JPH11340753A - Arithmetic amplifier - Google Patents

Arithmetic amplifier

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JPH11340753A
JPH11340753A JP4188499A JP4188499A JPH11340753A JP H11340753 A JPH11340753 A JP H11340753A JP 4188499 A JP4188499 A JP 4188499A JP 4188499 A JP4188499 A JP 4188499A JP H11340753 A JPH11340753 A JP H11340753A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a through-rate or settling in the step response of an operation amplifier without changing the circuit constitution of the operation amplifier by providing an active element whose resistance value is made variable and a difference controlling means for changing the resistance value of the active element based on the difference of the input of the arithmetic amplifying means. SOLUTION: This arithmetic amplifier is provided with an active element (nMOS transistor M20) whose resistance value is made variable and a difference controlling means (differential stage of a block 13) for changing the resistance value of the active element based on the difference of the inputs of an arithmetic amplifying means. The difference controlling means detects a differential voltage between the input voltage and output voltage of operation amplifiers 10-12, and converts it into currents, and the currents are transmitted by the current mirror circuits of MOS transistors M13-M18. The transmitted currents are converted into a voltage by using an MOS transistor M19 whose gate and drain are short-circuited as load resistance, and a voltage converted as a value based on a difference between the input voltage and output voltage of the operating amplifier is added to the gate of an nMOS transistor M20.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は演算増幅器に係わ
り、特に信号を増幅する演算増幅器に関するものであ
る。
The present invention relates to an operational amplifier, and more particularly, to an operational amplifier for amplifying a signal.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6は従来の演算増幅器(以後オペアン
プと言う)の構成例を示す回路構成図である。図6に示
すオペアンプは、いわゆる folded-cascode タイプと呼
ばれるもので、同図中ブロック10は入力差動段、ブロ
ック11はゲート接地回路を含む電圧増幅段、ブロック
12は出力バッファー段を表わしている。また、M1,
M2,M5〜M8はnMOSトランジスタ、M3,M
4,M9,M10はpMOSトランジスタであり、I1
〜I5はトランジスタのバイアス設定用定電流源、C1
は位相補償容量、C2は出力端子4に付く負荷容量、V
1はゲート接地トランジスタM5,M6のゲートバイア
スを与える電圧源である。端子1は電源端子、2は正極
性入力端子、3は負極性入力端子、4は出力端子をそれ
ぞれ示している。出力端子4と負極性入力端子3を短絡
すると、このオペアンプは電圧フォロワーとして動作す
る。
2. Description of the Related Art FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional operational amplifier (hereinafter referred to as an operational amplifier). The operational amplifier shown in FIG. 6 is a so-called folded-cascode type. In FIG. 6, a block 10 represents an input differential stage, a block 11 represents a voltage amplifying stage including a grounded gate circuit, and a block 12 represents an output buffer stage. . Also, M1,
M2, M5 to M8 are nMOS transistors, M3, M
4, M9 and M10 are pMOS transistors, and I1
To I5 are constant current sources for setting the bias of the transistor, C1
Is the phase compensation capacitance, C2 is the load capacitance attached to the output terminal 4, V
Reference numeral 1 denotes a voltage source that applies a gate bias to the common-gate transistors M5 and M6. Terminal 1 is a power supply terminal, 2 is a positive input terminal, 3 is a negative input terminal, and 4 is an output terminal. When the output terminal 4 and the negative input terminal 3 are short-circuited, this operational amplifier operates as a voltage follower.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】このようなオペアンプ
を用いてCCD等のセンサーに代表される各種信号源か
らの出力を増幅する際、要求されるオペアンプの特性は
低ランダムノイズ、高速性、高安定性、低消費電力、高
精度(高オープンループゲイン)などである。
When such an operational amplifier is used to amplify the output from various signal sources typified by a sensor such as a CCD, the characteristics of the operational amplifier require low random noise, high speed, and high performance. Stability, low power consumption, high accuracy (high open loop gain), etc.

【0004】ランダムノイズに関しては、直接信号のS
/N比やダイナミックレンジに影響を与えるので、それ
を抑制することは重要である。高精細な映像信号を扱う
CCDセンサーの信号出力をデジタル処理すべく、ステ
ップ状に変化するセンサー出力をサンプリングすること
を要求される場合には、オペアンプのステップ応答出力
は入力に応じてすばやく変化し、かつ最終的な値にすぐ
に落ち着くことが求められる。こういう時は、高速性、
高安定性が重要となる。またオペアンプを図6の例のよ
うに電圧フォロワーとして使用した場合、その出力電圧
の精度はオペアンプのオープンループゲインに比例する
ため高精度出力を求めるにはオペアンプのオープンルー
プゲインはある程度高くすることが求められる。例えば
映像を扱う製品にはバッテリー駆動のものが多いため製
品の動作可能時間を長くする必要がある。こういう時は
低消費電力化が重要である。
With respect to random noise, the direct signal S
Since it affects the / N ratio and the dynamic range, it is important to suppress it. If it is required to sample the sensor output that changes stepwise in order to digitally process the signal output of the CCD sensor that handles high-definition video signals, the step response output of the operational amplifier changes quickly according to the input. And quickly settle to the final value. In such a case, high speed,
High stability is important. When the operational amplifier is used as a voltage follower as in the example of FIG. 6, the accuracy of the output voltage is proportional to the open loop gain of the operational amplifier. Desired. For example, many products that handle images are battery-powered, so it is necessary to extend the operable time of the product. In such a case, low power consumption is important.

【0005】しかしながら、以上説明したオペアンプに
要求される各性能は、以下に説明するように互いにトレ
ードオフの関係がある。
However, the performances required for the above-described operational amplifiers have a trade-off relationship with each other as described below.

【0006】図6に示すオペアンプにおいて発生するラ
ンダムノイズは、いわゆる1/f(fは周波数)特性を
示すフリッカーノイズと、MOSトランジスタのチャネ
ル抵抗等によるサーマルノイズがあり、その主な発生源
は入力MOSトランジスタM1,M2である。特に広帯
域アンプで影響が大きいものが、ノイズの大きさに周波
数依存性のないサーマルノイズである。ゲート入力で、
ノイズ電圧源として換算した場合、サーマルノイズの大
きさVは下記式(1)のようになる。
The random noise generated in the operational amplifier shown in FIG. 6 includes flicker noise having a so-called 1 / f (f is frequency) characteristic and thermal noise due to channel resistance of a MOS transistor and the like. These are the MOS transistors M1 and M2. Particularly, a broadband amplifier has a large influence on thermal noise having no frequency dependence in the magnitude of the noise. With the gate input,
When converted as a noise voltage source, the magnitude V of the thermal noise is represented by the following equation (1).

【0007】[0007]

【数1】 (1)式から明らかなようにこのサーマルノイズはトラ
ンジスタの相互コンダクタンスgm に反比例する。
(Equation 1) (1) the thermal noise as is clear from equation is inversely proportional to the transconductance g m of the transistor.

【0008】一方、図6のオペアンプのオープンループ
電圧ゲインの低周波数領域での値はgmiL と表わせ
る。ここでgmiは入力MOSトランジスタM1,M2の
相互コンダクタンス、RL は図6中の点Aのインピーダ
ンスである。さらにこのオペアンプのオープンループ電
圧ゲインの周波数特性図を図7に示す。ここでωP1は第
1のポール、ωP2は第2のポールを表わし、通常ωP1
位相補償容量C1と図6の点AのインピーダンスRL
値で決定され、ωP2は出力MOSトランジスタM8,M
10の合成出力インピーダンスと負荷容量C2の値で決
定される。
On the other hand, the value of the open loop voltage gain of the operational amplifier in FIG. 6 in a low frequency region can be expressed as g mi RL . Here, g mi is the mutual conductance of the input MOS transistors M1 and M2, and R L is the impedance at point A in FIG. FIG. 7 shows a frequency characteristic diagram of the open loop voltage gain of the operational amplifier. Here, ω P1 represents a first pole, ω P2 represents a second pole, and usually ω P1 is determined by the value of the phase compensation capacitance C1 and the impedance RL of the point A in FIG. 6, and ω P2 is an output MOS transistor. M8, M
It is determined by the value of the combined output impedance of 10 and the load capacitance C2.

【0009】アンプの安定性を示すセトリングタイム
(オプアンプにステップ入力が与えられた場合、オぺア
ンプの出力がそれに応じて変化し最終的に落ち着く値の
±0.1%、あるいは±0.01%に達するまでの時
間)は、周波数ωP2におけるオープンループゲインの大
きさに依存し、その大きさが0db以下で、より小さい
ほどステップ応答でのリンギングが小さくなるのでセト
リングタイムは短かくなる。負荷容量C2の大きさは通
常思いどおりに小さくできないことが多いので、周波数
ωP2をより高い周波数へ移動させるには出力トランジス
タM8,M9のgmを大きくすることが求められ、それ
には出力トランジスタM8,M9のゲート幅Wとゲート
長Lの比(W/L)を大きくし、そのドレイン電流を大
きくすればよい。しかし、W/Lを大きくするのは半導
体チップの占有面積が増加するためコストアップにつな
がる。またドレイン電流の増加は当然消費電流の増加に
つながる。よって、ωP2はあまり高周波側へは移動でき
ないのが実情である。
Settling time indicating the stability of the amplifier (when a step input is given to the op-amp, the output of the op-amp changes accordingly and finally becomes ± 0.1% or ± 0.01% of the settled value). %) Depends on the magnitude of the open loop gain at the frequency ω P2 , and is less than or equal to 0 db. The smaller the magnitude is, the smaller the ringing in the step response becomes, so that the settling time becomes shorter. Since often the size of the load capacitance C2 can not be reduced to the normal way you want, it is required that the moving frequency omega P2 to a higher frequency to increase the g m of the output transistor M8, M9, the output transistor is in it The ratio (W / L) of the gate width W and the gate length L of M8 and M9 may be increased to increase the drain current. However, increasing the W / L leads to an increase in cost because the area occupied by the semiconductor chip increases. Also, an increase in drain current naturally leads to an increase in current consumption. Therefore, ω P2 cannot actually move to the high frequency side.

【0010】したがって、アンプの安定性を増すには周
波数ωP1の位置を低周波数側へ移動させるか、オープン
ループゲイン自体を小さくすることになる。しかし、ω
P1を低周波数側へ移動させるには位相補償容量を大きく
することが求められるが、それはアンプの高速性を示す
スルーレートの低下につながる。
Therefore, in order to increase the stability of the amplifier, the position of the frequency ω P1 is moved to the lower frequency side, or the open loop gain itself is reduced. But ω
To move P1 to the lower frequency side, it is necessary to increase the phase compensation capacitance, but that leads to a decrease in the slew rate, which indicates the high speed of the amplifier.

【0011】したがって、残された方法はオープンルー
プゲインを小さくすることであり、それには入力トラン
ジスタのgm を小さくすることが求められる。しかしな
がら、入力トランジスタのgm は前述したようにランダ
ムノイズに直接関与するため小さくできないという相反
する状況が生まれてしまう。
Therefore, the remaining method is to reduce the open-loop gain, which requires a reduction in the input transistor g m . However, g m of the input transistor is thus created a conflicting situation that can not be reduced to participate directly in a random noise as described above.

【0012】本発明の目的は、上記の従来トレードオフ
の関係にあった、要求される性能の両立を図ることがで
きる演算増幅器を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an operational amplifier capable of achieving both required performance and the conventional trade-off relationship.

【0013】本発明の別の目的は、リンギングが抑制さ
れ且つスルーレートが向上した高安定で高速な動作を行
う演算増幅器を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide an operational amplifier which suppresses ringing and has a high slew rate and performs a high-speed operation at high stability.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段および作用】本発明の第1
の演算増幅器は、位相補償容量を有する演算増幅手段
と、該位相補償容量に直列に接続された、抵抗値が可変
となる能動素子と、該演算増幅手段の入力の差に基づい
て、該能動素子の抵抗値を変える差動制御手段と、を有
することを特徴とする。
Means and Functions for Solving the Problems The first aspect of the present invention is as follows.
The operational amplifier includes an operational amplifier having a phase compensation capacitor, an active element connected in series with the phase compensation capacitor and having a variable resistance value, and the active amplifier based on a difference between inputs of the operational amplifier. And differential control means for changing the resistance value of the element.

【0015】また、本発明の第2の演算増幅器は、上記
第1の演算増幅器において、前記差動制御手段は、その
差動入力にオフセットが与えられ、前記演算増幅手段の
2つの入力の間にオフセット値以上の差があるときは前
記能動素子の抵抗値を増大させ、前記演算増幅手段の2
つの入力の間の差が該オフセット値より小さくなったと
きは前記能動素子の抵抗値を低下するように制御してな
ることを特徴とする。
According to a second operational amplifier of the present invention, in the first operational amplifier, the differential control means has an offset applied to a differential input thereof, so that a differential input is provided between two inputs of the operational amplifier means. When there is a difference equal to or larger than the offset value, the resistance value of the active element is increased,
When the difference between the two inputs becomes smaller than the offset value, the resistance of the active element is controlled to decrease.

【0016】また、本発明の第3の演算増幅器は、上記
第1または第2の演算増幅器において、前記能動素子は
電界効果型トランジスタであり、前記差動制御手段の出
力は該電界効果型トランジスタのゲートと接続されてい
ることを特徴とする。
In a third operational amplifier according to the present invention, in the first or second operational amplifier, the active element is a field effect transistor, and the output of the differential control means is the field effect transistor. Are connected to the gates of the respective cells.

【0017】また、本発明の第4の演算増幅器は、上記
第1または第2の演算増幅器において、前記能動素子は
バイポーラトランジスタであり、前記差動制御手段の出
力は該バイポーラトランジスタのベースと接続されてい
ることを特徴とする。
According to a fourth operational amplifier of the present invention, in the first or second operational amplifier, the active element is a bipolar transistor, and an output of the differential control means is connected to a base of the bipolar transistor. It is characterized by having been done.

【0018】本発明は、例えば位相補償容量に直列に能
動素子を接続し、その抵抗を演算増幅手段の状態に応じ
て変化させるものである。例えば、ステップ応答におい
て、2つの入力の間の差が大きいときは位相補償容量に
直列に接続された能動素子の抵抗を大きくすることでス
ルーレートの低下を防ぎ、2つの入力の差が小さくなっ
たり、演算増幅手段が平衡状態に近くなったときには前
記能動素子の抵抗を小さくすることでωP1を低周波数側
に移動させアンプの安定性を増加させる。
According to the present invention, for example, an active element is connected in series with a phase compensation capacitor, and its resistance is changed according to the state of the operational amplifier. For example, when the difference between the two inputs is large in the step response, the resistance of the active element connected in series to the phase compensation capacitor is increased to prevent a decrease in the slew rate, and the difference between the two inputs is reduced. Or when the operational amplifier approaches an equilibrium state, the resistance of the active element is reduced to move ω P1 to a lower frequency side, thereby increasing the stability of the amplifier.

【0019】[0019]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0020】図1は本発明の構成の原理図で、OPは入
力信号を増幅する本来のオペアンプ、VRは可変抵抗特
性をもつ能動素子を表わし、差動制御手段としてのアン
プ13の出力を受けその出力に応じてその抵抗を変化さ
せる。C1はオペアンプOPに使われる位相補償容量で
ある。アンプ13は、可変抵抗素子VRの抵抗値を制御
するためオペアンプOPの正極性入力、負極性入力それ
ぞれの電圧の差を検出し、その差に基づいた出力をVR
へ供給する差動アンプである。アンプ13の差動入力に
はオフセットが与えられており、その極性は前述したよ
うに、オペアンプOPの出力電圧がその入力端子に与え
られた入力電圧に対してオフセット値以上のときは能動
素子の抵抗値を大きくし、オペアンプOPの出力電圧が
その入力端子に与えられた入力電圧に対してオフセット
値より小さくなったときは能動素子の抵抗値を小さくす
るように、設定されている。オフセット値はオペアンプ
OPのステップ応答におけるスルーレートとセトリング
を考慮してその最適値を決定する。
FIG. 1 is a diagram showing the principle of the configuration of the present invention. OP represents an original operational amplifier for amplifying an input signal, VR represents an active element having a variable resistance characteristic, and receives an output of an amplifier 13 as differential control means. The resistance is changed according to the output. C1 is a phase compensation capacitance used for the operational amplifier OP. The amplifier 13 detects a voltage difference between the positive input and the negative input of the operational amplifier OP to control the resistance value of the variable resistance element VR, and outputs an output based on the difference to the VR.
Differential amplifier to be supplied to the An offset is given to the differential input of the amplifier 13, and the polarity thereof is, as described above, when the output voltage of the operational amplifier OP is equal to or more than the offset value with respect to the input voltage applied to its input terminal. The resistance value is set so that the resistance value of the active element is reduced when the output voltage of the operational amplifier OP becomes smaller than the offset value with respect to the input voltage applied to its input terminal. The optimum offset value is determined in consideration of the slew rate and settling in the step response of the operational amplifier OP.

【0021】本発明に用いられる可変抵抗素子VRとな
る能動素子としては、電界効果トランジスタやバイポー
ラトランジスタが挙げられる。
The active element serving as the variable resistance element VR used in the present invention includes a field effect transistor and a bipolar transistor.

【0022】ここで、再び図6に示した従来のオプアン
プの動作を説明しつつ本発明の技術的背景について説明
する。
Here, the technical background of the present invention will be described while again explaining the operation of the conventional op-amp shown in FIG.

【0023】図6に示すオペアンプの負極性入力端子
(以降、(−)入力と記す)と出力端子を短絡した場
合、出力端子にはオペアンプの正極性入力端子(以降、
(+)入力と記す)に与えられた電圧とほぼ等しい電圧
が現われ、いわゆる“電圧フォロワー”となる。その電
圧フォロワーなどのように負帰還がかけられた状態で
(+)入力端子にステップ入力を与えた場合を例に挙げ
て説明する。
When the negative input terminal (hereinafter referred to as (-) input) and the output terminal of the operational amplifier shown in FIG. 6 are short-circuited, the positive input terminal of the operational amplifier (hereinafter, referred to as "-") is connected to the output terminal.
A voltage that is substantially equal to the voltage applied to the (+) input) appears, and becomes a so-called “voltage follower”. The case where a step input is applied to the (+) input terminal in a state where negative feedback is applied, such as a voltage follower, will be described as an example.

【0024】オペアンプのもつ最大スルーレートよりも
速い変化の入力を与えた場合、オペアンプの出力と入力
の関係は通常図2のようになる。時間軸におけるA〜B
の区間では、オペアンプ内部の信号を増幅するブロック
10の差動段やブロック11の電圧増幅段では差動対を
なすトランジスタのバランスがくずれ、MOSトランジ
スタM1のドレイン電流はほぼバイアス定電流源I3に
等しい値になりMOSトランジスタM2はほぼカットオ
フの状態になる。MOSトランジスタM1のドレイン電
流はゲート接地MOSトランジスタM5とカレントミラ
ー回路を構成するMOSトランジスタM3,M4を経て
位相補償容量C1の充電電流になる。この状態では図7
で説明した小信号動作時のゲインと安定性の関係は成立
せず、したがって位相補償がなくとも発振や安定性の悪
化ということは起らない。
When an input whose change is faster than the maximum slew rate of the operational amplifier is given, the relationship between the output and the input of the operational amplifier is usually as shown in FIG. AB on the time axis
In the section (1), the balance of transistors forming a differential pair in the differential stage of the block 10 for amplifying the signal inside the operational amplifier and the voltage amplifying stage of the block 11 is lost, and the drain current of the MOS transistor M1 is almost supplied to the bias constant current source I3. The values are equal, and MOS transistor M2 is almost cut off. The drain current of the MOS transistor M1 becomes a charging current for the phase compensation capacitor C1 via the MOS transistors M3 and M4 forming a current mirror circuit together with the common-gate MOS transistor M5. In this state, FIG.
The relationship between the gain and the stability at the time of the small signal operation described in (1) does not hold, so that the oscillation and the stability do not deteriorate even without the phase compensation.

【0025】さらに言えば、位相補償容量C1がなけれ
ば図6中の点Aの電圧は非常に速いスピードで上昇す
る。しかし図2での時刻B以降はオペアンプの出力は入
力電圧にかなり近づいているので図6でのブロック10
の差動段などはバランスした状態に半ば戻っているので
前述の小信号理論が成立し、図7に示す周波数ωP2での
オープンループゲインは0db以下になっていなければ
オペアンプの出力にリンギングが発生もしくは発振が起
ってしまう。したがって図2の時刻B以降ではある値以
上の位相補償容量が求められる。
Furthermore, if there is no phase compensation capacitance C1, the voltage at point A in FIG. 6 rises at a very high speed. However, after time B in FIG. 2, the output of the operational amplifier is very close to the input voltage.
Since the differential stage and the like have almost returned to a balanced state, the above-described small signal theory holds. If the open loop gain at the frequency ω P2 shown in FIG. 7 is not 0 dB or less, ringing occurs in the output of the operational amplifier. Generation or oscillation occurs. Therefore, after time B in FIG. 2, a phase compensation capacity of a certain value or more is required.

【0026】以上のことから、オペアンプのステップ応
答において、入力と出力の電圧差が大きいときは位相補
償容量はないほうが好ましく、入力と出力の電圧差があ
る値以下のとき(小信号動作理論が成立し、入力差動段
の差動対をなす入力トランジスタのバランスが大きくく
ずれていないとき)は、ある値(例えば図7のωP2での
ゲインが0dbとなるようなωP1を形成するための位相
補償容量)以上の位相補償容量が必要となる。
From the above, in the step response of the operational amplifier, it is preferable that the phase compensation capacitance is not provided when the voltage difference between the input and the output is large, and when the voltage difference between the input and the output is smaller than a certain value (the theory of small signal operation is This holds true, when the balance of the input transistors forming the differential pair of the input differential stage is not significantly disturbed, so as to form ω P1 such that the gain at ω P2 in FIG. 7 becomes 0 db. Phase compensation capacitance).

【0027】本発明においては、容量の値を実効的に変
化させるべく、位相補償容量に直列に可変抵抗を接続
し、その値を変化させることとした。位相補償容量に直
列接続される抵抗の値は、その値を無限大から0まで変
化できることが望ましいが、実際は0まで小さくしなく
てもある値以下であればその目的は達成できるので、こ
の可変させるべき抵抗をトランジスタ等の能動素子で構
成することが可能となる。この可変抵抗となるトランジ
スタがMOSトランジスタの場合はゲート、バイポーラ
トランジスタの場合はベースに与える電圧を変えること
でそのON抵抗を変えることができる。
In the present invention, in order to effectively change the value of the capacitance, a variable resistor is connected in series with the phase compensation capacitor, and the value is changed. It is desirable that the value of the resistor connected in series to the phase compensation capacitor can be changed from infinity to 0, but in practice the object can be achieved if the value is not more than a certain value without being reduced to 0. The resistance to be made can be constituted by an active element such as a transistor. The ON resistance can be changed by changing the voltage applied to the gate when the transistor serving as the variable resistor is a MOS transistor, and by changing the voltage applied to the base when the transistor is a bipolar transistor.

【0028】図3は本発明の一実施例を示す回路構成図
である。図3において、1は電源端子、2は正極性入力
端子、3は負極性入力端子、4は出力端子、I1〜I6
は各回路ブロックにてバイアス電流を与えるための定電
流源、C1は位相補償容量、V1はゲート接地トランジ
スタM5,M6のゲートバイアス電圧を与えるための定
電圧源、ブロック10は第1の入力差動段、ブロック1
1はゲート接地トランジスタを含む電圧増幅段、ブロッ
ク12は出力バッファー段、ブロック13は位相補償容
量C1に直列に接続された可変抵抗機能をもつトランジ
スタM20のON抵抗を制御するための第2の入力差動
段、ブロック14はブロック13の入力差動段からの出
力電流を受け電圧に変換するための負荷抵抗となるnM
OSトランジスタM19と、そのnMOSトランジスタ
M19で発生した電圧を受けてそのON抵抗が変化する
前記nMOSトランジスタM20と前記位相補償容量C
1とからなる回路段である。各ブロックにおいて、M
1,M2,M5〜M8,M11,M12,M17〜M2
0はnMOSトランジスタ、M3,M4,M9,M1
0,M13〜M16はpMOSトランジスタである。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. 3, 1 is a power supply terminal, 2 is a positive input terminal, 3 is a negative input terminal, 4 is an output terminal, I1 to I6.
Is a constant current source for supplying a bias current in each circuit block, C1 is a phase compensation capacitor, V1 is a constant voltage source for supplying a gate bias voltage of the common gate transistors M5 and M6, and block 10 is a first input differential. Moving stage, block 1
Reference numeral 1 denotes a voltage amplification stage including a common-gate transistor, block 12 denotes an output buffer stage, and block 13 denotes a second input for controlling the ON resistance of a transistor M20 having a variable resistance function and connected in series to the phase compensation capacitor C1. The differential stage, block 14, is a load resistor nM that converts the output current from the input differential stage of block 13 to a voltage.
An OS transistor M19, the nMOS transistor M20 whose ON resistance changes in response to a voltage generated by the nMOS transistor M19, and the phase compensation capacitor C
1 is a circuit stage. In each block, M
1, M2, M5 to M8, M11, M12, M17 to M2
0 is an nMOS transistor, M3, M4, M9, M1
0, M13 to M16 are pMOS transistors.

【0029】以下に上記回路の動作について説明する。The operation of the above circuit will be described below.

【0030】図3に示す回路では、可変抵抗となる能動
素子がnMOSトランジスタM20であり、ブロック1
3の差動段が差動制御手段となっており、ここでオペア
ンプ10,11,12の入力電圧と出力電圧の差を検出
し、その差電圧を電流に変換し、MOSトランジスタM
13〜M18のカレントミラー回路で電流を伝達する。
伝達された電流はゲート−ドレイン短絡のnMOSトラ
ンジスタM19を負荷抵抗として電圧に変換され、nM
OSトランジスタM20のゲートに、オペアンプの入力
電圧と出力電圧の差に基づいた値として、変換された電
圧が加わる。
In the circuit shown in FIG. 3, the active element serving as the variable resistor is the nMOS transistor M20, and the block 1
3 is a differential control means, which detects a difference between the input voltage and the output voltage of the operational amplifiers 10, 11, and 12, converts the difference voltage into a current, and
The current is transmitted by current mirror circuits 13 to M18.
The transmitted current is converted to a voltage by using the nMOS transistor M19 having the gate-drain short circuit as a load resistance,
The converted voltage is applied to the gate of the OS transistor M20 as a value based on the difference between the input voltage and the output voltage of the operational amplifier.

【0031】次に、前述の図2に示すオペアンプのステ
ップ応答において、出力電圧が入力電圧にどこまで近づ
いたところからnMOSトランジスタM20のON抵抗
を変化させ始めるかについて説明する。
Next, in the step response of the operational amplifier shown in FIG. 2, how the output voltage approaches the input voltage and from which the ON resistance of the nMOS transistor M20 starts to be changed will be described.

【0032】図2における時刻A〜時刻Cまでの区間は
nMOSトランジスタM20の抵抗はほぼ∞で、オペア
ンプのスルーレートは最大になり、時刻C〜時刻Bまで
の間はnMOSトランジスタM20のON抵抗は急激に
小さくなって、時刻B付近ではnMOSトランジスタM
20のON抵抗は充分小さくなって容量C1が位相補償
の機能をはたし、オペアンプの安定性が向上してオペア
ンプ出力はリンギングが発生することなくすみやかに入
力電圧に漸近することが望ましい。したがって、nMO
SトランジスタM20のON抵抗を制御する図3内のブ
ロック13の第2の差動入力段は図2でのΔVに相当す
るオフセット電圧を故意に持たせることが望ましい。
In the section from time A to time C in FIG. 2, the resistance of the nMOS transistor M20 is almost ∞, the slew rate of the operational amplifier is maximized, and from time C to time B, the ON resistance of the nMOS transistor M20 is In the vicinity of time B, the nMOS transistor M
It is desirable that the ON resistance of the capacitor 20 be sufficiently small, the capacitor C1 performs the function of phase compensation, the stability of the operational amplifier is improved, and the output of the operational amplifier quickly approaches the input voltage without ringing. Therefore, nMO
It is desirable that the second differential input stage of the block 13 in FIG. 3 that controls the ON resistance of the S transistor M20 intentionally has an offset voltage corresponding to ΔV in FIG.

【0033】第2の差動入力段が、MOSトランジスタ
M11の入力の方がMOSトランジスタM12の入力よ
り高い極性でΔVなる電圧だけオフセットをもっている
とした時の動作について説明する。
The operation when the second differential input stage assumes that the input of the MOS transistor M11 has a higher polarity than the input of the MOS transistor M12 and has an offset by a voltage of ΔV will be described.

【0034】図2に示したようなステップ応答で、時刻
Aに至るまではオペアンプの入力電圧と出力電圧はほぼ
等しいので、図3において(+)入力に接続されたMO
SトランジスタM12の入力と(−)入力に接続された
MOSトランジスタM11の入力のそれぞれの電圧もほ
ぼ等しく、かつ前述したオフセット電圧ΔVをもってい
るので、第2の差動入力段のブロック13の出力にはg
m ΔV(gm は第2の入力差動段の相互コンダクタン
ス)の出力電流が表われ、MOSトランジスタM19に
よって電圧変換されMOSトランジスタM20のゲート
にその電圧が与えられMOSトランジスタM20はその
電圧に基づいたON抵抗を呈する。
In the step response as shown in FIG. 2, the input voltage and the output voltage of the operational amplifier are substantially equal until time A, so that the MO connected to the (+) input in FIG.
Since the respective voltages of the input of the S transistor M12 and the input of the MOS transistor M11 connected to the (-) input are substantially equal and have the above-described offset voltage ΔV, the output of the block 13 of the second differential input stage is output. Is g
The output current of m ΔV (g m is the mutual conductance of the second input differential stage) appears, the voltage is converted by the MOS transistor M19, the voltage is applied to the gate of the MOS transistor M20, and the MOS transistor M20 receives the voltage based on the voltage. It exhibits ON resistance.

【0035】図2における時刻A〜時刻Cまでの間で
は、オペアンプの(+)入力電圧の方が出力電圧(=
(−)入力電圧)よりもΔV以上低い電圧となっている
ので、図3の第2の入力差動段のブロック13のMOS
トランジスタM12はほぼカットオフし、MOSトラン
ジスタM11のドレインには定電流源I6にほぼ等しい
電流が流れるので、MOSトランジスタM19には電流
は供給されず、したがってMOSトランジスタM20の
ゲート電圧も0VとなってMOSトランジスタM20の
抵抗は非常に大きい値となる。
From time A to time C in FIG. 2, the (+) input voltage of the operational amplifier is higher than the output voltage (=
(−) Input voltage), the voltage is lower by ΔV or more than the (−) input voltage.
The transistor M12 is substantially cut off, and a current substantially equal to the constant current source I6 flows through the drain of the MOS transistor M11. Therefore, no current is supplied to the MOS transistor M19. Therefore, the gate voltage of the MOS transistor M20 also becomes 0V. The resistance of the MOS transistor M20 has a very large value.

【0036】図2における時刻C〜時刻Bまでの間はオ
ペアンプの(+)入力と出力の電圧差がΔVよりも小さ
くなるので、図3の第2の入力差動段のブロック13の
出力には徐々に出力電流が表われMOSトランジスタM
19のドレイン(=MOSトランジスタM20のゲー
ト)にも電圧が表われ始めMOSトランジスタM20の
ON抵抗は低下してゆく。図2における時刻B以降は初
期から時刻Aまでの間と同様である。
Since the voltage difference between the (+) input and the output of the operational amplifier is smaller than ΔV from time C to time B in FIG. 2, the output of the block 13 of the second input differential stage in FIG. Indicates that the output current gradually appears and the MOS transistor M
A voltage starts to appear at the drain of 19 (= the gate of the MOS transistor M20), and the ON resistance of the MOS transistor M20 decreases. The operation after time B in FIG. 2 is the same as the period from the beginning to time A.

【0037】以上説明したようにステップ応答でのMO
SトランジスタM20の抵抗の変化によりオペアンプの
出力電圧が遷移している間は位相補償容量が実質的に電
圧増幅段11の出力端子から切り離されたような状態に
なり位相補償機能は働かないが、出力電圧が入力電圧に
ある程度近づいたとき徐々に位相補償容量が機能する。
As described above, the MO in the step response
While the output voltage of the operational amplifier is transitioning due to a change in the resistance of the S transistor M20, the phase compensation capacitance is substantially disconnected from the output terminal of the voltage amplification stage 11, and the phase compensation function does not work. When the output voltage approaches the input voltage to some extent, the phase compensation capacitance functions gradually.

【0038】図4は図2と同様のステップ応答の本実施
例のオペアンプ出力波形100と、その時の図3内のM
OSトランジスタM20のゲート電圧波形101を表わ
したSPICEシミュレーション結果である。図4から
解るようにアンプ出力が下側に遷移している間だけMO
SトランジスタM20のゲート電圧が低下(したがって
MOSトランジスタM20の抵抗が増大)している。ま
た出力が入力に近づいたところからMOSトランジスタ
M20のゲート電圧は増加し始め位相補償が機能しアン
プの出力にはリンギングは発生していない。また図5は
従来の位相補償形式との比較を示した図で、位相補償容
量に直列に抵抗は接続しない従来型のアンプのステップ
応答104と、位相補償容量に可変ON抵抗用MOSト
ランジスタM20とその制御アンプを付加しアンプ本体
部分には変更を加えていない本発明の実施例のステップ
応答103である。アンプのスルーレートやセトリング
が改善されていることが解る。
FIG. 4 shows the operational amplifier output waveform 100 of this embodiment having the same step response as that of FIG. 2, and the M in FIG. 3 at that time.
4 is a SPICE simulation result showing a gate voltage waveform 101 of an OS transistor M20. As can be seen from FIG. 4, only when the amplifier output is transitioning to the lower side
The gate voltage of S transistor M20 has decreased (therefore, the resistance of MOS transistor M20 has increased). Further, when the output approaches the input, the gate voltage of the MOS transistor M20 starts to increase and the phase compensation functions, and no ringing occurs in the output of the amplifier. FIG. 5 is a diagram showing a comparison with a conventional phase compensation type, in which a step response 104 of a conventional amplifier in which a resistor is not connected in series with a phase compensation capacitor, a variable ON-resistance MOS transistor M20 as a phase compensation capacitor. This is a step response 103 of the embodiment of the present invention in which the control amplifier is added and the amplifier main body is not changed. It can be seen that the slew rate and settling of the amplifier have been improved.

【0039】本発明の一実施例である図3におけるMO
SトランジスタM20はその入力に応じてON抵抗値が
可変となる能動素子であれば素子に限定はない。
FIG. 3 shows an embodiment of the present invention.
The S transistor M20 is not limited to an element as long as it is an active element whose ON resistance value is variable according to its input.

【0040】また図3における第2の入力差動段のブロ
ック13は位相補償容量に直列に接続される可変抵抗素
子の抵抗値を変えるための電圧または電流を出力し、そ
の出力はオペアンプの出力と(+)入力のそれぞれの電
圧を比較し、その大きさに応じた値となる回路であれ
ば、図3に示したものに限定されない。またオペアンプ
の出力電圧と(+)入力電圧を比較する際のオフセット
(図2のΔVに相当するもの)の極性は、アンプのステ
ップ応答でのオペアンプ出力の遷移期間中に位相補償容
量に直列に接続される可変抵抗素子の抵抗値が大きく、
オペアンプ出力がその入力に近づいた時に小さくなるよ
うな設定にすれば良い。オフセット値は、トランジスタ
M11とM12、M13とM14、M15とM16、M
17とM18等のように対になっているトランジスタの
サイズを互いに異ならしめたり、ソースに接続される抵
抗の値を互いに異ならしめれば適宜所望の値に設定でき
る。
The block 13 of the second input differential stage in FIG. 3 outputs a voltage or a current for changing the resistance value of the variable resistance element connected in series to the phase compensation capacitor, and the output is the output of the operational amplifier. The circuit is not limited to the one shown in FIG. 3 as long as the circuit compares the voltages of the input and the (+) input and has a value corresponding to the magnitude. The polarity of the offset (corresponding to ΔV in FIG. 2) when comparing the output voltage of the operational amplifier and the (+) input voltage is set in series with the phase compensation capacitance during the transition period of the operational amplifier output in the step response of the amplifier. The resistance value of the connected variable resistance element is large,
The setting may be such that the output becomes smaller when the output of the operational amplifier approaches the input. The offset values are determined by transistors M11 and M12, M13 and M14, M15 and M16, M
A desired value can be appropriately set by changing the size of a pair of transistors such as 17 and M18 or changing the value of a resistor connected to the source.

【0041】[0041]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
オペアンプの回路構成やトランジスタサイズ、抵抗、容
量などの定数を変えないで、オペアンプのステップ応答
におけるスルーレートやセトリングが改善されるので、
オペアンプの初段の入力トランジスタのgm (相互コン
ダクタンス)やオペアンプのオープンループゲインを従
来よりも増加させることが可能となり、したがって低ノ
イズ、高精度出力といったオペアンプの重要な特性を改
善することも可能となる。
As described above, according to the present invention,
The slew rate and settling in the step response of the operational amplifier are improved without changing the circuit configuration of the operational amplifier, constants such as transistor size, resistance, and capacitance.
The g m open loop gain (transconductance) and an operational amplifier of the first stage input transistor of the operational amplifier than conventional it becomes possible to increase, thus low noise, and also possible to improve important characteristics of the operational amplifier and high-precision output Become.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の構成の原理図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the configuration of the present invention.

【図2】オペアンプの出力と入力の関係を示す特性図で
ある。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing a relationship between an output and an input of an operational amplifier.

【図3】本発明の一実施例を示す回路構成図である。FIG. 3 is a circuit configuration diagram showing one embodiment of the present invention.

【図4】ステップ応答の本発明のオペアンプ出力波形
と、その時のMOSトランジスタM20のゲート電圧波
形を表わしたSPICEシミュレーション結果を示す図
である。
FIG. 4 is a diagram showing a SPICE simulation result showing an operational amplifier output waveform of the present invention as a step response and a gate voltage waveform of a MOS transistor M20 at that time.

【図5】本実施例と従来の位相補償形式との比較を示し
た特性図である。
FIG. 5 is a characteristic diagram showing a comparison between the present embodiment and a conventional phase compensation type.

【図6】従来のオペアンプの構成例を示す回路構成図で
ある。
FIG. 6 is a circuit configuration diagram showing a configuration example of a conventional operational amplifier.

【図7】オペアンプのオープンループ電圧ゲインの周波
数特性を示す特性図である。
FIG. 7 is a characteristic diagram showing a frequency characteristic of an open loop voltage gain of the operational amplifier.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電源端子 2 正極性入力端子 3 負極性入力端子 4 出力端子 I1〜I6 定電流源 C1 位相補償容量 V1 定電圧源 a ブロック(第1の入力差動段) b ブロック(電圧増幅段) c ブロック(出力バッファー段) d ブロック(第2の入力差動段) e ブロック M1,M2,M5〜M8,M11,M12,M17〜M
20 NMOSトランジスタ M3,M4,M9,M10,M13〜M16 PMOS
トランジスタ
Reference Signs List 1 power supply terminal 2 positive input terminal 3 negative input terminal 4 output terminal I1 to I6 constant current source C1 phase compensation capacitance V1 constant voltage source a block (first input differential stage) b block (voltage amplification stage) c block (Output buffer stage) d block (second input differential stage) e block M1, M2, M5 to M8, M11, M12, M17 to M
20 NMOS transistors M3, M4, M9, M10, M13 to M16 PMOS
Transistor

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 位相補償容量を有する演算増幅手段と、
該位相補償容量に直列に接続された、抵抗値が可変とな
る能動素子と、該演算増幅手段の入力の差に基づいて、
該能動素子の抵抗値を変える差動制御手段と、を有する
ことを特徴とする演算増幅器。
An operational amplifier having a phase compensation capacity;
Based on a difference between the active element connected in series with the phase compensation capacitor and having a variable resistance value and the input of the operational amplifier means,
An operational amplifier, comprising: differential control means for changing a resistance value of the active element.
【請求項2】 請求項1に記載の演算増幅器において、
前記差動制御手段は、その差動入力にオフセットが与え
られ、前記演算増幅手段の2つの入力の間にオフセット
値以上の差があるときは前記能動素子の抵抗値を増大さ
せ、前記演算増幅手段の2つの入力の間の差が該オフセ
ット値より小さくなったときは前記能動素子の抵抗値を
減少させることを特徴とする演算増幅器。
2. The operational amplifier according to claim 1, wherein
The differential control means increases the resistance value of the active element when an offset is given to the differential input and there is a difference equal to or more than the offset value between the two inputs of the operational amplification means, An operational amplifier for reducing the resistance of said active element when the difference between the two inputs of said means is less than said offset value.
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の演算増
幅器において、前記能動素子は電界効果型トランジスタ
であり、前記差動制御手段の出力端子は該電界効果型ト
ランジスタのゲートと接続されていることを特徴とする
演算増幅器。
3. The operational amplifier according to claim 1, wherein said active element is a field effect transistor, and an output terminal of said differential control means is connected to a gate of said field effect transistor. An operational amplifier.
【請求項4】 請求項1または請求項2に記載の演算増
幅器において、前記能動素子はバイポーラトランジスタ
であり、前記差動制御手段の出力端子は該バイポーラト
ランジスタのベースと接続されていることを特徴とする
演算増幅器。
4. The operational amplifier according to claim 1, wherein said active element is a bipolar transistor, and an output terminal of said differential control means is connected to a base of said bipolar transistor. Operational amplifier.
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