JPH1144804A - 反射体および反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射体および反射型液晶表示装置Info
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- JPH1144804A JPH1144804A JP9199035A JP19903597A JPH1144804A JP H1144804 A JPH1144804 A JP H1144804A JP 9199035 A JP9199035 A JP 9199035A JP 19903597 A JP19903597 A JP 19903597A JP H1144804 A JPH1144804 A JP H1144804A
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- reflection
- reflector
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広範囲の反射角度を持ち、反射効率の向上を
図ることができる反射体、及びそのような反射体を用い
ることでいずれの方向においても視野角が広く、表示面
が明るい反射型液晶表示装置の提供。 【解決手段】 樹脂層41にランダムな凹凸を有する
転写型の型面が転写され、さらに多数の溝を有する転写
型の型面が転写されて、該樹脂層41の表面に梨地模様
42が形成されるとともに多数のストライプ溝21aが
連設された反射体。このような反射体を備えた反射型液
晶表示装置。
図ることができる反射体、及びそのような反射体を用い
ることでいずれの方向においても視野角が広く、表示面
が明るい反射型液晶表示装置の提供。 【解決手段】 樹脂層41にランダムな凹凸を有する
転写型の型面が転写され、さらに多数の溝を有する転写
型の型面が転写されて、該樹脂層41の表面に梨地模様
42が形成されるとともに多数のストライプ溝21aが
連設された反射体。このような反射体を備えた反射型液
晶表示装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射面の反射効率
が高い反射体、およびその反射体を用いた反射型液晶表
示装置に関するものである。
が高い反射体、およびその反射体を用いた反射型液晶表
示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ハンディタイプのコンピュータな
どの表示部として、特に消費電力が小さいことから、反
射型液晶表示装置が広く利用されている。この反射型液
晶表示装置には、表示面側から入射した光を反射させて
表示を行うための反射板が備えられている。そして、従
来の反射板には、表面が鏡面状態とされた反射板や表面
にランダムな凹凸状の凹凸面が形成された反射板が用い
られていた。図11に示すように、この従来のランダム
な凹凸面を持つ反射板60は、例えば厚さ300〜50
0μmのポリエステルフィルムを加熱することによりそ
の表面に高さが数μmの凹凸からなる凹凸面61aを形
成し、さらに凹凸面61a上にアルミニウム等からなる
反射膜62を蒸着等の方法を用いて成膜することにより
形成したものである。
どの表示部として、特に消費電力が小さいことから、反
射型液晶表示装置が広く利用されている。この反射型液
晶表示装置には、表示面側から入射した光を反射させて
表示を行うための反射板が備えられている。そして、従
来の反射板には、表面が鏡面状態とされた反射板や表面
にランダムな凹凸状の凹凸面が形成された反射板が用い
られていた。図11に示すように、この従来のランダム
な凹凸面を持つ反射板60は、例えば厚さ300〜50
0μmのポリエステルフィルムを加熱することによりそ
の表面に高さが数μmの凹凸からなる凹凸面61aを形
成し、さらに凹凸面61a上にアルミニウム等からなる
反射膜62を蒸着等の方法を用いて成膜することにより
形成したものである。
【0003】図12は、この種の反射板60を用いた従
来の反射型液晶表示装置を示す断面図である。この従来
の反射型液晶表示装置50は、一対のガラス基板51,
52の各々の対向面側に透明電極層53,54が設けら
れ、さらにこれら透明電極層53,54のそれぞれの上
に液晶の配向膜55,56が設けられ、これら配向膜5
5,56間に液晶層57が配設された構成となってい
る。そして、ガラス基板51,52の外側にはそれぞれ
第1、第2の偏光板58,59が設けられ、さらに第2
の偏光板59の外側には上述の反射板60が反射膜62
側の面を第2の偏光板59側に向けて取り付けられてい
る。上記液晶層57は封止体(図示略)によりガラス基
板51,52間に封止されている。
来の反射型液晶表示装置を示す断面図である。この従来
の反射型液晶表示装置50は、一対のガラス基板51,
52の各々の対向面側に透明電極層53,54が設けら
れ、さらにこれら透明電極層53,54のそれぞれの上
に液晶の配向膜55,56が設けられ、これら配向膜5
5,56間に液晶層57が配設された構成となってい
る。そして、ガラス基板51,52の外側にはそれぞれ
第1、第2の偏光板58,59が設けられ、さらに第2
の偏光板59の外側には上述の反射板60が反射膜62
側の面を第2の偏光板59側に向けて取り付けられてい
る。上記液晶層57は封止体(図示略)によりガラス基
板51,52間に封止されている。
【0004】上記構成の反射型液晶表示装置50におい
て、第1の偏光板58に入射した光はこの偏光板58に
よって直線偏光され、偏光された光が液晶層57を通過
することによって楕円偏光される。そして、この楕円偏
光された光は第2の偏光板59を通過することによって
直線偏光される。この直線偏光は反射板60にて反射さ
れて、再び第2の偏光板59、液晶層57を通過して第
1の偏光板58から出射するようになっている。
て、第1の偏光板58に入射した光はこの偏光板58に
よって直線偏光され、偏光された光が液晶層57を通過
することによって楕円偏光される。そして、この楕円偏
光された光は第2の偏光板59を通過することによって
直線偏光される。この直線偏光は反射板60にて反射さ
れて、再び第2の偏光板59、液晶層57を通過して第
1の偏光板58から出射するようになっている。
【0005】かかる反射板60と反射型液晶表示装置5
0とにおける入射光に対する反射特性について、図11
に示すように反射膜62上に配置した点光源からの入射
光Jの入射角度を反射膜表面に対する垂線に対して入射
角度30度に一定にし、反射光Kの反射角度θを0から
60度に変化させた場合の反射率(反射光Kの出力を基
準出力で除算して百分率(%)で表した値)をプロット
し、反射特性曲線を作成することにより調べたところ、
反射板60自体の反射特性曲線は、反射角度30度をピ
ーク(約1100%の反射率)として左右の反射角度2
0度以下及び40度以上にて反射率がほぼ最低となって
おり、また、反射型液晶表示装置自体の反射特性曲線
は、その反射角度30度の約100%をピークとして、
反射角度23度以下ないし37度以上の範囲で0%に落
ちている。上記基準出力は、液晶パネル評価装置(大塚
電子社製LCD5000機種)を用い、白色板(MgO
標準白色面を持つ板)に入光角度30度で照射した際の
反射角度30度における反射光の出力である。
0とにおける入射光に対する反射特性について、図11
に示すように反射膜62上に配置した点光源からの入射
光Jの入射角度を反射膜表面に対する垂線に対して入射
角度30度に一定にし、反射光Kの反射角度θを0から
60度に変化させた場合の反射率(反射光Kの出力を基
準出力で除算して百分率(%)で表した値)をプロット
し、反射特性曲線を作成することにより調べたところ、
反射板60自体の反射特性曲線は、反射角度30度をピ
ーク(約1100%の反射率)として左右の反射角度2
0度以下及び40度以上にて反射率がほぼ最低となって
おり、また、反射型液晶表示装置自体の反射特性曲線
は、その反射角度30度の約100%をピークとして、
反射角度23度以下ないし37度以上の範囲で0%に落
ちている。上記基準出力は、液晶パネル評価装置(大塚
電子社製LCD5000機種)を用い、白色板(MgO
標準白色面を持つ板)に入光角度30度で照射した際の
反射角度30度における反射光の出力である。
【0006】また、従来の表面が鏡面状態とされた反射
板の反射特性に関しては、一般に、表面にランダムな凹
凸面を持つ反射板と比較して、入射角度に対する特定の
反射角度において非常に高い反射率を示す。しかしなが
ら、反射率の高い反射角度の範囲が極めて狭い、すなわ
ち視野角が狭いという特性を持っている。
板の反射特性に関しては、一般に、表面にランダムな凹
凸面を持つ反射板と比較して、入射角度に対する特定の
反射角度において非常に高い反射率を示す。しかしなが
ら、反射率の高い反射角度の範囲が極めて狭い、すなわ
ち視野角が狭いという特性を持っている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ラン
ダムな凹凸反射面を持つ従来の反射板60は、反射効率
が悪いために全体に反射率が低く、入射光をより広範囲
の反射角度で反射させる反射板のニーズに充分に応える
ことができなかった。したがって、この種の反射板60
を用いた反射型液晶表示装置50は、視野角が約25〜
35度の範囲と比較的狭く、しかも表示面の明るさも充
分とはいえないという問題があった。
ダムな凹凸反射面を持つ従来の反射板60は、反射効率
が悪いために全体に反射率が低く、入射光をより広範囲
の反射角度で反射させる反射板のニーズに充分に応える
ことができなかった。したがって、この種の反射板60
を用いた反射型液晶表示装置50は、視野角が約25〜
35度の範囲と比較的狭く、しかも表示面の明るさも充
分とはいえないという問題があった。
【0008】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、広範囲の反射角度を持ち、反射効
率の向上を図ることができる反射体、及びそのような反
射体を用いることでいずれの方向においても視野角が広
く、表示面が明るい反射型液晶表示装置を提供すること
を目的とする。
されたものであって、広範囲の反射角度を持ち、反射効
率の向上を図ることができる反射体、及びそのような反
射体を用いることでいずれの方向においても視野角が広
く、表示面が明るい反射型液晶表示装置を提供すること
を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる反射体
は、多数の微粒子が分散された微粒子分散樹脂層に多数
の溝を有する転写型の型面が転写されて、上記微粒子分
散樹脂層上に多数のストライプ溝が連設されるとともに
上記ストライプ溝内に上記微粒子が存在する個所を突出
させた多数の突起が設けられたことを特徴とするもので
ある。かかる反射体によれば、ストライプ溝の延びる方
向に直交する方向から入射する光の反射方向が広がるこ
とで反射効率が向上することに加えて、ストライプ溝内
に上記多数の突起によるランダムな凹凸が形成されてい
るためにストライプ溝内入射した光が上記凹凸により乱
反射し、この乱反射によりストライプ溝に直交する方向
以外の方向においても反射方向が広がることになる。か
かる反射体は、例えば、ガラス基板などの基材上に多量
の微粒子を分散させた液状樹脂を塗布することにより微
粒子分散樹脂層を形成する工程と、多数の溝を有する転
写型の型面を上記微粒子分散樹脂層に転写することによ
り該微粒子分散樹脂層上に多数のストライプ溝を形成す
るとともに上記微粒子が存在する個所を突出させてこれ
を上記ストライプ溝に重ねて形成した多数の突起とする
工程と、上記ストライプ溝および上記突起が形成された
上記微粒子分散樹脂層の表面に反射膜を成膜する工程を
備えた方法により製造することができる。
は、多数の微粒子が分散された微粒子分散樹脂層に多数
の溝を有する転写型の型面が転写されて、上記微粒子分
散樹脂層上に多数のストライプ溝が連設されるとともに
上記ストライプ溝内に上記微粒子が存在する個所を突出
させた多数の突起が設けられたことを特徴とするもので
ある。かかる反射体によれば、ストライプ溝の延びる方
向に直交する方向から入射する光の反射方向が広がるこ
とで反射効率が向上することに加えて、ストライプ溝内
に上記多数の突起によるランダムな凹凸が形成されてい
るためにストライプ溝内入射した光が上記凹凸により乱
反射し、この乱反射によりストライプ溝に直交する方向
以外の方向においても反射方向が広がることになる。か
かる反射体は、例えば、ガラス基板などの基材上に多量
の微粒子を分散させた液状樹脂を塗布することにより微
粒子分散樹脂層を形成する工程と、多数の溝を有する転
写型の型面を上記微粒子分散樹脂層に転写することによ
り該微粒子分散樹脂層上に多数のストライプ溝を形成す
るとともに上記微粒子が存在する個所を突出させてこれ
を上記ストライプ溝に重ねて形成した多数の突起とする
工程と、上記ストライプ溝および上記突起が形成された
上記微粒子分散樹脂層の表面に反射膜を成膜する工程を
備えた方法により製造することができる。
【0010】本発明に係わる反射体は、樹脂層にランダ
ムな凹凸を有する転写型の型面が転写され、さらに多数
の溝を有する転写型の型面が転写されて、該樹脂層の表
面に梨地模様が形成されるとともに多数のストライプ溝
が連設されたことを特徴とするものである。かかる反射
体によれば、ストライプ溝の延びる方向に直交する方向
から入射する光の反射方向が広がることで反射効率が向
上することに加えて、ストライプ溝間の稜線部とストラ
イプ溝内に上記梨地模様によるランダムな凹凸が形成さ
れているためにストライプ溝や稜線部に入射した光が上
記凹凸により乱反射し、この乱反射によりストライプ溝
に直交する以外の方向においても反射方向が広がること
になる。かかる反射体は、多数の凹凸がランダムに形成
された転写型の型面をガラス基板などの基材上に塗布さ
れた樹脂層に転写することにより該樹脂層の表面に多数
の梨地模様を形成する工程と、多数の溝を有する転写型
の型面を上記梨地模様が形成された樹脂層に転写するこ
とにより該樹脂層の表面に上記梨地模様を残した状態で
多数のストライプ溝を形成する工程と、上記梨地模様お
よび上記ストライプ溝が形成された上記樹脂層の表面に
反射膜を成膜する工程を備えた方法により製造すること
ができる。
ムな凹凸を有する転写型の型面が転写され、さらに多数
の溝を有する転写型の型面が転写されて、該樹脂層の表
面に梨地模様が形成されるとともに多数のストライプ溝
が連設されたことを特徴とするものである。かかる反射
体によれば、ストライプ溝の延びる方向に直交する方向
から入射する光の反射方向が広がることで反射効率が向
上することに加えて、ストライプ溝間の稜線部とストラ
イプ溝内に上記梨地模様によるランダムな凹凸が形成さ
れているためにストライプ溝や稜線部に入射した光が上
記凹凸により乱反射し、この乱反射によりストライプ溝
に直交する以外の方向においても反射方向が広がること
になる。かかる反射体は、多数の凹凸がランダムに形成
された転写型の型面をガラス基板などの基材上に塗布さ
れた樹脂層に転写することにより該樹脂層の表面に多数
の梨地模様を形成する工程と、多数の溝を有する転写型
の型面を上記梨地模様が形成された樹脂層に転写するこ
とにより該樹脂層の表面に上記梨地模様を残した状態で
多数のストライプ溝を形成する工程と、上記梨地模様お
よび上記ストライプ溝が形成された上記樹脂層の表面に
反射膜を成膜する工程を備えた方法により製造すること
ができる。
【0011】本発明に係わる反射体は、樹脂層に多数の
溝を有する転写型の型面が転写され、さらにランダムな
凹凸を有する転写型の型面が転写されて、該樹脂層上の
表面に多数のストライプ溝が連設されるとともに上記ス
トライプ溝間の稜線部に梨地模様が形成されたことを特
徴とするものである。かかる反射体によれば、ストライ
プ溝の延びる方向に直交する方向から入射する光の反射
方向が広がることで反射効率が向上することに加えて、
ストライプ溝間の稜線部に上記梨地模様によるランダム
な凹凸が形成されているために稜線部に入射した光が上
記凹凸により乱反射し、この乱反射によりストライプ溝
に直交する以外の方向においても反射方向が広がること
になる。かかる反射体は、多数の溝を有する転写型の型
面を樹脂層に転写することにより該樹脂層の表面に多数
のストライプ溝を形成する工程と、多数の凹凸がランダ
ムに形成された転写型の型面を上記ストライプ溝が形成
された樹脂層に転写することにより該樹脂層の表面に上
記多数のストライプ溝を残した状態でストライプ溝間の
稜線部に梨地模様を形成する工程と、上記ストライプ溝
および上記梨地模様が形成された上記樹脂層の表面に反
射膜を成膜する工程を備えた方法により製造することが
できる。なお、上記多数のストライプ溝は、各ストライ
プ溝の平面形状が直線状であってもよいし、所定の曲率
をもって湾曲していてもよい。ストライプ溝が湾曲して
いる場合、ストライプ溝の延びる方向に沿って湾曲した
面に光が当たるため、湾曲していない場合に比べて光の
反射方向が広範囲となる。本発明においてストライプ溝
の深さとは、ストライプ溝間の稜線部の頂部からストラ
イプ溝の底部までの高さのことをいう。
溝を有する転写型の型面が転写され、さらにランダムな
凹凸を有する転写型の型面が転写されて、該樹脂層上の
表面に多数のストライプ溝が連設されるとともに上記ス
トライプ溝間の稜線部に梨地模様が形成されたことを特
徴とするものである。かかる反射体によれば、ストライ
プ溝の延びる方向に直交する方向から入射する光の反射
方向が広がることで反射効率が向上することに加えて、
ストライプ溝間の稜線部に上記梨地模様によるランダム
な凹凸が形成されているために稜線部に入射した光が上
記凹凸により乱反射し、この乱反射によりストライプ溝
に直交する以外の方向においても反射方向が広がること
になる。かかる反射体は、多数の溝を有する転写型の型
面を樹脂層に転写することにより該樹脂層の表面に多数
のストライプ溝を形成する工程と、多数の凹凸がランダ
ムに形成された転写型の型面を上記ストライプ溝が形成
された樹脂層に転写することにより該樹脂層の表面に上
記多数のストライプ溝を残した状態でストライプ溝間の
稜線部に梨地模様を形成する工程と、上記ストライプ溝
および上記梨地模様が形成された上記樹脂層の表面に反
射膜を成膜する工程を備えた方法により製造することが
できる。なお、上記多数のストライプ溝は、各ストライ
プ溝の平面形状が直線状であってもよいし、所定の曲率
をもって湾曲していてもよい。ストライプ溝が湾曲して
いる場合、ストライプ溝の延びる方向に沿って湾曲した
面に光が当たるため、湾曲していない場合に比べて光の
反射方向が広範囲となる。本発明においてストライプ溝
の深さとは、ストライプ溝間の稜線部の頂部からストラ
イプ溝の底部までの高さのことをいう。
【0012】また、本発明に係わる反射型液晶表示装置
は、上述の本発明に係わる反射体のいずれかが備えられ
たことを特徴とするものである。なお、本発明に係わる
反射型液晶表示装置に備えられる反射体は、外付け型ま
たは内蔵型のいずれのタイプでもよい。本発明の反射型
液晶表示装置によれば、反射体自体が、高い反射効率と
広範囲の反射方向を持っているため、従来の反射型液晶
表示装置に比べていずれの方向においても視野角が広が
り、表示面を全体的に明るくすることができる。
は、上述の本発明に係わる反射体のいずれかが備えられ
たことを特徴とするものである。なお、本発明に係わる
反射型液晶表示装置に備えられる反射体は、外付け型ま
たは内蔵型のいずれのタイプでもよい。本発明の反射型
液晶表示装置によれば、反射体自体が、高い反射効率と
広範囲の反射方向を持っているため、従来の反射型液晶
表示装置に比べていずれの方向においても視野角が広が
り、表示面を全体的に明るくすることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1は第一の実施の形態の反射体
を示す図である。この第一の実施の形態の反射体は、例
えば、多数の微粒子16が分散された微粒子分散樹脂層
21の表面に、多数の逆ストライプ溝を有する転写型の
型面が転写されて、上記微粒子分散樹脂層21上に曲面
断面形状が同一Rでかつ同一方向に延びる多数のストラ
イプ溝21aが連設されるとともに該ストライプ溝21
a内に上記微粒子16が存在する個所を突出させた多数
の突起18が設けられ、さらにストライプ溝21aおよ
び突起18が形成された微粒子分散樹脂層21の表面
に、例えばアルミニウムや銀等の薄膜からなる反射膜2
2が蒸着または印刷等により形成されてなるものであ
る。
に基づいて説明する。図1は第一の実施の形態の反射体
を示す図である。この第一の実施の形態の反射体は、例
えば、多数の微粒子16が分散された微粒子分散樹脂層
21の表面に、多数の逆ストライプ溝を有する転写型の
型面が転写されて、上記微粒子分散樹脂層21上に曲面
断面形状が同一Rでかつ同一方向に延びる多数のストラ
イプ溝21aが連設されるとともに該ストライプ溝21
a内に上記微粒子16が存在する個所を突出させた多数
の突起18が設けられ、さらにストライプ溝21aおよ
び突起18が形成された微粒子分散樹脂層21の表面
に、例えばアルミニウムや銀等の薄膜からなる反射膜2
2が蒸着または印刷等により形成されてなるものであ
る。
【0014】上記微粒子分散樹脂層21は、アクリル系
レジスト、ポリスチレン系レジスト、アジドゴム系レジ
スト、イミド系レジスト等の感光性樹脂液に微粒子16
を添加し、硬化してなるものである。上記微粒子16と
しては、直径2〜5μmの微粒子などが用いられ、具体
例としてはミクロパール(商品名;積水ファインケミカ
ル社製)を挙げることができる。また、この微粒子18
の粒径としては、後述するストライプ溝21の溝幅より
小さいものを用いるのが反射効率を向上できる点で好ま
しい。この微粒子16の微粒子分散樹脂層21への添加
割合としては、1mm3あたり200〜500個程度が
好ましい。微粒子16の添加割合が200個未満の場
合、反射体の反射特性としてストライプ溝21aの特性
しか得られず、ストライプ溝21aの延びる方向におけ
る反射特性が正反射に近くなってしまうため、ストライ
プ溝21aに直交する方向以外の方向に反射方向が広が
るという効果が期待できない。また、微粒子16の添加
割合が500個を超えると、ストライプ溝21aが明確
に発現せず、この微粒子16が存在する箇所を突出させ
た突起18によるランダムな凹凸の反射特性しか得られ
ないため、ストライプ溝の延びる方向に直交する方向か
ら入射する光の反射方向が広がるという効果を期待でき
ず、視野角として有効な角度範囲(0〜60゜)の反射
率が低くなってしまう。
レジスト、ポリスチレン系レジスト、アジドゴム系レジ
スト、イミド系レジスト等の感光性樹脂液に微粒子16
を添加し、硬化してなるものである。上記微粒子16と
しては、直径2〜5μmの微粒子などが用いられ、具体
例としてはミクロパール(商品名;積水ファインケミカ
ル社製)を挙げることができる。また、この微粒子18
の粒径としては、後述するストライプ溝21の溝幅より
小さいものを用いるのが反射効率を向上できる点で好ま
しい。この微粒子16の微粒子分散樹脂層21への添加
割合としては、1mm3あたり200〜500個程度が
好ましい。微粒子16の添加割合が200個未満の場
合、反射体の反射特性としてストライプ溝21aの特性
しか得られず、ストライプ溝21aの延びる方向におけ
る反射特性が正反射に近くなってしまうため、ストライ
プ溝21aに直交する方向以外の方向に反射方向が広が
るという効果が期待できない。また、微粒子16の添加
割合が500個を超えると、ストライプ溝21aが明確
に発現せず、この微粒子16が存在する箇所を突出させ
た突起18によるランダムな凹凸の反射特性しか得られ
ないため、ストライプ溝の延びる方向に直交する方向か
ら入射する光の反射方向が広がるという効果を期待でき
ず、視野角として有効な角度範囲(0〜60゜)の反射
率が低くなってしまう。
【0015】上記ストライプ溝21aは、これら溝から
の反射光によって干渉縞が発生しないように、隣接する
ストライプ溝の溝幅が相互に異なるよう形成されてお
り、曲面Rは0.4μm以上100μm以下とされる。
上記Rは100μmを越えるとその溝が視認され、液晶
表示素子の表示品位を大幅に低下させることから100
μm以下が望ましい。一方、Rが可視光オーダ以下の数
値すなわち0.4μmより小さい場合、有効な反射特性
が得られなくなってしまう。また、ストライプ溝21a
の深さ(稜線部20の頂部からストライプ溝21aの底
部までの高さ)は、0.4〜2μm程度、幅は45μm
程度以下とされる。
の反射光によって干渉縞が発生しないように、隣接する
ストライプ溝の溝幅が相互に異なるよう形成されてお
り、曲面Rは0.4μm以上100μm以下とされる。
上記Rは100μmを越えるとその溝が視認され、液晶
表示素子の表示品位を大幅に低下させることから100
μm以下が望ましい。一方、Rが可視光オーダ以下の数
値すなわち0.4μmより小さい場合、有効な反射特性
が得られなくなってしまう。また、ストライプ溝21a
の深さ(稜線部20の頂部からストライプ溝21aの底
部までの高さ)は、0.4〜2μm程度、幅は45μm
程度以下とされる。
【0016】次に、上記第一の実施形態の反射体の製造
方法を図2を用いて説明する。まず、図2(a)に示す
ように、例えば銅合金や鉄合金等からなる表面が平坦な
平板状の母型30の表面を、切先31aの半径Rが30
〜100μmであるバイト等の研削治具31によって直
線状に切削しつつ、溝の延びる方向と直交する方向に送
りピッチを変えながら研削して、図2(b)に示す隣接
するストライプ溝30aの溝幅が相互に異なる型面を持
つ母型30を形成する。研削治具31の研削時での送り
ピッチPは、例えば13μmのP1、16μmのP2、1
7μmのP3及び18μmのP4の4種類とし、これら4
種類の送りピッチPを不規則に変えながら送る。例えば
送りピッチが順に18μm、13μm、13μm、16
μm、17μm、13μm、13μm、17μm、13
μmのユニットごとに、同一深さにて刃先がR30μm
であるバイトを用いた切削を行う。
方法を図2を用いて説明する。まず、図2(a)に示す
ように、例えば銅合金や鉄合金等からなる表面が平坦な
平板状の母型30の表面を、切先31aの半径Rが30
〜100μmであるバイト等の研削治具31によって直
線状に切削しつつ、溝の延びる方向と直交する方向に送
りピッチを変えながら研削して、図2(b)に示す隣接
するストライプ溝30aの溝幅が相互に異なる型面を持
つ母型30を形成する。研削治具31の研削時での送り
ピッチPは、例えば13μmのP1、16μmのP2、1
7μmのP3及び18μmのP4の4種類とし、これら4
種類の送りピッチPを不規則に変えながら送る。例えば
送りピッチが順に18μm、13μm、13μm、16
μm、17μm、13μm、13μm、17μm、13
μmのユニットごとに、同一深さにて刃先がR30μm
であるバイトを用いた切削を行う。
【0017】なお、研削用の研削治具31の切先31a
の形状は、円弧状の面ではなくその他種々の曲面形状で
もよいが、円弧状の面が最も治具自体の加工がし易いこ
とから望ましい。送りピッチも上述の4種類の寸法に限
定されるものではなく、数種類の寸法を不規則な順序に
組み合わせればよい。また、送りピッチを同一にして削
り深さをストライプ溝ごとに変えてある数のストライプ
溝からなるユニットを繰り返し切削することにより、図
2(b)に示す隣接するストライプ溝の溝幅が相互に異
なる型面を持つ母型を形成してもよい。さらにまた、送
りピッチを変えながらかつ削り深さをストライプ溝ごと
に変えて任意の数のストライプ溝からなるユニットを繰
り返し切削することにより、図2(b)に示す隣接する
ストライプ溝30aの溝幅が相互に異なる型面を持つ母
型30を形成してもよい。さらにまた、送りピッチを変
えながらかつ削り深さをストライプ溝ごとに変えて任意
の数のストライプ溝からなるユニットを繰り返し切削す
ることにより、図2(b)に示す隣接するストライプ溝
30aの溝幅が相互に異なる型面を持つ母型30を形成
してもよい。
の形状は、円弧状の面ではなくその他種々の曲面形状で
もよいが、円弧状の面が最も治具自体の加工がし易いこ
とから望ましい。送りピッチも上述の4種類の寸法に限
定されるものではなく、数種類の寸法を不規則な順序に
組み合わせればよい。また、送りピッチを同一にして削
り深さをストライプ溝ごとに変えてある数のストライプ
溝からなるユニットを繰り返し切削することにより、図
2(b)に示す隣接するストライプ溝の溝幅が相互に異
なる型面を持つ母型を形成してもよい。さらにまた、送
りピッチを変えながらかつ削り深さをストライプ溝ごと
に変えて任意の数のストライプ溝からなるユニットを繰
り返し切削することにより、図2(b)に示す隣接する
ストライプ溝30aの溝幅が相互に異なる型面を持つ母
型30を形成してもよい。さらにまた、送りピッチを変
えながらかつ削り深さをストライプ溝ごとに変えて任意
の数のストライプ溝からなるユニットを繰り返し切削す
ることにより、図2(b)に示す隣接するストライプ溝
30aの溝幅が相互に異なる型面を持つ母型30を形成
してもよい。
【0018】その後、図2(c)に示すように、母型3
0を箱形容器32に収納配置し、該容器32に例えばシ
リコーンなどの樹脂材料33を流し込んで、常温にて放
置硬化させ、この硬化した樹脂製品を容器32から取り
出して不要な部分を切除して、図2(d)に示すような
母型30の型面をなす多数のストライプ溝30aと逆の
凹凸形状とした多数の逆ストライプ溝40aを持つ型面
を有する転写型40aを作製する。
0を箱形容器32に収納配置し、該容器32に例えばシ
リコーンなどの樹脂材料33を流し込んで、常温にて放
置硬化させ、この硬化した樹脂製品を容器32から取り
出して不要な部分を切除して、図2(d)に示すような
母型30の型面をなす多数のストライプ溝30aと逆の
凹凸形状とした多数の逆ストライプ溝40aを持つ型面
を有する転写型40aを作製する。
【0019】次に、図3(a)に示すように、透明なガ
ラス基板2の上面に、上記微粒子16を上述の割合で分
散させた感光性樹脂液19をスピンコート法、スクリー
ン印刷法、吹き付け法等の塗布法により塗布した後、加
熱炉またはホットプレート等の加熱装置を用いて基板2
上の微粒子16を分散させた感光性樹脂液19を例えば
80〜100℃の温度範囲で1分以上加熱するプリベー
クを行って基板2上に微粒子分散樹脂層21を形成す
る。ただし、用いる感光性樹脂の種類によってプリベー
ク条件は異なるため、上記範囲外の温度と時間で処理し
てもよいことは勿論である。なお、ここで形成する樹脂
層21の膜厚は2〜5μmの範囲とすることが好まし
い。
ラス基板2の上面に、上記微粒子16を上述の割合で分
散させた感光性樹脂液19をスピンコート法、スクリー
ン印刷法、吹き付け法等の塗布法により塗布した後、加
熱炉またはホットプレート等の加熱装置を用いて基板2
上の微粒子16を分散させた感光性樹脂液19を例えば
80〜100℃の温度範囲で1分以上加熱するプリベー
クを行って基板2上に微粒子分散樹脂層21を形成す
る。ただし、用いる感光性樹脂の種類によってプリベー
ク条件は異なるため、上記範囲外の温度と時間で処理し
てもよいことは勿論である。なお、ここで形成する樹脂
層21の膜厚は2〜5μmの範囲とすることが好まし
い。
【0020】その後、図3(a)に示すように、図2
(d)に示した転写型40を用い、この転写型40の型
面をガラス基板2上の微粒子分散樹脂層21に一定時間
押し付けた後、図3(b)に示すように転写型40を微
粒子分散樹脂層21から外す。このようにして、微粒子
分散樹脂層21の表面に転写型40の逆ストライプ溝4
0aが形成された型面を転写して多数のストライプ溝2
1aを形成する。また、型押し時のプレス圧は用いる感
光性樹脂の種類にあった値を選択することが好ましく、
例えば0.15〜2kg/cm2 程度の圧力とする。プ
レス時間についても用いる感光性樹脂の種類にあった値
を選択することが好ましく、例えば30秒〜10分程度
の時間とする。
(d)に示した転写型40を用い、この転写型40の型
面をガラス基板2上の微粒子分散樹脂層21に一定時間
押し付けた後、図3(b)に示すように転写型40を微
粒子分散樹脂層21から外す。このようにして、微粒子
分散樹脂層21の表面に転写型40の逆ストライプ溝4
0aが形成された型面を転写して多数のストライプ溝2
1aを形成する。また、型押し時のプレス圧は用いる感
光性樹脂の種類にあった値を選択することが好ましく、
例えば0.15〜2kg/cm2 程度の圧力とする。プ
レス時間についても用いる感光性樹脂の種類にあった値
を選択することが好ましく、例えば30秒〜10分程度
の時間とする。
【0021】その後、ガラス基板2の裏面側から微粒子
分散樹脂層21を硬化させるための紫外線等の光線を照
射し、微粒子分散樹脂層21を硬化させる。ここで照射
する紫外線等の光線は、微粒子分散樹脂層21をなす感
光性樹脂層材料として上記種類の感光性樹脂を用いる場
合、50mJ/cm2 以上の強度であれば微粒子分散樹
脂層21を硬化させるのに充分であるが、感光性樹脂の
種類によってはこれ以外の強度で照射してもよいことは
勿論である。そして、プリベークで用いたのと同様の加
熱炉、ホットプレート等の加熱装置を用いてガラス基板
2上の微粒子分散樹脂層21を例えば240℃程度で1
分以上加熱するポストベークを行ってガラス基板2上の
微粒子分散樹脂層21を焼成する。このようにするとガ
ラス基板2上の微粒子分散樹脂層21の表面に、多数の
ストライプ溝21aが連設されるとともに該ストライプ
溝21a内に微粒子16が存在する個所を突出させた多
数の突起18が設けられる。最後に、ストライプ溝21
aおよび突起18が形成された微粒子分散樹脂層21の
表面に例えばアルミニウムをエレクトロンビーム蒸着等
によって成膜して反射膜22を形成することにより、図
1に示した第一の実施形態の反射体が得られる。
分散樹脂層21を硬化させるための紫外線等の光線を照
射し、微粒子分散樹脂層21を硬化させる。ここで照射
する紫外線等の光線は、微粒子分散樹脂層21をなす感
光性樹脂層材料として上記種類の感光性樹脂を用いる場
合、50mJ/cm2 以上の強度であれば微粒子分散樹
脂層21を硬化させるのに充分であるが、感光性樹脂の
種類によってはこれ以外の強度で照射してもよいことは
勿論である。そして、プリベークで用いたのと同様の加
熱炉、ホットプレート等の加熱装置を用いてガラス基板
2上の微粒子分散樹脂層21を例えば240℃程度で1
分以上加熱するポストベークを行ってガラス基板2上の
微粒子分散樹脂層21を焼成する。このようにするとガ
ラス基板2上の微粒子分散樹脂層21の表面に、多数の
ストライプ溝21aが連設されるとともに該ストライプ
溝21a内に微粒子16が存在する個所を突出させた多
数の突起18が設けられる。最後に、ストライプ溝21
aおよび突起18が形成された微粒子分散樹脂層21の
表面に例えばアルミニウムをエレクトロンビーム蒸着等
によって成膜して反射膜22を形成することにより、図
1に示した第一の実施形態の反射体が得られる。
【0022】第一の実施形態の反射体によれば、ストラ
イプ溝21aの延びる方向に直交する方向から入射する
光の反射方向が広がることで反射効率が向上することに
加えて、ストライプ溝21a内に多数の突起18による
ランダムな凹凸が形成されているためにストライプ溝2
1a内入射した光が上記凹凸により乱反射し、この乱反
射によりストライプ溝21aに直交する方向以外の方向
においても反射方向が広がる。なお、上記実施の形態に
おいては、反射体のストライプ溝の平面形状が直線状で
ある場合について説明したが、所定の曲率をもって湾曲
したものであってもよい。
イプ溝21aの延びる方向に直交する方向から入射する
光の反射方向が広がることで反射効率が向上することに
加えて、ストライプ溝21a内に多数の突起18による
ランダムな凹凸が形成されているためにストライプ溝2
1a内入射した光が上記凹凸により乱反射し、この乱反
射によりストライプ溝21aに直交する方向以外の方向
においても反射方向が広がる。なお、上記実施の形態に
おいては、反射体のストライプ溝の平面形状が直線状で
ある場合について説明したが、所定の曲率をもって湾曲
したものであってもよい。
【0023】図4は、本発明に係わる反射体の第二の実
施形態を示す斜視図である。第二の実施形態の反射体
は、樹脂層41にランダムな凹凸を有する転写型の型面
が転写され、さらに多数の逆ストライプ溝を有する転写
型の型面が転写されて、該樹脂層41の表面に梨地模様
42が形成されるとともに多数のストライプ溝21aが
連設され、さらに梨地模様42およびストライプ溝21
aが形成された樹脂層41の表面に反射膜22が形成さ
れてなるものである。上記梨地模様42は、ストライプ
溝21a間の稜線部20と、稜線部20の近傍のストラ
イプ溝21a内に残った状態となっている。
施形態を示す斜視図である。第二の実施形態の反射体
は、樹脂層41にランダムな凹凸を有する転写型の型面
が転写され、さらに多数の逆ストライプ溝を有する転写
型の型面が転写されて、該樹脂層41の表面に梨地模様
42が形成されるとともに多数のストライプ溝21aが
連設され、さらに梨地模様42およびストライプ溝21
aが形成された樹脂層41の表面に反射膜22が形成さ
れてなるものである。上記梨地模様42は、ストライプ
溝21a間の稜線部20と、稜線部20の近傍のストラ
イプ溝21a内に残った状態となっている。
【0024】次に、第二の実施形態の反射体の製造方法
を説明する。まず、図5に示すような多数の凹凸がラン
ダムに形成された型面43aを持つ転写型43(以下、
三次元ランダム凹凸転写型という)を形成する。この三
次元ランダム転写型43の型面43aの隣接する凸部4
3bと凹部43cの高低差の平均値は0.5μm〜50
μm程度とされ、隣接する凹部43bと凸部43cの平
均間隔(凹部43bの最低部から凸部43cの最頂上部
までの距離)は0.5〜50μm程度であり、また、隣
接する隣接する凹部43bと凸部43cの間隔の最大値
は100μm程度とされる。ついで、図6(a)に示す
ように透明なガラス基板2の上面に感光性樹脂液19を
上述の第一の実施形態の反射体の製造方法と同様にして
塗布した後、加熱装置を用いて感光性樹脂液19を例え
ば80〜100℃の温度範囲で1分以上加熱するプリベ
ークを行ってガラス基板2上に樹脂層41を形成する。
ついで、この三次元ランダム転写型43の型面43aを
ガラス基板2上の樹脂層41に一定時間押し付けた後、
該三次元ランダム転写型43を樹脂層41から外す。こ
のようにして、図6(b)に示すような樹脂層41の表
面に三次元ランダム転写型43のランダムな凹凸が形成
された型面43aを転写して多数の梨地模様42を形成
する。
を説明する。まず、図5に示すような多数の凹凸がラン
ダムに形成された型面43aを持つ転写型43(以下、
三次元ランダム凹凸転写型という)を形成する。この三
次元ランダム転写型43の型面43aの隣接する凸部4
3bと凹部43cの高低差の平均値は0.5μm〜50
μm程度とされ、隣接する凹部43bと凸部43cの平
均間隔(凹部43bの最低部から凸部43cの最頂上部
までの距離)は0.5〜50μm程度であり、また、隣
接する隣接する凹部43bと凸部43cの間隔の最大値
は100μm程度とされる。ついで、図6(a)に示す
ように透明なガラス基板2の上面に感光性樹脂液19を
上述の第一の実施形態の反射体の製造方法と同様にして
塗布した後、加熱装置を用いて感光性樹脂液19を例え
ば80〜100℃の温度範囲で1分以上加熱するプリベ
ークを行ってガラス基板2上に樹脂層41を形成する。
ついで、この三次元ランダム転写型43の型面43aを
ガラス基板2上の樹脂層41に一定時間押し付けた後、
該三次元ランダム転写型43を樹脂層41から外す。こ
のようにして、図6(b)に示すような樹脂層41の表
面に三次元ランダム転写型43のランダムな凹凸が形成
された型面43aを転写して多数の梨地模様42を形成
する。
【0025】ついで、図6(c)に示すように第一の実
施形態の反射体の製造方法で用いたものと同様にして作
製した逆ストライプ溝40aを有する転写型40の型面
を上記梨地模様42が形成された樹脂層41に一定時間
押し付けた後、該転写型40を樹脂層41から外して、
樹脂層41に転写型40の型面を転写する。ここで転写
型40の型面を梨地模様42が形成された樹脂層41に
押し付ける際の押込み量としては、梨地模様42による
ランダムな凹凸のうち最大高さを持つ凸部頂部から0.
2〜0.8μm程度とされる。押込み量が0.2μm未
満の場合、ストライプ溝21aが明確に発現せず、梨地
模様42によるランダムな凹凸の反射特性しか得られな
いため、ストライプ溝21aの延びる方向に直交する方
向から入射する光の反射方向が広がるという効果を期待
できず、視野角として有効な角度範囲(0〜60゜)の
反射率が低くなってしまう。また、押込み量が0.8μ
mを超えると、ストライプ溝21a間の稜線部20に梨
地模様42が殆ど残らなくなり、反射体の反射特性とし
てストライプ溝21aの特性しか得られず、ストライプ
溝21aの延びる方向における反射特性が正反射に近く
なってしまうため、ストライプ溝21aに直交する方向
以外の方向に反射方向が広がるという効果が期待できな
い。このように型押し時の押込量を上述の範囲とするこ
とによって、転写型40の逆ストライプ溝40aが形成
された転写面の凹部が樹脂層41に殆ど接触しないの
で、ストライプ溝21a間の稜線部20と、稜線部20
の近傍のストライプ溝21a内に梨地模様42を残すこ
とができる。
施形態の反射体の製造方法で用いたものと同様にして作
製した逆ストライプ溝40aを有する転写型40の型面
を上記梨地模様42が形成された樹脂層41に一定時間
押し付けた後、該転写型40を樹脂層41から外して、
樹脂層41に転写型40の型面を転写する。ここで転写
型40の型面を梨地模様42が形成された樹脂層41に
押し付ける際の押込み量としては、梨地模様42による
ランダムな凹凸のうち最大高さを持つ凸部頂部から0.
2〜0.8μm程度とされる。押込み量が0.2μm未
満の場合、ストライプ溝21aが明確に発現せず、梨地
模様42によるランダムな凹凸の反射特性しか得られな
いため、ストライプ溝21aの延びる方向に直交する方
向から入射する光の反射方向が広がるという効果を期待
できず、視野角として有効な角度範囲(0〜60゜)の
反射率が低くなってしまう。また、押込み量が0.8μ
mを超えると、ストライプ溝21a間の稜線部20に梨
地模様42が殆ど残らなくなり、反射体の反射特性とし
てストライプ溝21aの特性しか得られず、ストライプ
溝21aの延びる方向における反射特性が正反射に近く
なってしまうため、ストライプ溝21aに直交する方向
以外の方向に反射方向が広がるという効果が期待できな
い。このように型押し時の押込量を上述の範囲とするこ
とによって、転写型40の逆ストライプ溝40aが形成
された転写面の凹部が樹脂層41に殆ど接触しないの
で、ストライプ溝21a間の稜線部20と、稜線部20
の近傍のストライプ溝21a内に梨地模様42を残すこ
とができる。
【0026】その後、第一の実施形態の反射体の製造方
法と同様にしてガラス基板2の裏面側から紫外線等の光
線を照射し、樹脂層41を硬化させた後、加熱装置を用
いてガラス基板2上の樹脂層41のポストベークを行っ
てガラス基板2上の樹脂層41を焼成する。最後に、梨
地模様42およびストライプ溝21aが形成された樹脂
層41の表面に上述の第一の実施形態の反射体の製造方
法と同様にして反射膜22を形成することにより、図4
に示した第二の実施形態の反射体が得られる。
法と同様にしてガラス基板2の裏面側から紫外線等の光
線を照射し、樹脂層41を硬化させた後、加熱装置を用
いてガラス基板2上の樹脂層41のポストベークを行っ
てガラス基板2上の樹脂層41を焼成する。最後に、梨
地模様42およびストライプ溝21aが形成された樹脂
層41の表面に上述の第一の実施形態の反射体の製造方
法と同様にして反射膜22を形成することにより、図4
に示した第二の実施形態の反射体が得られる。
【0027】第二の実施形態の反射体によれば、ストラ
イプ溝21aの延びる方向に直交する方向から入射する
光の反射方向が広がることで反射効率が向上することに
加えて、ストライプ溝21a間の稜線部20とストライ
プ溝21a内に上記梨地模様42によるランダムな凹凸
が形成されているためにストライプ溝21aや稜線部2
0に入射した光が上記凹凸により乱反射し、この乱反射
によりストライプ溝21aに直交する以外の方向におい
ても反射方向が広がる。
イプ溝21aの延びる方向に直交する方向から入射する
光の反射方向が広がることで反射効率が向上することに
加えて、ストライプ溝21a間の稜線部20とストライ
プ溝21a内に上記梨地模様42によるランダムな凹凸
が形成されているためにストライプ溝21aや稜線部2
0に入射した光が上記凹凸により乱反射し、この乱反射
によりストライプ溝21aに直交する以外の方向におい
ても反射方向が広がる。
【0028】図7は、本発明に係わる反射体の第三の実
施形態を示す斜視図である。第三の実施形態の反射体
は、樹脂層41に多数の逆ストライプ溝を有する転写型
の型面が転写され、さらにランダムな凹凸を有する転写
型の型面が転写されて、該樹脂層41上の表面に多数の
ストライプ溝21aが連設されるとともに上記ストライ
プ溝21a間の稜線部20に梨地模様42が形成され、
さらに梨地模様42およびストライプ溝21aが形成さ
れた樹脂層41の表面に反射膜22が形成されてなるも
のである。
施形態を示す斜視図である。第三の実施形態の反射体
は、樹脂層41に多数の逆ストライプ溝を有する転写型
の型面が転写され、さらにランダムな凹凸を有する転写
型の型面が転写されて、該樹脂層41上の表面に多数の
ストライプ溝21aが連設されるとともに上記ストライ
プ溝21a間の稜線部20に梨地模様42が形成され、
さらに梨地模様42およびストライプ溝21aが形成さ
れた樹脂層41の表面に反射膜22が形成されてなるも
のである。
【0029】次に、第三の実施形態の反射体の製造方法
を説明する。まず、上述の第一の実施形態の反射体の製
造方法と同様にしてガラス基板2上に樹脂層41を形成
した後、逆ストライプ溝40aを有する転写型40の型
面を樹脂層41に一定時間押し付けた後、樹脂層41に
転写型40の型面を転写後、該転写型40を樹脂層41
から外して、ガラス基板2上の樹脂層41の表面に多数
のストライプ溝21aを連設する。ついで、図8に示す
ように第二の実施形態の反射体の製造方法で用いたもの
と同様にして作製した三次元ランダム転写型43の型面
43aを上記ストライプ溝21aが形成された樹脂層4
1に一定時間押し付けた後、該三次元ランダム転写型4
3を樹脂層41から外し、樹脂層41の表面に多数のス
トライプ溝21aを残した状態でストライプ溝21a間
の稜線部20に梨地模様42を形成する。
を説明する。まず、上述の第一の実施形態の反射体の製
造方法と同様にしてガラス基板2上に樹脂層41を形成
した後、逆ストライプ溝40aを有する転写型40の型
面を樹脂層41に一定時間押し付けた後、樹脂層41に
転写型40の型面を転写後、該転写型40を樹脂層41
から外して、ガラス基板2上の樹脂層41の表面に多数
のストライプ溝21aを連設する。ついで、図8に示す
ように第二の実施形態の反射体の製造方法で用いたもの
と同様にして作製した三次元ランダム転写型43の型面
43aを上記ストライプ溝21aが形成された樹脂層4
1に一定時間押し付けた後、該三次元ランダム転写型4
3を樹脂層41から外し、樹脂層41の表面に多数のス
トライプ溝21aを残した状態でストライプ溝21a間
の稜線部20に梨地模様42を形成する。
【0030】ここで転写型43の型面をストライプ溝2
1aが形成された樹脂層41に押し付ける際の押込み量
としては、ストライプ溝21間の稜線部20のうち最大
高さを持つ稜線部20頂部から0.2〜0.8μm程度
とされる。押込み量が0.2μm未満の場合、稜線部2
0に梨地模様42が明確に発現せず、反射体の反射特性
としてストライプ溝21aの特性しか得られず、ストラ
イプ溝21aの延びる方向における反射特性が正反射に
近くなってしまうため、ストライプ溝21aに直交する
方向以外の方向に反射方向が広がるという効果が期待で
きない。また、押込み量が0.8μmを超えると、スト
ライプ溝21aが明確に発現せず、梨地模様42による
ランダムな凹凸の反射特性しか得られないため、ストラ
イプ溝21aの延びる方向に直交する方向から入射する
光の反射方向が広がるという効果を期待できず、視野角
として有効な角度範囲(0〜60゜)の反射率が低くな
ってしまう。
1aが形成された樹脂層41に押し付ける際の押込み量
としては、ストライプ溝21間の稜線部20のうち最大
高さを持つ稜線部20頂部から0.2〜0.8μm程度
とされる。押込み量が0.2μm未満の場合、稜線部2
0に梨地模様42が明確に発現せず、反射体の反射特性
としてストライプ溝21aの特性しか得られず、ストラ
イプ溝21aの延びる方向における反射特性が正反射に
近くなってしまうため、ストライプ溝21aに直交する
方向以外の方向に反射方向が広がるという効果が期待で
きない。また、押込み量が0.8μmを超えると、スト
ライプ溝21aが明確に発現せず、梨地模様42による
ランダムな凹凸の反射特性しか得られないため、ストラ
イプ溝21aの延びる方向に直交する方向から入射する
光の反射方向が広がるという効果を期待できず、視野角
として有効な角度範囲(0〜60゜)の反射率が低くな
ってしまう。
【0031】その後、第一の実施形態の反射体の製造方
法と同様にしてガラス基板2の裏面側から紫外線等の光
線を照射し、樹脂層41を硬化させた後、加熱装置を用
いてガラス基板2上の樹脂層41のポストベークを行っ
てガラス基板2上の樹脂層41を焼成する。最後に、梨
地模様42およびストライプ溝21aが形成された樹脂
層41の表面に上述の第一の実施形態の反射体の製造方
法と同様にして反射膜22を形成することにより、図7
に示した第三の実施形態の反射体が得られる。
法と同様にしてガラス基板2の裏面側から紫外線等の光
線を照射し、樹脂層41を硬化させた後、加熱装置を用
いてガラス基板2上の樹脂層41のポストベークを行っ
てガラス基板2上の樹脂層41を焼成する。最後に、梨
地模様42およびストライプ溝21aが形成された樹脂
層41の表面に上述の第一の実施形態の反射体の製造方
法と同様にして反射膜22を形成することにより、図7
に示した第三の実施形態の反射体が得られる。
【0032】第三の実施形態の反射体によれば、ストラ
イプ溝21aの延びる方向に直交する方向から入射する
光の反射方向が広がることで反射効率が向上することに
加えて、ストライプ溝21a間の稜線部20に上記梨地
模様42によるランダムな凹凸が形成されているために
稜線部20に入射した光が上記凹凸により乱反射し、こ
の乱反射によりストライプ溝21aに直交する以外の方
向においても反射方向が広がる。
イプ溝21aの延びる方向に直交する方向から入射する
光の反射方向が広がることで反射効率が向上することに
加えて、ストライプ溝21a間の稜線部20に上記梨地
模様42によるランダムな凹凸が形成されているために
稜線部20に入射した光が上記凹凸により乱反射し、こ
の乱反射によりストライプ溝21aに直交する以外の方
向においても反射方向が広がる。
【0033】以下、本実施の形態の反射体を用いたST
N(Super Twisted Nematic )方式の反射型液晶表示装
置について説明する。図9は反射型液晶表示装置の構成
を示す断面図である。この反射型液晶表示装置は、例え
ば、厚さ0.7mmの一対の表示側ガラス基板1と背面
側ガラス基板2との間に液晶層3が設けられ、表示側ガ
ラス基板1の上面側にポリカーボネート樹脂やポリアリ
レート樹脂などからなる一枚の位相差板4が設けられ、
さらに位相差板4の上面側に第一の偏光板5が配設され
ている。
N(Super Twisted Nematic )方式の反射型液晶表示装
置について説明する。図9は反射型液晶表示装置の構成
を示す断面図である。この反射型液晶表示装置は、例え
ば、厚さ0.7mmの一対の表示側ガラス基板1と背面
側ガラス基板2との間に液晶層3が設けられ、表示側ガ
ラス基板1の上面側にポリカーボネート樹脂やポリアリ
レート樹脂などからなる一枚の位相差板4が設けられ、
さらに位相差板4の上面側に第一の偏光板5が配設され
ている。
【0034】背面側ガラス基板2の下面側には、第二の
偏光板6及び図4に示した第二の実施形態の反射体25
が順次設けられている。反射体25は、第二の偏光板6
の下面側に反射膜22を対向させて積層され、第二の偏
光板6と反射膜22との間に、グリセリンなどの光の屈
折率に悪影響を与えることのない材質からなる粘着体7
が充填されている。両ガラス基板1,2の対向面側には
ITO(インジウムスズ酸化物)などからなる透明電極
層8,9がそれぞれ形成され、透明電極層8,9上にポ
リイミド樹脂などからなる配向膜10,11が設けられ
ている。これら配向膜10,11等の関係により液晶層
3中の液晶は、240度捻れた配置となっている。上記
液晶層3は封止体(図示略)によりガラス基板1、2間
に封止されている。また、上記背面側ガラス基板2と透
明電極層9との間に、図示していないカラーフィルタ層
を印刷法等により形成することによって、この液晶表示
装置をカラー表示できるようにしてもよい。
偏光板6及び図4に示した第二の実施形態の反射体25
が順次設けられている。反射体25は、第二の偏光板6
の下面側に反射膜22を対向させて積層され、第二の偏
光板6と反射膜22との間に、グリセリンなどの光の屈
折率に悪影響を与えることのない材質からなる粘着体7
が充填されている。両ガラス基板1,2の対向面側には
ITO(インジウムスズ酸化物)などからなる透明電極
層8,9がそれぞれ形成され、透明電極層8,9上にポ
リイミド樹脂などからなる配向膜10,11が設けられ
ている。これら配向膜10,11等の関係により液晶層
3中の液晶は、240度捻れた配置となっている。上記
液晶層3は封止体(図示略)によりガラス基板1、2間
に封止されている。また、上記背面側ガラス基板2と透
明電極層9との間に、図示していないカラーフィルタ層
を印刷法等により形成することによって、この液晶表示
装置をカラー表示できるようにしてもよい。
【0035】上記反射体25は、入射した光を反射させ
るとともに拡散させることにより、視野角を大きくする
ためのものである。この反射型液晶表示装置における反
射体25は、既に詳述したように、樹脂層41にランダ
ムな凹凸を有する転写型の型面が転写され、さらに多数
の逆ストライプ溝を有する転写型の型面が転写されて、
該樹脂層41の表面に梨地模様42が形成されるととも
に多数のストライプ溝21aが連設され、さらに梨地模
様42およびストライプ溝21aが形成された樹脂層4
1の表面に反射膜22が形成されてなるものである。
るとともに拡散させることにより、視野角を大きくする
ためのものである。この反射型液晶表示装置における反
射体25は、既に詳述したように、樹脂層41にランダ
ムな凹凸を有する転写型の型面が転写され、さらに多数
の逆ストライプ溝を有する転写型の型面が転写されて、
該樹脂層41の表面に梨地模様42が形成されるととも
に多数のストライプ溝21aが連設され、さらに梨地模
様42およびストライプ溝21aが形成された樹脂層4
1の表面に反射膜22が形成されてなるものである。
【0036】実施形態の反射型液晶表示装置によれば、
反射体25自体が、高い反射効率と広範囲の反射方向を
持っているため、従来の反射型液晶表示装置に比べてい
ずれの方向においても視野角が広がり、表示面を全体的
に明るくすることができる。なお、本実施の形態の反射
型液晶表示装置では、反射板を外付けとする例を説明し
たが、内蔵型としてもよい。また、図4に示した第二の
実施形態の反射体が備えられた反射型液晶表示装置を説
明したが、図1に示した第一の実施形態の反射体または
図7に示した第三の実施形態の反射体が備えられたタイ
プのものでもよい。また、液晶表示装置の例としてST
N方式のもので説明したが、液晶層の液晶分子の捩れ角
を90度に設定したTN(Twisted Nematic )方式の液
晶表示装置にも、本発明の反射体を適用し得ることは勿
論である。さらに、カラーフィルタを持たない白黒方式
の液晶表示装置に代えてカラー方式の液晶表示装置に本
発明の反射体を適用し得ることも勿論である。
反射体25自体が、高い反射効率と広範囲の反射方向を
持っているため、従来の反射型液晶表示装置に比べてい
ずれの方向においても視野角が広がり、表示面を全体的
に明るくすることができる。なお、本実施の形態の反射
型液晶表示装置では、反射板を外付けとする例を説明し
たが、内蔵型としてもよい。また、図4に示した第二の
実施形態の反射体が備えられた反射型液晶表示装置を説
明したが、図1に示した第一の実施形態の反射体または
図7に示した第三の実施形態の反射体が備えられたタイ
プのものでもよい。また、液晶表示装置の例としてST
N方式のもので説明したが、液晶層の液晶分子の捩れ角
を90度に設定したTN(Twisted Nematic )方式の液
晶表示装置にも、本発明の反射体を適用し得ることは勿
論である。さらに、カラーフィルタを持たない白黒方式
の液晶表示装置に代えてカラー方式の液晶表示装置に本
発明の反射体を適用し得ることも勿論である。
【0037】
【実施例】以下、本発明を実施例により、具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもの
ではない。 (実施例1)液状のアクリル系感光性樹脂(商品名;C
FPR−CL−016S、東京応化社製)100重量部
に対してジビニルベンゼンを主成分とする直径2〜5μ
mの微粒子(商品名;ミクロパール、積水ファインケミ
カル社製)を1重量部添加した微粒子分散樹脂液を、ス
ピンコートで厚さ0.7mmの4インチガラス基板上に
厚さ5μmになるように塗布し、100゜Cでプリベー
クして微粒子分散樹脂層を形成した。ついで、図2に示
した転写型40と同様にして作製した逆ストライプ溝が
形成された型面をシリコーン樹脂(商品名;KE131
0ST 信越化学社製、硬度40)からなる転写型を用
意し、この転写型を上記微粒子分散樹脂層に押付圧1k
g/cm2に押し付けたままでガラス基板裏面側から紫
外線を1000mJ/cm2照射した後、転写型を微粒
子分散樹脂層から外した。ついで、240℃でポストベ
ークを行って微粒子分散樹脂層を焼成して、微粒子分散
樹脂層の表面に多数のストライプ溝を連設するとともに
微粒子が存在する個所を突出させた多数の突起を上記ス
トライプ溝内に設けた。ここで設けられた多数のストラ
イプ溝は、同一Rで同一方向に延び、しかも隣接するス
トライプ溝の溝幅が異なるものであった。最後に、スト
ライプ溝および突起が形成された微粒子分散樹脂層の表
面に厚さ1200オングストロームのAl膜を真空蒸着
法により成膜して反射体を得た。
するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもの
ではない。 (実施例1)液状のアクリル系感光性樹脂(商品名;C
FPR−CL−016S、東京応化社製)100重量部
に対してジビニルベンゼンを主成分とする直径2〜5μ
mの微粒子(商品名;ミクロパール、積水ファインケミ
カル社製)を1重量部添加した微粒子分散樹脂液を、ス
ピンコートで厚さ0.7mmの4インチガラス基板上に
厚さ5μmになるように塗布し、100゜Cでプリベー
クして微粒子分散樹脂層を形成した。ついで、図2に示
した転写型40と同様にして作製した逆ストライプ溝が
形成された型面をシリコーン樹脂(商品名;KE131
0ST 信越化学社製、硬度40)からなる転写型を用
意し、この転写型を上記微粒子分散樹脂層に押付圧1k
g/cm2に押し付けたままでガラス基板裏面側から紫
外線を1000mJ/cm2照射した後、転写型を微粒
子分散樹脂層から外した。ついで、240℃でポストベ
ークを行って微粒子分散樹脂層を焼成して、微粒子分散
樹脂層の表面に多数のストライプ溝を連設するとともに
微粒子が存在する個所を突出させた多数の突起を上記ス
トライプ溝内に設けた。ここで設けられた多数のストラ
イプ溝は、同一Rで同一方向に延び、しかも隣接するス
トライプ溝の溝幅が異なるものであった。最後に、スト
ライプ溝および突起が形成された微粒子分散樹脂層の表
面に厚さ1200オングストロームのAl膜を真空蒸着
法により成膜して反射体を得た。
【0038】(実施例2)実施例1で用いた液状のアク
リル系感光性樹脂(商品名;CFPR−CL−016
S、東京応化社製)を、スピンコートで厚さ0.7mm
の4インチガラス基板上に厚さ5μmになるように塗布
し、100゜Cでプリベークして樹脂層を形成した。つ
いで、図6に示したものと同様の三次元ランダム凹凸転
写型を上記樹脂層に45゜Cで押付圧1kg/cm2で
1分間押し付けた後、この三次元ランダム凹凸転写型を
樹脂層から外して、樹脂層に三次元ランダム転写型の型
面を転写し、樹脂層の表面に多数の梨地模様を形成し
た。ここで用いた三次元ランダム転写型の型面の隣接す
る凸部と凹部の高低差の平均値は2μm、隣接する凹部
と凸部の平均間隔は1μmであった。ついで、実施例1
で用いたものと同様の逆ストライプ溝が形成された型面
を有するシリコーン樹脂からなる転写型を用意し、この
転写型の型面を梨地模様が形成された樹脂層に23゜C
で押付圧1kg/cm2で押し付けたままでガラス基板
裏面側から紫外線を1000mJ/cm2で1分間照射
した後、転写型を樹脂層から外した。ついで、樹脂層を
240゜Cでポストベークを行って焼成し、樹脂層の表
面に梨地模様を残した状態で多数のストライプ溝(溝深
さ0.4μm)を形成した。上記梨地模様は、ストライ
プ溝間の稜線部と稜線部の近傍のストライプ溝内に残っ
ていた。最後に、梨地模様およびストライプ溝が形成さ
れた樹脂層の表面に厚さ1200オングストロームのA
l膜を真空蒸着法により成膜して反射体を得た。
リル系感光性樹脂(商品名;CFPR−CL−016
S、東京応化社製)を、スピンコートで厚さ0.7mm
の4インチガラス基板上に厚さ5μmになるように塗布
し、100゜Cでプリベークして樹脂層を形成した。つ
いで、図6に示したものと同様の三次元ランダム凹凸転
写型を上記樹脂層に45゜Cで押付圧1kg/cm2で
1分間押し付けた後、この三次元ランダム凹凸転写型を
樹脂層から外して、樹脂層に三次元ランダム転写型の型
面を転写し、樹脂層の表面に多数の梨地模様を形成し
た。ここで用いた三次元ランダム転写型の型面の隣接す
る凸部と凹部の高低差の平均値は2μm、隣接する凹部
と凸部の平均間隔は1μmであった。ついで、実施例1
で用いたものと同様の逆ストライプ溝が形成された型面
を有するシリコーン樹脂からなる転写型を用意し、この
転写型の型面を梨地模様が形成された樹脂層に23゜C
で押付圧1kg/cm2で押し付けたままでガラス基板
裏面側から紫外線を1000mJ/cm2で1分間照射
した後、転写型を樹脂層から外した。ついで、樹脂層を
240゜Cでポストベークを行って焼成し、樹脂層の表
面に梨地模様を残した状態で多数のストライプ溝(溝深
さ0.4μm)を形成した。上記梨地模様は、ストライ
プ溝間の稜線部と稜線部の近傍のストライプ溝内に残っ
ていた。最後に、梨地模様およびストライプ溝が形成さ
れた樹脂層の表面に厚さ1200オングストロームのA
l膜を真空蒸着法により成膜して反射体を得た。
【0039】(実施例3)実施例2と同様にしてガラス
基板上に液状のアクリル系感光性樹脂を塗布して樹脂層
を形成した。ついで、実施例1で用いたものと同様の逆
ストライプ溝が形成された型面を有するシリコーン樹脂
からなる転写型を用意し、この転写型の型面を上記樹脂
層に押付圧1kg/cm2で押し付けた後、この転写型
を樹脂層から外して、樹脂層に転写型の型面を転写し、
樹脂層の表面に多数のストライプ溝を形成した。つい
で、実施例2で用いたものと同様の三次元ランダム凹凸
転写型を用意し、この転写型の型面を多数のストライプ
溝が形成された樹脂層に押付圧0.3kg/cm2で押
し付けたままでガラス基板裏面側から紫外線を1000
mJ/cm2照射した後、転写型を樹脂層から外した。
ついで、240゜Cでポストベークを行って樹脂層を焼
成し、樹脂層の表面にストライプ溝を残した状態でスト
ライプ溝間の稜線部に梨地模様を形成した。最後に、梨
地模様およびストライプ溝が形成された樹脂層の表面に
厚さ1200オングストロームのAl膜を真空蒸着法に
より成膜して反射体を得た。
基板上に液状のアクリル系感光性樹脂を塗布して樹脂層
を形成した。ついで、実施例1で用いたものと同様の逆
ストライプ溝が形成された型面を有するシリコーン樹脂
からなる転写型を用意し、この転写型の型面を上記樹脂
層に押付圧1kg/cm2で押し付けた後、この転写型
を樹脂層から外して、樹脂層に転写型の型面を転写し、
樹脂層の表面に多数のストライプ溝を形成した。つい
で、実施例2で用いたものと同様の三次元ランダム凹凸
転写型を用意し、この転写型の型面を多数のストライプ
溝が形成された樹脂層に押付圧0.3kg/cm2で押
し付けたままでガラス基板裏面側から紫外線を1000
mJ/cm2照射した後、転写型を樹脂層から外した。
ついで、240゜Cでポストベークを行って樹脂層を焼
成し、樹脂層の表面にストライプ溝を残した状態でスト
ライプ溝間の稜線部に梨地模様を形成した。最後に、梨
地模様およびストライプ溝が形成された樹脂層の表面に
厚さ1200オングストロームのAl膜を真空蒸着法に
より成膜して反射体を得た。
【0040】ついで、実施例2の反射板における入射光
に対する反射特性について調べた。ここでの反射特性
は、反射体の反射面(凹凸面)上に配置した点光源から
の入射光を反射体表面に対する垂線に対してストライプ
溝の長さ方向と直交する方向から入射角度30度と一定
にしたときと、上記点光源からの入射光を反射体表面に
対する垂線に対してストライプ溝の延びる方向と直交す
る方向から入射角度30度と一定にしたときの反射光の
反射角度を0〜60度に変化させた場合の反射光の出力
を調べることにより評価した。その結果を図10に示
す。図10は、実施例2の反射体の反射特性を示すグラ
フであり、実線はストライプ溝の延びる方向と平行な
方向(90゜)から光を入射させたときの反射特性曲線
であり、破線はストライプ溝の延びる方向と直交する
方向(0゜)から光を入射させたときの反射特性曲線で
ある。なお、図10中の反射率は、液晶パネル評価装置
(大塚電子社製LCD5000機種)を用い、白色板
(MgO標準白色面を持つ板)に入射角度30度で照射
した際の反射角度20度における反射光の出力を基準と
して、実施例2の反射体の反射光の出力をそれぞれ上記
基準出力で除算して百分率(%)で表した値である。
に対する反射特性について調べた。ここでの反射特性
は、反射体の反射面(凹凸面)上に配置した点光源から
の入射光を反射体表面に対する垂線に対してストライプ
溝の長さ方向と直交する方向から入射角度30度と一定
にしたときと、上記点光源からの入射光を反射体表面に
対する垂線に対してストライプ溝の延びる方向と直交す
る方向から入射角度30度と一定にしたときの反射光の
反射角度を0〜60度に変化させた場合の反射光の出力
を調べることにより評価した。その結果を図10に示
す。図10は、実施例2の反射体の反射特性を示すグラ
フであり、実線はストライプ溝の延びる方向と平行な
方向(90゜)から光を入射させたときの反射特性曲線
であり、破線はストライプ溝の延びる方向と直交する
方向(0゜)から光を入射させたときの反射特性曲線で
ある。なお、図10中の反射率は、液晶パネル評価装置
(大塚電子社製LCD5000機種)を用い、白色板
(MgO標準白色面を持つ板)に入射角度30度で照射
した際の反射角度20度における反射光の出力を基準と
して、実施例2の反射体の反射光の出力をそれぞれ上記
基準出力で除算して百分率(%)で表した値である。
【0041】図10に示した結果から明らかなように樹
脂層の表面に梨地模様が形成されるとともに多数のスト
ライプ溝が連設された実施例2の反射体においては、ス
トライプ溝の延びる方向と直交する方向(0゜)から入
射する光の反射光は反射角度30゜をピーク(約130
0%)をピークとして左右の反射角度8゜以下及び54
゜以上にて反射率が最低となっており、反射光の出力の
高い反射角度の範囲が広いことがわかる。また、ストラ
イプ溝の延びる方向と平行な方向(90゜)から入射す
る光の反射光は反射角度30゜をピーク(約1300
%)として左右の反射角度10゜以下および52゜以上
にて反射率が最低となっており、ストライプ溝の延びる
方向と直交する方向から入射する光の反射光よりも反射
光の出力の高い反射角度の範囲がやや狭くなっている
が、反射光の出力の高い反射角度の範囲が広いことがわ
かる。従って、実施例2の反射体は、ストライプ溝の延
びる方向と直交する方向から光を入射させたときと、ス
トライプ溝の延びる方向と平行な方向から光を入射させ
たときの反射特性が略等しく、反射光の出力の高い反射
角度の範囲が広く、すなわち視野角が広くなっているこ
とがわかる。
脂層の表面に梨地模様が形成されるとともに多数のスト
ライプ溝が連設された実施例2の反射体においては、ス
トライプ溝の延びる方向と直交する方向(0゜)から入
射する光の反射光は反射角度30゜をピーク(約130
0%)をピークとして左右の反射角度8゜以下及び54
゜以上にて反射率が最低となっており、反射光の出力の
高い反射角度の範囲が広いことがわかる。また、ストラ
イプ溝の延びる方向と平行な方向(90゜)から入射す
る光の反射光は反射角度30゜をピーク(約1300
%)として左右の反射角度10゜以下および52゜以上
にて反射率が最低となっており、ストライプ溝の延びる
方向と直交する方向から入射する光の反射光よりも反射
光の出力の高い反射角度の範囲がやや狭くなっている
が、反射光の出力の高い反射角度の範囲が広いことがわ
かる。従って、実施例2の反射体は、ストライプ溝の延
びる方向と直交する方向から光を入射させたときと、ス
トライプ溝の延びる方向と平行な方向から光を入射させ
たときの反射特性が略等しく、反射光の出力の高い反射
角度の範囲が広く、すなわち視野角が広くなっているこ
とがわかる。
【0042】以上のデータから明らかなように、実施例
2の反射体においては、ストライプ溝の延びる方向と直
交する方向から入射する光の反射方向が広がることで反
射効率が向上することに加えて、ストライプ溝や稜線部
に入射した光が梨地模様による凹凸により乱反射し、こ
の乱反射によりストライプ溝に直交する以外の方向にお
いても光の反射方向をより広範囲とすることができる。
その結果、このような反射体を用いた液晶表示装置によ
れば、従来の液晶表示装置に比べて使用者が表示面をい
ずれの方向から視認した場合においても、その視野角が
広がり、明るい表示面とすることができる。
2の反射体においては、ストライプ溝の延びる方向と直
交する方向から入射する光の反射方向が広がることで反
射効率が向上することに加えて、ストライプ溝や稜線部
に入射した光が梨地模様による凹凸により乱反射し、こ
の乱反射によりストライプ溝に直交する以外の方向にお
いても光の反射方向をより広範囲とすることができる。
その結果、このような反射体を用いた液晶表示装置によ
れば、従来の液晶表示装置に比べて使用者が表示面をい
ずれの方向から視認した場合においても、その視野角が
広がり、明るい表示面とすることができる。
【0043】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係わる反射
体にあっては、多数の微粒子が分散された微粒子分散樹
脂層に多数の溝を有する転写型の型面が転写されて、上
記微粒子分散樹脂層上に多数のストライプ溝が連設され
るとともに上記ストライプ溝内に上記微粒子が存在する
個所を突出させた多数の突起が設けられたものであるの
で、ストライプ溝の延びる方向に直交する方向から入射
する光の反射方向が広がることで反射効率が向上するこ
とに加えて、ストライプ溝内に上記多数の突起によるラ
ンダムな凹凸が形成されているためにストライプ溝内入
射した光が上記凹凸により乱反射し、この乱反射により
ストライプ溝に直交する方向以外の方向においても反射
方向が広がり、反射効率が向上するという利点がある。
体にあっては、多数の微粒子が分散された微粒子分散樹
脂層に多数の溝を有する転写型の型面が転写されて、上
記微粒子分散樹脂層上に多数のストライプ溝が連設され
るとともに上記ストライプ溝内に上記微粒子が存在する
個所を突出させた多数の突起が設けられたものであるの
で、ストライプ溝の延びる方向に直交する方向から入射
する光の反射方向が広がることで反射効率が向上するこ
とに加えて、ストライプ溝内に上記多数の突起によるラ
ンダムな凹凸が形成されているためにストライプ溝内入
射した光が上記凹凸により乱反射し、この乱反射により
ストライプ溝に直交する方向以外の方向においても反射
方向が広がり、反射効率が向上するという利点がある。
【0044】また、樹脂層にランダムな凹凸を有する転
写型の型面が転写され、さらに多数の溝を有する転写型
の型面が転写されて、該樹脂層の表面に梨地模様が形成
されるとともに多数のストライプ溝が連設された反射体
にあっては、ストライプ溝の延びる方向に直交する方向
から入射する光の反射方向が広がることで反射効率が向
上することに加えて、ストライプ溝間の稜線部とストラ
イプ溝内に上記梨地模様によるランダムな凹凸が形成さ
れているためにストライプ溝や稜線部に入射した光が上
記凹凸により乱反射し、この乱反射によりストライプ溝
に直交する以外の方向においても反射方向が広がり、反
射効率が向上するという利点がある。
写型の型面が転写され、さらに多数の溝を有する転写型
の型面が転写されて、該樹脂層の表面に梨地模様が形成
されるとともに多数のストライプ溝が連設された反射体
にあっては、ストライプ溝の延びる方向に直交する方向
から入射する光の反射方向が広がることで反射効率が向
上することに加えて、ストライプ溝間の稜線部とストラ
イプ溝内に上記梨地模様によるランダムな凹凸が形成さ
れているためにストライプ溝や稜線部に入射した光が上
記凹凸により乱反射し、この乱反射によりストライプ溝
に直交する以外の方向においても反射方向が広がり、反
射効率が向上するという利点がある。
【0045】また、樹脂層に多数の溝を有する転写型の
型面が転写され、さらにランダムな凹凸を有する転写型
の型面が転写されて、該樹脂層上の表面に多数のストラ
イプ溝が連設されるとともに上記ストライプ溝間の稜線
部に梨地模様が形成された反射体にあっては、ストライ
プ溝の延びる方向に直交する方向から入射する光の反射
方向が広がることで反射効率が向上することに加えて、
ストライプ溝間の稜線部に上記梨地模様によるランダム
な凹凸が形成されているために稜線部に入射した光が上
記凹凸により乱反射し、この乱反射によりストライプ溝
に直交する以外の方向においても反射方向が広がり、反
射効率が向上するという利点がある。
型面が転写され、さらにランダムな凹凸を有する転写型
の型面が転写されて、該樹脂層上の表面に多数のストラ
イプ溝が連設されるとともに上記ストライプ溝間の稜線
部に梨地模様が形成された反射体にあっては、ストライ
プ溝の延びる方向に直交する方向から入射する光の反射
方向が広がることで反射効率が向上することに加えて、
ストライプ溝間の稜線部に上記梨地模様によるランダム
な凹凸が形成されているために稜線部に入射した光が上
記凹凸により乱反射し、この乱反射によりストライプ溝
に直交する以外の方向においても反射方向が広がり、反
射効率が向上するという利点がある。
【0046】したがって、このような反射体を備えた本
発明の反射型液晶表示装置によれば、反射体自体が高い
反射効率と広範囲の反射方向を持っているため、従来の
反射型液晶表示装置に比べていずれの方向においても視
野角が広がり、表示面を全体的に明るくすることができ
る。
発明の反射型液晶表示装置によれば、反射体自体が高い
反射効率と広範囲の反射方向を持っているため、従来の
反射型液晶表示装置に比べていずれの方向においても視
野角が広がり、表示面を全体的に明るくすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る反射体の第一の実施の形態を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図2】 第一の実施形態の反射体の製造方法を工程順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図3】 第一の実施形態の反射体の製造方法を工程順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図4】 本発明に係る反射体の第二の実施形態を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図5】 本発明の第二及び第三の実施形態の反射体の
製造に用いるランダム凹凸転写型を示す斜視図である。
製造に用いるランダム凹凸転写型を示す斜視図である。
【図6】 第二の実施形態の反射体の製造方法を工程順
に示す断面図である
に示す断面図である
【図7】 本発明に係る反射体の第三の実施形態を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図8】 第三の実施形態の反射体の製造方法を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
【図9】 本発明に係る反射型液晶表示装置の一実施の
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図10】 樹脂層の表面に梨地模様が形成されるとと
もに多数のストライプ溝が連設された実施例2の反射体
の反射特性を示すグラフである。
もに多数のストライプ溝が連設された実施例2の反射体
の反射特性を示すグラフである。
【図11】 従来の反射体の一例を示す斜視図である。
【図12】 従来の反射型液晶表示装置の一例を示す断
面図である。
面図である。
16・・・微粒子、18・・・突起、20・・・稜線部、21・・・
微粒子分散樹脂層、21a・・・ストライプ溝、22・・・反
射膜、25・・・反射体、41・・・樹脂層、43・・・三次元
ランダム転写型。
微粒子分散樹脂層、21a・・・ストライプ溝、22・・・反
射膜、25・・・反射体、41・・・樹脂層、43・・・三次元
ランダム転写型。
Claims (4)
- 【請求項1】 多数の微粒子が分散された微粒子分散樹
脂層に多数の溝を有する転写型の型面が転写されて、前
記微粒子分散樹脂層上に多数のストライプ溝が連設され
るとともに前記ストライプ溝内に前記微粒子が存在する
個所を突出させた多数の突起が設けられたことを特徴と
する反射体。 - 【請求項2】 樹脂層にランダムな凹凸を有する転写型
の型面が転写され、さらに多数の溝を有する転写型の型
面が転写されて、該樹脂層の表面に梨地模様が形成され
るとともに多数のストライプ溝が連設されたことを特徴
とする反射体。 - 【請求項3】 樹脂層に多数の溝を有する転写型の型面
が転写され、さらにランダムな凹凸を有する転写型の型
面が転写されて、該樹脂層上の表面に多数のストライプ
溝が連設されるとともに前記ストライプ溝間の稜線部に
梨地模様が形成されたことを特徴とする反射体。 - 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の反
射体を備えたことを特徴とする反射型液晶表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9199035A JPH1144804A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 反射体および反射型液晶表示装置 |
KR1019980028040A KR100272882B1 (ko) | 1997-07-23 | 1998-07-11 | 반사체, 그 제조방법 및 반사형 액정표시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9199035A JPH1144804A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 反射体および反射型液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1144804A true JPH1144804A (ja) | 1999-02-16 |
Family
ID=16401041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9199035A Withdrawn JPH1144804A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-24 | 反射体および反射型液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1144804A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2016173601A (ja) * | 2010-08-02 | 2016-09-29 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 均一光配向フィルム及びその作製方法 |
-
1997
- 1997-07-24 JP JP9199035A patent/JPH1144804A/ja not_active Withdrawn
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