JPH1140674A - Method of designing semiconductor integrated circuit - Google Patents

Method of designing semiconductor integrated circuit

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JPH1140674A
JPH1140674A JP9192709A JP19270997A JPH1140674A JP H1140674 A JPH1140674 A JP H1140674A JP 9192709 A JP9192709 A JP 9192709A JP 19270997 A JP19270997 A JP 19270997A JP H1140674 A JPH1140674 A JP H1140674A
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pattern
cell
patterns
integrated circuit
terminal
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Kazuhiro Kondou
員弘 近藤
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Sony Corp
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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To design a semiconductor integrated circuit, using an I/O cell pattern, irrespective of the number of different voltage sources by designing, using an I/O pattern having a pattern of nodes connectable to patterns of outer and inner power lines. SOLUTION: A first node pattern N1 has a terminal A1 connectable to an outer power line pattern at a first area at the top end shown by a triangle and terminal A2 connectable to an inner power line pattern L1 at a second area below it shown by a triangle. A second node pattern N2 has a terminal B1 connectable to an outer ground line pattern at a first area at the top end shown by a triangle and terminal B2 connectable to an inner ground line pattern L2 at a second area below it shown by a triangle. This allows an semiconductor integrated circuit to be designed, using one kind of I/O cell pattern, irrespective of the number of different voltage sources.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の設
計方法に関する。
The present invention relates to a method for designing a semiconductor integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、LSI(Large Scale Integrated
Circuit) チップで異なる電圧の複数の電源を使用する
場合は、その電源電圧を複数のI/Oを用いて使い分け
ることが行われている。かかるLSIチップを、CAD
(Computer Aided Design)ソフトを搭載したコンピュー
タによって設計するとき、互いに電圧を異にする、例え
ば、2電源を用いる場合のI/Oセルのパターンには、
図4のI/Oセルのパターンの配置例に示すものと、図
5のI/Oセルのパターンの配置例に示すものとがあ
る。尚、図4及び図5では、煩雑となるのを回避するた
めに各部の符号の説明において「パターン」の言葉を省
略している。
2. Description of the Related Art Conventionally, LSI (Large Scale Integrated)
When a plurality of power supplies of different voltages are used in a circuit chip, the power supply voltage is selectively used by using a plurality of I / Os. Such an LSI chip is called CAD
(Computer Aided Design) When designing with a computer equipped with software, different voltages are used, for example, in the case of using two power supplies, the pattern of I / O cells includes:
The I / O cell pattern arrangement example shown in FIG. 4 and the I / O cell pattern arrangement example in FIG. 5 are shown. In FIGS. 4 and 5, the word “pattern” is omitted in the description of the reference numerals of each unit to avoid complication.

【0003】図4の場合は、I/Oセルのパターンとし
て、矩形の枠内に互いに平行で同じ幅の接地線のパター
ン(ハッチングが施されている)及び電源線のパターン
(ハッチングが施されている)をその矩形の枠の互いに
平行な2辺間を結ぶように形成すると共に、矩形の枠内
のパッドのパターンを形成したものを用いる。
In the case of FIG. 4, a pattern of a ground line (hatched) and a pattern of a power supply line (hatched) of the same width and parallel to each other in a rectangular frame are provided as I / O cell patterns. ) Is formed so as to connect two parallel sides of the rectangular frame, and a pattern of pads in the rectangular frame is formed.

【0004】そして、第1の電圧の電源に対応するI/
OセルのパターンC1、C2、C3を、その各接地線の
パターン及び電源線のパターンの各端部がそれぞれ対接
するように順次に並べる。I/OセルのパターンC1、
C2、C3はそれぞれパッドのパターンP1、P2、P
3を備えている。左側のI/OセルのパターンC1の電
源線のパターンの左端に、電源線のパターンを備えた電
源端子のパターンTB1をその電源線のパターンの右端
が対接するように並べる。右側のI/Oセルのパターン
C3の接地線のパターンの右端に、接地線のパターンを
備えた接地端子のパターンTG1をその接地線のパター
ンの左端が対接するように並べる。
[0004] The I / O corresponding to the power supply of the first voltage.
The patterns C1, C2, and C3 of the O cell are sequentially arranged such that the respective ends of the ground line pattern and the power supply line pattern are in contact with each other. I / O cell pattern C1,
C2 and C3 are pad patterns P1, P2 and P, respectively.
3 is provided. A power supply terminal pattern TB1 having a power supply line pattern is arranged on the left end of the power supply line pattern of the left I / O cell pattern C1 such that the right end of the power supply line pattern is in contact with the power supply terminal pattern TB1. A ground terminal pattern TG1 having a ground line pattern is arranged on the right end of the ground line pattern of the right I / O cell pattern C3 such that the left end of the ground line pattern is in contact with the ground terminal pattern TG1.

【0005】電源端子のパターンTB1及びI/Oセル
のパターンC1、C2、C3の各電源線のパターンによ
って、第1の電源線のパターンL1が構成される。接地
端子のパターンTG1及びI/OセルのパターンC1、
C2、C3の各接地線のパターンによって、第1の接地
線のパターンL2が構成される。
The first power line pattern L1 is constituted by the power terminal pattern TB1 and the I / O cell patterns C1, C2, C3. A ground terminal pattern TG1 and an I / O cell pattern C1,
The first ground line pattern L2 is formed by the ground line patterns C2 and C3.

【0006】又、第2の電圧の電源に対応するI/Oセ
ルのパターンC4、C5を、その各接地線のパターン及
び電源線のパターンの各端部がそれぞれ対接するように
順次に並べる。I/OセルのパターンC4、C5はそれ
ぞれパッドのパターンP4、P5を備えている。左側の
I/OセルのパターンC3の電源線のパターンの左端
に、電源線のパターンを備えた電源端子のパターンTB
2をその電源線のパターンの右端が対接するように並べ
る。右側のI/OセルのパターンC5の接地線のパター
ンの右端に、接地線のパターンを備えた接地端子のパタ
ーンTG2をその接地線のパターンの左端が対接するよ
うに並べる。
Also, the patterns C4 and C5 of the I / O cells corresponding to the power supply of the second voltage are sequentially arranged so that the respective ends of the ground line pattern and the power supply line pattern are in contact with each other. The I / O cell patterns C4 and C5 have pad patterns P4 and P5, respectively. A power terminal pattern TB having a power line pattern is provided at the left end of the power line pattern of the left I / O cell pattern C3.
2 are arranged such that the right ends of the power supply line patterns are in contact with each other. A ground terminal pattern TG2 provided with a ground line pattern is arranged on the right end of the ground line pattern of the right I / O cell pattern C5 such that the left end of the ground line pattern is in contact with the ground terminal pattern TG2.

【0007】電源端子のパターンTB2及びI/Oセル
のパターンC4、C5の各電源線のパターンによって、
第2の電源線のパターンL3が構成される。接地端子の
パターンTG2及びI/OセルのパターンC4、C5の
各接地線のパターンによって、第2の接地線のパターン
L4が構成される。
The power supply terminal pattern TB2 and the I / O cell patterns C4 and C5 have respective power supply line patterns.
A second power line pattern L3 is formed. The second ground line pattern L4 is formed by the ground terminal pattern TG2 and the I / O cell patterns C4 and C5.

【0008】そして、各I/OセルのパターンC1〜C
5内には、電源線のパターン及び接地線のパターン間に
それぞれの入力側バッファ回路(入力側インバータ回
路)のパターン及び/又は出力側バッファ回路(出力側
インバータ回路)のパターンが接続されるが、これらは
図示を省略する。
Then, patterns C1 to C of each I / O cell
In 5, a pattern of each input-side buffer circuit (input-side inverter circuit) and / or a pattern of an output-side buffer circuit (output-side inverter circuit) are connected between a power supply line pattern and a ground line pattern. , And these are not shown.

【0009】図5の場合は、I/Oセルのパターンとし
て、矩形の枠内に互いに平行で同じ幅の接地線のパター
ン(ハッチングが施されている)及び電源線のパターン
(ハッチングが施されている)をそれぞれ2本ずつ交互
にその矩形の枠の互いに平行な2辺間を結ぶように形成
すると共に、矩形のパッドのパターンを形成したものを
用いる。
In the case of FIG. 5, as the I / O cell pattern, a ground line pattern (hatched) and a power line pattern (hatched) having the same width and being parallel to each other in a rectangular frame. 2) are alternately formed so as to connect two parallel sides of the rectangular frame and a rectangular pad pattern is used.

【0010】3つのI/OセルのパターンC1、C2、
C3を、それぞれの交互の接地線のパターン及び電源線
のパターンの各端部がそれぞれ対接するように順次に並
べる。I/OセルのパターンC1、C2、C3はそれぞ
れパッドのパターンP1、P2、P3を備えている。
Three I / O cell patterns C1, C2,
C3 is sequentially arranged such that each end of each of the alternating ground line pattern and the power supply line pattern is in contact with each other. The I / O cell patterns C1, C2, and C3 have pad patterns P1, P2, and P3, respectively.

【0011】そして、第1及び第2の電圧の電源に対応
するI/OセルのパターンC1、C2、C3を、その各
接地線のパターン及び電源線のパターンの各端部がそれ
ぞれ対接するように順次に並べる。I/Oセルのパター
ンC1、C2、C3はそれぞれパッドのパターンP1、
P2、P3を備えている。左側のI/Oセルのパターン
C1の各電源線のパターンの左端に、それぞれ電源線の
パターンを備えた電源端子のパターンTB1、TB2を
その各電源線のパターンの右端が対接するように並べ
る。右側のI/OセルのパターンC3の各接地線のパタ
ーンの右端に、それぞれ接地線のパターンを備えた接地
端子のパターンTG1、TG2をその各接地線のパター
ンの左端が対接するように並べる。
The patterns C1, C2, and C3 of the I / O cells corresponding to the power supplies of the first and second voltages are arranged such that the respective ends of the ground line pattern and the power supply line pattern are in contact with each other. In order. The I / O cell patterns C1, C2, and C3 are respectively pad patterns P1,
P2 and P3 are provided. Power supply terminal patterns TB1 and TB2 each having a power supply line pattern are arranged on the left end of each power supply line pattern of the left I / O cell pattern C1 such that the right end of each power supply line pattern is in contact with the power supply line pattern. The ground terminal patterns TG1 and TG2 each having a ground line pattern are arranged on the right end of each ground line pattern of the right I / O cell pattern C3 such that the left ends of the ground line patterns are in contact with each other.

【0012】電源端子のパターンTB1及びI/Oセル
のパターンC1、C2、C3の各電源線のパターンによ
って、第1及び第2の電源線のパターンL1、L3が構
成される。接地端子のパターンTG1及びI/Oセルの
パターンC1、C2、C3の各接地線のパターンによっ
て、第1及び第2の接地線のパターンL2、L4が構成
される。
The power supply terminal pattern TB1 and the I / O cell patterns C1, C2, C3 constitute the first and second power supply line patterns L1, L3, respectively. The first and second ground line patterns L2 and L4 are configured by the ground terminal pattern TG1 and the I / O cell patterns C1, C2 and C3.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】図4のI/Oセルのパ
ターンの配置例の場合は、電源電圧の異なる各I/Oセ
ルのパターンC1、C2、C3;C4、C5のグループ
には、必ず1組の電源端子及び接地端子TB1、TG
1;TB2、TG2を必要とし、又、電源電圧の異なる
各I/Oセルのパターンを組み合わせて配置することは
できない。
In the case of the example of the arrangement of the I / O cell patterns shown in FIG. 4, the groups of patterns C1, C2, C3; C4, C5 of the I / O cells having different power supply voltages include: Be sure to use one set of power terminal and ground terminal TB1, TG
1: TB2 and TG2 are required, and patterns of I / O cells having different power supply voltages cannot be arranged in combination.

【0014】図5のI/Oセルのパターンの場合は、異
なる電圧の電源の数が最高N個(N=2、3、4、・・
・)の場合、電源線及び接地線が1組、2組、………
…、N組あるI/Oセルのパターン、即ち、N種類のI
/Oセルのパターンを設けなければならないので、I/
Oセルのパターンの開発に時間が掛かってしまう。
In the case of the I / O cell pattern shown in FIG. 5, the number of power supplies of different voltages is N at maximum (N = 2, 3, 4,...).
In the case of ()), one set of power and ground wires, two sets,.
.., N sets of I / O cell patterns, that is, N types of I / O cells
Since a / O cell pattern must be provided,
It takes time to develop the O cell pattern.

【0015】そこで、異なる電圧の電源の数が最高N個
(N=2、3、4、・・・)の場合、電源線及び接地線
がN組あるI/Oセルのパターンのみを設け、異なる電
圧の電源の数が1個、2個、3個、………、N個の場合
で兼用することも考えられるが、異なる電圧の電源の個
数がNより小さければ小さい程、I/Oセルのパターン
内の電源線のパターン及び接地線のパターンの使用しな
いものの個数が増え、これによりI/Oセルのパターン
内の無駄な面積が増えて、設計しようとするLSIチッ
プのチップサイズが大きくなってしまう。
Therefore, when the number of power supplies of different voltages is N at maximum (N = 2, 3, 4,...), Only a pattern of I / O cells having N sets of power supply lines and ground lines is provided. It is conceivable that the number of power supplies of different voltages is 1, 2, 3,..., N, but the smaller the number of power supplies of different voltages is, the more I / O The number of unused power supply line patterns and ground line patterns in the cell pattern increases, thereby increasing the useless area in the I / O cell pattern and increasing the chip size of the LSI chip to be designed. turn into.

【0016】かかる点に鑑み、本発明は、I/Oセルの
パターンを用いて半導体集積回路の設計を行う半導体集
積回路の設計方法において、異なる電圧の電源の個数に
無関係に1種類のI/Oセルのパターンを用いて行うこ
とができ、I/Oセルのパターンの配置が自由であり、
I/Oセルのパターンに付随する電源端子のパターンの
個数を減らすことができ、しかも異なる電圧の電源の個
数に拘らずI/Oセルのパターンの面積に無駄が生じる
ことのないものを提案しようとするものである。
In view of the above, the present invention relates to a semiconductor integrated circuit design method for designing a semiconductor integrated circuit using a pattern of an I / O cell, wherein one type of I / O cell is used regardless of the number of power supplies of different voltages. It can be performed using the pattern of the O cell, the pattern of the I / O cell can be freely arranged,
Let us propose a device that can reduce the number of power supply terminal patterns attached to the I / O cell pattern and that does not waste the area of the I / O cell pattern regardless of the number of power supplies of different voltages. It is assumed that.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
の設計方法は、外部の電源線のパターン及び内部の電源
線のパターンに接続可能な第1のノードのパターン又は
/及び外部の接地線のパターン及び内部の接地線のパタ
ーンに接続可能な第2のノードのパターンを備えるI/
Oセルのパターンを用いて半導体集積回路の設計を行う
ものである。
According to the method of designing a semiconductor integrated circuit of the present invention, a pattern of a first node connectable to a pattern of an external power supply line and a pattern of an internal power supply line or / and an external ground line is provided. And a second node pattern connectable to an internal ground line pattern.
The semiconductor integrated circuit is designed using the O cell pattern.

【0018】かかる本発明によれば、第1のノードのパ
ターンが、外部の電源線のパターン及び内部の電源線の
パターンに接続可能であり又は/及び第2のノードのパ
ターンが、外部の接地線のパターン及び内部の接地線の
パターンに接続可能である。
According to the present invention, the pattern of the first node can be connected to the pattern of the external power supply line and the pattern of the internal power supply line, and / or the pattern of the second node can be connected to the external ground. It can be connected to line patterns and internal ground line patterns.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】本発明による半導体集積回路の設
計方法は、I/Oセルのパターンを用いて半導体集積回
路の設計を行うものであるが、そのI/Oセルのパター
ンが、外部の電源線のパターン及び内部の電源線のパタ
ーンに接続可能な第1のノードのパターン又は/及び外
部の接地線のパターン及び内部の接地線のパターンに接
続可能な第2のノードのパターンを備えるところに特徴
がある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for designing a semiconductor integrated circuit according to the present invention is for designing a semiconductor integrated circuit using a pattern of an I / O cell. A first node pattern connectable to a power line pattern and an internal power line pattern or / and a second node pattern connectable to an external ground line pattern and an internal ground line pattern. There is a feature.

【0020】〔実施例〕以下に、図1を参照して、本発
明の実施例の半導体集積回路の設計方法について説明す
る。この設計方法は、LSI(半導体集積回路)チップ
で異なる電圧の複数の電源を使用するときに、その電源
電圧を複数のI/Oを用いて使い分けるようにしたLS
Iチップを、CADソフトを搭載したコンピュータによ
って設計する場合の例である。図1について、この設計
方法で採用されるI/Oセルのパターンの一例を説明す
る。尚、図1では、煩雑になるのを回避するために各部
の符号の説明において「パターン」の言葉を省略してい
る。
Embodiment A method of designing a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. In this design method, when a plurality of power supplies of different voltages are used in an LSI (semiconductor integrated circuit) chip, the power supply voltage is selectively used by using a plurality of I / Os.
This is an example in which an I chip is designed by a computer equipped with CAD software. An example of an I / O cell pattern employed in this design method will be described with reference to FIG. In FIG. 1, the word “pattern” is omitted in the description of the reference numerals of each unit to avoid complication.

【0021】このI/Oセルのパターンは、矩形の枠F
のパターンを有し、その枠Fの中に、互いに平行な所定
幅の電源線のパターン(輪郭の内側に帯状のハッチング
が施されている)L1及び所定幅の接地線のパターン
(輪郭の内側に帯状のハッチングが施されている)L2
を、その矩形の枠の互いに平行な2つの長辺間を結ぶよ
うに形成すると共に、枠Fの中の他の部分に矩形のパッ
ドのパターンPを形成する。
This I / O cell pattern has a rectangular frame F
In the frame F, a pattern of a power line having a predetermined width parallel to each other (a band-shaped hatching is provided inside the contour) L1 and a pattern of a ground line having a predetermined width (inside the contour) L2)
Is formed so as to connect between two long sides parallel to each other of the rectangular frame, and a rectangular pad pattern P is formed in another portion of the frame F.

【0022】更に、枠Fの中に、接地線のパターンL2
を横切り、一端が電源線のパターンL1に近接し、他端
が枠Fに達する所定幅の第1のノードのパターン(ハッ
チングが施されている)N1及び一端が接地線L2に近
接し、他端が枠Fに達する所定幅の第2のノードのパタ
ーン(ハッチングが施されている)N2を設ける。
In the frame F, a ground line pattern L2
, One end is close to the power line pattern L1, one end is close to the frame F, a first node pattern (hatched) N1 having a predetermined width and one end is close to the ground line L2, A second node pattern (hatched) N2 of a predetermined width reaching the frame F is provided.

【0023】第1のノードのパターンN1は、その先端
の三角で示す部分に、外部の電源線のパターンと接続可
能な端子A1及びその下端の三角で示す部分に、内部の
電源線のパターンL1と接続可能な端子A2を有してい
る。
The first node pattern N1 has a terminal A1 that can be connected to an external power supply line pattern at a tip portion indicated by a triangle, and an internal power supply line pattern L1 at a lower end portion indicated by a triangle. And a terminal A2 that can be connected to the terminal.

【0024】第2のノードのパターンN2は、その先端
の三角で示す部分に、外部の接地線のパターンと接続可
能な端子B1及びその下端の三角で示す部分に、内部の
接地線のパターンL2と接続可能な端子B2を有してい
る。
The second node pattern N2 has a terminal B1 which can be connected to an external ground line pattern at a tip indicated by a triangle and an internal ground line pattern L2 at a lower end indicated by a triangle. And a terminal B2 that can be connected to the terminal.

【0025】第1及び第2のノードのパターンN1、N
2は、例えば、図2に図示されるような入力側及び/又
は出力側バッファ回路(インバータ回路も可)のパター
ン(図示せず)に接続される。
Patterns N1, N of first and second nodes
2 is connected to a pattern (not shown) of an input side and / or output side buffer circuit (an inverter circuit is also possible) as shown in FIG. 2, for example.

【0026】尚、実際のLSIチップでは、電源線のパ
ターンL1及び接地線のパターンL2が上層の導線層に
対応し、第1及び第2のノードのパターンN1、N2が
下から導電層に対応する。導線層は、例えば、アルミニ
ューム層である。
In an actual LSI chip, the power line pattern L1 and the ground line pattern L2 correspond to the upper conductive layer, and the first and second node patterns N1 and N2 correspond to the conductive layers from below. I do. The conductor layer is, for example, an aluminum layer.

【0027】図2のバッファ回路は、ソースが第1のノ
ードのパターンN1を通じて内部の電源線のパターンL
1に接続可能なPMOSトランジスタQ1と、そのトラ
ンジスタQ1のドレインにドレインが接続され、ソース
が第2のノードのパターンN2を通じて内部の接地線の
パターンL2に接続可能なNMOSトランジスタQ2か
ら構成される。そして、トランジスタQ1、Q2の各ゲ
ートが入力電極のパターンPinに接続され、トランジス
タQ1、Q2の各ドレインが共通接続されて、パッド電
極のパターンPe(図1のパッドのパターンPに対応す
る)に接続される。
In the buffer circuit of FIG. 2, the source is the internal power line pattern L through the first node pattern N1.
1 and a NMOS transistor Q2 whose drain is connected to the drain of the transistor Q1 and whose source is connectable to the internal ground line pattern L2 through the second node pattern N2. The gates of the transistors Q1 and Q2 are connected to the input electrode pattern Pin, and the drains of the transistors Q1 and Q2 are commonly connected to form a pad electrode pattern Pe (corresponding to the pad pattern P in FIG. 1). Connected.

【0028】次に、図3を参照して、図1に示したI/
Oセルのパターンの配置例を説明する。この例では、互
いに電圧が異なる3個の電源を用いた場合で、6個のI
/OセルのパターンC1〜C6を、それぞれ内部の電源
線のパターン(第1の電源線のパターン)L1及び内部
の接地線のパターン(第1の接地線のパターン)L2の
各端部が互いに対接するように配置する。
Next, referring to FIG. 3, I / O shown in FIG.
An example of an O cell pattern arrangement will be described. In this example, when three power supplies having different voltages from each other are used, six I
The ends of the internal power line pattern (first power line pattern) L1 and the internal ground line pattern (first ground line pattern) L2 are connected to each other. Arrange them so that they face each other.

【0029】L3は第2の電源線(外部の電源線)のパ
ターン、L4は第2の接地線(外部の接地線)のパター
ン、L5は第3の電源線(外部の電源線)のパターン、
L6は第3の接地線(外部の接地線)のパターンで、I
/OセルのパターンC1〜C6の各第1の電源線のパタ
ーンL1及び各第1の接地線のパターンL2に平行にな
るように配置されている。
L3 is a pattern of a second power line (external power line), L4 is a pattern of a second ground line (external ground line), and L5 is a pattern of a third power line (external power line). ,
L6 is a pattern of a third grounding line (external grounding line).
The / O cell patterns C1 to C6 are arranged so as to be parallel to the first power line pattern L1 and the first ground line pattern L2.

【0030】I/OセルのパターンC1、C2では、そ
の各第1のノードのパターンN1の端子A1が第2の電
源線のパターンL3と接続され、その各第2のノードの
パターンN2の端子B1が第2の接地線のパターンL4
と接続されいる。
In the patterns C1 and C2 of the I / O cell, the terminal A1 of the pattern N1 of each first node is connected to the pattern L3 of the second power supply line, and the terminal A of the pattern N2 of each second node. B1 is the second ground line pattern L4
Connected.

【0031】I/OセルのパターンC3、C4では、そ
の各第1のノードのパターンN1の端子A2が第1の電
源線のパターンL1と接続され、その各第2のノードの
パターンN2の端子B2が第1の接地線のパターンL2
と接続されいる。
In the patterns C3 and C4 of the I / O cell, the terminal A2 of the pattern N1 of each first node is connected to the pattern L1 of the first power supply line, and the terminal A of the pattern N2 of each second node. B2 is the first ground line pattern L2
Connected.

【0032】I/OセルのパターンC5、C6では、そ
の各第1のノードのパターンN1端子A1が第3の電源
線のパターンL5と接続され、その各第2のノードのパ
ターンN2の端子B1が第3の接地線のパターンL6と
接続されいる。
In the patterns C5 and C6 of the I / O cell, the terminal A1 of the pattern N1 of each first node is connected to the pattern L5 of the third power supply line, and the terminal B1 of the pattern N2 of each second node. Are connected to the third ground line pattern L6.

【0033】そして、各I/OセルのパターンC1〜C
6の各第1及び第2のノードのパターンN1、N2間
に、それぞれの入力側バッファ回路(入力側インバータ
回路)のパターン及び/又は出力側バッファ回路(出力
側インバータ回路)のパターンが接続されるが、これら
は図示を省略する。
Then, the patterns C1 to C of each I / O cell
6, a pattern of the input buffer circuit (input inverter circuit) and / or a pattern of the output buffer circuit (output inverter circuit) are connected between the patterns N1 and N2 of the first and second nodes. However, these are not shown.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明によれば、外部の電源線のパター
ン及び内部の電源線のパターンに接続可能な第1のノー
ドのパターン又は/及び外部の接地線のパターン及び外
部の接地線のパターンに接続可能な第2のノードのパタ
ーンを備えるI/Oセルのパターンを用いて半導体集積
回路の設計を行うようにしたので、I/Oセルのパター
ンを用いて半導体集積回路の設計を行う半導体集積回路
の設計方法において、異なる電圧の電源の個数に無関係
に1種類のI/Oセルのパターンを用いて行うことがで
き、I/Oセルのパターンの配置が自由であり、I/O
セルのパターンに付随する電源端子のパターンの個数を
減らすことができ、しかも異なる電圧の電源の個数に拘
らずI/Oセルのパターンの面積に無駄が生じることの
ないものを得ることができる。
According to the present invention, the first node pattern connectable to the external power supply line pattern and the internal power supply line pattern or / and the external ground line pattern and the external ground line pattern Since the semiconductor integrated circuit is designed using the pattern of the I / O cell having the pattern of the second node connectable to the semiconductor device, the semiconductor integrated circuit is designed using the pattern of the I / O cell. In a method of designing an integrated circuit, the design can be performed by using one type of I / O cell pattern regardless of the number of power supplies of different voltages.
The number of power supply terminal patterns associated with the cell pattern can be reduced, and the I / O cell pattern can be obtained without wasting the area regardless of the number of power supplies of different voltages.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例の半導体集積回路の設計方法で
使用するI/Oセルのパターンの一例を示す線図であ
る。
FIG. 1 is a diagram showing an example of an I / O cell pattern used in a method of designing a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】バッファ回路の一例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of a buffer circuit.

【図3】図1のI/Oセルのパターンの配置例を示す線
図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a pattern arrangement of the I / O cell of FIG. 1;

【図4】従来の半導体集積回路の設計方法で使用するI
/Oセルのパターンの配置例を示す線図である。
FIG. 4 shows an I used in a conventional semiconductor integrated circuit design method.
FIG. 3 is a diagram showing an example of a pattern arrangement of / O cells.

【図5】従来の半導体集積回路の設計方法で使用する他
のI/Oセルのパターンの配置例を示す線図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a pattern arrangement of another I / O cell used in a conventional semiconductor integrated circuit design method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

C1〜C6…I/Oセルのパターン、L1、L3、L5
…電源線のパターン、L2、L4、L6…接地線のパタ
ーン、N1…第1のノードのパターン、N2…第2のノ
ードのパターン、P…パッドのパターン、A1、A2、
B1、B2…端子
C1 to C6: I / O cell pattern, L1, L3, L5
... power line pattern, L2, L4, L6 ... ground line pattern, N1 ... first node pattern, N2 ... second node pattern, P ... pad pattern, A1, A2,
B1, B2 ... terminals

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 外部の電源線のパターン及び内部の電源
線のパターンに接続可能なノードのパターンを備えるI
/Oセルのパターンを用いて半導体集積回路の設計を行
うことを特徴とする半導体集積回路の設計方法。
1. An I / O circuit comprising a pattern of a node connectable to a pattern of an external power line and a pattern of an internal power line.
A method for designing a semiconductor integrated circuit, comprising designing a semiconductor integrated circuit using a pattern of an / O cell.
【請求項2】 外部の接地線のパターン及び内部の接地
線のパターンに接続可能なノードのパターンを備えるI
/Oセルのパターンを用いて半導体集積回路の設計を行
うことを特徴とする半導体集積回路の設計方法。
2. An integrated circuit comprising a pattern of a node connectable to a pattern of an external ground line and a pattern of an internal ground line.
A method for designing a semiconductor integrated circuit, comprising designing a semiconductor integrated circuit using a pattern of an / O cell.
【請求項3】 外部の電源線のパターン及び内部の電源
線のパターンに接続可能な第1のノードのパターンと、 外部の接地線のパターン及び内部の接地線のパターンに
接続可能な第2のノードのパターンとを備えるI/Oセ
ルのパターンを用いて半導体集積回路の設計を行うこと
を特徴とする半導体集積回路の設計方法。
3. A first node pattern connectable to an external power line pattern and an internal power line pattern, and a second node pattern connectable to an external ground line pattern and an internal ground line pattern. A method for designing a semiconductor integrated circuit, comprising designing a semiconductor integrated circuit using an I / O cell pattern including a node pattern.
JP9192709A 1997-07-17 1997-07-17 Method of designing semiconductor integrated circuit Pending JPH1140674A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7032201B1 (en) * 2002-01-22 2006-04-18 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus for decomposing a region of an integrated circuit layout

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7032201B1 (en) * 2002-01-22 2006-04-18 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus for decomposing a region of an integrated circuit layout

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