JPH11322485A - 結晶中酸素濃度の制御方法 - Google Patents
結晶中酸素濃度の制御方法Info
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- JPH11322485A JPH11322485A JP12700498A JP12700498A JPH11322485A JP H11322485 A JPH11322485 A JP H11322485A JP 12700498 A JP12700498 A JP 12700498A JP 12700498 A JP12700498 A JP 12700498A JP H11322485 A JPH11322485 A JP H11322485A
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- Japan
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- crystal
- pulling
- type
- correction amount
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 当該引上装置で過去に同品種又は似た品種が
引き上げられた実績がなくとも、品種変更要因を適切に
考慮して、ルツボ回転数等の制御因子における操作量を
決定することができる結晶中酸素濃度の制御方法を提供
すること。 【解決手段】 石英ルツボ内の溶融液より結晶を引き上
げる際、酸素濃度とルツボ回転数等の制御因子における
操作量との関係式に、前記制御因子以外の酸素濃度に影
響を及ぼす外乱要因（品種変更要因等）に対する補正を
行なって、前記制御因子の操作量を決定し、そして次の
結晶を引き上げる結晶中酸素濃度の制御方法において、
当該引上装置で次回以降引き上げ予定されている品種及
び該品種と似た品種の引上実績が当該引上装置にない場
合、他の引上装置での前記引き上げ予定品種と同じ又は
似た品種の品種変更要因に対する補正量に、当該引上装
置と前記他の引上装置との装置間差の影響を加味したも
のを、当該引上装置の品種変更要因に対する補正量とし
て採用する。
引き上げられた実績がなくとも、品種変更要因を適切に
考慮して、ルツボ回転数等の制御因子における操作量を
決定することができる結晶中酸素濃度の制御方法を提供
すること。 【解決手段】 石英ルツボ内の溶融液より結晶を引き上
げる際、酸素濃度とルツボ回転数等の制御因子における
操作量との関係式に、前記制御因子以外の酸素濃度に影
響を及ぼす外乱要因（品種変更要因等）に対する補正を
行なって、前記制御因子の操作量を決定し、そして次の
結晶を引き上げる結晶中酸素濃度の制御方法において、
当該引上装置で次回以降引き上げ予定されている品種及
び該品種と似た品種の引上実績が当該引上装置にない場
合、他の引上装置での前記引き上げ予定品種と同じ又は
似た品種の品種変更要因に対する補正量に、当該引上装
置と前記他の引上装置との装置間差の影響を加味したも
のを、当該引上装置の品種変更要因に対する補正量とし
て採用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は結晶中酸素濃度の制
御方法に関し、より詳細には、チョクラルスキー法（以
下、ＣＺ法と記す）等によりＳｉ（シリコン）溶融液か
らＳｉ単結晶を引き上げる際に適用される結晶中酸素濃
度の制御方法に関する。
御方法に関し、より詳細には、チョクラルスキー法（以
下、ＣＺ法と記す）等によりＳｉ（シリコン）溶融液か
らＳｉ単結晶を引き上げる際に適用される結晶中酸素濃
度の制御方法に関する。
【０００２】
【関連する技術】半導体基板の製造に使用される単結晶
を引き上げるには種々の方法があるが、その一つにＣＺ
法がある。図１はこのＣＺ法により単結晶を引き上げる
際に用いられる結晶引上装置を模式的に示した断面図で
あり、図中１２は容器を示している。容器１２によりチ
ャンバ１１が形成されており、チャンバ１１の上部は円
柱状の上部チャンバ１１ａとなっている。チャンバ１１
の略中央部には略有底円筒形状の石英ルツボ１３ａが配
設され、石英ルツボ１３ａ内にはＳｉの溶融液１５が充
填されるようになっている。また石英ルツボ１３ａの外
周には略有底円筒形状の黒鉛ルツボ１３ｂが配設されて
おり、これら石英ルツボ１３ａと黒鉛ルツボ１３ｂとに
よりルツボ１３が構成されている。またルツボ１３下部
には回転軸１８を介して駆動装置（図示せず）が接続さ
れており、この駆動装置を駆動させるとルツボ１３が所
定速度で回転・上下動するようになっている。またルツ
ボ１３の外側にはこれと同心円状にヒータ１４が配設さ
れており、ヒータ１４により石英ルツボ１３ａ内に装入
したＳｉ原料が溶融して溶融液１５が形成されるように
なっている。またルツボ１３の中心軸上には引上軸１６
が吊設され、引上軸１６の先端には種結晶１６ａが取り
付けられており、引上軸１６は上方に引き上げられなが
ら回転させられるようになっている。また容器１２下部
は開口部１９を介して真空ポンプ（図示せず）に接続さ
れており、この真空ポンプを駆動させてチャンバ１１内
の圧力（以下、炉内圧と記す）を所定圧力に設定するよ
うになっている。また上部チャンバ１１ａにはガス供給
装置（図示せず）が接続されており、このガス供給装置
を駆動させてＡｒ等の不活性ガスを所定流量、上部チャ
ンバ１１ａを通ってチャンバ１１内に供給するようにな
っている。これらチャンバ１１、ルツボ１３、ヒータ１
４、引上軸１６、駆動装置、真空ポンプ、ガス供給装置
等を含んで結晶引上装置１０が構成されている。
を引き上げるには種々の方法があるが、その一つにＣＺ
法がある。図１はこのＣＺ法により単結晶を引き上げる
際に用いられる結晶引上装置を模式的に示した断面図で
あり、図中１２は容器を示している。容器１２によりチ
ャンバ１１が形成されており、チャンバ１１の上部は円
柱状の上部チャンバ１１ａとなっている。チャンバ１１
の略中央部には略有底円筒形状の石英ルツボ１３ａが配
設され、石英ルツボ１３ａ内にはＳｉの溶融液１５が充
填されるようになっている。また石英ルツボ１３ａの外
周には略有底円筒形状の黒鉛ルツボ１３ｂが配設されて
おり、これら石英ルツボ１３ａと黒鉛ルツボ１３ｂとに
よりルツボ１３が構成されている。またルツボ１３下部
には回転軸１８を介して駆動装置（図示せず）が接続さ
れており、この駆動装置を駆動させるとルツボ１３が所
定速度で回転・上下動するようになっている。またルツ
ボ１３の外側にはこれと同心円状にヒータ１４が配設さ
れており、ヒータ１４により石英ルツボ１３ａ内に装入
したＳｉ原料が溶融して溶融液１５が形成されるように
なっている。またルツボ１３の中心軸上には引上軸１６
が吊設され、引上軸１６の先端には種結晶１６ａが取り
付けられており、引上軸１６は上方に引き上げられなが
ら回転させられるようになっている。また容器１２下部
は開口部１９を介して真空ポンプ（図示せず）に接続さ
れており、この真空ポンプを駆動させてチャンバ１１内
の圧力（以下、炉内圧と記す）を所定圧力に設定するよ
うになっている。また上部チャンバ１１ａにはガス供給
装置（図示せず）が接続されており、このガス供給装置
を駆動させてＡｒ等の不活性ガスを所定流量、上部チャ
ンバ１１ａを通ってチャンバ１１内に供給するようにな
っている。これらチャンバ１１、ルツボ１３、ヒータ１
４、引上軸１６、駆動装置、真空ポンプ、ガス供給装置
等を含んで結晶引上装置１０が構成されている。
【０００３】このように構成された結晶引上装置１０を
用い、ＣＺ法によりＳｉ単結晶を引き上げる場合、まず
石英ルツボ１３ａ内にＳｉ原料を装入し、真空ポンプを
駆動させてチャンバ１１内を所定圧力に設定すると共
に、ガス供給装置を駆動させてチャンバ１１内に所定流
量の不活性ガスを導入する。次にヒータ１４に電流を印
加してルツボ１３を加熱し、溶融液１５を形成する。次
に引上軸１６先端の種結晶１６ａを溶融液１５表面に接
触させた後、ルツボ１３及び引上軸１６を所定速度で回
転させながら引上軸１６を引き上げ、溶融液１５を凝固
させてＳｉ単結晶１７を成長させる。
用い、ＣＺ法によりＳｉ単結晶を引き上げる場合、まず
石英ルツボ１３ａ内にＳｉ原料を装入し、真空ポンプを
駆動させてチャンバ１１内を所定圧力に設定すると共
に、ガス供給装置を駆動させてチャンバ１１内に所定流
量の不活性ガスを導入する。次にヒータ１４に電流を印
加してルツボ１３を加熱し、溶融液１５を形成する。次
に引上軸１６先端の種結晶１６ａを溶融液１５表面に接
触させた後、ルツボ１３及び引上軸１６を所定速度で回
転させながら引上軸１６を引き上げ、溶融液１５を凝固
させてＳｉ単結晶１７を成長させる。
【０００４】ところで、引き上げられたＳｉ単結晶１７
に関する品質評価項目の一つとして結晶中酸素濃度が挙
げられる。結晶中酸素はＳｉウエハ内の不純物を捕獲す
る作用（イントリンシックゲッタリング作用）を有し、
Ｓｉ単結晶１７内に所定濃度の酸素が固溶していると半
導体素子の性能を向上させ得る一方、過多に含まれると
素子形成領域にまで結晶欠陥を導入することがあるた
め、結晶中酸素濃度を所定の範囲内に納めることは重要
な管理項目となっている。
に関する品質評価項目の一つとして結晶中酸素濃度が挙
げられる。結晶中酸素はＳｉウエハ内の不純物を捕獲す
る作用（イントリンシックゲッタリング作用）を有し、
Ｓｉ単結晶１７内に所定濃度の酸素が固溶していると半
導体素子の性能を向上させ得る一方、過多に含まれると
素子形成領域にまで結晶欠陥を導入することがあるた
め、結晶中酸素濃度を所定の範囲内に納めることは重要
な管理項目となっている。
【０００５】そこで、結晶中酸素濃度の制御を行なうた
めに、あらかじめ求められた結晶中酸素濃度とルツボ回
転数等の制御因子における操作量との関係式に対する補
正量を、部品の劣化による補正量、引上品種の違いの影
響による補正量（品種変更要因に対する補正量）、部品
タイプ変更要因に対する補正量、及びこれら以外の未知
要因に対する補正量の４種類に類別し、酸素濃度測定値
と酸素濃度推定値との差に基づいて前記関係式を逐次補
正してゆくことにより、繰り返し結晶を引き上げる経時
的な変化に対し、引き上げられた単結晶全体の結晶中酸
素濃度を常に規格範囲内に収めるような制御因子の操作
量の設定方法を先に本件出願人は提案した（特願平７−
２１４９３９号、特願平９−１８２１３２号）。
めに、あらかじめ求められた結晶中酸素濃度とルツボ回
転数等の制御因子における操作量との関係式に対する補
正量を、部品の劣化による補正量、引上品種の違いの影
響による補正量（品種変更要因に対する補正量）、部品
タイプ変更要因に対する補正量、及びこれら以外の未知
要因に対する補正量の４種類に類別し、酸素濃度測定値
と酸素濃度推定値との差に基づいて前記関係式を逐次補
正してゆくことにより、繰り返し結晶を引き上げる経時
的な変化に対し、引き上げられた単結晶全体の結晶中酸
素濃度を常に規格範囲内に収めるような制御因子の操作
量の設定方法を先に本件出願人は提案した（特願平７−
２１４９３９号、特願平９−１８２１３２号）。
【０００６】この方法では、酸素濃度推定値［Ｏi ］0
を、引き上げ率Ｌ、ルツボ回転数Ｒ、炉内圧Ｐ、不活性
ガス流量Ｑの関数として数１式で求める。
を、引き上げ率Ｌ、ルツボ回転数Ｒ、炉内圧Ｐ、不活性
ガス流量Ｑの関数として数１式で求める。
【０００７】
【数１】
【０００８】そして、上記したように、前記４種類の補
正量をもって数１式を補正することにより、次回の結晶
引き上げ時における酸素濃度予測値［Ｏi ］’を、下記
の数２式で求める。ここでの、δ1 は部品劣化要因に対
する補正量を、δ2 は引上品種の違いの影響による補正
量を、δ3 は部品タイプ変更要因に対する補正量を、δ
4 はこれら以外の未知要因に対する補正量をそれぞれ示
している。
正量をもって数１式を補正することにより、次回の結晶
引き上げ時における酸素濃度予測値［Ｏi ］’を、下記
の数２式で求める。ここでの、δ1 は部品劣化要因に対
する補正量を、δ2 は引上品種の違いの影響による補正
量を、δ3 は部品タイプ変更要因に対する補正量を、δ
4 はこれら以外の未知要因に対する補正量をそれぞれ示
している。
【０００９】
【数２】
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記した結晶中酸素濃
度の制御方法では、多くの外乱要因を部品劣化要因、品
種変更要因、部品タイプ変更要因、及びこれら以外の未
知要因に類別し、これら要因ごとに補正量を見直してい
る。
度の制御方法では、多くの外乱要因を部品劣化要因、品
種変更要因、部品タイプ変更要因、及びこれら以外の未
知要因に類別し、これら要因ごとに補正量を見直してい
る。
【００１１】しかしながら、数２式における補正量δ2
は、当該引上装置で過去に同じ品種又は似た品種が引き
上げられた実績に基づいて決定されるものであり、過去
に引上実績のない品種を引き上げる場合には、引上品種
の違いの影響による補正量δ2 を適切に決定することは
できないため、酸素濃度の予測値の精度が低下するとい
った問題がある。ここでの同じ品種とは、狙い酸素濃度
が同じであるものと定義する。
は、当該引上装置で過去に同じ品種又は似た品種が引き
上げられた実績に基づいて決定されるものであり、過去
に引上実績のない品種を引き上げる場合には、引上品種
の違いの影響による補正量δ2 を適切に決定することは
できないため、酸素濃度の予測値の精度が低下するとい
った問題がある。ここでの同じ品種とは、狙い酸素濃度
が同じであるものと定義する。
【００１２】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、当該引上装置で過去に同じ品種又は似た品種が引き
上げられた実績がなくとも、品種の違いによる影響を適
切に考慮して、ルツボ回転数等の制御因子における操作
量を決定することができる結晶中酸素濃度の制御方法を
提供することを目的としている。
り、当該引上装置で過去に同じ品種又は似た品種が引き
上げられた実績がなくとも、品種の違いによる影響を適
切に考慮して、ルツボ回転数等の制御因子における操作
量を決定することができる結晶中酸素濃度の制御方法を
提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係る結晶中酸素濃度の制御方法
（１）は、石英ルツボ内の溶融液より結晶を引き上げる
際、酸素濃度とルツボ回転数等の制御因子における操作
量との関係式を、前記制御因子以外の酸素濃度に影響を
及ぼす外乱要因（品種変更要因等）に対する補正量によ
り補正した関係式を求めておき、前記制御因子の操作量
を決定し、この操作量に基づいて次の結晶を引き上げる
結晶中酸素濃度の制御方法において、当該引上装置で次
回以降引き上げ予定されている品種及び該品種と似た品
種の引上実績が当該引上装置にない場合、他の引上装置
での前記引き上げ予定品種と同じ又は似た品種の品種変
更要因に対する補正量に、当該引上装置と前記他の引上
装置との装置間差の影響を加味したものを、当該引上装
置の品種変更要因に対する補正量として採用することを
特徴としている。
達成するために本発明に係る結晶中酸素濃度の制御方法
（１）は、石英ルツボ内の溶融液より結晶を引き上げる
際、酸素濃度とルツボ回転数等の制御因子における操作
量との関係式を、前記制御因子以外の酸素濃度に影響を
及ぼす外乱要因（品種変更要因等）に対する補正量によ
り補正した関係式を求めておき、前記制御因子の操作量
を決定し、この操作量に基づいて次の結晶を引き上げる
結晶中酸素濃度の制御方法において、当該引上装置で次
回以降引き上げ予定されている品種及び該品種と似た品
種の引上実績が当該引上装置にない場合、他の引上装置
での前記引き上げ予定品種と同じ又は似た品種の品種変
更要因に対する補正量に、当該引上装置と前記他の引上
装置との装置間差の影響を加味したものを、当該引上装
置の品種変更要因に対する補正量として採用することを
特徴としている。
【００１４】上記した結晶中酸素濃度の制御方法（１）
によれば、他の引上装置での品種変更要因に対する補正
量、すなわち引上品種の違いの影響による補正量に当該
引上装置と前記他の引上装置との装置間差の影響を加味
したものを、当該引上装置の引上品種の違いの影響によ
る補正量として採用している。このため、当該引上装置
で過去に同じ品種又は似た品種が引き上げられた実績が
なくとも、精度の良い予測を行なうことが可能であり、
引き上げられた単結晶全体の結晶中酸素濃度を規格範囲
内に確実に、かつ容易に収め得ることとなり、引き上げ
られた単結晶の品質及び歩留りを向上させ得ることとな
る。
によれば、他の引上装置での品種変更要因に対する補正
量、すなわち引上品種の違いの影響による補正量に当該
引上装置と前記他の引上装置との装置間差の影響を加味
したものを、当該引上装置の引上品種の違いの影響によ
る補正量として採用している。このため、当該引上装置
で過去に同じ品種又は似た品種が引き上げられた実績が
なくとも、精度の良い予測を行なうことが可能であり、
引き上げられた単結晶全体の結晶中酸素濃度を規格範囲
内に確実に、かつ容易に収め得ることとなり、引き上げ
られた単結晶の品質及び歩留りを向上させ得ることとな
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
結晶中酸素濃度の制御方法について説明する。また、こ
こでは部品劣化要因、品種変更要因、部品タイプ変更要
因、及びこれら以外の未知要因による補正を行なうた
め、酸素濃度予測値［Ｏi ］’を求める式としては、
「従来の技術」の項で説明した数２式を用いる。
結晶中酸素濃度の制御方法について説明する。また、こ
こでは部品劣化要因、品種変更要因、部品タイプ変更要
因、及びこれら以外の未知要因による補正を行なうた
め、酸素濃度予測値［Ｏi ］’を求める式としては、
「従来の技術」の項で説明した数２式を用いる。
【００１６】次回以降に引き上げ予定とされている品種
Ｋについて、当該引上装置Ａで過去に品種Ｋと同じ又は
似た品種の引上実績があれば、それらいずれかの引上品
種の違いの影響による補正量（品種変更要因に対する補
正量）を品種Ｋの品種変更要因に対する補正量として採
用する。
Ｋについて、当該引上装置Ａで過去に品種Ｋと同じ又は
似た品種の引上実績があれば、それらいずれかの引上品
種の違いの影響による補正量（品種変更要因に対する補
正量）を品種Ｋの品種変更要因に対する補正量として採
用する。
【００１７】一方、当該引上装置Ａで過去に品種Ｋと同
じ又は似た品種の引上実績がなければ、品種Ｋの品種変
更要因に対する補正量δ2 を、下記の数３式により推定
する。ここで、δ2 ’は他の引上装置Ｂでの引上実績が
あり、品種Ｋと同じ又は似た品種（以下、参考品種とも
記す）の品種変更要因に対する補正量を、δ2 ”は当該
引上装置Ａと他の引上装置Ｂとの装置間差の影響による
補正量をそれぞれ示している。
じ又は似た品種の引上実績がなければ、品種Ｋの品種変
更要因に対する補正量δ2 を、下記の数３式により推定
する。ここで、δ2 ’は他の引上装置Ｂでの引上実績が
あり、品種Ｋと同じ又は似た品種（以下、参考品種とも
記す）の品種変更要因に対する補正量を、δ2 ”は当該
引上装置Ａと他の引上装置Ｂとの装置間差の影響による
補正量をそれぞれ示している。
【００１８】
【数３】
【００１９】装置間差は、当該引上装置Ａで引上実績の
ある品種ＬA の品種変更要因に対する補正量δ2Aと、他
の引上装置Ｂで引上実績のある品種ＬB の品種変更要因
に対する補正量δ2Bとの差をとり、これを装置間差の影
響による補正量δ2 ”と定義し、下記の数４式により求
める。
ある品種ＬA の品種変更要因に対する補正量δ2Aと、他
の引上装置Ｂで引上実績のある品種ＬB の品種変更要因
に対する補正量δ2Bとの差をとり、これを装置間差の影
響による補正量δ2 ”と定義し、下記の数４式により求
める。
【００２０】
【数４】
【００２１】また、図２には品種Ｋの品種変更要因に対
する補正量δ2 を推定する概念図を示している。
する補正量δ2 を推定する概念図を示している。
【００２２】上記説明から明らかなように、実施の形態
に係る結晶中酸素濃度の制御方法では、当該引上装置Ａ
で引上実績のない品種Ｋを引き上げる際、他の引上装置
Ｂでの参考品種の品種変更要因に対する補正量δ2 ’
に、当該引上装置Ａと他の引上装置Ｂとの装置間差の影
響（補正量δ2 ”）を加味したものを、当該引上装置Ａ
における品種Ｋの品種変更要因に対する補正量δ2 とし
て採用している。このため、当該引上装置Ａで過去に品
種Ｋと同じ又は似た品種が引き上げられた実績がなくと
も、精度の良い予測を行なうことが可能となり、引き上
げられた単結晶全体の結晶中酸素濃度を規格範囲内に確
実に、かつ容易に収め得ることとなり、引き上げられた
単結晶の品質及び歩留りを向上させることができる。
に係る結晶中酸素濃度の制御方法では、当該引上装置Ａ
で引上実績のない品種Ｋを引き上げる際、他の引上装置
Ｂでの参考品種の品種変更要因に対する補正量δ2 ’
に、当該引上装置Ａと他の引上装置Ｂとの装置間差の影
響（補正量δ2 ”）を加味したものを、当該引上装置Ａ
における品種Ｋの品種変更要因に対する補正量δ2 とし
て採用している。このため、当該引上装置Ａで過去に品
種Ｋと同じ又は似た品種が引き上げられた実績がなくと
も、精度の良い予測を行なうことが可能となり、引き上
げられた単結晶全体の結晶中酸素濃度を規格範囲内に確
実に、かつ容易に収め得ることとなり、引き上げられた
単結晶の品質及び歩留りを向上させることができる。
【００２３】次に、装置間差の影響による補正量δ2 ”
を求めるための品種ＬA 、ＬB や参考品種等の決定方法
について説明する。
を求めるための品種ＬA 、ＬB や参考品種等の決定方法
について説明する。
【００２４】１．装置間差の影響による補正量δ2 ”を
求めるために、当該引上装置Ａで引上実績のある品種Ｌ
A の候補を１品種決定する方法 候補決定は、各候補において下記の数５式で示す評価関
数が最大のものとする。ここで、ｗi は評価項目ｉに対
する重みであり、Δi は評価項目ｉを満たしていれば
１、満たしていなければ０とする。評価項目としては、
例えば、最近において引上頻度の高い品種であるといっ
た項目等が挙げられる。
求めるために、当該引上装置Ａで引上実績のある品種Ｌ
A の候補を１品種決定する方法 候補決定は、各候補において下記の数５式で示す評価関
数が最大のものとする。ここで、ｗi は評価項目ｉに対
する重みであり、Δi は評価項目ｉを満たしていれば
１、満たしていなければ０とする。評価項目としては、
例えば、最近において引上頻度の高い品種であるといっ
た項目等が挙げられる。
【００２５】
【数５】
【００２６】２．他の引上装置Ｂで引上実績があり、品
種Ｋと同じ又は似た品種（参考品種）の候補を１品種決
定する方法 候補決定は、各候補において下記の数６式で示す評価関
数が最大のものとする。ここで、ｗi は評価項目ｉに対
する重みであり、Δi は評価項目ｉを満たしていれば
１、満たしていなければ０とする。評価項目としては、
例えば、品種Ｋと同じ品種であるといった項目等が挙げ
られる。
種Ｋと同じ又は似た品種（参考品種）の候補を１品種決
定する方法 候補決定は、各候補において下記の数６式で示す評価関
数が最大のものとする。ここで、ｗi は評価項目ｉに対
する重みであり、Δi は評価項目ｉを満たしていれば
１、満たしていなければ０とする。評価項目としては、
例えば、品種Ｋと同じ品種であるといった項目等が挙げ
られる。
【００２７】
【数６】
【００２８】３．装置間差の影響による補正量δ2 ”を
求めるために、他の引上装置Ｂで引上実績のある品種Ｌ
B の候補を１品種決定する方法 候補決定は、各候補における下記の数７式で示す評価関
数が最大のものとする。ここで、ｗi は評価項目ｉに対
する重みであり、Δi は評価項目ｉを満たしていれば
１、満たしていなければ０とする。評価項目としては、
例えば、過去の酸素測定データの多い品種であるといっ
た項目等が挙げられる。
求めるために、他の引上装置Ｂで引上実績のある品種Ｌ
B の候補を１品種決定する方法 候補決定は、各候補における下記の数７式で示す評価関
数が最大のものとする。ここで、ｗi は評価項目ｉに対
する重みであり、Δi は評価項目ｉを満たしていれば
１、満たしていなければ０とする。評価項目としては、
例えば、過去の酸素測定データの多い品種であるといっ
た項目等が挙げられる。
【００２９】
【数７】
【００３０】４．上記２．３．で候補に挙げた品種それ
ぞれについて、引上実績のある他の引上装置Ｂが複数あ
る場合に、その中から１つの引上装置を決定する方法 候補決定は、各候補における下記の数８式で示す評価関
数が最大のものとする。ここで、ｗi は評価項目ｉに対
する重みであり、Δi は評価項目ｉを満たしていれば
１、満たしていなければ０とする。評価項目としては、
例えば、品種ＬBが品種ＬA と同じであるといった項目
等が挙げられる。
ぞれについて、引上実績のある他の引上装置Ｂが複数あ
る場合に、その中から１つの引上装置を決定する方法 候補決定は、各候補における下記の数８式で示す評価関
数が最大のものとする。ここで、ｗi は評価項目ｉに対
する重みであり、Δi は評価項目ｉを満たしていれば
１、満たしていなければ０とする。評価項目としては、
例えば、品種ＬBが品種ＬA と同じであるといった項目
等が挙げられる。
【００３１】
【数８】
【００３２】
【実施例及び比較例】本発明に係る結晶中酸素濃度の制
御方法を図１に示した装置を用いて実施したときのシミ
ュレーション結果と、装置間差の影響を考慮しないで実
施したときのシミュレーション結果との比較を２品種に
関して行なった。但し、ここでは装置間差の影響による
補正量δ2 ”を求めるための品種や参考品種等の決定に
おいて、図３に示した評価項目及び重みを用いている。
御方法を図１に示した装置を用いて実施したときのシミ
ュレーション結果と、装置間差の影響を考慮しないで実
施したときのシミュレーション結果との比較を２品種に
関して行なった。但し、ここでは装置間差の影響による
補正量δ2 ”を求めるための品種や参考品種等の決定に
おいて、図３に示した評価項目及び重みを用いている。
【００３３】図４、図５は、酸素濃度予測値、及び酸素
濃度測定値の結果を示したものである。図４、図５から
明らかなように、他の引上装置Ｂでの参考品種の品種変
更要因に対する補正量δ2 ’に装置間差の影響による補
正量δ2 ”を加味したものを、当該引上装置Ａにおける
品種変更要因に対する補正量δ2 として採用することに
よって、酸素濃度の予測値の精度が向上している。
濃度測定値の結果を示したものである。図４、図５から
明らかなように、他の引上装置Ｂでの参考品種の品種変
更要因に対する補正量δ2 ’に装置間差の影響による補
正量δ2 ”を加味したものを、当該引上装置Ａにおける
品種変更要因に対する補正量δ2 として採用することに
よって、酸素濃度の予測値の精度が向上している。
【図１】従来のＣＺ法及び本発明に係る結晶中酸素濃度
の制御方法を実施しながら、単結晶を引き上げる際に用
いられる結晶引上装置を模式的に示した断面図である。
の制御方法を実施しながら、単結晶を引き上げる際に用
いられる結晶引上装置を模式的に示した断面図である。
【図２】当該引上装置で引上実績のない品種の品種変更
要因に対する補正量を推定する概念図を示している。
要因に対する補正量を推定する概念図を示している。
【図３】装置間差の影響による補正量を求めるための品
種や参考品種等の決定に用いる評価項目及び重みを示し
た表である。
種や参考品種等の決定に用いる評価項目及び重みを示し
た表である。
【図４】実施例に係る酸素濃度予測値、及び酸素濃度測
定値の結果を示したグラフである。
定値の結果を示したグラフである。
【図５】別の実施例に係る酸素濃度予測値、及び酸素濃
度測定値の結果を示したグラフである。
度測定値の結果を示したグラフである。
１０ 結晶引上装置 １３ ルツボ １３ａ 石英ルツボ １５ 溶融液 １７ 単結晶
Claims (1)
- 【請求項１】 石英ルツボ内の溶融液より結晶を引き上
げる際、酸素濃度とルツボ回転数等の制御因子における
操作量との関係式を、前記制御因子以外の酸素濃度に影
響を及ぼす外乱要因（品種変更要因等）に対する補正量
により補正した関係式を求めておき、前記制御因子の操
作量を決定し、この操作量に基づいて次の結晶を引き上
げる結晶中酸素濃度の制御方法において、 当該引上装置で次回以降引き上げ予定されている品種及
び該品種と似た品種の引上実績が当該引上装置にない場
合、他の引上装置での前記引き上げ予定品種と同じ又は
似た品種の品種変更要因に対する補正量に、当該引上装
置と前記他の引上装置との装置間差の影響を加味したも
のを、当該引上装置の品種変更要因に対する補正量とし
て採用することを特徴とする結晶中酸素濃度の制御方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12700498A JPH11322485A (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | 結晶中酸素濃度の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12700498A JPH11322485A (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | 結晶中酸素濃度の制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11322485A true JPH11322485A (ja) | 1999-11-24 |
Family
ID=14949308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12700498A Pending JPH11322485A (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | 結晶中酸素濃度の制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11322485A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109735896A (zh) * | 2019-03-22 | 2019-05-10 | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 | 一种提高单晶硅电阻率控制精度的方法 |
| WO2023221576A1 (zh) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 氧含量控制方法、装置、电子设备及存储介质 |
-
1998
- 1998-05-11 JP JP12700498A patent/JPH11322485A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109735896A (zh) * | 2019-03-22 | 2019-05-10 | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 | 一种提高单晶硅电阻率控制精度的方法 |
| WO2023221576A1 (zh) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 氧含量控制方法、装置、电子设备及存储介质 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070402 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070717 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20071218 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |