JPH11352230A - Ｘ線画像検出装置 - Google Patents
Ｘ線画像検出装置Info
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- JPH11352230A JPH11352230A JP10155946A JP15594698A JPH11352230A JP H11352230 A JPH11352230 A JP H11352230A JP 10155946 A JP10155946 A JP 10155946A JP 15594698 A JP15594698 A JP 15594698A JP H11352230 A JPH11352230 A JP H11352230A
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Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光量調節を可能とした薄型で高感度かつ高Ｓ
／ＮのＸ線画像検出装置を提供する。 【解決手段】 Ｘ線を吸収して蛍光を発する蛍光体１０
１と、この蛍光による光画像を伝送するＦＯＰ１０２
と、蛍光画像を検出する二次元固体撮像素子１０３を有
するＸ線画像検出装置において、ＦＯＰ１０２と撮像素
子１０３との間に、ＥＣ膜２０２と固体電解質層２０３
とを透明導電膜２０１、２０４で挟んで構成された光量
調整手段２００を配置している。この光量調整手段の導
電膜２０１、２０４間に電圧を印加すると、ＥＣ膜２０
２は内部の化学反応によって透過率が変化する。これに
より、撮像素子１０３に入射する蛍光画像の光量を変え
ることができる。
／ＮのＸ線画像検出装置を提供する。 【解決手段】 Ｘ線を吸収して蛍光を発する蛍光体１０
１と、この蛍光による光画像を伝送するＦＯＰ１０２
と、蛍光画像を検出する二次元固体撮像素子１０３を有
するＸ線画像検出装置において、ＦＯＰ１０２と撮像素
子１０３との間に、ＥＣ膜２０２と固体電解質層２０３
とを透明導電膜２０１、２０４で挟んで構成された光量
調整手段２００を配置している。この光量調整手段の導
電膜２０１、２０４間に電圧を印加すると、ＥＣ膜２０
２は内部の化学反応によって透過率が変化する。これに
より、撮像素子１０３に入射する蛍光画像の光量を変え
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被検体を透過した
Ｘ線透過画像を検出するＸ線画像検出装置に関し、特に
蛍光体と二次元固体撮像素子を利用したＸ線画像検出装
置に関する。
Ｘ線透過画像を検出するＸ線画像検出装置に関し、特に
蛍光体と二次元固体撮像素子を利用したＸ線画像検出装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】医療用のＸ線画像撮影では、近年、Ｘ線
フィルムに代えて、Ｘ線イメージインテンシファイアと
ＴＶカメラを組み合わせたものや、二次元固体撮像素子
を利用したＸ線画像検出装置が使用されている。
フィルムに代えて、Ｘ線イメージインテンシファイアと
ＴＶカメラを組み合わせたものや、二次元固体撮像素子
を利用したＸ線画像検出装置が使用されている。
【０００３】このうち二次元固体撮像素子を利用したＸ
線画像検出装置は、小型化、薄型化、大面積化が図れる
ことから、歯科用や胸部撮影、マンモグラフィーなどの
分野で利用されている。このうち、マンモグラフィーに
おいては、５０〜１００μｍという微小石灰質を検出す
る必要があるため、高Ｓ／Ｎ画像の検出が必要とされ
る。
線画像検出装置は、小型化、薄型化、大面積化が図れる
ことから、歯科用や胸部撮影、マンモグラフィーなどの
分野で利用されている。このうち、マンモグラフィーに
おいては、５０〜１００μｍという微小石灰質を検出す
る必要があるため、高Ｓ／Ｎ画像の検出が必要とされ
る。
【０００４】Ｘ線画像のＳ／Ｎ比を向上させるために
は、照射Ｘ線量を増やす必要があるが、照射Ｘ線に応じ
て蛍光体から発せられる光量も増大するため、画面の明
るい部分では、撮像素子の電荷が飽和してしまうことが
ある。しかし、飽和しない程度の光量となるよう照射Ｘ
線を減らすと、今度は、暗い部分が検出限界以下とな
り、検出特性が劣化してしまう。このため、高感度と高
Ｓ／Ｎを両立させることが難しかった。
は、照射Ｘ線量を増やす必要があるが、照射Ｘ線に応じ
て蛍光体から発せられる光量も増大するため、画面の明
るい部分では、撮像素子の電荷が飽和してしまうことが
ある。しかし、飽和しない程度の光量となるよう照射Ｘ
線を減らすと、今度は、暗い部分が検出限界以下とな
り、検出特性が劣化してしまう。このため、高感度と高
Ｓ／Ｎを両立させることが難しかった。
【０００５】こうした問題点を解決した技術として、特
開平８−２１１５１８号に開示されている技術がある。
この技術は、図７に示されるように、二次元固体撮像素
子１０３の受光面上に、偏光フィルタ２０６と、電極と
なる透明導電膜２０１、２０４ではさみ込んだ液晶層２
０５とを積層して構成した光量調整層２００を配置し、
その上にＸ線を吸収して蛍光を発する蛍光体１０１を配
置したものである。
開平８−２１１５１８号に開示されている技術がある。
この技術は、図７に示されるように、二次元固体撮像素
子１０３の受光面上に、偏光フィルタ２０６と、電極と
なる透明導電膜２０１、２０４ではさみ込んだ液晶層２
０５とを積層して構成した光量調整層２００を配置し、
その上にＸ線を吸収して蛍光を発する蛍光体１０１を配
置したものである。
【０００６】透明導電膜２０１、２０４間に印加される
電圧を変えて液晶の透過率を制御することにより、暗い
部分についても検出に十分な光量を透過させつつ、明る
い部分でも撮像素子に蓄積される電荷が飽和しないよう
にすることができる。したがって、高感度と高Ｓ／Ｎを
両立させることができる。
電圧を変えて液晶の透過率を制御することにより、暗い
部分についても検出に十分な光量を透過させつつ、明る
い部分でも撮像素子に蓄積される電荷が飽和しないよう
にすることができる。したがって、高感度と高Ｓ／Ｎを
両立させることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この調整層２
００では、液晶層２０５と偏光フィルタ２０６を必要と
することから、厚みが増し、薄型化が困難で、蛍光体１
０１から発せられた光が二次元固体撮像素子１０３に到
達するまでに広がってしまい、解像度を低下させる。さ
らに、この調整層２００では、透過率を最高にした場合
でも蛍光体で発せられた光のうち１／３程度しか透過し
ないため、感度が低下してしまう。
００では、液晶層２０５と偏光フィルタ２０６を必要と
することから、厚みが増し、薄型化が困難で、蛍光体１
０１から発せられた光が二次元固体撮像素子１０３に到
達するまでに広がってしまい、解像度を低下させる。さ
らに、この調整層２００では、透過率を最高にした場合
でも蛍光体で発せられた光のうち１／３程度しか透過し
ないため、感度が低下してしまう。
【０００８】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みて、
光量調節を可能とした薄型で高感度かつ高Ｓ／ＮのＸ線
画像検出装置を提供することを課題とする。
光量調節を可能とした薄型で高感度かつ高Ｓ／ＮのＸ線
画像検出装置を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のＸ線画像検出装置は、Ｘ線吸収に応じて蛍
光を発する蛍光体を、この蛍光による画像を検出する二
次元固体撮像素子の光入射面側に配置しているＸ線画像
検出装置において、蛍光体と二次元固体撮像素子の間
に、２枚の透明電極膜に挟まれたエレクトロクロミック
膜からなる光量調整手段を備えていることを特徴とす
る。
め、本発明のＸ線画像検出装置は、Ｘ線吸収に応じて蛍
光を発する蛍光体を、この蛍光による画像を検出する二
次元固体撮像素子の光入射面側に配置しているＸ線画像
検出装置において、蛍光体と二次元固体撮像素子の間
に、２枚の透明電極膜に挟まれたエレクトロクロミック
膜からなる光量調整手段を備えていることを特徴とす
る。
【００１０】エレクトロクロミック膜は、安定状態では
高い透過率を有するが、電圧印加により内部の化学反応
により透過率が低下する。この透過率は、印加電圧およ
び印加時間により決まり、さらに電圧印加を停止した後
も透過率が保たれるメモリ性を有するという特徴があ
る。さらに、このエレクトロクロミック膜は数μｍ程度
に薄型化可能である。このようなエレクトロクロミック
膜を光量調整手段に用いることにより、光量調整手段が
薄型となり、解像度低下を最小限に抑えることができ
る。さらに、幅広い範囲でその透過率が調整されるの
で、光量調整が容易である。
高い透過率を有するが、電圧印加により内部の化学反応
により透過率が低下する。この透過率は、印加電圧およ
び印加時間により決まり、さらに電圧印加を停止した後
も透過率が保たれるメモリ性を有するという特徴があ
る。さらに、このエレクトロクロミック膜は数μｍ程度
に薄型化可能である。このようなエレクトロクロミック
膜を光量調整手段に用いることにより、光量調整手段が
薄型となり、解像度低下を最小限に抑えることができ
る。さらに、幅広い範囲でその透過率が調整されるの
で、光量調整が容易である。
【００１１】さらに、この光量調整手段と蛍光体あるい
は二次元固体撮像素子との間にファイバ光学プレートを
備えていてもよい。これによれば、蛍光体から発した光
が固体撮像素子に導かれる。また、ファイバ光学プレー
トにより不要なＸ線が吸収されノイズを減らすことがで
きる。
は二次元固体撮像素子との間にファイバ光学プレートを
備えていてもよい。これによれば、蛍光体から発した光
が固体撮像素子に導かれる。また、ファイバ光学プレー
トにより不要なＸ線が吸収されノイズを減らすことがで
きる。
【００１２】また、光量調整手段は、エレクトロクロミ
ック膜と前記透明電極膜の一方との間にエレクトロクロ
ミック膜にイオンを供給する固体電解質層をさらに備え
ていることが好ましい。これによれば、固体電解質層か
らエレクトロクロミック膜の透過率変化を引き起こす化
学反応に寄与するイオンを供給するので、安定して化学
反応が引き起こされ、透過率が安定して調整される。
ック膜と前記透明電極膜の一方との間にエレクトロクロ
ミック膜にイオンを供給する固体電解質層をさらに備え
ていることが好ましい。これによれば、固体電解質層か
らエレクトロクロミック膜の透過率変化を引き起こす化
学反応に寄与するイオンを供給するので、安定して化学
反応が引き起こされ、透過率が安定して調整される。
【００１３】また、蛍光体は、放射線透過性基板上に形
成されており、放射線透過性基板とともに透明な有機膜
からなる保護膜に覆われていてもよい。これによれば、
蛍光体が吸湿性の場合でも吸湿による劣化が防止され
る。
成されており、放射線透過性基板とともに透明な有機膜
からなる保護膜に覆われていてもよい。これによれば、
蛍光体が吸湿性の場合でも吸湿による劣化が防止され
る。
【００１４】本発明のＸ線画像検出装置は、対象物にＸ
線を照射して得られるＸ線透過画像を撮像する装置に特
に好適である。
線を照射して得られるＸ線透過画像を撮像する装置に特
に好適である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の好適な実施の形態について説明する。なお、説明の理
解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に
対しては可能な限り同一の参照番号を附し、重複する説
明は省略する。
の好適な実施の形態について説明する。なお、説明の理
解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に
対しては可能な限り同一の参照番号を附し、重複する説
明は省略する。
【００１６】図１に、本発明に係るＸ線画像撮像装置の
好適な第１の実施形態の概略断面構成図を示す。図１に
示されるように、このＸ線画像撮像装置は、ＣＣＤ（Ch
argeCoupled Device）、ＭＯＳ（Metal Oxide Semicond
uctor）型などで構成され、光電変換を行う画素を二次
元に配列した二次元固体撮像素子１０３の光入射面上に
入射面側から、Ｘ線を吸収して蛍光を発する蛍光体１０
１と、複数の光ファイバを束ねてプレート状に形成し、
ここで発せられた蛍光を導くファイバ光学プレート（Ｆ
ＯＰ）１０２と、導かれた光の透過光量を調製する光量
調整手段２００が積層されて構成されている。このう
ち、光量調整手段２００は、透明導電膜Ａ、Ｂ２０１、
２０４の間に、電圧を印加することで透過率を調整でき
るＷＯ3などからなるエレクトロクロミック膜（ＥＣ
膜）２０２と、このＥＣ膜に反応用のイオンを供給する
ＴｉＯ5などからなる固体電解質層２０３を積層した構
造になっている。そして、各透明導電膜Ａ、Ｂ２０１、
２０４には、電源２０７からそれぞれへの印加電圧を切
り換える切り換えスイッチ２０６が接続されている。こ
の光量調整手段２００は、全体でもその厚さは数μｍ程
度の厚さで製作することができる。したがって、Ｘ線画
像撮影装置自体の厚さに比べれば無視できるレベルであ
り、装置が厚くなることがないので光の伝達に伴う解像
度の低下を最小限に抑えることができる。
好適な第１の実施形態の概略断面構成図を示す。図１に
示されるように、このＸ線画像撮像装置は、ＣＣＤ（Ch
argeCoupled Device）、ＭＯＳ（Metal Oxide Semicond
uctor）型などで構成され、光電変換を行う画素を二次
元に配列した二次元固体撮像素子１０３の光入射面上に
入射面側から、Ｘ線を吸収して蛍光を発する蛍光体１０
１と、複数の光ファイバを束ねてプレート状に形成し、
ここで発せられた蛍光を導くファイバ光学プレート（Ｆ
ＯＰ）１０２と、導かれた光の透過光量を調製する光量
調整手段２００が積層されて構成されている。このう
ち、光量調整手段２００は、透明導電膜Ａ、Ｂ２０１、
２０４の間に、電圧を印加することで透過率を調整でき
るＷＯ3などからなるエレクトロクロミック膜（ＥＣ
膜）２０２と、このＥＣ膜に反応用のイオンを供給する
ＴｉＯ5などからなる固体電解質層２０３を積層した構
造になっている。そして、各透明導電膜Ａ、Ｂ２０１、
２０４には、電源２０７からそれぞれへの印加電圧を切
り換える切り換えスイッチ２０６が接続されている。こ
の光量調整手段２００は、全体でもその厚さは数μｍ程
度の厚さで製作することができる。したがって、Ｘ線画
像撮影装置自体の厚さに比べれば無視できるレベルであ
り、装置が厚くなることがないので光の伝達に伴う解像
度の低下を最小限に抑えることができる。
【００１７】次に、本実施形態の動作を図１、図２を参
照して説明する。図２は、ＥＣ膜に電圧を印加した場合
のその透過率の時間変化を示したグラフである。
照して説明する。図２は、ＥＣ膜に電圧を印加した場合
のその透過率の時間変化を示したグラフである。
【００１８】まず、図１に示される第１の実施形態のＸ
線画像撮像装置に、入射面方向に二次元的な空間分布を
有するＸ線が入射すると、蛍光体１は、この入射Ｘ線を
吸収して蛍光を発する。この蛍光による画像は、入射し
たＸ線による画像に相当するものとなる。こうして生成
された蛍光は、ＦＯＰ１０２により光量調整手段２００
に導かれる。
線画像撮像装置に、入射面方向に二次元的な空間分布を
有するＸ線が入射すると、蛍光体１は、この入射Ｘ線を
吸収して蛍光を発する。この蛍光による画像は、入射し
たＸ線による画像に相当するものとなる。こうして生成
された蛍光は、ＦＯＰ１０２により光量調整手段２００
に導かれる。
【００１９】ここで、透明導電膜ＡとＢ２０１、２０４
間に電圧が印加される前の状態では、図２に示されるよ
うにＥＣ膜２０２に入射した光の約８０％が透過し、固
体電解質層２０３、透明導電膜Ｂ２０４を通過して、二
次元固体撮像素子１０３に入射し、各画素において入射
光に応じた電荷が生成される。この結果、入射した光画
像、つまりＸ線透過画像に対応する画像電気信号が生成
される。
間に電圧が印加される前の状態では、図２に示されるよ
うにＥＣ膜２０２に入射した光の約８０％が透過し、固
体電解質層２０３、透明導電膜Ｂ２０４を通過して、二
次元固体撮像素子１０３に入射し、各画素において入射
光に応じた電荷が生成される。この結果、入射した光画
像、つまりＸ線透過画像に対応する画像電気信号が生成
される。
【００２０】次に、図１に示される切り換えスイッチ２
０６をＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’で接続して透明導電膜ＡとＢ
２０１、２０４間に１．５Ｖの電圧を印加すると、ＥＣ
膜２０２の透過率は、図２に示されるように時間ととも
に減少していく。このとき、途中で電圧印加を停止す
る、つまり、図１に示される切り換えスイッチ２０６を
開放すると、図２の線Ａ〜Ｄに示されるように、その開
放された時点での透過率が保持される。これがＥＣ膜の
メモリ効果である。この透過率減少は、以下の反応によ
り起こる。
０６をＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’で接続して透明導電膜ＡとＢ
２０１、２０４間に１．５Ｖの電圧を印加すると、ＥＣ
膜２０２の透過率は、図２に示されるように時間ととも
に減少していく。このとき、途中で電圧印加を停止す
る、つまり、図１に示される切り換えスイッチ２０６を
開放すると、図２の線Ａ〜Ｄに示されるように、その開
放された時点での透過率が保持される。これがＥＣ膜の
メモリ効果である。この透過率減少は、以下の反応によ
り起こる。
【００２１】 ＷＯ3＋ｘＨ+＋ｘｅ- → ＨxＷＯ3 …（１） つまり、ＥＣ膜２０２中の透明の酸化タングステンが電
解質層２０３から供給されるプロトンと電子により還元
されて、青色のタングステンブロンズが生成されること
による。電圧の印加を停止しても生成された青色のタン
グステンブロンズは簡単には酸化されないので、設定し
た透明度で保持することが容易である。この結果、ＥＣ
膜２０２の透過率を最低で１５％程度まで下げることが
できる。つまり、１５〜８０％という広い透過率範囲で
の調整が可能である。したがって、例えば、医療用の用
途、マンモグラフィー等に用いた場合には、Ｘ線量を極
端に増加させる必要がなく、患者のＸ線被爆量が低減さ
れる。
解質層２０３から供給されるプロトンと電子により還元
されて、青色のタングステンブロンズが生成されること
による。電圧の印加を停止しても生成された青色のタン
グステンブロンズは簡単には酸化されないので、設定し
た透明度で保持することが容易である。この結果、ＥＣ
膜２０２の透過率を最低で１５％程度まで下げることが
できる。つまり、１５〜８０％という広い透過率範囲で
の調整が可能である。したがって、例えば、医療用の用
途、マンモグラフィー等に用いた場合には、Ｘ線量を極
端に増加させる必要がなく、患者のＸ線被爆量が低減さ
れる。
【００２２】逆に、図１に示される切り換えスイッチ２
０６をＡ−Ｂ’、Ｂ−Ａ’と交叉接続して透明導電膜Ａ
とＢ２０１、２０４間に透過率減少時とは逆に−１．５
Ｖの電圧を印加すると、図２の曲線Ｅで示されるよう
に、透過率が増大する。これは、（１）式とは逆に、青
色のタングステンブロンズが酸化して透明の酸化タング
ステンが生成される反応が起こることによる。このよう
に、透明導電膜Ａ・Ｂ２０１、２０４間に印加する電圧
を制御することで容易にＥＣ膜２０２を所望の透過率に
調整することが可能である。
０６をＡ−Ｂ’、Ｂ−Ａ’と交叉接続して透明導電膜Ａ
とＢ２０１、２０４間に透過率減少時とは逆に−１．５
Ｖの電圧を印加すると、図２の曲線Ｅで示されるよう
に、透過率が増大する。これは、（１）式とは逆に、青
色のタングステンブロンズが酸化して透明の酸化タング
ステンが生成される反応が起こることによる。このよう
に、透明導電膜Ａ・Ｂ２０１、２０４間に印加する電圧
を制御することで容易にＥＣ膜２０２を所望の透過率に
調整することが可能である。
【００２３】こうして所望の透過率に調整されたＥＣ膜
２０２を透過する光は、所望の光量に抑えられている。
この光は、二次元固体撮像素子１０３に入射して、二次
元の光量分布に対応する電気信号に変換される。このと
き、光量が抑えられているので、各画素に蓄積される電
荷が飽和してしまうことがない。この結果、飽和時に電
荷が隣の画素に流れ込むことによって起こるブルーミン
グ現象を防止することができる。また、透過率を所定の
レベルに調整することで、入射Ｘ線量の少ない領域につ
いても検出に十分なレベルの光量を透過させて、二次元
固体撮像素子１０３で検出することができる。したがっ
て、高感度と高Ｓ／Ｎを両立させることが可能である。
２０２を透過する光は、所望の光量に抑えられている。
この光は、二次元固体撮像素子１０３に入射して、二次
元の光量分布に対応する電気信号に変換される。このと
き、光量が抑えられているので、各画素に蓄積される電
荷が飽和してしまうことがない。この結果、飽和時に電
荷が隣の画素に流れ込むことによって起こるブルーミン
グ現象を防止することができる。また、透過率を所定の
レベルに調整することで、入射Ｘ線量の少ない領域につ
いても検出に十分なレベルの光量を透過させて、二次元
固体撮像素子１０３で検出することができる。したがっ
て、高感度と高Ｓ／Ｎを両立させることが可能である。
【００２４】ＦＯＰ１０２により蛍光体１０１で発生し
た蛍光は、蛍光体の位置に応じた位置の二次元撮像素子
１０３に入射するように導かれるので、解像度の劣化を
抑えることができる。さらに、ＦＯＰ１０２は、蛍光体
１０１で吸収されなかったＸ線を吸収することで、二次
元固体撮像素子１０３で発生するＸ線によるノイズを抑
制するとともに、反射、透過等による患者の被爆を抑え
る働きもある。特に、口腔内に挿入される歯科医療用途
の装置では、被爆量を抑えるため、ＦＯＰ１０２のファ
イバに鉛を混入することが好ましい。
た蛍光は、蛍光体の位置に応じた位置の二次元撮像素子
１０３に入射するように導かれるので、解像度の劣化を
抑えることができる。さらに、ＦＯＰ１０２は、蛍光体
１０１で吸収されなかったＸ線を吸収することで、二次
元固体撮像素子１０３で発生するＸ線によるノイズを抑
制するとともに、反射、透過等による患者の被爆を抑え
る働きもある。特に、口腔内に挿入される歯科医療用途
の装置では、被爆量を抑えるため、ＦＯＰ１０２のファ
イバに鉛を混入することが好ましい。
【００２５】図３は、本発明の第２の実施形態を示す概
略断面図である。以下、説明を簡単にするため、光量調
整手段２００を一つの層として示す。この実施形態で
は、光量調整層２００をＦＯＰ１０２と蛍光体１０１の
間に設けている。この場合は、調整された光がＦＯＰ１
０２を経て二次元固体撮像素子１０３に導かれる。この
実施形態でも第１の実施形態と同様に光量の調整が容易
である。
略断面図である。以下、説明を簡単にするため、光量調
整手段２００を一つの層として示す。この実施形態で
は、光量調整層２００をＦＯＰ１０２と蛍光体１０１の
間に設けている。この場合は、調整された光がＦＯＰ１
０２を経て二次元固体撮像素子１０３に導かれる。この
実施形態でも第１の実施形態と同様に光量の調整が容易
である。
【００２６】図４は、本発明の第３の実施形態を示す概
略断面図である。この実施形態では、ＦＯＰ１０２をな
くし、蛍光体１０１と二次元固体撮像素子１０３の間に
直接光量調整層２００を配置している。この場合は、さ
らに装置全体を薄型にすることができる。
略断面図である。この実施形態では、ＦＯＰ１０２をな
くし、蛍光体１０１と二次元固体撮像素子１０３の間に
直接光量調整層２００を配置している。この場合は、さ
らに装置全体を薄型にすることができる。
【００２７】また、蛍光体１０１としてＣｓＩのような
吸湿性材料を用いる場合は、蛍光体１０１と光量調整層
２００を直接接触させると、蛍光体１０１が吸湿により
特性が劣化するおそれがある。したがって、図５、図６
に示されるように、アルミなどの放射線透過基板１０４
上に蛍光体１０１を形成し、これをパリレン等の透明の
有機膜等からなる耐湿保護膜１０５で覆った上で、光量
調整層２００上に配置することが好ましい。ここで、図
５は、前述の図３に示す第２の実施形態の変形であり、
図６は、図４に示す第３の実施形態の変形に当たる。
吸湿性材料を用いる場合は、蛍光体１０１と光量調整層
２００を直接接触させると、蛍光体１０１が吸湿により
特性が劣化するおそれがある。したがって、図５、図６
に示されるように、アルミなどの放射線透過基板１０４
上に蛍光体１０１を形成し、これをパリレン等の透明の
有機膜等からなる耐湿保護膜１０５で覆った上で、光量
調整層２００上に配置することが好ましい。ここで、図
５は、前述の図３に示す第２の実施形態の変形であり、
図６は、図４に示す第３の実施形態の変形に当たる。
【００２８】以上の説明では、ＥＣ膜２０２にイオンを
供給する固体電解質層２０３を密接配置している場合に
ついて説明したが、この電解質層２０３は必ずしも設け
る必要はない。しかし、安定して透過率を変化させるた
めには、配置することが好ましい。
供給する固体電解質層２０３を密接配置している場合に
ついて説明したが、この電解質層２０３は必ずしも設け
る必要はない。しかし、安定して透過率を変化させるた
めには、配置することが好ましい。
【００２９】ＥＣ膜２０２、電解質層２０３の材料とし
ては各種の材料が知られており、いずれの材料でも用い
ることができる。
ては各種の材料が知られており、いずれの材料でも用い
ることができる。
【００３０】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
ＥＣ膜を光量調整に用いることにより、広い透過率範囲
で光量調整が行える薄型の光量調整手段を付加したＸ線
画像撮像装置が得られる。
ＥＣ膜を光量調整に用いることにより、広い透過率範囲
で光量調整が行える薄型の光量調整手段を付加したＸ線
画像撮像装置が得られる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す概略断面図であ
る。
る。
【図２】図１の実施形態のＥＣ膜の透過率の時間変化を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明の第２の実施形態を示す概略断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の第３の実施形態を示す概略断面図であ
る。
る。
【図５】図３の実施形態の変形を示す概略断面図であ
る。
る。
【図６】図４の実施形態の変形を示す概略断面図であ
る。
る。
【図７】従来のＸ線画像撮像装置を示す概略断面図であ
る。
る。
１０１…蛍光体、１０２…ＦＯＰ、１０３…二次元固体
撮像素子、１０４…放射線透過性基板、１０５…耐湿保
護膜、２００…光量調整手段、２０１…透明誘電膜Ａ、
２０２…ＥＣ膜、２０３…固体電解質膜、２０４…透明
誘電膜Ｂ。
撮像素子、１０４…放射線透過性基板、１０５…耐湿保
護膜、２００…光量調整手段、２０１…透明誘電膜Ａ、
２０２…ＥＣ膜、２０３…固体電解質膜、２０４…透明
誘電膜Ｂ。
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｘ線吸収に応じて蛍光を発する蛍光体
を、前記蛍光による画像を検出する二次元固体撮像素子
の光入射面側に配置しているＸ線画像検出装置におい
て、 前記蛍光体と前記二次元固体撮像素子の間に、２枚の透
明電極膜に挟まれたエレクトロクロミック膜からなる光
量調整手段を備えていることを特徴とするＸ線画像検出
装置。 - 【請求項２】 前記光量調整手段と前記蛍光体あるいは
前記二次元固体撮像素子との間にファイバ光学プレート
を備えていることを特徴とする請求項１記載のＸ線画像
検出装置。 - 【請求項３】 前記光量調整手段は、前記エレクトロク
ロミック膜と前記透明電極膜の一方との間に前記エレク
トロクロミック膜にイオンを供給する固体電解質層をさ
らに備えていることを特徴とする請求項１記載のＸ線画
像検出装置。 - 【請求項４】 前記蛍光体は、放射線透過性基板上に形
成されており、前記放射線透過性基板とともに透明な有
機膜からなる保護膜に覆われていることを特徴とする請
求項１記載のＸ線画像検出装置。 - 【請求項５】 前記Ｘ線画像検出装置は、対象物にＸ線
を照射して得られるＸ線透過画像を撮像することを特徴
とする請求項１〜４のいずれかに記載のＸ線画像検出装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10155946A JPH11352230A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | Ｘ線画像検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10155946A JPH11352230A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | Ｘ線画像検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11352230A true JPH11352230A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15616989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10155946A Pending JPH11352230A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | Ｘ線画像検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11352230A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001051951A1 (fr) * | 2000-01-13 | 2001-07-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Capteur d'image radiologique et panneau de scintillateur |
| JP2002022840A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-23 | Shimadzu Corp | Ｘ線ｃｃｄカメラ |
| US6867418B2 (en) | 2000-01-13 | 2005-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image sensor and scintillator panel |
| EP1763230A1 (en) | 2005-08-31 | 2007-03-14 | E2V Technologies (UK) Limited | Image sensor |
| WO2011111843A1 (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | 国立大学法人 千葉大学 | 表示装置 |
| KR101115404B1 (ko) * | 2009-03-06 | 2012-02-16 | (주)세현 | 엑스레이 검출장치 |
| WO2013046916A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮影装置 |
| JP2018502300A (ja) * | 2014-12-30 | 2018-01-25 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Ｘ線検出器アセンブリ |
| WO2020135989A3 (de) * | 2018-12-27 | 2020-08-20 | Intom GmbH | Röntgendetektorvorrichtung, glaskörper zur abschirmung optischer detektormittel einer werkstückvermessungsvorrichtung sowie röntgentomographisches werkstückvermessungssystem |
| WO2022009297A1 (ja) * | 2020-07-07 | 2022-01-13 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
| JP2022121736A (ja) * | 2018-11-06 | 2022-08-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
| US11953631B2 (en) | 2017-09-27 | 2024-04-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, and radiation detector |
-
1998
- 1998-06-04 JP JP10155946A patent/JPH11352230A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6867418B2 (en) | 2000-01-13 | 2005-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image sensor and scintillator panel |
| US6891164B2 (en) | 2000-01-13 | 2005-05-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image sensor and scintillator panel |
| US7064335B2 (en) | 2000-01-13 | 2006-06-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image sensor and scintillator panel |
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| EP1763230A1 (en) | 2005-08-31 | 2007-03-14 | E2V Technologies (UK) Limited | Image sensor |
| US7566876B2 (en) | 2005-08-31 | 2009-07-28 | E2V Technologies (Uk) Limited | Image sensor |
| KR101115404B1 (ko) * | 2009-03-06 | 2012-02-16 | (주)세현 | 엑스레이 검출장치 |
| JP5761673B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2015-08-12 | 国立大学法人 千葉大学 | 表示装置 |
| WO2011111843A1 (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | 国立大学法人 千葉大学 | 表示装置 |
| JP2017016138A (ja) * | 2010-03-11 | 2017-01-19 | 国立大学法人 千葉大学 | 表示装置 |
| US10295882B2 (en) | 2010-03-11 | 2019-05-21 | National University Corporation Chiba University | Display device |
| WO2013046916A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮影装置 |
| JP2018502300A (ja) * | 2014-12-30 | 2018-01-25 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Ｘ線検出器アセンブリ |
| EP3241041A4 (en) * | 2014-12-30 | 2018-09-05 | General Electric Company | X-ray detector assembly |
| US11953631B2 (en) | 2017-09-27 | 2024-04-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, and radiation detector |
| JP2022121736A (ja) * | 2018-11-06 | 2022-08-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
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