JPH1140899A - パワー監視システムを有する半導体レーザパッケージ - Google Patents

パワー監視システムを有する半導体レーザパッケージ

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JPH1140899A
JPH1140899A JP10075013A JP7501398A JPH1140899A JP H1140899 A JPH1140899 A JP H1140899A JP 10075013 A JP10075013 A JP 10075013A JP 7501398 A JP7501398 A JP 7501398A JP H1140899 A JPH1140899 A JP H1140899A
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JP
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metal plate
cavity surface
surface emitting
optical element
vertical cavity
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JP10075013A
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English (en)
Inventor
Rong-Ting Huang
ロン−ティン・ファング
Wenbin Jiang
ウェンビン・ジアン
Michael S Lebby
マイケル・エス・レビー
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Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]

Abstract

(57)【要約】 【課題】 VCSEL放射の自動パワー制御（APC）を可能に
するパワー監視システムを含む低コスト半導体レーザパ
ッケージを提供する。 【解決手段】 搭載ベース上に搭載される光電検出器の
ような縦型キャビティ表面放射レーザおよびパワー監視
システムを含む半導体レーザパッケージおよびその製法
である。ビーム分割器のような光学的要素が、搭載ベー
スと不可分に、若しくは、前記縦型キャビティ表面放射
レーザによって発生される放射光と光学的に位置合わせ
されるように、搭載ベース上に位置づけられる分割要素
として、形成される。光学的要素は、光電検出器の方向
における放射光の一部分を反射し、また光学的要素は放
射光の一部分を透過させる、特性を有する。被覆モール
ド容器が、搭載ベース上に位置づけられ、それによっ
て、縦型キャビティ表面放射レーザ、光電検出器および
光学的要素を取り囲む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般に半導体レーザに関
し、特に半導体レーザおよびその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】レー
ザダイオードの発展により、その使用のためのアプリケ
ーションの多くも発展してきた。次第に、レーザダイオ
ードは、情報伝達のために使用され、光学的ディスク記
録および保存システムに不可欠である。典型的に、エッ
ジ放射ダイオードレーザが使用される。しかしながら、
エッジ放射ダイオードレーザは、高コストであり、連続
データリンクを有し、コンパクトディスクピックアップ
に使用する場合、高スレッショルド電流のために 高電
流ドレインを有する。
【０００３】エッジ放射レーザの替りに、新しいシステ
ムとして、縦型キャビティ表面放射レーザ（VCSEL）が
採用されている。VCSELは、ずっと低コストで、その簡
単な光学的装置の表面放射を使用し、半導体ウェハ上に
多量に製造することが可能である。しかし、そのような
VCSELのパッケージングに問題が存在する。すなわち、
典型的な、”カン（can）”型のパッケージに採用され
る材料のコストである。従来の半導体レーザ装置は、パ
ッケージングとしてTOカンを利用し、そのレーザ放射経
路を介してカンのふたの部分内に”窓（window）”を形
成することを含む。金属が利用され、その中に”窓”が
形成されなければならず、その材料のコストは、収益に
影響を与える。故に、製造コストを削減させた縦型キャ
ビティ表面放射レーザのパッケージングの必要性が存在
する。
【０００４】さらに、VCSELによって放射される放射光
を自動で制御する監視システムをそのパッケージングに
組み込む必要性もある。一般に、エッジ放射レーザダイ
オードは、その装置の逆放射特性（back emission face
t）に対処するパワー監視検出器を採用する。870nmより
短い波長を有するVCSELにおいて、装置が必然的に形成
される不透明な基板のために逆放射はない。
【０００５】このように、VCSEL放射の自動パワー制御
（APC）を可能にするパワー監視システムを含む低コス
ト半導体レーザパッケージを必要とする。
【０００６】従って、VCSEL放射の監視を可能にする低
コスト半導体レーザパッケージ、およびその製造方法を
提供することが、本発明の目的の１つであり、所望する
ところである。
【０００７】本発明の他の目的としては、安価で、簡単
に製造でき、かつVCSEL放射の自動パワー制御を可能に
する新規で、改善された半導体レーザパッケージを提供
することである。
【０００８】本発明のさらに他の目的としては、レーザ
放射の入射を分割するように位置づけられる、ビーム分
割器のような、光学的要素を含むように製造される新規
で、改善された半導体レーザパッケージであって、結果
的に、そのレーザ放射の小部分が、パワー監視に向かっ
て、反射され、それを介して部分的レーザ放射が通過す
るのを可能にする。
【０００９】
【好適実施例の詳細な説明】上記問題等は、実質的に解
決され、並びに、上記目的等は、経路に沿って、放射光
を発生する縦型キャビティ表面放射レーザ、モールドさ
れたビーム分割器、ビーム分割器によって反射される放
射光を受け取るように位置づけられるパワー監視システ
ム、および縦型キャビティ表面放射レーザおよび監視シ
ステムを封じ込めるためのプラスチック性合成樹脂容器
（plastic resin housing）、を含む半導体レーザパッ
ケージで実現される。そのビーム分割器要素は、モール
ドされたベースの一部分として放射光の経路に形成され
るか、若しくは分割要素として放射光の経路に位置づけ
られるように形成される、のいずれかであり、それによ
って、放射光の一部分を反射する。光電検出器のよう
な、監視システムが、光学的に位置づけられ、分割装置
をして形成され、それによって、その放射光の反射部分
を受け取る。
【００１０】本発明の半導体レーザパッケージの製造方
法が、第１金属板および第２金属板を準備し、各第１金
属板および第２金属板を型抜きし、それによって、第１
主要部、第２主要部および電気的リードを形成する。経
路に沿って放射光を発生する縦型キャビティ表面放射レ
ーザを第１金属板上に位置づけ、光電検出器を第２金属
板上に位置づけ、それによって、放射光の一部分を受け
取る。内に形成される第１開口、第２開口および光学的
要素を有する搭載ベースをもたらす。第１金属板は、第
１開口内に位置づけられ、第２金属板は第２開口内に位
置づけられ、それによって、その縦型キャビティ表面放
射レーザおよび光学的要素を光学的に位置合わせせられ
る。上にモールドされた容器が、第１金属板、第２金属
板および光学的要素のあたりに、形成される。
【００１１】図において、いくつかの図に亘って対応す
る構成要素が同様の参照番号にて示されている。注意さ
れたいのは、図１から３は、電光検出器のような縦型キ
ャビティ表面放射レーザ（VCSEL）またはパワー監視シ
ステムが上に位置づけられている金属板の成形を図示し
ている。より詳細には、図１に図示されるのは、本発明
に利用される金属板１０の平面図である。金属板１０
は、たとえば、鉄（Fe）、アルミニウム（Al）などの金
属の形成を開示しており、表面１１上をニッケル（N
i）、金（Au）などでコーティングする。さらに、固体
のニッケル（Ni）から成る金属版１０の形成が開示さ
れ、それによって、分割ニッケル（Ni）コーティングの
必要性が無くなる。より詳細には、金属板１０が、表面
１１上にニッケル（Ni）コーティングをされた鉄（Fe）
から形成される。金属板１０は、約0.01から2mmの厚さ
で、約0.01から100ミクロンの厚さのニッケル（Ni）コ
ーティングが施されている。ニッケル（Ni）コーティン
グは、その熱的特性および金（Au）またはアルミニウム
（Al）のワイヤボンディングを可能にするように使用さ
れる。
【００１２】図２には、金属板１０の平面図が図示され
ている。金属板１０は、型抜きの工程が施され、それに
よって、第１主要部１２、第２主要部１４および電気的
リード１５を形成する。図３に図示されるとおり、従来
技術によって、標準的縦型キャビティ表面放射レーザ１
６が、第１主要部１２の表面１１に搭載される。本明細
書に亘って、リッジ、平削り板（planar）、その構造に
亘ってエッチングされたリッジ、平削り板などを服務VC
SELの広範なさまざまな異なる形態の任意のものが、本
発明においてVCSEL１６に利用され得ることを理解され
たい。
【００１３】ここで、図１から７のVCSEL１６は、任意
の適切な半導体基板（例えばガリウムヒ素、インジウム
・リンなど）上に形成され、その半導体基板が表面をも
たらす。分散型ブラッグ反射器（destributed Bragg re
flector）の第１積層（stack）、能動領域および分散型
ブラッグ反射器の第２積層が、適切な方法（例えば、分
子ビームエピタキシ（MBE）、金属ー有機化学蒸着（MOC
VD）など）によりその表面上にエピタキシャルの様に
（epitaxially）デポジションされる。分散型ブラッグ
反射器の第１積層は、交互の反射率の指数を有する半導
体材料の複数層を含む。能動領域は、分散型ブラッグ反
射器の第１積層の上表面上に成長せられ、その分散型ブ
ラッグ反射器はその端のいずれかにスペーサ／被覆層を
有するバリア層によって離間せられる１またはそれ以上
の量子井戸を含む。その量子井戸およびスペーサ層は、
またエピタキシャルの様に成長せられる。その分散型ブ
ラッグ反射器の第２積層は、例えば、第１積層ととも
に、記述されたように、対の半導体層をエピタキシャル
の様に成長させることによって、能動領域の上表面上に
形成される。その第１、第２積層は、その層を流れる電
流のためにの二端子（ダイオード）構造を形成するため
に反対の導電型にドーピングされる。電気的コンタクト
が、基盤の底表面上に亘って位置づけられる。完成され
たエピタキシャルデポジションで、分散型ブラッグ反射
器の第２積層が、リッジを形成するようにパターニング
される。一般に、VCSEL１６は、フォトリソグラフィ、
エッチング、はく離、それらの組み合わせなどのような
任意の適切な既知の従来方法によって形成される。分散
型ブラッグ反射器の第２積層におけるリッジを決定する
ことによって、光学的経路が、能動領域で形成される光
を誘導する。リッジVCSELの構造の完全な開示は、米国
特許第5256596号”TOP EMITTING VCSEL WITH IMPLANT”
であり、１９９３年１０月２６日に特許され、本出願人
に譲渡された。その発明は本明細書が参照している。
【００１４】図３をより詳細に参照すると、一旦、エピ
タキシャルデポジションが完遂される、VCSEL１６が形
成されると、そのVCSEL１６は金属板１０上に位置づけ
られる。ワイヤボンド１８が、VCSEL１６を第２主要部
１４に、電気的に接続する。その最終プロジェクトで第
２主要部１４は、VCSEL１６への電気的接続として役立
つことを理解されたい。
【００１５】同様に、パワー監視システムが、光電検出
器のようなパワー監視装置を、VCSEL１６が上に位置づ
けられる分離金属板１０上に、位置づけることによって
形成される。その光電検出器（図５における、参照番号
２８として図示される）は、分割装置として形成され、
VCSEL１６の放射光の経路に位置づけられる光学的要素
（ここに記述されている）から反射する放射光の一部分
を受け取るように金属板１０上に位置づけられる。光学
的要素は、されに使用されるために、放射光の主要部を
透過させ、一方で、光電検出器への低パーセントの戻り
光を反射する。再び、本発明に亘って図示されている詳
細な光電検出器は、本明細書の目的にのみ利用され、市
販されているシリコン（Si）PIN検出器のような、任意
の便利な光電検出装置でもよい。
【００１６】光電検出器の開示された実施例は、監視装
置の役目をし、VCSEL１６からの放射光を監視する。前
記のとおり、VCSEL１６は、光学的要素からの反射され
た放射光の一部分を受け取り、かつ監視するための光電
検出器を位置づけることによって、完成する。
【００１７】より詳細には、VCSEL装置および監視シス
テムは、製造されたパッケージを含み、それによって、
VCSEL１６および本発明の光電検出器を完全に取り囲
み、かつ保護する。図４において、本発明にしたがっ
た、搭載ベース２０の平面図が図示される。好適実施例
において、搭載ベース２０が、モールドされたプラスチ
ック性合成樹脂から成る。より詳細には、そのプラスチ
ック性合成樹脂は透明であり、それによって、外部の背
景の光が、監視光電検出器に入るのを防止する。搭載ベ
ース２０の上表面２１上に光学的要素２２（より詳細に
は、ビーム分割器）を形成し、位置づける。好適実施例
においては、光学的要素２２は、形成の際に、搭載ベー
ス２０と、必ず、モールディングされる。代替的に、光
学的要素２２は、分割装置として製造され、VCSEL１６
からのレーザ放射の経路における搭載ベース２０に関連
して位置づけられる。第１開口２４が、搭載ベース２０
に形成され、挿入されるべき（VCSEL１６がその上に位
置づけられる）金属板１０のためのスペースとして施さ
れる。第２開口２６が、搭載ベース２０に形成され、挿
入されるべき（パワー監視システムがその上に位置づけ
られる）金属板１０のためのスペースとして施される。
第１開口２４および第２開口２６は、金属板１０に近い
耐性を有するように、形成される。このようにして、機
械的に頑強な装置を提供する。
【００１８】図５において、VCSEL１６が搭載され、位
置づけられ、かつ光電検出器２８のようなパワー監視シ
ステムを有する、搭載ベース２０の簡単な斜視図が図示
されている。搭載ベース２０の製造の間に、光学的要素
２２、VCSEL１６および光電検出器２８は、自動化され
た機械的段階によって、モールディング／位置づけされ
得る。それによって、半導体装置の製造コストを削減す
る。より詳細には、金属板１０（VCSEL１６がその上に
存在する）は、第１開口２４内に挿入される。金属板１
０（光電検出器２８がその上に存在する）は、第２開口
２６内に挿入される。
【００１９】図６において、次に、オーバーモールド容
器（orvermold housing）３０が、金属板１０／VCSEL１
６、金属板１０／光電検出器２８、および光学的要素２
２の周りに位置づけられ、形成される。オーバーモール
ド容器３０は、光学的に透明な材料（例えば、光学的に
透明なプラスチック性樹脂）から成る。オーバーモール
ド容器３０は、20ppmまたはそれ以下の好適な熱膨張係
数（CTE）を含む10から30ppmの範囲のCTEを有するよう
に製造される。この詳細な実施例においては、容器３０
は実質的に平面側を有するように形成される。VCSEL１
６の放射経路に実質的に垂直に形成されなければなら
ず、レーザ放射光が通過する、側３２が必要ではある
が、様々な他の形態が可能であることを理解されたい。
さらに、側３２は、代替的に、容器３０の製造の間に、
必ず、モールドされ、または型抜きされる光学的特性を
有するように形成される。
【００２０】本発明の半導体パッケージの開示された好
適実施例において、その容器は、光学的に透明な材料か
ら形成されることを理解されたい。代替的に、容器３０
は、実質的に、透明モールドプラスチック樹脂から形成
することができ、側３２に透明部分が形成され、それに
よって、レーザ放射光が、透過するのを可能にし、外部
背景光がパッケージに進入するのを防止する。このよう
にすると、監視装置を妨害する。さらに、前記のとお
り、開示された搭載ベース２０および光学的要素２２
は、図に示されているように、不可欠な部分としてモー
ルドされ、または、分けられた部分としてモールドされ
得る。その後、光学的要素２２は、搭載ベース２０上に
位置づけられ、それによって、レーザ放射の一部分を屈
折させる。
【００２１】一般に、縦型キャビティ表面放射レーザの
低パワー動作のために、そのようなプラスチックパッケ
ージの熱的発散が問題とはならない。従って、容器３０
の熱膨張係数（CTE）は、VCSEL１６の熱膨張係数に近
い。変形的に、アンダーフィル（under-fill ）材料
が、容器３０の上をモールドする前にVCSEL１６の周り
に位置づけられ得る。
【００２２】図７においては、パワー監視システムを有
するVCSEL装置を含む完成した半導体パッケージ４０の
簡単な斜視図を示す。図示されているのは、VCSEL１６
が上に形成される金属板１０、および光電検出器２８が
上に形成されている分離金属板１０である。金属板１０
は、第１開口２４および第２開口２６内に位置づけられ
ており、それによって、電気的リード１５が、下側へ金
属板１０から突き出ている。容器３０は、金属板１０／
VCSEL１６、金属板１０／電光検出器２８および光学的
要素２２の上に亘ってモールドされる。次に、電気的リ
ード１５が、電気的リード１５を電気的に分離するよう
に切断され、VCSEL１６および電光検出器２８のための
陽極および陰極を形成する。より詳細には、金属板１０
（その上にVCSEL１６が形成されている）から伸びてい
る電気的リード１５が切断されて、第１電気的リード４
６および第２電気的リード４７を形成する。金属板１０
（その上に電光検出器２８が形成されている）から伸び
ている電気的リード１５が切断されて、第１電気的リー
ド４８および第２電気的リード４９を形成する。
【００２３】動作の間、VCSEL１６によって放射される
レーザ放射光４２が、光学的要素２２を介して透過す
る。レーザ経路４４に示されるように、光学的要素２２
によって反射されるレーザ放射光４２の一部分は、電光
検出器２８によって監視される。光学的要素２２を介し
て透過するレーザ放射光４２のその一部分は、側３２を
介して容器３０から出ていく。VCSEL１６のレーザパワ
ーの監視は、フィードバックシステムの採用により制御
される。制御装置は、電光検出器２８によって監視され
る情報を受け取り、加工する。より詳細には、所定のレ
ーザパワーに基づくレーザパワー出力は、VCSEL１６の
反射したレーザ放射光を監視することによって、検出さ
れる。電光検出器２８によって監視されている情報のこ
の加工によって、レーザパワーにおける変化が検出され
るポイントの同定を可能にし、それによって、電源から
VCSEL１６を動作させるために使用される、自動的に規
定している電流を供給する。このように、レーザ光が放
射されることのレーザパワーの知識によって、フィード
バックに基づく自動パワー制御（APC）を可能にし、そ
れによって、所定のレーザパワー出力でのレーザの操作
を維持する。容器３０は、光学的要素２２とは異なる屈
折率を有する材料から製造される。好適実施例として
は、光学的要素２２の屈折率は、容器３０の屈折率より
も大きい。屈折率におけるこの相違によって、レーザ放
射光４２の一部分の反射は、方向づけられた矢印４４に
示されるように、電光検出器２８に向かって、その相関
した割合によって、決定される得る。
【００２４】このように、パワー監視システムを有する
半導体レーザパッケージが、開示された。より詳細に
は、プラスチック性合成樹脂容器は、搭載ベース上に位
置づけられ、その容器の中には、複数の開口が設けら
れ、それによって、その開口を介して金属板が位置づけ
られ、その金属板はその上に位置づけられるVCSELを有
し、ならびに金属板はその上に位置づけられる電光検出
器を有する。その開口により、金属リードが、搭載ベー
スからその開口を介して、突き出ることを可能にする。
より詳細には、分割器、光電検出器として設けられる縦
型キャビティ表面放射レーザがパッケージ内に入るよう
に設けられる。光学的要素が、搭載ベース上に位置づけ
られるか、もしくは、その搭載ベースと全体として形成
される。光学的要素は、縦型キャビティ表面放射レーザ
の放射経路配に位置づけられ、それによって、レーザ放
射光の実質的な一部分が、その光電検出器に向かって、
光電検出器によって監視される小さな割合の放射光を反
射している間に、その光学的要素を介して、透過するの
を防止する。その装置は、自動化された工程によって達
成され得る最小数の簡単な段階で製造され得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従った、パワー監視システムを有する
VCSELの製造に利用される金属板の平面図。
【図２】所望の型に型抜きを施した後の図１の金属板の
平面図。
【図３】型抜きされた金属板上に位置づけられた、縦型
キャビティ表面放射レーザであって、ワイヤボンディン
グされたものの平面図。
【図４】本発明にしたがった、監視モニタを有する縦型
キャビティ表面放射レーザに利用される搭載ベースの平
面図。
【図５】本発明にしたがった、縦型キャビティ表面放射
レーザおよびパワーモニタが上に位置づけられる搭載ベ
ースの簡単化した斜視図。
【図６】本発明にしたがった、縦型キャビティ表面放射
レーザおよびパワーモニタを内蔵するプラスチック性合
成樹脂パッケージの簡単化した斜視図。
【図７】本発明にしたがった、縦型キャビティ表面放射
レーザおよびパワーモニタを含む完成した半導体パッケ
ージの簡単化した斜視図。
【符号の説明】
１０ 第１金属板 １１ 表面 １２ 第１主要部 １４ 第２主要部 １５ 電気的リード １６ 縦型キャビティ表面放射レーザ １８ ワイヤボンディング ２０ 搭載ベース ２１ 上表面 ２２ 光学的要素 ２４、２６ 開口 ２８ 光電検出器 ３０ 容器 ３２ 側 ４２ 放射光 ４６、４８ 陽極 ４７、４９ 陰極
フロントページの続き (72)発明者 ウェンビン・ジアン アメリカ合衆国アリゾナ州フェニックス、 イースト・ゴールド・ポッピー・ウェイ 4407 (72)発明者 マイケル・エス・レビー アメリカ合衆国アリゾナ州アパッチ・ジャ ンクション、ノース・ラバージ・ロード30

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体レーザパッケージであって：搭載
    ベース（２０）；前記搭載ベース（２０）上に位置づけ
    られる縦型キャビティ表面放射レーザ（１６）であっ
    て、経路に沿って放射光（４２）を発生させる縦型キャ
    ビティ表面放射レーザ（１６）；前記縦型キャビティ表
    面放射レーザ（１６）に関連して位置づけられる光学的
    要素（２２）であって、前記縦型キャビティ表面放射レ
    ーザ（１６）によって発生された前記放射光（４２）の
    一部分（４４）を反射する特徴を有する光学的要素（２
    ２）；前記搭載ベース（２０）上に位置づけられるパワ
    ー監視システム（２８）であって、前記光学的要素（２
    ２）によって反射された前記放射光（４２）の前記一部
    分（４４）を受け取るように、光学的に位置づけられる
    パワー監視システム（２８）；および前記縦型キャビテ
    ィ表面放射レーザ（１６）、前記光学的要素（２２）お
    よび前記パワー監視システム（２８）を内部に封じ込め
    るための容器（３０）；から構成されることを特徴とす
    る半導体レーザパッケージ。
  2. 【請求項２】 半導体レーザパッケージであって：経路
    に沿って放射光（４２）を発生させる縦型キャビティ表
    面放射レーザ（１６）；前記放射光（４２）の前記経路
    に位置づけられ、かつ前記放射光（４２）の一部分（４
    ４）を反射する光学的要素（２２）；前記放射光（４
    ２）の前記反射された一部分（４４）を受け取るため
    に、光学的に位置づけられるパワー監視システム（２
    ８）；および前記縦型キャビティ表面放射レーザ（１
    ６）、前記光学的要素（２２）および前記パワー監視シ
    ステム（２８）を内部に封じ込めるためのモールドされ
    た容器（３０）；から構成されることを特徴とする半導
    体レーザパッケージ。
  3. 【請求項３】 半導体レーザパッケージであって：経路
    に沿って放射光（４２）を発生させる縦型キャビティ表
    面放射レーザ（１６）であって、当該縦型キャビティ表
    面放射レーザ（１６）は、第１金属板（１０）上に製造
    され、該第１金属板（１０）は搭載ベース（２０）に搭
    載される、ところの縦型キャビティ表面放射レーザ（１
    ６）；放射光（４２）の前記経路に位置づけられ、かつ
    前記放射光（４２）の一部分（４４）を反射するビーム
    分割器（２２）；第２金属板（１０）上に製造される光
    電検出器（２８）であって、前記第２金属板（１０）は
    前記搭載ベース（２０）に搭載され、それによって、前
    記放射光（４２）の反射された部分（４４）を受け取る
    ように光学的に当該光電検出器（２８）を位置づけてい
    る、ところの光電検出器（２８）；および前記縦型キャ
    ビティ表面放射レーザ（１６）、前記ビーム分割器（２
    ２）および前記光電検出器（２８）を内部に封じ込める
    ためのモールドされた容器（３０）であって、当該モー
    ルドされた容器（３０）は前記搭載ベース（２０）に搭
    載される、ところのモールドされた容器（３０）；から
    構成されることを特徴とする半導体レーザパッケージ。
  4. 【請求項４】 半導体レーザパッケージを形成する方法
    であって：第１金属板（１０）および第２金属板（２
    ０）を準備する段階；前記第１金属板（１０）および前
    記第２金属板（２０）を型抜きする段階であって、それ
    によって、第１主要部（１２）、第２主要部（１４）お
    よび電気的リード（１５）を形成する、ところの段階；
    経路に沿って放射光（４２）を発生させる縦型キャビテ
    ィ表面放射レーザ（１６）と、該縦型キャビティ表面放
    射レーザ（１６）を前記第２主要部（１４）に接合する
    ワイヤボンディング（１８）とを、前記第１金属板（１
    ０）の前記第１主要部（１２）上に位置づける段階；前
    記放射光（４２）の一部分（４４）を受け取るための光
    電検出器（２８）と、前記光電検出器（２８）を前記第
    ２主要部（１４）に接合するワイヤボンディング（１
    ８）とを、前記第２金属板（１０）の前記第１主要部
    （１２）上に位置づける段階；第１開口（２４）、第２
    開口（２６）および光学的要素（２２）が設けられる搭
    載ベース（２０）を準備する段階；前記第１開口（２
    ４）内に前記金属板（１０）を、並びに前記第２開口
    （２６）内に前記第２金属板（１０）を、位置づける段
    階であって、それによって、前記縦型キャビティ表面放
    射レーザ（１６）および前記光学的要素（２２）を光学
    的に位置づけ、かつ前記第１金属板（１０）および前記
    第２金属板（１０）の前記電気的リード（１５）は、前
    記搭載ベース（２０）の前記開口を介して伸長してい
    る、ところの段階；前記第１金属板（１０）、前記第２
    金属板（１０）および前記光学的要素（２２）の周り
    に、被覆モールド容器（３０）を形成する段階であっ
    て、当該被覆モールド容器（３０）は、前記搭載ベース
    （２０）の最上表面（２１）上に位置づけられる、とこ
    ろの段階；および前記第１金属板（１０）および前記第
    ２金属板（１０）の前記電気的リード（１５）を切断す
    る段階であって、それによって、前記縦型キャビティ表
    面放射レーザ（１６）および前記光電検出器（２８）か
    ら伸長する陽極（４６、４８）および陰極（４７、４
    ９）を決定する、ところの段階；から構成されることを
    特徴とする方法。
JP10075013A 1997-03-10 1998-03-10 パワー監視システムを有する半導体レーザパッケージ Pending JPH1140899A (ja)

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