JPH11326091A - 静電容量センサ - Google Patents

静電容量センサ

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JPH11326091A
JPH11326091A JP11104951A JP10495199A JPH11326091A JP H11326091 A JPH11326091 A JP H11326091A JP 11104951 A JP11104951 A JP 11104951A JP 10495199 A JP10495199 A JP 10495199A JP H11326091 A JPH11326091 A JP H11326091A
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JP
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sensor
sensor according
electrode
electronic circuit
circuit arrangement
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JP11104951A
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English (en)
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Guenter Igel
イーゲル グンター
Ulrich Sieben
ジーベン ウルリッヒ
Juergen Giehl
ジール イュルゲン
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TDK Micronas GmbH
Original Assignee
TDK Micronas GmbH
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 局所分析測定を可能にし、測定量について差
動情報を得ることを可能にする静電容量センサを構成す
る。 【解決手段】 第１電極（３）は第１基板体（１）に、
第２電極（４）は第２基板体（２）に配列される。電極
（３、４）の少なくとも１つは、局所分析の容量測定が
可能になるような立体的な構造を示す。電極（３、４）
の立体的な構造は、好ましくは複数の互いに平行に配列
された、帯状素子（８）または多数の互いに離間して平
面的に配列された素子（８）により形成される。電極
（３、４）には、基板体（１、２）の中に集積された電
子評価装置（６ａ、６ｂ）が割当てられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、互いに離間して向
き合い、かつ、測定容量を形成する第１および第２電極
を備えた静電容量センサに係わり、第１電極は第１基板
体に、かつ、第２電極は第２基板体に配列されている。
第２基板体は、第２電極の領域で圧力により変形可能の
ダイヤフラムとして形成される。
【０００２】
【従来の技術】このようなセンサはドイツ特許第３３１
０６４３号から知られており、かつ、絶対圧力測定にも
相対圧力測定にも使用することができる。しかし、その
他の詳しい差動情報は前記センサによっては得ることが
できない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する問題点は、測定量について差動情報を得ることを可
能にする静電容量センサを構成することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題は、特許請求の
範囲に記載された本発明に基づくセンサにより解決さ
れ、少なくとも１つの電極が立体的に構造化されて形成
され、かつ、それにより局所分析測定が可能になる。
【０００５】
【作用】本発明により与えられた、立体的な差動容量値
または複数の立体的な差動容量値により、測定量または
センサの状態についても本質的に差動情報を出すことが
可能になる。たとえば測定容量を貫流する液体またはガ
スの性状は、立体的な容量分布の構成を利用して同定お
よび表示することができる。また、このような配列によ
り電極の空間的な割当は、これにより平行配列からの誤
差または電極の相互移動を識別でき、これにより測定信
号を評価する際に考慮することができるので、互いに本
質的に差動的に表示させることができる。さらに、局所
分析測定を利用して疲労による静電容量センサの誤動作
が、電極の位置変化の検出を利用して互いに識別し、こ
れにより一方で測定自体の品質に関する情報と、他方で
はセンサの残存する寿命に関する情報とを出すことを可
能にする。これにより、本発明に基づくセンサを、前述
のような予想される故障の前に適時に交換し、機能性の
ある本発明に基づくセンサと交換することができる。
【０００６】多数の互いに離間して平面的に配列された
素子を含む立体的に構造化された電極により、測定結果
の明確な立体的差動を達成することができる。この平面
的な配列により、測定信号を一方向にのみ差動するのみ
ならず、基板表面により仕切られた平面で立体的に差動
的に表示することができる。この場合、個々の素子を一
方で方格状に配列し、さらにこれを好ましくは該素子の
物理的性質（大きさ、材質など）に従って同一に形成す
ることが特に好ましいことが明らかになった。これによ
り、個々の素子には対向電極に匹敵する条件下で同一の
測定信号が現われるので、個々の素子の測定信号の特に
簡単な局所分析評価が達成される。したがって測定信号
のそれぞれの違いは本質的に測定する量の立体的な差動
構造もしくはセンサ自体の立体的に変化する構造により
同定される。たしかに素子の平面的な配列により自動的
に素子の面積の縮小と、これによりその縮小から測定容
量の減少とを生じるが、この欠点は対応する信号増幅器
もしくは電子評価装置を適切に選択することにより補償
できる。さらにこの欠点は、平面的に立体的差動測定信
号の必要条件が存在するとき、常に容認される。
【０００７】本発明の特別の実施形態に基づき、立体的
に構造化された電極は複数の互いに平行に配列された帯
状素子から形成される。この複数の平行の帯状素子を有
する差動的立体構造の形成により、平面的な局所分析を
一方の帯状素子から次の帯状素子へ達することができ
る。帯状として形成することにより、帯状素子の面積を
適正に大きく保持し、これにより前記帯状素子により同
定された立体的な差動容量が測定信号自体として再び帯
状素子の面積に応じて大きく保持することができる。し
たがって、一般に前記容量測定信号を他の評価に供給す
るために条件付きの信号増幅のみが必要になる。これに
より前記の立体的な差動測定信号のために良好な信号ノ
イズ特性も与えられる。
【０００８】離間して平面的に配列された素子は、該素
子を非常に好ましく相互に間隔をあけて配設できるの
で、円形または方形に形成することが特に好ましいこと
が明らかになり、素子により覆われた面積は、立体的に
構造化された電極の全面積に対し、別の各素子に個別的
に形成する際には達成できない非常に高い割合になる。
したがって円形または方形の素子からなる前記配列は平
面的に配列する際に匹敵する高い容量を示し、これが良
好な測定信号とともに優れた客観性をもつ測定をもたら
す。
【０００９】本発明に基づく静電容量センサの好ましい
一実施形態に基づき、測定信号を処理するための電子回
路配列が基板体の１つに集積され、好ましくは該当する
基板体の電極の下に集積される。測定信号を処理するた
めの電子回路配列を備えた静電容量センサの前記集積、
特に垂直集積により、静電容量センサの立体的利用性が
改善される。静電容量センサの全システムの実装密度は
信号処理装置により高くなるので、システム全体の大き
さが縮小される。特に静電容量センサの測定信号のため
の信号通路が短縮され、これにより故障がなく、かつ、
正確な測定もしくは静電容量センサの測定量の評価が可
能になる。
【００１０】特に好ましいことが証明されたのは、測定
信号を処理するために集積された電子回路配列に局所分
析測定の局所分析処理をするための素子を備え、かつ、
前記素子を好ましくは立体的に構造化された電極の個々
の素子に対して立体的に近接して配列することである。
これにより局所分析処理をするため広範囲にまたは完全
に同一の素子を備え、これにより測定信号の全電子回路
配列のカスケード構造を達成することが可能になる。こ
れにより一方では測定信号を処理するための前記配列の
開発に要するコストも、それらに関連して増加する誤り
と故障の確率をもつ局所分析処理をするための差動素子
の故障に基づくコストも、明らかに低減することができ
る。さらに局所分析処理のための素子により評価された
測定信号は、この信号の各々が同一または広範囲に同一
の局所分析処理により発生されるので、共通の中央評価
により非常に簡単な方法でまとめて評価することができ
る。特に、生じうる信号損失を電極から局所分析処理を
するための素子に向う途中で最小限に制限する立体的に
構造化された電極の素子に対し、局所分析処理をするた
めの素子を密接に立体的に割当ることにより達成され
る。したがって、前記欠点は立体的な差動測定信号を得
るために個々の電極素子に必要な面積を縮小することに
より大幅に制限できる。この効果は、電子回路配列また
は局所分析処理をするための素子が、好ましくは立体的
に構造化された電極の素子の直接近傍に配設された信号
増幅素子を有するとき、さらに増大する。この場合に
は、増幅されない測定信号が、各素子に割当てられた信
号増幅または信号処理に対して非常に短い信号通路のみ
を進む必要があるのに対し、より感度の低い増幅された
測定信号は、大きな信号損失なしに、好ましくは多数の
素子のために中央電子回路配列として設けられた、測定
信号を処理するために比較的遠くに離した電子回路配列
にも供給することができる。
【００１１】センサの好ましい一実施形態に基づき、第
２基板体は電極の領域に変形可能のダイヤフラムとして
形成され、第１基板体には測定信号の電子回路配列が集
積される。これにより、電子回路配列は測定中のダイヤ
フラムの変形による影響の可能性を防止することができ
る。さらに、前述のような構成は、本発明に基づくダイ
ヤフラムの変形により、ここに集積された電子回路配列
の領域で顕微鏡的に小さい亀裂と電子回路構造の損傷と
を基板体内部に生じ、これがセンサ故障を引起こす可能
性があるので、センサの長時間安定性に関しても、非常
に好ましいことが証明されている。
【００１２】もう１つ別の実施形態に基づき、測定信号
を処理するための電子回路配列の第１部分は第１基板体
に、電子回路配列の第２部分は第２基板体に配列され
る。これにより電子回路配列は、両方の基板体に分割さ
れるため、使用できる空間領域が増加することにより本
質的により広範囲の電子回路配列の機能性を静電容量セ
ンサに集積することができる。これは測定信号の大幅な
立体的差動が必要になるとき、まさに必要とされてい
る。その際、局所分析測定の局所分析処理をするための
素子を、立体的に構造化された電極をなす基板体への配
列と、測定信号を評価するための残りの電子回路配列を
別の基板体に収容することが特に好ましいことが明らか
になった。これにより、測定信号を処理するための電子
回路配列の種々の基板体に収容された部分の妨害的な相
互の影響が広範囲に除外される。
【００１３】本発明のもう１つ別の実施形態に基づき、
電極の少なくとも１つまたは測定信号を処理するための
電子回路配列のストリップ導体の一部から成る該電極の
一部が形成される。これは、測定信号の処理に必要な電
子回路配列のためのストリップ導体のほかに、電極を形
成するための追加の導伝面積が必要なく、これによりセ
ンサを製造する際に該製造に関連する追加の金属化平面
を基板体に塗布する製造工程を省くことができる。スト
リップ導体または測定信号を処理する電子回路配列のス
トリップ導体の強制的な相乗作用を利用し、一方では前
記信号のためのストリップ導体として、他方では測定容
量を形成する電極として、本発明に基づくセンサの最適
の配列を実現することができる。
【００１４】本発明のもう１つ別の実施形態に基づき、
センサは、ダイヤフラムの振動が測定結果を本質的に損
なわないようにダイヤフラムの振動防止に適した減衰シ
ステムを示す。このような減衰システムは、可動ダイヤ
フラムの領域が急速な短期のダイヤフラム位置の変化に
抵抗する物質を充填することにより達成できる。これ
は、たとえば一定の、粘度があまり高くない液体を充填
することにより達成できる。さらに、特殊の負荷が予想
される周波数帯域と全く異なる周波数帯域にダイヤフラ
ムの固有共振周波数を移しながら、一定の周波数帯域に
ダイヤフラムの振動を阻止する補強またはリップを備え
たダイヤフラムを考慮することもできる。さらに、ダイ
ヤフラムの変位を磁石による振動を利用して抵抗させる
ように、外部磁界に影響される永久磁石を備えたダイヤ
フラムを考慮することもできる。前述のような減衰は、
まさに局所的に差動測定信号に及ぼす望ましくないダイ
ヤフラムの振動の作用を除去した後、該信号を特に良好
に評価することができ、上述の情報が、予想されたよう
に、残存するセンサの寿命、測定結果の品質評価を局所
的に差動測定結果等に基づき、特に良好に可能となるの
で、局所分析する測定信号の分析に関し特に好ましいこ
とが証明されている。
【００１５】好ましいのは、センサが半導体材料、特に
シリコンから形成される場合である。その場合には、静
電容量センサと集積された信号処理装置とは特に簡単に
製造することができる。特にシリコンはダイヤフラムを
形成するために好ましい機械的性質を有する。この場
合、本発明に基づくセンサの形成は、圧力センサ、力セ
ンサまたは加速度センサに特に適している。ここで圧
力、力または加速度は、圧力、力または加速度により変
形可能のダイヤフラムに作用し、これが電極の空間的位
置を変化させる。この変化は、外部の影響量のそれぞれ
の方向と作用の種類に応じて様ざまな局所的な差動測定
信号を生じさせ、たとえば垂直にダイヤフラムに作用す
る力はダイヤフラムの側面の変位を生じさせず、他方、
該ダイヤフラムに対して横方向に延長する外力の作用に
よりダイヤフラムの側面の移動が引き起こされ、ここで
立体的に構造化された電極の種々の素子が測定信号の形
成に貢献するので、立体的な差動測定信号をもたらす。
静電容量センサを基礎とする公知の力センサとは異な
り、この場合には第２基板体に収容され、かつ、電極の
間隔を変化させない割合を予想し、これを評価する際に
考慮することができる。この立体的な差動情報に基づ
き、これにより外部から作用する力の実際量を帰納的に
推論することができる。したがって本発明に基づくセン
サは本質的に差動評価を可能にする。
【００１６】さらに本発明に基づく静電容量センサの形
成は、磁界センサとして特に適していることが証明され
ている。このような磁界センサは、ダイヤフラムの領域
で位置の変化によりその磁界の強さを決定する外部磁界
に反応し、その大きさが特に局所分析の情報を利用して
評価され、磁界の強さとして出力することができる永久
磁石である。
【００１７】まさに局所分析測定により、測定容量を形
成する電極間で立体的な差動構造の分析および表示をす
ることもできる。これにより、この配列により物質の流
れに沿った圧力変化の検出を利用して貫流速度または流
量も同定できるように、静電容量センサを通って流れる
液体またはガスの性状を同定することが可能になる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明は図面を利用して
より詳しく説明する。
【００１９】図１は、第１基板体１と、第２基板体２と
から形成される静電容量センサを示す。第１基板体１に
は第１電極３が、第２基板体２には第２電極４が、互い
に離間して向き合い、測定容量を形成するように配列さ
れる。
【００２０】第２基板体２は、該基板体が第２電極４の
領域に、圧力で変形可能のダイヤフラム５を有するよう
に形成される。圧力は一般に矢印Ａの方向にダイヤフラ
ム５に与えられ、これにより前記ダイヤフラムがその圧
力に応じて変形する。第１電極３は、局所分析測定のた
めに立体的に構造化して形成される。この電極は、互い
に平行に配列された、帯状素子８から成る。前記帯状素
子８は、各々第２電極４と共に作用して特殊の測定容量
を形成する。前述のような全ての測定容量は、一緒に立
体的に構造化され、それにより局所分析された測定信号
を形成する。この立体的な差動測定信号は、電極３の下
に配列された個々に帯状素子８の測定信号を、具備され
た増幅素子により増幅され、かつ、素子８の立体構造に
より差動された第１の電子信号処理装置６ａにより差動
処理される。この測定信号は、第２基板体２に第２電極
４の下に集積された、測定信号６ｂを処理するための第
２電子回路配列に供給され、ここで最終的に評価され
る。両方の電子回路配列６ａ、６ｂは、一緒に測定信号
を評価するための全電子回路配列を形成し、この処理は
局所分析処理も含む。
【００２１】電極３、４の測定信号を処理するための電
子回路配列６ａ、６ｂを電極３、４の直接近傍にある基
板体１、２に集積することにより、静電容量センサのた
めに存在する空間が非常に効率的に利用され、これによ
りシステム全体の大きさが低減される。特に測定容量か
ら電子回路配列６ａ、６ｂと、ここで特にその中に集積
された信号増幅素子への信号通路が著しく短縮される。
これにより特に信頼できる測定信号の評価をおこなうこ
とができる。
【００２２】圧力または外力が矢印Ａで示した理想的な
方法で中心および垂直にダイヤフラム５に作用せず、矢
印方向Ａに対して横にその周辺領域で作用する場合、こ
れは一方で第２電極４の面積により決定された平面で該
電極の移動を生じ、他方でこれは、図１に第２電極４の
配列で記述されているように、前記平面から該ダイヤフ
ラムに配列された第２電極４と共にダイヤフラム５の変
位が生じる。これにより一方で電極４と該電極に割当て
られた帯状素子８の重なりの寸法の増加または縮小が、
移動により第１電極３に提供され、他方で第２電極４を
有する個々の素子８の間隔は、他の素子８が第２電極４
との間隔を拡大している間に、縮小し、これが第２電極
４の旋回または傾斜によりダイヤフラム５で与えられ
る。前述のような差動空間的な条件は、素子８を有する
第１電極３の立体的に構造化された形成により、かつ、
測定信号を処理するために割当てられた電子回路配列６
ａ、６ｂにより検出され、これに応じて評価することが
できる。この評価の枠内で、たとえば局所分析評価に基
づき、移動とそこから実際に作用する外力と、その割合
のみに限定されない情報を与えることができる。さら
に、ダイヤフラムがその弾力性においてどの程度の変化
を受けるかについて適切に評価することにより決めるこ
とができ、これがダイヤフラムとともにセンサの機能適
性の幅広い耐用性に関する情報を可能にする。
【００２３】選択した実施形態では、基板体１、２はシ
リコンから形成される。これにより電子回路配列６ａ、
６ｂの集積を特に簡単にすることができる。さらに、シ
リコンではその機械的性質に基づき、変形可能のダイヤ
フラム５を極く簡単に実現することができる。
【００２４】図２は、一緒に立体的に構造化された電極
３を形成する多数の互いに離間した素子８の図解配列を
平面図に示す。この立体的に構造化された電極３は、基
板体１に配列される。立体的に構造化された電極３は、
ある素子に隣接する素子８に与える影響を除外するよう
な間隔でそれぞれ隣接する素子に対し個々の素子８が現
われるように方格状の平面的な構造に配列されている１
２の素子８により実現される。１２の素子８は、方形の
構造を示す。これらの素子は、すべて面積が等しく、方
格状の配列との関係で各々隣接する素子８に対しそれぞ
れ等しい間隔を示す。この構造により、コスト的に非常
に好ましく、実装密度を非常に緻密に立体的に構造化し
た、１２の個々の素子８から成る電極３の配列を実現す
ることができる。この配列は、基板体１の表面に電極３
の個々の素子８に対し電気的にリード線またはアースを
全くもたない。これにより素子８、特に他の素子８に及
ぼすリード線の影響は広範囲に除外されている。さら
に、素子８はその表面に表層リード線が無いため明らか
に拡大して形成することができ、これが各個別素子８に
プラスに影響する。
【００２５】図３は、図２に記載した電極３を有する基
板体１の垂直の構造を示す。立体的に構造化された電極
３のうち、ここでは４つの個々の素子８を示した。これ
らの素子は、基板体１の表面に配列される。各素子８に
は、基板体１の内部に電子回路配列６ｃが割当てられ
る。この電子回路配列６ｃはそれぞれ信号増幅素子７を
含み、これにより各素子の測定信号は、信号増幅素子７
で増幅され、かつ、電子回路配列６ｃにより処理される
前に、非常に短い増幅されていない通路を進む必要があ
るだけである。このとき測定信号は、割当てられた素子
から個別素子ごとに特定の処理深さまで処理され、これ
が局所的に固有の特性表示に関係する。処理された測定
信号は、多数の事前に処理された素子８の測定信号にま
とめられ、全体的観点で差動的に個々の素子８の空間的
な条件に従って評価する共通の電子回路配列６ｄに供給
される。図３に示したこの配列は、たとえば複数の個々
のモジュールを有する第１電極３のモジュール構造を示
す。このモジュールは電子回路配列６ｃと、信号増幅素
子７と、前処理された測定信号を評価するための中央の
共通の電子回路配列６ｄと、を備えた素子８を含む。こ
のカスケード状のモジュール構造は、コスト的に非常に
好ましく、製造も非常に簡単であることが証明されてい
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく一実施形態の構造図。
【図２】立体的に構造化された電極を備えた基板体の構
造図。
【図３】立体的に構造化された電極と図２に記載した電
子回路配列とを有する基板体の構造図。
【符号の説明】
１ 第１基板体 ２ 第２基板体 ３ 第１電極 ４ 第２電極 ５ ダイヤフラム ６ａ、ｂ、ｃ 測定信号を処理するための電子回路配列 ６ｄ 測定信号を処理するための中央の電子回路配列 ７ 信号増幅素子 ８ 素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イュルゲン ジール ドイツ連邦共和国、デー‐79199 キルヒ ツァルテン、リンデナウシュトラーセ ８

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 互いに離間して向き合い、かつ、測定容
    量を形成する第１および第２電極を備えた静電容量セン
    サであって、第１電極が第１基板体に、かつ、第２電極
    が第２基板体に配設されている静電容量センサにおい
    て、 少なくとも１つの電極（３、４）が局所分析測定をする
    ために多数の互いに離間して平面的に配列された素子
    （８）を含み、かつ、立体的に構造化されて形成される
    こと、を特徴とする静電容量センサ。
  2. 【請求項２】 立体的に構造化された電極（３、４）が
    互いに平行に配列された帯状素子（８）を含むこと、を
    特徴とする請求項１記載の静電容量センサ。
  3. 【請求項３】 多数の素子（８）が方格状に配列されて
    いること、を特徴とする請求項１記載のセンサ。
  4. 【請求項４】 素子（８）が円形に形成されること、を
    特徴とする請求項１または３のいずれか１項記載のセン
    サ。
  5. 【請求項５】 素子（８）が方形に形成されること、を
    特徴とする請求項１または３のいずれか１項記載のセン
    サ。
  6. 【請求項６】 基板体の少なくとも１つに測定信号を処
    理するための電子回路配列（６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ）
    が集積されること、を特徴とする上記請求項のいずれか
    １項記載のセンサ。
  7. 【請求項７】 測定信号を処理するための電子回路配列
    （６ａ、６ｂ、６ｃ）が各基板体（１、２）の電極
    （３、４）の下に配設されること、を特徴とする請求項
    ６記載のセンサ。
  8. 【請求項８】 測定信号を処理するために集積された電
    子回路配列（６ａ、６ｃ）が局所分析測定の局所分析処
    理をするための素子を含むこと、を特徴とする請求項６
    または７記載のセンサ。
  9. 【請求項９】 測定信号を処理するための電子回路配列
    （６ａ、６ｂ、６ｃ）の局所分析処理をするための素子
    が、立体的に構造化された電極（３）の個々の素子
    （８）に立体的に割当てられること、を特徴とする請求
    項８記載のセンサ。
  10. 【請求項１０】 第２基板体（２）が電極（４）の領域
    で変形可能のダイヤフラム（５）として形成され、か
    つ、測定信号を処理するための電子回路配列（６ａ、６
    ｃ）が、第１基板体（１）に集積されること、を特徴と
    する上記請求項のいずれか１項記載のセンサ。
  11. 【請求項１１】 電子回路配列（６ａ）の第１部分が第
    １基板体（１）に、かつ、電子回路配列（６ｂ）の第２
    部分が第２基板体（２）に配列されていること、を特徴
    とする上記請求項６ないし１０のいずれか１項記載のセ
    ンサ。
  12. 【請求項１２】 電極（３、４）の少なくとも１つが電
    子回路配列（６ａ、６ｂ、６ｃ）のストリップ導体の一
    部から形成されること、を特徴とする上記請求項６ない
    し１１のいずれか１項記載のセンサ。
  13. 【請求項１３】 第２基板体（２）が電極（４）の領域
    で変形可能のダイヤフラム（５）として形成されるこ
    と、を特徴とする請求項１記載のセンサ。
  14. 【請求項１４】 センサがダイヤフラム（５）の振動の
    防止に適した減衰システムを有すること、を特徴とする
    請求項１３記載のセンサ。
  15. 【請求項１５】 センサがシリコンから成る基板体を有
    すること、を特徴とする上記請求項のいずれか１項記載
    のセンサ。
  16. 【請求項１６】 圧力センサ、力センサ、加速度セン
    サ、磁界センサまたは流量センサとしての上記請求項の
    いずれか１項記載のセンサの使用。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7663607B2 (en) 2004-05-06 2010-02-16 Apple Inc. Multipoint touchscreen
FR2787194B1 (fr) * 1998-12-11 2001-01-05 Sagem Detecteur d'acceleration de pneumatique de vehicule automobile
FR2847695B1 (fr) * 2002-11-25 2005-03-11 Oberthur Card Syst Sa Entite electronique securisee integrant la gestion de la duree de vie d'un objet
US8552989B2 (en) 2006-06-09 2013-10-08 Apple Inc. Integrated display and touch screen
CN108563366B (zh) 2006-06-09 2022-01-25 苹果公司 触摸屏液晶显示器
CN104965621B (zh) 2006-06-09 2018-06-12 苹果公司 触摸屏液晶显示器及其操作方法
US8493330B2 (en) 2007-01-03 2013-07-23 Apple Inc. Individual channel phase delay scheme
US9710095B2 (en) 2007-01-05 2017-07-18 Apple Inc. Touch screen stack-ups
US8804056B2 (en) 2010-12-22 2014-08-12 Apple Inc. Integrated touch screens
AU2014233662B2 (en) 2013-03-15 2019-01-17 Sri International Hyperdexterous surgical system
DE102014000667A1 (de) 2014-01-22 2015-07-23 Oybek Bakhramov Kapazitiver Sensor mit dielektrisch isolierten Elektroden

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4353056A (en) * 1980-06-05 1982-10-05 Siemens Corporation Capacitive fingerprint sensor
JPS5855732A (ja) * 1981-09-30 1983-04-02 Hitachi Ltd 静電容量型圧力センサ
DE3310643C2 (de) 1983-03-24 1986-04-10 Karlheinz Dr. 7801 Schallstadt Ziegler Drucksensor
JPS6086413A (ja) 1983-10-18 1985-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 物理量検出装置
US4730496A (en) * 1986-06-23 1988-03-15 Rosemount Inc. Capacitance pressure sensor
DE3734023A1 (de) * 1987-10-08 1989-04-27 Brunner Wolfgang Messmatte zur erfassung von druckverteilungen
DE3910646A1 (de) * 1989-04-01 1990-10-04 Endress Hauser Gmbh Co Kapazitiver drucksensor und verfahren zu seiner herstellung
DE59101980D1 (de) 1990-05-02 1994-07-28 Siemens Ag Kapazitiver Sensor mit Frequenzausgang.
JP2896725B2 (ja) * 1991-12-26 1999-05-31 株式会社山武 静電容量式圧力センサ
DE4231120C2 (de) * 1992-09-17 2002-01-24 Mannesmann Vdo Ag Drucksensor
DE4308132C2 (de) 1993-03-15 2003-06-18 Inst Physikalische Hochtech Ev Miniaturisierter Meßwertaufnehmer
US5511428A (en) * 1994-06-10 1996-04-30 Massachusetts Institute Of Technology Backside contact of sensor microstructures
WO1996013705A1 (de) * 1994-10-29 1996-05-09 Joshua Lanter Verfahren zum herstellen von durchführungen elektrischer leitungen durch gasdichte verbindungen zwischen glas und silizium o.dgl. und von gasdichten durchführungen durch solche verbindungen und von drucksensoren mit solchen durchführungen
DE59606342D1 (de) * 1996-03-23 2001-02-22 Endress Hauser Gmbh Co Verfahren zum Herstellen von kapazitiven, in Nullpunkt-Langzeit-Fehlerklassen sortierten Keramik-Absolutdruck-Sensoren
US5672808A (en) * 1996-06-11 1997-09-30 Moore Products Co. Transducer having redundant pressure sensors

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