JPH1131761A - Semiconductor component and manufacture of the same - Google Patents

Semiconductor component and manufacture of the same

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JPH1131761A
JPH1131761A JP18677997A JP18677997A JPH1131761A JP H1131761 A JPH1131761 A JP H1131761A JP 18677997 A JP18677997 A JP 18677997A JP 18677997 A JP18677997 A JP 18677997A JP H1131761 A JPH1131761 A JP H1131761A
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JP
Japan
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substrate
liquid resin
semiconductor chip
sealing
edge
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JP18677997A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiharu Harada
嘉治 原田
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Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the outflow of liquid resin to the outside of a sealing range, in a simple constitution at the time of application and hardening liquid resin on a substrate, and providing a sealing resin layer. SOLUTION: After a semiconductor chip has been mounted on a substrate A, and electrically connected with this, a liquid resin B is applied so that the semiconductor chip can be covered. In the application process, the liquid resin B is gradually leaded and spread from the central side of the substrate A to the outer side. A contact angle θ at a contact point P1 at the edge part of the liquid resin B is balanced and stabilized, when Rs=Rl cosθ+Rsl (where Rs, Rl and Rsl are respectively the surface tension of the substrate A, the surface tension of the liquid resin B, and the surface tension of a boundary face) is established. When the edge part of the substrate A is microscopically is rounded, an apparent contact angle θ' of the liquid resin B made with the upper face of the substrate A is made large in the balanced state at a contact point P2 at the edge part of the substrate A such that the edge part of the substrate A can function as the flow stopper for the liquid resin B.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に装着され
た半導体チップを封止樹脂層により封止するようにした
半導体部品及びその製造方法に関する。
The present invention relates to a semiconductor component in which a semiconductor chip mounted on a substrate is sealed with a sealing resin layer, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【発明が解決しようとする課題】例えばBGA,MCM
といった半導体部品は、図7及び図8に示すように、セ
ラミック基板等の基板1上に、図示しない半導体チップ
を装着すると共に該基板1との電気的接続(ワイヤボン
ディング等)を行った後、その基板1上の半導体チップ
等を封止樹脂層2及び3により樹脂封止して構成され
る。これら図7及び図8は、BGA(ボールグリッドア
レイ)パッケージの例を示しており、前記基板1の裏面
側には、多数個のボール状のはんだバンプ4が配列して
設けられるようになっている。
For example, BGA, MCM
7 and 8, after a semiconductor chip (not shown) is mounted on a substrate 1 such as a ceramic substrate and an electrical connection (such as wire bonding) with the substrate 1 is performed, The semiconductor chip and the like on the substrate 1 are resin-sealed by the sealing resin layers 2 and 3. 7 and 8 show an example of a BGA (ball grid array) package. On the back side of the substrate 1, a number of ball-shaped solder bumps 4 are arranged and provided. I have.

【0003】このとき、前記封止樹脂層2,3の形成方
法としては、図7に示すような金型を用いたモールドコ
ンパウンドによる方法と、図8に示すような半導体チッ
プを覆うように液状の樹脂を塗布し硬化させる方法とが
あった。ところが、金型を用いるものでは、少量生産の
場合に金型製作等のコストが高くなるため、例えばMC
M(マルチチップモジュール)のような少量多品種の製
造が主となるものでは、図8に示すような液状樹脂を塗
布する方法が採用されることが一般的である。
At this time, as a method of forming the sealing resin layers 2 and 3, a method using a mold compound using a mold as shown in FIG. 7 and a liquid method so as to cover a semiconductor chip as shown in FIG. And hardening the resin. However, in the case of using a mold, the cost of manufacturing the mold is high in the case of small-scale production.
In the case where a small number of products are mainly manufactured, such as M (multi-chip module), a method of applying a liquid resin as shown in FIG. 8 is generally adopted.

【0004】ところで、上記のように基板1上への液状
樹脂の塗布により封止樹脂層3を形成する場合、基板1
上の封止樹脂層を形成したい範囲を越えて液状樹脂が流
れ出ることは避けなければならない。そこで、従来で
は、液状樹脂の流れ防止のために、特開昭58−484
42号公報や特開昭61−216438号公報に示され
るように、半導体チップの装着位置の周囲部分に、液状
樹脂の流出防止用の壁となる樹脂枠(印刷枠)を形成
し、その樹脂枠内に注型樹脂材料を充填することが考え
られていた。
When the sealing resin layer 3 is formed by applying a liquid resin on the substrate 1 as described above,
It is necessary to prevent the liquid resin from flowing out of the area where the upper sealing resin layer is to be formed. Therefore, conventionally, in order to prevent the flow of the liquid resin, Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-484
No. 42 and JP-A-61-216438, a resin frame (printing frame) is formed around the mounting position of the semiconductor chip to serve as a wall for preventing liquid resin from flowing out. Filling the frame with a casting resin material has been considered.

【0005】しかしながら、このような方法では、十分
な効果を得るためには、樹脂枠を十分な高さで且つ厚壁
状に形成しなければならず、樹脂枠を形成するために相
当の手間や多くの材料が必要となる欠点がある。また、
樹脂枠の壁厚(幅)の分だけパッケージが大形化する懸
念もあった。
However, in such a method, in order to obtain a sufficient effect, the resin frame must be formed to have a sufficient height and a thick wall shape, and it takes considerable time and effort to form the resin frame. And the disadvantage that many materials are required. Also,
There was also a concern that the size of the package would be increased by the wall thickness (width) of the resin frame.

【0006】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、基板上に液状樹脂を塗布して硬化させ
ることにより封止樹脂層を設けるようにしたものにあっ
て、簡単な構成で、液状樹脂の封止範囲外への流出防止
を図ることができる半導体部品及びその製造方法を提供
するにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a sealing resin layer by applying a liquid resin on a substrate and curing the liquid resin. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a semiconductor component capable of preventing a liquid resin from flowing out of a sealing range and a method of manufacturing the same.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者は、基板上面に
液状樹脂を塗布して濡れ広がらせる際に、液状樹脂の端
部が基板の端縁部に至ったところでは、見掛上、その表
面張力が大きくなった如き性状を呈し、容易に基板の端
縁部の外側に溢れなくなるため、結果的に、基板の端縁
部が液状樹脂の流れ止め役割を果たすことに着目し、本
発明を成し遂げたのである。その原理の詳細は、次のよ
うに考えられる。
SUMMARY OF THE INVENTION The present inventor has found that when a liquid resin is applied to the upper surface of a substrate and the liquid resin is spread, when the end of the liquid resin reaches the edge of the substrate, It has the property that its surface tension has increased, and it does not easily overflow outside the edge of the substrate. He has achieved the invention. The details of the principle are considered as follows.

【0008】即ち、図1(a)に示すように、基板Aの
上面に液状樹脂Bをある量塗布した際、その端部の接触
点P1が基板A上に位置しているときには、その接触点
P1における液状樹脂Bの盛上り角度(接触角)θは、 Rs=Rl cosθ+Rsl …(1) (但し、Rsは基板Aの表面張力の大きさ、Rlは液状
樹脂Bの表面張力の大きさ、Rslは基板Aと液状樹脂B
との界面の表面張力の大きさ)の式が成立つところで釣
り合って安定している。この図1(a)の状態から更に
液状樹脂Bを追加塗布すると、液状樹脂Bは再び同じ角
度θとなるまで濡れ広がるようになる。
That is, as shown in FIG. 1A, when a certain amount of liquid resin B is applied to the upper surface of a substrate A, when the contact point P1 at the end is located on the substrate A, The rise angle (contact angle) θ of the liquid resin B at the point P1 is as follows: Rs = Rl cos θ + Rsl (1) (where Rs is the magnitude of the surface tension of the substrate A, and Rl is the magnitude of the surface tension of the liquid resin B) , Rsl is the substrate A and the liquid resin B
(The magnitude of the surface tension at the interface with the surface) is established and stable. When the liquid resin B is further applied from the state shown in FIG. 1A, the liquid resin B spreads again until the same angle θ is obtained.

【0009】ところが、基板Aの端縁部を微視的に見る
と、図1(b)に示すように、いわゆるRがついている
と考えられるので、液状樹脂Bを追加塗布していってそ
の触点P2が基板Aの端縁部に至ると、接触点P2の接
線方向が水平状態から、外側に向けて下降する傾斜状に
変化して表面張力(Rs,Rl,Rsl)の向きが変化
し、その状態でやはり上記(1)式が成立つところで釣
り合って安定する。尚、基板A端縁部のR部は非常に小
さいため、重力の影響は表面張力に比べて極めて小さ
く、ほぼ無視できると考えられる。
However, when the edge of the substrate A is viewed microscopically, as shown in FIG. 1 (b), it is considered that the substrate has a so-called R, so that the liquid resin B is additionally applied and When the contact point P2 reaches the edge of the substrate A, the tangential direction of the contact point P2 changes from a horizontal state to an inclined shape that descends outward, and the direction of the surface tension (Rs, R1, Rsl) changes. In this state, the balance is stabilized where the above equation (1) is satisfied. Since the R portion at the edge of the substrate A is very small, the influence of gravity is extremely small as compared with the surface tension and is considered to be almost negligible.

【0010】この場合、基板Aの端縁部における釣り合
い状態においては、接触点P2における液状樹脂Bの基
板Aの上面に対する盛上り角度(いわば見掛上の接触
角)θ´が、図1(a)に示す角度θに比べて大きくな
る。このことは、液状樹脂Bの端部が基板Aの端縁部に
至った状態では、基板Aの端縁部から先へは液状樹脂B
が容易に溢れ出ないことを意味し、塗布量を増やしてい
って基板A上面に対する見掛上の接触角が角度θを越え
ても、見掛上の接触角が角度θ´を越えるまでは溢れ出
ることはないのである。
In this case, in a balanced state at the edge of the substrate A, the swelling angle θ ′ of the liquid resin B at the contact point P2 with respect to the upper surface of the substrate A (ie, the apparent contact angle) θ ′ is shown in FIG. It becomes larger than the angle θ shown in a). This means that when the edge of the liquid resin B reaches the edge of the substrate A, the edge of the substrate A
Means that the apparent contact angle with respect to the upper surface of the substrate A exceeds the angle θ even if the apparent contact angle with the upper surface of the substrate A exceeds the angle θ ′. It does not overflow.

【0011】本発明の請求項1の半導体部品は、基板上
に半導体チップを装着すると共に、該基板上に液状樹脂
を塗布して硬化させることによりその半導体チップを封
止する封止樹脂層を設けるようにしたものにあって、前
記基板の少なくとも一部の端縁部を、前記液状樹脂の流
れ止めとした状態で、前記封止樹脂層が設けられている
ところに特徴を有する。
According to a first aspect of the present invention, a semiconductor resin is mounted on a substrate, and a sealing resin layer for sealing the semiconductor chip by coating and curing a liquid resin on the substrate. The sealing resin layer is provided in a state where at least a part of the edge of the substrate is kept from flowing the liquid resin.

【0012】これによれば、基板の少なくとも一部の端
縁部を液状樹脂の流れ止めとした状態で封止樹脂層を設
けるものであるから、上述のように、液状樹脂の塗布時
にその液状樹脂が基板の端縁部から溢れ出ることを効果
的に防止でき、液状樹脂の封止範囲外への流出防止を図
ることができる。また、基板の端縁部を樹脂封止の端部
に一致させるように設定するだけで良く、液状樹脂の流
出防止用の壁となる枠などを別途に設けるといった必要
がなくなるので、簡単な構成で済ませることができる。
According to this, since the sealing resin layer is provided in a state where at least a part of the edge of the substrate is kept from flowing the liquid resin, the liquid resin is applied when the liquid resin is applied as described above. The resin can be effectively prevented from overflowing from the edge of the substrate, and the liquid resin can be prevented from flowing out of the sealing range. Also, it is only necessary to set the edge of the substrate to coincide with the edge of the resin sealing, and there is no need to separately provide a frame or the like as a wall for preventing the liquid resin from flowing out. Can be done.

【0013】この場合、前記基板の液状樹脂の流れ止め
となる端縁部を、裏面側に向けて逆テーパをなす鋭角状
に構成するようにしても良い(請求項2の発明)。これ
によれば、基板の端縁部において、液状樹脂の接触点の
表面張力の向きの変化量をより一層大きくすることがで
き、液状樹脂の溢れ出し防止の効果をより一層高めるこ
とができる。
[0013] In this case, the edge of the substrate, which serves as a stopper for the liquid resin, may be formed in an acute angle with a reverse taper toward the back surface side. According to this, the amount of change in the direction of the surface tension at the contact point of the liquid resin at the edge of the substrate can be further increased, and the effect of preventing the liquid resin from overflowing can be further enhanced.

【0014】また、前記基板の液状樹脂の流れ止めとな
る端縁部に、該基板よりも表面張力の小さい流れ止め材
を設けるようにしても良い(請求項3の発明)。これに
よれば、上記した(1)式のRsが小さくなり、この結
果、 cosθも小さくつまり釣り合い時の角度θを大きく
することができ、やはり液状樹脂の溢れ出し防止の効果
をより一層高めることができる。
Further, a flow stopper having a surface tension smaller than that of the substrate may be provided at an edge portion of the substrate at which the liquid resin stops flowing (the invention of claim 3). According to this, Rs in the above equation (1) is reduced, and as a result, cos θ can be reduced, that is, the angle θ at the time of balancing can be increased, and the effect of preventing overflow of the liquid resin can be further enhanced. Can be.

【0015】ところで、例えばMCMやCOB等におい
ては、半導体部品の設計上、封止樹脂層の端部を、基板
の端縁部にもって来ることが難しいあるいは不可能な場
合がある。本発明の請求項4の半導体部品は、基板上に
半導体チップを装着すると共に、該基板上に液状樹脂を
塗布して硬化させることによりその半導体チップを封止
する封止樹脂層を設けるようにしたものにあって、前記
基板上の封止樹脂層形成領域が、その周囲の部分よりも
高い段付き形状とされているところに特徴を有する。
By the way, in the case of MCM, COB, etc., it may be difficult or impossible to bring the end of the sealing resin layer to the edge of the substrate due to the design of the semiconductor component. A semiconductor component according to a fourth aspect of the present invention is configured such that a semiconductor chip is mounted on a substrate and a sealing resin layer for sealing the semiconductor chip is provided by applying and curing a liquid resin on the substrate. The sealing resin layer forming region on the substrate has a stepped shape higher than the surrounding portion.

【0016】これによれば、基板上の周囲部分よりも高
い段部の端縁部に、上記したような基板の端部と同等の
機能を与えることができ、この結果、封止樹脂層の端部
を、基板の端縁部にもって来ることが難しい場合であっ
ても、液状樹脂の塗布時にその液状樹脂が段部の端縁部
から溢れ出ることを効果的に防止でき、液状樹脂の封止
範囲外への流出防止を図ることができる。また、基板上
にいわゆる島状に段部を設けるだけの簡単な構成で済ま
せることができる。
According to this, the edge of the step portion higher than the peripheral portion on the substrate can be given the same function as the edge of the substrate as described above, and as a result, the sealing resin layer Even when it is difficult to bring the edge to the edge of the substrate, the liquid resin can be effectively prevented from overflowing from the edge of the step when the liquid resin is applied, and the The outflow outside the sealing range can be prevented. In addition, a simple configuration in which steps are provided in a so-called island shape on the substrate can be achieved.

【0017】そして、本発明の請求項5の半導体部品の
製造方法は、基板上に、半導体チップを装着すると共
に、その半導体チップを封止する封止樹脂層を設けてな
る半導体部品を製造する方法にあって、前記基板上に半
導体チップを装着する工程と、前記基板上に前記半導体
チップを覆うように液状樹脂を塗布する工程と、前記液
状樹脂を硬化させる工程とを含み、前記液状樹脂の塗布
工程は、前記基板の少なくとも一部の端縁部を液状樹脂
の流れ止めとした状態で実行されるところに特徴を有す
る。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor component, comprising mounting a semiconductor chip on a substrate and providing a sealing resin layer for sealing the semiconductor chip. In the method, a step of mounting a semiconductor chip on the substrate, a step of applying a liquid resin to cover the semiconductor chip on the substrate, and a step of curing the liquid resin, the liquid resin The application step is characterized in that at least a part of the edge of the substrate is performed with the liquid resin stopped.

【0018】これによれば、基板上に装着された半導体
チップを覆うように液状樹脂を塗布する工程は、その基
板の少なくとも一部の端縁部を液状樹脂の流れ止めとし
た状態で行われるので、上述のように、簡単な構成で、
液状樹脂の塗布時にその液状樹脂が基板の端縁部から溢
れ出ることを効果的に防止でき、液状樹脂の封止範囲外
への流出防止を図ることができる。
According to this, the step of applying the liquid resin so as to cover the semiconductor chip mounted on the substrate is performed in a state where at least a part of the edge of the substrate is kept from flowing the liquid resin. So, as mentioned above, with a simple configuration,
When the liquid resin is applied, the liquid resin can be effectively prevented from overflowing from the edge of the substrate, and the liquid resin can be prevented from flowing out of the sealing range.

【0019】また、本発明の請求項6の半導体部品の製
造方法は、基板上に、半導体チップを装着すると共に、
その半導体チップを封止する封止樹脂層を設けてなる半
導体部品を製造する方法にあって、前記基板上の封止樹
脂層形成領域にその周囲部分よりも高い島状段部を形成
する工程と、前記島状段部上に半導体チップを装着する
工程と、前記島状段部上に前記半導体チップを覆うよう
に液状樹脂を塗布する工程と、前記液状樹脂を硬化させ
る工程とを含み、前記液状樹脂の塗布工程は、前記島状
段部の端縁部を液状樹脂の流れ止めとした状態で実行さ
れるところに特徴を有する。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor component, comprising: mounting a semiconductor chip on a substrate;
A method of manufacturing a semiconductor component provided with a sealing resin layer for sealing the semiconductor chip, wherein a step of forming an island-shaped step portion higher than a peripheral portion in a sealing resin layer forming region on the substrate is provided. And a step of mounting a semiconductor chip on the island-shaped step, a step of applying a liquid resin to cover the semiconductor chip on the island-shaped step, and a step of curing the liquid resin, The application step of the liquid resin is characterized in that the step is performed in a state where the edge of the island-shaped step portion is kept from flowing the liquid resin.

【0020】これによれば、上述のように、やはり比較
的簡単な構成で、液状樹脂の塗布時にその液状樹脂が島
状段部の端縁部から溢れ出ることを効果的に防止でき、
液状樹脂の封止範囲外への流出防止を図ることができ
る。この場合、前記基板上の封止樹脂層形成領域にソル
ダレジストを塗布することにより、前記島状段部を形成
することができ(請求項7の発明)、これにより、島状
段部の形成を簡単に行うことができるようになる。尚、
本発明者の実験によれば、島状段部の高さは、30〜5
0μm以上あれば、所期の効果を得ることができる。
According to this, as described above, the liquid resin can be effectively prevented from overflowing from the edge portion of the island-shaped step portion at the time of applying the liquid resin with the relatively simple structure,
It is possible to prevent the liquid resin from flowing out of the sealing range. In this case, the island-shaped step portion can be formed by applying a solder resist to the sealing resin layer formation region on the substrate (the invention of claim 7), thereby forming the island-shaped step portion. Can be easily performed. still,
According to the experiment of the present inventor, the height of the island-shaped step portion is 30 to 5
If it is 0 μm or more, the desired effect can be obtained.

【0021】さらには、上記した各製造方法において
は、液状樹脂の塗布工程を、多点塗布あるいは走査塗布
により行うことが望ましい(請求項8の発明)。これに
より、一点塗布の場合と比較して、液状樹脂の塗布工程
を効率的に行うことができるようになる。
Further, in each of the above-mentioned manufacturing methods, it is desirable that the step of applying the liquid resin is performed by multipoint application or scanning application (the invention of claim 8). Thereby, the application step of the liquid resin can be performed more efficiently than in the case of one-point application.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明のいくつかの実施例
について、図2ないし図6、並びに図1を参照しながら
説明する。 (1)第1の実施例 図2は、本発明の第1の実施例(請求項1,5,8に対
応)に係る半導体部品(BGA)11の構成を示してい
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Some embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. 2 to 6 and FIG. (1) First Embodiment FIG. 2 shows a configuration of a semiconductor component (BGA) 11 according to a first embodiment (corresponding to claims 1, 5 and 8) of the present invention.

【0023】この半導体部品11は、セラミック基板や
プリント基板からなる四角形の基板12の表面部に半導
体チップ13を装着して構成されている。詳しく図示は
しないが、前記基板12の表面には表面電極が形成され
ていると共に、基板12の裏面には、前記表面電極とス
ルーホール等を介して接続状態とされた多数個の裏面電
極が格子状に形成されており、基板12の裏面部には、
前記各裏面電極に接続された多数個のボール状のはんだ
バンプ14が設けられている。
The semiconductor component 11 is constructed by mounting a semiconductor chip 13 on the surface of a rectangular substrate 12 made of a ceramic substrate or a printed circuit board. Although not shown in detail, a front surface electrode is formed on the front surface of the substrate 12, and a large number of back electrodes connected to the front electrode through through holes and the like are formed on the back surface of the substrate 12. It is formed in a lattice shape, and on the back surface of the substrate 12,
A large number of ball-shaped solder bumps 14 connected to the respective back electrodes are provided.

【0024】そして、前記基板12の表面側において
は、前記半導体チップ13は図示しないボンディングワ
イヤ等により表面電極と接続されており、その状態で、
半導体チップ13が例えばエポキシ系(あるいはシリコ
ン系)の熱硬化性樹脂からなる封止樹脂層15により樹
脂封止されている。このとき、封止樹脂層15の形成領
域が基板12全体に一致するように設計されており、封
止樹脂層15は、前記基板12の上面部全体を覆う、つ
まり封止樹脂層15の端縁部が基板12の端縁部に一致
するように設けられている。
On the front side of the substrate 12, the semiconductor chip 13 is connected to a surface electrode by a bonding wire or the like (not shown).
The semiconductor chip 13 is resin-sealed by a sealing resin layer 15 made of, for example, an epoxy (or silicon) thermosetting resin. At this time, the sealing resin layer 15 is designed so that the formation region thereof coincides with the entire substrate 12, and the sealing resin layer 15 covers the entire upper surface of the substrate 12, that is, the end of the sealing resin layer 15. The edge is provided so as to coincide with the edge of the substrate 12.

【0025】さて、上記のように構成された半導体部品
11の製造手順について述べる。まず、上述のように表
面電極や裏面電極が形成された基板12に対し、半導体
チップ13を装着し、該基板12との電気的接続を行う
工程が実行される。次に、その基板12の上面部に、前
記半導体チップ13を覆うように液状樹脂(エポキシ系
熱硬化性樹脂)を塗布する工程が実行される。
Now, a procedure for manufacturing the semiconductor component 11 configured as described above will be described. First, a step of mounting the semiconductor chip 13 on the substrate 12 on which the front surface electrode and the back surface electrode are formed as described above and performing an electrical connection with the substrate 12 is performed. Next, a step of applying a liquid resin (an epoxy-based thermosetting resin) to the upper surface of the substrate 12 so as to cover the semiconductor chip 13 is performed.

【0026】この工程は、例えばディスペンサを用い
て、基板12の上面側から所要量の液状樹脂を多点塗布
(あるいは走査塗布)することにより行われるのである
が、このとき、液状樹脂を基板12の中心側から外側へ
向けて次第に濡れ広がらせていき、基板12の四辺の端
縁部をその液状樹脂の流れ止めとした状態で行われるよ
うになっている。
This step is performed by multi-point application (or scanning application) of a required amount of liquid resin from the upper surface side of the substrate 12 using, for example, a dispenser. Is gradually spread from the center side to the outside, and the edge of the four sides of the substrate 12 is kept in a state where the flow of the liquid resin is stopped.

【0027】ここで、基板12上面に液状樹脂を塗布し
て濡れ広がらせる際に、液状樹脂の端部が基板12の端
縁部に至ったところでは、見掛上、その表面張力が大き
くなった如き性状を呈し、容易に基板12の端縁部の外
側に溢れなくなるため、結果的に、基板12の端縁部が
液状樹脂の流れ止め役割を果たすのである。
Here, when the liquid resin is applied to the upper surface of the substrate 12 to spread the liquid resin, the apparent surface tension of the liquid resin becomes large when the edge of the liquid resin reaches the edge of the substrate 12. As a result, the edge portion of the substrate 12 does not easily overflow outside the edge portion of the substrate 12, and as a result, the edge portion of the substrate 12 serves to stop the flow of the liquid resin.

【0028】即ち、図1を参照するに、図1(a)に示
すように、基板Aの上面に液状樹脂Bをある量塗布した
際、その端部の接触点P1が基板A上に位置していると
きには、その接触点P1における液状樹脂Bの盛上り角
度(接触角)θは、 Rs=Rl cosθ+Rsl …(1) (但し、Rsは基板Aの表面張力の大きさ、Rlは液状
樹脂Bの表面張力の大きさ、Rslは基板Aと液状樹脂B
との界面の表面張力の大きさ)の式が成立つところで釣
り合って安定している。この図1(a)の状態から更に
液状樹脂Bを追加塗布すると、液状樹脂Bは再び同じ角
度θとなるまで濡れ広がるようになる。
That is, referring to FIG. 1, as shown in FIG. 1 (a), when a certain amount of the liquid resin B is applied to the upper surface of the substrate A, the contact point P1 at the end thereof is located on the substrate A. In this case, the swelling angle (contact angle) θ of the liquid resin B at the contact point P1 is: Rs = Rl cos θ + Rsl (1) (where Rs is the magnitude of the surface tension of the substrate A, and Rl is the liquid resin The magnitude of the surface tension of B, Rsl is the substrate A and the liquid resin B
(The magnitude of the surface tension at the interface with the surface) is established and stable. When the liquid resin B is further applied from the state shown in FIG. 1A, the liquid resin B spreads again until the same angle θ is obtained.

【0029】ところが、基板Aの端縁部を微視的に見る
と、図1(b)に示すように、いわゆるRがついている
と考えられるので、液状樹脂Bを追加塗布していってそ
の触点P2が基板Aの端縁部に至ると、接触点P2の接
線方向が水平状態から外側へ向けて下降する傾斜状に変
化して表面張力(Rs,Rl,Rsl)の向きが変化し、
その状態でやはり上記(1)式が成立つところで釣り合
って安定する。尚、基板A端縁部のR部は非常に小さい
ため、重力の影響は表面張力に比べて極めて小さく、ほ
ぼ無視できると考えられる。
However, when the edge of the substrate A is viewed microscopically, as shown in FIG. 1B, it is considered that a so-called R is provided. When the contact point P2 reaches the edge of the substrate A, the tangential direction of the contact point P2 changes from a horizontal state to an inclined shape that descends outward, and the direction of the surface tension (Rs, R1, Rsl) changes. ,
In this state, the balance is stabilized where the above equation (1) is satisfied. Since the R portion at the edge of the substrate A is very small, the influence of gravity is extremely small as compared with the surface tension and is considered to be almost negligible.

【0030】この場合、図1(b)に示すような基板A
の端縁部における釣り合い状態においては、接触点P2
における液状樹脂Bの基板Aの上面に対する盛上り角度
(いわば見掛上の接触角)θ´が、図1(a)に示す角
度θに比べて大きくなる。このことは、液状樹脂Bの端
部が基板Aの端縁部に至った状態では、基板Aの端縁部
から先へは液状樹脂Bが容易に溢れ出ないことを意味
し、塗布量を増やしていって基板A上面に対する見掛上
の接触角が角度θを越えても、見掛上の接触角が角度θ
´を越えるまでは溢れ出ることはないのである。
In this case, the substrate A as shown in FIG.
In the equilibrium state at the edge of the contact point P2
Of the liquid resin B with respect to the upper surface of the substrate A (ie, the apparent contact angle) θ ′ becomes larger than the angle θ shown in FIG. This means that when the edge of the liquid resin B reaches the edge of the substrate A, the liquid resin B does not easily overflow from the edge of the substrate A, and the coating amount is reduced. Even if the apparent contact angle with respect to the upper surface of the substrate A exceeds the angle θ, the apparent contact angle becomes
It will not overflow until you cross'.

【0031】従って、基板12上を液状樹脂を濡れ広が
らせる際に、液状樹脂の広がりをせき止めるための枠等
を設けなくとも、基板12の四辺の端縁部をその液状樹
脂の流れ止めとすることができ、液状樹脂が基板12の
上面から溢れ出ることなく液状樹脂の塗布の工程を実行
できるのである。
Therefore, when the liquid resin is spread on the substrate 12, the edges of the four sides of the substrate 12 can be used as a stop for the flow of the liquid resin without providing a frame or the like for blocking the spread of the liquid resin. Thus, the step of applying the liquid resin can be performed without the liquid resin overflowing from the upper surface of the substrate 12.

【0032】この後、上記塗布された液状樹脂を硬化さ
せる工程が実行される。この工程は、内部の温度が例え
ば150〜180℃に維持された加熱炉内に、基板12
を収容し、数時間程度放置することにより行われ、液状
樹脂が硬化して封止樹脂層15となるのである。尚、こ
のように形成された封止樹脂層15は、その上面が平坦
性の十分高いものとなり、半導体部品11として被真空
吸着性に優れたものとなり、また外観も優れたものとな
る。しかる後、基板12の裏面部に、はんだバンプ14
を設ける工程が行われて半導体部品11が得られるので
ある。
Thereafter, a step of curing the applied liquid resin is performed. In this step, the substrate 12 is placed in a heating furnace in which the internal temperature is maintained at, for example, 150 to 180 ° C.
Is carried out and left for about several hours, and the liquid resin is cured to form the sealing resin layer 15. Note that the sealing resin layer 15 thus formed has a sufficiently high flatness on the upper surface, and has excellent vacuum suction properties as the semiconductor component 11 and also has excellent appearance. Thereafter, the solder bumps 14 are formed on the back surface of the substrate 12.
Is performed, and the semiconductor component 11 is obtained.

【0033】このように本実施例によれば、基板12の
端縁部が液状樹脂の流れ止め役割を果たすことに着目
し、基板12の端縁部を液状樹脂の流れ止めとした状態
で封止樹脂層15を設けるようにしたので、従来のよう
な液状樹脂の流出防止用の壁となる樹脂枠を形成するも
のと異なり、簡単な構成で済ませながらも、液状樹脂の
封止範囲外への流出防止を図ることができるという優れ
た実用的効果を奏するものである。また、本実施例で
は、液状樹脂の塗布工程を、多点塗布あるいは走査塗布
により行うようにしたので、一点塗布の場合と比較し
て、液状樹脂の塗布工程を効率的に行うことができるよ
うになるという利点も得ることができる。
As described above, according to the present embodiment, attention is paid to the fact that the edge of the substrate 12 serves to stop the flow of the liquid resin, and the sealing is performed with the edge of the substrate 12 being the stop for the liquid resin. Since the stop resin layer 15 is provided, unlike the conventional case in which a resin frame serving as a wall for preventing the liquid resin from flowing out is formed, a simple configuration is required, but the liquid resin is sealed out of the sealing range. This has an excellent practical effect that the outflow of water can be prevented. Further, in the present embodiment, the application step of the liquid resin is performed by multi-point application or scanning application, so that the application step of the liquid resin can be performed more efficiently than in the case of single-point application. Can also be obtained.

【0034】尚、上記した実施例では、基板12の四辺
の端縁部全てを液状樹脂の流れ止めとしたが、基板12
の端縁部の少なくとも一部を液状樹脂の流れ止めとする
ように構成しても良い。
In the above embodiment, all the four edges of the substrate 12 are made to stop the flow of the liquid resin.
May be configured so that at least a part of the edge portion of the edge portion serves as a stopper for the liquid resin.

【0035】(2)第2,第3の実施例 図3及び図4は、本発明の第2の実施例(請求項2に対
応)を示している。図3に示すように、この実施例が上
記第1の実施例と異なる点は、基板16の端縁部を液状
樹脂の流れ止めとした状態で封止樹脂層17を設ける際
に、前記基板16の液状樹脂の流れ止めとなる端縁部
を、裏面側に向けて逆テーパをなす鋭角状に構成したと
ころにある。これによれば、基板16の端縁部における
液状樹脂の溢れ出し防止の効果をより一層高めることが
できるのである。
(2) Second and Third Embodiment FIGS. 3 and 4 show a second embodiment (corresponding to claim 2) of the present invention. As shown in FIG. 3, this embodiment is different from the first embodiment in that when the sealing resin layer 17 is provided in a state where the edge of the substrate 16 is kept from flowing the liquid resin, the substrate An edge portion 16 of the liquid resin 16 serving as a flow stopper is formed in an acute angle with a reverse taper toward the back surface side. According to this, the effect of preventing the liquid resin from overflowing at the edge of the substrate 16 can be further enhanced.

【0036】即ち、図4は、基板16の端縁部を微視的
に示しており、基板16の端縁部は鋭角的に構成され、
やはりその先端部にはいわゆるRがついている。ここ
で、液状樹脂Bが基板16上面を濡れ広がって基板16
の端縁部に至っても、重力の影響を無視すれば、液状樹
脂Bの端部がいわば下面側に回り込んで接触点P3の状
態に至るまで、液状樹脂Bの追加塗布が可能となると考
えられる。
FIG. 4 shows the edge of the substrate 16 microscopically, and the edge of the substrate 16 is formed at an acute angle.
Again, a so-called R is attached to the tip. Here, the liquid resin B spreads over the upper surface of the substrate 16 and
If the influence of gravity is ignored even at the edge of the liquid resin B, it is considered that the liquid resin B can be additionally applied until the end of the liquid resin B wraps around to the lower surface side to reach the state of the contact point P3. Can be

【0037】この状態では、表面張力(Rs,Rl,R
sl)の向きが、接触点P1が基板16上面にある場合
(図1(a))と比べて角度90度以上変化し、上記
(1)式が成立した状態で、液状樹脂Bの基板Aの上面
に対する盛上り角度(いわば見掛上の接触角)θ″をか
なり大きくすることができ、この結果、かなり多量の液
状樹脂Bを塗布しても溢れ出ることはなくなるのであ
る。実際には、重力の影響が出るので、図4に示す状態
は誇大的であると言えるが、図1(b)に示したものと
比べても一定の高い効果を得ることができ、特に液状樹
脂Bの表面張力Rlが大きい場合に有効となるのであ
る。
In this state, the surface tension (Rs, Rl, R
The direction of (sl) changes by 90 degrees or more compared to the case where the contact point P1 is on the upper surface of the substrate 16 (FIG. 1A). Of the liquid resin B can be considerably increased, so that even if a considerably large amount of the liquid resin B is applied, it does not overflow. 4 is exaggerated because of the influence of gravity. However, a certain high effect can be obtained as compared with the state shown in FIG. This is effective when the surface tension Rl is large.

【0038】図5は、本発明の第3の実施例(請求項3
に対応)を示している。この実施例が上記第1の実施例
と異なる点は、基板12の端縁部に、該基板12よりも
表面張力の小さい流れ止め材18を設けたところにあ
る。この流れ止め材18は、例えばテフロン等から成
り、液状のものを塗布する、あるいは予めテープ状に形
成されたものを貼付けることによって基板12の端面部
に設けられるようになっている。
FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention.
). This embodiment differs from the first embodiment in that a flow stopper 18 having a lower surface tension than the substrate 12 is provided at the edge of the substrate 12. The flow stopper 18 is made of, for example, Teflon or the like, and is provided on the end surface of the substrate 12 by applying a liquid material or pasting a tape-shaped material.

【0039】これによれば、液状樹脂の端部が接触する
点の基板12の表面張力つまり上記した(1)式のRs
が小さくなり、ひいては、 cosθが小さくなり、釣り合
い時の角度θを大きくすることができる。この結果、接
触点における液状樹脂の基板12の上面に対する盛上り
角度(いわば見掛上の接触角)θ´をより大きくするこ
とができ、液状樹脂の溢れ出し防止の効果をより一層高
めることができるものである。
According to this, the surface tension of the substrate 12 at the point where the edge of the liquid resin comes into contact, that is, Rs of the above-described formula (1)
Becomes smaller, and consequently, cos θ becomes smaller, and the angle θ at the time of balancing can be increased. As a result, the swelling angle (the apparent contact angle) θ ′ of the liquid resin at the contact point with respect to the upper surface of the substrate 12 can be further increased, and the effect of preventing the liquid resin from overflowing can be further enhanced. You can do it.

【0040】(3)第4の実施例 図6を参照して、本発明の第4の実施例(請求項4,
6,7に対応)について述べる。図6は、本実施例に係
る半導体部品(COB)21の要部構成を示している。
この半導体部品21は、例えばプリント基板からなる大
形の基板22に半導体チップ(図示せず)を装着し、そ
の半導体チップを封止する封止樹脂層23を基板22上
に部分的に設けて構成されている。
(3) Fourth Embodiment Referring to FIG. 6, a fourth embodiment of the present invention will be described.
6 and 7). FIG. 6 illustrates a main configuration of a semiconductor component (COB) 21 according to the present embodiment.
The semiconductor component 21 is obtained by mounting a semiconductor chip (not shown) on a large-sized substrate 22 made of, for example, a printed board, and partially providing a sealing resin layer 23 for sealing the semiconductor chip on the substrate 22. It is configured.

【0041】そして、このとき、基板22の上面部の封
止樹脂層23の形成領域(四角形の領域)には、その周
囲部よりも高くなった島状段部24が形成されており、
前記半導体チップはその島状段部24上に装着され、ま
た、前記封止樹脂層23の端部がその島状段部24の端
縁部に一致している。本実施例では、前記島状段部24
は、ソルダレジストから構成され、その高さ寸法(ソル
ダレジストの塗布厚み寸法)が例えば30〜50μmと
されている。
At this time, an island-shaped step portion 24 which is higher than the surrounding portion is formed in the region (square region) where the sealing resin layer 23 is formed on the upper surface of the substrate 22.
The semiconductor chip is mounted on the island-shaped step portion 24, and the edge of the sealing resin layer 23 coincides with the edge of the island-shaped step portion 24. In the present embodiment, the island-shaped steps 24
Is made of a solder resist, and its height (the thickness of the solder resist applied) is, for example, 30 to 50 μm.

【0042】かかる半導体部品21を製造するにあたっ
ては、基板22の製作時のソルダレジストの印刷時に封
止樹脂層23の形成領域にもソルダレジストを印刷塗布
することにより予め島状段部24を形成しておく。そし
て、この基板22の島状段部24上に半導体チップを装
着して所要の電気的接続を行った後に、該島状段部24
上にその半導体チップを覆うように液状樹脂を塗布する
のであるが、この液状樹脂の塗布の工程は、島状段部2
4の四辺の端縁部をその液状樹脂の流れ止めとした状態
で行われるのである。
In manufacturing the semiconductor component 21, the island-shaped step portion 24 is formed in advance by printing and applying the solder resist to the formation region of the sealing resin layer 23 when printing the solder resist at the time of manufacturing the substrate 22. Keep it. Then, after a semiconductor chip is mounted on the island-shaped step portion 24 of the substrate 22 and required electrical connection is made, the island-shaped step portion 24
The liquid resin is applied on the top so as to cover the semiconductor chip.
The process is performed in a state where the edges of the four sides of No. 4 are made to stop the flow of the liquid resin.

【0043】この場合、上記第1の実施例等と同様に、
濡れ広がる液状樹脂が容易に島状段部24の端縁部の外
側に溢れなくなるため、島状段部24の端縁部が液状樹
脂の流れ止めとして機能するようになり、従って、この
実施例によっても、比較的簡単な構成で済ませながら、
液状樹脂の封止範囲外への流出防止を図ることができる
ものである。また、特に本実施例では、島状段部24を
ソルダレジストから構成したので、島状段部24の形成
工程も簡単に済ませることができる。
In this case, similar to the first embodiment and the like,
Since the liquid resin that spreads out does not easily overflow outside the edge of the island-shaped step portion 24, the edge portion of the island-shaped step portion 24 functions as a flow stopper for the liquid resin. With a relatively simple configuration,
This can prevent the liquid resin from flowing out of the sealing range. In particular, in the present embodiment, since the island-shaped steps 24 are formed of a solder resist, the step of forming the island-shaped steps 24 can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の作用を説明するためのもので、液状樹
脂の端部の接触点が基板上面に位置するとき(a)及び
基板の端縁部に位置するとき(b)における表面張力と
接触角との関係を示す縦断面図
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view for explaining the operation of the present invention, in which surface tension when a contact point of an edge of a liquid resin is located on an upper surface of a substrate (a) and when it is located on an edge of the substrate (b). Vertical sectional view showing the relationship between

【図2】本発明の第1の実施例に係る半導体部品の縦断
正面図
FIG. 2 is a longitudinal sectional front view of the semiconductor component according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施例を示すもので、半導体部
品の要部の縦断正面図
FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention and is a longitudinal sectional front view of a main part of a semiconductor component.

【図4】作用説明用の拡大縦断面図FIG. 4 is an enlarged vertical sectional view for explaining the operation.

【図5】本発明の第3の実施例を示す半導体部品の要部
の縦断正面図
FIG. 5 is a longitudinal sectional front view of a main part of a semiconductor component according to a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第4の実施例を示す半導体部品の要部
の縦断正面図
FIG. 6 is a longitudinal sectional front view of a main part of a semiconductor component according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】従来例を示す図2相当図FIG. 7 shows a conventional example and is equivalent to FIG.

【図8】他の従来例を示す図2相当図FIG. 8 is a diagram corresponding to FIG. 2 showing another conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

図面中、11,21は半導体部品、12,16,22は
基板、13は半導体チップ、15,17,23は封止樹
脂層、18は流れ止め材、24は島状段部、Aは基板、
Bは液状樹脂を示す。
In the drawings, 11, 21 are semiconductor components, 12, 16, 22 are substrates, 13 is a semiconductor chip, 15, 17, and 23 are sealing resin layers, 18 is a flow stopper, 24 is an island-shaped step, and A is a substrate. ,
B indicates a liquid resin.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に半導体チップを装着すると共
に、該基板上に液状樹脂を塗布して硬化させることによ
りその半導体チップを封止する封止樹脂層を設けるよう
にしたものであって、 前記基板の少なくとも一部の端縁部を、前記液状樹脂の
流れ止めとした状態で、前記封止樹脂層が設けられてい
ることを特徴とする半導体部品。
Claims: 1. A semiconductor chip is mounted on a substrate, and a sealing resin layer for sealing the semiconductor chip is provided by applying and curing a liquid resin on the substrate. A semiconductor component, wherein the sealing resin layer is provided in a state where at least a part of the edge of the substrate is kept from flowing the liquid resin.
【請求項2】 前記基板の液状樹脂の流れ止めとなる端
縁部は、裏面側に向けて逆テーパをなす鋭角状に構成さ
れていることを特徴とする請求項1記載の半導体部品。
2. The semiconductor component according to claim 1, wherein an edge portion of the substrate serving as a stopper for the liquid resin is formed in an acute angle with a reverse taper toward a back surface side.
【請求項3】 前記基板の液状樹脂の流れ止めとなる端
縁部には、該基板よりも表面張力の小さい流れ止め材が
設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載の
半導体部品。
3. The semiconductor according to claim 1, wherein a flow stopper having a surface tension smaller than that of the substrate is provided at an edge portion of the substrate at which the liquid resin stops flowing. parts.
【請求項4】 基板上に半導体チップを装着すると共
に、該基板上に液状樹脂を塗布して硬化させることによ
りその半導体チップを封止する封止樹脂層を設けるよう
にしたものであって、 前記基板上の封止樹脂層形成領域が、その周囲の部分よ
りも高い段付き形状とされていることを特徴とする半導
体部品。
4. A method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and applying a liquid resin on the substrate and curing the resin to provide a sealing resin layer for sealing the semiconductor chip. A semiconductor component, wherein a sealing resin layer forming region on the substrate has a stepped shape higher than a peripheral portion thereof.
【請求項5】 基板上に、半導体チップを装着すると共
に、その半導体チップを封止する封止樹脂層を設けてな
る半導体部品を製造する方法であって、 前記基板上に半導体チップを装着する工程と、前記基板
上に前記半導体チップを覆うように液状樹脂を塗布する
工程と、前記液状樹脂を硬化させる工程とを含み、 前記液状樹脂の塗布工程は、前記基板の少なくとも一部
の端縁部を液状樹脂の流れ止めとした状態で実行される
ことを特徴とする半導体部品の製造方法。
5. A method for manufacturing a semiconductor component comprising mounting a semiconductor chip on a substrate and providing a sealing resin layer for sealing the semiconductor chip, wherein the semiconductor chip is mounted on the substrate. A step of applying a liquid resin on the substrate so as to cover the semiconductor chip, and a step of curing the liquid resin. The step of applying the liquid resin includes at least an edge of the substrate. A method of manufacturing a semiconductor component, wherein the method is performed in a state in which a liquid resin is stopped in a part.
【請求項6】 基板上に、半導体チップを装着すると共
に、その半導体チップを封止する封止樹脂層を設けてな
る半導体部品を製造する方法であって、 前記基板上の封止樹脂層形成領域にその周囲部分よりも
高い島状段部を形成する工程と、前記島状段部上に半導
体チップを装着する工程と、前記島状段部上に前記半導
体チップを覆うように液状樹脂を塗布する工程と、前記
液状樹脂を硬化させる工程とを含み、 前記液状樹脂の塗布工程は、前記島状段部の端縁部を液
状樹脂の流れ止めとした状態で実行されることを特徴と
する半導体部品の製造方法。
6. A method for manufacturing a semiconductor component comprising mounting a semiconductor chip on a substrate and providing a sealing resin layer for sealing the semiconductor chip, comprising: forming a sealing resin layer on the substrate. A step of forming an island-shaped step portion higher than a peripheral portion in the region, a step of mounting a semiconductor chip on the island-shaped step portion, and applying a liquid resin on the island-shaped step portion so as to cover the semiconductor chip. The method includes a step of applying and a step of curing the liquid resin, wherein the step of applying the liquid resin is performed in a state in which an edge of the island-shaped step portion is set to stop the flow of the liquid resin. Of manufacturing semiconductor components.
【請求項7】 前記島状段部は、前記基板上の封止樹脂
層形成領域にソルダレジストを塗布することにより形成
されることを特徴とする請求項6記載の半導体部品の製
造方法。
7. The method according to claim 6, wherein the island-shaped step is formed by applying a solder resist to a sealing resin layer forming region on the substrate.
【請求項8】 前記液状樹脂の塗布工程は、多点塗布あ
るいは走査塗布により行われることを特徴とする請求項
5ないし7のいずれかに記載の半導体部品の製造方法。
8. The method according to claim 5, wherein the step of applying the liquid resin is performed by multi-point application or scanning application.
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