JPH11323566A - 無電解めっき装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の課題は、無電解めっき装置のめっき浴
槽内のめっき液の液温を適温にして高品質の無電解めっ
きを行いながら、作番に合った無電解めっき厚さをめっ
き浴槽の交換作業を行うことなく迅速且つ容易に作業で
きる無電解めっき装置を提供することにある。 【解決手段】本発明は、めっきを行う小めっき浴槽と、
めっき液を貯蔵できる小リザーバタンクと、該小リザー
バタンクから前記小めっき浴槽へ前記めっき液を送り出
すことができる小ポンプを含む小配管とから成る単位め
っき装置が複数組組み合わされて成ることを特徴とする
無電解めっき装置にある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は無電解めっき装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＴＡＢテープキャリアを基板に用いた半
導体パッケージは半導体パッケージの小形化、高密度化
の要求に応えるものとして注目されている。

【０００３】このような小形化、高密度化の要求に応え
ることのできるＴＡＢテープキャリアは配線加工ピッチ
が微細なものであり、その結果ＴＡＢテープキャリアへ
電解めっきを行うときの全パターンの導通化や最終工程
における導通リードの切断作業等が技術的に困難になっ
てきている。

【０００４】このような訳で、導通配線が不要な無電解
めっきがＴＡＢテープキャリアへのめっき方法として注
目されている。

【０００５】一般に、ＴＡＢテープキャリアへのめっき
厚さは仕様、用途等により様々である。

【０００６】例えば、銅箔貼付ポリイミドテープをパタ
ーンニングした後、その得られた銅箔リード線部にＮｉ
下地めっきを行い、更にそのＮｉ下地上にＡｕめっきを
行って成るＴＡＢテープキャリアのＡｕ／Ｎｉめっき膜
にボンディングを行う場合、ＴＡＢテープキャリアその
ものが軟らかいためボンディング作業性が劣ることが知
られている。このボンディング作業性を改善するには、
ＴＡＢテープキャリア上にめっきされたＡｕ／Ｎｉめっ
き膜の内のＮｉ下地めっき層を５μｍ以上にすることに
より剛性を付与することが望ましいとされている。

【０００７】逆に、この種のＴＡＢテープキャリアのＡ
ｕ／Ｎｉめっき膜上にギャングボンディング（全リード
線への一括ボンディング）ではＡｕ／Ｎｉめっき膜の内
のＮｉ下地めっき層をできるだけ薄くすることが望まし
いとされている。

【０００８】このような訳で、ＴＡＢテープキャリアへ
のめっき装置ではめっき厚さを迅速に変更できることが
望ましい。

【０００９】ところで、電解めっき方法では電流密度に
比例してめっき厚さが決定される。従って、電解めっき
方法では電流密度を変化させることよりめっき厚さを制
御することができる。

【００１０】これに対して、無電解めっき方法では通電
しないのであるから電流密度を変化させることによりめ
っき厚さを制御することができない。一般に、無電解め
っき方法ではめっきの析出速度はめっき液温により変化
する。従って、無電解めっき方法ではめっき液温を調整
することによりめっき厚さを制御することができる。

【００１１】ここにおいて液温を調整するとしてもその
液温は析出温度以上の温度である。例えば、Ｐを還元剤
とした無電解Ｎｉめっきするときに７０℃以下の液温で
は化学反応が起こらず、その結果Ｎｉめっきを析出する
ことができない。このためＰを還元剤とした無電解Ｎｉ
めっきするときの最適液温は９０℃前後である。

【００１２】従って、無電解Ｎｉめっきするときには一
定の最適温度で行うのが望ましい。

【００１３】また、前述したように無電解めっきにおけ
るめっき厚さの制御はめっき液温を変化させることで可
能である。

【００１４】しかし無電解めっきにおいてめっき液温を
変化させたときには、得られるめっき膜の特性が変化す
るという難点がある。

【００１５】例えば、Ｐを還元剤とした無電解Ｎｉめっ
き方法でめっきしたとき得られるめっき膜は、厳密に言
うと純Ｎｉめっき膜ではなく、Ｐを数％含むＮｉ・Ｐ合
金めっき膜であるからである。つまり、めっき液温を変
化させたときにはＰの含有量が異なるＮｉ・Ｐ合金めっ
き膜が得られてしまうのである。このようにＰの含有量
が異なるＮｉ・Ｐ合金めっき膜が得られる結果、得られ
たＮｉ・Ｐ合金めっき膜の特性が微妙に変化してしまう
のである。

【００１６】従って、同じ組成のＮｉ・Ｐ合金めっき膜
で且つ希望するめっき厚さを得るには、液温を９０℃と
し、希望するめっき厚さが得られる時間だけめっきする
ことが必要である。

【００１７】図２は、リール・ツー・リール方式により
ＴＡＢテープキャリア上へＡｕ／Ｎｉめっきを行う作業
方法を示した一部断面正面図である。

【００１８】図２において１は材料送出装置、２は材
料、３は前処理装置、４はＮｉ・Ｐ合金めっき装置、５
はＡｕめっき装置、６は乾燥装置、７は製品、８は製品
巻取装置である。

【００１９】即ち、図２に示すような従来のリール・ツ
ー・リール方式によりＰを還元剤とした無電解Ｎｉ・Ｐ
めっきを行う際、希望するＮｉ・Ｐめっき厚さにするに
は、Ｎｉ・Ｐ合金めっき装置４に設置されているめっき
浴槽を、その希望するめっき厚さが得られるめっき時間
に相当する槽長のめっき浴槽に交換する必要がある。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらめっき厚
さが異なる作番の度に、その作番のめっき厚さに相当す
る槽長を有するめっき浴槽に交換することは段取り作業
に手間が掛かり且つ生産性を著しく低下させるという難
点がある。

【００２１】本発明はかかる点に立って為されたもので
あって、その目的とするところは前記した従来技術の欠
点を解消し、無電解めっき装置のめっき浴槽内のめっき
液の液温を適温にして高品質の無電解めっきを行いなが
ら、作番に合った無電解めっき厚さをめっき浴槽の交換
作業を行うといったことがなく、迅速且つ容易にめっき
作業ができる無電解めっき装置を提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろは、めっきを行う小めっき浴槽と、めっき液を貯蔵で
きる小リザーバタンクと、該小リザーバタンクから前記
小めっき浴槽へ前記めっき液を送り出すことができる小
ポンプを含む小配管部材とから成る単位めっき装置が複
数組組み合わされて成ることを特徴とする無電解めっき
装置にある。

【００２３】即ち、本発明の無電解めっき装置は小めっ
き浴槽と小リザーバタンクと小ポンプを含む小配管部材
とから成る単位めっき装置が複数組、例えばｎ組が設置
してある。そしてそれぞれの単位めっき装置は独立して
おり、従ってそれぞれの単位めっき装置のめっき液は互
いに混ざりあうことがないようになっている。

【００２４】本発明においてそれぞれの単位めっき装置
を構成する小リザーバタンクには、同一組成のめっき液
を入れるようにする。

【００２５】希望するめっき厚さにするときには、その
希望するめっき厚さが得られる累計槽長となるように単
位めっき装置を稼動させるようにする。

【００２６】ここにおいて、その希望するめっき厚さが
得られる累計槽長となるように単位めっき装置を稼動さ
せるようにするには、稼動させる組の単位めっき装置に
それぞれ設置されている小リザーバタンクの温度調節装
置を無電解めっきの最適の液温となるように加熱、保温
させることを意味する。この場合、希望するめっき厚さ
が得られる累計槽長を越えた分の単位めっき装置のそれ
ぞれの小リザーバタンクの温度調節装置は稼動させな
い。換言すれば累計槽長を越えた分の単位めっき装置の
それぞれの小リザーバタンクは加熱、保温しない。

【００２７】このようにすることにより小リザーバタン
クを加熱、保温した単位めっき装置を組み合わせ、稼動
させることにより希望するめっき厚さのめっきを得るこ
とができる。なお、小リザーバタンクを加熱、保温しな
い単位めっき装置の組み合わせ箇所では無電解めっき反
応が起こらなく、しかも得られためっき層の乾燥、酸
化、不活性化等の不具合も発生しない。

【００２８】従って、本発明の無電解めっき装置では作
番によりめっき厚さを変えるようなときにおいても従来
のようにそのめっき厚さに合致する槽長のめっき浴槽を
用意する必要がない。しかも、本発明の無電解めっき装
置では無電解めっきの最適の液温でめっき作業を行うこ
とができるので高品質のめっきが得られる。

【００２９】

【発明の実施の形態】次に、本発明の無電解めっき装置
の一実施例を図面により説明する。

【００３０】図１は、本発明の無電解めっき装置の一実
施例の要部を示した一部断面正面図である。

【００３１】図１において１０はＴＡＢテープキャリア
材料、１１は小めっき浴槽、１２は小リザーバタンク、
１３は小温度調節装置、１４は小ポンプ、１５は小配管
部材、１６は小仕切板、１７はめっき液である。

【００３２】なお、図示はしないが図１に向かって左側
には材料送出装置、右側には製品巻取装置等が設置され
ている。

【００３３】即ち、本発明の無電解めっき装置の一実施
例の単位めっき装置は、小めっき浴槽１１と、小リザー
バタンク１２と、小温度調節装置１３、小ポンプ１４を
含む小配管部材１５とから成っている。これらの単位め
っき装置はそれぞれ独立しており、そしてこれらの単位
めっき装置の小リザーバタンクにはそれぞれ小温度調節
装置が設置されている。これらの小温度調節装置はそれ
ぞれ任意の温度に温度制御できるように構成されてい
る。

【００３４】そして、本発明の無電解めっき装置の一実
施例はこのような単位めっき装置を複数組組み合わせて
成るものである。図１に示す本発明の無電解めっき装置
の一実施例では単位めっき装置を３組組み合わせて成る
ものである。従って、図１に示す本発明の無電解めっき
装置の一実施例では小めっき浴槽１１が３槽ある。

【００３５】次に、図１に示す本発明の無電解めっき装
置の一実施例を用いてＴＡＢテープキャリア材料１０へ
無電解Ｎｉ・Ｐめっきを行った使用例を従来の無電解め
っき装置の使用例と共に示す。

【００３６】なお、これらの例では小めっき浴槽１１の
槽長の３槽分の合計長さ及びＴＡＢテープキャリア材料
１０搬送速度は従来の１槽型無電解めっき装置で無電解
めっきしたときに６μｍのめっき厚さが得られる条件と
同一にした。具体的には小めっき浴槽１１の１槽で無電
解めっきしたときに２μｍのめっき厚さが得られるよう
にした。従って、小めっき浴槽１１の２槽で無電解めっ
きしたときに４μｍのめっき厚さが得られ、また小めっ
き浴槽１１の３槽で無電解めっきしたときに６μｍのめ
っき厚さが得られることになる。

【００３７】（本発明の無電解めっき装置の使用例１）
本発明の無電解めっき装置の使用例１では、第１番目の
単位めっき装置を稼動させ、第２番目及び第３番目の単
位めっき装置を稼動しないようにした。

【００３８】即ち、第１番目の単位めっき装置の小リザ
ーバタンクの小温度調節装置を９０℃に合わせ、第２番
目及び第３番目の単位めっき装置の小温度調節装置を２
５℃以下とした。

【００３９】このようにすることにより第１番目の単位
めっき装置の小めっき浴槽１１のめっき液１７の液温が
９０℃となり、その結果無電解Ｎｉ・Ｐめっきが行われ
る。

【００４０】これに対して第２番目及び第３番目の単位
めっき装置の小温度調節装置は２５℃以下であるから無
電解Ｎｉ・Ｐめっきが行われない。

【００４１】（本発明の無電解めっき装置の使用例２）
本発明の無電解めっき装置の使用例２では、第１番目及
び第２番目の単位めっき装置を稼動させ、第３番目の単
位めっき装置を稼動しないようにした。

【００４２】即ち、第１番目及び第２番目の単位めっき
装置の小リザーバタンクの小温度調節装置を９０℃に合
わせ、第３番目の単位めっき装置の小温度調節装置を２
５℃以下とした。

【００４３】このようにすることにより第１番目及び第
２番目の単位めっき装置の小めっき浴槽１１のめっき液
１７の液温が９０℃となり、その結果無電解Ｎｉ・Ｐめ
っきが行われる。

【００４４】これに対して第３番目の単位めっき装置の
小温度調節装置は２５℃以下であるから無電解Ｎｉ・Ｐ
めっきが行われない。

【００４５】（本発明の無電解めっき装置の使用例３）
本発明の無電解めっき装置の使用例３では、第１番目〜
第３番目の単位めっき装置の全部を稼動させた。

【００４６】即ち、第１番目〜第３番目の単位めっき装
置の小リザーバタンクの小温度調節装置を９０℃に合わ
せた。

【００４７】このようにすることにより第１番目〜第３
番目の単位めっき装置の小めっき浴槽１１のめっき液１
７の液温が９０℃となり、その結果無電解Ｎｉ・Ｐめっ
きが行われる。

【００４８】これに対して第３番目の単位めっき装置の
小温度調節装置は２５℃以下であるから無電解Ｎｉ・Ｐ
めっきが行われない。

【００４９】（従来の無電解めっき装置の使用例１）従
来の１槽型無電解めっき装置のめっき浴槽内のめっき液
温を７３℃にした状態で無電解Ｎｉ・Ｐめっきを行っ
た。

【００５０】（従来の無電解めっき装置の使用例２）従
来の１槽型無電解めっき装置のめっき浴槽内のめっき液
温を８４℃にした状態で無電解Ｎｉ・Ｐめっきを行っ
た。

【００５１】（従来の無電解めっき装置の使用例３）従
来の１槽型無電解めっき装置のめっき浴槽内のめっき液
温を９０℃にした状態で無電解Ｎｉ・Ｐめっきを行っ
た。

【００５２】（特性評価）これら本発明の無電解めっき
装置の使用例及び従来の無電解めっき装置の使用例につ
いて、無電解Ｎｉ・Ｐめっき厚さの目標値、実際に得ら
れた無電解Ｎｉ・Ｐめっき厚さ、得られた無電解Ｎｉ・
Ｐめっき中のＰ含有量分析を行った。

【００５３】表１はこれらの特性試験結果を示したもの
である。

【００５４】

【表１】

【００５５】表１から分かるように、比較例１ではめっ
き液の液温を７３℃に下げることにより目標通りの無電
解Ｎｉ・Ｐめっき厚さが得られたが、その無電解Ｎｉ・
ＰめっきのＰ含有量は１４．３０％と異常に高いもので
あった。

【００５６】比較例２ではめっき液の液温を８４℃に下
げることにより目標通りの無電解Ｎｉ・Ｐめっき厚さが
得られたが、その無電解Ｎｉ・ＰめっきのＰ含有量は１
１．８７％と高いものであった。

【００５７】また、比較例３ではめっき液の液温を適温
の９０℃にすることにより目標通りの無電解Ｎｉ・Ｐめ
っき厚さが得られ且つその無電解Ｎｉ・ＰめっきのＰ含
有量も９．２０％と正常であった。しかし希望するＮｉ
・Ｐめっき厚さにするには、Ｎｉ・Ｐ合金めっき装置に
設置されているめっき浴槽をその希望するめっき厚さが
得られるめっき時間に相当する槽長のめっき浴槽に交換
するようにしなければならない。

【００５８】これに対して本発明の無電解めっき装置の
使用例１〜３使用例では、めっき液の液温を適温の９０
℃にすることにより目標通りの無電解Ｎｉ・Ｐめっき厚
さが得られ、且つその無電解Ｎｉ・ＰめっきのＰ含有量
も９．１８〜９．２２％と一定品質の無電解Ｎｉ・Ｐめ
っき膜が得られる。

【００５９】ここでは無電解Ｎｉ・Ｐめっきについて例
示したが、勿論他の金属無電解めっきでも行うことがで
きる。

【００６０】

【発明の効果】本発明の無電解めっき装置によれば、無
電解めっき液の液温を該当する無電解めっき液の適温に
設定でき、且つ目標通りの無電解めっき厚さが得られ、
しかも得られた無電解めっきは高品質であり、工業上有
用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の無電解めっき装置の一実施例の要部を
示した一部断面正面図である。

【図２】従来のリール・ツー・リール方式によりＴＡＢ
テープキャリア上へＡｕ／Ｎｉめっきを行う作業方法を
示した一部断面正面図である。

【符号の説明】

１ 材料送出装置 ２ 材料 ３ 前処理装置 ４ Ｎｉ・Ｐ合金めっき装置 ５ Ａｕめっき装置 ６ 乾燥装置 ７ 製品 ８ 製品巻取装置 １０ ＴＡＢテープキャリア材料 １１ 小めっき浴槽 １２ 小リザーバタンク １３ 小温度調節装置 １４ 小ポンプ １５ 小配管部材 １６ 小仕切板 １７ めっき液

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】めっきを行う小めっき浴槽と、めっき液を
   貯蔵できる小リザーバタンクと、該小リザーバタンクか
   ら前記小めっき浴槽へ前記めっき液を送り出すことがで
   きる小ポンプを含む小配管部材とから成る単位めっき装
   置を複数組組み合わせて構成して成ることを特徴とする
   無電解めっき装置。
2. 【請求項２】単位めっき装置を構成する各小配管部材
   は、それぞれ独立した配管系統から成ることを特徴とす
   る請求項１記載の無電解めっき装置。
3. 【請求項３】単位めっき装置を構成する各小リザーバタ
   ンクには、それぞれ小温度調節装置が設置されており且
   つ該小温度調節装置はそれぞれ任意の温度に温度設定で
   きるように構成されて成ることを特徴とする請求項１記
   載の無電解めっき装置。