JPH11323541A - 多層膜形成用スパッタ装置及びその使用方法 - Google Patents
多層膜形成用スパッタ装置及びその使用方法Info
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- JPH11323541A JPH11323541A JP13058998A JP13058998A JPH11323541A JP H11323541 A JPH11323541 A JP H11323541A JP 13058998 A JP13058998 A JP 13058998A JP 13058998 A JP13058998 A JP 13058998A JP H11323541 A JPH11323541 A JP H11323541A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】筒型のワークの側面及び上面に一様な膜厚で多
層にスパッタ成膜できる安価な多層膜形成用スパッタ装
置を提供すること及びこの措置により成膜レートを機械
的に簡単に制御する方法を提供すること 【解決手段】真空成膜室１内に、支軸４を中心として回
転し且つ真空成膜室内を平行移動する回転盤５を設ける
と共に回転盤の周辺に端面が塞がれた筒型のワーク９を
回転盤の盤面に対して直立して保持し且つワークを該支
軸に平行な自転軸を中心として自転させる基板ホルダー
１０を設け、回転盤の移動方向に沿って間隔を存してワ
ークの側面と平行したスパッタ面を有するターゲット１
４を備えたカソード１１を複数個設けた。回転盤と該ワ
ークの回転数比を調節することにより均一なスパッタ膜
を形成できる。
層にスパッタ成膜できる安価な多層膜形成用スパッタ装
置を提供すること及びこの措置により成膜レートを機械
的に簡単に制御する方法を提供すること 【解決手段】真空成膜室１内に、支軸４を中心として回
転し且つ真空成膜室内を平行移動する回転盤５を設ける
と共に回転盤の周辺に端面が塞がれた筒型のワーク９を
回転盤の盤面に対して直立して保持し且つワークを該支
軸に平行な自転軸を中心として自転させる基板ホルダー
１０を設け、回転盤の移動方向に沿って間隔を存してワ
ークの側面と平行したスパッタ面を有するターゲット１
４を備えたカソード１１を複数個設けた。回転盤と該ワ
ークの回転数比を調節することにより均一なスパッタ膜
を形成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電球の球やリフレ
クターなど主として多数の筒型のワークの側面及び端面
に一様な厚さの多層膜を成膜する多層膜形成用スパッタ
装置とその使用方法に関する。
クターなど主として多数の筒型のワークの側面及び端面
に一様な厚さの多層膜を成膜する多層膜形成用スパッタ
装置とその使用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、真空成膜室内で回転するドラムに
多数のワークを設置し、該真空成膜室内に設けたスパッ
タカソードの前方に各ワークを順次に位置するようにド
ラムを回転させて各ワークにスパッタ成膜を施す装置が
知られている。
多数のワークを設置し、該真空成膜室内に設けたスパッ
タカソードの前方に各ワークを順次に位置するようにド
ラムを回転させて各ワークにスパッタ成膜を施す装置が
知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の装
置では、ワークが筒型である場合、その側面と上面の一
部に多層膜を形成できても、その側面と上面の全体に一
様な膜を多層に形成することができず、特に側面と上面
では膜厚にバラツキが生じる不都合があった。また、上
記従来の装置では、種類の異なるスパッタカソードをド
ラムの周囲に沿って複数基設けておけば、ワークが各カ
ソードの前方に位置したときに各種の膜を形成して各ワ
ークに多層の膜を成膜することは可能であるが、他のカ
ソードの成膜材料が混入して膜質が低下する欠点がある
ので、膜質の良い多層膜を形成するには複数の成膜室を
用意し、ワークを各成膜室に移し換えて各層を個別に成
膜するのが一般で、設備が高価でその移し換えの作業が
煩わしい欠点があった。また、従来のワークの成膜レー
トの調節は、カソードへの投入電力を制御して行ってお
り、その電気制御設備が高価で装置の価格が高くなる不
都合があった。
置では、ワークが筒型である場合、その側面と上面の一
部に多層膜を形成できても、その側面と上面の全体に一
様な膜を多層に形成することができず、特に側面と上面
では膜厚にバラツキが生じる不都合があった。また、上
記従来の装置では、種類の異なるスパッタカソードをド
ラムの周囲に沿って複数基設けておけば、ワークが各カ
ソードの前方に位置したときに各種の膜を形成して各ワ
ークに多層の膜を成膜することは可能であるが、他のカ
ソードの成膜材料が混入して膜質が低下する欠点がある
ので、膜質の良い多層膜を形成するには複数の成膜室を
用意し、ワークを各成膜室に移し換えて各層を個別に成
膜するのが一般で、設備が高価でその移し換えの作業が
煩わしい欠点があった。また、従来のワークの成膜レー
トの調節は、カソードへの投入電力を制御して行ってお
り、その電気制御設備が高価で装置の価格が高くなる不
都合があった。
【０００４】本発明は、筒型のワークの側面及び上面に
一様な膜厚で多層にスパッタ成膜できる安価な多層膜形
成用スパッタ装置を提供すること及びこの装置により成
膜レートを機械的に簡単に制御する方法を提供すること
を目的とするものである。
一様な膜厚で多層にスパッタ成膜できる安価な多層膜形
成用スパッタ装置を提供すること及びこの装置により成
膜レートを機械的に簡単に制御する方法を提供すること
を目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、真空成膜室
内に、支軸を中心として回転し且つ該真空成膜室内を平
行移動する回転盤を設けると共に該回転盤の周辺に端面
が塞がれた筒型のワークを該回転盤の盤面に対して直立
して保持し且つ該ワークを該支軸に平行な自転軸を中心
として自転させる基板ホルダーを設け、該回転板の移動
方向に沿って間隔を存して該ワークの側面と平行したス
パッタ面を有するターゲットを備えたカソードを複数個
設けることにより、上記目的を達成するようにした。該
支軸には複数枚の回転盤を間隔を存して取り付けておく
ことにより、多数の基板ホルダーを設けて多くのワーク
にスパッタ処理を施せる。該回転盤と該ワークの回転数
比を調節することにより、好ましくはその回転数比を１
／５乃至１／３０とすることにより、該ワークの上面と
側面全周に一様な膜厚分布でスパッタ成膜を施せる。
内に、支軸を中心として回転し且つ該真空成膜室内を平
行移動する回転盤を設けると共に該回転盤の周辺に端面
が塞がれた筒型のワークを該回転盤の盤面に対して直立
して保持し且つ該ワークを該支軸に平行な自転軸を中心
として自転させる基板ホルダーを設け、該回転板の移動
方向に沿って間隔を存して該ワークの側面と平行したス
パッタ面を有するターゲットを備えたカソードを複数個
設けることにより、上記目的を達成するようにした。該
支軸には複数枚の回転盤を間隔を存して取り付けておく
ことにより、多数の基板ホルダーを設けて多くのワーク
にスパッタ処理を施せる。該回転盤と該ワークの回転数
比を調節することにより、好ましくはその回転数比を１
／５乃至１／３０とすることにより、該ワークの上面と
側面全周に一様な膜厚分布でスパッタ成膜を施せる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
き説明すると、図１乃至図３に於いて符号１は真空ポン
プに連なる真空排気口２とスパッタガスの導入口３を備
えた真空成膜室を示し、その室内に支軸４を中心として
回転し且つ平行移動する回転盤５を設けた。該支軸４は
該成膜室１内に敷設したレール６上を走行する台座７に
直立して固定され、該レール６に沿って設けた駆動軸８
の回転により該回転盤５に回転を与えるようにした。該
回転盤５は図１に見られるように円形に構成され、その
周縁部分に上面が塞がれた円筒状のワーク９を盤面から
直立させて保持し且つ該ワーク９を該支軸４に平行な自
転軸を中心として自転させる基板ホルダー１０を例えば
３６個設けた。該回転盤５は中空に構成され、その内部
には、該支軸４に固定した大径の固定歯車１３と、該固
定歯車１３の外周に噛み合い且つ該回転盤５に軸支され
て該基板ホルダー１０と共に回転する衛星歯車１５を設
け、該駆動軸８により該回転盤５が回転されると、基板
ホルダー１０に取り付けたワーク９が該支軸４の周りを
公転し且つ該回転盤５上で自転する。１７は該台座７に
装着したエンドレスベルト１８を往復移動させるための
電動機で、その回転で台座７がレール６に沿って往復す
る。多数のワークを処理するときは、該支軸４に上下２
段に或いは図４、図５のように３段に回転盤５を取り付
けする。尚、ワーク９は円筒状に限らず、角筒型であっ
てもよく、この場合は基板ホルダー１０の形状をを角筒
型ワーク９を取り付けれるように形成する。
き説明すると、図１乃至図３に於いて符号１は真空ポン
プに連なる真空排気口２とスパッタガスの導入口３を備
えた真空成膜室を示し、その室内に支軸４を中心として
回転し且つ平行移動する回転盤５を設けた。該支軸４は
該成膜室１内に敷設したレール６上を走行する台座７に
直立して固定され、該レール６に沿って設けた駆動軸８
の回転により該回転盤５に回転を与えるようにした。該
回転盤５は図１に見られるように円形に構成され、その
周縁部分に上面が塞がれた円筒状のワーク９を盤面から
直立させて保持し且つ該ワーク９を該支軸４に平行な自
転軸を中心として自転させる基板ホルダー１０を例えば
３６個設けた。該回転盤５は中空に構成され、その内部
には、該支軸４に固定した大径の固定歯車１３と、該固
定歯車１３の外周に噛み合い且つ該回転盤５に軸支され
て該基板ホルダー１０と共に回転する衛星歯車１５を設
け、該駆動軸８により該回転盤５が回転されると、基板
ホルダー１０に取り付けたワーク９が該支軸４の周りを
公転し且つ該回転盤５上で自転する。１７は該台座７に
装着したエンドレスベルト１８を往復移動させるための
電動機で、その回転で台座７がレール６に沿って往復す
る。多数のワークを処理するときは、該支軸４に上下２
段に或いは図４、図５のように３段に回転盤５を取り付
けする。尚、ワーク９は円筒状に限らず、角筒型であっ
てもよく、この場合は基板ホルダー１０の形状をを角筒
型ワーク９を取り付けれるように形成する。
【０００７】該成膜室１内には、該回転盤５の移動方向
に沿ってコンタミネーションを防げる適当な間隔を存し
て該回転軸４と平行したスパッタ面を有するターゲット
１４を備え、ＤＣ或いはＲＦ電源１２に接続したカソー
ド１１を例えば２基設け、図示の例では一方のターゲッ
ト１４ａをＳｉＯ2のターゲットとし、もう一方のター
ゲット１４ｂをＴｉＯ2のターゲットとし、両カソード
１１、１１間に該成膜室１の壁面から延び且つ回転盤５
の移動を妨げないように揺動する防着板１９を設けてス
パッタ粒子の拡散を防ぐようにした。
に沿ってコンタミネーションを防げる適当な間隔を存し
て該回転軸４と平行したスパッタ面を有するターゲット
１４を備え、ＤＣ或いはＲＦ電源１２に接続したカソー
ド１１を例えば２基設け、図示の例では一方のターゲッ
ト１４ａをＳｉＯ2のターゲットとし、もう一方のター
ゲット１４ｂをＴｉＯ2のターゲットとし、両カソード
１１、１１間に該成膜室１の壁面から延び且つ回転盤５
の移動を妨げないように揺動する防着板１９を設けてス
パッタ粒子の拡散を防ぐようにした。
【０００８】図４乃至図７に示した例は、本発明の他の
実施例であり、この実施例ではレール６を該成膜室１の
側壁に設けてこれに傘歯車１６を収容した中空の台座７
を走行自在に載架し、該駆動軸８の回転が伝達歯車８ａ
及び傘歯車１６を介して回転盤５に与えられるようにし
た。
実施例であり、この実施例ではレール６を該成膜室１の
側壁に設けてこれに傘歯車１６を収容した中空の台座７
を走行自在に載架し、該駆動軸８の回転が伝達歯車８ａ
及び傘歯車１６を介して回転盤５に与えられるようにし
た。
【０００９】本発明の装置は、図８に示すような上面９
ａが塞がれた筒型ワーク９の側面９ｂの全面と該上面９
ａに、例えばＳｉＯ2膜とＴｉＯ2膜の２層の多層膜を成
膜するために使用されるもので、その作動を図１乃至図
３に示した装置につき説明すると次の通りである。尚、
該回転盤５には外径が３３２ｍｍのものを２段に設け、
ワーク９は高さが３０ｍｍ、直径が１５ｍｍの円筒体の
ものとし、回転盤５の回転数とワーク９の自転数の比を
１：１３に設定した。また、各カソード１１、１１に
は、高さ方向が１０インチで幅方向が５インチのターゲ
ット１４を取り付け、その中心間距離を８００ｍｍとし
た。
ａが塞がれた筒型ワーク９の側面９ｂの全面と該上面９
ａに、例えばＳｉＯ2膜とＴｉＯ2膜の２層の多層膜を成
膜するために使用されるもので、その作動を図１乃至図
３に示した装置につき説明すると次の通りである。尚、
該回転盤５には外径が３３２ｍｍのものを２段に設け、
ワーク９は高さが３０ｍｍ、直径が１５ｍｍの円筒体の
ものとし、回転盤５の回転数とワーク９の自転数の比を
１：１３に設定した。また、各カソード１１、１１に
は、高さ方向が１０インチで幅方向が５インチのターゲ
ット１４を取り付け、その中心間距離を８００ｍｍとし
た。
【００１０】まず、カソード１１、１１にＳｉＯ2とＴ
ｉＯ2のターゲット１４を取り付け、各基板ホルダー１
０に例えば電球の球からなるワーク９を夫々嵌着し、Ｓ
ｉＯ２のターゲット１４ａのカソード１１の前方に台座
７を位置させ、該成膜室１内を例えば１．３×１０-4Ｐ
ａに排気する。そして駆動軸８を回転させて回転盤５を
公転させると共にワーク９を取り付けた基板ホルダー１
０を自転させ、スパッタガスを導入して圧力を調節した
のち該カソード１１に電力を概ね３Ｋｗ投入し、スパッ
タを開始する。該駆動軸８を１０分間回転させると、各
ワーク９の側面及び上面にＳｉＯ2のスパッタ膜が厚さ
１２０オングストロームの一様な厚さで成膜される。こ
のあと、カソード１１の作動を止め、台座７の移動でＴ
ｉＯ2のターゲットを備えたカソード１１の前方へ該ワ
ーク９を移動させ、再び駆動軸８を回転させて回転盤５
及びワーク９を自公転させながら該カソード１１を作動
させる。その回転を１０分間続けると、各ワーク９の側
面及び上面のＳｉＯ2膜の上にＴｉＯ2のスパッタ膜が厚
さ１３０オングストロームの一様な厚さで成膜され、各
ワーク９に予定の２層膜の形成が完了する。該ワーク９
は成膜室１内を大気圧に戻すか、図９のように成膜室１
に連設したロードロック室２０に台座７を移動させ、該
室２０を大気圧に戻すことにより外部へ取り出される。
ｉＯ2のターゲット１４を取り付け、各基板ホルダー１
０に例えば電球の球からなるワーク９を夫々嵌着し、Ｓ
ｉＯ２のターゲット１４ａのカソード１１の前方に台座
７を位置させ、該成膜室１内を例えば１．３×１０-4Ｐ
ａに排気する。そして駆動軸８を回転させて回転盤５を
公転させると共にワーク９を取り付けた基板ホルダー１
０を自転させ、スパッタガスを導入して圧力を調節した
のち該カソード１１に電力を概ね３Ｋｗ投入し、スパッ
タを開始する。該駆動軸８を１０分間回転させると、各
ワーク９の側面及び上面にＳｉＯ2のスパッタ膜が厚さ
１２０オングストロームの一様な厚さで成膜される。こ
のあと、カソード１１の作動を止め、台座７の移動でＴ
ｉＯ2のターゲットを備えたカソード１１の前方へ該ワ
ーク９を移動させ、再び駆動軸８を回転させて回転盤５
及びワーク９を自公転させながら該カソード１１を作動
させる。その回転を１０分間続けると、各ワーク９の側
面及び上面のＳｉＯ2膜の上にＴｉＯ2のスパッタ膜が厚
さ１３０オングストロームの一様な厚さで成膜され、各
ワーク９に予定の２層膜の形成が完了する。該ワーク９
は成膜室１内を大気圧に戻すか、図９のように成膜室１
に連設したロードロック室２０に台座７を移動させ、該
室２０を大気圧に戻すことにより外部へ取り出される。
【００１１】この場合、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2膜はともに約
１２．５〜１３．５オングストローム／ｍｉｎの成膜レ
ートであった。この成膜レートの値Ｒは、経験的に与え
られるＲ＝（Ｒ0／π）×（ω／（ω＋１））の式から
算出される値に近い値である。Ｒ0はワークに自転のな
い場合の成膜レートであり、オングストローム・ｍの単
位を持つ。前記実施例の場合は、Ｒ0＝７０オングスト
ローム・ｍである。また、ωはワークの回転数と関係し
た量である。前記の実施例では、ワーク９は、幅５イン
チつまり約１２．５ｃｍのカソード１１の前方を通過す
る際だけ成膜されると考えられ、従って、回転盤５が１
回転しても、実際は円周にならべられたワークの１／８
の部分だけがカソード１１の前を通過して成膜されるこ
とになる。よって、ωとして採用する値は、回転盤５と
ワーク９の回転数比を１／８にしたもの、すなわち、１
３×（１／８）＝１．６２５になり、このときの上式の
成膜レートＲは１４オングストローム／ｍｉｎになり、
実際の成膜レートとかなり一致する。そしてこのような
自公転式のスパッタ成膜に於いて、円筒状のワーク９の
上面と側面に一様性よく成膜するには、回転盤５の回転
数とワーク９の自転数との間には、１（回転盤）：５〜
３０（ワーク）という回転数の関係があればよいことが
繰り返しての実施により判明した。図１０に回転数比と
一様性の関係を示した。尚、この範囲の回転数比では、
ワークの上面と側面の膜厚の一様性は±５％の一様性が
得られた。更に、ワーク９は、高さが３０〜５０ｍｍ程
度で、直径が１０〜２５ｍｍ程度であるならば、一様性
として±５％が得られることも分かった。該回転盤とワ
ークの回転数比はワークの寸法形状により適宜選択さ
れ、その回転数比は固定歯車１３又は衛星歯車１５の歯
数を変更することで簡単に変更できる。
１２．５〜１３．５オングストローム／ｍｉｎの成膜レ
ートであった。この成膜レートの値Ｒは、経験的に与え
られるＲ＝（Ｒ0／π）×（ω／（ω＋１））の式から
算出される値に近い値である。Ｒ0はワークに自転のな
い場合の成膜レートであり、オングストローム・ｍの単
位を持つ。前記実施例の場合は、Ｒ0＝７０オングスト
ローム・ｍである。また、ωはワークの回転数と関係し
た量である。前記の実施例では、ワーク９は、幅５イン
チつまり約１２．５ｃｍのカソード１１の前方を通過す
る際だけ成膜されると考えられ、従って、回転盤５が１
回転しても、実際は円周にならべられたワークの１／８
の部分だけがカソード１１の前を通過して成膜されるこ
とになる。よって、ωとして採用する値は、回転盤５と
ワーク９の回転数比を１／８にしたもの、すなわち、１
３×（１／８）＝１．６２５になり、このときの上式の
成膜レートＲは１４オングストローム／ｍｉｎになり、
実際の成膜レートとかなり一致する。そしてこのような
自公転式のスパッタ成膜に於いて、円筒状のワーク９の
上面と側面に一様性よく成膜するには、回転盤５の回転
数とワーク９の自転数との間には、１（回転盤）：５〜
３０（ワーク）という回転数の関係があればよいことが
繰り返しての実施により判明した。図１０に回転数比と
一様性の関係を示した。尚、この範囲の回転数比では、
ワークの上面と側面の膜厚の一様性は±５％の一様性が
得られた。更に、ワーク９は、高さが３０〜５０ｍｍ程
度で、直径が１０〜２５ｍｍ程度であるならば、一様性
として±５％が得られることも分かった。該回転盤とワ
ークの回転数比はワークの寸法形状により適宜選択さ
れ、その回転数比は固定歯車１３又は衛星歯車１５の歯
数を変更することで簡単に変更できる。
【００１２】ターゲット１４の高さ方向の寸法は、回転
盤５を数段重ねた場合の高さよりも２０ｃｍ程度大きい
ことが必要である。該回転盤５の平行移動の経路の両側
に、図９のように、同種のターゲット１４を取り付けた
カソード１１を対向して設けるようにしてもよい。ま
た、回転盤５を多段に重ねた場合、下段の回転盤５のワ
ークと上段の回転盤５の底面との間には、例えば５〜１
５ｍｍ程度のわずかな隙間があればよい。更に、ワーク
９は、図１１に示すような上面が隆起した形状を持つも
のであってもよい。
盤５を数段重ねた場合の高さよりも２０ｃｍ程度大きい
ことが必要である。該回転盤５の平行移動の経路の両側
に、図９のように、同種のターゲット１４を取り付けた
カソード１１を対向して設けるようにしてもよい。ま
た、回転盤５を多段に重ねた場合、下段の回転盤５のワ
ークと上段の回転盤５の底面との間には、例えば５〜１
５ｍｍ程度のわずかな隙間があればよい。更に、ワーク
９は、図１１に示すような上面が隆起した形状を持つも
のであってもよい。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によるときは、支軸
を中心として回転し且つ該真空成膜室内を平行移動する
回転盤の周辺に、端面が塞がれた筒型のワークを該回転
盤の盤面に対して直立して保持し且つ該ワークを該支軸
に平行な自転軸を中心として自転させる基板ホルダーを
設け、該回転盤の移動方向に沿って間隔を存して該ワー
クの側面と平行したスパッタ面を有するターゲットを備
えたカソードを複数個設けたので、該ワークの側面と上
面に一様性のよいスパッタ膜を１つの成膜室内で多層に
形成することができ、その装置構成も簡単で装置が安価
になる等の効果があり、該回転盤の回転数と該ワークの
自転数の比を調節するだけで、各種寸法形状の筒型ワー
クの上面と側面に一様性のよい多層スパッタ膜を簡単に
成膜出来る効果がある。
を中心として回転し且つ該真空成膜室内を平行移動する
回転盤の周辺に、端面が塞がれた筒型のワークを該回転
盤の盤面に対して直立して保持し且つ該ワークを該支軸
に平行な自転軸を中心として自転させる基板ホルダーを
設け、該回転盤の移動方向に沿って間隔を存して該ワー
クの側面と平行したスパッタ面を有するターゲットを備
えたカソードを複数個設けたので、該ワークの側面と上
面に一様性のよいスパッタ膜を１つの成膜室内で多層に
形成することができ、その装置構成も簡単で装置が安価
になる等の効果があり、該回転盤の回転数と該ワークの
自転数の比を調節するだけで、各種寸法形状の筒型ワー
クの上面と側面に一様性のよい多層スパッタ膜を簡単に
成膜出来る効果がある。
【図１】本発明の実施の形態を示す截断平面図
【図２】図１の２−２線断面図
【図３】図１の３−３線断面図
【図４】本発明の他の実施の形態を示す要部の截断側面
図
図
【図５】図４の５−５線断面図
【図６】図４の６−６線断面図
【図７】図４の一部拡大断面図
【図８】ワークの斜視図
【図９】本発明の更に他の実施の形態を示す截断平面図
【図１０】スパッタ膜厚と回転数比の関係を示す線図
【図１１】他のワークの斜視図
１ 真空成膜室、４ 支軸、５ 回転盤、９ ワーク、
１０ 基板ホルダー、１１ カソード、１４ａ・１４ｂ
ターゲット、
１０ 基板ホルダー、１１ カソード、１４ａ・１４ｂ
ターゲット、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 天野 繁 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】真空成膜室内に、支軸を中心として回転し
且つ該真空成膜室内を平行移動する回転盤を設けると共
に該回転盤の周辺に端面が塞がれた筒型のワークを該回
転盤の盤面に対して直立して保持し且つ該ワークを該支
軸に平行な自転軸を中心として自転させる基板ホルダー
を設け、該回転盤の移動方向に沿って間隔を存して該ワ
ークの側面と平行したスパッタ面を有するターゲットを
備えたカソードを複数個設けたことを特徴とする多層膜
形成用スパッタ装置。 - 【請求項２】上記支軸に複数枚の上記回転盤を間隔を存
して取り付けたことを特徴とする請求項１に記載の多層
膜形成用スパッタ装置。 - 【請求項３】真空成膜室内に、回転軸を中心として回転
し且つ該真空成膜室内を平行移動する回転盤を設けると
共に該回転盤の周辺に端面が塞がれた筒型のワークを該
回転盤の盤面に対して直立して保持し且つ該ワークを自
転させる基板ホルダーを設け、該回転盤の移動方向に沿
って間隔を存して該ワークの側面と平行したスパッタ面
を有するターゲットを備えたカソードを複数箇所設けた
多層膜形成用スパッタ装置に於いて、該筒型のワークの
上面と側面の膜厚分布を該回転盤と該ワークの回転数比
を調節することにより均一化することを特徴とする多層
膜成膜用スパッタ装置の使用方法。 - 【請求項４】上記回転盤に対する上記基板ホルダーの回
転数比を１／５乃至１／３０としたことを特徴とする請
求項３に記載の多層膜成膜用スパッタ装置の使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13058998A JP4138938B2 (ja) | 1998-05-13 | 1998-05-13 | 多層膜形成用スパッタ装置及びその使用方法 |
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| JP2010529298A (ja) * | 2007-06-05 | 2010-08-26 | デポジッション サイエンス インク | 低コストかつ高速な成膜方法及び装置 |
| CN109852935A (zh) * | 2019-04-15 | 2019-06-07 | 浙江世宏实业有限公司 | 一种用于化妆品管的镀彩装置 |
-
1998
- 1998-05-13 JP JP13058998A patent/JP4138938B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010529298A (ja) * | 2007-06-05 | 2010-08-26 | デポジッション サイエンス インク | 低コストかつ高速な成膜方法及び装置 |
| CN109852935A (zh) * | 2019-04-15 | 2019-06-07 | 浙江世宏实业有限公司 | 一种用于化妆品管的镀彩装置 |
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