JPH11335170A - 高強度炭化ケイ素複合材料及び製造方法 - Google Patents
高強度炭化ケイ素複合材料及び製造方法Info
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- JPH11335170A JPH11335170A JP10143044A JP14304498A JPH11335170A JP H11335170 A JPH11335170 A JP H11335170A JP 10143044 A JP10143044 A JP 10143044A JP 14304498 A JP14304498 A JP 14304498A JP H11335170 A JPH11335170 A JP H11335170A
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- fiber
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- alkylchlorosilane
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２０００℃の高温に加熱されても、十分な高
強度を維持するＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料を得る。 【構成】 このＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料は、ＳｉＣ
繊維とＳｉＣ相のマトリックスとの界面にＣ層があり、
マトリックスのＳｉＣ相はアルキルクロロシランの熱分
解により形成されたものである。酸素含有量が０．５重
量％以下で化学量論組成をもつＳｉＣ繊維を繊維成形体
とし、繊維成形体の内部にアルキルクロロシランを浸透
させ、１２００℃以下の温度でアルキルクロロシランを
熱分解し、マトリックスとなるＳｉＣ相を形成すること
により製造される。 【効果】 ＳｉＣ繊維とマトリックスとの界面に析出Ｃ
層があるので、ＳｉＣ繊維による荷重維持が容易にな
り、亀裂，破断等が抑制された複合材料になる。
強度を維持するＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料を得る。 【構成】 このＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料は、ＳｉＣ
繊維とＳｉＣ相のマトリックスとの界面にＣ層があり、
マトリックスのＳｉＣ相はアルキルクロロシランの熱分
解により形成されたものである。酸素含有量が０．５重
量％以下で化学量論組成をもつＳｉＣ繊維を繊維成形体
とし、繊維成形体の内部にアルキルクロロシランを浸透
させ、１２００℃以下の温度でアルキルクロロシランを
熱分解し、マトリックスとなるＳｉＣ相を形成すること
により製造される。 【効果】 ＳｉＣ繊維とマトリックスとの界面に析出Ｃ
層があるので、ＳｉＣ繊維による荷重維持が容易にな
り、亀裂，破断等が抑制された複合材料になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高温雰囲気においても
高度に安定した高強度を示す炭化ケイ素複合材料及びそ
の製造方法に関する。
高度に安定した高強度を示す炭化ケイ素複合材料及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】原子力，航空宇宙分野等の特殊環境や極
限環境で使用される材料として、耐熱性や耐摩耗性に優
れたセラミックス系材料が注目されている。セラミック
ス系材料は、熱交換器，メカニカルシール等の過酷な条
件に曝される部材としても使用されている。なかでも、
ＳｉＣ，Ｓｉ3 Ｎ4 等の非酸化物系セラミックスは、高
温雰囲気においても優れた強度を維持する材料である。
特に、ＳｉＣは、強度，耐熱性，高熱伝導性，耐摩耗性
に優れていることに加え、中性子照射によっても長寿命
の放射性核種を生じないことを活用し、宇宙航空用から
核融合炉の第１隔壁に至るまでの広範な分野において有
望視されている材料である。ＳｉＣは、融点が２６００
℃と高温特性に優れているが、それ自体では脆い材料で
ある。そこで、ＳｉＣ繊維で強化したＳｉＣ繊維／Ｓｉ
Ｃ複合材料の開発が進められており、４００ＭＰａを超
える強度をもつＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料が提案され
ている［Ａ．Ｌａｃｏｍｂｅ ａｎｄ Ｃ．Ｂｏｎｎｅ
ｔ，２ｎｄＩｎｔ．Ａｅｒｏｓｐａｃｅ Ｐｌａｎｅｓ
Ｃｏｎｆ．Ｐｒｏｃ．ＡＩＡＡ−９０−５２０８（１
９９０），Ｃ．Ｗ．Ｈｏｌｌｅｎｂｅｒｇ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｊ．Ｎｕｃｌ．Ｍａｔ．，２１９，（１９９５）
７０−８６参照］。
限環境で使用される材料として、耐熱性や耐摩耗性に優
れたセラミックス系材料が注目されている。セラミック
ス系材料は、熱交換器，メカニカルシール等の過酷な条
件に曝される部材としても使用されている。なかでも、
ＳｉＣ，Ｓｉ3 Ｎ4 等の非酸化物系セラミックスは、高
温雰囲気においても優れた強度を維持する材料である。
特に、ＳｉＣは、強度，耐熱性，高熱伝導性，耐摩耗性
に優れていることに加え、中性子照射によっても長寿命
の放射性核種を生じないことを活用し、宇宙航空用から
核融合炉の第１隔壁に至るまでの広範な分野において有
望視されている材料である。ＳｉＣは、融点が２６００
℃と高温特性に優れているが、それ自体では脆い材料で
ある。そこで、ＳｉＣ繊維で強化したＳｉＣ繊維／Ｓｉ
Ｃ複合材料の開発が進められており、４００ＭＰａを超
える強度をもつＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料が提案され
ている［Ａ．Ｌａｃｏｍｂｅ ａｎｄ Ｃ．Ｂｏｎｎｅ
ｔ，２ｎｄＩｎｔ．Ａｅｒｏｓｐａｃｅ Ｐｌａｎｅｓ
Ｃｏｎｆ．Ｐｒｏｃ．ＡＩＡＡ−９０−５２０８（１
９９０），Ｃ．Ｗ．Ｈｏｌｌｅｎｂｅｒｇ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｊ．Ｎｕｃｌ．Ｍａｔ．，２１９，（１９９５）
７０−８６参照］。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＳｉＣ繊維／
ＳｉＣ複合材料は、１５００℃を超える高温雰囲気に曝
されると強度が急激に低下する欠点がある。そのため、
ＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料は、最高使用温度に制約を
受ける。１５００℃を超える高温域におけるＳｉＣ繊維
／ＳｉＣ複合材料の急激な強度低下は、酸素との反応に
よるＳｉＣ繊維の分解及びＳｉＣの粒成長に原因がある
ものと推察される。
ＳｉＣ複合材料は、１５００℃を超える高温雰囲気に曝
されると強度が急激に低下する欠点がある。そのため、
ＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料は、最高使用温度に制約を
受ける。１５００℃を超える高温域におけるＳｉＣ繊維
／ＳｉＣ複合材料の急激な強度低下は、酸素との反応に
よるＳｉＣ繊維の分解及びＳｉＣの粒成長に原因がある
ものと推察される。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような問
題を解消すべく案出されたものであり、ＳｉＣ繊維とＳ
ｉＣ相との界面に析出Ｃ層を介在させることにより、高
温域での強度低下をもたらすＳｉＣ繊維の分解を防ぎ、
２０００℃を超える高温域においても４００ＭＰａを超
える強度を維持するＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料を提供
することを目的とする。本発明のＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複
合材料は、その目的を達成するため、ＳｉＣ繊維とＳｉ
Ｃ相のマトリックスとの界面にＣ層があり、マトリック
スのＳｉＣ相はアルキルクロロシランの熱分解により形
成されたものであることを特徴とする。このＳｉＣ繊維
／ＳｉＣ複合材料は、酸素含有量が０．５重量％以下で
化学量論組成をもつＳｉＣ繊維を繊維成形体とし、該繊
維成形体の内部にアルキルクロロシランを浸透させ、１
２００℃以下の温度でアルキルクロロシランを熱分解
し、マトリックスとなるＳｉＣ相を形成することにより
製造される。
題を解消すべく案出されたものであり、ＳｉＣ繊維とＳ
ｉＣ相との界面に析出Ｃ層を介在させることにより、高
温域での強度低下をもたらすＳｉＣ繊維の分解を防ぎ、
２０００℃を超える高温域においても４００ＭＰａを超
える強度を維持するＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料を提供
することを目的とする。本発明のＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複
合材料は、その目的を達成するため、ＳｉＣ繊維とＳｉ
Ｃ相のマトリックスとの界面にＣ層があり、マトリック
スのＳｉＣ相はアルキルクロロシランの熱分解により形
成されたものであることを特徴とする。このＳｉＣ繊維
／ＳｉＣ複合材料は、酸素含有量が０．５重量％以下で
化学量論組成をもつＳｉＣ繊維を繊維成形体とし、該繊
維成形体の内部にアルキルクロロシランを浸透させ、１
２００℃以下の温度でアルキルクロロシランを熱分解
し、マトリックスとなるＳｉＣ相を形成することにより
製造される。
【０００５】
【作用】本発明では、酸素含有量が０．５重量％以下で
化学量論組成のＳｉＣ繊維を使用する。なお、本件明細
書で「化学量論組成」とは、ＳｉＣとして計算してＳｉ
に対してＣの原子数比率が０．９５〜１．０５の範囲に
あるものをいう。この範囲を外れるＣが含まれると、Ｓ
ｉＣの結晶化度が低くなり、図１に示すように高温に加
熱したときに急激な粒成長が生じる。ＳｉＣ繊維の酸素
含有量を低減すると、ＳｉＣx Ｏy →ＳｉＯ↑＋Ｓｉ
Ｃ，ＳｉＣx Ｏy →ＣＯ↑＋ＳｉＣの反応が生じにくく
なり、１５００℃以上の高温域で生じるＳｉＣ繊維の分
解が抑えられる。また、低い酸素含有量で且つ化学量論
組成のＳｉＣ繊維は、安定なＳｉＣ結晶構造を有するこ
とも、ＳｉＣ繊維が高温に加熱されたときに粒成長が生
じにくくなる原因であると推察される。
化学量論組成のＳｉＣ繊維を使用する。なお、本件明細
書で「化学量論組成」とは、ＳｉＣとして計算してＳｉ
に対してＣの原子数比率が０．９５〜１．０５の範囲に
あるものをいう。この範囲を外れるＣが含まれると、Ｓ
ｉＣの結晶化度が低くなり、図１に示すように高温に加
熱したときに急激な粒成長が生じる。ＳｉＣ繊維の酸素
含有量を低減すると、ＳｉＣx Ｏy →ＳｉＯ↑＋Ｓｉ
Ｃ，ＳｉＣx Ｏy →ＣＯ↑＋ＳｉＣの反応が生じにくく
なり、１５００℃以上の高温域で生じるＳｉＣ繊維の分
解が抑えられる。また、低い酸素含有量で且つ化学量論
組成のＳｉＣ繊維は、安定なＳｉＣ結晶構造を有するこ
とも、ＳｉＣ繊維が高温に加熱されたときに粒成長が生
じにくくなる原因であると推察される。
【０００６】マトリックスのＳｉＣ相は、アルキルクロ
ロシランの水素気流中での熱分解によって生成される。
具体的には、エチルトリクロロシラン，ジメチルクロロ
シラン，ビニルメチルクロロシラン等のアルキルクロロ
シランを反応性ガスとして使用し、水素ガスをキャリア
としてＳｉＣ繊維成形体の内部に導入する。この状態で
９５０〜１２００℃の高温域に維持すると、アルキルク
ロロシランが分解してＳｉＣが生成する。アルキルクロ
ロシランを水素気流中で熱分解する際、低酸素ＳｉＣ繊
維ではＳｉＣの析出を阻害するＳｉＯ，ＣＯ，Ｈ2 Ｏ等
の化合物の生成が抑えられる。
ロシランの水素気流中での熱分解によって生成される。
具体的には、エチルトリクロロシラン，ジメチルクロロ
シラン，ビニルメチルクロロシラン等のアルキルクロロ
シランを反応性ガスとして使用し、水素ガスをキャリア
としてＳｉＣ繊維成形体の内部に導入する。この状態で
９５０〜１２００℃の高温域に維持すると、アルキルク
ロロシランが分解してＳｉＣが生成する。アルキルクロ
ロシランを水素気流中で熱分解する際、低酸素ＳｉＣ繊
維ではＳｉＣの析出を阻害するＳｉＯ，ＣＯ，Ｈ2 Ｏ等
の化合物の生成が抑えられる。
【０００７】生成したＳｉＣは、ＳｉＣ繊維の表面に析
出してＳｉＣ相となる。たとえばエチルトリクロロシラ
ンでは、反応式Ｃ2 Ｈ5 ＳｉＣｌ3 ＋Ｈ2 →ＳｉＣ＋３
ＨＣｌ＋ＣＨ4 に従った熱分解反応が生じる。ＳｉＣ相
の形成に先立って、アルキル基の熱分解で生成したＣが
ＳｉＣ繊維の表面に析出する。析出したＣ層は、マトリ
ックスのＳｉＣ相とＳｉＣ繊維との界面に位置し、一種
の潤滑剤として作用する。その結果、機械的な応力が加
わった場合にＳｉＣ相のマトリックスに対してＳｉＣ繊
維が応力に応じて移動し、結果としてＳｉＣ繊維による
荷重維持を容易にし、脆いＳｉＣ相の亀裂や破断が防止
される。アルキルクロロシランの熱分解によるとき、１
２００℃以下の比較的低温でマトリックスのＳｉＣ相が
生成する。そのため、ＳｉＣ繊維の特性を劣化させる粒
成長等の組織変化が抑えられ、極めて優れた高温特性を
もつＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料が得られる。
出してＳｉＣ相となる。たとえばエチルトリクロロシラ
ンでは、反応式Ｃ2 Ｈ5 ＳｉＣｌ3 ＋Ｈ2 →ＳｉＣ＋３
ＨＣｌ＋ＣＨ4 に従った熱分解反応が生じる。ＳｉＣ相
の形成に先立って、アルキル基の熱分解で生成したＣが
ＳｉＣ繊維の表面に析出する。析出したＣ層は、マトリ
ックスのＳｉＣ相とＳｉＣ繊維との界面に位置し、一種
の潤滑剤として作用する。その結果、機械的な応力が加
わった場合にＳｉＣ相のマトリックスに対してＳｉＣ繊
維が応力に応じて移動し、結果としてＳｉＣ繊維による
荷重維持を容易にし、脆いＳｉＣ相の亀裂や破断が防止
される。アルキルクロロシランの熱分解によるとき、１
２００℃以下の比較的低温でマトリックスのＳｉＣ相が
生成する。そのため、ＳｉＣ繊維の特性を劣化させる粒
成長等の組織変化が抑えられ、極めて優れた高温特性を
もつＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料が得られる。
【０００８】
【実施例】実施例１：酸素含有量が０．２重量％で化学
量論組成をもつ線径１５μｍのＳｉＣ繊維を厚さ２．５
ｍｍに束ね、直径４０ｍｍの円盤状に成形した。成形後
のＳｉＣ繊維を０．１３３Ｐａの真空雰囲気中で１２０
０℃に１時間加熱し、ＳｉＣ繊維に付着している油，樹
脂等を除去した。次いで、加熱処理されたＳｉＣ繊維成
形体が配置されている温度１０００℃の真空雰囲気にエ
チルトリクロロシランを流量２×１０-5Ｎｍ3 ／分で送
り込み、ＳｉＣ繊維の内部に導入した。そして、この状
態を１６時間維持し、エチルトリクロロシランの熱分解
反応生成物であるＳｉＣをＳｉＣ繊維成形体の内部に析
出させた。得られたＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料の断面
組織を１５００倍の顕微鏡視野で観察したところ、図２
に示すように析出Ｃ層を中間層としてＳｉＣ繊維とマト
リックスのＳｉＣ相が複合化されていた。析出Ｃ層は、
個々のＳｉＣ繊維の表面に万遍なく設けられており、Ｓ
ｉＣ繊維の酸化防止に役立っていることも窺われる。
量論組成をもつ線径１５μｍのＳｉＣ繊維を厚さ２．５
ｍｍに束ね、直径４０ｍｍの円盤状に成形した。成形後
のＳｉＣ繊維を０．１３３Ｐａの真空雰囲気中で１２０
０℃に１時間加熱し、ＳｉＣ繊維に付着している油，樹
脂等を除去した。次いで、加熱処理されたＳｉＣ繊維成
形体が配置されている温度１０００℃の真空雰囲気にエ
チルトリクロロシランを流量２×１０-5Ｎｍ3 ／分で送
り込み、ＳｉＣ繊維の内部に導入した。そして、この状
態を１６時間維持し、エチルトリクロロシランの熱分解
反応生成物であるＳｉＣをＳｉＣ繊維成形体の内部に析
出させた。得られたＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料の断面
組織を１５００倍の顕微鏡視野で観察したところ、図２
に示すように析出Ｃ層を中間層としてＳｉＣ繊維とマト
リックスのＳｉＣ相が複合化されていた。析出Ｃ層は、
個々のＳｉＣ繊維の表面に万遍なく設けられており、Ｓ
ｉＣ繊維の酸化防止に役立っていることも窺われる。
【０００９】実施例２：１１．５重量％と過剰の酸素を
含むＳｉＣ繊維（比較例１）、酸素含有量は０．５重量
％であるがＳｉに対する原子数比が１．３９と過剰のＣ
を含むＳｉＣ繊維（比較例２）、酸素含有量が０．２重
量％で化学量論組成をもつＳｉＣ繊維（本発明例）の３
種類のＳｉＣ繊維を用いて、実施例１と同様な条件下で
ＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料を製造した。得られた各Ｓ
ｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料を１．３３×１０-4Ｐａの減
圧雰囲気に配置し、最高到達温度２０００℃までの各温
度に１時間加熱した。加熱後、ＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合
材料を室温に冷却した。冷却後のＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複
合材料を曲げ試験に供し、加熱温度が曲げ強度に及ぼす
影響を調査した。
含むＳｉＣ繊維（比較例１）、酸素含有量は０．５重量
％であるがＳｉに対する原子数比が１．３９と過剰のＣ
を含むＳｉＣ繊維（比較例２）、酸素含有量が０．２重
量％で化学量論組成をもつＳｉＣ繊維（本発明例）の３
種類のＳｉＣ繊維を用いて、実施例１と同様な条件下で
ＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料を製造した。得られた各Ｓ
ｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料を１．３３×１０-4Ｐａの減
圧雰囲気に配置し、最高到達温度２０００℃までの各温
度に１時間加熱した。加熱後、ＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合
材料を室温に冷却した。冷却後のＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複
合材料を曲げ試験に供し、加熱温度が曲げ強度に及ぼす
影響を調査した。
【００１０】本発明に従ったＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材
料は、図３の調査結果にみられるように、室温でも９５
０ＭＰａの強度をもち、２０００℃に加熱した後でも８
００ＭＰａに近い強度を維持していた。また、顕微鏡観
察による組織変化を示した図４にみられるように、２０
００℃に加熱した後でも、加熱前の組織とほとんど変わ
っていなかった。これに対し、比較例１，２のＳｉＣ繊
維を用いた複合材料では、１５００℃を超える高温域で
の強度低下が著しく、２０００℃に加熱されたものでは
２００ＭＰａ近くまで強度が低下していた。また、図５
及び図６にそれぞれ示すように、繊維構造の劣化も検出
された。
料は、図３の調査結果にみられるように、室温でも９５
０ＭＰａの強度をもち、２０００℃に加熱した後でも８
００ＭＰａに近い強度を維持していた。また、顕微鏡観
察による組織変化を示した図４にみられるように、２０
００℃に加熱した後でも、加熱前の組織とほとんど変わ
っていなかった。これに対し、比較例１，２のＳｉＣ繊
維を用いた複合材料では、１５００℃を超える高温域で
の強度低下が著しく、２０００℃に加熱されたものでは
２００ＭＰａ近くまで強度が低下していた。また、図５
及び図６にそれぞれ示すように、繊維構造の劣化も検出
された。
【００１１】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明のＳｉＣ
繊維／ＳｉＣ複合材料は、酸素含有量の低いＳｉＣ繊維
を用い、アルキルクロロシランの熱分解によってマトリ
ックスとなるＳｉＣ相を形成している。ＳｉＣ相の形成
に際し、アルキルクロロシランのアルキル基の熱分解生
成物である炭素がＳｉＣ繊維の表面に析出するため、析
出Ｃ層を介してＳｉＣ繊維とマトリックスのＳｉＣ相が
接することになる。そのため、マトリックスに対するＳ
ｉＣ繊維の相対的な滑りが確保され、外部から応力が加
わった場合でもＳｉＣ繊維の移動により応力が吸収さ
れ、マトリックスに亀裂，破断等を発生させることがな
い。しかも、ＳｉＣ繊維の表面が析出Ｃ層で覆われてい
るため、酸化等による劣化も防止される。このようにし
て得られたＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料は、ＳｉＣ本来
の優れた高温特性を活用し、航空宇宙用部品，原子炉隔
壁，熱交換器部品等として過酷な環境に曝される用途に
使用される。
繊維／ＳｉＣ複合材料は、酸素含有量の低いＳｉＣ繊維
を用い、アルキルクロロシランの熱分解によってマトリ
ックスとなるＳｉＣ相を形成している。ＳｉＣ相の形成
に際し、アルキルクロロシランのアルキル基の熱分解生
成物である炭素がＳｉＣ繊維の表面に析出するため、析
出Ｃ層を介してＳｉＣ繊維とマトリックスのＳｉＣ相が
接することになる。そのため、マトリックスに対するＳ
ｉＣ繊維の相対的な滑りが確保され、外部から応力が加
わった場合でもＳｉＣ繊維の移動により応力が吸収さ
れ、マトリックスに亀裂，破断等を発生させることがな
い。しかも、ＳｉＣ繊維の表面が析出Ｃ層で覆われてい
るため、酸化等による劣化も防止される。このようにし
て得られたＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料は、ＳｉＣ本来
の優れた高温特性を活用し、航空宇宙用部品，原子炉隔
壁，熱交換器部品等として過酷な環境に曝される用途に
使用される。
【図１】 加熱されたＳｉＣ繊維の粒成長に及ぼす組成
及び酸素量の影響を示したグラフ
及び酸素量の影響を示したグラフ
【図２】 本発明のＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料の組織
を示す顕微鏡写真
を示す顕微鏡写真
【図３】 各種ＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料の曲げ強度
に及ぼす加熱温度の影響を示したグラフ
に及ぼす加熱温度の影響を示したグラフ
【図４】 本発明のＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料を加熱
したときの組織変化を示す顕微鏡写真
したときの組織変化を示す顕微鏡写真
【図５】 過剰の酸素を含むＳｉＣ繊維を用いて製造し
たＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料の加熱による組織変化を
示す顕微鏡写真
たＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料の加熱による組織変化を
示す顕微鏡写真
【図６】 炭素量が過剰のＳｉＣ繊維を用いて製造した
ＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料の加熱による組織変化を示
す顕微鏡写真
ＳｉＣ繊維／ＳｉＣ複合材料の加熱による組織変化を示
す顕微鏡写真
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年５月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒木 弘 茨城県つくば市千現一丁目２番１号 科学 技術庁金属材料技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 ＳｉＣ繊維とＳｉＣ相のマトリックスと
の界面にＣ層があり、マトリックスのＳｉＣ相はアルキ
ルクロロシランの熱分解により形成されたものである高
強度炭化ケイ素複合材料。 - 【請求項２】 酸素含有量が０．５重量％以下で化学量
論組成をもつＳｉＣ繊維を繊維成形体とし、該繊維成形
体の内部にアルキルクロロシランを浸透させ、１２００
℃以下の温度でアルキルクロロシランを熱分解し、マト
リックスとなるＳｉＣ相を形成することを特徴とする高
強度炭化ケイ素複合材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10143044A JPH11335170A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 高強度炭化ケイ素複合材料及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10143044A JPH11335170A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 高強度炭化ケイ素複合材料及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11335170A true JPH11335170A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=15329609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10143044A Pending JPH11335170A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 高強度炭化ケイ素複合材料及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11335170A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018002493A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | イビデン株式会社 | ＳｉＣ／ＳｉＣ複合材およびその製造方法 |
| CN109415803A (zh) * | 2016-06-29 | 2019-03-01 | 赛峰航空陶瓷技术公司 | 一种化学气相渗透或沉积的方法 |
| CN115968361A (zh) * | 2020-08-21 | 2023-04-14 | 赛峰航空陶瓷技术公司 | 在微波场中在线上沉积涂层的方法 |
-
1998
- 1998-05-25 JP JP10143044A patent/JPH11335170A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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