JPH1146017A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents

発光ダイオードアレイ

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JPH1146017A
JPH1146017A JP20000997A JP20000997A JPH1146017A JP H1146017 A JPH1146017 A JP H1146017A JP 20000997 A JP20000997 A JP 20000997A JP 20000997 A JP20000997 A JP 20000997A JP H1146017 A JPH1146017 A JP H1146017A
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JP
Japan
Prior art keywords
emitting diode
light
light emitting
mesa direction
electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP20000997A
Other languages
English (en)
Inventor
Genta Koizumi
玄太 小泉
Katsuhiko Sakai
勝彦 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】高出力で均一性の良い発光ダイオードアレイを
提供する 【解決手段】半導体基板上に多数の発光ダイオード部を
形成し、各発光ダイオード部に個別電極を接続した発光
ダイオードアレイにおいて、各発光ダイオード部の両側
にある2つの順メサ方向エッチング段差部を最適化した
形状の個別電極で覆うように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードア
レイに関するものである。更に詳述すれば本発明は、電
子写真方式を用いたノンインパクトプリンタにおける光
書込みヘッド用の発光ダイオードアレイに係わり、特に
メサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイに関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子写真方式を用いたノンインパ
クトプリンタが活用されている。このプリンタに使用さ
れる光書込みヘッド用のメサ分離型モノリシック発光ダ
イオードアレイは極めて重要な部品である。
【0003】図3は、従来のメサ分離型モノリシック発
光ダイオードアレイの要部拡大平面図である。発光ダイ
オード部2と、コンタクト電極3と、個別電極9を具備
して成る。発光ダイオード部2の発光領域の中心にコン
タクト電極3がある。個別電極9は、発光ダイオード部
2の中心では、コンタクト電極3を覆うように、また順
メサ方向エッチング段差部10では発光ダイオード部2
の横幅よりは小さくなるように設けられている。これに
より発光領域中の電流分散を良好にし、光出力の高出力
化を可能としている。
【0004】また、発光ダイオード部2のメサ形状は個
別電極9と平行方向では順メサ形状としている。従っ
て、エッチングにより発光ダイオード部2の両側に順メ
サ方向エッチング段差10が生じるが、一つの段差部に
おいてのみ電極幅を大きくして電極の信頼性を向上させ
ている。図3では発光ダイオード部2の横幅より少し小
さい電極幅と成っている。個別電極9と垂直方向では逆
メサ形状とし、光がしみ出し難い構造としている。
【0005】図4は、発光ダイオード部2の中心を個別
電極9と平行方向に切った場合、すなわち順メサ方向の
断面図である。図5は、発光ダイオード部2の中心を個
別電極9と垂直方向に切った場合、すなわち逆メサ方向
の断面図である。4はガラス膜、5はn型クラッド層、
6はp 型活性層、7はp型半導体基板、8はp型共通電
極である。
【0006】コンタクト電極3とn型クラッド層5はオ
ーミックコンタクトしており、ガラス層4は結晶の保護
膜である。n型クラッド層5とp型活性層6はヘテロ接
合しており、この接合面に電流が流れて発光する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来の発光ダイオード
アレイには以下の問題点があった。
【0008】光はn型クラッド層5とp型活性層6との
pn接合部から等方的に放射し、その光の取り出し口は
電極で被覆されていない発光ダイオード上面である。し
かしながら、この構造では発光ダイオードの順メサ方向
エッチング段差部10から光がしみ出し易く光出力の損
失となった。更に、このしみ出した光が近くのエッチン
グ段差部から反射して分散することにより光出力の不均
一を引き起こした。
【0009】また、図6にて説明するような問題もあっ
た。すなわち、図6は図3と同様にメサ分離型モノリシ
ック発光ダイオードの要部拡大平面図であるが、図3と
異なり、右側の個別電極9の位置が結晶とのオーミック
なコンタクト電極3に対して紙面上において上方にずれ
ている。その結果、発光ダイード2の電極被覆面積に差
が生じるために、隣り合う発光ダイオード2との間では
光出力に差が生じ、このような発光ダイオードアレイを
用いたプリンタヘッドでは印字ムラの問題が起こった。
【0010】従って本発明の目的は前記した従来技術の
欠点を解消し、発光ダイオードの個別電極の形状を最適
化し、高出力で均一性の良い発光ダイオードアレイを提
供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を実
現するため、PN層を積層した基板表面に順メサ方向の
エッチング溝を平行に設けて中央に形成される発光領域
と該発光領域の両側に形成される電極領域とを分離し、
前記中央の発光領域に逆メサ方向のエッチング溝を等間
隔に設けて順メサ方向のエッチング溝に対して一直線状
に並んだ島状の多数の発光ダイオード部を形成し、該各
発光ダイオード部へ通電する為の電極を前記中央の発光
領域の両側の電極領域に形成すると共に、該各電極から
前記各発光ダイオード部の少なくとも発光中心まで逆メ
サ方向と平行で前記発光ダイオード部の順メサ方向の幅
よりも狭い通電用配線を交互に引き出し、前記発光中心
を通る順メサ方向及び逆メサ方向と平行な各直線に対し
て前記発光ダイオード部がそれぞれ線対称となるように
前記発光中心にコンタクトを取って成るように構成した
発光ダイオードアレイにおいて、前記発光ダイオード部
の両側にある2つの順メサ方向エッチング段差部を個別
電極で覆うように構成した。
【0012】また、前記個別電極は前記2つの順メサ方
向エッチング段差部の内一つの段差部は全部を、他の段
差部は一部を覆うように構成し、かつ個別電極の幅は前
記2つの段差部では前記発光ダイオード部の順メサ方向
の幅より大きく、前記発光ダイオード部の中心部ではn
型クラッド層とオーミックコンタクトするコンタクト電
極の幅より大きく成るように構成しても良い。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の発光ダイオードア
レイを図を用いで詳述する。
【0014】図1は、本発明の発光ダイオードアレイの
一実施例の要部拡大平面図である。従来の発光ダイオー
ドアレイと同様に、発光ダイオード部2、コンタクト電
極3、個別電極1とを具備して成る。発光ダイオード部
2の両側、すなわち紙面上において上側及び下側には順
メサ方向エッチング段差部10がある。
【0015】本発明の要点は、個別電極1の形状にあ
る。個別電極1は、発光ダイオード部2の順メサ方向エ
ッチング段差部10を通り、かつ発光領域上の中心に位
置する結晶とのオーミックコンタクト電極3を通り、反
対側の順メサ方向エッチング段差部10の一部までを被
覆する形状になっている。
【0016】さらに個別電極9の幅は、2つの段差部1
0では発光ダイオード部2の横幅、すなわち順メサ方向
の幅より大きく、発光ダイオード2の中心部ではコンタ
クト電極3の幅より大きく成るように構成している。
【0017】図2は、発光ダイオード部2の中心を個別
電極1と平行方向に切った場合、すなわち順メサ方向の
断面図である。4はガラス膜、5はn型クラッド層、6
はp型活性層、7はp型半導体基板、8はp型共通電極
である。個別電極1は、前述のようにコンタクト電極3
の上部を通り反対側の順メサ方向エッチング段差部10
の一部までを被覆している。
【0018】このような構造とすることにより、発光ダ
イオード部2の順メサ方向エッチング段差部からの光の
しみ出しは無くなり、光の高出力化が図れた。また、個
別電極1が結晶とのオーミックなコンタクト電極3に対
して上下にずれて形成された場合でも、隣り合う発光ダ
イオード2の電極被覆率は変わらず、光出力の均一化が
図れた。実際の試作では光出力は約10%向上し、不均
一性は半分となった。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば発光ダイオードの個別電
極の形状を最適化したことにより、高出力で均一性の良
い発光ダイオードアレイを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の発光ダイオードアレイの一実施例を示
す要部拡大平面図である。
【図2】図1の順メサ方向の断面図である。
【図3】従来の発光ダイオードアレイの要部拡大平面図
である。
【図4】図3の順メサ方向断面図である。
【図5】図3の逆メサ方向断面図である。
【図6】図3に係わり、問題点を示す要部拡大平面図で
ある。
【符号の説明】
1、9 個別電極 2 発光ダイオード部 3 コンタクト電極 4 ガラス膜 5 n型クラッド層 6 p型活性層 7 p型半導体基板 8 p型共通電極 10 順メサ方向エッチング段差部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】PN層を積層した基板表面に順メサ方向の
    エッチング溝を平行に設けて中央に形成される発光領域
    と該発光領域の両側に形成される電極領域とを分離し、
    前記中央の発光領域に逆メサ方向のエッチング溝を等間
    隔に設けて順メサ方向のエッチング溝に対して一直線状
    に並んだ島状の多数の発光ダイオード部を形成し、該各
    発光ダイオード部へ通電する為の電極を前記中央の発光
    領域の両側の電極領域に形成すると共に、該各電極から
    前記各発光ダイオード部の少なくとも発光中心まで逆メ
    サ方向と平行で前記発光ダイオード部の順メサ方向の幅
    よりも狭い通電用配線を交互に引き出し、前記発光中心
    を通る順メサ方向及び逆メサ方向と平行な各直線に対し
    て前記発光ダイオード部がそれぞれ線対称と成るように
    前記発光中心にコンタクトを取って成るように構成した
    発光ダイオードアレイにおいて、前記発光ダイオード部
    の両側にある2つの順メサ方向エッチング段差部を個別
    電極で覆うように構成して成ることを特徴とする発光ダ
    イオードアレイ。
  2. 【請求項2】個別電極は、前記2つの順メサ方向エッチ
    ング段差部の内一つの段差部は全部を、他の段差部は一
    部を覆うように構成し、かつ個別電極の幅は前記2つの
    段差部では前記発光ダイオード部の順メサ方向の幅より
    大きく、前記発光ダイオード部の中心部ではn型クラッ
    ド層とオーミックコンタクトするコンタクト電極の幅よ
    り大きく成るように構成したことを特徴とする請求項1
    記載の発光ダイオードアレイ。
JP20000997A 1997-07-25 1997-07-25 発光ダイオードアレイ Pending JPH1146017A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007095868A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオードアレイ
JPWO2005093859A1 (ja) * 2004-03-29 2008-02-14 三洋電機株式会社 発光ダイオードアレイ、発光ダイオード及びプリンタヘッド

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