JPH1137841A

JPH1137841A - 電流ー電圧変換回路

Info

Publication number: JPH1137841A
Application number: JP9211174A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Matsuno; 淳松野; Takayuki Tokura; 隆之戸倉; Motoharu Yamaguchi; 元治山口
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-07-23
Filing date: 1997-07-23
Publication date: 1999-02-12

Abstract

(57)【要約】【課題】応答性を損なうことなく、電圧中の暗電流に
依存する部分を削除することができる電流ー電圧回路を
提供する。【解決手段】測光対象の光を受光して電流を出力する
第一の受光素子１０と、第一の受光素子１０から出力さ
れた電流を電圧に変換する第一の変換回路１１とを有す
る第一変換ブロック１と、第一の受光素子１０と略同じ
光電特性を持ち、かつ光が略入射しないように受光面が
覆われた第二の受光素子２０と、第二の受光素子２０か
ら出力された電流を電圧に変換する第二の変換回路２１
とからなる第二変換ブロック２と、第一変換ブロック１
から出力された電圧から、第二変換ブロック２から出力
された電圧を減じて、第一変換ブロック１から出力され
た電圧から暗電流にて生じた電圧を略除去する減算回路
３とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＣＤ等の受光素
子から出力された電流を電圧に変換するための電流ー電
圧変換回路に関し、特に受光素子の暗電流成分を除去す
ることのできる電流ー電圧変換回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】今日、ＣＣＤ等の受光素子を内蔵したカ
メラや顕微鏡が普及している。このカメラ等において
は、受光素子から出力された電流を、電流ー電圧変換回
路を介して電圧に変換することが行われている。

【０００３】従来、このような電流ー電圧変換回路は、
図４に示すように、測光対象の光を受光して電流を出力
するＣＣＤ等の受光素子５１と、この受光素子５１から
出力された電流を電圧に変換する変換回路５２とを含ん
でなる変換ブロック５０と、変換ブロック５０から出力
された電圧に対し温度補償を行う補償回路６０とから構
成されていた。

【０００４】ここで、受光素子５１からは、受光量に略
比例する電流（以下、この電流を「光電流」とする。）
と、受光量に略比例しない電流であって、受光素子に加
わる周囲熱等によって変化する電流（以下、この電流を
「暗電流」とする）とを合わせてなる電流が出力され
る。

【０００５】このように受光素子５１から出力される電
流が互いに特性の異なる光電流と暗電流とから構成され
ることにより、受光素子５１への入射光量に対する、受
光素子５１から出力される電流の比例特性は、この受光
素子５１への入射光量の大小によって大きく異なってい
た。例えば受光素子５１への入射光量が多くなる程（明
るくなる程）、光電流が多くなる一方、暗電流は変化し
ない。したがってこの場合、電流中に占める光電流の割
合が多くなり、電流は全体として入射光量にほぼ比例す
るようになる。逆に受光素子５１への入射光量が少なく
なる程（暗くなる程）、光電流が少なくなる一方、暗電
流は変化しない。したがってこの場合、電流中に占める
光電流の割合が少なくなり、電流は入射光量に全体とし
て比例しなくなる。

【０００６】このような特性を有する電流を電圧に変換
した場合、該電圧も電流と同じような特性を有する。い
ま、図４に示すように、変換回路５２は抵抗５３と演算
増幅器５４から構成されている。ここで、受光素子５１
から出力される光電流の電流値をＩｓ１０、暗電流の電
流値をＩｄ１０、変換回路５２の抵抗５３の抵抗値をＲ
１０とした場合には、点Ｐ１０における変換ブロック５
０の出力電圧ＶＰ１０は、

【数１】となる。この式１から分かるように、受光素子５１への
入射光量が少なくなった場合には、出力電圧ＶＰ１０中
に占める光電流の電流値Ｉｓ１０の割合が少なくなり、
出力電圧ＶＰ１０が入射光量に全体として比例しなくな
る。

【０００７】また、図４に示すように、変換ブロック５
０の次段に補償回路６０を設けた場合であっても、上記
のような特性は同じである。この補償回路６０は２つの
抵抗６１、６２と１つの演算増幅器６３から構成されて
いる。ここで、抵抗６１、６２の抵抗値をそれぞれＲ１
１、Ｒ１２とすると、点Ｐ１１における補償回路６０の
出力電圧ＶＰ１１は、

【数２】となる。この式２から分かるように、抵抗５３、６２に
温度係数の小さな抵抗を用い、抵抗６１に温度特性が光
電流の温度特性と同じ抵抗を用いることで光電流の温度
依存性を打ち消すことができる。しかし一方、温度が高
くなると暗電流の電流値Ｉｄ１０は増加するので、光電
流が暗電流に比べて十分に大きくないと、やはり受光素
子５１からの光電流に比例する電圧を得られない。この
ように受光素子５１からの光電流に比例する電圧を得ら
れない範囲では受光素子５１への入射光量を正確に測光
できなくなるため、結果として、測光範囲が狭くなると
いう問題がある。このような問題は、顕微鏡のように暗
い環境において観察光を受光する装置にとっては特に深
刻である。

【０００８】そこで、このような問題に鑑みて、暗電流
による影響を打ち消すための工夫が従来から提案されて
いる。その一例の回路図を図５に示す。この図５に示す
例では、受光素子５５の入射光路にシャッタ５６が配置
されている。そして、まずシャッタ５６を閉じて受光素
子５５に入射する光を遮断し、その際に受光素子５５か
ら出力された電流を、図３の変換回路５２と略同じ構成
の変換回路５７で変換して電圧を得て、該電圧を図示し
ないメモリに記憶する。その後、シャッタ５６を開いて
受光素子５５に光を入射させ、受光素子５５から出力さ
れた電流を変換回路５７で変換して電圧を得る。そし
て、この電圧から前記メモリに記憶させた光遮断時の電
圧を、内蔵したソフトウェアを用いて減算することによ
って、電圧中の暗電流に依存する部分を削除し、光電流
のみに比例する出力電圧を得る。

【０００９】またシャッタを用いない例もある。この例
の受光素子の正面図を図６に示す。この図６のＣＣＤ７
０は、受光するための感光画素７１と、受光しないよう
に覆いが施された黒基準画素７２とから構成されてい
る。そして、感光画素７１から出力された信号を信号処
理回路に入力して光電荷信号を得ると共に、黒基準画素
７２から出力された信号も、信号処理回路に入力して、
黒基準信号を得る。そして、感光画素７１から出力され
た光電荷信号から、黒基準画素７２から出力された黒基
準信号を、内蔵したソフトウェアを用いて減算すること
で、光電荷信号中の黒基準信号に依存する部分を削除し
光電荷のみに比例する出力信号を得る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来の電流ー電圧変換回路においては、電圧中の暗電
流に依存する部分を削除するためにソフトウェアを用い
た減算処理を行っていたので、この減算処理に時間を要
し、電流ー電圧変換の応答が遅くなるという問題があっ
た。

【００１１】本発明は、従来のこのような電流ー電圧回
路における問題点に鑑みてなされたもので、応答性を損
なうことなく、電圧中の暗電流に依存する部分を削除す
ることができる電流ー電圧回路を提供することを目的と
する。

【００１２】この目的を達成するために請求項１記載の
本発明は、測光対象の光を受光して電流を出力する第一
の受光素子と、該第一の受光素子から出力された電流を
電圧に変換する第一の変換回路とを有する第一の変換手
段と、前記第一の受光素子と略同じ光電特性を持ち、か
つ光が略入射しないように受光面が覆われた第二の受光
素子と、該第二の受光素子から出力された電流を電圧に
変換する第二の変換回路とからなる第二の変換手段と、
前記第一の変換手段から出力された電圧から、前記第二
の変換手段から出力された電圧を減ずることによって、
前記第一の変換手段から出力された電圧から暗電流にて
生じた電圧を略除去する減算回路とを備えることを特徴
として構成されている。

【００１３】また請求項２記載の本発明は、測光対象の
光を受光して電流を出力する第一の受光素子と、前記第
一の受光素子と略同じ光電特性を持ち、かつ光が略入射
しないように受光面が覆われた第二の受光素子と、前記
第一の受光素子から出力された電流から前記第二の受光
素子から出力された電流を減ずることによって、前記第
一の受光素子から出力された電流から暗電流を略除去す
る電流減算回路と、前記電流減算回路から出力される電
流を電圧に変換する変換手段とを備えることを特徴とし
て構成されている。

【００１４】また請求項３記載の本発明は、請求項１又
は２記載の本発明において、前記減算回路は、前記第一
の受光素子から出力された電流に対する温度補償を行う
ことを特徴として構成されている。

【００１５】また請求項４記載の本発明は、請求項１〜
３のいずれかに記載の本発明において、前記第一の受光
素子と前記第二の受光素子とを互いに近接配置したこと
を特徴として構成されている。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の電流ー電圧回路の
第一実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
図１は本実施形態における電流ー電圧回路の全体構成を
示す回路図、図２は後述する第一の受光素子及び第二の
受光素子の正面図である。図１に示すように、本実施形
態の電流ー電圧回路は、第一の変換手段たる第一変換ブ
ロック１と、第二の変換手段たる第二変換ブロック２
と、減算回路３と、補償回路４とから構成されている。

【００１７】第一変換ブロック１は、第一の受光素子１
０と第一の変換回路１１から構成されている。このうち
第一の受光素子１０は、測光対象の光を受光して電流を
出力する２分割半導体センサの一方であり、受光量に略
比例する光電流と、受光量に略比例しない電流であって
受光素子に加わる周囲熱等によって変化する暗電流とを
合わせてなる電流を出力する。また第一の変換回路１１
は、抵抗１２と演算増幅器１３から構成されており、第
一の受光素子１０から出力された電流を、抵抗１２の抵
抗値に応じた電圧に変換して出力する。

【００１８】一方、第二変換ブロック２は、第二の受光
素子２０と第二の変換回路２１から構成されている。こ
の第二変換ブロック２の第二の受光素子２０は、測光対
象の光を受光して電流を出力する２分割半導体センサの
他方の素子である。この第二の受光素子２０も、本来、
前記第一の受光素子１０と同様に、受光量に略比例する
光電流と、受光量に略比例しない電流であって受光素子
に加わる周囲熱等によって変化する暗電流とを合わせて
なる電流を出力するが、本形態においては、暗電流のみ
を出力する。この理由については後述する。

【００１９】この第二の受光素子２０は、第一の受光素
子１０と略同じ光電特性を有する。この「同じ光電特
性」とは、各素子が同一面積であり、入射光量及び周囲
温度を含む環境が同じ場合に、同じ値の光電流及び暗電
流を出力することをいう。ここで、本形態における第一
の受光素子１０と第二の受光素子２０との位置関係を説
明する。図２は第一の受光素子１０及び第二の受光素子
２０の正面図である。この図２に示すように第二の受光
素子２０は第一の受光素子１０に隣接して配置されてお
り、したがって第一の受光素子１０及び第二の受光素子
２０の周囲温度を含む環境はほぼ同じである。このた
め、これら第一の受光素子１０及び第二の受光素子２０
から出力された暗電流は互いに同じといえる。

【００２０】この第二の受光素子２０は、図１、２に示
すように、その受光面の全面をマスク２０ａにて覆われ
ており、該受光面に一切の光が入射しないようにされて
いる。したがって、第二の受光素子２０からは光電流が
出力されず、暗電流のみが出力される。

【００２１】図１において、第二変換ブロック２の第二
の変換回路２１は、抵抗２２と演算増幅器２３から構成
されており、第一の変換回路１１と同様に、第二の受光
素子２０から出力された電流を、抵抗２２の抵抗値に応
じた電圧に変換して出力するものである。

【００２２】減算回路３は、４つの抵抗３１〜３４と１
つの演算増幅器３５から構成されており、第一変換ブロ
ック１から出力された電圧から、第二変換ブロック２か
ら出力された電圧を減ずるものである。補償回路４は、
２つの抵抗４１、４２と１つの演算増幅器４３から構成
されており、減算回路３から出力された電圧に対し温度
補償を行う。

【００２３】次に、これら減算回路３の変換及び補償回
路４の補償の具体的内容について説明する。いま、第一
変換ブロック１の第一の受光素子１０に光が入射してい
る場合、該第一の受光素子１０からは光電流と暗電流の
双方が出力される。この光電流の電流値をＩｓ１、暗電
流の電流値をＩｄ１とする。また演算増幅器１３の入力
バイアス電流の電流値をＩｂ１、抵抗１２の抵抗値をＲ
１とすると、点Ｐ１における第一変換ブロック１の出力
電圧ＶＰ１は、

【数３】となる。

【００２４】一方、図１に示す第二変換ブロック２にお
いては、第二の受光素子２０に入射した光はマスクにて
遮断され、該第二の受光素子２０からは暗電流のみが出
力される。この暗電流の電流値をＩｄ２とする。また第
二の変換回路２１の演算増幅器２３の入力バイアス電流
の電流値をＩｂ２、抵抗２２の抵抗値をＲ２とすると、
点Ｐ２における第二変換ブロック２の出力電圧ＶＰ２
は、

【数４】となる。

【００２５】ここで、減算回路３の抵抗３１〜３４のそ
れぞれの抵抗値をＲ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６とすると、点
Ｐ３における減算回路３の出力電圧ＶＰ３は、

【数５】となる。

【００２６】ここで、第一の受光素子１０と第二の受光
素子２０とは略同じ光電特性を有することから、Ｉｄ１
＝Ｉｄ２である。また、Ｉｂ１＝Ｉｂ２、Ｒ１＝Ｒ２、
Ｒ３＝Ｒ５、Ｒ４＝Ｒ６、と設定すると、式５は、

【数６】となる。

【００２７】すなわち、この式６から分かるように、減
算回路３の出力電圧ＶＰ３中には第一の受光素子１０か
ら出力された暗電流の電流値Ｉｄ１が存在せず、また抵
抗値Ｒ１、Ｒ３及びＲ４は温度が一定であれば一定値を
取るので、出力電圧ＶＰ３は第一の受光素子１０から出
力された光電流の電流値Ｉｓ１にのみ比例する。つまり
減算回路３を介すことによって、暗電流成分が除去さ
れ、光電流のみに比例する出力電圧を得ることができ
る。

【００２８】さらに、下記式７〜１２の条件を全て満足
するように、抵抗１２、２２、３１〜３４の抵抗値Ｒ１
〜６、温度係数を設定することにより、式６の条件を維
持できると共に、該式６中における光電流の温度依存性
を打ち消すことができる。すなわち、特に補償回路４を
設けることなく、減算回路３によって温度補償をも行う
ことができる。

【数７】

【数８】

【数９】

【数１０】

【数１１】

【数１２】

【００２９】ここで、このように減算回路３によって温
度補償を行う場合には、式９と式１２から分かるよう
に、抵抗３１、３３の温度係数を光電流の温度係数に合
わせる必要がある。しかし、このような抵抗は高価であ
り、電流ー電圧変化回路全体のコストを増大させること
になるため、必ずしも減算回路３によって温度補償を行
うことは好ましくない。そこで、本形態においては、減
算回路３の次段に補償回路４を設けることによって、温
度補償を行っている。

【００３０】この補償回路４は、図１に示すように、２
つの抵抗４１、４２と演算増幅器４３にて構成されてい
る。この補償回路４に、減算回路３の出力電圧ＶＰ３が
入力された場合、補償回路４の抵抗４１、４２の抵抗値
をそれぞれＲ７、Ｒ８とすると、点Ｐ４における補償回
路４の出力電圧ＶＰ４は、

【数１３】となる。

【００３１】ここで、下記式１４〜１８の条件を全て満
足するように、抵抗１１、２２、３１〜３４、４１、４
２の抵抗値Ｒ１〜８、温度係数を設定することにより、
式６の条件を維持できると共に、該式１３中における光
電流の温度依存性を打ち消すことができる。

【数１４】

【数１５】

【数１６】

【数１７】

【数１８】

【００３２】この場合、式１５と式１６から分かるよう
に、抵抗４１の温度係数を光電流の温度係数に合わせれ
ばよく、減算回路３によって温度補償を行う場合に比べ
て、特殊な抵抗の数を減らしてコストを低減化すること
ができる。

【００３３】次に、本発明の第二実施形態を説明する。
図３は第二実施形態の電流一電圧回路を示す図である。
図１に示す部材と同じ機能を果たす部材には同一の符号
を付し、その説明は省略する。本実施形態は、図３に示
すように、受光素子１０、２０から出力される電流をま
ず電流減算回路８０にて減じたのち、変換回路９０にて
電圧に変換するものである。光電素子２０には、ダイオ
ード８１、トランジスタＱ１〜Ｑ３、抵抗Ｒ２１，Ｒ２
２から構成される第１のユニットが接続されている。同
様に、光電素子１０には、第１のユニットと同じ構成
の、ダイオード８２、トランジスタＱ４〜Ｑ６、抵抗Ｒ
２３，Ｒ２４から構成される第２のユニットが接続され
ている。また、電源８３は抵抗２０とともに、光電素子
１０、２０に電源電圧を与えている。

【００３４】ダイオード８１を流れる電流Ｉ１は、受光
素子２０の暗電流Ｉｄ２であり、トランジスタＱ３を流
れる電流Ｉ２と等しい。トランジスタＱ３は、受光素子
１０とダイオード８２との間に接続されているため、ダ
イオード８２を流れる電流Ｉ３は、受光素子１０からの
電流Ｉ５（光電流Ｉｓ１と暗電流Ｉｄ１との和）から電
流Ｉ２を引いたものとなる。また、電流Ｉ３は、トラン
ジスタＱ６を流れる電流Ｉ４と等しい。従って、抵抗Ｒ
２４を介して変換回路９０を流れる電流Ｉ４は、Ｉ４＝
Ｉ３＝Ｉ５- Ｉ２＝Ｉ５−I １=Iｓ１＋Ｉｄ１−Ｉｄ２
であり、また、受光素子１０の暗電流Ｉｄ１と受光素子
２０の暗電流Ｉｄ２とが互いに等しいので、Ｉ４＝Ｉｓ
１となる。このことにより、変換回路９０から出力され
る電圧Ｖｏｕｔは、暗電流成分を含まない受光素子１０
の光電流Ｉｓ１を電圧に変換した値となる。以上の第二
実施形態により、上述の第一実施形態と同じ効果を得る
ことができる。また、本実施形態においても、変換回路
９０の出力端に、図１に示す補償回路４を接続すること
ができる。

【００３５】さてこれまで本発明の一実施形態について
説明したが、本発明は上記に示した実施形態に限定され
ず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態に
て実施されてよいものであり、以下、これら異なる形態
について説明する。まず上記実施形態では、第二の受光
素子２０の受光面の全面をマスク２０ａにて覆うものと
して説明したが、マスクでなくシャッタ等の遮光手段を
用いてもよい。すなわち、第二の受光素子２０への入射
する光を遮光できればよい。

【００３６】また第一の受光素子１０と第二の受光素子
２０は互いに同じ光電特性を有することが望ましいが、
完全に同じでなく、測定誤差範囲内に納まる程度の相違
があってもよい。また第二の受光素子２０は第一の受光
素子１０に対し近接配置されていなくともよく、第一の
受光素子１０から出力される暗電流と同値の暗電流を出
力するような環境下に配置されていればよい。さらに、
上述の第一、第二実施形態においては、２分割半導体セ
ンサを実施形態として挙げ、第一の受光素子１０、第二
の受光素子２０はそれそれ単一の素子からなるものであ
ったが、本発明はこの構成に限らず、例えば、第一、第
二の受光素子１０、２０が、それぞれ同じ光電特性を有
し同じ分割数の多分割センサであっても良い。このと
き、例えば第一の受光素子（多分割素子）のうちの任意
の１個（２個、３個・・・）の素子の光電流成分を検出
するような場合は、その面積に対応して、第二の受光素
子（多分割素子）のうちの任意の１個（２個、３個・・
・）の素子の暗電流成分を減算すれば良い。

【００３７】上記形態においては減算回路の次段に補償
回路を設けたが、上述したように減算回路によって温度
補償を行ってもよい。この場合には補償回路が不要とな
り、回路全体の構成を単純化できる。この他、本発明の
回路構成は図１に示されたものに限られず、測定誤差の
補償やさらなる機能を付加するために、抵抗、演算増幅
回路等の周知の電気素子を付加してもよい。

【００３８】

【発明の効果】さて、これまで説明したように請求項１
記載の本発明は、測光対象の光を受光して電流を出力す
る第一の受光素子と、該第一の受光素子から出力された
電流を電圧に変換する第一の変換回路とを有する第一の
変換手段と、前記第一の受光素子と略同じ光電特性を持
ち、かつ光が略入射しないように受光面が覆われた第二
の受光素子と、該第二の受光素子から出力された電流を
電圧に変換する第二の変換回路とからなる第二の変換手
段と、前記第一の変換手段から出力された電圧から、前
記第二の変換手段から出力された電圧を減ずることによ
って、前記第一の変換手段から出力された電圧から暗電
流にて生じた電圧を略除去する減算回路とを備えたこと
により、受光素子からの暗電流、演算増幅器からの入力
バイアス電流に依存せず、光電流に比例した出力電圧を
得ることができる。特にソフトウェアでなく回路によっ
て暗電流を除去しているので、応答性を損なうことな
く、電圧中の暗電流に依存する部分を削除することがで
きる。

【００３９】しかも請求項２記載の本発明は、測光対象
の光を受光して電流を出力する第一の受光素子と、第一
の受光素子と略同じ光電特性を持ち、かつ光が略入射し
ないように受光面が覆われた第二の受光素子と、第一の
受光素子から出力された電流から第二の受光素子から出
力された電流を減ずることによって、第一の受光素子か
ら出力された電流から暗電流を略除去する電流減算回路
と、電流減算回路から出力される電流を電圧に変換する
変換手段とを備えることにより、上述した請求項１記載
の本発明と同様の効果を得ることができる。

【００４０】しかもまた請求項３記載の本発明は、減算
回路は、第一の受光素子から出力された電流に対する温
度補償を行うことにより、補償回路が不要となり、回路
全体の構成を単純化できる。

【００４１】さらに請求項４記載の本発明は、第一の受
光素子と第二の受光素子とを互いに近接配置したことに
より、これらの素子を相互に同じ環境下に配置でき、こ
れら素子から相互に同じ暗電流を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一実施形態の電流ー電圧回路の全体
構成を示す回路図である。

【図２】第一の受光素子及び第二の受光素子の正面図で
ある。

【図３】本発明の第二実施形態の電気−電圧回路の全体
構成を示す回路図である。

【図４】従来の電流ー電圧回路の全体構成を示す回路図
である。

【図５】従来の他の電流ー電圧回路の要部を示す回路図
である。

【図６】従来の他の電流ー電圧回路の受光素子の正面図
である。

【符号の説明】

１第一変換ブロック２第二変換ブロック３減算回路４補償回路１０第一の受光素子１１第一の変換回路１２、２２、３１〜３４、４１、４２抵抗１３、２３、３５、４３演算増幅器２０第二の受光素子２１第二の変換回路８０電流減算回路９０変換回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】測光対象の光を受光して電流を出力する第
一の受光素子と、前記第一の受光素子から出力された電流を電圧に変換す
る第一の変換回路とを有する第一の変換手段と、前記第一の受光素子と略同じ光電特性を持ち、かつ光が
略入射しないように受光面が覆われた第二の受光素子
と、前記第二の受光素子から出力された電流を電圧に変換す
る第二の変換回路とからなる第二の変換手段と、前記第一の変換手段から出力された電圧から、前記第二
の変換手段から出力された電圧を減ずることによって、
前記第一の変換手段から出力された電圧から暗電流にて
生じた電圧を略除去する減算回路と、を備えることを特
徴とする電流ー電圧変換回路。
【請求項２】測光対象の光を受光して電流を出力する第
一の受光素子と、前記第一の受光素子と略同じ光電特性を持ち、かつ光が
略入射しないように受光面が覆われた第二の受光素子
と、前記第一の受光素子から出力された電流から前記第二の
受光素子から出力された電流を減ずることによって、前
記第一の受光素子から出力された電流から暗電流を略除
去する電流減算回路と、前記電流減算回路から出力される電流を電圧に変換する
変換手段と、を備えることを特徴とする電流一電圧変換
回路。
【請求項３】前記減算回路は、前記第一の受光素子から
出力された電流に対する温度補償を行うこと、を特徴と
する請求項１又は２記載の電流ー電圧変換回路。
【請求項４】前記第一の受光素子と前記第二の受光素子
とを互いに近接配置したこと、を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電流ー電
圧変換回路。