JPH1144663A - 集積回路部品の解析装置及び解析方法 - Google Patents

集積回路部品の解析装置及び解析方法

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JPH1144663A
JPH1144663A JP9201865A JP20186597A JPH1144663A JP H1144663 A JPH1144663 A JP H1144663A JP 9201865 A JP9201865 A JP 9201865A JP 20186597 A JP20186597 A JP 20186597A JP H1144663 A JPH1144663 A JP H1144663A
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JP
Japan
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signal
sample
integrated circuit
component
frequency
Prior art date
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Application number
JP9201865A
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English (en)
Inventor
Takahiro Ishida
高弘 石田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 これまで位置決めのために使用されていた電
位コントラスト像を利用して集積回路内部の各種動作解
析を可能にした集積回路部品の解析装置及び解析方法を
提供する。 【解決手段】 信号発生器20から信号が入力された集
積回路部品の試料15に対し、走査形電子顕微鏡10に
より電子ビームで走査して上記試料15から放射される
二次電子を検出し、上記走査形電子顕微鏡10により得
られた二次電子信号について任意の周波数に対する振幅
成分又は位相成分を求める周波数解析を信号処理装置3
0により行い、上記信号処理装置30により解析された
任意の周波数に対する振幅成分又は位相成分を画像表示
装置50で二次元画像表示する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査形電子顕微鏡
を用いて集積回路内部の動作を解析する集積回路部品の
解析装置及び解析方法に関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路内部の動作を解析する解析装置
として、走査形電子顕微鏡(SEM:scanning electron m
icroscpe)における電位コントラスト(表面電位に応じ
て現れるSEM画像上のコントラスト)を利用して、集
積回路内部の配線電位を直接測定することにより試験を
行う電子ビーム(EB:e-beam)テスタが知られている。
従来、EBテスタでは、電位コントラスト像をモニタ表
示して位置決めのために使用していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来、EBテスタで
は、電位コントラスト像をモニタ表示して位置決めのた
めに使用していた。
【0004】そこで本発明の目的は、これまで位置決め
のために使用されていた電位コントラスト像を利用して
集積回路内部の各種動作解析を可能にした集積回路部品
の解析装置及び解析方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係る集積回路部
品の解析装置は、集積回路部品の試料に入力する信号を
発生する信号発生装置と、上記信号発生装置から信号が
入力された試料を電子ビームにより走査して、上記試料
から放射される二次電子を検出する走査形電子顕微鏡
と、上記走査形電子顕微鏡により得られた二次電子信号
について任意の周波数に対する振幅成分又は位相成分を
求める周波数解析を行う信号処理装置と、上記信号処理
装置により解析された任意の周波数に対する振幅成分又
は位相成分を二次元画像表示する画像表示装置とを備え
ることを特徴とする。
【0006】また、本発明に係る集積回路部品の解析方
法は、集積回路部品の試料に信号を入力し、信号が入力
された試料を電子ビームにより走査して、上記試料から
放射される二次電子を検出し、検出された二次電子信号
について任意の周波数に対する振幅成分又は位相成分を
求める周波数解析を行い、上記任意の周波数に対する振
幅成分又は位相成分を二次元画像表示することを特徴と
する。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
【0008】本発明は、例えば図1に示すような構成の
EBテスタシステムに適用される。この図1に示したE
Bテスタシステム100は、走査形電子顕微鏡10、こ
の走査形電子顕微鏡10に接続された信号発生器20、
信号処理装置30や計算機40などからなる。
【0009】このEBテスタシステム100において、
走査形電子顕微鏡10は、電子銃11が出射する電子ビ
ームにより集積回路部品の試料15を走査して、上記試
料15から放射される二次電子を二次電子検出器12に
より検出するものもので、図示しない排気系や走査制御
系等を備えてなる。また、信号発生器20は、上記集積
回路部品の試料15へ入力する信号を発生する。そし
て、上記走査形電子顕微鏡10は、上記信号発生器20
から信号が入力された試料15を電子ビームにより走査
して、上記試料15から放射される二次電子を二次電子
検出器12により検出する。
【0010】また、信号処理装置30は、上記走査形電
子顕微鏡10の二次電子検出器12により、上記試料1
5から放射された二次電子を検出して得られた二次電子
信号が供給されており、この二次電子信号を電位コント
ラスト像や電圧波形に変換すると共に上記二次電子信号
について任意の周波数に対する振幅成分又は位相成分を
求める周波数解析を行う。
【0011】そして、計算機40は、上記走査形電子顕
微鏡10、信号発生器20や信号処理装置30を走査す
るためにインターフェースとして機能する。この計算機
40は、画像表示装置50が接続されており、上記二次
電子信号を信号処理装置30により変換することにより
得られる電位コントラスト像や電圧波形などを上記画像
表示装置50で二次元画像表示するようになっている。
【0012】このEBテスタシステム100で観測され
る集積回路部品の試料15についての電位コントラスト
像を図2に模式的に示す。この電位コントラスト像は、
モニタ像として上記画像表示装置50で二次元画像表示
される。上記計算機40は、このモニタ像の画像領域を
適当な数の画素の集まりに区分し、上記走査形電子顕微
鏡10を制御して二次元的に電子ビームを走査しなが
ら、区分毎に二次電子信号の電圧波形を観察するよう
に、上記走査形電子顕微鏡10、信号発生器20や信号
処理装置30を制御する。例えば図3に示すように、2
56×256に分けると1枚のモニタ像は65536個
の区分から構成されることになる。そして、上記信号処
理装置30は、得られた区分毎の電圧波形をフーリエ変
換などの手法を用いて周波数解析することにより、任意
の周波数に対する振幅成分又は位相成分を求める。
【0013】例えば、図2に電位コントラスト像を示し
た集積回路部品の試料15における第1の配線1(1A
L:第1層のアルミニューム配線)に対応する区分で
は、例えば図4の(A)に示すような電圧波形が観測さ
れ、この電圧波形をフーリエ変換することにより図4の
(B)に示すような周波数成分が存在していることがわ
かる。また、上記集積回路部品の試料15における第2
配線2(1AL:第1層のアルミニューム配線)の区分
では、例えば図5の(A)に示すような電圧波形が観測
され、この電圧波形をフーリエ変換することにより図5
の(B)に示すような周波数成分が存在していることが
わかる。さらに、上記集積回路部品の試料15における
第3の配線3(2AL:第2層のアルミニューム配線)
の区分では、例えば図6の(A)に示すような変化のな
い電圧波形が観測され、この電圧波形をフーリエ変換す
ることにより図6の(B)に示すように周波数成分が存
在していないことがわかる。そして、例えば周期tの周
波数fについて着目すると、その周波数fの成分は、第
2の配線2の区分でのみ観測されることがわかる。
【0014】したがって、区分毎の電圧波形を周波数解
析して、周波数fの振幅値を二次元画像表示すると、図
7に示すように、周波数fの成分を持つ配線2の領域が
顕著となる結果が得られる。
【0015】なお、以上の説明では振幅成分について述
べたが、同様に位相成分についての表示も可能である。
【0016】このように、このEBテスタシステムで
は、集積回路部品の試料15についての電位コントラス
ト像から任意の周波数の信号像のみを抽出ことにより、
各種動作解析を行うことができる。例えばフラッシュメ
モリの書き込みモードの一連の動作(データ取り込み、
データ書き込み、ベリファイ)から、データ取り込み動
作のみを抽出させ、二次元画像表示することができる。
【0017】
【発明の効果】以上のように、本発明では、信号を入力
した集積回路の試料を電子ビームにより走査して、上記
試料から放射される二次電子を検出し、検出された二次
電子信号について任意の周波数に対する振幅成分又は位
相成分を求める周波数解析を行い、上記任意の周波数に
対する振幅成分又は位相成分を二次元画像表示すること
により、上記集積回路の試料の各種動作解析を行うこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用したEBテスタシステムの構成を
示すブロック図である。
【図2】上記EBテスタシステムで観測される集積回路
部品の試料についての電位コントラスト像を模式的に示
す図である。
【図3】上記EBテスタシステムにおいて256×25
6に分けたモニタ像の区分を示す図である。
【図4】集積回路部品の試料における第1の配線に対応
する区分で観測される電圧波形とその周波数成分を示す
図である。
【図5】集積回路部品の試料における第2の配線に対応
する区分で観測される電圧波形とその周波数成分を示す
図である。
【図6】集積回路部品の試料における第3の配線に対応
する区分で観測される電圧波形とその周波数成分を示す
図である。
【図7】上記EBテスタシステムにおいて、区分毎の電
圧波形を周波数解析して、周波数fの振幅値を二次元画
像表示した結果を示す図である。
【符号の説明】
10 走査形電子顕微鏡、20 信号発生器、30 信
号処理装置、40 計算機、11 電子銃、12 二次
電子検出器、15 試料、100 EBテスタシステム

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 集積回路部品の試料に入力する信号を発
    生する信号発生装置と、 上記信号発生装置から信号が入力された試料を電子ビー
    ムにより走査して、上記試料から放射される二次電子を
    検出する走査形電子顕微鏡と、 上記走査形電子顕微鏡により得られた二次電子信号につ
    いて任意の周波数に対する振幅成分又は位相成分を求め
    る周波数解析を行う信号処理装置と、 上記信号処理装置により解析された任意の周波数に対す
    る振幅成分又は位相成分を二次元画像表示する画像表示
    装置とを備えることを特徴とする集積回路部品の解析装
    置。
  2. 【請求項2】 集積回路部品の試料に信号を入力し、 信号が入力された試料を電子ビームにより走査して、上
    記試料から放射される二次電子を検出し、 検出された二次電子信号について任意の周波数に対する
    振幅成分又は位相成分を求める周波数解析を行い、 上記任意の周波数に対する振幅成分又は位相成分を二次
    元画像表示することを特徴とする集積回路部品の解析方
    法。
JP9201865A 1997-07-28 1997-07-28 集積回路部品の解析装置及び解析方法 Withdrawn JPH1144663A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7948242B2 (en) 2004-11-04 2011-05-24 Panasonic Corporation Integrated circuit and integrated circuit package

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7948242B2 (en) 2004-11-04 2011-05-24 Panasonic Corporation Integrated circuit and integrated circuit package

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