JPH11354267A - 高周波加熱装置 - Google Patents

高周波加熱装置

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JPH11354267A
JPH11354267A JP16183098A JP16183098A JPH11354267A JP H11354267 A JPH11354267 A JP H11354267A JP 16183098 A JP16183098 A JP 16183098A JP 16183098 A JP16183098 A JP 16183098A JP H11354267 A JPH11354267 A JP H11354267A
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JP
Japan
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dielectric layer
heating chamber
heating
dielectric
heated
Prior art date
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Pending
Application number
JP16183098A
Other languages
English (en)
Inventor
Akiyoshi Fukumoto
明美 福本
Tomotaka Nobue
等隆 信江
Tomoko Tani
谷  知子
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波加熱装置において、被加熱物に応じた
マイクロ波分布を加熱室内に発生させることにより、被
加熱物の加熱むらをなくすこと。 【解決手段】 加熱室13内に、マイクロ波を放射する
給電口18と、被加熱物を載置するターンテーブル14
と、加熱室13壁面付近に設けた誘電体層16と、誘電
体層16を支える誘電体層保持部17を備え、誘電体層
保持部17により誘電体層16の設置位置を選択するこ
とにより、マイクロ波の分布を変化させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、食品等の被加熱物
を加熱する高周波加熱装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の高周波加熱装置を図を用いて説明
する。図7は高周波加熱装置の概略構成図である。1は
高周波加熱装置本体、2はマイクロ波を発生するマグネ
トロン、3はマグネトロンから発生したマイクロ波を導
く導波管、4は食品等被加熱物を収容する加熱室、5は
被加熱物を載置するターンテーブルである。
【0003】食品を加熱する場合は、ターンテーブルに
食品を載置し、食品に含まれる水分がマイクロ波を吸収
し、自己発熱することを利用する。
【0004】従来の高周波加熱装置の加熱室内では、高
周波発生手段から加熱室内へ放射されたマイクロ波は定
在波を発生し、マイクロ波の分布は均一になりにくい。
そこで、マイクロ波の分布や食品に照射されるマイクロ
波を均一にしたり変化させるために、ターンテーブルを
回転させたり、加熱室壁面に凹凸を付ける方法などが採
用されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術において、ターンテーブルを回転させる方法は、タ
ーンテーブル中央付近のマイクロ波の分布密度は小さ
く、逆に周囲近辺はマイクロ波の分布密度が大きくな
り、食品に加熱むらが生じてしまうという問題点があっ
た。
【0006】また、加熱室壁面に凹凸を付ける方法は、
マイクロ波を乱反射し、マイクロ波の分布を変化させる
ことができるが、分布を故意に変化させることができな
いため、食品を選択的に加熱することは非常に困難であ
る。
【0007】本発明はこのような課題を解決するもので
あり、加熱室内に生じるマイクロ波の分布を変化させて
食品等の被加熱物に応じたマイクロ波の分布を発生さ
せ、加熱むらをなくす高周波加熱装置を提供することを
目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明は、加熱室内に装着する誘電体層と、前記誘
電体層の設置位置を選択できる誘電体層保持部を備える
ものである。
【0009】そして、誘電体層の設置位置を選択するこ
とによって加熱室内のマイクロ波の分布を変化させるこ
とができる。
【0010】これにより、被加熱物に応じたマイクロ波
の分布を選択して加熱むらをなくすことができる。
【0011】
【発明の実施の形態】請求項1記載の発明は、加熱室内
に装着する誘電体層と、前記誘電体層の設置位置を選択
できる誘電体層保持部を備える。
【0012】そして、誘電体層の設置位置を選択するこ
とによって加熱室内のマイクロ波の分布を選択的に変化
させることができ、これにより、被加熱物の加熱むらを
なくすことができる。
【0013】請求項2記載の発明は、誘電体層保持部は
複数の誘電体層を設置できる構成を有する。
【0014】そして、加熱室内に複数の誘電体層を設置
することによって加熱室内のマイクロ波の分布を変化さ
せることができる。
【0015】これにより、被加熱物の加熱むらをなくす
ことができる。請求項3記載の発明は、誘電体層保持部
は複数の誘電体層の設置間隔を選択できる構成を有す
る。
【0016】そして、加熱室内に設置する複数の誘電体
層の間隔を選択することによって加熱室内のマイクロ波
の分布を変化させることができる。
【0017】これにより、被加熱物の加熱むらをなくす
ことができる。請求項4記載の発明は、複数の誘電体層
は比誘電率が互いに異なる構成を有する。
【0018】そして、誘電体層保持部に異なる比誘電率
の複数の誘電体層を選択設置することによって加熱室内
のマイクロ波の分布を変化させることができる。
【0019】これにより、被加熱部の加熱むらをなくす
ことができる。請求項5記載の発明は、複数の誘電体層
は板厚が互いに異なる構成を有する。
【0020】そして、誘電体層保持部に異なる板厚の複
数の誘電体層を選択設置することによって加熱室内のマ
イクロ波の分布を変化させることができる。
【0021】これにより、被加熱物の加熱むらをなくす
ことができる。
【0022】
【実施例】以下、本発明の実施例について添付図面を用
いて説明する。
【0023】(実施例1)図1は、本発明の第1の実施
例を示す高周波加熱装置の概略構成図、図2は図1の要
部の概略図である。図1および図2において、10は高
周波加熱装置本体、11はマイクロ波を発生するマグネ
トロン(高周波発生手段)、12はマグネトロン11か
らのマイクロ波を導く導波管、13は被加熱物を収容す
る加熱室であり、壁面は金属板で囲まれている。14は
被加熱物を載置するターンテーブル、15はターンテー
ブル14を回転駆動するモータである。16は誘電体層
で、17は誘電体層16を支える誘電体層保持部であ
る。誘電体層16には突起部161を設けている。ま
た、誘電体層保持部17には誘電体層16の突起部16
1のはめ込み孔17aを設けている。このはめ込み孔1
7aは複数個設けてあり、誘電体層16の設置位置を選
択できる。18はマグネトロンから発生したマイクロ波
を加熱室13内に放射する給電口である。19は制御部
であり、マグネトロン11やモータ15を制御する。
【0024】次に、上記構成において動作を説明する。
高周波加熱する場合は、ターンテーブル14上に食品等
の被加熱物を置く。加熱するときは加熱スイッチ等の信
号を受けて、制御部19はマグネトロン11からマイク
ロ波を発生させる。発生したマイクロ波は導波管12を
伝搬し、給電口18から加熱室13内に放射される。こ
のとき、ターンテーブル14は停止していても回転して
もかまわない。
【0025】加熱室13へ放射されたマイクロ波の一部
は誘電体層16を透過し、一部は反射する。誘電体層1
6にて反射したマイクロ波はターンテーブル14上の被
加熱物に吸収され、被加熱物を発熱させる。被加熱物に
吸収されなかったマイクロ波は、加熱室13内の全ての
壁面で反射されて再度誘電体層16へ入射する。そして
再度透過、反射を繰り返す。一方、誘電体層16を透過
したマイクロ波は、誘電体層16に近い側の(壁面13
aを含む側)の加熱室13の壁面で反射して、再び誘電
体層16に入射する。誘電体層16によりマイクロ波は
再び透過と反射を繰り返す。誘電体層16を透過したマ
イクロ波の一部はターンテーブル14上の被加熱物を発
熱させる。
【0026】被加熱物はマイクロ波の分布密度の大きい
部分から発熱しやすく、マイクロ波の分布密度が小さく
なるに従って発熱しにくくなる。誘電体層16によって
生じるマイクロ波の反射および透過により、被加熱物へ
入射するマイクロ波の伝搬経路を多重化できる。
【0027】これにより、加熱室内のマイクロ波の分布
密度は変化し、被加熱物の発熱場所が変化するため被加
熱物の加熱むらは減少する。
【0028】本実施例で誘電体層の設置位置を加熱室奥
から25mm、30mmに変化させたときの高周波加熱
装置の加熱室内の電界強度分布の実験結果を(表1)に
示す。単位はdBで、20dB以上と0dB以下を着色
している。ここで、(表1)は加熱室底面の4分の1の
面積相当を示している。
【0029】
【表1】
【0030】以上のように誘電体層の設置位置を変化さ
せることにより、電界強度分布が変化した。
【0031】これにより、加熱室内のマイクロ波の分布
を変化させ、被加熱物の加熱むらをなくすことができ
る。
【0032】なお、この実施例では誘電体層16は加熱
室13内の天井部と底面部に設けられた誘電体層保持部
17の孔17aに突起部161をはめ込むことにより固
定、保持させているが、誘電体層16は加熱室13内で
あれば奥面でもよいし、天井部あるいは底面に設けても
かまわない。また、誘電体層16の突起部161は複数
であってもかまわない。また、誘電体層保持部17に溝
を設け、溝に誘電体層16をはめ込んで設置位置を変え
る構成にしてもかまわない。加熱室13内に設置する誘
電体層は一枚でも複数枚でもかまわない。
【0033】(実施例2)次に、本発明の第2の実施例
について説明する。図3は本発明の第2の実施例を示す
高周波加熱装置の概略構成図である。
【0034】本発明の実施例2と実施例1の相違点を説
明する。図3において、誘電体層保持部20は加熱室1
3に複数の誘電体層16a、16bを設置することがで
きる保持部構成としている。
【0035】加熱室13へ放射されたマイクロ波の一部
はまず誘電体層16aを透過し、一部は反射する。誘電
体層16aにて反射されたマイクロ波の一部はターンテ
ーブル14上の被加熱物に吸収され、被加熱物を発熱さ
せる。誘電体層16aを透過したマイクロ波の一部は誘
電体層16bを透過し、一部は反射する。誘電体層16
bで反射したマイクロ波は誘電体層16aと誘電体層1
6bの間において加熱室13内の金属壁面では完全反射
されるが、誘電体層16a、16bでは透過、反射とい
う作用がおこる。また、誘電体層16bを透過したマイ
クロ波は、誘電体層16bに近い側(壁面13aを含む
側)の加熱室13の全ての壁面で反射して、再度誘電体
層16bに入射し、透過、反射を繰り返す。
【0036】複数の誘電体層を設置することにより、誘
電体層16a、16bでのマイクロ波の透過、反射の状
態は、誘電体層を設置しない場合や誘電体層を一枚のみ
設置した場合とは異なる。そのため、加熱室13内のマ
イクロ波の伝搬経路は複雑になり、マイクロ波の分布密
度を変化させることができる。
【0037】この実施例の場合、誘電体層保持部20は
一対のみ設けられているが、複数対設けてもかまわな
い。
【0038】本実施例で誘電体層を一枚設置したときと
二枚設置したときの電界強度分布の実験結果を(表2)
に示す。
【0039】
【表2】
【0040】以上のように複数の誘電体層を設置するこ
とにより、電界強度分布は変化した。
【0041】これにより、被加熱物に応じた誘電体層の
設置枚数を選択することにより、加熱室内のマイクロ波
の分布を変化させ、被加熱物の加熱むらをなくすことが
できる。
【0042】(実施例3)次に、本発明の第3の実施例
について説明する。図4は本発明の第3の実施例を示す
高周波加熱装置の概略構成図である。
【0043】本発明の実施例3と実施例2の相違点を説
明する。図4において、誘電体層保持部21は加熱室1
3に設置する複数の誘電体層16a、16bの設置間隔
Gを変えることができる保持部構成としている。
【0044】誘電体層の設置間隔Gを選択することによ
り、誘電体層16a、16bの間を伝搬するマイクロ波
は、各誘電体層16a、16bの層面での透過、反射と
間隔Gを形成する加熱室13の壁面での反射とによっ
て、マイクロ波の伝搬方向が変化し、加熱室13内のマ
イクロ波の伝搬経路は複雑になり、マイクロ波の分布密
度を変化させることができる。
【0045】この実施例では誘電体層は一対しか図示し
ていないが、複数対設置してもかまわない。
【0046】本実施例において、加熱室内に設置する誘
電体層の間隔が0mmのときと20mmのときの加熱室
内の電界強度分布の実験結果を(表3)に示す。
【0047】
【表3】
【0048】以上のように、誘電体層の設置間隔を変え
ることにより、加熱室内の電界強度分布は変化した。
【0049】これにより、被加熱物に応じた誘電体層の
設置間隔を選択することにより、加熱室内のマイクロ波
の分布を変化させ、被加熱物の加熱むらをなくすことが
できる。
【0050】(実施例4)次に、本発明の第4の実施例
について説明する。図5は本発明の第4の実施例を示す
高周波加熱装置の概略構成図である。
【0051】本発明の実施例4と実施例3の相違点を説
明する。図5において、誘電体層保持部22は互いに比
誘電率が異なる複数の誘電体層16c、16dを保持し
た構成としている。
【0052】誘電体層16c、16dの比誘電率が異な
ると、同じ比誘電率を有する誘電体層を設置する場合と
比べて、マイクロ波が誘電体層16c、16dを透過す
る割合と反射する割合が変化するとともに透過後のマイ
クロ波伝搬経路が変化する。そのため、加熱室内に設置
する誘電体層の比誘電率により加熱室内の電界強度分布
は変化する。
【0053】本実施例において、比誘電率が3.46の
誘電体層または比誘電率が12.3の誘電体層を加熱室
内に装着したときの加熱室内の電界強度分布の実験結果
を(表4)に示す。
【0054】
【表4】
【0055】以上のように、誘電体層の比誘電率を異な
らしたことにより、加熱室内の電界強度分布は変化し
た。
【0056】一例として、被加熱物をパンとした場合、
パンは外部よりも内部の方が昇温しやすい性質を有して
いる。パンを温める場合には、はじめに比誘電率12.
3の誘電体層を設置して加熱室の中央付近のマイクロ波
の分布密度を小さくしてパンの周囲を温めておき、その
後比誘電率3.46の誘電体層を設置して加熱室を全体
的に温めるようにする。
【0057】これにより、被加熱物に応じた誘電体層の
比誘電率を選択することにより、被加熱物に最適なマイ
クロ波の分布を加熱室内に生じさせ、被加熱物の加熱む
らをなくすことができる。
【0058】(実施例5)次に、本発明の第5の実施例
について説明する。図6は本発明の第5の実施例を示す
高周波加熱装置の概略構成図である。
【0059】本発明の実施例5と実施例4の相違点を説
明する。図6において、誘電体層保持部23は突起部2
5によって板厚の異なる誘電体層24a、24bを保持
できる構成としている。誘電体層保持部23は板厚の薄
い誘電体層24aを設置するときは突起部25の間隔を
短くし、板厚の厚い誘電体層24bを設置するときは突
起部25の間隔を長くすることによって固定、保持す
る。この実施例の場合、誘電体層は間隔をもたせて配設
しているが、複数枚の誘電体層を密着させた板でもかま
わない。
【0060】比誘電率が同じでも、板厚が変化すると異
なる電界分布を発生させることができる。
【0061】本実施例の場合、比誘電率が同じで、板厚
が1.27mmのときと6.2mmの誘電体層を加熱室
内に設置したときの加熱室の電界強度分布を(表5)に
示す。
【0062】
【表5】
【0063】以上のように、誘電体層の板厚を変化させ
ることにより、同じ誘電率の誘電体層で異なる電界分布
を発生させることができた。
【0064】一例として冷凍薄切り肉を解凍する場合、
従来の高周波加熱装置では冷凍薄切り肉のパック中央部
は厚さがないため加熱されて変色するが、周囲は厚さが
あるため解凍されない。本実施例の場合、板厚6.2m
mの誘電体層を設置して冷凍薄切り肉の中央部にマイク
ロ波が集中しないようにしておき、その後板厚1.27
mmの誘電体層を設置して全体を解凍するようにする。
【0065】これにより、被加熱物に応じて板厚を選択
することにより被加熱物に最適なマイクロ波の分布を加
熱室内に形成させ、被加熱物の加熱むらをなくすことが
できる。
【0066】なお、誘電体層は低誘電損失の材料から構
成している。また、上記した各実施例は相互に組み合わ
せて実施することができる。
【0067】
【発明の効果】以上のように、請求項1記載の発明によ
れば、加熱室内に装着する誘電体層と、前記誘電体層の
設置位置を選択できる誘電体層保持部を備える。
【0068】そして、誘電体層の介在に伴うマイクロ波
の伝搬経路を多重化させるとともに誘電体層の設置位置
を選択することによってマイクロ波の伝搬経路を選択変
化させ、被加熱物に応じた最適なマイクロ波分布を加熱
室内に生じさせることができる。
【0069】これにより、被加熱物の加熱むらをなくす
ことができる。また、請求項2記載の発明によれば、誘
電体層保持部は複数の誘電体層を設置できる構成を有す
る。
【0070】そして、加熱室内に複数の誘電体層を設置
することによって加熱室内のマイクロ波の分布を変化さ
せることができる。
【0071】これにより、被加熱物の加熱むらをなくす
ことができる。また、請求項3記載の発明によれば、誘
電体層保持部は複数の誘電体層の設置間隔を選択できる
構成を有する。
【0072】そして、加熱室内に設置する複数の誘電体
層の間隔を選択することによって加熱室内のマイクロ波
の分布を変化させることができる。
【0073】これにより、被加熱物の加熱むらをなくす
ことができる。また、請求項4記載の発明によれば、複
数の誘電体層は比誘電率が互いに異なる構成を有する。
【0074】そして、誘電体層保持部に異なる比誘電率
の複数の誘電体層を選択設置することによって加熱室内
のマイクロ波の分布を変化させることができる。
【0075】これにより、被加熱部の加熱むらをなくす
ことができる。また、請求項5記載の発明によれば、複
数の誘電体層は板厚が互いに異なる構成を有する。
【0076】そして、誘電体層保持部に異なる板厚の複
数の誘電体層を選択設置することによって加熱室内のマ
イクロ波の分布を変化させることができる。
【0077】これにより、被加熱物の加熱むらをなくす
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す高周波加熱装置の
概略構成図
【図2】同高周波加熱装置の誘電体層の透視斜視図
【図3】本発明の第2の実施例を示す高周波加熱装置の
概略構成図
【図4】本発明の第3の実施例を示す高周波加熱装置の
概略構成図
【図5】本発明の第4の実施例を示す高周波加熱装置の
概略構成図
【図6】本発明の第5の実施例を示す高周波加熱装置の
概略構成図
【図7】従来の高周波加熱装置の概略構成図
【符号の説明】
11 マグネトロン(高周波発生手段) 12 導波管 13 加熱室 16、16a、16b、16c、16d、23a、23
b、24a、24b誘電体層 17、20、21、22、23、27 誘電体層保持部 17a、20a はめ込み孔 18 給電部 19 制御部 25、161 突起部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被加熱物を収容する加熱室と、前記加熱
    室内に放射する高周波を発生する高周波発生手段と、前
    記加熱室内に装着する誘電体層と、前記誘電体層の設置
    位置を選択できる誘電体層保持部を備えた高周波加熱装
    置。
  2. 【請求項2】 誘電体層保持部は、複数の誘電体層を設
    置できる構成とした請求項1記載の高周波加熱装置。
  3. 【請求項3】 誘電体層保持部は、複数の誘電体層の設
    置間隔を選択できる構成とした請求項2記載の高周波加
    熱装置。
  4. 【請求項4】 複数の誘電体層は、その比誘電率を互い
    に異なる構成とした請求項2または3記載の高周波加熱
    装置。
  5. 【請求項5】 複数の誘電体層は、その板厚を互いに異
    なる構成とした請求項2〜4のいずれか1項に記載の高
    周波加熱装置。
JP16183098A 1998-06-10 1998-06-10 高周波加熱装置 Pending JPH11354267A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002327983A (ja) * 2001-05-01 2002-11-15 Anzai Setsu マイクロ波乾燥装置
JP2005315487A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波加熱方法及びその装置
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WO2018168194A1 (ja) * 2017-03-13 2018-09-20 富士通株式会社 マイクロ波加熱装置、及び、マイクロ波加熱装置の制御方法

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