JPH1141070A - ディジタル制御発振回路 - Google Patents

ディジタル制御発振回路

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JPH1141070A
JPH1141070A JP9196281A JP19628197A JPH1141070A JP H1141070 A JPH1141070 A JP H1141070A JP 9196281 A JP9196281 A JP 9196281A JP 19628197 A JP19628197 A JP 19628197A JP H1141070 A JPH1141070 A JP H1141070A
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JP
Japan
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oscillation
circuit
ring
circuits
controlled
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JP9196281A
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Yoshimi Asada
善巳 浅田
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ディジタルPLLを構成する場合などに使用さ
れるディジタル制御発振回路に関し、電源ノイズにより
発振出力の位相が変動せず、しかも、回路の作成を容易
に行うことができるようにする。 【解決手段】ディジタル信号により遅延時間を制御され
る非差動型インバータ回路66〜68、69〜71をそ
れぞれリング接続したリング発振回路64、65と、リ
ング発振回路64、65の発振出力OUT64、65が
反対位相となるようにリング発振回路64、65を結合
する結合回路72と、リング発振回路64、65の発振
出力OUT64、65を差動増幅する差動増幅回路76
とを備えて構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディジタルPLL
(Phase-Locked Loop)を構成する場合などに使用さ
れるディジタル制御発振回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図6はアナログPLLを構成する場合に
使用される電圧制御発振回路の一例を示す回路図であ
り、この電圧制御発振回路は、図7に示すように構成さ
れる遅延時間を可変とされた電源電流制御型の非差動型
インバータ回路1、2、3をリング接続して構成されて
いる。
【0003】図7中、4は電源電圧VDDを供給するV
DD電源線、5はコントロール電圧CV1により抵抗値
が制御される可変抵抗素子として機能するpMOSトラ
ンジスタ、6は入力信号INによりオン、オフが制御さ
れるプルアップ素子として機能するpMOSトランジス
タである。
【0004】また、7は入力信号INによりオン、オフ
が制御されるプルダウン素子として機能するnMOSト
ランジスタ、8はコントロール電圧CV2により抵抗値
が制御される可変抵抗素子として機能するnMOSトラ
ンジスタである。
【0005】図6に示す電圧制御発振回路は、非差動型
インバータ回路1、2、3に与えるコントロール電圧C
V1、CV2を可変して非差動型インバータ回路1、
2、3に流れる電源電流を制御することにより、非差動
型インバータ回路1、2、3の遅延時間を制御して発振
周波数を制御するというものである。
【0006】図8はアナログPLLを構成する場合に使
用される電圧制御発振回路の他の例を示す回路図であ
り、この電圧制御発振回路は、図9に示すように構成さ
れる遅延時間を可変とされた電源電流制御型の差動型イ
ンバータ回路10、11、12をリング接続したリング
発振回路13と、リング発振回路13の出力を差動増幅
する差動増幅回路14とで構成されている。
【0007】図9中、15はVDD電源線、16、17
はコントロール電圧CV1により抵抗値が制御される可
変抵抗素子として機能するpMOSトランジスタ、18
は入力信号INによりオン、オフが制御される駆動素子
として機能するnMOSトランジスタである。
【0008】また、19は入力信号INと反転関係にあ
る入力信号/INによりオン、オフが制御される駆動素
子として機能するnMOSトランジスタ、20はコント
ロール電圧CV2により電流値が制御される定電流源と
して機能するnMOSトランジスタである。
【0009】図8に示す電圧制御発振回路は、差動型イ
ンバータ回路10、11、12に与えるコントロール電
圧CV1、CV2を可変して差動型インバータ回路1
0、11、12に流れる電源電流を制御することによ
り、差動型インバータ回路10、11、12の遅延時間
を制御して発振周波数を制御するというものである。
【0010】ここに、図6に示す電圧制御発振回路は、
図8に示す電圧制御発振回路に比較して回路構成は簡単
であるが、電源電圧VDDがノイズにより変動すると、
内部ノードの電圧が変動することにより発振周波数が変
動してしまい、良好なジッタ特性を得ることができない
という欠点を有している。
【0011】これに対して、図8に示す電圧制御発振回
路は、図6に示す電圧制御発振回路に比較して回路構成
は複雑となるが、電源からのノイズを差動型インバータ
回路10、11、12における同相ノイズ(コモンモー
ドノイズ)として除去して差動型インバータ回路10、
11、12の出力OUT、/OUTに電源ノイズの影響
が現れないようにし、良好なジッタ特性を得ることがで
きるという利点を有している。
【0012】ところで、アナログPLLは、ロックする
前は、ループの時定数を小さくすることによりロックタ
イム時間を短くして、ロックタイム特性を良好なものと
し、ロックした後は、ループの時定数を大きくして、ジ
ッタ特性を良好なものとするように、ロックタイム特性
及びジッタ特性をダイナミックに制御することができな
いこと等から、近年、ディジタルPLLの開発が盛んに
行われている。
【0013】ディジタルPLLを構成するために必要な
ディジタル制御発振回路は、例えば、図10に示すよう
な電源電流制御型の非差動型インバータ回路又は図11
に示すような負荷容量制御型の非差動型インバータ回路
を奇数個、リング接続して構成することができる。
【0014】図10中、22はVDD電源線、23〜3
0はそれぞれディジタル信号DA1〜DA8によりオ
ン、オフが制御される抵抗素子として機能するpMOS
トランジスタであり、これらpMOSトランジスタ23
〜30のゲート幅は、pMOSトランジスタ23のゲー
ト幅をWpとすると、Wp:Wp/2:Wp/4:Wp
/8:Wp/16:Wp/32:Wp/64:Wp/1
28とされている。
【0015】また、31は入力信号INによりオン、オ
フが制御されるプルアップ素子として機能するpMOS
トランジスタ、32は入力信号INによりオン、オフが
制御されるプルダウン素子として機能するnMOSトラ
ンジスタである。
【0016】また、33〜40はそれぞれディジタル信
号DB1〜DB8によりオン、オフが制御される抵抗素
子として機能するnMOSトランジスタであり、これら
nMOSトランジスタ33〜40のゲート幅は、nMO
Sトランジスタ33のゲート幅をWnとすると、Wn:
Wn/2:Wn/4:Wn/8:Wn/16:Wn/3
2:Wn/64:Wn/128とされている。
【0017】即ち、図10に示す非差動型インバータ回
路は、ディジタル信号DA1〜DA8によってpMOS
トランジスタ23〜39のオン、オフが制御されると共
に、ディジタル信号DB1〜DB8によってnMOSト
ランジスタ33〜40のオン、オフが制御されることに
より電源電流が制御され、遅延時間が制御されるという
ものである。
【0018】また、図11中、42は遅延時間を固定と
されたインバータ回路であり、43はVDD電源線、4
4は入力信号INによりオン、オフが制御されるプルア
ップ素子として機能するpMOSトランジスタ、45は
入力信号INによりオン、オフが制御されるプルダウン
素子として機能するnMOSトランジスタである。
【0019】また、46は負荷容量回路であり、47〜
54はそれぞれディジタル信号DC1〜DC8によりオ
ン、オフが制御されるスイッチ素子として機能するnM
OSトランジスタである。
【0020】また、55〜62は負荷容量であり、これ
ら負荷容量55〜62の容量値は、負荷容量55の容量
値をCとすると、C:C/2:C/4:C/8:C/1
6:C/32:C/64:C/128とされている。
【0021】即ち、図11に示す非差動型インバータ回
路は、ディジタル信号DC1〜DC8によってnMOS
トランジスタ47〜54のオン、オフが制御されること
により負荷容量が制御され、遅延時間が制御されるとい
うものである。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、ディジ
タルPLLを構成するために必要なディジタル制御発振
回路は、例えば、図10又は図11に示す非差動型イン
バータ回路を奇数個、リング接続して構成することがで
きるが、このように構成されるディジタル制御発振回路
は、電源からのノイズを除去し、発振出力に電源ノイズ
の影響が現れないようにする機構がないため、電源ノイ
ズにより発振出力の位相が変動し、良好なジッタ特性を
得ることができないという問題点があった。
【0023】ここに、図10又は図11に示す非差動型
インバータ回路を差動回路化する場合には、電源からの
ノイズを同相ノイズとして除去し、電源ノイズによる発
振周波数の変動を回避することができるが、回路の作成
が困難であるという問題点があった。
【0024】また、発振周波数を制御するためのディジ
タル信号をアナログ信号に変換するディジタル変換回路
と、図9に示す差動型インバータ回路を使用した電圧制
御発振回路とでディジタル制御発振回路を構成する場合
には、電圧制御発振回路では電源からのノイズを除去す
ることができるが、ディジタル/アナログ変換回路で電
源ノイズの影響を受け易いという問題点があった。
【0025】本発明は、かかる点に鑑み、電源ノイズに
より発振出力の位相が変動せず、しかも、回路の作成を
容易に行うことができるディジタル制御発振回路を提供
することを目的とする。
【0026】
【課題を解決するための手段】本発明中、第1の発明
は、ディジタル信号により遅延時間を制御される非差動
型インバータ回路をリング接続した、発振周波数を同一
とする第1、第2のリング発振回路と、第1、第2のリ
ング発振回路の発振出力が反対位相となるように第1、
第2のリング発振回路を結合する結合回路と、第1、第
2のリング発振回路の発振出力を差動増幅する差動増幅
回路とを備えているというものである。
【0027】本発明中、第1の発明によれば、発振周波
数を同一とする第1、第2のリング発振回路を結合する
結合回路を設け、第1、第2のリング発振回路からの発
振出力を反対位相とし、これら反対位相の発振出力を差
動増幅回路で差動増幅するようにしているので、電源ノ
イズによる第1、第2のリング発振回路の発振出力の変
動を差動増幅回路の同相ノイズとして除去することがで
きる。
【0028】また、本発明中、第1の発明によれば、リ
ング発振回路として、非差動型インバータ回路をリング
接続したリング発振回路を使用するとし、差動型インバ
ータ回路を使用したリング発振回路を使用しないように
しているので、回路の作成を容易に行うことができる。
【0029】本発明中、第2の発明は、第1の発明にお
いて、結合回路は、第1、第2のリング発振回路を、抵
抗素子を介して結合するというものである。
【0030】本発明中、第3の発明は、第1の発明にお
いて、結合回路は、第1、第2のリング発振回路を、遅
延時間を固定とされたインバータ回路を介して結合する
というものである。
【0031】本発明中、第4の発明は、第1の発明にお
いて、結合回路は、第1、第2のリング発振回路を、デ
ィジタル信号により遅延時間を制御する非差動型インバ
ータ回路を介して結合するというものである。
【0032】本発明中、第5の発明は、第1の発明にお
いて、結合回路は、前記第1、第2のリング発振回路
を、バッファ回路を介して結合するというものである。
【0033】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図5を参照して、本
発明の第1実施形態〜第4実施形態について説明する。
【0034】本発明の第1実施形態・・図1 図1は本発明の第1実施形態を示す回路図である。図1
中、64、65は発振周波数を同一とするリング発振回
路であり、66〜71は図10又は図11に示すように
構成された非差動型インバータ回路である。
【0035】また、72はリング発振回路64、65を
結合する結合回路であり、73は電源電圧VDDを供給
するVDD電源線、74、75は抵抗素子として機能す
るnMOSトランジスタである。
【0036】なお、nMOSトランジスタ74は、ドレ
インを非差動型インバータ回路67の出力端に接続さ
れ、ソースを非差動型インバータ回路69の入力端に接
続され、ゲートをVDD電源線73に接続されている。
【0037】また、nMOSトランジスタ75は、ドレ
インを非差動型インバータ回路70の出力端に接続さ
れ、ドレインを非差動型インバータ回路66の入力端に
接続され、ゲートをVDD電源線73に接続されてい
る。
【0038】したがって、リング発振回路64、65
は、互いに反対位相で発振することになり、リング発振
回路64、65の発振出力OUT64、65は、互いに
反対位相の信号となる。
【0039】また、76はリング発振回路64、65の
発振出力OUT64、OUT65を差動増幅して本発明
の第1実施形態の発振出力を出力する差動増幅回路であ
る。
【0040】このように構成された本発明の第1実施形
態によれば、反対位相とされたリング発振回路64、6
5の発振出力OUT64、OUT65は、差動増幅回路
76で差動増幅されるので、電源ノイズによるリング発
振回路64、65の発振出力OUT64、65の変動を
差動増幅回路76の同相ノイズとして除去し、差動増幅
回路76から出力される発振出力の位相が電源ノイズに
より変動しないようにすることができる。
【0041】また、本発明の第1実施形態によれば、リ
ング発振回路として、非差動型インバータ回路66、6
7、68をリング接続したリング発振回路64と、非差
動型インバータ回路69、70、71をリング接続した
リング発振回路65とを使用するとし、差動型インバー
タ回路を使用したリング発振回路を使用しないようにし
ているので、回路の作成を容易に行うことができる。
【0042】本発明の第2実施形態・・図2 図2は本発明の第2実施形態を示す回路図であり、本発
明の第2実施形態は、第1実施形態が備える結合回路7
2と回路構成の異なる結合回路78を設け、その他につ
いては、本発明の第1実施形態と同様に構成したもので
ある。
【0043】結合回路78において、79、80は図3
に示すように構成される遅延時間を固定とされたインバ
ータ回路であり、図3中、81はVDD電源線、82は
入力信号INによりオン、オフが制御されるプルアップ
素子として機能するpMOSトランジスタ、83は入力
信号INによりオン、オフが制御されるプルダウン素子
として機能するnMOSトランジスタである。
【0044】このように構成された本発明の第2実施形
態においても、リング発振回路64、65は、互いに反
対位相で発振することになり、リング発振回路64、6
5の発振出力OUT64、65は、互いに反対位相の信
号となる。
【0045】したがって、本発明の第2実施形態におい
ても、本発明の第1実施形態と同様に、電源ノイズによ
るリング発振回路64、65の発振出力OUT64、6
5の変動を差動増幅回路76の同相ノイズとして除去
し、差動増幅回路76から出力される発振出力の位相が
電源ノイズにより変動しないようにすることができると
共に、差動型インバータ回路を使用したリング発振回路
を使用しないようにしているので、回路の作成を容易に
行うことができる。
【0046】本発明の第3実施形態・・図4 図4は本発明の第3実施形態を示す回路図であり、本発
明の第3実施形態は、第1実施形態が備える結合回路7
2と回路構成の異なる結合回路85を設け、その他につ
いては、本発明の第1実施形態と同様に構成したもので
ある。
【0047】結合回路85において、86、87は非差
動型インバータ回路66〜71と同一の回路構成とされ
た非差動型インバータ回路である。
【0048】このように構成された本発明の第3実施形
態においても、リング発振回路64、65は、互いに反
対位相で発振することになり、リング発振回路64、6
5の発振出力OUT64、65は、互いに反対位相の信
号となる。
【0049】したがって、本発明の第3実施形態におい
ても、本発明の第1実施形態と同様に、電源ノイズによ
るリング発振回路64、65の発振出力OUT64、6
5の変動を差動増幅回路76の同相ノイズとして除去
し、差動増幅回路76から出力される発振出力の位相が
電源ノイズにより変動しないようにすることができると
共に、差動型インバータ回路を使用したリング発振回路
を使用しないようにしているので、回路の作成を容易に
行うことができる。
【0050】本発明の第4実施形態・・図5 図5は本発明の第4実施形態を示す回路図であり、本発
明の第4実施形態は、第1実施形態が備える結合回路7
2と回路構成の異なる結合回路89を設け、その他につ
いては、本発明の第1実施形態と同様に構成したもので
ある。
【0051】結合回路89において、90、91は図3
に示すように構成される2個のインバータ回路を縦列接
続してなるバッファ回路である。
【0052】このように構成された本発明の第4実施形
態においても、リング発振回路64、65は、互いに反
対位相で発振することになり、リング発振回路64、6
5の発振出力OUT64、65は、互いに反対位相の信
号となる。
【0053】したがって、本発明の第4実施形態におい
ても、本発明の第1実施形態と同様に、電源ノイズによ
るリング発振回路64、65の発振出力OUT64、6
5の変動を差動増幅回路76の同相ノイズとして除去
し、差動増幅回路76から出力される発振出力の位相が
電源ノイズにより変動しないようにすることができると
共に、差動型インバータ回路を使用したリング発振回路
を使用しないようにしているので、回路の作成を容易に
行うことができる。
【0054】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、第1、
第2のリング発振回路からの発振出力を反対位相とし、
これら反対位相の発振出力を差動増幅回路で差動増幅す
るようにしているので、電源ノイズによる第1、第2の
リング発振回路の発振出力の変動を差動増幅回路の同相
ノイズとして除去し、電源ノイズにより発振出力の位相
が変動しないようにすることができると共に、リング発
振回路として、非差動型インバータ回路をリング接続し
たリング発振回路を使用するとし、差動型インバータ回
路を使用したリング発振回路を使用しないようにしてい
るので、回路の作成を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態を示す回路図である。
【図2】本発明の第2実施形態を示す回路図である。
【図3】遅延時間を固定とされたインバータ回路の一例
を示す回路図である。
【図4】本発明の第3実施形態を示す回路図である。
【図5】本発明の第4実施形態を示す回路図である。
【図6】アナログPLLを構成する場合に使用される電
圧制御発振回路の一例を示す回路図である。
【図7】遅延時間を可変とされた電源電流制御型の非差
動型インバータ回路の一例を示す回路図である。
【図8】アナログPLLを構成する場合に使用される電
圧制御発振回路の他の例を示す回路図である。
【図9】遅延時間を可変とされた電源電流制御型の差動
型インバータ回路の一例を示す回路図である。
【図10】遅延時間を可変とされた電源電流制御型の非
差動型インバータ回路の他の例を示す回路図である。
【図11】遅延時間を可変とされた負荷容量制御型の非
差動型インバータ回路の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
66〜71 遅延時間を可変とされた非差動型インバー
タ回路 76 差動増幅回路

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ディジタル信号により遅延時間を制御され
    る非差動型インバータ回路をリング接続した、発振周波
    数を同一とする第1、第2のリング発振回路と、 前記第1、第2のリング発振回路の発振出力が反対位相
    となるように前記第1、第2のリング発振回路を結合す
    る結合回路と、 前記第1、第2のリング発振回路の発振出力を差動増幅
    する差動増幅回路とを備えていることを特徴とするディ
    ジタル制御発振回路。
  2. 【請求項2】前記結合回路は、前記第1、第2のリング
    発振回路を、抵抗素子を介して結合するものであること
    を特徴とする請求項1記載のディジタル制御発振回路。
  3. 【請求項3】前記結合回路は、前記第1、第2のリング
    発振回路を、遅延時間を固定とされたインバータ回路を
    介して結合するものであることを特徴とする請求項1記
    載のディジタル制御発振回路。
  4. 【請求項4】前記結合回路は、前記第1、第2のリング
    発振回路を、ディジタル信号により遅延時間を制御され
    る非差動型インバータ回路を介して結合するものである
    ことを特徴とする請求項1記載のディジタル制御発振回
    路。
  5. 【請求項5】前記結合回路は、前記第1、第2のリング
    発振回路を、バッファ回路を介して結合するものである
    ことを特徴とする請求項1記載のディジタル制御発振回
    路。
JP9196281A 1997-07-23 1997-07-23 ディジタル制御発振回路 Withdrawn JPH1141070A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003517224A (ja) * 1999-07-29 2003-05-20 トリパス テクノロジー インコーポレイテッド デジタルスイッチングアンプ用の動的スイッチング周波数制御
US7528668B2 (en) 2005-11-14 2009-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Differential amplifier, differential amplifying method, and phase locked loop and delay locked loop using the same
CN104426540A (zh) * 2013-08-27 2015-03-18 苏州中科集成电路设计中心有限公司 产生均衡占空比信号的vco设备
WO2020179180A1 (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 制御回路および測距システム

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