JPH1137838A - 高感度受光素子 - Google Patents
高感度受光素子Info
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- JPH1137838A JPH1137838A JP9194023A JP19402397A JPH1137838A JP H1137838 A JPH1137838 A JP H1137838A JP 9194023 A JP9194023 A JP 9194023A JP 19402397 A JP19402397 A JP 19402397A JP H1137838 A JPH1137838 A JP H1137838A
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- light
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- response
- silicon
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2045—Light-sensitive devices comprising a semiconductor electrode comprising elements of the fourth group of the Periodic System (C, Si, Ge, Sn, Pb) with or without impurities, e.g. doping materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
Abstract
(57)【要約】
【課題】 応答速度が速く、しかも安定性に優れた高感
度受光素子を提供する。 【解決手段】 高感度受光素子において、透明電極１
と、イオン導電性電解質２と、シリコン電極３とを備
え、光量変化に対して時間微分型の光電応答を出力す
る。
度受光素子を提供する。 【解決手段】 高感度受光素子において、透明電極１
と、イオン導電性電解質２と、シリコン電極３とを備
え、光量変化に対して時間微分型の光電応答を出力す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光量の変化を迅速
な応答速度で電気信号に変換する機能を有する高感度受
光素子に関するものである。
な応答速度で電気信号に変換する機能を有する高感度受
光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、微分応答性を示す受光素子は、既
に透明電極／バクテリオロドプシン薄膜／電解質／対極
の構成からなる電気化学セルで達成されている（特開平
３−２０５５２０号公報やＭｉｙａｓａｋａ，Ｋｏｙａ
ｍａ，ａｎｄ Ｉｔｏｈ Ｓｃｉｅｎｃｅ ２５５ ３
４２ １９９２など参照）。
に透明電極／バクテリオロドプシン薄膜／電解質／対極
の構成からなる電気化学セルで達成されている（特開平
３−２０５５２０号公報やＭｉｙａｓａｋａ，Ｋｏｙａ
ｍａ，ａｎｄ Ｉｔｏｈ Ｓｃｉｅｎｃｅ ２５５ ３
４２ １９９２など参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような受光素子
は、材料レベルで微分型の応答を示す最初の例として知
られ、数々のメリットを有するが、最大の欠点は感度が
非常に低いことであった。また、基本材料としてタンパ
ク質を用いている関係で、その安定性も懸念されてい
た。
は、材料レベルで微分型の応答を示す最初の例として知
られ、数々のメリットを有するが、最大の欠点は感度が
非常に低いことであった。また、基本材料としてタンパ
ク質を用いている関係で、その安定性も懸念されてい
た。
【０００４】図３はかかる従来の受光素子の応答パター
ンを示す図である（本発明の効果との関係で後述す
る）。本発明は、上記問題点を除去し、応答速度が速
く、しかも安定性に優れた高感度受光素子を提供するこ
とを目的とする。
ンを示す図である（本発明の効果との関係で後述す
る）。本発明は、上記問題点を除去し、応答速度が速
く、しかも安定性に優れた高感度受光素子を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕高感度受光素子において、透明電極と、イオン導
電性電解質と、半導体電極とを備え、光量変化に対して
時間微分型の光電応答を出力するようにしたものであ
る。
成するために、 〔１〕高感度受光素子において、透明電極と、イオン導
電性電解質と、半導体電極とを備え、光量変化に対して
時間微分型の光電応答を出力するようにしたものであ
る。
【０００６】〔２〕上記〔１〕記載の高感度受光素子に
おいて、前記半導体電極がシリコンである。 〔３〕上記〔２〕記載の高感度受光素子において、前記
シリコンがｎ形シリコンである。 〔４〕上記〔２〕記載の高感度受光素子において、前記
シリコンがｐ形シリコンである。
おいて、前記半導体電極がシリコンである。 〔３〕上記〔２〕記載の高感度受光素子において、前記
シリコンがｎ形シリコンである。 〔４〕上記〔２〕記載の高感度受光素子において、前記
シリコンがｐ形シリコンである。
【０００７】〔５〕上記〔１〕記載の高感度受光素子に
おいて、前記イオン導電性電解質が固体電解質である。 〔６〕上記〔１〕記載の高感度受光素子において、立ち
上がりの応答速度が２０μｓ以下の高速である。
おいて、前記イオン導電性電解質が固体電解質である。 〔６〕上記〔１〕記載の高感度受光素子において、立ち
上がりの応答速度が２０μｓ以下の高速である。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例
を示す高感度受光素子の構成図である。この図に示すよ
うに、高感度受光素子は、透明電極１と作用極としての
シリコン電極（シリコン基板）３の間に、イオン導電性
電解質２を挟む構成となっている。
を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例
を示す高感度受光素子の構成図である。この図に示すよ
うに、高感度受光素子は、透明電極１と作用極としての
シリコン電極（シリコン基板）３の間に、イオン導電性
電解質２を挟む構成となっている。
【０００９】この高感度受光素子の外部端子間には応答
速度の調整用抵抗４（抵抗が小さくなるにしたがって応
答速度が速くなる）が接続されるとともに、シリコン基
板３の出力線はアース５されている。その出力端子６，
７間にオシロスコープ８が接続されている。このような
構成の高感度受光素子に可視光を透明電極１側から照射
すると、外部回路に光電流の早い立ち上がりが観測され
た後、そのままゼロレベルにもどり、光オフで光電流は
逆方向にふれ、元のレベルに戻った。いわゆる時間微分
型の応答性を有する。
速度の調整用抵抗４（抵抗が小さくなるにしたがって応
答速度が速くなる）が接続されるとともに、シリコン基
板３の出力線はアース５されている。その出力端子６，
７間にオシロスコープ８が接続されている。このような
構成の高感度受光素子に可視光を透明電極１側から照射
すると、外部回路に光電流の早い立ち上がりが観測され
た後、そのままゼロレベルにもどり、光オフで光電流は
逆方向にふれ、元のレベルに戻った。いわゆる時間微分
型の応答性を有する。
【００１０】このときシリコン電極３にｎ形を用いる
と、光オン時の光電流は、アノード側にふれる。換言す
れば、電子はイオン導電性電解質２からシリコン電極３
側へと移動し、光オフ時に電子はシリコン電極３側から
イオン導電性電解質２側へと移動する。シリコン電極３
がｐ形では逆のパターンが得られる。すなわち、光オン
時の光電流は、カソード側にふれる。換言すれば、電子
はシリコン電極３側からイオン導電性電解質２側へと移
動し、光オフ時に電子はイオン導電性電解質２側からシ
リコン電極３側へと移動する。
と、光オン時の光電流は、アノード側にふれる。換言す
れば、電子はイオン導電性電解質２からシリコン電極３
側へと移動し、光オフ時に電子はシリコン電極３側から
イオン導電性電解質２側へと移動する。シリコン電極３
がｐ形では逆のパターンが得られる。すなわち、光オン
時の光電流は、カソード側にふれる。換言すれば、電子
はシリコン電極３側からイオン導電性電解質２側へと移
動し、光オフ時に電子はイオン導電性電解質２側からシ
リコン電極３側へと移動する。
【００１１】〔具体例〕透明電極１としてＳｎＯ2 、イ
オン導電性電解質２として、０．１モルＫＣｌ（ＮａＣ
ｌなどでもよい）を、作用極であるｎ形シリコン基板を
用い、図１に示すような２電極系の電気化学セルを構成
した。イオン導電性電解質２の厚みは１ｍｍに設定し
た。このセルに１５０Ｗキセノン光をＩＲ（赤外線）カ
ットフィルターと黄色フィルター（ＨＯＹＡ Ｙ４８）
を通して０．２５秒間露光した。
オン導電性電解質２として、０．１モルＫＣｌ（ＮａＣ
ｌなどでもよい）を、作用極であるｎ形シリコン基板を
用い、図１に示すような２電極系の電気化学セルを構成
した。イオン導電性電解質２の厚みは１ｍｍに設定し
た。このセルに１５０Ｗキセノン光をＩＲ（赤外線）カ
ットフィルターと黄色フィルター（ＨＯＹＡ Ｙ４８）
を通して０．２５秒間露光した。
【００１２】図２は本発明の実施例を示すｎ形シリコン
基板を使用した高感度受光素子の応答パターンを示す図
である。この図からも明らかなように、本発明の高感度
受光素子の応答は、図３に示す従来の受光素子の応答と
比較すると、応答感度が、数千倍（縦軸のメモリＶ対ｍ
Ｖ）改良されているのがわかる。安定性もすべて無機材
料から構成されている関係で全く問題はない。
基板を使用した高感度受光素子の応答パターンを示す図
である。この図からも明らかなように、本発明の高感度
受光素子の応答は、図３に示す従来の受光素子の応答と
比較すると、応答感度が、数千倍（縦軸のメモリＶ対ｍ
Ｖ）改良されているのがわかる。安定性もすべて無機材
料から構成されている関係で全く問題はない。
【００１３】このように、本発明によれば、シリコン電
極３を作用極として用いることによって、従来のセルに
比べて感度で３桁、応答速度で少なくとも１桁以上改善
することができた。更に、電極の説明をすると、透明電
極としては、各種の貴金属（Ａｕ，Ｐｔなど）あるいは
導電性の金属酸化物（ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ2 ，ＲｕＯ2
など）が好ましく用いられる。中でも光透過性の点で好
ましいものは、ＡｕもしくはＰｔの薄膜（厚さ１０００
Å以下）、もしくはＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ2 及びこれらの
複合体（ＩＴＯ）の薄膜である。これらの中でも、光透
過性の良さに加えて電極材料の化学的安定性及び光応答
における電流のＳ／Ｎ比の点で特に好ましく用いられる
ものは、ＳｎＯ2 及びＩＴＯである。
極３を作用極として用いることによって、従来のセルに
比べて感度で３桁、応答速度で少なくとも１桁以上改善
することができた。更に、電極の説明をすると、透明電
極としては、各種の貴金属（Ａｕ，Ｐｔなど）あるいは
導電性の金属酸化物（ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ2 ，ＲｕＯ2
など）が好ましく用いられる。中でも光透過性の点で好
ましいものは、ＡｕもしくはＰｔの薄膜（厚さ１０００
Å以下）、もしくはＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ2 及びこれらの
複合体（ＩＴＯ）の薄膜である。これらの中でも、光透
過性の良さに加えて電極材料の化学的安定性及び光応答
における電流のＳ／Ｎ比の点で特に好ましく用いられる
ものは、ＳｎＯ2 及びＩＴＯである。
【００１４】ＳｎＯ2 及びＩＴＯの導電性は、伝導率と
して１０2 Ω-1ｃｍ-1以上が好ましく、１０3 Ω-1ｃｍ
-1以上が特に好ましい。これらの導電性電極材料はガラ
スや樹脂など透明の支持体上に真空蒸着法やスパッタリ
ング法などによって薄膜として担持され、その薄膜は好
ましくは１００〜１００００Å、特に５００〜６０００
Åが好ましい。
して１０2 Ω-1ｃｍ-1以上が好ましく、１０3 Ω-1ｃｍ
-1以上が特に好ましい。これらの導電性電極材料はガラ
スや樹脂など透明の支持体上に真空蒸着法やスパッタリ
ング法などによって薄膜として担持され、その薄膜は好
ましくは１００〜１００００Å、特に５００〜６０００
Åが好ましい。
【００１５】次に、電解質について述べると、本発明で
イオン伝導性の媒体として用いる電解質は、電解水溶
液、無機材料もしくは高分子有機材料からなる固体電解
質が含まれる。電解水溶液は支持塩を含む水溶液であ
り、支持塩としては、例えば、ＫＣｌ，ＮａＣｌ，Ｋ2
ＳＯ4 ，ＫＮＯ2 ，ＬｉＣｌ，ＮａＣｌＯ4 などが用い
られる。
イオン伝導性の媒体として用いる電解質は、電解水溶
液、無機材料もしくは高分子有機材料からなる固体電解
質が含まれる。電解水溶液は支持塩を含む水溶液であ
り、支持塩としては、例えば、ＫＣｌ，ＮａＣｌ，Ｋ2
ＳＯ4 ，ＫＮＯ2 ，ＬｉＣｌ，ＮａＣｌＯ4 などが用い
られる。
【００１６】支持塩の濃度は、通常０．０１モル／ｌ〜
２モル／ｌであり、好ましくは０．０５モル／ｌ〜１モ
ル／ｌである。固体電解質としては、高分子有機材料を
媒体とする高分子電解質が好ましく用いられ、例えば、
ゼラチン、寒天、ポリアクリルアミド、ポリビニルアル
コール、汎用のカチオンおよびアニオン交換樹脂やこれ
らの混合物を媒体とし、これにイオンキャリアーとして
支持塩と必要ならば水分を含むものが用いられる。
２モル／ｌであり、好ましくは０．０５モル／ｌ〜１モ
ル／ｌである。固体電解質としては、高分子有機材料を
媒体とする高分子電解質が好ましく用いられ、例えば、
ゼラチン、寒天、ポリアクリルアミド、ポリビニルアル
コール、汎用のカチオンおよびアニオン交換樹脂やこれ
らの混合物を媒体とし、これにイオンキャリアーとして
支持塩と必要ならば水分を含むものが用いられる。
【００１７】また、固体電解質としては、例えば、Ｈ+
- ＷＯ3 系、Ｎａ+ −β- Ａｌ2 Ｏ 3 系、Ｋ+ - ＺｎＯ
系、ＰｂＣｌ2 ／ＫＣｌ，ＳｎＣｌ2 などの無酸化物の
他、ゼラチン、寒天、ポリビニルアルコール、汎用のカ
チオン交換樹脂やアニオン交換樹脂などの高分子化合物
の媒体中にイオンキャリアーとして塩を含ませてなる高
分子電解質も用いることができる。
- ＷＯ3 系、Ｎａ+ −β- Ａｌ2 Ｏ 3 系、Ｋ+ - ＺｎＯ
系、ＰｂＣｌ2 ／ＫＣｌ，ＳｎＣｌ2 などの無酸化物の
他、ゼラチン、寒天、ポリビニルアルコール、汎用のカ
チオン交換樹脂やアニオン交換樹脂などの高分子化合物
の媒体中にイオンキャリアーとして塩を含ませてなる高
分子電解質も用いることができる。
【００１８】なお、上記実施例では、２電極系の例を挙
げたが、必要ならば第３の電極要素として参照電極を含
んでいてもよく、この場合、参照電極は、イオン導電性
電解質中に挿入される。この際、参照極と作用極もしく
は透明電極との間に、外部から電圧が印加されていても
よい。３極構成のセルにおいて、電流の計測装置を含む
外部回路のセットアップとして有用なものの１つとして
定電位電解装置（ポテンシオスタット）が挙げられる。
げたが、必要ならば第３の電極要素として参照電極を含
んでいてもよく、この場合、参照電極は、イオン導電性
電解質中に挿入される。この際、参照極と作用極もしく
は透明電極との間に、外部から電圧が印加されていても
よい。３極構成のセルにおいて、電流の計測装置を含む
外部回路のセットアップとして有用なものの１つとして
定電位電解装置（ポテンシオスタット）が挙げられる。
【００１９】第３の電極を用いる場合には、好ましいも
のは、銀／塩化銀電極、塩化水銀電極もしくは飽和カロ
メル電極であるが、素子の形状の微小化のためには、銀
／塩化銀電極が好ましく用いられる。これら、対極、参
照電極の形状は薄膜もしくは基板の形態でもよいし、微
小なプローブの形状でもよい。この応答プロフィール
は、数千回の露光に対しても減衰することなく再現でき
た。バンドパスフィルターを用いて光源を分光すること
によって、応答の分光スペクトルを測定した結果、約４
００ｎｍから７００ｎｍの可視光全域で強い応答が得ら
れた。
のは、銀／塩化銀電極、塩化水銀電極もしくは飽和カロ
メル電極であるが、素子の形状の微小化のためには、銀
／塩化銀電極が好ましく用いられる。これら、対極、参
照電極の形状は薄膜もしくは基板の形態でもよいし、微
小なプローブの形状でもよい。この応答プロフィール
は、数千回の露光に対しても減衰することなく再現でき
た。バンドパスフィルターを用いて光源を分光すること
によって、応答の分光スペクトルを測定した結果、約４
００ｎｍから７００ｎｍの可視光全域で強い応答が得ら
れた。
【００２０】また、立ち上がりの応答速度は２０μｓ以
下と高速である。このように、本発明の高感度受光素子
は、光の変化を迅速に電気信号に変換する機能を有し、
光センサー、光スイッチ、人工網膜など工学的に有用な
素子として構成可能である。なお、高感度受光素子の外
部回路には増幅器等を付加して増幅する等の波形処理を
施すようにすることは必要に応じて適宜実施することが
できる。
下と高速である。このように、本発明の高感度受光素子
は、光の変化を迅速に電気信号に変換する機能を有し、
光センサー、光スイッチ、人工網膜など工学的に有用な
素子として構成可能である。なお、高感度受光素子の外
部回路には増幅器等を付加して増幅する等の波形処理を
施すようにすることは必要に応じて適宜実施することが
できる。
【００２１】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （Ａ）応答速度が速く、しかも安定性に優れた高感度受
光素子を提供することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （Ａ）応答速度が速く、しかも安定性に優れた高感度受
光素子を提供することができる。
【００２３】（Ｂ）光の変化を迅速に電気信号に変換す
ることができる。その場合、出力される光電流の方向を
作用極としてのシリコン基板をｎ形かｐ形の選択によっ
て変更することができる。 （Ｃ）光センサー、光スイッチ、人工網膜など工学的に
有用な素子として構成可能である。
ることができる。その場合、出力される光電流の方向を
作用極としてのシリコン基板をｎ形かｐ形の選択によっ
て変更することができる。 （Ｃ）光センサー、光スイッチ、人工網膜など工学的に
有用な素子として構成可能である。
【図１】本発明の実施例を示す高感度受光素子の構成図
である。
である。
【図２】本発明の実施例を示すｎ形シリコン基板を使用
した高感度受光素子の応答パターンを示す図である。
した高感度受光素子の応答パターンを示す図である。
【図３】従来の受光素子の応答パターンを示す図であ
る。
る。
１ 透明電極 ２ イオン導電性電解質 ３ シリコン電極（シリコン基板）（作用極） ４ 抵抗 ５ アース ６，７ 出力端子 ８ オシロスコープ
Claims (6)
- 【請求項１】（ａ）透明電極と、（ｂ）イオン導電性電
解質と、（ｃ）半導体電極とを備え、（ｄ）光量変化に
対して時間微分型の光電応答を出力することを特徴とす
る高感度受光素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の高感度受光素子におい
て、前記半導体電極がシリコンであることを特徴とする
高感度受光素子。 - 【請求項３】 請求項２記載の高感度受光素子におい
て、前記シリコンがｎ形シリコンであることを特徴とす
る高感度受光素子。 - 【請求項４】 請求項２記載の高感度受光素子におい
て、前記シリコンがｐ形シリコンであることを特徴とす
る高感度受光素子。 - 【請求項５】 請求項１記載の高感度受光素子におい
て、前記イオン導電性電解質が固体電解質であることを
特徴とする高感度受光素子。 - 【請求項６】 請求項１記載の高感度受光素子におい
て、立ち上がりの応答速度が２０μｓ以下の高速である
ことを特徴とする高感度受光素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19402397A JP3783351B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 高感度受光素子 |
| US09/114,137 US6087651A (en) | 1997-07-18 | 1998-07-13 | Highly sensitive light reception element |
| EP98305669A EP0892412B1 (en) | 1997-07-18 | 1998-07-16 | Photoelectrochemical cell with a high response speed |
| DE69831535T DE69831535T2 (de) | 1997-07-18 | 1998-07-16 | Photoelektrochemische Zelle mit hoher Ansprechgeschwindigkeit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19402397A JP3783351B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 高感度受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1137838A true JPH1137838A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3783351B2 JP3783351B2 (ja) | 2006-06-07 |
Family
ID=16317666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19402397A Expired - Fee Related JP3783351B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 高感度受光素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6087651A (ja) |
| EP (1) | EP0892412B1 (ja) |
| JP (1) | JP3783351B2 (ja) |
| DE (1) | DE69831535T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6740807B2 (en) | 2000-09-27 | 2004-05-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-receiving device and image sensor |
| JPWO2004079311A1 (ja) * | 2003-03-07 | 2006-06-08 | 富士通株式会社 | 電磁放射線センサ及びその製造方法 |
| JP2010040783A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Sony Corp | 光電変換装置及び光電変換素子 |
| JP2010232683A (ja) * | 2010-07-05 | 2010-10-14 | Sony Corp | 光電変換装置及び光電変換素子 |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
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| US8121444B2 (en) * | 2009-04-24 | 2012-02-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optically and electrically actuatable devices |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4119840A (en) * | 1976-03-31 | 1978-10-10 | Xerox Corporation | Fast acting gain photocurrent device |
| US4764439A (en) * | 1982-12-20 | 1988-08-16 | Sera Solar Corporation | Photoelectrochemical cell |
| JPH0378978A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 光電気化学電池の製造方法 |
| JPH03205520A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-09-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子 |
| JP3546085B2 (ja) * | 1994-07-19 | 2004-07-21 | 昭和電工株式会社 | 湿式太陽電池およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-07-18 JP JP19402397A patent/JP3783351B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
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