射の伝送特性に与える影響」で述べられているよう
に、０．０４％以下の前端面反射率とすれば、２．４８
８３２Ｇｂ／ｓの５００ｋｍ伝送を行うことができる。
しかし、１０Ｇｂ／ｓでは、よりチャーピングの影響が
大きくなるため、この程度の戻り光抑制では、８０ｋｍ
程度までしか伝送距離をのばすことができない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術において
は、光ファイバの波長分散の制限により、１０Ｇｂ／ｓ
の伝送距離を８０ｋｍ以上にのばすことができない。そ
の理由は、変調器からＤＦＢレーザへの戻り光により、
ＤＦＢレーザの活性層の光密度が変動し、これによりキ
ャリア密度が変化し、さらに、屈折率が変化するため、
回折格子で決まるＤＦＢレーザの発振波長が変動するた
めである。このような変動は、ＤＦＢレーザが持つ緩和
振動周波数と呼ばれる周波数で起きるため、伝送ビット
レートが緩和振動周波数に近づけば、より大きな影響を
もたらす。通常、ＤＦＢレーザの緩和振動周波数は１０
ＧＨｚ程度なので、１０Ｇｂ／ｓ伝送では、チャーピン
グを非常に小さく抑えなければ、長距離伝送を行うこと
ができない。
は、光ファイバの波長分散の制限により、１０Ｇｂ／ｓ
の伝送距離を８０ｋｍ以上にのばすことができない。そ
の理由は、変調器からＤＦＢレーザへの戻り光により、
ＤＦＢレーザの活性層の光密度が変動し、これによりキ
ャリア密度が変化し、さらに、屈折率が変化するため、
回折格子で決まるＤＦＢレーザの発振波長が変動するた
めである。このような変動は、ＤＦＢレーザが持つ緩和
振動周波数と呼ばれる周波数で起きるため、伝送ビット
レートが緩和振動周波数に近づけば、より大きな影響を
もたらす。通常、ＤＦＢレーザの緩和振動周波数は１０
ＧＨｚ程度なので、１０Ｇｂ／ｓ伝送では、チャーピン
グを非常に小さく抑えなければ、長距離伝送を行うこと
ができない。
【００１５】また、Ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ Ｃｏｍｐｅ
ｎｓａｔｉｏｎ Ｆｉｂｅｒ（ＤＣＦ）を挿入すること
によって、分散を補償する方法もあるが、このＤＣＦフ
ァイバは、装置が大型化し、きわめて大きなコストアッ
プになるという欠点がある。
ｎｓａｔｉｏｎ Ｆｉｂｅｒ（ＤＣＦ）を挿入すること
によって、分散を補償する方法もあるが、このＤＣＦフ
ァイバは、装置が大型化し、きわめて大きなコストアッ
プになるという欠点がある。
【００１６】
【発明の目的】本発明の目的は、集積型光変調器の内部
の戻り光によるチャーピングの発生を低減し、高速、長
距離光伝送を実現することにある。
の戻り光によるチャーピングの発生を低減し、高速、長
距離光伝送を実現することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、回折格子を有
する光半導体装置において、光導波路を曲げて、一方の
端面では、端面と光導波路とが垂直になるようにし、他
方の端面では、端面と光導波路との角度が垂直からずれ
るようにしたものである。
する光半導体装置において、光導波路を曲げて、一方の
端面では、端面と光導波路とが垂直になるようにし、他
方の端面では、端面と光導波路との角度が垂直からずれ
るようにしたものである。
【００１８】また、上記光半導体装置において、変調器
と分布帰還型半導体レーザとをモノリシックに集積化し
たものであり、光導波路と端面とが垂直となっている側
に、分布帰還型半導体レーザを配置し、光導波路と端面
とが斜めに傾いている側に変調器を配置したものであ
る。
と分布帰還型半導体レーザとをモノリシックに集積化し
たものであり、光導波路と端面とが垂直となっている側
に、分布帰還型半導体レーザを配置し、光導波路と端面
とが斜めに傾いている側に変調器を配置したものであ
る。
【００１９】光導波路をチップ内の途中で曲げることに
より、一方の端面では、光導波路と端面を垂直に、他方
の端面では、光導波路と端面を斜めにすることができ
る。集積型光変調器では、均一グレーティングＤＦＢレ
ーザの後端面は高反射に、変調器側の出射端面は極低反
射にする必要があるが、このような曲がり導波路を挿入
する手法で、この非対称反射を実現することができる。
斜め導波路では、端面で反射された光が元の導波路に戻
らないため、実質的に低反射にすることができる。
より、一方の端面では、光導波路と端面を垂直に、他方
の端面では、光導波路と端面を斜めにすることができ
る。集積型光変調器では、均一グレーティングＤＦＢレ
ーザの後端面は高反射に、変調器側の出射端面は極低反
射にする必要があるが、このような曲がり導波路を挿入
する手法で、この非対称反射を実現することができる。
斜め導波路では、端面で反射された光が元の導波路に戻
らないため、実質的に低反射にすることができる。
【００２０】集積型光変調器では、高速化、長距離化に
伴い、変調器からＤＦＢレーザへの戻り光抑制が大きな
課題となる。上で述べた変調器出射端面での斜め導波路
化は、ウィンドウ構造、ＡＲコーティングと組み合わせ
ることにより、変調器からＤＦＢレーザへの戻り光を、
０．０１％以下に抑えることができるようになる。戻り
光が０．０１％以下に抑えられると、戻り光に起因する
チャーピングは無視できるようになり、１０Ｇｂ／ｓ、
２００ｋｍ伝送が、達成される。
伴い、変調器からＤＦＢレーザへの戻り光抑制が大きな
課題となる。上で述べた変調器出射端面での斜め導波路
化は、ウィンドウ構造、ＡＲコーティングと組み合わせ
ることにより、変調器からＤＦＢレーザへの戻り光を、
０．０１％以下に抑えることができるようになる。戻り
光が０．０１％以下に抑えられると、戻り光に起因する
チャーピングは無視できるようになり、１０Ｇｂ／ｓ、
２００ｋｍ伝送が、達成される。
【００２１】曲がり導波路とした場合、その曲率半径が
小さすぎれば、導波損が生じ、出力パワーが低下してし
まうという問題がある。これは、活性層幅が１．５μｍ
以上の時は、曲率半径を２ｍｍ以上とし、また、活性層
幅が１μｍ以上の時は、曲率半径を５ｍｍ以上とすれ
ば、全く問題とならない。
小さすぎれば、導波損が生じ、出力パワーが低下してし
まうという問題がある。これは、活性層幅が１．５μｍ
以上の時は、曲率半径を２ｍｍ以上とし、また、活性層
幅が１μｍ以上の時は、曲率半径を５ｍｍ以上とすれ
ば、全く問題とならない。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【００２３】図１を参照すると、集積型光変調器の素子
構造は、大きく、ＤＦＢレーザ部２、遷移領域部６、変
調器部５に分けられ、ＤＦＢレーザ部２では、ｎ型Ｉｎ
Ｐ基板１上に回折格子３が形成されている。変調器部５
の活性層は、ＤＦＢレーザ部２の活性層よりバンドギャ
ップが小さく、逆バイアスをかけることにより、ＤＦＢ
レーザ光を消光させることができるようになっている。
遷移領域部６は、活性層のバンドギャップが連続的に変
わっていく領域である。ｐ側電極２４は、ＤＦＢレーザ
部２と変調器部５とに分離されて形成されている。
構造は、大きく、ＤＦＢレーザ部２、遷移領域部６、変
調器部５に分けられ、ＤＦＢレーザ部２では、ｎ型Ｉｎ
Ｐ基板１上に回折格子３が形成されている。変調器部５
の活性層は、ＤＦＢレーザ部２の活性層よりバンドギャ
ップが小さく、逆バイアスをかけることにより、ＤＦＢ
レーザ光を消光させることができるようになっている。
遷移領域部６は、活性層のバンドギャップが連続的に変
わっていく領域である。ｐ側電極２４は、ＤＦＢレーザ
部２と変調器部５とに分離されて形成されている。
【００２４】ここで特徴となる点は、変調器部５の光導
波路が曲がり導波路となっていることである。この曲が
り導波路の曲率半径は、１〜３ｍｍである。変調器部５
の長さは、１００μｍ〜３００μｍであり、変調器部５
の出射端面では、導波路と端面の角度が、９０°を基準
に５°以上斜めに傾いた角度となっている。この斜め角
度は、７°以上であることがさらに望ましい。
波路が曲がり導波路となっていることである。この曲が
り導波路の曲率半径は、１〜３ｍｍである。変調器部５
の長さは、１００μｍ〜３００μｍであり、変調器部５
の出射端面では、導波路と端面の角度が、９０°を基準
に５°以上斜めに傾いた角度となっている。この斜め角
度は、７°以上であることがさらに望ましい。
【００２５】変調器部５の端面部は、ＡＲコーティング
膜２６を施してあり、内部はウィンドウ構造となってい
る。このように、ＡＲコーティング＋ウィンドウ構造＋
斜め導波路を総合して、前端面反射率は０．０１％以下
に抑制される。
膜２６を施してあり、内部はウィンドウ構造となってい
る。このように、ＡＲコーティング＋ウィンドウ構造＋
斜め導波路を総合して、前端面反射率は０．０１％以下
に抑制される。
【００２６】また、本発明の実施形態の変形例として、
曲がり導波路となっている部分を、変調器部５のみなら
ず、遷移領域部６及びＤＦＢレーザ部２にまで拡大する
こともできる。このときは、ＤＦＢレーザ部２の回折格
子３は、光導波路が曲がるにつれ曲がった回折格子とす
る。変調器部５、遷移領域部６及びＤＦＢレーザ部２を
全部足したチップのトータル長は、５００〜９００μｍ
であり、全体の先導波路の曲率半径を２〜６ｍｍとす
る。変調器部５の出射端面は、光導波路と端面とが９０
°を基準に７°〜２０°傾いた斜め導波路となってい
る。
曲がり導波路となっている部分を、変調器部５のみなら
ず、遷移領域部６及びＤＦＢレーザ部２にまで拡大する
こともできる。このときは、ＤＦＢレーザ部２の回折格
子３は、光導波路が曲がるにつれ曲がった回折格子とす
る。変調器部５、遷移領域部６及びＤＦＢレーザ部２を
全部足したチップのトータル長は、５００〜９００μｍ
であり、全体の先導波路の曲率半径を２〜６ｍｍとす
る。変調器部５の出射端面は、光導波路と端面とが９０
°を基準に７°〜２０°傾いた斜め導波路となってい
る。
【００２７】次に、本実施形態の一実施例について図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
【００２８】図１を参照すると、本実施例は、素子は、
ＤＦＢレーザ部２、遷移領域部６、変調器部５から構成
され、それぞれの長さは、４００μｍ、５０μｍ、２５
０μｍである。これらはすべて、面方位が（１００）の
ｎ型ＩｎＰ基板１上にモノリシックに形成されている。
ＤＦＢレーザ部２では、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ピッチ
が２４３ｎｍの回折格子３が形成されている。ＤＦＢレ
ーザ部２、遷移領域部６、変調器部５の活性層のバンド
ギャップ波長は、ＤＦＢレーザ部２で１５６０ｎｍ、変
調器部５で１４７０ｎｍであり、遷移領域部６はこれら
の間を連続的につなぐものとなっている。
ＤＦＢレーザ部２、遷移領域部６、変調器部５から構成
され、それぞれの長さは、４００μｍ、５０μｍ、２５
０μｍである。これらはすべて、面方位が（１００）の
ｎ型ＩｎＰ基板１上にモノリシックに形成されている。
ＤＦＢレーザ部２では、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ピッチ
が２４３ｎｍの回折格子３が形成されている。ＤＦＢレ
ーザ部２、遷移領域部６、変調器部５の活性層のバンド
ギャップ波長は、ＤＦＢレーザ部２で１５６０ｎｍ、変
調器部５で１４７０ｎｍであり、遷移領域部６はこれら
の間を連続的につなぐものとなっている。
【００２９】二酸化シリコン膜２２は、ＤＦＢレーザ部
２と変調器部５で開口しており、その上に、ｐ側電極２
４が、ＤＦＢレーザ部２と変調器部５に、分離されて形
成されている。変調器部５の光導波路は、曲率半径２ｍ
ｍの曲がり導波路となっており、出射端面は、７°斜め
に傾いている。また、前端面には、窒化シリコン膜から
なるＡＲコーティング膜２６が施されている。
２と変調器部５で開口しており、その上に、ｐ側電極２
４が、ＤＦＢレーザ部２と変調器部５に、分離されて形
成されている。変調器部５の光導波路は、曲率半径２ｍ
ｍの曲がり導波路となっており、出射端面は、７°斜め
に傾いている。また、前端面には、窒化シリコン膜から
なるＡＲコーティング膜２６が施されている。
【００３０】次に、本実施例の製造方法について、図
２、図３、図４、図１を参照して詳細に説明する。
２、図３、図４、図１を参照して詳細に説明する。
【００３１】最初に、表面の面方位が（１００）面のｎ
型ＩｎＰ基板１上の、長さ４００μｍのＤＦＢレーザ部
２に、（０１１）面に平行な溝がピッチ２４３ｎｍで並
んでいる回折格子３を形成する。次に、間隙が１．８μ
ｍの２対の二酸化シリコン膜４のストライプマスクを形
成する。この二酸化シリコン膜４の幅は、ＤＦＢレーザ
部２で１０μｍ、変調器部５で４μｍであり、変調器部
５の前端部３０μｍの部分においては、２対の二酸化シ
リコン膜４が閉じる形状とする。変調器部５の長さは２
５０μｍであり、変調器部５とＤＦＢレーザ部２との間
には二酸化シリコン膜４の幅が連続的に変化する遷移領
域部６が５０μｍの長さで挿入されている。そして、こ
の二酸化シリコン膜４のストライプは、ＤＦＢレーザ部
２では［０１１］方向を向いているが、変調器部５で
は、曲率半径２ｍｍで曲がった形状とする。二酸化シリ
コン膜４は、ＭＯ−ＶＰＥ成長での成長阻止マスクとな
る。このマスク幅をＤＦＢレーザ部２と変調器部５で変
化させることにより、ＭＯ−ＶＰＥによるＭＱＷの遷移
波長を変化させることができる。
型ＩｎＰ基板１上の、長さ４００μｍのＤＦＢレーザ部
２に、（０１１）面に平行な溝がピッチ２４３ｎｍで並
んでいる回折格子３を形成する。次に、間隙が１．８μ
ｍの２対の二酸化シリコン膜４のストライプマスクを形
成する。この二酸化シリコン膜４の幅は、ＤＦＢレーザ
部２で１０μｍ、変調器部５で４μｍであり、変調器部
５の前端部３０μｍの部分においては、２対の二酸化シ
リコン膜４が閉じる形状とする。変調器部５の長さは２
５０μｍであり、変調器部５とＤＦＢレーザ部２との間
には二酸化シリコン膜４の幅が連続的に変化する遷移領
域部６が５０μｍの長さで挿入されている。そして、こ
の二酸化シリコン膜４のストライプは、ＤＦＢレーザ部
２では［０１１］方向を向いているが、変調器部５で
は、曲率半径２ｍｍで曲がった形状とする。二酸化シリ
コン膜４は、ＭＯ−ＶＰＥ成長での成長阻止マスクとな
る。このマスク幅をＤＦＢレーザ部２と変調器部５で変
化させることにより、ＭＯ−ＶＰＥによるＭＱＷの遷移
波長を変化させることができる。
【００３２】このＭＯ−ＶＰＥの選択成長では、ＩｎＰ
とＩｎＧａＡｓＰのエピタキシャル成長を行うが、原料
ガスは、ＴＭＩ、ＴＭＧ、ＡｓＨ3 、ＰＨ3 を用い、有
機金属は、水素のバブリングにより供給する。ドーピン
グについては、適宜、Ｓｉ2Ｈ6 、ＤＭＺｎを水素で希
釈したガスを用いる。また、成長圧力は、１００Ｔｏｒ
ｒとする。
とＩｎＧａＡｓＰのエピタキシャル成長を行うが、原料
ガスは、ＴＭＩ、ＴＭＧ、ＡｓＨ3 、ＰＨ3 を用い、有
機金属は、水素のバブリングにより供給する。ドーピン
グについては、適宜、Ｓｉ2Ｈ6 、ＤＭＺｎを水素で希
釈したガスを用いる。また、成長圧力は、１００Ｔｏｒ
ｒとする。
【００３３】二酸化シリコン膜４形成後、図１０のよう
なＭＯ−ＶＰＥ選択成長を行う。まず、１．１３μｍ組
成のｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層７に始まって、ｎ−Ｉ
ｎＰスペーサ層８、１．２μｍ組成のｎ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ ＳＣＨ層９、歪ＭＱＷ層１０を順次成長する。歪Ｍ
ＱＷ層１０は、８層の圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰウェル層１
１とその間に１．μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰバリア層１
２がある構造となっており、遷移波長は、ＤＦＢレーザ
部２で１．５６μｍ、変調器部５で１．４７μｍであ
る。その上に、１．２μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ ＳＣ
Ｈ層１３、ＩｎＧａＡｓＰ中間層１４、ｐ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ ＳＣＨ層１５、ｐ−ＩｎＰクラッド層１６を成長
する。ここで、ｐ側のＳＣＨ層を、１．２μｍ組成のＩ
ｎＧａＡｓＰからＩｎＰまで、徐々にバンドギャップを
変えていくことにより、変調器部５で発生したホールキ
ャリアをｐ側電極２４へ速やかに引き抜くようにする。
このようにして、図２のような選択成長形状が得られ
る。ＭＯ−ＶＰＥでは、（１１１）Ｂ面の成長速度が遅
いため、一般に、選択成長側面には、（１１１）Ｂ面が
形成されるが、変調器部５出射部のウィンドウ部１７の
側面は、（１１１）Ａ面が形成される。
なＭＯ−ＶＰＥ選択成長を行う。まず、１．１３μｍ組
成のｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層７に始まって、ｎ−Ｉ
ｎＰスペーサ層８、１．２μｍ組成のｎ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ ＳＣＨ層９、歪ＭＱＷ層１０を順次成長する。歪Ｍ
ＱＷ層１０は、８層の圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰウェル層１
１とその間に１．μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰバリア層１
２がある構造となっており、遷移波長は、ＤＦＢレーザ
部２で１．５６μｍ、変調器部５で１．４７μｍであ
る。その上に、１．２μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ ＳＣ
Ｈ層１３、ＩｎＧａＡｓＰ中間層１４、ｐ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ ＳＣＨ層１５、ｐ−ＩｎＰクラッド層１６を成長
する。ここで、ｐ側のＳＣＨ層を、１．２μｍ組成のＩ
ｎＧａＡｓＰからＩｎＰまで、徐々にバンドギャップを
変えていくことにより、変調器部５で発生したホールキ
ャリアをｐ側電極２４へ速やかに引き抜くようにする。
このようにして、図２のような選択成長形状が得られ
る。ＭＯ−ＶＰＥでは、（１１１）Ｂ面の成長速度が遅
いため、一般に、選択成長側面には、（１１１）Ｂ面が
形成されるが、変調器部５出射部のウィンドウ部１７の
側面は、（１１１）Ａ面が形成される。
【００３４】次に、選択成長リッジ部１８の両脇１μｍ
の二酸化シリコン膜４を除去する。ウィンドウ部１７に
おいても全体の幅が等しくなるように、二酸化シリコン
膜４を除去する。その上で、ｐ−ＩｎＰ埋込み層１９、
ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２０、ｐ−ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層２１を成長する。そして、図３のよう
に、リッジ部でない平坦成長部のエピを除去する。
の二酸化シリコン膜４を除去する。ウィンドウ部１７に
おいても全体の幅が等しくなるように、二酸化シリコン
膜４を除去する。その上で、ｐ−ＩｎＰ埋込み層１９、
ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２０、ｐ−ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層２１を成長する。そして、図３のよう
に、リッジ部でない平坦成長部のエピを除去する。
【００３５】次に、遷移領域部６のｐ−ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層２０、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１
を除去し、ＤＦＢレーザ部２、変調器部５の選択成長上
面でのみ開口した二酸化シリコン膜２２を図４のように
形成する。
コンタクト層２０、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１
を除去し、ＤＦＢレーザ部２、変調器部５の選択成長上
面でのみ開口した二酸化シリコン膜２２を図４のように
形成する。
【００３６】次に、ポリイミド２３を選択成長の上面が
露出するように形成し、ｐ側電極２４を、ＤＦＢレーザ
部２、変調器部５に形成する。次に、裏面研磨を行っ
て、ウェハーの厚さを１２０μｍにしてから、ｎ側電極
２５を形成する。最後に、端面劈開を行い、図１のよう
に、変調器部５側の端面に窒化シリコン膜のＡＲコーテ
ィング膜２６を施す。ＤＦＢレーザ部２の後端面には、
二酸化シリコン膜／アモルファスシリコン膜／二酸化シ
リコン膜の３層コーティングにより、７５％の反射率の
ＨＲコーティング膜を施す。
露出するように形成し、ｐ側電極２４を、ＤＦＢレーザ
部２、変調器部５に形成する。次に、裏面研磨を行っ
て、ウェハーの厚さを１２０μｍにしてから、ｎ側電極
２５を形成する。最後に、端面劈開を行い、図１のよう
に、変調器部５側の端面に窒化シリコン膜のＡＲコーテ
ィング膜２６を施す。ＤＦＢレーザ部２の後端面には、
二酸化シリコン膜／アモルファスシリコン膜／二酸化シ
リコン膜の３層コーティングにより、７５％の反射率の
ＨＲコーティング膜を施す。
【００３７】以上の製造工程を経て、変調器部５の出射
端面は、７°の斜め導波路＋ウィンドウ構造＋ＡＲコー
ティングとなる。この結果、トータルの前端面反射率
は、０．０１％以下に抑えられる。
端面は、７°の斜め導波路＋ウィンドウ構造＋ＡＲコー
ティングとなる。この結果、トータルの前端面反射率
は、０．０１％以下に抑えられる。
【００３８】以上の実施例においては、ＩｎＰ基板上の
ＩｎＧａＡｓＰの歪ＭＱＷの場合について述べたが、も
ちろん、ＩｎＧａＡｌＡｓ系のＭＱＷでも、同様に実施
することができる。
ＩｎＧａＡｓＰの歪ＭＱＷの場合について述べたが、も
ちろん、ＩｎＧａＡｌＡｓ系のＭＱＷでも、同様に実施
することができる。
【００３９】図５は、本発明の第２実施形態を示す斜視
図である。
図である。
【００４０】図５を参照すると、本実施形態は、変調器
部５が垂直方向に曲がった曲がり導波路となっている。
この場合、同じ曲率半径でもより大きな効果をもたらす
ことができる。変調器部５の出射部はウィンドウ構造と
なっており、活性層は（１１１）Ａ面でとぎれている。
したがって、ビームが変調器部５内の活性層からウィン
ドウ部へ出るとき、斜め導波路となってなくても、屈折
してビームはやや下方向に曲げられる。その上で、導波
路を下の方に曲げるため、斜め導波路としての性質はよ
り拡大された形で得られるのである。
部５が垂直方向に曲がった曲がり導波路となっている。
この場合、同じ曲率半径でもより大きな効果をもたらす
ことができる。変調器部５の出射部はウィンドウ構造と
なっており、活性層は（１１１）Ａ面でとぎれている。
したがって、ビームが変調器部５内の活性層からウィン
ドウ部へ出るとき、斜め導波路となってなくても、屈折
してビームはやや下方向に曲げられる。その上で、導波
路を下の方に曲げるため、斜め導波路としての性質はよ
り拡大された形で得られるのである。
【００４１】また、下にビームを曲げるため、前端面で
反射された光は、ｎ型ＩｎＰ基板１の中の方へ反射され
る。このため、戻り光が選択成長のリッジ側面で乱反射
される懸念がないという利点もある。
反射された光は、ｎ型ＩｎＰ基板１の中の方へ反射され
る。このため、戻り光が選択成長のリッジ側面で乱反射
される懸念がないという利点もある。
【００４２】これを製造するときは、最初の工程で、ｎ
型ＩｎＰ基板１をエッチングする工程を挿入する。この
エッチングにより、変調器部５の部分を曲率半径２ｍｍ
の形状とする。
型ＩｎＰ基板１をエッチングする工程を挿入する。この
エッチングにより、変調器部５の部分を曲率半径２ｍｍ
の形状とする。
【００４３】この方法に、さらに、水平方向の曲がり導
波路を組み合わせて、より一層の効果を上げることもで
きる。
波路を組み合わせて、より一層の効果を上げることもで
きる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明した本発明による効果は、ウィ
ンドウ構造＋ＡＲコーティングに加え、出力端で斜め導
波路にすることで、集積デバイスにおいても、変調器部
からＤＦＢレーザへの戻り光が、−４０ｄＢ以下に押さ
えられるようになったことである。この結果、１０Ｇｂ
／ｓの光通信においても、２００ｋｍ長距離伝送が可能
となった。
ンドウ構造＋ＡＲコーティングに加え、出力端で斜め導
波路にすることで、集積デバイスにおいても、変調器部
からＤＦＢレーザへの戻り光が、−４０ｄＢ以下に押さ
えられるようになったことである。この結果、１０Ｇｂ
／ｓの光通信においても、２００ｋｍ長距離伝送が可能
となった。
【００４５】その理由は、伝送距離を制限するチャーピ
ングは、変調器からＤＦＢレーザへの戻り光により、誘
起されるからである。戻り光は変調されているため、Ｄ
ＦＢレーザ内での光密度変動を起こし、これがレーザ発
振に寄与しているキャリアのキャリア密度変動を起こ
し、さらにこのことが活性層の屈折率変動を引き起こ
す。ＤＦＢレーザは、回折格子のピッチと光導波路の等
価屈折率で、発振波長が決まっているので、活性層の屈
折率変動によって、発振波長の変動、すなわち、チャー
ピングが発生する。したがって、戻り光を抑制できれ
ば、チャーピングを抑制することが可能となる。
ングは、変調器からＤＦＢレーザへの戻り光により、誘
起されるからである。戻り光は変調されているため、Ｄ
ＦＢレーザ内での光密度変動を起こし、これがレーザ発
振に寄与しているキャリアのキャリア密度変動を起こ
し、さらにこのことが活性層の屈折率変動を引き起こ
す。ＤＦＢレーザは、回折格子のピッチと光導波路の等
価屈折率で、発振波長が決まっているので、活性層の屈
折率変動によって、発振波長の変動、すなわち、チャー
ピングが発生する。したがって、戻り光を抑制できれ
ば、チャーピングを抑制することが可能となる。
【図１】本発明の第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】第１実施形態の製造工程における斜視図であ
る。
る。
【図３】第１実施形態の製造工程における斜視図であ
る。
る。
【図４】第１実施形態の製造工程における斜視図であ
る。
る。
【図５】本発明の第２実施形態を示す斜視図である。
【図６】従来技術を示す斜視図である。
【図７】従来技術の製造工程における斜視図である。
【図８】従来技術の製造工程における斜視図である。
【図９】従来技術の製造工程における斜視図である。
【図１０】集積型光変調器の選択成長部の層構造を示す
断面図である。
断面図である。
１ ｎ型ＩｎＰ基板 ２ ＤＦＢレーザ部 ３ 回折格子 ４ 二酸化シリコン膜 ５ 変調器部 ６ 遷移領域部 ７ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層 ８ ｎ−ＩｎＰスペーサ層 ９ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ ＳＣＨ層 １０ 歪ＭＱＷ層 １１ 圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰウェル層 １２ ＩｎＧａＡｓＰバリア層 １３ ＩｎＧａＡｓＰ ＳＣＨ層 １４ ＩｎＧａＡｓＰ中間層 １５ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ ＳＣＨ層 １６ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １７ ウィンドウ部 １８ 選択成長リッジ部 １９ ｐ−ＩｎＰ埋込み層 ２０ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 ２１ ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ２２ 二酸化シリコン膜 ２３ ポリイミド ２４ ｐ側電極 ２５ ｎ側電極 ２６ ＡＲコーティング膜
Claims (6)
- 【請求項１】 回折格子構造を有する光半導体装置にお
いて、 光導波路の両方の端面は互いに平行な劈開面であり、 一方の前記端面と前記光導波路とは互いに垂直であり、 他方の前記端面と前記光導波路とは互いに垂直でない、 ことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 半導体レーザと光変調器とを集積化した
光半導体装置において、 前記半導体レーザの部分では光導波路がその端面に対し
て垂直であり、 前記光変調器の部分では光導波路がその端面に対して垂
直でない、 ことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項３】 前記光変調器の部分の光導波路のみが曲
がっている、請求項２記載の光半導体装置。 - 【請求項４】 前記半導体レーザの部分と前記光変調器
の部分との両方で光導波路が湾曲している、請求項２記
載の光半導体装置。 - 【請求項５】 前記光導波路の曲がりが基板と水平方向
にある、請求項３又は４記載の光半導体装置。 - 【請求項６】 前記光導波路の曲がりが基板と垂直方向
にある、請求項３又は４記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19863997A JP3239809B2 (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19863997A JP3239809B2 (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1146040A true JPH1146040A (ja) | 1999-02-16 |
| JP3239809B2 JP3239809B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=16394564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19863997A Expired - Fee Related JP3239809B2 (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3239809B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002005398A1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-17 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Optical device and fabrication thereof |
| JP2008218849A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Opnext Japan Inc | 半導体光装置およびその製造方法 |
| JP2009076860A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-04-09 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte Ltd | エッチングされるのではなく成長するリッジ構造を有する集積光半導体デバイスおよびそのデバイスの作製方法 |
| JP2010171098A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 導波路型光機能素子及びその製造方法 |
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-
1997
- 1997-07-24 JP JP19863997A patent/JP3239809B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002005398A1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-17 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Optical device and fabrication thereof |
| US6914924B2 (en) | 2000-07-07 | 2005-07-05 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Optical device and fabrication thereof |
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