JPH113919A - Ic inspecting method and probe card - Google Patents

Ic inspecting method and probe card

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JPH113919A
JPH113919A JP9154061A JP15406197A JPH113919A JP H113919 A JPH113919 A JP H113919A JP 9154061 A JP9154061 A JP 9154061A JP 15406197 A JP15406197 A JP 15406197A JP H113919 A JPH113919 A JP H113919A
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JP
Japan
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temperature
inspection
reference product
lsi tester
probe card
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9154061A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuaki Kurihara
哲彰 栗原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To avoid an excess quality, by a method wherein an IC having temperature gradient characteristics is fitted on a probe card as a temperature judgement reference product, so as to decide the testing requirements on the basis of the testing temperature data detected by the characteristics for the testing. SOLUTION: Firstly, a temperature judgement reference product is measured by an LSI tester (process 31). Next, the measured value of the temperature judgement reference product is taken in the LSI tester (process 32). The process for deciding the testing standard is performed on the LSI tester side according to the taken-in measured value, but in that case, the details processed by the LSI tester are programmed in the LSI tester by a test program (process 33). This programmed details once read in the LSI tester are stored in the LSI tester unless they are cancelled. In such a constitution, the measured IC is tested according to the decided testing standard by a series of processing in the LSI tester (process 34).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はICの検査方法およ
びそのプローブカードに関する。
The present invention relates to an IC inspection method and a probe card thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】ICの温度勾配を持つ特性について、客
先仕様を満足させるため、常温での測定における温度ば
らつきを考慮して、検査規格を絞って測定していた。ま
た、検査規格が製造ばらつきに比べて非常に厳しいた
め、検査規格を絞ることによる歩留まり低下は免れない
状況であった。
2. Description of the Related Art In order to satisfy customer specifications, the characteristics of an IC having a temperature gradient are measured by narrowing inspection standards in consideration of temperature variations in measurement at room temperature. In addition, since the inspection standard is very strict compared to the manufacturing variation, reduction of the yield due to narrowing the inspection standard is inevitable.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来テスト方
法では、ICの特性に対する客先要求が年々厳しくなっ
てくる中、検査温度ばらつきを考慮して、単に検査規格
を絞り込むだけでは採算がとれない状況となってきてい
る。
However, in the conventional test method, as customer requirements for the characteristics of ICs become stricter every year, it is not profitable to simply narrow down the inspection standards in consideration of the inspection temperature variation. The situation is coming.

【0004】また、検査温度ばらつきを考慮して仕様決
定することが許されない特性については、IC内部にヒ
ューズを付加して特性の合わせ込みを行なっている。I
C内部にヒューズを付加することにより、チップ面積の
増加によるコストアップ、チップレイアウト上の自由度
低下を引き起こしている状況である。
[0004] In addition, for characteristics that cannot be determined in consideration of the inspection temperature variation, a fuse is added inside the IC to match the characteristics. I
The addition of a fuse inside C causes an increase in cost due to an increase in chip area and a reduction in the degree of freedom in chip layout.

【0005】そこで、本発明はこのような問題を解決す
るもので、その目的とするところは、より厳しくなって
きているICの特性に対して、過剰品質を防ぐと共に、
仕様通りの製品を提供するところにある。
Accordingly, the present invention has been made to solve such a problem. It is an object of the present invention to prevent excessive quality against the increasingly severe characteristics of ICs.
We provide products that meet the specifications.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のIC検査方法及びプローブカードは、プロ
ーブカード上に温度判定基準製品を搭載したものであっ
て、検査温度をLSIテスターに直接取り込み、それを
あらかじめLSIテスターにプログラミングされた処理
内容に従い、検査規格を決定することを特徴とする。す
なわち、本発明は、ICウエハをウエハ検査搬送装置
(以下、プローバーと称す)に搭載し、前記ウエハ内の
ICチップの各電極にプローブカードのプローブを接触
させて電気的テストを行う際に、プローブカード上に温
度勾配を持つ特性を持ったICを温度判定基準製品とし
て装着し、その特性により検出された検査温度データに
よりテスト条件を決定し、テストすることを特徴とす
る。
In order to achieve the above object, an IC inspection method and a probe card according to the present invention have a temperature judgment reference product mounted on a probe card, and the inspection temperature is set to an LSI tester. It is characterized in that an inspection standard is determined directly in accordance with processing contents pre-programmed in an LSI tester. That is, according to the present invention, when an IC wafer is mounted on a wafer inspection and transfer device (hereinafter, referred to as a prober) and an electrical test is performed by bringing a probe of a probe card into contact with each electrode of an IC chip in the wafer, An IC having a characteristic having a temperature gradient is mounted on a probe card as a temperature judgment reference product, and test conditions are determined based on inspection temperature data detected based on the characteristic, and a test is performed.

【0007】また、本発明は、温度判定基準製品を測定
することにより、検査温度データを検出することを特徴
とする。
Further, the present invention is characterized in that inspection temperature data is detected by measuring a temperature judgment reference product.

【0008】また、本発明は、温度判定基準製品により
得られた検査温度データを直接LSIテスターのピンか
ら取り込むことを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the inspection temperature data obtained by the temperature judgment reference product is directly taken in from the pins of the LSI tester.

【0009】また、本発明は、温度判定基準製品により
得られた検査温度データをもとに、LSIテスター上に
てプログラミングすることによりテスト条件を決定する
ことを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that test conditions are determined by programming on an LSI tester based on inspection temperature data obtained by a temperature judgment reference product.

【0010】また、本発明は、温度判定基準製品により
検査温度データを検出した回数を数えるカウンタ機能を
持った。
Further, the present invention has a counter function for counting the number of times the inspection temperature data is detected by the temperature judgment reference product.

【0011】また、本発明のプローブカードは、温度勾
配を持ったICを温度判定基準製品として装着すること
を特徴とする。
The probe card of the present invention is characterized in that an IC having a temperature gradient is mounted as a temperature judgment reference product.

【0012】また、本発明は、温度判定基準製品を被測
定IC側に装着することを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the temperature judgment reference product is mounted on the IC to be measured.

【0013】[0013]

【作用】本発明の検査温度検出及び機構の作用について
説明すると、プローブカード上に搭載された温度判定基
準製品の温度勾配を持つ特性値をLSIテスターにて測
定し、その測定値を直接LSIテスターに取り込み、こ
れにより検査温度が判明するため、この測定結果に基づ
いてLSIテスターにて検査規格を決定して被測定IC
の検査を実行する。
The operation of the inspection temperature detection and mechanism of the present invention will be described. The characteristic value having a temperature gradient of a temperature judgment reference product mounted on a probe card is measured by an LSI tester, and the measured value is directly applied to the LSI tester. The test temperature is determined by this. The test standard is determined by an LSI tester based on the measurement result, and the IC under test is determined.
Perform an inspection.

【0014】また、温度判定基準製品については、プロ
ーブカード上に搭載する前に、ある温度のときに基準と
なる測定値がどのくらいになるかをあらかじめ調査し
て、その調査結果に基づいてLSIテスター上にてプロ
グラミングを行なう。
[0014] In addition, for a temperature judgment reference product, before mounting on a probe card, how much a reference measurement value becomes at a certain temperature is examined in advance, and based on the result of the investigation, an LSI tester is used. Perform programming above.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下本発明をその実施例を示す図
面に基づき詳細する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the drawings showing embodiments thereof.

【0016】図1は本発明に係わる温度判定基準製品を
装着した際のプローブカード平面図、図2はその断面図
を示す。図1において、11はプローブカード、12は
プローブ、13は温度判定基準製品、14は配線ランド
である。また、図2において、21はプローブカード、
22はプローブ、23は温度判定基準製品である。プロ
ーブカード上での温度判定基準製品の装着は、図1よ
り、プローブが配置してある部分の外側、LSIテスタ
ーのピンとの接触する部分の内側に装着する。また、図
2より、その装着場所は、LSIテスターのピンとの接
触する側ではなく、被測定IC側に装着する。温度判定
基準製品を前記場所に装着する理由は、できるだけ測定
雰囲気に近いところの温度を検出するため、及びLSI
テスターのピンへの配線引き回しを少なくするためであ
る。尚、プローブカードは、被測定IC側の配線ランド
からLSIテスターへの接触ピンへは電気的導通が取れ
る構造となっているものとする。また、温度判定基準製
品は、プローブカードからプローブ先端までの高さ(図
2のL)を考慮して、挿入型パッケージよりもSOP
(Small Outline Package)の様
な薄型の表面実装型パッケージとする。
FIG. 1 is a plan view of a probe card when a temperature judgment reference product according to the present invention is mounted, and FIG. 2 is a sectional view thereof. In FIG. 1, 11 is a probe card, 12 is a probe, 13 is a temperature judgment reference product, and 14 is a wiring land. In FIG. 2, 21 is a probe card,
22 is a probe and 23 is a temperature judgment reference product. As shown in FIG. 1, the temperature judgment reference product is mounted on the probe card outside the portion where the probe is arranged and inside the portion where the pin contacts the LSI tester. Further, as shown in FIG. 2, the mounting place is not on the side of the LSI tester that comes into contact with the pins, but on the side of the IC to be measured. The reason for mounting the temperature judgment reference product in the above-mentioned place is to detect the temperature as close to the measurement atmosphere as possible and to use the LSI.
This is to reduce the wiring of the tester to the pins. It is assumed that the probe card has a structure in which electrical continuity can be established from the wiring land on the side of the IC to be measured to the contact pin to the LSI tester. In addition, in consideration of the height from the probe card to the tip of the probe (L in FIG. 2), the temperature judgment reference product is more SOP than the insertion type package.
(Small Outline Package).

【0017】図3は前述の検査温度判定方法のブロック
図を示すものであって、ブロック図の中の矢印は処理さ
れる方向を示すものである。以下に順を追ってこのブロ
ック図の説明をする。
FIG. 3 is a block diagram of the above-described inspection temperature determination method, and the arrows in the block diagram indicate the direction in which the processing is performed. The block diagram will be described below step by step.

【0018】まず、LSIテスターから温度判定基準製
品の測定を行なう(処理31)。次に、温度判定基準製
品の測定値をLSIテスターに取り込む(処理32)。
取り込んだ測定値をもとにLSIテスター側で検査規格
を決定するための処理を行なう訳であるが、その際、L
SIテスターで処理する内容をテストプログラムにより
LSIテスターにプログラミングする(処理33)。こ
のプログラミング内容は、一度LSIテスターに読み込
ませると内容を削除しない限り、LSIテスター内に存
在するものである。LSIテスターでの一連の処理によ
り、決定した検査規格により被測定ICの検査を行なう
(処理34)。
First, a temperature judgment reference product is measured from an LSI tester (process 31). Next, the measured value of the temperature judgment reference product is taken into the LSI tester (process 32).
The LSI tester performs processing to determine the inspection standard based on the acquired measurement values.
The contents to be processed by the SI tester are programmed into the LSI tester by a test program (process 33). This programming content exists in the LSI tester once it is read by the LSI tester, unless the content is deleted. Through a series of processes in the LSI tester, the IC under test is inspected according to the determined inspection standard (process 34).

【0019】図4は前述の温度判定基準製品における基
準となる温度特性を示す。この温度判定基準製品の温度
特性は、プローブカード上に装着する前にあらかじめ調
査したものである。その際、検査温度ばらつき範囲をT
1、T2、・・・、TNと区分けして、それに対応する
温度判定基準製品の測定値をV1、V2、・・・、VN
とする。尚、Nは整数値であり、値が大きくなればなる
ほど、決定する検査規格の精度が上がることになる。
FIG. 4 shows a reference temperature characteristic in the above-mentioned temperature judgment reference product. The temperature characteristics of the temperature determination reference product were previously investigated before mounting on the probe card. At this time, the inspection temperature variation range is set to T
, TN, and the measured values of the corresponding temperature judgment reference products are V1, V2,.
And Note that N is an integer value, and the larger the value, the higher the accuracy of the determined inspection standard.

【0020】つまり、温度判定基準製品の温度特性を調
査することによって、測定値がV(n−1)からVnの
間であれば、検査温度がT(n−1)からTnまでの間
で測定されているということが判明することになる。
That is, by examining the temperature characteristics of the temperature judgment reference product, if the measured value is between V (n-1) and Vn, the inspection temperature is between T (n-1) and Tn. It turns out that it is being measured.

【0021】テストプログラム上での検査規格の決め方
は、温度判定基準製品の測定値がV(n−1)からVn
の間であることが判明すれば、検査温度の範囲が判明
し、判明した検査温度と被測定ICの仕様とを考慮した
形で規格が決定されるということである。
The method of determining the inspection standard on the test program is as follows. The measured value of the temperature judgment reference product is V (n-1) to Vn.
If it is determined that the test temperature is within the range, the range of the inspection temperature is determined, and the standard is determined in consideration of the determined inspection temperature and the specification of the IC to be measured.

【0022】図5はプログラミングされたLSIテスタ
ー上での処理をフローチャートにて示したものである。
以下に一連の動作をフローチャートに従って説明する。
FIG. 5 is a flowchart showing processing on the programmed LSI tester.
Hereinafter, a series of operations will be described with reference to a flowchart.

【0023】まず、被測定ICの測定する回数を初期化
する(処理51)。前記初期化を行なう理由は、被測定
ICを測定毎に検査温度判定フローを実行するとスルー
プットの低下を引き起こしてしまうこと、及び一度検査
温度を判定してしまえば、ある程度の時間、検査温度の
変化がないことが前提である。ここで、前述のある程度
の時間とは、時間と共に変化する検査温度推移により、
何回被測定ICを検査する毎に検査温度の判定が必要か
ということをあらかじめ調査しておく必要がある。その
検査温度の頻度によって、一度検査温度の判定を行なっ
てから、何回まで被測定ICの検査を行えるかの最大回
数Iを決定する。
First, the number of times of measurement of an IC to be measured is initialized (process 51). The reason for performing the initialization is that if the test temperature determination flow is executed for each IC to be measured, a decrease in throughput is caused, and once the test temperature is determined, the test temperature changes for a certain period of time. It is assumed that there is not. Here, the above-mentioned certain amount of time means that the inspection temperature changes with time,
It is necessary to investigate beforehand how many times the IC under test needs to be determined each time the IC under test is inspected. Based on the frequency of the inspection temperature, the maximum number of times I after which the inspection temperature is determined and how many times the IC under test can be inspected is determined.

【0024】カウンタの初期化を行なった後、温度判定
基準製品の測定を行なう(処理52)。測定値を算出し
て(処理53)、前述テストプログラム内容に従い、L
SIテスターにて検査規格を決定する(処理54)。決
定した検査規格に基づいて、被測定ICを測定する(処
理55)。被測定ICの測定が終了した後、カウンタを
インクリメントする(処理56)。
After the counter is initialized, the measurement of the temperature judgment reference product is performed (process 52). The measured value is calculated (step 53), and L is calculated according to the contents of the test program.
The inspection standard is determined by the SI tester (process 54). The measured IC is measured based on the determined inspection standard (process 55). After the measurement of the IC to be measured is completed, the counter is incremented (step 56).

【0025】その後、前述一度の検査温度の判定をもと
に被測定ICを測定できる最大回数Iと現在のカウンタ
の値を比較して、検査温度の判定を行なうか、行なわず
に被測定ICの測定を行なうかの選択を行なう(処理5
7)。
Thereafter, the maximum number of times I, at which the IC under test can be measured, is compared with the current counter value based on the above-mentioned one test temperature determination, and the test temperature is determined or not, and the IC under test is determined. Is selected (Step 5)
7).

【0026】以後、図5記載のフローチャートに従い、
同様の処理を繰り返す。
Thereafter, according to the flowchart shown in FIG.
The same processing is repeated.

【0027】[0027]

【発明の効果】前述の如く本発明の検査温度検出方法及
び機構によれば、検査温度ばらつきを考慮して絞り込ん
だ検査規格の設定を行わなくても済むため、検査温度ば
らつき範囲内での一律規格での測定による過剰品質を防
ぐことができ、効果的検査を行えることによる歩留まり
向上が見込まれる。
As described above, according to the inspection temperature detecting method and mechanism of the present invention, it is not necessary to set an inspection standard that is narrowed down in consideration of the inspection temperature variation. It is possible to prevent excess quality due to the measurement in the standard, and it is expected that the yield can be improved by performing the effective inspection.

【0028】また、新製品立ち上げ段階にて検査温度ば
らつきを考慮しなくても済むため、温度勾配を持つ特性
に対して円滑な仕様決定、及び特性合わせ込みのためI
C内部に付加するヒューズ回路の必要性についての明確
化が図れる。
In addition, since it is not necessary to consider the variation in the inspection temperature at the stage of launching a new product, it is necessary to smoothly determine specifications for characteristics having a temperature gradient and to adjust the characteristics for matching characteristics.
The necessity of the fuse circuit added inside C can be clarified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係わるプローブカード平面図である。FIG. 1 is a plan view of a probe card according to the present invention.

【図2】本発明に係わるプローブカード断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a probe card according to the present invention.

【図3】本発明の検査温度判定方法のブロック図であ
る。
FIG. 3 is a block diagram of an inspection temperature determination method according to the present invention.

【図4】本発明の温度判定基準製品の温度特性である。FIG. 4 shows temperature characteristics of a temperature judgment reference product of the present invention.

【図5】本発明の一連の処理を示すフローチャートであ
る。
FIG. 5 is a flowchart showing a series of processing of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11・・・プローブカード 12・・・プローブ 13・・・温度判定基準製品 14・・・配線ランド 21・・・プローブカード 22・・・プローブ 23・・・温度判定基準製品 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Probe card 12 ... Probe 13 ... Temperature judgment reference product 14 ... Wiring land 21 ... Probe card 22 ... Probe 23 ... Temperature judgment reference product

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ICウエハをウエハ検査搬送装置(以下、
プローバーと称す)に搭載し、前記ウエハ内のICチッ
プの各電極にプローブカードのプローブを接触させて電
気的テストを行う際に、プローブカード上に温度勾配を
持つ特性を持ったICを温度判定基準製品として装着
し、その特性により検出された検査温度データによりテ
スト条件を決定し、テストするIC検査方法。
An IC wafer is transferred to a wafer inspection and transfer device (hereinafter, referred to as a wafer inspection transfer device)
When a probe of a probe card is brought into contact with each electrode of an IC chip in the wafer to perform an electrical test, an IC having a characteristic having a temperature gradient on the probe card is determined. An IC inspection method that is mounted as a reference product, determines test conditions based on inspection temperature data detected based on its characteristics, and performs testing.
【請求項2】前記温度判定基準製品を測定することによ
り、検査温度データを検出することを特徴とする請求項
1記載のIC検査方法。
2. The IC inspection method according to claim 1, wherein the inspection temperature data is detected by measuring the temperature judgment reference product.
【請求項3】前記温度判定基準製品により得られた検査
温度データを直接LSIテスターのピンから取り込むこ
とを特徴とする請求項1記載のIC検査方法。
3. The IC inspection method according to claim 1, wherein inspection temperature data obtained by said temperature judgment reference product is directly taken in from a pin of an LSI tester.
【請求項4】前記温度判定基準製品により得られた検査
温度データをもとに、LSIテスター上にてプログラミ
ングすることによりテスト条件を決定することを特徴と
する請求項1記載のIC検査方法。
4. The IC inspection method according to claim 1, wherein test conditions are determined by programming on an LSI tester based on the inspection temperature data obtained by said temperature judgment reference product.
【請求項5】前記温度判定基準製品により検査温度デー
タを検出した回数を数えるカウンタ機能を持った請求項
4記載のIC検査方法。
5. The IC inspection method according to claim 4, further comprising a counter function for counting the number of times inspection temperature data is detected by said temperature judgment reference product.
【請求項6】温度勾配を持ったICを温度判定基準製品
として装着することを特徴としたプローブカード。
6. A probe card wherein an IC having a temperature gradient is mounted as a temperature judgment reference product.
【請求項7】温度判定基準製品を被測定IC側に装着す
ることを特徴とした請求項6に記載のプローブカード。
7. The probe card according to claim 6, wherein a temperature judgment reference product is mounted on an IC to be measured.
JP9154061A 1997-06-11 1997-06-11 Ic inspecting method and probe card Withdrawn JPH113919A (en)

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JP9154061A JPH113919A (en) 1997-06-11 1997-06-11 Ic inspecting method and probe card

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JP (1) JPH113919A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311712A (en) * 2006-05-22 2007-11-29 Ricoh Co Ltd Semiconductor wafer testing method, program, recording medium, and semiconductor wafer testing device

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Effective date: 20031224