JPH1130766A - 光非相反回路 - Google Patents
光非相反回路Info
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- JPH1130766A JPH1130766A JP18404997A JP18404997A JPH1130766A JP H1130766 A JPH1130766 A JP H1130766A JP 18404997 A JP18404997 A JP 18404997A JP 18404997 A JP18404997 A JP 18404997A JP H1130766 A JPH1130766 A JP H1130766A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 相反回転子の組み込みを飛躍的に簡易化する
ことにより経済的な光非相反回路を提供する。 【解決手段】 平面光波回路からなる分離合成部位１
３，１３' にガイド溝１４，１４' を設け、このガイド
溝１４，１４' に相反偏光面回転子２，２' を設置する
ことにより、相反偏光面回転子の配置を簡易化してい
る。
ことにより経済的な光非相反回路を提供する。 【解決手段】 平面光波回路からなる分離合成部位１
３，１３' にガイド溝１４，１４' を設け、このガイド
溝１４，１４' に相反偏光面回転子２，２' を設置する
ことにより、相反偏光面回転子の配置を簡易化してい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信の分野にお
いて使用される光非相反回路に関し、特に磁気光学効果
による非相反効果と複屈折材料による相反効果とを巧み
に利用して、光位相の制御を行い、干渉により消光させ
る原理を用いた光サーキュレータである光非相反回路に
関する。
いて使用される光非相反回路に関し、特に磁気光学効果
による非相反効果と複屈折材料による相反効果とを巧み
に利用して、光位相の制御を行い、干渉により消光させ
る原理を用いた光サーキュレータである光非相反回路に
関する。
【０００２】
【従来の技術】光位相の制御を利用した干渉型の光サー
キュレータは、高価で集積化が困難な偏光ビームスプリ
ッタを使用する光サーキュレータに比べ、使用する部材
がそれぞれ安価であり、組立も容易であるため優れてい
る（特願平９−４２５８４号参照）。特に、相反偏光面
回転子として板状のバルク型半波長板を用いる干渉型光
サーキュレータは、部品コストが導波路型半波長板を用
いたものに比べて安く有利である。
キュレータは、高価で集積化が困難な偏光ビームスプリ
ッタを使用する光サーキュレータに比べ、使用する部材
がそれぞれ安価であり、組立も容易であるため優れてい
る（特願平９−４２５８４号参照）。特に、相反偏光面
回転子として板状のバルク型半波長板を用いる干渉型光
サーキュレータは、部品コストが導波路型半波長板を用
いたものに比べて安く有利である。
【０００３】図１８〜図２０は、相反偏光面回転子とし
て板状のバルク型半波長板を用いた従来の干渉型光サー
キュレータの構成を示すものである。図１８，図２０
（ａ），（ｂ）に示す従来の干渉型光サーキュレータ
は、１組の３ｄＢ光方向性結合器５，５' 、３ｄＢ−Ｘ
分岐回路６，６' 、マッハツエンダ干渉計からなる３ｄ
Ｂ分岐回路２３，２３' 、またはマルチモード干渉器か
らなる３ｄＢ分岐回路２４，２４' を含む平面光波回路
からなる導波光の分離合成部位１，１' 、２枚の板状の
バルク型半波長板からなる相反偏光面回転子２，２' 、
および１つの磁気光学導波路アレイからなる非相反偏光
面回転子３または１つの磁気光結晶からなる非相反偏光
面回転子３' から構成されている。また、図１９、図２
０（ｃ）に示す従来の干渉型光サーキュレータは、１組
の光ファイバカプラからなる導波光の分離合成部位
１''，１''' 、２枚の板状のバルク型半波長板からなる
相反偏光面回転子２，２' 、および１つの磁気光学導波
路アレイからなる非相反偏光面回転子３または１つの磁
気光結晶からなる非相反偏光面回転子３' から構成され
ている。また、一部のタイプでは（図２０（ｂ），
（ｃ））構成部品にレンズ２６を含んでいる。更に一部
のタイプでは分離合成部位１，１' ，１''，１''' の非
相反偏光面回転子３，３' 側の光が導波するコア部の一
部または全部に位相調整部位２７を設けてある（便宜
上、図１８〜図２０中では全部のコア部に位相調整部位
２７を記載してある）。
て板状のバルク型半波長板を用いた従来の干渉型光サー
キュレータの構成を示すものである。図１８，図２０
（ａ），（ｂ）に示す従来の干渉型光サーキュレータ
は、１組の３ｄＢ光方向性結合器５，５' 、３ｄＢ−Ｘ
分岐回路６，６' 、マッハツエンダ干渉計からなる３ｄ
Ｂ分岐回路２３，２３' 、またはマルチモード干渉器か
らなる３ｄＢ分岐回路２４，２４' を含む平面光波回路
からなる導波光の分離合成部位１，１' 、２枚の板状の
バルク型半波長板からなる相反偏光面回転子２，２' 、
および１つの磁気光学導波路アレイからなる非相反偏光
面回転子３または１つの磁気光結晶からなる非相反偏光
面回転子３' から構成されている。また、図１９、図２
０（ｃ）に示す従来の干渉型光サーキュレータは、１組
の光ファイバカプラからなる導波光の分離合成部位
１''，１''' 、２枚の板状のバルク型半波長板からなる
相反偏光面回転子２，２' 、および１つの磁気光学導波
路アレイからなる非相反偏光面回転子３または１つの磁
気光結晶からなる非相反偏光面回転子３' から構成され
ている。また、一部のタイプでは（図２０（ｂ），
（ｃ））構成部品にレンズ２６を含んでいる。更に一部
のタイプでは分離合成部位１，１' ，１''，１''' の非
相反偏光面回転子３，３' 側の光が導波するコア部の一
部または全部に位相調整部位２７を設けてある（便宜
上、図１８〜図２０中では全部のコア部に位相調整部位
２７を記載してある）。
【０００４】位相調整部位２７の構成としては、通常、
平面光波回路の光導波路部または光ファイバカプラの光
ファイバ部の一部に加熱用ヒータを設置する構成（N.Ta
tatoet.al.,Joumal of Lightwave Technolgy,Volume 6,
No.6,p.1003-p.1010,1988.,M.Abe et al.Electronics L
etters,Volume 32,No.19,p1818-1819,1990 および M.Ka
wachi,Optical and Quantum Electronics Vol.22,pp391
-416,1990）、平面光波回路の光導波路部または光ファ
イバカプラの光ファイバ部の一部にアモルファスＳｉ膜
を付与し、レーザ光線を照射することによって位相を調
整する構成（M.Okuno etal.,Journal of Lightwave Tec
hnolgy,Volume12,No.4,p.625-p.633,1994 ）、平面光波
回路の光導波路部または光ファイバカプラの光ファイバ
部にレーザ光線を照射して位相を調整する部位を設置す
る構成（H.Uetsuka et al.,Electoronics Letters,Volu
me 26,No.4,p.251-253,1990 ）（特願平３−３６９５０
０号）、および平面光波回路の光導波路部または光ファ
イバカプラの光ファイバ部のコア部の一部に溝を開けて
光を照射すると屈折率が変わる高分子材料を設置した構
成（平成９年度春季第４４回応用物理学関連連合講演会
28a-NG-4,1997）等が用いられる。
平面光波回路の光導波路部または光ファイバカプラの光
ファイバ部の一部に加熱用ヒータを設置する構成（N.Ta
tatoet.al.,Joumal of Lightwave Technolgy,Volume 6,
No.6,p.1003-p.1010,1988.,M.Abe et al.Electronics L
etters,Volume 32,No.19,p1818-1819,1990 および M.Ka
wachi,Optical and Quantum Electronics Vol.22,pp391
-416,1990）、平面光波回路の光導波路部または光ファ
イバカプラの光ファイバ部の一部にアモルファスＳｉ膜
を付与し、レーザ光線を照射することによって位相を調
整する構成（M.Okuno etal.,Journal of Lightwave Tec
hnolgy,Volume12,No.4,p.625-p.633,1994 ）、平面光波
回路の光導波路部または光ファイバカプラの光ファイバ
部にレーザ光線を照射して位相を調整する部位を設置す
る構成（H.Uetsuka et al.,Electoronics Letters,Volu
me 26,No.4,p.251-253,1990 ）（特願平３−３６９５０
０号）、および平面光波回路の光導波路部または光ファ
イバカプラの光ファイバ部のコア部の一部に溝を開けて
光を照射すると屈折率が変わる高分子材料を設置した構
成（平成９年度春季第４４回応用物理学関連連合講演会
28a-NG-4,1997）等が用いられる。
【０００５】また、非相反偏光面回転子３および３' に
は、通常素子が動作するためにその磁化の方向が光の進
行方向に平行となるように永久磁石または電磁石を設置
することにより磁場４が印加されるように設定されてい
る。なお、一部の干渉型光サーキュレータでは、一度磁
場を印加すれば磁化の方向と大きさを保持する磁気光学
材料を用いた非相反偏光面回転子３および３' を用い磁
石を設置しない構成をとる場合もある。
は、通常素子が動作するためにその磁化の方向が光の進
行方向に平行となるように永久磁石または電磁石を設置
することにより磁場４が印加されるように設定されてい
る。なお、一部の干渉型光サーキュレータでは、一度磁
場を印加すれば磁化の方向と大きさを保持する磁気光学
材料を用いた非相反偏光面回転子３および３' を用い磁
石を設置しない構成をとる場合もある。
【０００６】これらの光サーキュレータがデバイスとし
て動作するためには、図１８〜図２０のＡ−Ｂまたは
Ａ′−Ｂ′断面を示す図２１のように分離合成部位１，
１' ，１''，１''' の導波光の進行方向と垂直な面内に
設定されたｘ−ｙ座標８について、半波長板からなる相
反偏光面回転子２および２' のｓｌｏｗ軸７のｘ軸とな
す角度１０のθｓ1 およびθｓ2 が θｓ1 −θｓ2 ＝±π／４ …（１） の関係を満たすように設定されなければならない。な
お、図２１において、９は平面光波回路からなる分離合
成部位１のコア部、１１は光ファイバカプラのコア部で
ある。
て動作するためには、図１８〜図２０のＡ−Ｂまたは
Ａ′−Ｂ′断面を示す図２１のように分離合成部位１，
１' ，１''，１''' の導波光の進行方向と垂直な面内に
設定されたｘ−ｙ座標８について、半波長板からなる相
反偏光面回転子２および２' のｓｌｏｗ軸７のｘ軸とな
す角度１０のθｓ1 およびθｓ2 が θｓ1 −θｓ2 ＝±π／４ …（１） の関係を満たすように設定されなければならない。な
お、図２１において、９は平面光波回路からなる分離合
成部位１のコア部、１１は光ファイバカプラのコア部で
ある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の干渉型
光サーキュレータの構成では、相反偏光面回転子２およ
び２' が厚さ数十μｍの薄板であるためハンドリングが
悪い上、またｘ−ｙ座標８の目印がないためデバイスの
組立の際、相反偏光面回転子２および２' を（１）式の
関係を満たすように配置することは不可能ではないもの
の非常に煩雑な作業となる。このため図１８〜図２０に
示す従来の干渉型光サーキュレータは、組立に要するコ
ストが高く、デバイス全体が高価になるという欠点があ
った。
光サーキュレータの構成では、相反偏光面回転子２およ
び２' が厚さ数十μｍの薄板であるためハンドリングが
悪い上、またｘ−ｙ座標８の目印がないためデバイスの
組立の際、相反偏光面回転子２および２' を（１）式の
関係を満たすように配置することは不可能ではないもの
の非常に煩雑な作業となる。このため図１８〜図２０に
示す従来の干渉型光サーキュレータは、組立に要するコ
ストが高く、デバイス全体が高価になるという欠点があ
った。
【０００８】加えて、図１８〜図２０に示す従来の干渉
型光サーキュレータのうちタイプＩ、II、II' 、II''、
ＩＶの構成では、相反偏光面回転子２および２' の厚み
によってできる分離合成部位１および１' と非相反回転
子３の間の幅数十μｍの隙間１２および１２' のため、
これらの素子を接着剤で接着固定する際、分離合成部位
１および１' と非相反回転子３の間の十分な接着強度が
とれにくく、組立作業中に接着面が剥がれやすいため作
製歩留まりが悪く、作製コストが高いという欠点もあっ
た。
型光サーキュレータのうちタイプＩ、II、II' 、II''、
ＩＶの構成では、相反偏光面回転子２および２' の厚み
によってできる分離合成部位１および１' と非相反回転
子３の間の幅数十μｍの隙間１２および１２' のため、
これらの素子を接着剤で接着固定する際、分離合成部位
１および１' と非相反回転子３の間の十分な接着強度が
とれにくく、組立作業中に接着面が剥がれやすいため作
製歩留まりが悪く、作製コストが高いという欠点もあっ
た。
【０００９】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、相反回転子の組み込みを飛躍
的に簡易化することにより経済的な光非相反回路を提供
することにある。
その目的とするところは、相反回転子の組み込みを飛躍
的に簡易化することにより経済的な光非相反回路を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の本発明は、分離された光が伝搬され
る第１および第２の光導波路と、前記第１および第２の
光導波路の一端側に配置され、順方向に進む光を前記第
１および第２の光導波路に分離して出力するとともに、
前記第１および第２の光導波路から入力された逆方向に
進む光を合成する第１の分離合成部位と、前記第１およ
び第２の光導波路の他端側に配置され、前記逆方向に進
む光を第１および第２の光導波路に分離して出力すると
ともに、前記第１および第２の光導波路から入力される
前記順方向に進む光を合成する第２の分離合成部位と、
光の進行方向と垂直な面内に設定されたｘ−ｙ座標につ
いて、前記第１の光導波路にファラデー回転角がθｆ1
である第１の非相反回転子とｘ軸からのｓｌｏｗ軸角度
がθｓ1 である半波長板からなる第１の相反回転子を順
方向に沿って前記第１の非相反回転子および前記第１の
相反回転子の順に配置した第１の偏光回転部位と、前記
第２の光導波路にｘ軸からのｓｌｏｗ軸角度がθｓ2 で
ある半波長板からなる第２の相反回転子とファラデー回
転角がθｆ2 である第２の非相反回転子を順方向に沿っ
て前記第２の相反回転子および前記第２の非相反回転子
の順に配置した第２の偏光回転部位とを有し、前記第１
および第２の光導波路を伝搬する光のうち、順方向に進
む光については前記分離された光が同位相で干渉して合
成され、逆方向に進む光については前記分離された光が
逆位相で干渉して合成されるように
め、請求項１記載の本発明は、分離された光が伝搬され
る第１および第２の光導波路と、前記第１および第２の
光導波路の一端側に配置され、順方向に進む光を前記第
１および第２の光導波路に分離して出力するとともに、
前記第１および第２の光導波路から入力された逆方向に
進む光を合成する第１の分離合成部位と、前記第１およ
び第２の光導波路の他端側に配置され、前記逆方向に進
む光を第１および第２の光導波路に分離して出力すると
ともに、前記第１および第２の光導波路から入力される
前記順方向に進む光を合成する第２の分離合成部位と、
光の進行方向と垂直な面内に設定されたｘ−ｙ座標につ
いて、前記第１の光導波路にファラデー回転角がθｆ1
である第１の非相反回転子とｘ軸からのｓｌｏｗ軸角度
がθｓ1 である半波長板からなる第１の相反回転子を順
方向に沿って前記第１の非相反回転子および前記第１の
相反回転子の順に配置した第１の偏光回転部位と、前記
第２の光導波路にｘ軸からのｓｌｏｗ軸角度がθｓ2 で
ある半波長板からなる第２の相反回転子とファラデー回
転角がθｆ2 である第２の非相反回転子を順方向に沿っ
て前記第２の相反回転子および前記第２の非相反回転子
の順に配置した第２の偏光回転部位とを有し、前記第１
および第２の光導波路を伝搬する光のうち、順方向に進
む光については前記分離された光が同位相で干渉して合
成され、逆方向に進む光については前記分離された光が
逆位相で干渉して合成されるように
【数２】θｓ1 −θｓ2 ＝±π／４ θｆ1 ＋θｆ2 ＝±π／２＋２ｎπ （但し、ｎは整
数） を満足するように設定される光非相反回路であって、半
波長板からなる板状の前記第１の相反回転子を前記第１
の光導波路に設置した溝に挿入することにより配置し、
半波長板からなる板状の前記第２の相反回転子を前記第
２の光導波路に設置した溝に挿入することにより配置す
ることを要旨とする。
数） を満足するように設定される光非相反回路であって、半
波長板からなる板状の前記第１の相反回転子を前記第１
の光導波路に設置した溝に挿入することにより配置し、
半波長板からなる板状の前記第２の相反回転子を前記第
２の光導波路に設置した溝に挿入することにより配置す
ることを要旨とする。
【００１１】請求項１記載の本発明にあっては、半波長
板からなる第１の相反回転子を第１の光導波路に設置し
た溝に挿入し、半波長板からなる第２の相反回転子を第
２の光導波路に設置した溝に挿入するため、相反回転子
の配置が飛躍的に簡易になり、経済的となる。
板からなる第１の相反回転子を第１の光導波路に設置し
た溝に挿入し、半波長板からなる第２の相反回転子を第
２の光導波路に設置した溝に挿入するため、相反回転子
の配置が飛躍的に簡易になり、経済的となる。
【００１２】また、請求項２記載の本発明は、請求項１
記載の発明において、前記第１および第２の分離合成部
位の少なくとも一方は平面光波回路からなる光方向性結
合器回路を用いて構成されることを要旨とする。
記載の発明において、前記第１および第２の分離合成部
位の少なくとも一方は平面光波回路からなる光方向性結
合器回路を用いて構成されることを要旨とする。
【００１３】更に、請求項３記載の本発明は、請求項１
記載の発明において、前記第１および第２の分離合成部
位の少なくとも一方が平面光波回路からなるＸ分岐回路
を用いて構成されることを要旨とする。
記載の発明において、前記第１および第２の分離合成部
位の少なくとも一方が平面光波回路からなるＸ分岐回路
を用いて構成されることを要旨とする。
【００１４】請求項４記載の本発明は、請求項１記載の
発明において、前記第１および第２の分離合成部位の少
なくとも一方が平面光波回路からなるマッハツエンダ干
渉計回路を用いて構成されることを要旨とする。
発明において、前記第１および第２の分離合成部位の少
なくとも一方が平面光波回路からなるマッハツエンダ干
渉計回路を用いて構成されることを要旨とする。
【００１５】また、請求項５記載の本発明は、請求項１
記載の発明において、前記第１および第２の分離合成部
位の少なくとも一方が平面光波回路からなるマルチモー
ド干渉器回路を用いて構成されることを要旨とする。
記載の発明において、前記第１および第２の分離合成部
位の少なくとも一方が平面光波回路からなるマルチモー
ド干渉器回路を用いて構成されることを要旨とする。
【００１６】更に、請求項６記載の本発明は、請求項１
記載の発明において、前記第１および第２の分離合成部
位の少なくとも一方が架台上に光ファイバカプラを固定
して構成されることを要旨とする。
記載の発明において、前記第１および第２の分離合成部
位の少なくとも一方が架台上に光ファイバカプラを固定
して構成されることを要旨とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について説明する。
の形態について説明する。
【００１８】（実施形態１）図１〜図４は、本発明の実
施形態１に係るタイプＩ〜ＸＶＩの１６種類の光非相反
回路である干渉型光サーキュレータの構成を示す図であ
る。本実施形態１は分離合成部位として相反偏光回転子
２，２' の設置のためのガイド溝１４，１４' を設けた
平面光波回路からなる分離合成部位１３，１３' を用い
たものである。
施形態１に係るタイプＩ〜ＸＶＩの１６種類の光非相反
回路である干渉型光サーキュレータの構成を示す図であ
る。本実施形態１は分離合成部位として相反偏光回転子
２，２' の設置のためのガイド溝１４，１４' を設けた
平面光波回路からなる分離合成部位１３，１３' を用い
たものである。
【００１９】図１〜図４において、２，２' は半波長板
からなる相反偏光面回転子、３は磁気光学導波路アレイ
からなる非相反偏光面回転子、３' は磁気光学結晶板か
らなる非相反偏光面回転子、４は非相反偏光面回転子
３，３' に印加された磁場、５，５' は光方向性結合器
回路、６，６' はＸ分岐回路、１３，１３' は半波長板
からなる相反偏光面回転子２，２' を設置するためのガ
イド溝１４，１４' 付きの平面光波回路からなる分離合
成部位、１４，１４' は半波長板からなる相反偏光面回
転子２，２' を設置するためのガイド溝、２３，２３'
はマッハツエンダ干渉計からなる３ｄＢ分岐回路、２
４，２４' はマルチモード干渉器からなる３ｄＢ分岐回
路である。
からなる相反偏光面回転子、３は磁気光学導波路アレイ
からなる非相反偏光面回転子、３' は磁気光学結晶板か
らなる非相反偏光面回転子、４は非相反偏光面回転子
３，３' に印加された磁場、５，５' は光方向性結合器
回路、６，６' はＸ分岐回路、１３，１３' は半波長板
からなる相反偏光面回転子２，２' を設置するためのガ
イド溝１４，１４' 付きの平面光波回路からなる分離合
成部位、１４，１４' は半波長板からなる相反偏光面回
転子２，２' を設置するためのガイド溝、２３，２３'
はマッハツエンダ干渉計からなる３ｄＢ分岐回路、２
４，２４' はマルチモード干渉器からなる３ｄＢ分岐回
路である。
【００２０】また、図１６は本実施形態の干渉型光サー
キュレータのＣ−Ｄ部の断面図である。同図において、
２' は前記相反偏光面回転子、７は半波長板からなる相
反偏光面回転子２，２' のｓｌｏｗ軸、８は分離合成部
位の導波光の進行方向と垂直な面に設定されたｘ−ｙ
軸、１０はｓｌｏｗ軸７とｘ軸がなす角度θｓ、１５は
分離合成部位１３，１３' のコア部、１６はガイド溝１
４，１４' の底面２２は半波長板からなる相反偏光面回
転子２，２' の底辺である。
キュレータのＣ−Ｄ部の断面図である。同図において、
２' は前記相反偏光面回転子、７は半波長板からなる相
反偏光面回転子２，２' のｓｌｏｗ軸、８は分離合成部
位の導波光の進行方向と垂直な面に設定されたｘ−ｙ
軸、１０はｓｌｏｗ軸７とｘ軸がなす角度θｓ、１５は
分離合成部位１３，１３' のコア部、１６はガイド溝１
４，１４' の底面２２は半波長板からなる相反偏光面回
転子２，２' の底辺である。
【００２１】なお、分離合成部位１３，１３' の平面光
波回路としては、所謂３ｄＢカプラと同等な機能を示す
３ｄＢ分岐回路である方向性結合器回路、Ｘ分岐回路、
マッハツエンダ干渉計からなる回路（例えば、K.Jinguj
i 他：Electronics Letter,vol.26,No.17,pp.1325-132
7,1990 ）およびマルチモード干渉器からなる回路（例
えば、L.B.Soldano 他：Journal of Lightwave Technol
gy,vol.10,No.12,pp.1843-1850,1992 ）等であればよ
い。
波回路としては、所謂３ｄＢカプラと同等な機能を示す
３ｄＢ分岐回路である方向性結合器回路、Ｘ分岐回路、
マッハツエンダ干渉計からなる回路（例えば、K.Jinguj
i 他：Electronics Letter,vol.26,No.17,pp.1325-132
7,1990 ）およびマルチモード干渉器からなる回路（例
えば、L.B.Soldano 他：Journal of Lightwave Technol
gy,vol.10,No.12,pp.1843-1850,1992 ）等であればよ
い。
【００２２】また、本実施形態では、デバイスの組立の
際、図１６に示すようにガイド溝１４，１４' の底面１
６を分離合成部位１３，１３' の導波光の進行方向と垂
直な面内に設定されたｘ−ｙ座標８のｘ軸の目印として
使用し、相反偏光面回転子２，２' を設置する。具体的
には半波長板からなる相反偏光面回転子２，２' をその
底辺をｓｌｏｗ軸７と（１）式を満たす関係にある角度
θｓ1 およびθｓ2 をなすように加工し、すなわち相反
偏光面回転子２，２' の底辺２２をｘ−ｙ座標８のｘ軸
と平行となるように加工し、ガイド溝１４，１４' への
底辺２２が底面１６と平行に接触するように挿入するこ
とで配置する。
際、図１６に示すようにガイド溝１４，１４' の底面１
６を分離合成部位１３，１３' の導波光の進行方向と垂
直な面内に設定されたｘ−ｙ座標８のｘ軸の目印として
使用し、相反偏光面回転子２，２' を設置する。具体的
には半波長板からなる相反偏光面回転子２，２' をその
底辺をｓｌｏｗ軸７と（１）式を満たす関係にある角度
θｓ1 およびθｓ2 をなすように加工し、すなわち相反
偏光面回転子２，２' の底辺２２をｘ−ｙ座標８のｘ軸
と平行となるように加工し、ガイド溝１４，１４' への
底辺２２が底面１６と平行に接触するように挿入するこ
とで配置する。
【００２３】本実施形態の干渉型光サーキュレータはデ
バイスの組立の際のｘ−ｙ座標８の目印がない従来の干
渉型光サーキュレータに比べて、相反偏光面回転子２，
２'の配置が飛躍的に容易なため、作製コストが安くな
る。
バイスの組立の際のｘ−ｙ座標８の目印がない従来の干
渉型光サーキュレータに比べて、相反偏光面回転子２，
２'の配置が飛躍的に容易なため、作製コストが安くな
る。
【００２４】また、本実施形態に示す分離合成部位に平
面光波回路を使用し、かつ従来のようにレンズ２６を用
いない構成の干渉型光サーキュレータは、従来の図１８
に示す分離合成部位に平面光波回路を用いる構成の従来
の干渉型光サーキュレータに比べて、分離合成部位と非
相反回転子３との間の幅数十μｍが隙間１２，１２'が
構造的にないため、分離合成部位と非相反回転子間の接
着において十分な接着強度がとれるため、接着面が剥が
れ難く作製歩留まりが改善され、作製コストを安くする
ことができる。
面光波回路を使用し、かつ従来のようにレンズ２６を用
いない構成の干渉型光サーキュレータは、従来の図１８
に示す分離合成部位に平面光波回路を用いる構成の従来
の干渉型光サーキュレータに比べて、分離合成部位と非
相反回転子３との間の幅数十μｍが隙間１２，１２'が
構造的にないため、分離合成部位と非相反回転子間の接
着において十分な接着強度がとれるため、接着面が剥が
れ難く作製歩留まりが改善され、作製コストを安くする
ことができる。
【００２５】なお、本実施形態においては、干渉型光サ
ーキュレータを構成する２つの分離合成部位を同種類の
ものとしているが、相反偏光面回転子２，２' を設置す
るためのガイド溝を設けた分離合成部位を使用するかぎ
り、他の分離合成部位を使用してもよい。
ーキュレータを構成する２つの分離合成部位を同種類の
ものとしているが、相反偏光面回転子２，２' を設置す
るためのガイド溝を設けた分離合成部位を使用するかぎ
り、他の分離合成部位を使用してもよい。
【００２６】本実施形態１では、作製する干渉型光サー
キュレータの動作波長は１．５５μｍに設定した。分離
合成部位１３および１３' としてＳｉ基板の上に火炎堆
積法と反応性イオンエッチングにより作製した石英系ガ
ラス埋込み型導波路からなる平面光波回路を用いた。石
英系ガラス埋込み型導波路の導波光のフィールド径２ω
は１０．５μｍとした。ガイド溝１４および１４' は、
ダイシングソーを用いて形成した。ガイド溝１４および
１４' の幅および深さは３０μｍおよび１００μｍとし
た。相反偏光面回転子２および２' としては、ポリイミ
ド薄膜を熱延伸することにより複屈折性をもたせた半波
長板を用いた。相反偏光面回転子２および２' の厚さは
１６μｍとした。相反偏光面回転子２および２' のデバ
イスへの組み込みにおいては、図１８に示した従来の干
渉型光サーキュレータに比べて、その底辺２２をｓｌｏ
ｗ軸７と角度＋π／８および−π／８をなすように加工
し、ガイド溝１４，１４' へその底辺２２が底面１６と
平行に接触するように挿入することで、容易に（１）式
を満たすように配置することができた。
キュレータの動作波長は１．５５μｍに設定した。分離
合成部位１３および１３' としてＳｉ基板の上に火炎堆
積法と反応性イオンエッチングにより作製した石英系ガ
ラス埋込み型導波路からなる平面光波回路を用いた。石
英系ガラス埋込み型導波路の導波光のフィールド径２ω
は１０．５μｍとした。ガイド溝１４および１４' は、
ダイシングソーを用いて形成した。ガイド溝１４および
１４' の幅および深さは３０μｍおよび１００μｍとし
た。相反偏光面回転子２および２' としては、ポリイミ
ド薄膜を熱延伸することにより複屈折性をもたせた半波
長板を用いた。相反偏光面回転子２および２' の厚さは
１６μｍとした。相反偏光面回転子２および２' のデバ
イスへの組み込みにおいては、図１８に示した従来の干
渉型光サーキュレータに比べて、その底辺２２をｓｌｏ
ｗ軸７と角度＋π／８および−π／８をなすように加工
し、ガイド溝１４，１４' へその底辺２２が底面１６と
平行に接触するように挿入することで、容易に（１）式
を満たすように配置することができた。
【００２７】非相反偏光面回転子３としては、ガドリニ
ウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピ
タキシャル成長法とイオンビームエッチングで作製した
ＬａX Ｙ3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本
並列に並んだ導波路型回転子を用いた。非相反偏光面回
転子３の長さは３．０２ｍｍとし、偏光面回転角はπ／
４とした。なお、非相反偏光面回転子３には磁気光学効
果を引き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加
した。更に、非相反偏光面回転子３の端面には端面での
反射を防止するために石英系ガラスの屈折率に対する反
射防止コートを施した。分離合成部位１３および１３'
と非相反偏光面回転子３は石英系ガラスと屈折率を整合
させたＵＶ硬化型の接着剤により接続固定した。この
際、接続面に隙間１２および１２' が存在する図１８に
示した従来の干渉型光サーキュレータと異なり、十分な
接続強度がとれるため、接着面が剥がれるなどの障害の
発生は抑制され作製歩留まりが向上した。なお、分離合
成部位１３および１３' と非相反偏光面回転子３の接続
面は導波路に対して垂直とした。
ウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピ
タキシャル成長法とイオンビームエッチングで作製した
ＬａX Ｙ3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本
並列に並んだ導波路型回転子を用いた。非相反偏光面回
転子３の長さは３．０２ｍｍとし、偏光面回転角はπ／
４とした。なお、非相反偏光面回転子３には磁気光学効
果を引き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加
した。更に、非相反偏光面回転子３の端面には端面での
反射を防止するために石英系ガラスの屈折率に対する反
射防止コートを施した。分離合成部位１３および１３'
と非相反偏光面回転子３は石英系ガラスと屈折率を整合
させたＵＶ硬化型の接着剤により接続固定した。この
際、接続面に隙間１２および１２' が存在する図１８に
示した従来の干渉型光サーキュレータと異なり、十分な
接続強度がとれるため、接着面が剥がれるなどの障害の
発生は抑制され作製歩留まりが向上した。なお、分離合
成部位１３および１３' と非相反偏光面回転子３の接続
面は導波路に対して垂直とした。
【００２８】図１〜図４に示す本実施形態のタイプＩ〜
ＸＶＩの１６種類の干渉型光サーキュレータの４つのポ
ート１〜４に光ファイバを接続した。なお、分離合成部
位１３および１３' と光ファイバの接続面は、端面での
反射を防止するために導波路に対して垂直から８度傾く
ように設定した。各々のポートから光を入射したとこ
ろ、ポート１から入射した光はポート２へ、ポート２か
ら入射した光はポート３へ、ポート３から入射した光は
ポート４へ、ポート４から入射した光はポート１へ出射
し、光サーキュレータとして動作することが確認され
た。また、それぞれのポートにおける逆方向に光を入射
した際のアイソレーションの値は２０ｄＢ程度の値を示
した。各ポートの反射減衰量は３０ｄＢ程度であった。
ＸＶＩの１６種類の干渉型光サーキュレータの４つのポ
ート１〜４に光ファイバを接続した。なお、分離合成部
位１３および１３' と光ファイバの接続面は、端面での
反射を防止するために導波路に対して垂直から８度傾く
ように設定した。各々のポートから光を入射したとこ
ろ、ポート１から入射した光はポート２へ、ポート２か
ら入射した光はポート３へ、ポート３から入射した光は
ポート４へ、ポート４から入射した光はポート１へ出射
し、光サーキュレータとして動作することが確認され
た。また、それぞれのポートにおける逆方向に光を入射
した際のアイソレーションの値は２０ｄＢ程度の値を示
した。各ポートの反射減衰量は３０ｄＢ程度であった。
【００２９】表１は図１〜図４に示す本実施形態のタイ
プＩ〜ＸＶＩの干渉型光サーキュレータと上述した図１
８に示す従来例の分離合成部位１および１' として石英
系ガラス導波路からなる平面光波回路を用いた図１８に
示したタイプＩ，II，II' ，II''の従来の干渉型光サー
キュレータを１００個作製した際の１個あたりの作製コ
ストを比較したものである。なお、作製コストは図１８
（ａ）に示したタイプＩの従来の干渉型光サーキュレー
タにおいて分離合成部位１および１' として石英系ガラ
ス導波路からなる平面光波回路を用いた場合の作製コス
トを１００とした相対値である。表からわかるように本
実施形態の作製コストは、従来の作製方法の作製コスト
に比べて、相反偏光面回転子２および２' の配置に要す
るコスト削減と分離合成部位１３および１３' と非相反
偏光面回転子３の接続固定における歩留まり向上によ
り、６割以上安くなることが確認された。
プＩ〜ＸＶＩの干渉型光サーキュレータと上述した図１
８に示す従来例の分離合成部位１および１' として石英
系ガラス導波路からなる平面光波回路を用いた図１８に
示したタイプＩ，II，II' ，II''の従来の干渉型光サー
キュレータを１００個作製した際の１個あたりの作製コ
ストを比較したものである。なお、作製コストは図１８
（ａ）に示したタイプＩの従来の干渉型光サーキュレー
タにおいて分離合成部位１および１' として石英系ガラ
ス導波路からなる平面光波回路を用いた場合の作製コス
トを１００とした相対値である。表からわかるように本
実施形態の作製コストは、従来の作製方法の作製コスト
に比べて、相反偏光面回転子２および２' の配置に要す
るコスト削減と分離合成部位１３および１３' と非相反
偏光面回転子３の接続固定における歩留まり向上によ
り、６割以上安くなることが確認された。
【００３０】
【表１】 なお、本実施形態では分離合成部位１３および１３' と
して石英系ガラスでできた導波路からなる平面光波回路
を用いたが、多成分系ガラス、重金属酸化物ガラス（Ｔ
ａ酸化物、Ｎｂ酸化物等）、シリコンオキシナイトライ
ド、カルコゲナイドガラス等の他のガラス材料でできた
導波路からなる平面光波回路を用いても、本発明の作製
コストが安くなる効果を得られることが確認された。ま
た、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＰＬＺＴ，ＩｎＰ系
およびＧａＡｓ系等の半導体材料、ガーネット等の結晶
材料でできた導波路からなる平面光波回路を用いても、
本発明の作製コストが安くなる効果を得られることが確
認された。
して石英系ガラスでできた導波路からなる平面光波回路
を用いたが、多成分系ガラス、重金属酸化物ガラス（Ｔ
ａ酸化物、Ｎｂ酸化物等）、シリコンオキシナイトライ
ド、カルコゲナイドガラス等の他のガラス材料でできた
導波路からなる平面光波回路を用いても、本発明の作製
コストが安くなる効果を得られることが確認された。ま
た、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＰＬＺＴ，ＩｎＰ系
およびＧａＡｓ系等の半導体材料、ガーネット等の結晶
材料でできた導波路からなる平面光波回路を用いても、
本発明の作製コストが安くなる効果を得られることが確
認された。
【００３１】（実施形態２）本実施形態２について、図
１〜図４に示すタイプＩ〜ＸＶＩの１６種類の干渉型光
サーキュレータを参照して説明する。本実施形態２では
作製する干渉型光サーキュレータの動作波長は１．５５
μｍに設定した。分離合成部位１３および１３' として
Ｓｉ基板の上に火炎堆積法と反応性イオンエッチングに
より作製した石英系ガラス埋込み型導波路からなる平面
光波回路を用いた。石英系ガラス埋込み型導波路の導波
光のフィールド径２ωは８μｍとした。ガイド溝１４お
よび１４' は、ダイシングソーを用いて形成した。ガイ
ド溝１４および１４' の幅および深さは２６μｍおよび
１００μｍとした。相反偏光面回転子２および２' とし
ては、ポリイミド薄膜を熱延伸することにより複屈折性
をもたせた半波長板を用いた。相反偏光面回転子２およ
び２' の厚さは１５μｍとした。相反偏光面回転子２お
よび２' のデバイスへの組み込みにおいては、図１８に
示した従来の干渉型光サーキュレータに比べて、その底
辺２２をｓｌｏｗ軸７と角度＋π／８および−π／８を
なすように加工し、ガイド溝１４，１４' へその底辺２
２が底面１６と平行に接触するように挿入することで、
容易に（１）式を満たすように配置することができた。
１〜図４に示すタイプＩ〜ＸＶＩの１６種類の干渉型光
サーキュレータを参照して説明する。本実施形態２では
作製する干渉型光サーキュレータの動作波長は１．５５
μｍに設定した。分離合成部位１３および１３' として
Ｓｉ基板の上に火炎堆積法と反応性イオンエッチングに
より作製した石英系ガラス埋込み型導波路からなる平面
光波回路を用いた。石英系ガラス埋込み型導波路の導波
光のフィールド径２ωは８μｍとした。ガイド溝１４お
よび１４' は、ダイシングソーを用いて形成した。ガイ
ド溝１４および１４' の幅および深さは２６μｍおよび
１００μｍとした。相反偏光面回転子２および２' とし
ては、ポリイミド薄膜を熱延伸することにより複屈折性
をもたせた半波長板を用いた。相反偏光面回転子２およ
び２' の厚さは１５μｍとした。相反偏光面回転子２お
よび２' のデバイスへの組み込みにおいては、図１８に
示した従来の干渉型光サーキュレータに比べて、その底
辺２２をｓｌｏｗ軸７と角度＋π／８および−π／８を
なすように加工し、ガイド溝１４，１４' へその底辺２
２が底面１６と平行に接触するように挿入することで、
容易に（１）式を満たすように配置することができた。
【００３２】非相反偏光面回転子３としては、ガドリニ
ウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピ
タキシャル成長法とイオンビームエッチングで作製した
ＬａX Ｙ3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本
並列に並んだ導波路型回転子を用いた。非相反偏光面回
転子３の長さは３．０２ｍｍとし、偏光面回転角はπ／
４とした。なお、非相反偏光面回転子３には磁気光学効
果を引き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加
した。また、非相反偏光面回転子３の端面には、端面で
の反射を防止するために石英系ガラスの屈折率に対する
反射防止コートを施した。分離合成部位１３および１
３' と非相反偏光面回転子３は石英系ガラスと屈折率を
整合させたＵＶ硬化型の接着剤により接続固定した。こ
の際、接続面に隙間１２および１２' が存在する図１８
に示した従来の干渉型光サーキュレータと異なり、十分
な接続強度がとれるため、接着面が剥がれるなどの障害
の発生は抑制され作製歩留まりが向上した。なお、分離
合成部位１３および１３' と非相反偏光面回転子３の接
続面は、タイプ III，ＩＶ，ＶII，ＶIII ，ＸＩ，ＸI
I，ＸＶおよびＸＶＩで導波路に対して垂直とし、タイ
プＩ，II，Ｖ，ＶＩ，ＩＸ，Ｘ，ＸIII およびＸＩＶで
端面での反射を防止するために導波路に対して垂直から
８度傾くように設定した。
ウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピ
タキシャル成長法とイオンビームエッチングで作製した
ＬａX Ｙ3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本
並列に並んだ導波路型回転子を用いた。非相反偏光面回
転子３の長さは３．０２ｍｍとし、偏光面回転角はπ／
４とした。なお、非相反偏光面回転子３には磁気光学効
果を引き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加
した。また、非相反偏光面回転子３の端面には、端面で
の反射を防止するために石英系ガラスの屈折率に対する
反射防止コートを施した。分離合成部位１３および１
３' と非相反偏光面回転子３は石英系ガラスと屈折率を
整合させたＵＶ硬化型の接着剤により接続固定した。こ
の際、接続面に隙間１２および１２' が存在する図１８
に示した従来の干渉型光サーキュレータと異なり、十分
な接続強度がとれるため、接着面が剥がれるなどの障害
の発生は抑制され作製歩留まりが向上した。なお、分離
合成部位１３および１３' と非相反偏光面回転子３の接
続面は、タイプ III，ＩＶ，ＶII，ＶIII ，ＸＩ，ＸI
I，ＸＶおよびＸＶＩで導波路に対して垂直とし、タイ
プＩ，II，Ｖ，ＶＩ，ＩＸ，Ｘ，ＸIII およびＸＩＶで
端面での反射を防止するために導波路に対して垂直から
８度傾くように設定した。
【００３３】本実施形態のタイプＩ〜ＸＶＩの１６種類
の干渉型光サーキュレータの４つのポート１〜４に光フ
ァイバを接続した。なお、分離合成部位１３および１
３' と光ファイバの接続面は、端面での反射を防止する
ために導波路に対して垂直から８度傾くように設定し
た。各々のポートから光を入射したところ、ポート１か
ら入射した光はポート２へ、ポート２から入射した光は
ポート３へ、ポート３から入射した光はポート４へ、ポ
ート４から入射した光はポート１へ出射し、光サーキュ
レータとして動作することが確認された。また、それぞ
れのポートにおける逆方向に光を入射した際のアイソレ
ーションの値は２０ｄＢ程度の値を示した。各ポートの
反射減衰量は、タイプ III，ＩＶ，ＶII，ＶIII ，Ｘ
Ｉ，ＸII，ＸＶおよびＸＶＩで３０ｄＢ程度、タイプ
Ｉ，II，Ｖ，ＶＩ，ＩＸ，Ｘ，ＸIII およびＸＩＶで分
離合成部位１３および１３' と非相反偏光面回転子３の
接続面を傾けたことにより４０ｄＢ以上の高い値を示し
た。
の干渉型光サーキュレータの４つのポート１〜４に光フ
ァイバを接続した。なお、分離合成部位１３および１
３' と光ファイバの接続面は、端面での反射を防止する
ために導波路に対して垂直から８度傾くように設定し
た。各々のポートから光を入射したところ、ポート１か
ら入射した光はポート２へ、ポート２から入射した光は
ポート３へ、ポート３から入射した光はポート４へ、ポ
ート４から入射した光はポート１へ出射し、光サーキュ
レータとして動作することが確認された。また、それぞ
れのポートにおける逆方向に光を入射した際のアイソレ
ーションの値は２０ｄＢ程度の値を示した。各ポートの
反射減衰量は、タイプ III，ＩＶ，ＶII，ＶIII ，Ｘ
Ｉ，ＸII，ＸＶおよびＸＶＩで３０ｄＢ程度、タイプ
Ｉ，II，Ｖ，ＶＩ，ＩＸ，Ｘ，ＸIII およびＸＩＶで分
離合成部位１３および１３' と非相反偏光面回転子３の
接続面を傾けたことにより４０ｄＢ以上の高い値を示し
た。
【００３４】表２は本実施形態２の干渉型光サーキュレ
ータと図１８に示す従来例の分離合成部位１および１'
として石英系ガラス導波路からなる平面光波回路を用い
た図１８に示したタイプＩ，II，II' ，II''の従来の干
渉型光サーキュレータを１００個作製した際の１個あた
りの作製コストを比較したものである。なお、作製コス
トは実施形態１における図１８（ａ）に示したタイプＩ
の従来の干渉型光サーキュレータの従来例の作製コスト
を１００とした相対値である。表からわかるように本実
施形態の作製コストは、従来の作製方法の作製コストに
比べて、相反偏光面回転子２および２' の配置に要する
コスト削減と分離合成部位１３および１３' と非相反偏
光面回転子３の接続固定における歩留まり向上により、
６割以上安くなることが確認された。
ータと図１８に示す従来例の分離合成部位１および１'
として石英系ガラス導波路からなる平面光波回路を用い
た図１８に示したタイプＩ，II，II' ，II''の従来の干
渉型光サーキュレータを１００個作製した際の１個あた
りの作製コストを比較したものである。なお、作製コス
トは実施形態１における図１８（ａ）に示したタイプＩ
の従来の干渉型光サーキュレータの従来例の作製コスト
を１００とした相対値である。表からわかるように本実
施形態の作製コストは、従来の作製方法の作製コストに
比べて、相反偏光面回転子２および２' の配置に要する
コスト削減と分離合成部位１３および１３' と非相反偏
光面回転子３の接続固定における歩留まり向上により、
６割以上安くなることが確認された。
【００３５】
【表２】 なお、本実施形態では分離合成部位１３および１３' と
して石英系ガラスでできた導波路からなる平面光波回路
を用いたが、多成分系ガラス、重金属酸化物ガラス（Ｔ
ａ酸化物、Ｎｂ酸化物等）、シリコンオキシナイトライ
ド、カルコゲナイドガラス等の他のガラス材料でできた
導波路からなる平面光波回路を用いても、本発明の作製
コストが安くなる効果を得られることが確認された。ま
た、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＰＬＺＴ，ＩｎＰ系
およびＧａＡｓ系等の半導体材料、ガーネット等の結晶
材料でできた導波路からなる平面光波回路を用いても、
本発明の作製コストが安くなる効果を得られることが確
認された。
して石英系ガラスでできた導波路からなる平面光波回路
を用いたが、多成分系ガラス、重金属酸化物ガラス（Ｔ
ａ酸化物、Ｎｂ酸化物等）、シリコンオキシナイトライ
ド、カルコゲナイドガラス等の他のガラス材料でできた
導波路からなる平面光波回路を用いても、本発明の作製
コストが安くなる効果を得られることが確認された。ま
た、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＰＬＺＴ，ＩｎＰ系
およびＧａＡｓ系等の半導体材料、ガーネット等の結晶
材料でできた導波路からなる平面光波回路を用いても、
本発明の作製コストが安くなる効果を得られることが確
認された。
【００３６】（実施形態３）本実施形態３について、図
１〜図４に示すタイプＩ〜ＸＶＩの１６種類の干渉型光
サーキュレータを参照して説明する。本実施形態３では
作製する干渉型光サーキュレータの動作波長は１．３μ
ｍに設定した。分離合成部位１３および１３' としてＳ
ｉ基板の上にスピンコートと反応性イオンエッチングに
より作製した高分子材料ＰＭＭＡからなる埋込み型導波
路の平面光波回路を用いた。ＰＭＭＡ埋込み型導波路の
導波光のフィールド径２ωは１０．５μｍとした。ガイ
ド溝１４および１４' は、ダイシングソーを用いて形成
した。ガイド溝１４および１４' の幅および深さは３２
μｍおよび１００μｍとした。相反偏光面回転子２およ
び２' としては、ポリイミド薄膜を熱延伸することによ
り複屈折性をもたせた半波長板を用いた。相反偏光面回
転子２および２' の厚さは１６μｍとした。相反偏光面
回転子２および２' のデバイスへの組み込みにおいて
は、図１８に示した従来の干渉型光サーキュレータに比
べて、その底辺２２をｓｌｏｗ軸７と角度−π／８およ
び＋π／８をなすように加工し、ガイド溝１４，１４'
へその底辺２２が底面１６と平行に接触するように挿入
することで、容易に（１）式を満たすように配置するこ
とができた。
１〜図４に示すタイプＩ〜ＸＶＩの１６種類の干渉型光
サーキュレータを参照して説明する。本実施形態３では
作製する干渉型光サーキュレータの動作波長は１．３μ
ｍに設定した。分離合成部位１３および１３' としてＳ
ｉ基板の上にスピンコートと反応性イオンエッチングに
より作製した高分子材料ＰＭＭＡからなる埋込み型導波
路の平面光波回路を用いた。ＰＭＭＡ埋込み型導波路の
導波光のフィールド径２ωは１０．５μｍとした。ガイ
ド溝１４および１４' は、ダイシングソーを用いて形成
した。ガイド溝１４および１４' の幅および深さは３２
μｍおよび１００μｍとした。相反偏光面回転子２およ
び２' としては、ポリイミド薄膜を熱延伸することによ
り複屈折性をもたせた半波長板を用いた。相反偏光面回
転子２および２' の厚さは１６μｍとした。相反偏光面
回転子２および２' のデバイスへの組み込みにおいて
は、図１８に示した従来の干渉型光サーキュレータに比
べて、その底辺２２をｓｌｏｗ軸７と角度−π／８およ
び＋π／８をなすように加工し、ガイド溝１４，１４'
へその底辺２２が底面１６と平行に接触するように挿入
することで、容易に（１）式を満たすように配置するこ
とができた。
【００３７】非相反偏光面回転子３としては、ガドリニ
ウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピ
タキシャル成長法とイオンビームエッチングで作製した
ＬａX Ｙ3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本
並列に並んだ導波路型回転子を用いた。非相反偏光面回
転子３の長さは３．０２ｍｍとし、偏光面回転角はπ／
４とした。なお、非相反偏光面回転子３には磁気光学効
果を引き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加
した。更に、非相反偏光面回転子３の端面には端面での
反射を防止するためにＰＭＭＡの屈折率に対する反射防
止コートを施した。分離合成部位１３および１３' と非
相反偏光面回転子３はＰＭＭＡと屈折率を整合させたＵ
Ｖ硬化型の接着剤により接続固定した。この際、接続面
に隙間１２および１２' が存在する図１８に示した従来
の干渉型光サーキュレータと異なり、十分な接続強度が
とれるため、接着面が剥がれるなどの障害の発生は抑制
され作製歩留まりが向上した。なお、分離合成部位１３
および１３' と非相反偏光面回転子３の接続面は導波路
に対して垂直とした。
ウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピ
タキシャル成長法とイオンビームエッチングで作製した
ＬａX Ｙ3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本
並列に並んだ導波路型回転子を用いた。非相反偏光面回
転子３の長さは３．０２ｍｍとし、偏光面回転角はπ／
４とした。なお、非相反偏光面回転子３には磁気光学効
果を引き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加
した。更に、非相反偏光面回転子３の端面には端面での
反射を防止するためにＰＭＭＡの屈折率に対する反射防
止コートを施した。分離合成部位１３および１３' と非
相反偏光面回転子３はＰＭＭＡと屈折率を整合させたＵ
Ｖ硬化型の接着剤により接続固定した。この際、接続面
に隙間１２および１２' が存在する図１８に示した従来
の干渉型光サーキュレータと異なり、十分な接続強度が
とれるため、接着面が剥がれるなどの障害の発生は抑制
され作製歩留まりが向上した。なお、分離合成部位１３
および１３' と非相反偏光面回転子３の接続面は導波路
に対して垂直とした。
【００３８】本実施形態３のタイプＩ〜ＸＶＩの１６種
類の干渉型光サーキュレータの４つのポート１〜４に光
ファイバを接続した。なお、分離合成部位１３および１
３'と光ファイバの接続面は、端面での反射を防止する
ために導波路に対して垂直から８度傾くように設定し
た。各々のポートから光を入射したところ、ポート１か
ら入射した光はポート２へ、ポート２から入射した光は
ポート３へ、ポート３から入射した光はポート４へ、ポ
ート４から入射した光はポート１へ出射し、光サーキュ
レータとして動作することが確認された。また、それぞ
れのポートにおける逆方向に光を入射した際のアイソレ
ーションの値は２１ｄＢ程度の値を示した。各ポートの
反射減衰量は３０ｄＢ程度であった。
類の干渉型光サーキュレータの４つのポート１〜４に光
ファイバを接続した。なお、分離合成部位１３および１
３'と光ファイバの接続面は、端面での反射を防止する
ために導波路に対して垂直から８度傾くように設定し
た。各々のポートから光を入射したところ、ポート１か
ら入射した光はポート２へ、ポート２から入射した光は
ポート３へ、ポート３から入射した光はポート４へ、ポ
ート４から入射した光はポート１へ出射し、光サーキュ
レータとして動作することが確認された。また、それぞ
れのポートにおける逆方向に光を入射した際のアイソレ
ーションの値は２１ｄＢ程度の値を示した。各ポートの
反射減衰量は３０ｄＢ程度であった。
【００３９】表３は本実施形態３の干渉型光サーキュレ
ータと図１８に示す従来例の分離合成部位１および１'
としてＰＭＭＡ導波路からなる平面光波回路を用いた図
１８に示したタイプＩ，II，ＩＩ' ，II''の従来の干渉
型光サーキュレータを１００個作製した際の１個あたり
の作製コストを比較したものである。なお、作製コスト
は実施形態１における図１８（ａ）に示したタイプＩの
従来の干渉型光サーキュレータの従来例の作製コストを
１００とした相対値である。表からわかるように本実施
形態の作製コストは、従来の作製方法の作製コストに比
べて、相反偏光面回転子２および２' の配置に要するコ
スト削減と分離合成部位１３および１３' と非相反偏光
面回転子３の接続固定における歩留まり向上により、６
割以上安くなることが確認された。
ータと図１８に示す従来例の分離合成部位１および１'
としてＰＭＭＡ導波路からなる平面光波回路を用いた図
１８に示したタイプＩ，II，ＩＩ' ，II''の従来の干渉
型光サーキュレータを１００個作製した際の１個あたり
の作製コストを比較したものである。なお、作製コスト
は実施形態１における図１８（ａ）に示したタイプＩの
従来の干渉型光サーキュレータの従来例の作製コストを
１００とした相対値である。表からわかるように本実施
形態の作製コストは、従来の作製方法の作製コストに比
べて、相反偏光面回転子２および２' の配置に要するコ
スト削減と分離合成部位１３および１３' と非相反偏光
面回転子３の接続固定における歩留まり向上により、６
割以上安くなることが確認された。
【００４０】
【表３】 なお、本実施形態では分離合成部位１３および１３' と
してＰＭＭＡでできた導波路からなる平面光波回路を用
いたが、ポリイミド、エポキシ、ポリシロキサン、ポリ
ウレタン等の他の高分子材料でできた導波路からなる平
面光波回路を用いても、本発明の作製コストが安くなる
効果を得られることが確認された。
してＰＭＭＡでできた導波路からなる平面光波回路を用
いたが、ポリイミド、エポキシ、ポリシロキサン、ポリ
ウレタン等の他の高分子材料でできた導波路からなる平
面光波回路を用いても、本発明の作製コストが安くなる
効果を得られることが確認された。
【００４１】（実施形態４）本実施形態４について、図
１〜図４に示すタイプＩ〜ＸＶＩの１６種類の干渉型光
サーキュレータを参照して説明する。本実施形態４では
作製する干渉型光サーキュレータの動作波長は１．３μ
ｍに設定した。分離合成部位１３および１３' としてＳ
ｉ基板の上にスピンコートと反応性イオンエッチングに
より作製した高分子材料ＰＭＭＡからなる埋込み型導波
路の平面光波回路を用いた。ＰＭＭＡ埋込み型導波路の
導波光のフィールド径２ωは８μｍとした。ガイド溝１
４および１４' の幅および深さは２８μｍおよび１００
μｍとした。相反偏光面回転子２および２' としては、
ポリイミド薄膜を熱延伸することにより複屈折性をもた
せた半波長板を用いた。相反偏光面回転子２および２'
の厚さは１３μｍとした。相反偏光面回転子２および
２' のデバイスへの組み込みにおいては、図１８に示し
たタイプＩ，II，ＩＩ' ，II''の従来の干渉型光サーキ
ュレータに比べて、その底辺２２をｓｌｏｗ軸７と角度
−π／８および＋π／８をなすように加工し、ガイド溝
１４，１４' へその底辺２２が底面１６と平行に接触す
るように挿入することで、容易に（１）式を満たすよう
に配置することができた。
１〜図４に示すタイプＩ〜ＸＶＩの１６種類の干渉型光
サーキュレータを参照して説明する。本実施形態４では
作製する干渉型光サーキュレータの動作波長は１．３μ
ｍに設定した。分離合成部位１３および１３' としてＳ
ｉ基板の上にスピンコートと反応性イオンエッチングに
より作製した高分子材料ＰＭＭＡからなる埋込み型導波
路の平面光波回路を用いた。ＰＭＭＡ埋込み型導波路の
導波光のフィールド径２ωは８μｍとした。ガイド溝１
４および１４' の幅および深さは２８μｍおよび１００
μｍとした。相反偏光面回転子２および２' としては、
ポリイミド薄膜を熱延伸することにより複屈折性をもた
せた半波長板を用いた。相反偏光面回転子２および２'
の厚さは１３μｍとした。相反偏光面回転子２および
２' のデバイスへの組み込みにおいては、図１８に示し
たタイプＩ，II，ＩＩ' ，II''の従来の干渉型光サーキ
ュレータに比べて、その底辺２２をｓｌｏｗ軸７と角度
−π／８および＋π／８をなすように加工し、ガイド溝
１４，１４' へその底辺２２が底面１６と平行に接触す
るように挿入することで、容易に（１）式を満たすよう
に配置することができた。
【００４２】非相反偏光面回転子３としては、ガドリニ
ウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピ
タキシャル成長法とイオンビームエッチングで作製した
ＬａX Ｙ3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本
並列に並んだ導波路型回転子を用いた。非相反偏光面回
転子３の長さは３．０２ｍｍとし、偏光面回転角はπ／
４とした。なお、非相反偏光面回転子３には磁気光学効
果を引き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加
した。また、非相反偏光面回転子の端面には、端面での
反射を防止するためにＰＭＭＡの屈折率に対する反射防
止コートを施した。分離合成部位１３および１３' と非
相反偏光面回転子３はＰＭＭＡと屈折率を整合させたＵ
Ｖ硬化型の接着剤により接続固定した。この際、接続面
に隙間１２および１２' が存在する図１８に示したタイ
プＩ，II，II' ，II''の従来の干渉型光サーキュレータ
と異なり、十分な接続強度がとれるため、接着面が剥が
れるなどの障害の発生は抑制され作製歩留まりが向上し
た。なお、分離合成部位１３および１３' と非相反偏光
面回転子３の接続面は、タイプ III，ＩＶ，ＶII，ＶII
I ，ＸＩ，ＸII，ＸＶおよびＸＶＩで導波路に対して垂
直とし、タイプＩ，II，Ｖ，ＶＩ，ＩＸ，Ｘ，ＸIII お
よびＸＩＶで端面での反射を防止するために導波路に対
して垂直から８度傾くように設定した。
ウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピ
タキシャル成長法とイオンビームエッチングで作製した
ＬａX Ｙ3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本
並列に並んだ導波路型回転子を用いた。非相反偏光面回
転子３の長さは３．０２ｍｍとし、偏光面回転角はπ／
４とした。なお、非相反偏光面回転子３には磁気光学効
果を引き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加
した。また、非相反偏光面回転子の端面には、端面での
反射を防止するためにＰＭＭＡの屈折率に対する反射防
止コートを施した。分離合成部位１３および１３' と非
相反偏光面回転子３はＰＭＭＡと屈折率を整合させたＵ
Ｖ硬化型の接着剤により接続固定した。この際、接続面
に隙間１２および１２' が存在する図１８に示したタイ
プＩ，II，II' ，II''の従来の干渉型光サーキュレータ
と異なり、十分な接続強度がとれるため、接着面が剥が
れるなどの障害の発生は抑制され作製歩留まりが向上し
た。なお、分離合成部位１３および１３' と非相反偏光
面回転子３の接続面は、タイプ III，ＩＶ，ＶII，ＶII
I ，ＸＩ，ＸII，ＸＶおよびＸＶＩで導波路に対して垂
直とし、タイプＩ，II，Ｖ，ＶＩ，ＩＸ，Ｘ，ＸIII お
よびＸＩＶで端面での反射を防止するために導波路に対
して垂直から８度傾くように設定した。
【００４３】本実施形態のタイプＩ〜ＸＶＩの１６種類
の干渉型光サーキュレータの４つのポート１〜４に光フ
ァイバを接続した。なお、分離合成部位１３および１
３' と光ファイバの接続面は、端面での反射を防止する
ために導波路に対して垂直から８度傾くように設定し
た。各々のポートから光を入射したところ、ポート１か
ら入射した光はポート２へ、ポート２から入射した光は
ポート３へ、ポート３から入射した光はポート４へ、ポ
ート４から入射した光はポート１へ出射し、光サーキュ
レータとして動作することが確認された。また、それぞ
れのポートにおける逆方向に光を入射した際のアイソレ
ーションの値は２３ｄＢ程度の値を示した。各ポートの
反射減衰量は、タイプ III，ＩＶ，ＶII，ＶIII ，Ｘ
Ｉ，ＸII，ＸＶおよびＸＶＩで３０ｄＢ程度、タイプ
Ｉ，II，Ｖ，ＶＩ，ＩＸ，Ｘ，ＸIII およびＸＩＶで分
離合成部位１３および１３' と非相反偏光面回転子３の
接続面を傾けたことにより４０ｄＢ以上の高い値を示し
た。
の干渉型光サーキュレータの４つのポート１〜４に光フ
ァイバを接続した。なお、分離合成部位１３および１
３' と光ファイバの接続面は、端面での反射を防止する
ために導波路に対して垂直から８度傾くように設定し
た。各々のポートから光を入射したところ、ポート１か
ら入射した光はポート２へ、ポート２から入射した光は
ポート３へ、ポート３から入射した光はポート４へ、ポ
ート４から入射した光はポート１へ出射し、光サーキュ
レータとして動作することが確認された。また、それぞ
れのポートにおける逆方向に光を入射した際のアイソレ
ーションの値は２３ｄＢ程度の値を示した。各ポートの
反射減衰量は、タイプ III，ＩＶ，ＶII，ＶIII ，Ｘ
Ｉ，ＸII，ＸＶおよびＸＶＩで３０ｄＢ程度、タイプ
Ｉ，II，Ｖ，ＶＩ，ＩＸ，Ｘ，ＸIII およびＸＩＶで分
離合成部位１３および１３' と非相反偏光面回転子３の
接続面を傾けたことにより４０ｄＢ以上の高い値を示し
た。
【００４４】表４は本実施形態４の干渉型光サーキュレ
ータと図１８に示す従来例の分離合成部位１および１'
としてＰＭＭＡ導波路からなる平面光波回路を用いた図
１８に示したタイプＩ，II，II' ，II''の従来の干渉型
光サーキュレータを１００個作製した際の１個あたりの
作製コストを比較したものである。なお、作製コストは
実施形態１における図１８（ａ）に示したタイプＩの従
来の干渉型光サーキュレータの従来例の作製コストを１
００とした相対値である。表からわかるように本実施形
態４の作製コストは、従来の作製方法の作製コストに比
べて、相反偏光面回転子２および２' の配置に要するコ
スト削減と分離合成部位１３および１３' と非相反偏光
面回転子３の接続固定における歩留まり向上により、６
割以上安くなることが確認された。
ータと図１８に示す従来例の分離合成部位１および１'
としてＰＭＭＡ導波路からなる平面光波回路を用いた図
１８に示したタイプＩ，II，II' ，II''の従来の干渉型
光サーキュレータを１００個作製した際の１個あたりの
作製コストを比較したものである。なお、作製コストは
実施形態１における図１８（ａ）に示したタイプＩの従
来の干渉型光サーキュレータの従来例の作製コストを１
００とした相対値である。表からわかるように本実施形
態４の作製コストは、従来の作製方法の作製コストに比
べて、相反偏光面回転子２および２' の配置に要するコ
スト削減と分離合成部位１３および１３' と非相反偏光
面回転子３の接続固定における歩留まり向上により、６
割以上安くなることが確認された。
【００４５】
【表４】 なお、本実施形態は分離合成部位１３および１３' とし
てＰＭＭＡでできた導波路からなる平面光波回路を用い
たが、ポリイミド、エポキシ、ポリシロキサン、ポリウ
レタン等の他の高分子材料でできた導波路からなる平面
光波回路を用いても、本発明の作製コストが安くなる効
果を得られることが確認された。
てＰＭＭＡでできた導波路からなる平面光波回路を用い
たが、ポリイミド、エポキシ、ポリシロキサン、ポリウ
レタン等の他の高分子材料でできた導波路からなる平面
光波回路を用いても、本発明の作製コストが安くなる効
果を得られることが確認された。
【００４６】（実施形態５）図５〜図６は、本発明の実
施形態５に係るタイプＸＶII〜ＸＸＩＶの８種類の光非
相反回路である干渉型光サーキュレータの構成を示す図
である。本実施形態５は分離合成部位として光ファイバ
カプラを架台２１の上に固定した構成でかつ相反偏光面
回転子２，２' の設置のためのガイド溝１９，１９' を
設けた分離合成部位１８，１８' を用いたものである。
施形態５に係るタイプＸＶII〜ＸＸＩＶの８種類の光非
相反回路である干渉型光サーキュレータの構成を示す図
である。本実施形態５は分離合成部位として光ファイバ
カプラを架台２１の上に固定した構成でかつ相反偏光面
回転子２，２' の設置のためのガイド溝１９，１９' を
設けた分離合成部位１８，１８' を用いたものである。
【００４７】図５、図６において、２，２' は半波長板
からなる相反偏光面回転子、３は磁気光学導波路アレイ
からなる非相反偏光面回転子、３' は磁気光学結晶板か
らなる非相反偏光面回転子、４は非相反偏光面回転子
３，３' に印加された磁場、１７は光ファイバカプラ、
１８，１８' は光半波長板カプラ１７を架台２１に固定
した構成の導波光の分離合成部位、１９，１９' は分離
合成部位１８，１８' に設けた半波長板からなる相反偏
光面回転子２，２' を設置するためのガイド溝である。
からなる相反偏光面回転子、３は磁気光学導波路アレイ
からなる非相反偏光面回転子、３' は磁気光学結晶板か
らなる非相反偏光面回転子、４は非相反偏光面回転子
３，３' に印加された磁場、１７は光ファイバカプラ、
１８，１８' は光半波長板カプラ１７を架台２１に固定
した構成の導波光の分離合成部位、１９，１９' は分離
合成部位１８，１８' に設けた半波長板からなる相反偏
光面回転子２，２' を設置するためのガイド溝である。
【００４８】また、図１７は本実施形態の干渉型光サー
キュレータのＣ′−Ｄ′部の断面図である。同図におい
て、２' は前記相反偏光面回転子、７は半波長板からな
る相反偏光面回転子２，２' のｓｌｏｗ軸、８は分離合
成部位の導波光の進行方向と垂直な面に設定されたｘ−
ｙ軸、１０はｓｌｏｗ軸７とｘ軸がなす角度θｓ、１１
は光ファイバカプラのコア部、１７は光ファイバカプ
ラ、２０はガイド溝１９，１９' の底面、２１は光ファ
イバカプラを固定するための架台、２２は半波長板から
なる相反偏光面回転子２，２' の底辺である。
キュレータのＣ′−Ｄ′部の断面図である。同図におい
て、２' は前記相反偏光面回転子、７は半波長板からな
る相反偏光面回転子２，２' のｓｌｏｗ軸、８は分離合
成部位の導波光の進行方向と垂直な面に設定されたｘ−
ｙ軸、１０はｓｌｏｗ軸７とｘ軸がなす角度θｓ、１１
は光ファイバカプラのコア部、１７は光ファイバカプ
ラ、２０はガイド溝１９，１９' の底面、２１は光ファ
イバカプラを固定するための架台、２２は半波長板から
なる相反偏光面回転子２，２' の底辺である。
【００４９】また、本実施形態では、デバイスの組立の
際、図１７に示すようにガイド溝１９，１９' の底面２
０を分離合成部位１８，１８' の導波光の進行方向と垂
直な面内に設定されたｘ−ｙ座標８のｘ軸の目印として
使用し、相反偏光面回転子２，２' を配置する。具体的
には半波長板からなる相反偏光面回転子２，２' をその
底辺をｓｌｏｗ軸７と（１）式を満たす関係にある角度
θｓ1 およびθｓ2 なすように加工し、すなわち相反偏
光面回転子２，２' の底辺２２をｘ−ｙ座標８のｘ軸と
平行となるように加工し、ガイド溝１９，１９' への底
辺２２が底面２０と平行に接触するように挿入すること
で配置する。
際、図１７に示すようにガイド溝１９，１９' の底面２
０を分離合成部位１８，１８' の導波光の進行方向と垂
直な面内に設定されたｘ−ｙ座標８のｘ軸の目印として
使用し、相反偏光面回転子２，２' を配置する。具体的
には半波長板からなる相反偏光面回転子２，２' をその
底辺をｓｌｏｗ軸７と（１）式を満たす関係にある角度
θｓ1 およびθｓ2 なすように加工し、すなわち相反偏
光面回転子２，２' の底辺２２をｘ−ｙ座標８のｘ軸と
平行となるように加工し、ガイド溝１９，１９' への底
辺２２が底面２０と平行に接触するように挿入すること
で配置する。
【００５０】本実施形態の干渉型光サーキュレータはデ
バイスの組立の際のｘ−ｙ座標８の目印がない従来の干
渉型光サーキュレータに比べて、相反偏光面回転子２，
２'の配置が飛躍的に容易なため、作製コストが安くな
る。
バイスの組立の際のｘ−ｙ座標８の目印がない従来の干
渉型光サーキュレータに比べて、相反偏光面回転子２，
２'の配置が飛躍的に容易なため、作製コストが安くな
る。
【００５１】本実施形態５では、作製する干渉型光サー
キュレータの動作波長は１．３０μｍに設定した。分離
合成部位１８および１８' としてＳｉ基板の上にシング
ルモード石英系光ファイバからなる３ｄＢ光ファイバカ
プラ１７を張り付けたものを用いた。石英系光ファイバ
の導波光のフィールド径２ωは１０．５μｍとした。ガ
イド溝１９および１９' は、ダイシングソーを用いて形
成した。ガイド溝１９および１９' の幅および深さは２
９μｍおよび１００μｍとした。相反偏光面回転子２お
よび２' としては、ポリイミド薄膜を熱延伸することに
より複屈折性をもたせた半波長板を用いた。相反偏光面
回転子２および２' の厚さは１６μｍとした。相反偏光
面回転子２および２' のデバイスへの組み込みにおいて
は、図１９に示したタイプIII およびIII'の干渉型光サ
ーキュレータに比べて、その底辺２２をｓｌｏｗ軸７と
角度−π／８および＋π／８をなすように加工し、ガイ
ド溝１９，１９' へその底辺２２が底面２０と平行に接
触するように挿入することで、容易に（１）式を満たす
ように配置することができた。
キュレータの動作波長は１．３０μｍに設定した。分離
合成部位１８および１８' としてＳｉ基板の上にシング
ルモード石英系光ファイバからなる３ｄＢ光ファイバカ
プラ１７を張り付けたものを用いた。石英系光ファイバ
の導波光のフィールド径２ωは１０．５μｍとした。ガ
イド溝１９および１９' は、ダイシングソーを用いて形
成した。ガイド溝１９および１９' の幅および深さは２
９μｍおよび１００μｍとした。相反偏光面回転子２お
よび２' としては、ポリイミド薄膜を熱延伸することに
より複屈折性をもたせた半波長板を用いた。相反偏光面
回転子２および２' の厚さは１６μｍとした。相反偏光
面回転子２および２' のデバイスへの組み込みにおいて
は、図１９に示したタイプIII およびIII'の干渉型光サ
ーキュレータに比べて、その底辺２２をｓｌｏｗ軸７と
角度−π／８および＋π／８をなすように加工し、ガイ
ド溝１９，１９' へその底辺２２が底面２０と平行に接
触するように挿入することで、容易に（１）式を満たす
ように配置することができた。
【００５２】図５に示す４種類のタイプＸＶII〜ＸＸで
は、非相反偏光面回転子３として、ガドリニウムガリウ
ムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピタキシャル
成長法とイオンビームエッチングで作製したＬａX Ｙ
3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本並列に並
んだ導波路型回転子を用いた。導波路型の非相反偏光面
回転子３の長さは２．８５ｍｍとし、偏光面回転角はπ
／４とした。図６に示す４種類のタイプＸＸＩ〜ＸＸＩ
Ｖでは、非相反偏光面回転子３' としてカチオン置換ガ
ドリニウムガリウムガーネット基板の上に液相エピタキ
シャル成長法で作製したＢｉX Ｙ3-X Ｆｅ5 Ｏ12厚膜か
らなるバルク型回転子を用いた。バルク型の非相反偏光
面回転子３' の厚さは０．４ｍｍとし、偏光面回転角は
π／４とした。なお、導波路型およびバルク型ともに非
相反偏光面回転子には磁気光学効果を引き起こすため磁
場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加した。更に、非相反偏
光面回転子３および３' の端面には端面での反射を防止
するために石英系ガラスの屈折率に対する反射防止コー
トを施した。分離合成部位１８および１８' と非相反偏
光面回転子３および３' は石英系ガラスと屈折率を整合
させたＵＶ硬化型の接着剤により接続固定した。分離合
成部位１８および１８' と非相反偏光面回転子３および
３' の接続面は光ファイバカプラ１７の導波路に対して
垂直とした。
は、非相反偏光面回転子３として、ガドリニウムガリウ
ムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピタキシャル
成長法とイオンビームエッチングで作製したＬａX Ｙ
3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本並列に並
んだ導波路型回転子を用いた。導波路型の非相反偏光面
回転子３の長さは２．８５ｍｍとし、偏光面回転角はπ
／４とした。図６に示す４種類のタイプＸＸＩ〜ＸＸＩ
Ｖでは、非相反偏光面回転子３' としてカチオン置換ガ
ドリニウムガリウムガーネット基板の上に液相エピタキ
シャル成長法で作製したＢｉX Ｙ3-X Ｆｅ5 Ｏ12厚膜か
らなるバルク型回転子を用いた。バルク型の非相反偏光
面回転子３' の厚さは０．４ｍｍとし、偏光面回転角は
π／４とした。なお、導波路型およびバルク型ともに非
相反偏光面回転子には磁気光学効果を引き起こすため磁
場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加した。更に、非相反偏
光面回転子３および３' の端面には端面での反射を防止
するために石英系ガラスの屈折率に対する反射防止コー
トを施した。分離合成部位１８および１８' と非相反偏
光面回転子３および３' は石英系ガラスと屈折率を整合
させたＵＶ硬化型の接着剤により接続固定した。分離合
成部位１８および１８' と非相反偏光面回転子３および
３' の接続面は光ファイバカプラ１７の導波路に対して
垂直とした。
【００５３】本実施形態５のタイプＸＶII〜ＸＸＩＶの
８種類の干渉型光サーキュレータの４つのポート１〜４
に光ファイバを接続した。なお、分離合成部位１８およ
び１８' と光ファイバの接続面は、端面での反射を防止
するために導波路に対して垂直から８度傾くように設定
した。各々のポートから光を入射したところ、ポート１
から入力した光はポートと２へ、ポート２から入射した
光はポート３へ、ポート３から入射した光はポート４
へ、ポート４から入射した光はポート１へ出射し、光サ
ーキュレータとして動作することが確認された。また、
それぞれのポートにおける逆方向に光を入射した際のア
イソレーションの値は２２ｄＢ程度の値を示した。各ポ
ートの反射減衰量は３０ｄＢ程度であった。
８種類の干渉型光サーキュレータの４つのポート１〜４
に光ファイバを接続した。なお、分離合成部位１８およ
び１８' と光ファイバの接続面は、端面での反射を防止
するために導波路に対して垂直から８度傾くように設定
した。各々のポートから光を入射したところ、ポート１
から入力した光はポートと２へ、ポート２から入射した
光はポート３へ、ポート３から入射した光はポート４
へ、ポート４から入射した光はポート１へ出射し、光サ
ーキュレータとして動作することが確認された。また、
それぞれのポートにおける逆方向に光を入射した際のア
イソレーションの値は２２ｄＢ程度の値を示した。各ポ
ートの反射減衰量は３０ｄＢ程度であった。
【００５４】表５は本実施形態５の干渉型光サーキュレ
ータと従来例の分離合成部位１''および１''' としてシ
ングルモード石英系光ファイバからなる３ｄＢ光ファイ
バカプラを用いた図１９に示したタイプIII およびIII'
の従来の干渉型光サーキュレータを１００個作製した際
の１個あたりの作製コストを比較したものである。な
お、作製コストは図１９（ｂ）に示したタイプIII'の従
来の干渉型光サーキュレータにおいて分離合成部位１''
および１''' としてシングルモード石英系光ファイバか
らなる３ｄＢ光ファイバカプラを用いた場合の作製コス
トを１００とした相対値である。表からわかるように本
実施形態の作製コストは、従来の作製方法の作製コスト
に比べ、相反偏光面回転子２および２' の配置に要する
コスト削減により、３割以上安くなることが確認され
た。
ータと従来例の分離合成部位１''および１''' としてシ
ングルモード石英系光ファイバからなる３ｄＢ光ファイ
バカプラを用いた図１９に示したタイプIII およびIII'
の従来の干渉型光サーキュレータを１００個作製した際
の１個あたりの作製コストを比較したものである。な
お、作製コストは図１９（ｂ）に示したタイプIII'の従
来の干渉型光サーキュレータにおいて分離合成部位１''
および１''' としてシングルモード石英系光ファイバか
らなる３ｄＢ光ファイバカプラを用いた場合の作製コス
トを１００とした相対値である。表からわかるように本
実施形態の作製コストは、従来の作製方法の作製コスト
に比べ、相反偏光面回転子２および２' の配置に要する
コスト削減により、３割以上安くなることが確認され
た。
【００５５】
【表５】 なお、本実施形態では分離合成部位１８および１８' の
光ファイバカプラ１７として石英系ガラスでできた光フ
ァイバカプラを用いたが、多成分系ガラス、プラスチッ
ク等の他の材料でできた光ファイバカプラを用いても、
本発明の作製コストが安くなる効果を得られることが確
認された。また本実施形態では分離合成部位１８および
１８' の光ファイバカプラ１７の架台２１としてＳｉ基
板を用いたが、Ｓｉ基板の代わりに他の結晶板、ガラス
基板等のガラス板、ジルコニア等のセラミック板、アル
ミ等の金属板、アクリル等の高分子材料板等を用いても
本発明の作製コストが安くなる効果を得られることが確
認された。
光ファイバカプラ１７として石英系ガラスでできた光フ
ァイバカプラを用いたが、多成分系ガラス、プラスチッ
ク等の他の材料でできた光ファイバカプラを用いても、
本発明の作製コストが安くなる効果を得られることが確
認された。また本実施形態では分離合成部位１８および
１８' の光ファイバカプラ１７の架台２１としてＳｉ基
板を用いたが、Ｓｉ基板の代わりに他の結晶板、ガラス
基板等のガラス板、ジルコニア等のセラミック板、アル
ミ等の金属板、アクリル等の高分子材料板等を用いても
本発明の作製コストが安くなる効果を得られることが確
認された。
【００５６】（実施形態６）本実施形態６について、図
５および図６に示すタイプＸＶII〜ＸＸＩＶの８種類の
干渉型光サーキュレータを参照して説明する。本実施形
態では作製する干渉型光サーキュレータの動作波長は
１．５５μｍに設定した。分離合成部位１８および１
８' として石英ガラス基板の上にシングルモード分散シ
フト石英系光ファイバからなる３ｄＢ光ファイバカプラ
１７を張り付けたものを用いた。石英系光ファイバの導
波光のフィールド径２ωは８μｍとした。ガイド溝１９
および１９' は、ダイシングソーを用いて形成した。ガ
イド溝１９および１９' の幅および深さは２８μｍおよ
び１００μｍとした、相反偏光面回転子２および２' と
しては、ポリイミド薄膜を熱延伸することにより複屈折
性をもたせた半波長板を用いた。相反偏光面回転子２お
よび２' の厚さは１４μｍとした。相反偏光面回転子２
および２' のデバイスへの組み込みにおいては、図１９
に示したタイプIII およびIII'の従来の干渉型光サーキ
ュレータに比べて、その底辺２２をｓｌｏｗ軸７と角度
＋π／８および−π／８をなすように加工し、ガイド溝
１９，１９' へその底辺２２が底面２０と平行に接触す
るように挿入することで、容易に（１）式を満たすよう
に配置することができた。図５に示すタイプＸＶII〜Ｘ
Ｘの４種類では、非相反偏光面回転子３としてガドリニ
ウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピ
タキシャル成長法とイオンビームエッチングで作製した
ＬａX Ｙ3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本
並列に並んだ導波路型回転子を用いた。導波路型の非相
反偏光面回転子３の長さは２．９５ｍｍとし、偏光面回
転角はπ／４とした。図６に示すタイプＸＸＩ〜ＸＸＩ
Ｖの４種類では、非相反偏光面回転子３' としてカチオ
ン置換ガドリニウムガリウムガーネット基板の上に液相
エピタキシャル成長法で作製したＢｉX Ｙ3-X Ｆｅ5 Ｏ
12厚膜からなるバルク型回転子を用いた。バルク型の非
相反偏光面回転子３' の厚さは０．５ｍｍとし、偏光面
回転角はπ／４とした。なお、導波路型およびバルク型
ともに非相反偏光面回転子には磁気光学効果を引き起こ
すため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加した。更に、
非相反偏光面回転子３および３' の端面には端面での反
射を防止するために石英系ガラスの屈折率に対する反射
防止コートを施した。分離合成部位１８および１８' と
非相反偏光面回転子３および３' は石英系ガラスと屈折
率を整合させたＵＶ硬化型の接着剤により接続固定し
た。なお、分離合成部位１８および１８' と非相反偏光
面回転子３および３' の接続面は、タイプＸＩＸ，Ｘ
Ｘ，ＸＸIII およびＸＸＩＶにおいては光ファイバカプ
ラ１７の導波路に対して垂直とし、タイプＸＶII，ＸＶ
III ，ＸＸＩおよびＸＸIIにおいては、端面での反射を
防止するために光ファイバカプラ１７の導波路に対して
垂直から８度傾くように設定した。
５および図６に示すタイプＸＶII〜ＸＸＩＶの８種類の
干渉型光サーキュレータを参照して説明する。本実施形
態では作製する干渉型光サーキュレータの動作波長は
１．５５μｍに設定した。分離合成部位１８および１
８' として石英ガラス基板の上にシングルモード分散シ
フト石英系光ファイバからなる３ｄＢ光ファイバカプラ
１７を張り付けたものを用いた。石英系光ファイバの導
波光のフィールド径２ωは８μｍとした。ガイド溝１９
および１９' は、ダイシングソーを用いて形成した。ガ
イド溝１９および１９' の幅および深さは２８μｍおよ
び１００μｍとした、相反偏光面回転子２および２' と
しては、ポリイミド薄膜を熱延伸することにより複屈折
性をもたせた半波長板を用いた。相反偏光面回転子２お
よび２' の厚さは１４μｍとした。相反偏光面回転子２
および２' のデバイスへの組み込みにおいては、図１９
に示したタイプIII およびIII'の従来の干渉型光サーキ
ュレータに比べて、その底辺２２をｓｌｏｗ軸７と角度
＋π／８および−π／８をなすように加工し、ガイド溝
１９，１９' へその底辺２２が底面２０と平行に接触す
るように挿入することで、容易に（１）式を満たすよう
に配置することができた。図５に示すタイプＸＶII〜Ｘ
Ｘの４種類では、非相反偏光面回転子３としてガドリニ
ウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピ
タキシャル成長法とイオンビームエッチングで作製した
ＬａX Ｙ3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本
並列に並んだ導波路型回転子を用いた。導波路型の非相
反偏光面回転子３の長さは２．９５ｍｍとし、偏光面回
転角はπ／４とした。図６に示すタイプＸＸＩ〜ＸＸＩ
Ｖの４種類では、非相反偏光面回転子３' としてカチオ
ン置換ガドリニウムガリウムガーネット基板の上に液相
エピタキシャル成長法で作製したＢｉX Ｙ3-X Ｆｅ5 Ｏ
12厚膜からなるバルク型回転子を用いた。バルク型の非
相反偏光面回転子３' の厚さは０．５ｍｍとし、偏光面
回転角はπ／４とした。なお、導波路型およびバルク型
ともに非相反偏光面回転子には磁気光学効果を引き起こ
すため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加した。更に、
非相反偏光面回転子３および３' の端面には端面での反
射を防止するために石英系ガラスの屈折率に対する反射
防止コートを施した。分離合成部位１８および１８' と
非相反偏光面回転子３および３' は石英系ガラスと屈折
率を整合させたＵＶ硬化型の接着剤により接続固定し
た。なお、分離合成部位１８および１８' と非相反偏光
面回転子３および３' の接続面は、タイプＸＩＸ，Ｘ
Ｘ，ＸＸIII およびＸＸＩＶにおいては光ファイバカプ
ラ１７の導波路に対して垂直とし、タイプＸＶII，ＸＶ
III ，ＸＸＩおよびＸＸIIにおいては、端面での反射を
防止するために光ファイバカプラ１７の導波路に対して
垂直から８度傾くように設定した。
【００５７】本実施形態６のＸＶII〜ＸＸＩＶの干渉型
光サーキュレータの４つのポート１〜４に光ファイバを
接続した。なお、分離合成部位１８および１８' と光フ
ァイバの接続面は、端面での反射を防止するために導波
路に対して垂直から８度傾くように設定した。各々のポ
ートから光を入射したところ、ポート１から入射した光
はポート２へ、ポート２から入射した光はポート３へ、
ポート３から入射した光はポート４へ、ポート４から入
射した光はポート１へ出射し、光サーキュレータとして
動作することが確認された。またそれぞれのポートにお
ける逆方向に光を入射した際のアイソレーションの値は
２２ｄＢ程度の値を示した。各ポートの反射減衰量は、
タイプＸＩＸ，ＸＸ，ＸＸIII およびＸＸＩＶで３０ｄ
Ｂ程度、タイプＸＶII，ＸＶIII ，ＸＸＩおよびＸＸII
で分離合成部位１８および１８'と非相反偏光面回転子
３および３' の接続面を傾けたことにより４０ｄＢ以上
の高い値を示した。
光サーキュレータの４つのポート１〜４に光ファイバを
接続した。なお、分離合成部位１８および１８' と光フ
ァイバの接続面は、端面での反射を防止するために導波
路に対して垂直から８度傾くように設定した。各々のポ
ートから光を入射したところ、ポート１から入射した光
はポート２へ、ポート２から入射した光はポート３へ、
ポート３から入射した光はポート４へ、ポート４から入
射した光はポート１へ出射し、光サーキュレータとして
動作することが確認された。またそれぞれのポートにお
ける逆方向に光を入射した際のアイソレーションの値は
２２ｄＢ程度の値を示した。各ポートの反射減衰量は、
タイプＸＩＸ，ＸＸ，ＸＸIII およびＸＸＩＶで３０ｄ
Ｂ程度、タイプＸＶII，ＸＶIII ，ＸＸＩおよびＸＸII
で分離合成部位１８および１８'と非相反偏光面回転子
３および３' の接続面を傾けたことにより４０ｄＢ以上
の高い値を示した。
【００５８】表６は本実施形態６の干渉型光サーキュレ
ータと従来例の分離合成部位１''および１''' としてシ
ングルモード石英系光ファイバからなる３ｄＢ光ファイ
バカプラを用いた図１９に示したタイプIII およびIII'
の従来の干渉型光サーキュレータを１００個作製した際
の１個あたりの作製コストを比較したものである。な
お、作製コストは実施形態５における図１９（ｂ）に示
したタイプIII'の従来の干渉型光サーキュレータの従来
例の作製コストを１００とした相対値である。表からわ
かるように本実施形態の作製コストは、従来の作製方法
の作製コストに比べて、相反偏光面回転子２および２'
の配置に要するコスト削減により、３割以上安くなるこ
とが確認された。
ータと従来例の分離合成部位１''および１''' としてシ
ングルモード石英系光ファイバからなる３ｄＢ光ファイ
バカプラを用いた図１９に示したタイプIII およびIII'
の従来の干渉型光サーキュレータを１００個作製した際
の１個あたりの作製コストを比較したものである。な
お、作製コストは実施形態５における図１９（ｂ）に示
したタイプIII'の従来の干渉型光サーキュレータの従来
例の作製コストを１００とした相対値である。表からわ
かるように本実施形態の作製コストは、従来の作製方法
の作製コストに比べて、相反偏光面回転子２および２'
の配置に要するコスト削減により、３割以上安くなるこ
とが確認された。
【００５９】
【表６】 なお、本実施形態６では分離合成部位１８および１８'
の光ファイバカプラとして石英系ガラスでできた光ファ
イバカプラを用いたが、多成分系ガラス、プラスチック
等の他の材料でできた光ファイバカプラを用いても、本
発明の作製コストが安くなる効果を得られることが確認
された。また本実施形態６では分離合成部位１８および
１８' の光ファイバカプラ１７の架台２１として石英ガ
ラス基板を用いたが、石英ガラス基板の代わりに他のガ
ラス板、Ｓｉ基板等の結晶板、ジルコニア等のセラミッ
ク板、アルミ等の金属板、アクリル等の高分子材料板等
を用いても本発明の作製コストが安くなる効果を得られ
ることが確認された。
の光ファイバカプラとして石英系ガラスでできた光ファ
イバカプラを用いたが、多成分系ガラス、プラスチック
等の他の材料でできた光ファイバカプラを用いても、本
発明の作製コストが安くなる効果を得られることが確認
された。また本実施形態６では分離合成部位１８および
１８' の光ファイバカプラ１７の架台２１として石英ガ
ラス基板を用いたが、石英ガラス基板の代わりに他のガ
ラス板、Ｓｉ基板等の結晶板、ジルコニア等のセラミッ
ク板、アルミ等の金属板、アクリル等の高分子材料板等
を用いても本発明の作製コストが安くなる効果を得られ
ることが確認された。
【００６０】（実施形態７）図７は、本発明の実施形態
７に係るタイプＸＸＶ〜ＸＸＶIII の４種類の光非相反
回路である干渉型光サーキュレータの構成を示す図であ
る。本実施形態７は分離合成部位として相反偏光面回転
子２，２' の設置のためのガイド溝１４，１４' を設け
た平面光波回路からなる分離合成部位１３，１３' を用
いたものである。図７に示す各符号は上述した各実施形
態のものと同じである。また、図１６は本実施形態の干
渉型光サーキュレータのＣ−Ｄ部の断面図である。
７に係るタイプＸＸＶ〜ＸＸＶIII の４種類の光非相反
回路である干渉型光サーキュレータの構成を示す図であ
る。本実施形態７は分離合成部位として相反偏光面回転
子２，２' の設置のためのガイド溝１４，１４' を設け
た平面光波回路からなる分離合成部位１３，１３' を用
いたものである。図７に示す各符号は上述した各実施形
態のものと同じである。また、図１６は本実施形態の干
渉型光サーキュレータのＣ−Ｄ部の断面図である。
【００６１】本実施形態７において、作製する干渉型光
サーキュレータの動作波長は１．５５μｍに設定した。
分離合成部位１３および１３' としてＳｉ基板の上に火
炎堆積法と反応性イオンエッチングにより作製した石英
系ガラス埋込み型導波路からなる平面光波回路を用い
た。分離合成部位１３および１３' の３ｄＢ分岐回路と
しては１段の方向性結合器を用いた。石英系ガラス埋込
み型導波路の導波光のフィールド径２ωは１０．５μｍ
とした。ガイド溝１４および１４' は、ダイシングソー
を用いて形成した。ガイド溝１４および１４' の幅およ
び深さは２７μｍおよび１００μｍとした。相反偏光面
回転子２および２' としては、ポリイミド薄膜を熱延伸
することにより複屈折性をもたせた半波長板を用いた。
相反偏光面回転子２および２' の厚さは１６μｍとし
た。相反偏光面回転子２および２' のデバイスへの組み
込みにおいては、図２０（ａ）に示したタイプＩＶの従
来の干渉型光サーキュレータに比べて、その底辺２２を
ｓｌｏｗ軸７と角度＋π／８および−π／８をなすよう
に加工し、ガイド溝１４，１４' へその底辺２２が底面
１６と平行に接触するように挿入することで、容易に
（１）式を満たすように配置することができた。
サーキュレータの動作波長は１．５５μｍに設定した。
分離合成部位１３および１３' としてＳｉ基板の上に火
炎堆積法と反応性イオンエッチングにより作製した石英
系ガラス埋込み型導波路からなる平面光波回路を用い
た。分離合成部位１３および１３' の３ｄＢ分岐回路と
しては１段の方向性結合器を用いた。石英系ガラス埋込
み型導波路の導波光のフィールド径２ωは１０．５μｍ
とした。ガイド溝１４および１４' は、ダイシングソー
を用いて形成した。ガイド溝１４および１４' の幅およ
び深さは２７μｍおよび１００μｍとした。相反偏光面
回転子２および２' としては、ポリイミド薄膜を熱延伸
することにより複屈折性をもたせた半波長板を用いた。
相反偏光面回転子２および２' の厚さは１６μｍとし
た。相反偏光面回転子２および２' のデバイスへの組み
込みにおいては、図２０（ａ）に示したタイプＩＶの従
来の干渉型光サーキュレータに比べて、その底辺２２を
ｓｌｏｗ軸７と角度＋π／８および−π／８をなすよう
に加工し、ガイド溝１４，１４' へその底辺２２が底面
１６と平行に接触するように挿入することで、容易に
（１）式を満たすように配置することができた。
【００６２】非相反偏光面回転子３' としてはカチオン
置換ガドリニウムガリウムガーネット基板の上に液相エ
ピタキシャル成長法で作製したＢｉX Ｙ3-X Ｆｅ5 Ｏ12
膜厚からなるバルク型回転子を用いた。バルク型の非相
反偏光面回転子３' の厚さは０．６ｍｍとし、偏光面回
転角はπ／４とした。なお、非相反偏光面回転子３'に
は磁気光学効果を引き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁
石により印加した。更に、非相反偏光面回転子３' の端
面には端面での反射を防止するために石英系ガラスの屈
折率に対する反射防止コートを施した。分離合成部位１
３および１３'と非相反偏光面回転子３' は石英系ガラ
スと屈折率を整合させたＵＶ硬化型の接着剤により接続
固定した。この際、接続面に隙間１２および１２' が存
在する図２０（ａ）に示したタイプＩＶの従来の干渉型
光サーキュレータと異なり、十分な接続強度がとれるた
め、接着面が剥がれるなどの障害の発生は抑制され作製
歩留まりが向上した。なお、分離合成部位１３および１
３' と非相反偏光面回転子３' の接続面は導波路に対し
て実施形態ＸＸＶIIおよびＸＸＶIII で垂直とし、実施
形態ＸＸＶおよびＸＸＶＩで垂直または端面での反射を
防止するために分離合成部位１３および１３' の導波路
に対して垂直から８度傾くように設定した。
置換ガドリニウムガリウムガーネット基板の上に液相エ
ピタキシャル成長法で作製したＢｉX Ｙ3-X Ｆｅ5 Ｏ12
膜厚からなるバルク型回転子を用いた。バルク型の非相
反偏光面回転子３' の厚さは０．６ｍｍとし、偏光面回
転角はπ／４とした。なお、非相反偏光面回転子３'に
は磁気光学効果を引き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁
石により印加した。更に、非相反偏光面回転子３' の端
面には端面での反射を防止するために石英系ガラスの屈
折率に対する反射防止コートを施した。分離合成部位１
３および１３'と非相反偏光面回転子３' は石英系ガラ
スと屈折率を整合させたＵＶ硬化型の接着剤により接続
固定した。この際、接続面に隙間１２および１２' が存
在する図２０（ａ）に示したタイプＩＶの従来の干渉型
光サーキュレータと異なり、十分な接続強度がとれるた
め、接着面が剥がれるなどの障害の発生は抑制され作製
歩留まりが向上した。なお、分離合成部位１３および１
３' と非相反偏光面回転子３' の接続面は導波路に対し
て実施形態ＸＸＶIIおよびＸＸＶIII で垂直とし、実施
形態ＸＸＶおよびＸＸＶＩで垂直または端面での反射を
防止するために分離合成部位１３および１３' の導波路
に対して垂直から８度傾くように設定した。
【００６３】本実施形態７のタイプＸＸＶ〜ＸＸＶIII
の４種類の干渉型光サーキュレータの４つのポート１〜
４に光ファイバを接続した。なお、分離合成部位１３お
よび１３' と光ファイバの接続面は、端面での反射を防
止するために導波路に対して垂直から８度傾くように設
定した。各々のポートから光を入射したところ、ポート
１から入射した光はポート２へ、ポート２から入射した
光はポート３へ、ポート３から入射した光はポート４
へ、ポート４から入射した光はポート１へ出射し、光サ
ーキュレータとして動作することが確認された。またそ
れぞれのポートにおける逆方向に光を入射した際のアイ
ソレーションの値は２１ｄＢ程度の値を示した。各ポー
トの反射減衰量は分離合成部位１３および１３' と非相
反偏光面回転子３の接続面が導波路に対して垂直な場合
で３０ｄＢ程度であり、８度傾けた場合で４５ｄＢ程度
であった。
の４種類の干渉型光サーキュレータの４つのポート１〜
４に光ファイバを接続した。なお、分離合成部位１３お
よび１３' と光ファイバの接続面は、端面での反射を防
止するために導波路に対して垂直から８度傾くように設
定した。各々のポートから光を入射したところ、ポート
１から入射した光はポート２へ、ポート２から入射した
光はポート３へ、ポート３から入射した光はポート４
へ、ポート４から入射した光はポート１へ出射し、光サ
ーキュレータとして動作することが確認された。またそ
れぞれのポートにおける逆方向に光を入射した際のアイ
ソレーションの値は２１ｄＢ程度の値を示した。各ポー
トの反射減衰量は分離合成部位１３および１３' と非相
反偏光面回転子３の接続面が導波路に対して垂直な場合
で３０ｄＢ程度であり、８度傾けた場合で４５ｄＢ程度
であった。
【００６４】表７は本実施形態７の干渉型光サーキュレ
ータと従来例の分離合成部位１および１' として石英系
ガラス導波路からなる平面光波回路を用いた図２０
（ａ）に示したタイプＩＶの従来の干渉型光サーキュレ
ータを１００個作製した際の１個あたりの作製コストを
比較したものである。なお、作製コストは図２０（ａ）
に示したタイプＩＶの従来の干渉型光サーキュレータに
おいて分離合成部位１および１' として石英系ガラス導
波路からなる平面光波回路を用いた場合の作製コストを
１００とした相対値である。表からわかるように本実施
形態７の作製コストは、従来の作製方法の作製コストに
比べて、相反偏光面回転子２および２' の配置に要する
コスト削減と分離合成部位１３および１３' と非相反偏
光面回転子３の接続固定における歩留まり向上により、
６割以上安くなることが確認された。
ータと従来例の分離合成部位１および１' として石英系
ガラス導波路からなる平面光波回路を用いた図２０
（ａ）に示したタイプＩＶの従来の干渉型光サーキュレ
ータを１００個作製した際の１個あたりの作製コストを
比較したものである。なお、作製コストは図２０（ａ）
に示したタイプＩＶの従来の干渉型光サーキュレータに
おいて分離合成部位１および１' として石英系ガラス導
波路からなる平面光波回路を用いた場合の作製コストを
１００とした相対値である。表からわかるように本実施
形態７の作製コストは、従来の作製方法の作製コストに
比べて、相反偏光面回転子２および２' の配置に要する
コスト削減と分離合成部位１３および１３' と非相反偏
光面回転子３の接続固定における歩留まり向上により、
６割以上安くなることが確認された。
【表７】 なお、本実施形態７では分離合成部位１３および１３'
として石英系ガラスでできた導波路からなる平面光波回
路を用いたが、多成分系ガラス、重金属酸化物ガラス
（Ｔａ酸化物、Ｎｂ酸化物等）、シリコンオキシナイト
ライド、カルコゲナイドガラス等の他のガラス材料でで
きた導波路からなる平面光波回路を用いても、本発明の
作製コストが安くなる効果を得られることが確認され
た。また、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＰＬＺＴ，Ｉ
ｎＰ系およびＧａＡｓ系等の半導体材料、ガーネット等
の結晶材料およびＰＭＭＡ、ポリイミド、エポキシ、ポ
リシロキサン、ポリウレタン等の高分子材料でできた導
波路からなる平面光波回路を用いても、本発明の作製コ
ストが安くなる効果を得られることが確認できた。
として石英系ガラスでできた導波路からなる平面光波回
路を用いたが、多成分系ガラス、重金属酸化物ガラス
（Ｔａ酸化物、Ｎｂ酸化物等）、シリコンオキシナイト
ライド、カルコゲナイドガラス等の他のガラス材料でで
きた導波路からなる平面光波回路を用いても、本発明の
作製コストが安くなる効果を得られることが確認され
た。また、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＰＬＺＴ，Ｉ
ｎＰ系およびＧａＡｓ系等の半導体材料、ガーネット等
の結晶材料およびＰＭＭＡ、ポリイミド、エポキシ、ポ
リシロキサン、ポリウレタン等の高分子材料でできた導
波路からなる平面光波回路を用いても、本発明の作製コ
ストが安くなる効果を得られることが確認できた。
【００６５】更に本実施形態では分離合成部位１３およ
び１３' の３ｄＢ分岐回路として、１段の方向性結合器
を用いたが、３ｄＢカプラと同等な機能を示す３ｄＢ分
岐回路であればＸ分岐回路、マッハツエンダ干渉計から
なる回路およびマルチモード干渉器からなる回路等であ
っても本発明の作製コストが安くなる効果を得られるこ
とが確認された。
び１３' の３ｄＢ分岐回路として、１段の方向性結合器
を用いたが、３ｄＢカプラと同等な機能を示す３ｄＢ分
岐回路であればＸ分岐回路、マッハツエンダ干渉計から
なる回路およびマルチモード干渉器からなる回路等であ
っても本発明の作製コストが安くなる効果を得られるこ
とが確認された。
【００６６】（実施形態８）図８および図９は、本発明
の実施形態８に係るタイプＸＸＩＸ〜ＸＸＸＶＩの８種
類の光非相反回路である干渉型光サーキュレータの構成
を示す図である。本実施形態８のうち図８に示す実施形
態は分離合成部位として相反偏光面回転子２，２' の設
置のためのガイド溝１４，１４' を設けた平面光波回路
からなる分離合成部位１３，１３' を用いたものであ
る。また、図９に示す実施形態は分離合成部位として光
ファイバカプラを架台２１の上に固定した構成でかつ相
反偏光面回転子２，２' の設置のためのガイド溝１９，
１９' を設けた分離合成部位１８，１８' を用いたもの
である。なお、図８、図９において、２６はレンズであ
る。
の実施形態８に係るタイプＸＸＩＸ〜ＸＸＸＶＩの８種
類の光非相反回路である干渉型光サーキュレータの構成
を示す図である。本実施形態８のうち図８に示す実施形
態は分離合成部位として相反偏光面回転子２，２' の設
置のためのガイド溝１４，１４' を設けた平面光波回路
からなる分離合成部位１３，１３' を用いたものであ
る。また、図９に示す実施形態は分離合成部位として光
ファイバカプラを架台２１の上に固定した構成でかつ相
反偏光面回転子２，２' の設置のためのガイド溝１９，
１９' を設けた分離合成部位１８，１８' を用いたもの
である。なお、図８、図９において、２６はレンズであ
る。
【００６７】また、本実施形態では、デバイスの組立の
際、図１６、図１７に示すようにガイド溝１４，１４'
および１９，１９' の底面１６，２０を分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' の導波光の進行方向と垂
直な面内に設定されたｘ−ｙ座標８のｘ軸の目印として
使用し、相反偏光面回転子２，２' を配置する。具体的
には半波長板からなる相反偏光面回転子２，２' をその
底辺をｓｌｏｗ軸７と（１）式を満たす関係にある角度
θｓ1 およびθｓ2 をなすように加工し、すなわち相反
偏光面回転子２，２' の底辺２２をｘ−ｙ座標８のｘ軸
と平行となるように加工し、ガイド溝１４，１４' およ
び１９，１９' への底辺２２が底面１６，２０と平行に
接触するように挿入することで配置する。
際、図１６、図１７に示すようにガイド溝１４，１４'
および１９，１９' の底面１６，２０を分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' の導波光の進行方向と垂
直な面内に設定されたｘ−ｙ座標８のｘ軸の目印として
使用し、相反偏光面回転子２，２' を配置する。具体的
には半波長板からなる相反偏光面回転子２，２' をその
底辺をｓｌｏｗ軸７と（１）式を満たす関係にある角度
θｓ1 およびθｓ2 をなすように加工し、すなわち相反
偏光面回転子２，２' の底辺２２をｘ−ｙ座標８のｘ軸
と平行となるように加工し、ガイド溝１４，１４' およ
び１９，１９' への底辺２２が底面１６，２０と平行に
接触するように挿入することで配置する。
【００６８】本実施形態では、デバイスの組立の際のｘ
−ｙ座標８の目印がない従来の干渉型光サーキュレータ
に比べて、相反偏光面回転子２，２' の配置が飛躍的に
容易なため、作製コストが安くなる。
−ｙ座標８の目印がない従来の干渉型光サーキュレータ
に比べて、相反偏光面回転子２，２' の配置が飛躍的に
容易なため、作製コストが安くなる。
【００６９】本実施形態においては、干渉型光サーキュ
レータを構成する２つの分離合成部位を同種類のものと
しているが、相反偏光面回転子２，２' を設置するため
のガイド溝を設けた分離合成部位を使用するかぎり、他
の分離合成部位を使用してもよい。
レータを構成する２つの分離合成部位を同種類のものと
しているが、相反偏光面回転子２，２' を設置するため
のガイド溝を設けた分離合成部位を使用するかぎり、他
の分離合成部位を使用してもよい。
【００７０】本実施形態８においては、作製する干渉型
光サーキュレータの動作波長は１．５５μｍに設定し
た。図８に示したタイプＸＸＩＸ〜ＸＸＸIIの４種類で
は分離合成部位１３および１３' としてＳｉ基板の上に
火炎堆積法と反応性イオンエッチングにより作製した石
英系ガラス埋込み型導波路からなる平面光波回路を用い
た。分離合成部位１３および１３' の３ｄＢ分岐回路と
しては１段の方向性結合器を用いた。石英系ガラス埋込
み型導波路の導波光のフィールド径２ωは８μｍとし
た。また、図９に示したタイプＸＸＸIII 〜ＸＸＸＶＩ
の４種類では分離合成部位１８および１８' としてＳｉ
基板の上にシングルモード分散シフト石英系光ファイバ
からなる３ｄＢ光ファイバカプラ１７を張り付けたもの
を用いた。石英系光ファイバの導波光のフィールド径２
ωは８μｍとした。ガイド溝１４，１４' ，１９および
１９' は、ダイシングソーを用いて形成した。ガイド溝
１４，１４' ，１９および１９' の幅および深さは２７
μｍおよび１００μｍとした。相反偏光面回転子２およ
び２' としては、ポリイミド薄膜を熱延伸することによ
り複屈折性をもたせた半波長板を用いた。相反偏光面回
転子２および２' の厚さは１６μｍとした。相反偏光面
回転子２および２' のデバイスへの組み込みにおいて
は、図２０（ｂ），（ｃ）に示したタイプＶ，ＶＩの従
来の干渉型光サーキュレータに比べて、その底辺２２を
ｓｌｏｗ軸７と角度＋π／８および−π／８をなすよう
に加工し、ガイド溝１４，１４' ，１９および１９' へ
その底辺２２が底面１６または２０と平行に接触するよ
うに挿入することで、容易に（１）式を満たすように配
置することができた。
光サーキュレータの動作波長は１．５５μｍに設定し
た。図８に示したタイプＸＸＩＸ〜ＸＸＸIIの４種類で
は分離合成部位１３および１３' としてＳｉ基板の上に
火炎堆積法と反応性イオンエッチングにより作製した石
英系ガラス埋込み型導波路からなる平面光波回路を用い
た。分離合成部位１３および１３' の３ｄＢ分岐回路と
しては１段の方向性結合器を用いた。石英系ガラス埋込
み型導波路の導波光のフィールド径２ωは８μｍとし
た。また、図９に示したタイプＸＸＸIII 〜ＸＸＸＶＩ
の４種類では分離合成部位１８および１８' としてＳｉ
基板の上にシングルモード分散シフト石英系光ファイバ
からなる３ｄＢ光ファイバカプラ１７を張り付けたもの
を用いた。石英系光ファイバの導波光のフィールド径２
ωは８μｍとした。ガイド溝１４，１４' ，１９および
１９' は、ダイシングソーを用いて形成した。ガイド溝
１４，１４' ，１９および１９' の幅および深さは２７
μｍおよび１００μｍとした。相反偏光面回転子２およ
び２' としては、ポリイミド薄膜を熱延伸することによ
り複屈折性をもたせた半波長板を用いた。相反偏光面回
転子２および２' の厚さは１６μｍとした。相反偏光面
回転子２および２' のデバイスへの組み込みにおいて
は、図２０（ｂ），（ｃ）に示したタイプＶ，ＶＩの従
来の干渉型光サーキュレータに比べて、その底辺２２を
ｓｌｏｗ軸７と角度＋π／８および−π／８をなすよう
に加工し、ガイド溝１４，１４' ，１９および１９' へ
その底辺２２が底面１６または２０と平行に接触するよ
うに挿入することで、容易に（１）式を満たすように配
置することができた。
【００７１】非相反偏光面回転子３' としてはカチオン
置換ガドリニウムガリウムガーネット基板の上に液相エ
ピタキシャル成長法で作製したＢｉX Ｙ3-X Ｆｅ5 Ｏ12
膜厚からなるバルク型回転子を用いた。バルク型の非相
反偏光面回転子３' の厚さは０．５ｍｍとし、偏光面回
転角はπ／４とした。なお、非相反偏光面回転子３'に
は磁気光学効果を引き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁
石により印加した。分離合成部位１３，１３' および１
８，１８' と非相反偏光面回転子３' はレンズ２６を介
して図８および図９に示すような配置で光学的に結合さ
せた。分離合成部位１３，１３' および１８，１８' と
非相反偏光面回転子３' の向かい合った端面は、分離合
成部位１３，１３' および１８，１８' の導波路に対し
てタイプＸＸＸＩ，ＸＸＸII，ＸＸＸＶおよびＸＸＸＶ
Ｉにおいて垂直とし、タイプＸＸＩＸ，ＸＸＸ，ＸＸＸ
III およびＸＸＸＩＶにおいて垂直または端面での反射
を防止するために導波路に対して垂直から８度傾くよう
に設定した。更に非相反偏光面回転子３' 、レンズ２６
および分離合成部位１３，１３' および１８，１８' の
非相反偏光面回転子３' の向かい合った端面には端面で
の反射を防止するために空気の屈折率に対する反射防止
コートを施した。
置換ガドリニウムガリウムガーネット基板の上に液相エ
ピタキシャル成長法で作製したＢｉX Ｙ3-X Ｆｅ5 Ｏ12
膜厚からなるバルク型回転子を用いた。バルク型の非相
反偏光面回転子３' の厚さは０．５ｍｍとし、偏光面回
転角はπ／４とした。なお、非相反偏光面回転子３'に
は磁気光学効果を引き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁
石により印加した。分離合成部位１３，１３' および１
８，１８' と非相反偏光面回転子３' はレンズ２６を介
して図８および図９に示すような配置で光学的に結合さ
せた。分離合成部位１３，１３' および１８，１８' と
非相反偏光面回転子３' の向かい合った端面は、分離合
成部位１３，１３' および１８，１８' の導波路に対し
てタイプＸＸＸＩ，ＸＸＸII，ＸＸＸＶおよびＸＸＸＶ
Ｉにおいて垂直とし、タイプＸＸＩＸ，ＸＸＸ，ＸＸＸ
III およびＸＸＸＩＶにおいて垂直または端面での反射
を防止するために導波路に対して垂直から８度傾くよう
に設定した。更に非相反偏光面回転子３' 、レンズ２６
および分離合成部位１３，１３' および１８，１８' の
非相反偏光面回転子３' の向かい合った端面には端面で
の反射を防止するために空気の屈折率に対する反射防止
コートを施した。
【００７２】本実施形態８のタイプＸＸＩＸ〜ＸＸＸＶ
Ｉの８種類の干渉型光サーキュレータの４つのポート１
〜４に光ファイバを接続した。なお、分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' と光ファイバの接続面
は、端面での反射を防止するために導波路に対して垂直
から８度傾くように設定した。各々のポートから光を入
射したところ、ポート１から入射した光はポート２へ、
ポート２から入射した光はポート３へ、ポート３から入
射した光はポート４へ、ポート４から入射した光はポー
ト１へ出射し、光サーキュレータとして動作することが
確認された。またそれぞれのポートにおける逆方向に光
を入射した際のアイソレーションの値は２１ｄＢ程度の
値を示した。各ポートの反射減衰量は分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' と非相反偏光面回転子
３' の向かう合う端面が導波路に対して垂直な場合で３
１ｄＢ程度であり、８度傾けた場合で４３ｄＢ程度であ
った。
Ｉの８種類の干渉型光サーキュレータの４つのポート１
〜４に光ファイバを接続した。なお、分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' と光ファイバの接続面
は、端面での反射を防止するために導波路に対して垂直
から８度傾くように設定した。各々のポートから光を入
射したところ、ポート１から入射した光はポート２へ、
ポート２から入射した光はポート３へ、ポート３から入
射した光はポート４へ、ポート４から入射した光はポー
ト１へ出射し、光サーキュレータとして動作することが
確認された。またそれぞれのポートにおける逆方向に光
を入射した際のアイソレーションの値は２１ｄＢ程度の
値を示した。各ポートの反射減衰量は分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' と非相反偏光面回転子
３' の向かう合う端面が導波路に対して垂直な場合で３
１ｄＢ程度であり、８度傾けた場合で４３ｄＢ程度であ
った。
【００７３】表８は本実施形態８の干渉型光サーキュレ
ータと従来例の分離合成部位１，１' ，１''および
１''' として石英系ガラス導波路からなる平面光波回路
および石英系ファイバカプラを用いた図２０（ｂ），
（ｃ）のタイプＶ，ＶＩに示した従来の干渉型光サーキ
ュレータを１００個作製した際の１個あたりの作製コス
トを比較したものである。なお作製コストは図２０
（ｂ）に示したタイプＶの従来の干渉型光サーキュレー
タにおいて分離合成部位１および１' として石英系ガラ
ス導波路からなる平面光波回路を用いた場合の作製コス
トを１００とした相対値である。表からわかるように本
実施形態８の作製コストは、従来の作製方法の作製コス
トに比べて、相反偏光面回転子２および２' の配置に要
するコスト削減により、３割程度安くなることが確認さ
れた。
ータと従来例の分離合成部位１，１' ，１''および
１''' として石英系ガラス導波路からなる平面光波回路
および石英系ファイバカプラを用いた図２０（ｂ），
（ｃ）のタイプＶ，ＶＩに示した従来の干渉型光サーキ
ュレータを１００個作製した際の１個あたりの作製コス
トを比較したものである。なお作製コストは図２０
（ｂ）に示したタイプＶの従来の干渉型光サーキュレー
タにおいて分離合成部位１および１' として石英系ガラ
ス導波路からなる平面光波回路を用いた場合の作製コス
トを１００とした相対値である。表からわかるように本
実施形態８の作製コストは、従来の作製方法の作製コス
トに比べて、相反偏光面回転子２および２' の配置に要
するコスト削減により、３割程度安くなることが確認さ
れた。
【００７４】
【表８】 なお、本実施形態８のタイプＸＸＩＸ〜ＸＸＸIIの４種
類のタイプでは分離合成部位１３および１３' として石
英系ガラスでできた導波路からなる平面光波回路を用い
たが、多成分系ガラス、重金属酸化物ガラス（Ｔａ酸化
物、Ｎｂ酸化物等）、シリコンオキシナイトライド、カ
ルコゲナイドガラス等の他のガラス材料でできた導波路
からなる平面光波回路を用いても、本発明の作製コスト
が安くなる効果を得られることが確認された。また、Ｌ
ｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＰＬＺＴ，ＩｎＰ系および
ＧａＡｓ系等の半導体材料、ガーネット等の結晶材料お
よびＰＭＭＡ、ポリイミド、エポキシ、ポリシロキサ
ン、ポリウレタン等の高分子材料でできた導波路からな
る平面光波回路を用いても、本発明の作製コストが安く
なる効果を得られることが確認された。更に分離合成部
位１３および１３' の３ｄＢ分岐回路として、１段の方
向性結合器を用いたが、３ｄＢカプラと同等な機能を示
す３ｄＢ分岐回路であればＸ分岐回路、マッハツエンダ
干渉計からなる回路およびマルチモード干渉器からなる
回路等であっても本発明の作製コストが安くなる効果を
得られることが確認された。
類のタイプでは分離合成部位１３および１３' として石
英系ガラスでできた導波路からなる平面光波回路を用い
たが、多成分系ガラス、重金属酸化物ガラス（Ｔａ酸化
物、Ｎｂ酸化物等）、シリコンオキシナイトライド、カ
ルコゲナイドガラス等の他のガラス材料でできた導波路
からなる平面光波回路を用いても、本発明の作製コスト
が安くなる効果を得られることが確認された。また、Ｌ
ｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＰＬＺＴ，ＩｎＰ系および
ＧａＡｓ系等の半導体材料、ガーネット等の結晶材料お
よびＰＭＭＡ、ポリイミド、エポキシ、ポリシロキサ
ン、ポリウレタン等の高分子材料でできた導波路からな
る平面光波回路を用いても、本発明の作製コストが安く
なる効果を得られることが確認された。更に分離合成部
位１３および１３' の３ｄＢ分岐回路として、１段の方
向性結合器を用いたが、３ｄＢカプラと同等な機能を示
す３ｄＢ分岐回路であればＸ分岐回路、マッハツエンダ
干渉計からなる回路およびマルチモード干渉器からなる
回路等であっても本発明の作製コストが安くなる効果を
得られることが確認された。
【００７５】また、本実施形態８のタイプＸＸＸIII 〜
ＸＸＸＶＩの４種類では分離合成部位１８および１８'
の光ファイバカプラとして石英系ガラスでできた光ファ
イバカプラを用いたが、多成分系ガラス、プラスチック
等の他の材料でできた光ファイバカプラを用いても、本
発明の作製コストが安くなる効果を得られることが確認
された。更に分離合成部位１８および１８' の光ファイ
バカプラ１７の架台２１としてＳｉ基板を用いたが、Ｓ
ｉ基板の代わりに他の結晶板、ガラス基板等のガラス
板、ジルコニア等のセラミック板、アルミ等の金属板、
アクリル等の高分子材料板等を用いても本発明の作製コ
ストが安くなる効果を得られることが確認された。
ＸＸＸＶＩの４種類では分離合成部位１８および１８'
の光ファイバカプラとして石英系ガラスでできた光ファ
イバカプラを用いたが、多成分系ガラス、プラスチック
等の他の材料でできた光ファイバカプラを用いても、本
発明の作製コストが安くなる効果を得られることが確認
された。更に分離合成部位１８および１８' の光ファイ
バカプラ１７の架台２１としてＳｉ基板を用いたが、Ｓ
ｉ基板の代わりに他の結晶板、ガラス基板等のガラス
板、ジルコニア等のセラミック板、アルミ等の金属板、
アクリル等の高分子材料板等を用いても本発明の作製コ
ストが安くなる効果を得られることが確認された。
【００７６】更に本実施形態ではレンズ２６として単レ
ンズを４枚用いたが、２枚のレンズを並列に組み合わせ
たアレイ型複合レンズや複数枚のレンズを直列に組み合
わせた複合レンズ等の他の種類のレンズを用いても本発
明の作製コストが安くなる効果を得られることが確認さ
れた。
ンズを４枚用いたが、２枚のレンズを並列に組み合わせ
たアレイ型複合レンズや複数枚のレンズを直列に組み合
わせた複合レンズ等の他の種類のレンズを用いても本発
明の作製コストが安くなる効果を得られることが確認さ
れた。
【００７７】（実施形態９）図１０および図１１は、本
発明の実施形態９に係るタイプＸＸＸＶII〜ＸＬＩＶの
８種類の光非相反回路である干渉型光サーキュレータの
構成を示す図である。両図において、２６はレンズ、２
８は位相調整用薄膜ヒータであり、その他は上述した各
実施形態のものと同じである。
発明の実施形態９に係るタイプＸＸＸＶII〜ＸＬＩＶの
８種類の光非相反回路である干渉型光サーキュレータの
構成を示す図である。両図において、２６はレンズ、２
８は位相調整用薄膜ヒータであり、その他は上述した各
実施形態のものと同じである。
【００７８】本実施形態９のうち図１０に示す実施形態
および図１１に示すタイプＸＬIII，ＸＬＩＶの実施形
態は分離合成部位として相反偏光面回転子２，２' の設
置のためのガイド溝１４，１４' を設けた平面光波回路
からなる分離合成部位１３，１３' を用いたものであ
る。また、図１１に示すタイプＸＬＩ，ＸＬIIの実施形
態は分離合成部位として光ファイバカプラを架台２１の
上に固定した構成でかつ相反偏光面回転子２，２' の設
置のためのガイド溝１９，１９' を設けた分離合成部位
１８，１８' を用いたものである。
および図１１に示すタイプＸＬIII，ＸＬＩＶの実施形
態は分離合成部位として相反偏光面回転子２，２' の設
置のためのガイド溝１４，１４' を設けた平面光波回路
からなる分離合成部位１３，１３' を用いたものであ
る。また、図１１に示すタイプＸＬＩ，ＸＬIIの実施形
態は分離合成部位として光ファイバカプラを架台２１の
上に固定した構成でかつ相反偏光面回転子２，２' の設
置のためのガイド溝１９，１９' を設けた分離合成部位
１８，１８' を用いたものである。
【００７９】また、本実施形態では、デバイスの組立の
際、図１６、図１７に示すようにガイド溝１４，１４'
および１９，１９' の底面１６，２０を分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' の導波光の進行方向と垂
直な面内に設定されたｘ−ｙ座標８のｘ軸の目印として
使用し、相反偏光面回転子２，２' を配置する。具体的
には半波長板からなる相反偏光面回転子２，２' をその
底辺をｓｌｏｗ軸７と（１）式を満たす関係にある角度
θｓ1 およびθｓ2 をなすように加工し、すなわち相反
偏光面回転子２，２' の底辺２２をｘ−ｙ座標８のｘ軸
と平行となるように加工し、ガイド溝１４，１４' およ
び１９，１９' への底辺２２が底面１６，２０と平行に
接触するように挿入することで配置する。
際、図１６、図１７に示すようにガイド溝１４，１４'
および１９，１９' の底面１６，２０を分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' の導波光の進行方向と垂
直な面内に設定されたｘ−ｙ座標８のｘ軸の目印として
使用し、相反偏光面回転子２，２' を配置する。具体的
には半波長板からなる相反偏光面回転子２，２' をその
底辺をｓｌｏｗ軸７と（１）式を満たす関係にある角度
θｓ1 およびθｓ2 をなすように加工し、すなわち相反
偏光面回転子２，２' の底辺２２をｘ−ｙ座標８のｘ軸
と平行となるように加工し、ガイド溝１４，１４' およ
び１９，１９' への底辺２２が底面１６，２０と平行に
接触するように挿入することで配置する。
【００８０】本実施形態では、デバイスの組立の際のｘ
−ｙ座標８の目印がない従来の干渉型光サーキュレータ
に比べて、相反偏光面回転子２，２' の配置が飛躍的に
容易なため、作製コストが安くなる。
−ｙ座標８の目印がない従来の干渉型光サーキュレータ
に比べて、相反偏光面回転子２，２' の配置が飛躍的に
容易なため、作製コストが安くなる。
【００８１】本実施形態９において、作製する干渉型光
サーキュレータの動作波長は１．５５μｍに設定した。
本実施形態９のタイプＸＸＸＶII〜ＸＬ，ＸＬIII ，Ｘ
ＬＩＶの６種類では分離合成部位１３および１３' とし
てＳｉ基板の上に火炎堆積法と反応性イオンエッチング
により作製した石英系ガラス埋込み型導波路からなる平
面光波回路を用いた。石英系ガラス埋込み型導波路の導
波光のフィールド径２ωは８μｍとした。本実施形態９
のタイプＸＬＩ，ＸＬIIの２種類では分離合成部位１８
および１８' としてＳｉ基板の上にシングルモード分散
シフト石英系光ファイバからなる３ｄＢ光ファイバカプ
ラ１７を張り付けたものを用いた。石英系光ファイバの
導波光のフィールド径２ωは８μｍとした。ガイド溝１
４，１４' ，１９および１９' は、ダイシングソーを用
いて形成した。ガイド溝１４，１４' ，１９および１
９' の幅および深さは２７μｍおよび１００μｍとし
た。本実施形態では、これまでの実施形態とは異なり分
離合成部位１３，１３' および１８，１８' に位相調整
部位２７を、平面光波回路の導波路部または光ファイバ
カプラの光ファイバ部の一部の上にＴａ2 Ｎ膜の薄膜ヒ
ータ２８を図９に示す配置でそれぞれ設置することによ
り設けた。
サーキュレータの動作波長は１．５５μｍに設定した。
本実施形態９のタイプＸＸＸＶII〜ＸＬ，ＸＬIII ，Ｘ
ＬＩＶの６種類では分離合成部位１３および１３' とし
てＳｉ基板の上に火炎堆積法と反応性イオンエッチング
により作製した石英系ガラス埋込み型導波路からなる平
面光波回路を用いた。石英系ガラス埋込み型導波路の導
波光のフィールド径２ωは８μｍとした。本実施形態９
のタイプＸＬＩ，ＸＬIIの２種類では分離合成部位１８
および１８' としてＳｉ基板の上にシングルモード分散
シフト石英系光ファイバからなる３ｄＢ光ファイバカプ
ラ１７を張り付けたものを用いた。石英系光ファイバの
導波光のフィールド径２ωは８μｍとした。ガイド溝１
４，１４' ，１９および１９' は、ダイシングソーを用
いて形成した。ガイド溝１４，１４' ，１９および１
９' の幅および深さは２７μｍおよび１００μｍとし
た。本実施形態では、これまでの実施形態とは異なり分
離合成部位１３，１３' および１８，１８' に位相調整
部位２７を、平面光波回路の導波路部または光ファイバ
カプラの光ファイバ部の一部の上にＴａ2 Ｎ膜の薄膜ヒ
ータ２８を図９に示す配置でそれぞれ設置することによ
り設けた。
【００８２】相反偏光面回転子２および２' としては、
ポリイミド薄膜を熱延伸することにより複屈折性をもた
せた半波長板を用いた。相反偏光面回転子２および２'
の厚さは１６μｍとした。相反偏光面回転子２および
２' のデバイスへの組み込みにおいては、図１８〜図２
０に示したタイプＩ，II，II' ，II''，III ，III'，Ｉ
ＶおよびＶの従来の干渉型光サーキュレータに比べて、
その底辺２２をｓｌｏｗ軸７と角度＋π／８および−π
／８をなすように加工し、ガイド溝１４，１４'，１９
および１９' へその底辺２２が底面１６または２０と平
行に接触するように挿入することで、容易に（１）式を
満たすように配置することができた。
ポリイミド薄膜を熱延伸することにより複屈折性をもた
せた半波長板を用いた。相反偏光面回転子２および２'
の厚さは１６μｍとした。相反偏光面回転子２および
２' のデバイスへの組み込みにおいては、図１８〜図２
０に示したタイプＩ，II，II' ，II''，III ，III'，Ｉ
ＶおよびＶの従来の干渉型光サーキュレータに比べて、
その底辺２２をｓｌｏｗ軸７と角度＋π／８および−π
／８をなすように加工し、ガイド溝１４，１４'，１９
および１９' へその底辺２２が底面１６または２０と平
行に接触するように挿入することで、容易に（１）式を
満たすように配置することができた。
【００８３】非相反偏光面回転子としては、本実施形態
９のタイプＸＸＸＶII〜ＸＬＩではガドリニウムガリウ
ムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピタキシャル
成長法とイオンビームエッチングで作製したＬａX Ｙ
3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本並列に並
んだ導波路型回転子３を用いた。非相反偏光面回転子３
の長さは３．０２ｍｍとし、偏光面回転角はπ／４とし
た。本実施形態９のタイプＸＬII〜ＸＬＩＶでは非相反
偏光面回転子３' としてカチオン置換ガドリニウムガリ
ウムガーネット基板の上に液相エピタキシャル成長法で
作製したＢｉX Ｙ3-X Ｆｅ5 Ｏ12厚膜からなるバルク型
回転子を用いた。バルク型の非相反偏光面回転子３' の
厚さは０．５ｍｍとし、偏光面回転角はπ／４とした。
なお、非相反偏光面回転子３および３' には磁気光学効
果を引き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加
した。
９のタイプＸＸＸＶII〜ＸＬＩではガドリニウムガリウ
ムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピタキシャル
成長法とイオンビームエッチングで作製したＬａX Ｙ
3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本並列に並
んだ導波路型回転子３を用いた。非相反偏光面回転子３
の長さは３．０２ｍｍとし、偏光面回転角はπ／４とし
た。本実施形態９のタイプＸＬII〜ＸＬＩＶでは非相反
偏光面回転子３' としてカチオン置換ガドリニウムガリ
ウムガーネット基板の上に液相エピタキシャル成長法で
作製したＢｉX Ｙ3-X Ｆｅ5 Ｏ12厚膜からなるバルク型
回転子を用いた。バルク型の非相反偏光面回転子３' の
厚さは０．５ｍｍとし、偏光面回転角はπ／４とした。
なお、非相反偏光面回転子３および３' には磁気光学効
果を引き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加
した。
【００８４】本実施形態９のタイプＸＸＸＶII〜ＸＬII
I においては、分離合成部位１３および１３' または１
８および１８' と非相反偏光面回転子３または３' は石
英系ガラスと屈折率を整合させたＵＶ硬化型の接着剤に
より接続固定した。この際、本実施形態９のタイプＸＸ
ＸＶII〜ＸＬ，ＸＬIII においては接続面に隙間１２お
よび１２' が存在する図１８および図２０に示したタイ
プＩ，II，II' ，II''，ＩＶの従来の干渉型光サーキュ
レータと異なり、十分な接続強度がとれるため、接着面
が剥がれるなどの障害の発生は抑制され作製歩留まりが
向上した。なお、非相反偏光面回転子３および３' の端
面には端面での反射を防止するために石英系ガラスの屈
折率に対する反射防止コートを施した。本実施形態９の
タイプＸＬＩＶにおいては分離合成部位１３，１３' と
非相反偏光面回転子３' はレンズ２６を介して図１０お
よび図１１に示すような配置で光学的に結合させた。非
相反偏光面回転子３' 、レンズ２６および分離合成部位
１３，１３' および１８，１８' の非相反偏光面回転子
３' の向かい合った端面には端面での反射を防止するた
めに空気の屈折率に対する反射防止コートを施した。な
お、本実施形態のタイプＸＸＸＶII〜ＸＬＩＶの分離合
成部位１３，１３' および１８，１８' と非相反偏光面
回転子３および３' の向かい合った端面は、分離合成部
位１３，１３' および１８，１８' の導波路に対して、
タイプＸＸＸＶIII ，ＸＬおよびＸＬＩにおいて垂直と
し、タイプＸＸＸＶII，ＸＸＸＩＸ，ＸＬII〜ＸＬＩＶ
において垂直または端面での反射を防止するために導波
路に対して垂直から８度傾くように設定した。
I においては、分離合成部位１３および１３' または１
８および１８' と非相反偏光面回転子３または３' は石
英系ガラスと屈折率を整合させたＵＶ硬化型の接着剤に
より接続固定した。この際、本実施形態９のタイプＸＸ
ＸＶII〜ＸＬ，ＸＬIII においては接続面に隙間１２お
よび１２' が存在する図１８および図２０に示したタイ
プＩ，II，II' ，II''，ＩＶの従来の干渉型光サーキュ
レータと異なり、十分な接続強度がとれるため、接着面
が剥がれるなどの障害の発生は抑制され作製歩留まりが
向上した。なお、非相反偏光面回転子３および３' の端
面には端面での反射を防止するために石英系ガラスの屈
折率に対する反射防止コートを施した。本実施形態９の
タイプＸＬＩＶにおいては分離合成部位１３，１３' と
非相反偏光面回転子３' はレンズ２６を介して図１０お
よび図１１に示すような配置で光学的に結合させた。非
相反偏光面回転子３' 、レンズ２６および分離合成部位
１３，１３' および１８，１８' の非相反偏光面回転子
３' の向かい合った端面には端面での反射を防止するた
めに空気の屈折率に対する反射防止コートを施した。な
お、本実施形態のタイプＸＸＸＶII〜ＸＬＩＶの分離合
成部位１３，１３' および１８，１８' と非相反偏光面
回転子３および３' の向かい合った端面は、分離合成部
位１３，１３' および１８，１８' の導波路に対して、
タイプＸＸＸＶIII ，ＸＬおよびＸＬＩにおいて垂直と
し、タイプＸＸＸＶII，ＸＸＸＩＸ，ＸＬII〜ＸＬＩＶ
において垂直または端面での反射を防止するために導波
路に対して垂直から８度傾くように設定した。
【００８５】本実施形態９のタイプＸＸＸＶII〜ＸＬＩ
Ｖの８種類の干渉型光サーキュレータの４つのポート１
〜４に光ファイバを接続した。なお、分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' と光ファイバの接続面
は、端面での反射を防止するために導波路に対して垂直
から８度傾くように設定した。光ファイバを通して１つ
のポートから光を入射し、他のポートからの出射光をモ
ニタしながら位相調整薄膜ヒータ２８に消光比の値が３
０ｄＢを越えるまで電流を流し調整した。位相調整後、
各々のポートから光を入射したところ、ポート１から入
射した光はポート２へ、ポート２から入射した光はポー
ト３へ、ポート３から入射した光はポート４へ、ポート
４から入射した光はポート１へ出射し、光サーキュレー
タとして動作することが確認された。また、それぞれの
ポートにおける逆方向に光を入射した際のアイソレーシ
ョンの値は３０ｄＢ程度の値を示した。本実施形態のア
イソレーションの値が実施形態１〜８の値よりも７ｄＢ
以上高いのは、位相調整部位２７の効果によるものであ
る。各ポートの反射減衰量は分離合成部位１３，１３'
および１８，１８' と非相反偏光面回転子３，３' の向
かい合う端面が導波路に対して垂直な場合で３１ｄＢ程
度であり、８度傾けた場合で４３ｄＢ程度であった。
Ｖの８種類の干渉型光サーキュレータの４つのポート１
〜４に光ファイバを接続した。なお、分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' と光ファイバの接続面
は、端面での反射を防止するために導波路に対して垂直
から８度傾くように設定した。光ファイバを通して１つ
のポートから光を入射し、他のポートからの出射光をモ
ニタしながら位相調整薄膜ヒータ２８に消光比の値が３
０ｄＢを越えるまで電流を流し調整した。位相調整後、
各々のポートから光を入射したところ、ポート１から入
射した光はポート２へ、ポート２から入射した光はポー
ト３へ、ポート３から入射した光はポート４へ、ポート
４から入射した光はポート１へ出射し、光サーキュレー
タとして動作することが確認された。また、それぞれの
ポートにおける逆方向に光を入射した際のアイソレーシ
ョンの値は３０ｄＢ程度の値を示した。本実施形態のア
イソレーションの値が実施形態１〜８の値よりも７ｄＢ
以上高いのは、位相調整部位２７の効果によるものであ
る。各ポートの反射減衰量は分離合成部位１３，１３'
および１８，１８' と非相反偏光面回転子３，３' の向
かい合う端面が導波路に対して垂直な場合で３１ｄＢ程
度であり、８度傾けた場合で４３ｄＢ程度であった。
【００８６】表９は本実施形態９のタイプＸＸＸＶII〜
ＸＬＩＶの干渉型光サーキュレータと従来例の分離合成
部位１，１' ，１''および１''' として石英系ガラス導
波路からなる平面光波回路および石英系ファイバカプラ
を用いた図１８〜図２０に示したタイプＩ，II，II' ，
II''，III ，III'，ＩＶ，Ｖの従来の干渉型光サーキュ
レータを１００個作製した際の１個あたりの作製コスト
を比較したものである。従来例のタイプＩ，II，II' ，
II''，III ，ＩＩＩ' ，ＩＶおよびＶは、それぞれ本実
施形態９のタイプＸＸＸＶII，ＸＸＸＶIII ，ＸＸＸＩ
Ｘ，ＸＬ，ＸＬＩ，ＸＬII，ＸＬIII およびＸＬＩＶに
対応する従来例である。なお、本実施形態９の各従来例
の干渉型光サーキュレータでは実施形態１〜８の各従来
例とは異なり、対応する実施形態と同じ配置で位相調整
用薄膜ヒータ２８を設置してある。
ＸＬＩＶの干渉型光サーキュレータと従来例の分離合成
部位１，１' ，１''および１''' として石英系ガラス導
波路からなる平面光波回路および石英系ファイバカプラ
を用いた図１８〜図２０に示したタイプＩ，II，II' ，
II''，III ，III'，ＩＶ，Ｖの従来の干渉型光サーキュ
レータを１００個作製した際の１個あたりの作製コスト
を比較したものである。従来例のタイプＩ，II，II' ，
II''，III ，ＩＩＩ' ，ＩＶおよびＶは、それぞれ本実
施形態９のタイプＸＸＸＶII，ＸＸＸＶIII ，ＸＸＸＩ
Ｘ，ＸＬ，ＸＬＩ，ＸＬII，ＸＬIII およびＸＬＩＶに
対応する従来例である。なお、本実施形態９の各従来例
の干渉型光サーキュレータでは実施形態１〜８の各従来
例とは異なり、対応する実施形態と同じ配置で位相調整
用薄膜ヒータ２８を設置してある。
【００８７】
【表９】 表９中の作製コストは、本実施形態９のタイプＸＸＸＶ
II，ＸＸＸＶIII ，ＸＸＸＩＸ，ＸＬは、従来例のタイ
プＩの作製コストを１００とした相対値、本実施形態９
のタイプＸＬＩ，ＸＬIIは従来例のタイプIII'の作製コ
ストを１００とした相対値、本実施形態９のタイプＸＬ
III は従来例のタイプＩＶの作製コストを１００とした
相対値、実施形態ＸＬＩＶは従来例Ｖの作製コストを１
００とした相対値である。表からわかるように本実施形
態の作製コストは、従来の作製方法の作製コストに比べ
て、相反偏光面回転子２および２' の配置に要するコス
ト削減により、また本実施形態のタイプＸＸＸＶII，Ｘ
ＸＸＶIII ，ＸＸＸＩＸ，ＸＬおよびＸＬIII において
は加えて分離合成部位１３および１３' と非相反偏光面
回転子３または３' の接続固定における歩留まり向上に
より、それぞれの従来例より本実施形態のタイプＸＸＸ
ＶII，ＸＸＸＶIII ，ＸＸＸＩＸ，ＸＬおよびＸＬIII
において６割以上、本実施形態のタイプＸＬＩ，ＸＬII
およびＸＬＩＶにおいて３割以上安くなることが確認さ
れた。
II，ＸＸＸＶIII ，ＸＸＸＩＸ，ＸＬは、従来例のタイ
プＩの作製コストを１００とした相対値、本実施形態９
のタイプＸＬＩ，ＸＬIIは従来例のタイプIII'の作製コ
ストを１００とした相対値、本実施形態９のタイプＸＬ
III は従来例のタイプＩＶの作製コストを１００とした
相対値、実施形態ＸＬＩＶは従来例Ｖの作製コストを１
００とした相対値である。表からわかるように本実施形
態の作製コストは、従来の作製方法の作製コストに比べ
て、相反偏光面回転子２および２' の配置に要するコス
ト削減により、また本実施形態のタイプＸＸＸＶII，Ｘ
ＸＸＶIII ，ＸＸＸＩＸ，ＸＬおよびＸＬIII において
は加えて分離合成部位１３および１３' と非相反偏光面
回転子３または３' の接続固定における歩留まり向上に
より、それぞれの従来例より本実施形態のタイプＸＸＸ
ＶII，ＸＸＸＶIII ，ＸＸＸＩＸ，ＸＬおよびＸＬIII
において６割以上、本実施形態のタイプＸＬＩ，ＸＬII
およびＸＬＩＶにおいて３割以上安くなることが確認さ
れた。
【００８８】なお、本実施形態９のタイプＸＸＸＶII〜
ＸＬ，ＸＬIII ，ＸＬＩＶの６種類では分離合成部位１
３および１３' として石英系ガラスでできた導波路から
なる平面光波回路を用いたが、多成分系ガラス、重金属
酸化物ガラス（Ｔａ酸化物、Ｎｂ酸化物等）、シリコン
オキシナイトライド、カルコゲナイドガラス等の他のガ
ラス材料でできた導波路からなる平面光波回路を用いて
も、本発明の作製コストが安くなる効果を得られること
が確認された。また、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，Ｐ
ＬＺＴ，ＩｎＰ系およびＧａＡｓ系等の半導体材料、ガ
ーネット等の結晶材料およびＰＭＭＡ、ポリイミド、エ
ポキシ、ポリシロキサン、ポリウレタン等の高分子材料
でできた導波路からなる平面光波回路を用いても、本発
明の作製コストが安くなる効果を得られることが確認さ
れた。
ＸＬ，ＸＬIII ，ＸＬＩＶの６種類では分離合成部位１
３および１３' として石英系ガラスでできた導波路から
なる平面光波回路を用いたが、多成分系ガラス、重金属
酸化物ガラス（Ｔａ酸化物、Ｎｂ酸化物等）、シリコン
オキシナイトライド、カルコゲナイドガラス等の他のガ
ラス材料でできた導波路からなる平面光波回路を用いて
も、本発明の作製コストが安くなる効果を得られること
が確認された。また、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，Ｐ
ＬＺＴ，ＩｎＰ系およびＧａＡｓ系等の半導体材料、ガ
ーネット等の結晶材料およびＰＭＭＡ、ポリイミド、エ
ポキシ、ポリシロキサン、ポリウレタン等の高分子材料
でできた導波路からなる平面光波回路を用いても、本発
明の作製コストが安くなる効果を得られることが確認さ
れた。
【００８９】また、本実施形態９のタイプＸＬＩ，ＸＬ
IIの２種類では分離合成部位１８および１８' の光ファ
イバカプラとして石英系ガラスでできた光ファイバカプ
ラを用いたが、多成分系ガラス、プラスチック等の他の
材料でできた光ファイバカプラを用いても、本発明の作
製コストが安くなる効果を得られることが確認された。
更に分離合成部位１８および１８' の光ファイバカプラ
１７の架台２１としてＳｉ基板を用いたが、Ｓｉ基板の
代わりに他の結晶板、ガラス基板等のガラス板、ジルコ
ニア等のセラミック板、アルミ等の金属板、アクリル等
の高分子材料板等を用いても本発明の作製コストが安く
なる効果を得られることが確認された。加えて、本実施
形態９のタイプＸＬＩＶではレンズ２６として単レンズ
を４枚用いたが、２枚のレンズを並列に組み合わせたア
レイ型複合レンズや複数枚のレンズを直列に組み合わせ
た複合レンズ等の他の種類のレンズを用いても本発明の
作製コストが安くなる効果を得られることが確認され
た。
IIの２種類では分離合成部位１８および１８' の光ファ
イバカプラとして石英系ガラスでできた光ファイバカプ
ラを用いたが、多成分系ガラス、プラスチック等の他の
材料でできた光ファイバカプラを用いても、本発明の作
製コストが安くなる効果を得られることが確認された。
更に分離合成部位１８および１８' の光ファイバカプラ
１７の架台２１としてＳｉ基板を用いたが、Ｓｉ基板の
代わりに他の結晶板、ガラス基板等のガラス板、ジルコ
ニア等のセラミック板、アルミ等の金属板、アクリル等
の高分子材料板等を用いても本発明の作製コストが安く
なる効果を得られることが確認された。加えて、本実施
形態９のタイプＸＬＩＶではレンズ２６として単レンズ
を４枚用いたが、２枚のレンズを並列に組み合わせたア
レイ型複合レンズや複数枚のレンズを直列に組み合わせ
た複合レンズ等の他の種類のレンズを用いても本発明の
作製コストが安くなる効果を得られることが確認され
た。
【００９０】更に、本実施形態では位相調整用薄膜ヒー
タ２８を分離合成部位１３および１３' と１８および１
８' の図９に示す位置に設置したが、その他の位置に配
置した場合でも本発明の作製コストが安くなる効果を得
られることが確認された。
タ２８を分離合成部位１３および１３' と１８および１
８' の図９に示す位置に設置したが、その他の位置に配
置した場合でも本発明の作製コストが安くなる効果を得
られることが確認された。
【００９１】（実施形態１０）図１２および図１３は、
本発明の実施形態１０に係るタイプＸＬＶ〜ＬIIの８種
類の光非相反回路である干渉型光サーキュレータの構成
を示す図である。両図において、２９は位相調整用のレ
ーザ光線を照射した平面光波回路の光導波路部または光
ファイバカプラの光ファイバ部であり、その他は上述し
た各実施形態のものと同じである。
本発明の実施形態１０に係るタイプＸＬＶ〜ＬIIの８種
類の光非相反回路である干渉型光サーキュレータの構成
を示す図である。両図において、２９は位相調整用のレ
ーザ光線を照射した平面光波回路の光導波路部または光
ファイバカプラの光ファイバ部であり、その他は上述し
た各実施形態のものと同じである。
【００９２】本実施形態１０のうち図１２に示す実施形
態および図１３に示すタイプＬＩ，ＬIIの実施形態は分
離合成部位として相反偏光面回転子２，２' の設置のた
めのガイド溝１４，１４' を設けた平面光波回路からな
る分離合成部位１３，１３'を用いたものである。ま
た、図１３に示すタイプＸＬＩＸ，Ｌの実施形態は分離
合成部位として光ファイバカプラを架台２１の上に固定
した構成でかつ相反偏光面回転子２，２' の設置のため
のガイド溝１９，１９' を設けた分離合成部位１８，１
８' を用いたものである。
態および図１３に示すタイプＬＩ，ＬIIの実施形態は分
離合成部位として相反偏光面回転子２，２' の設置のた
めのガイド溝１４，１４' を設けた平面光波回路からな
る分離合成部位１３，１３'を用いたものである。ま
た、図１３に示すタイプＸＬＩＸ，Ｌの実施形態は分離
合成部位として光ファイバカプラを架台２１の上に固定
した構成でかつ相反偏光面回転子２，２' の設置のため
のガイド溝１９，１９' を設けた分離合成部位１８，１
８' を用いたものである。
【００９３】また、本実施形態では、デバイスの組立の
際、図１６，図１７に示すようにガイド溝１４，１４'
および１９，１９' の底面１６，２０を分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' の導波光の進行方向と垂
直な面内に設定されたｘ−ｙ座標８のｘ軸の目印として
使用し、相反偏光面回転子２，２' を配置する。具体的
には半波長板からなる相反偏光面回転子２，２' をその
底辺をｓｌｏｗ軸７と（１）式を満たす関係にある角度
θｓ1 およびθｓ2 をなすように加工し、すなわち相反
偏光面回転子２，２' の底辺２２をｘ−ｙ座標８のｘ軸
と平行となるように加工し、ガイド溝１４，１４' およ
び１９，１９' への底辺２２が底面１６，２０と平行に
接触するように挿入することで配置する。
際、図１６，図１７に示すようにガイド溝１４，１４'
および１９，１９' の底面１６，２０を分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' の導波光の進行方向と垂
直な面内に設定されたｘ−ｙ座標８のｘ軸の目印として
使用し、相反偏光面回転子２，２' を配置する。具体的
には半波長板からなる相反偏光面回転子２，２' をその
底辺をｓｌｏｗ軸７と（１）式を満たす関係にある角度
θｓ1 およびθｓ2 をなすように加工し、すなわち相反
偏光面回転子２，２' の底辺２２をｘ−ｙ座標８のｘ軸
と平行となるように加工し、ガイド溝１４，１４' およ
び１９，１９' への底辺２２が底面１６，２０と平行に
接触するように挿入することで配置する。
【００９４】本実施形態では、デバイスの組立の際のｘ
−ｙ座標８の目印がない従来の干渉型光サーキュレータ
に比べて、相反偏光面回転子２，２' の配置が飛躍的に
容易なため、作製コストが安くなる。
−ｙ座標８の目印がない従来の干渉型光サーキュレータ
に比べて、相反偏光面回転子２，２' の配置が飛躍的に
容易なため、作製コストが安くなる。
【００９５】本実施形態１０において、作製する干渉型
光サーキュレータの動作波長は１．３μｍに設定した。
本実施形態１０のタイプＸＬＶ〜ＸＬＶIII ，ＬＩ，Ｌ
IIの６種類では分離合成部位１３および１３' としてＳ
ｉ基板の上に火炎堆積法と反応性イオンエッチングによ
り作製したＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 ガラスのコアとＳｉＯ2
−Ｐ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 −ガラスのクラッドで構成される
埋込み型導波路からなる平面光波回路を用いた。埋込み
型導波路の導波光のフィールド径２ωは１０．５μｍと
した。本実施形態のタイプＸＬＩＸ，Ｌの２種類では分
離合成部位１８および１８' として石英ガラス基板の上
にＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 ガラスのコアとＳｉＯ2 −Ｐ2 Ｏ
5 −Ｂ2 Ｏ3 −ガラスのクラッドで構成されるシングル
モード光ファイバからなる３ｄＢ光ファイバカプラ１７
を張り付けたものを用いた。光ファイバの導波光のフィ
ールド径２ωは１０．５μｍとした。ガイド溝１４，１
４' ，１９および１９' は、ダイシングソーを用いて形
成した。ガイド溝１４，１４' ，１９および１９' の幅
および深さは２３μｍおよび１５０μｍとした。本実施
形態では、実施形態１〜８とは異なり分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' に位相調整部位２７を、
平面光波回路の導波路部または光ファイバカプラの光フ
ァイバの一部に位相調整用のレーザ光線を照射する部位
２９を図１２および図１３に示す配置でそれぞれ設置す
ることにより設けた。
光サーキュレータの動作波長は１．３μｍに設定した。
本実施形態１０のタイプＸＬＶ〜ＸＬＶIII ，ＬＩ，Ｌ
IIの６種類では分離合成部位１３および１３' としてＳ
ｉ基板の上に火炎堆積法と反応性イオンエッチングによ
り作製したＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 ガラスのコアとＳｉＯ2
−Ｐ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 −ガラスのクラッドで構成される
埋込み型導波路からなる平面光波回路を用いた。埋込み
型導波路の導波光のフィールド径２ωは１０．５μｍと
した。本実施形態のタイプＸＬＩＸ，Ｌの２種類では分
離合成部位１８および１８' として石英ガラス基板の上
にＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 ガラスのコアとＳｉＯ2 −Ｐ2 Ｏ
5 −Ｂ2 Ｏ3 −ガラスのクラッドで構成されるシングル
モード光ファイバからなる３ｄＢ光ファイバカプラ１７
を張り付けたものを用いた。光ファイバの導波光のフィ
ールド径２ωは１０．５μｍとした。ガイド溝１４，１
４' ，１９および１９' は、ダイシングソーを用いて形
成した。ガイド溝１４，１４' ，１９および１９' の幅
および深さは２３μｍおよび１５０μｍとした。本実施
形態では、実施形態１〜８とは異なり分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' に位相調整部位２７を、
平面光波回路の導波路部または光ファイバカプラの光フ
ァイバの一部に位相調整用のレーザ光線を照射する部位
２９を図１２および図１３に示す配置でそれぞれ設置す
ることにより設けた。
【００９６】相反偏光面回転子２および２' としては、
ポリイミド薄膜を熱延伸することにより複屈折性をもた
せた半波長板を用いた。相反偏光面回転子２および２'
の厚さは１４μｍとした。相反偏光面回転子２および
２' のデバイスへの組み込みにおいては、図１８〜図２
０に示したタイプＩ，II，II' ，II''，III ，III'，Ｉ
ＶおよびＶの従来の干渉型光サーキュレータに比べて、
その底辺２２をｓｌｏｗ軸７と角度＋π／８および−π
／８をなすように加工し、ガイド溝１４，１４'，１９
および１９' へその底辺２２が底面１６または２０と平
行に接触するように挿入することで、容易に（１）式を
満たすように配置することができた。
ポリイミド薄膜を熱延伸することにより複屈折性をもた
せた半波長板を用いた。相反偏光面回転子２および２'
の厚さは１４μｍとした。相反偏光面回転子２および
２' のデバイスへの組み込みにおいては、図１８〜図２
０に示したタイプＩ，II，II' ，II''，III ，III'，Ｉ
ＶおよびＶの従来の干渉型光サーキュレータに比べて、
その底辺２２をｓｌｏｗ軸７と角度＋π／８および−π
／８をなすように加工し、ガイド溝１４，１４'，１９
および１９' へその底辺２２が底面１６または２０と平
行に接触するように挿入することで、容易に（１）式を
満たすように配置することができた。
【００９７】非相反偏光面回転子としては、本実施形態
１０のタイプＸＬＶ〜ＸＬＩＸの５種類ではガドリニウ
ムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピタ
キシャル成長法とイオンビームエッチングで作製したＬ
ａX Ｙ3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本並
列に並んだ導波路型回転子３を用いた。非相反偏光面回
転子３の長さは３．０２ｍｍとし、偏光面回転角はπ／
４とした、タイプＬ〜ＬIIの３種類では非相反偏光面回
転子３' としてカチオン置換ガドリニウムガリウムガー
ネット基板の上に液相エピタキシャル成長法で作製した
ＢｉX Ｙ3-X Ｆｅ5 Ｏ12膜厚からなるバルク型回転子を
用いた。バルク型の非相反偏光面回転子３' の厚さは
０．５ｍｍとし、偏光面回転角はπ／４とした。なお、
非相反偏光面回転子３および３' には磁気光学効果を引
き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加した。
１０のタイプＸＬＶ〜ＸＬＩＸの５種類ではガドリニウ
ムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピタ
キシャル成長法とイオンビームエッチングで作製したＬ
ａX Ｙ3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本並
列に並んだ導波路型回転子３を用いた。非相反偏光面回
転子３の長さは３．０２ｍｍとし、偏光面回転角はπ／
４とした、タイプＬ〜ＬIIの３種類では非相反偏光面回
転子３' としてカチオン置換ガドリニウムガリウムガー
ネット基板の上に液相エピタキシャル成長法で作製した
ＢｉX Ｙ3-X Ｆｅ5 Ｏ12膜厚からなるバルク型回転子を
用いた。バルク型の非相反偏光面回転子３' の厚さは
０．５ｍｍとし、偏光面回転角はπ／４とした。なお、
非相反偏光面回転子３および３' には磁気光学効果を引
き起こすため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加した。
【００９８】本実施形態のタイプＸＬＶ〜ＬＩにおいて
は分離合成部位１３および１３' または１８および１
８' と非相反偏光面回転子３または３' はＳｉＯ2 −Ｔ
ｉＯ2ガラスと屈折率を整合させたＵＶ硬化型の接着剤
により接続固定した。この際、タイプＸＬＶ〜ＸＬＶII
I ，ＬＩにおいては接続面に隙間１２および１２' が存
在する図１８および図２０のタイプＩ，II，II' ，I
I''，ＩＶに示した従来の干渉型光サーキュレータと異
なり、十分な接続強度がとれるため、接着面が剥がれる
などの障害の発生は抑制され作製歩留まりが向上した。
なお、非相反偏光面回転子３および３' の端面には端面
での反射を防止するためにＳｉＯ2 −ＴｉＯ2ガラスの
屈折率に対する反射防止コートを施した。タイプＬIIに
おいては分離合成部位１３，１３' と非相反偏光面回転
子３' はレンズ２６を介して図１０に示すような配置で
光学的に結合させた。非相反偏光面回転子３' 、レンズ
２６および分離合成部位１３，１３' および１８，１
８' の非相反偏光面回転子３' の向かい合った端面には
端面での反射を防止するために空気の屈折率に対する反
射防止コートを施した。なお、タイプＸＬＶ〜ＬIIの分
離合成部位１３，１３' および１８，１８' と非相反偏
光面回転子３および３' の向かい合った端面は、分離合
成部位１３，１３および１８，１８' の導波路に対し
て、タイプＸＬＶＩ，ＸＬＶIII およびＸＬＩＸにおい
てて垂直とし、タイプＸＬＶ，ＸＬ，ＶII，Ｌ〜ＬIIに
おいては垂直または端面での反射を防止するために導波
路に対して垂直から８度傾くように設定した。
は分離合成部位１３および１３' または１８および１
８' と非相反偏光面回転子３または３' はＳｉＯ2 −Ｔ
ｉＯ2ガラスと屈折率を整合させたＵＶ硬化型の接着剤
により接続固定した。この際、タイプＸＬＶ〜ＸＬＶII
I ，ＬＩにおいては接続面に隙間１２および１２' が存
在する図１８および図２０のタイプＩ，II，II' ，I
I''，ＩＶに示した従来の干渉型光サーキュレータと異
なり、十分な接続強度がとれるため、接着面が剥がれる
などの障害の発生は抑制され作製歩留まりが向上した。
なお、非相反偏光面回転子３および３' の端面には端面
での反射を防止するためにＳｉＯ2 −ＴｉＯ2ガラスの
屈折率に対する反射防止コートを施した。タイプＬIIに
おいては分離合成部位１３，１３' と非相反偏光面回転
子３' はレンズ２６を介して図１０に示すような配置で
光学的に結合させた。非相反偏光面回転子３' 、レンズ
２６および分離合成部位１３，１３' および１８，１
８' の非相反偏光面回転子３' の向かい合った端面には
端面での反射を防止するために空気の屈折率に対する反
射防止コートを施した。なお、タイプＸＬＶ〜ＬIIの分
離合成部位１３，１３' および１８，１８' と非相反偏
光面回転子３および３' の向かい合った端面は、分離合
成部位１３，１３および１８，１８' の導波路に対し
て、タイプＸＬＶＩ，ＸＬＶIII およびＸＬＩＸにおい
てて垂直とし、タイプＸＬＶ，ＸＬ，ＶII，Ｌ〜ＬIIに
おいては垂直または端面での反射を防止するために導波
路に対して垂直から８度傾くように設定した。
【００９９】本実施形態１０のタイプＸＬＶ〜ＬIIの８
種類の干渉型光サーキュレータの４つのポート１〜４に
光ファイバを接続した。なお、分離合成部位１３，１
３' および１８，１８' と光ファイバの接続面は、端面
での反射を防止するために導波路に対して垂直から８度
傾くように設定した。光ファイバを通して１つのポート
から光を入射し、他のポートからの出射光をモニタしな
がら位相調整用のレーザ光線を照射する部位２９に消光
比の値が３５ｄＢを越えるまでレーザ光線を照射した調
整した。位相調整後、各々のポートから光を入射したと
ころ、ポート１から入射した光はポート２へ、ポート２
から入射した光はポート３へ、ポート３から入射した光
はポート４へ、ポート４から入射した光はポート１へ出
射し、光サーキュレータとして動作することが確認され
た。またそれぞれのポートにおける逆方向に光を入射し
た際のアイソレーションの値は３５ｄＢ程度の値を示し
た。本実施形態１０のアイソレーションの値が実施形態
１〜８の値よりも１２ｄＢ以上高いのは、位相調整部位
２７の効果によるものである。各ポートの反射減衰量は
分離合成部位１３，１３' および１８，１８' と非相反
偏光面回転子３，３'の向かう合う端面が導波路に対し
て垂直な場合で３２ｄＢ程度であり、８度傾けた場合で
４５ｄＢ程度であった。
種類の干渉型光サーキュレータの４つのポート１〜４に
光ファイバを接続した。なお、分離合成部位１３，１
３' および１８，１８' と光ファイバの接続面は、端面
での反射を防止するために導波路に対して垂直から８度
傾くように設定した。光ファイバを通して１つのポート
から光を入射し、他のポートからの出射光をモニタしな
がら位相調整用のレーザ光線を照射する部位２９に消光
比の値が３５ｄＢを越えるまでレーザ光線を照射した調
整した。位相調整後、各々のポートから光を入射したと
ころ、ポート１から入射した光はポート２へ、ポート２
から入射した光はポート３へ、ポート３から入射した光
はポート４へ、ポート４から入射した光はポート１へ出
射し、光サーキュレータとして動作することが確認され
た。またそれぞれのポートにおける逆方向に光を入射し
た際のアイソレーションの値は３５ｄＢ程度の値を示し
た。本実施形態１０のアイソレーションの値が実施形態
１〜８の値よりも１２ｄＢ以上高いのは、位相調整部位
２７の効果によるものである。各ポートの反射減衰量は
分離合成部位１３，１３' および１８，１８' と非相反
偏光面回転子３，３'の向かう合う端面が導波路に対し
て垂直な場合で３２ｄＢ程度であり、８度傾けた場合で
４５ｄＢ程度であった。
【０１００】表１０は本実施形態１０のタイプＸＬＶ〜
ＬIIの干渉型光サーキュレータと従来例の分離合成部位
１，１' ，１''および１''' として平面光波回路および
光ファイバカプラを用いた図１８〜図２０のタイプＩ，
II，II' ，II''，III ，III'，ＩＶ，Ｖに示した従来の
干渉型光サーキュレータを１００個作製した際の１個あ
たりの作製コストを比較したものである。従来例のタイ
プＩ，II，II' ，II''，III ，III'，ＩＶおよびＶは、
それぞれ本実施形態１０のタイプＸＬＶ，ＸＬＶＩ，Ｘ
ＬＶII，ＸＬＶIII ，ＸＬＩＸ，Ｌ，ＬＩおよびＬIIに
対応する従来例である。なお、本実施形態において各従
来例の干渉型光サーキュレータでは実施形態１〜８の各
従来例とは異なり、対応する実施形態と同じ配置で位相
調整用のレーザ光線を照射した部位２９を設置してあ
る。
ＬIIの干渉型光サーキュレータと従来例の分離合成部位
１，１' ，１''および１''' として平面光波回路および
光ファイバカプラを用いた図１８〜図２０のタイプＩ，
II，II' ，II''，III ，III'，ＩＶ，Ｖに示した従来の
干渉型光サーキュレータを１００個作製した際の１個あ
たりの作製コストを比較したものである。従来例のタイ
プＩ，II，II' ，II''，III ，III'，ＩＶおよびＶは、
それぞれ本実施形態１０のタイプＸＬＶ，ＸＬＶＩ，Ｘ
ＬＶII，ＸＬＶIII ，ＸＬＩＸ，Ｌ，ＬＩおよびＬIIに
対応する従来例である。なお、本実施形態において各従
来例の干渉型光サーキュレータでは実施形態１〜８の各
従来例とは異なり、対応する実施形態と同じ配置で位相
調整用のレーザ光線を照射した部位２９を設置してあ
る。
【０１０１】
【表１０】 表１０中の作製コストは、本実施形態ＸＬＶ，ＸＬＶ
Ｉ，ＸＬＶII，ＸＬＶIII は、実施形態９の従来例Ｉの
作製コストを１００とした相対値、本実施形態１０のタ
イプＸＬＩＸ，Ｌは実施形態９の従来例III'の作製コス
トを１００とした相対値、本実施形態１０のタイプＬＩ
は実施形態９の従来例ＩＶの作製コストを１００とした
相対値、本実施形態１０のタイプＬIIは実施形態９の従
来例Ｖの作製コストを１００とした相対値である。表か
らわかるように本実施形態の作製コストは、従来の作製
方法の作製コストに比べて、相反偏光面回転子２および
２'の配置に要するコスト削減により、また本実施形態
のタイプＸＬＶ，ＸＬＶＩ，ＸＬＶII，ＸＬＶIII およ
びＬＩにおいては加えて分離合成部位１３および１３'
と非相反偏光面回転子３または３' の接続固定における
歩留まり向上により、それぞれの従来例より本実施形態
のタイプＸＬＶ，ＸＬＶＩ，ＸＬＶII，ＸＬＶIII およ
びＬＩにおいて６割以上、タイプＸＬＩＸ，ＬおよびＬ
IIにおいて３割以上安くなることが確認された。
Ｉ，ＸＬＶII，ＸＬＶIII は、実施形態９の従来例Ｉの
作製コストを１００とした相対値、本実施形態１０のタ
イプＸＬＩＸ，Ｌは実施形態９の従来例III'の作製コス
トを１００とした相対値、本実施形態１０のタイプＬＩ
は実施形態９の従来例ＩＶの作製コストを１００とした
相対値、本実施形態１０のタイプＬIIは実施形態９の従
来例Ｖの作製コストを１００とした相対値である。表か
らわかるように本実施形態の作製コストは、従来の作製
方法の作製コストに比べて、相反偏光面回転子２および
２'の配置に要するコスト削減により、また本実施形態
のタイプＸＬＶ，ＸＬＶＩ，ＸＬＶII，ＸＬＶIII およ
びＬＩにおいては加えて分離合成部位１３および１３'
と非相反偏光面回転子３または３' の接続固定における
歩留まり向上により、それぞれの従来例より本実施形態
のタイプＸＬＶ，ＸＬＶＩ，ＸＬＶII，ＸＬＶIII およ
びＬＩにおいて６割以上、タイプＸＬＩＸ，ＬおよびＬ
IIにおいて３割以上安くなることが確認された。
【０１０２】なお、本実施形態１０のタイプＸＬＶ〜Ｘ
ＬＶIII ，ＬＩ，ＬIIの６種類では分離合成部位１３お
よび１３' としてＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 ガラスのコアとＳ
ｉＯ2 −Ｐ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 −ガラスのクラッドで構成
される導波路からなる平面光波回路を用いたが、レーザ
光線を照射して位相調整できるならばＳｉＯ2 −ＧｅＯ
2 等の他の石英系ガラス、多成分系ガラス、重金属酸化
物ガラス（Ｔａ酸化物、Ｎｂ酸化物等）、シリコンオキ
シナイトライド、カルコゲナイドガラス等の他のガラス
材料でできた導波路からなる平面光波回路を用いても、
本発明の作製コストが安くなる効果を得られることが確
認された。また、同じくレーザ光線を照射して位相を調
整できるならば、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＰＬＺ
Ｔ，ＩｎＰ系およびＧａＡｓ系等の半導体材料、ガーネ
ット等の結晶材料およびＰＭＭＡ、ポリイミド、エポキ
シ、ポリシロキサン、ポリウレタン等の高分子材料でで
きた導波路からなる平面光波回路を用いても、本発明の
作製コストが安くなる効果を得られることが確認され
た。
ＬＶIII ，ＬＩ，ＬIIの６種類では分離合成部位１３お
よび１３' としてＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 ガラスのコアとＳ
ｉＯ2 −Ｐ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 −ガラスのクラッドで構成
される導波路からなる平面光波回路を用いたが、レーザ
光線を照射して位相調整できるならばＳｉＯ2 −ＧｅＯ
2 等の他の石英系ガラス、多成分系ガラス、重金属酸化
物ガラス（Ｔａ酸化物、Ｎｂ酸化物等）、シリコンオキ
シナイトライド、カルコゲナイドガラス等の他のガラス
材料でできた導波路からなる平面光波回路を用いても、
本発明の作製コストが安くなる効果を得られることが確
認された。また、同じくレーザ光線を照射して位相を調
整できるならば、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＰＬＺ
Ｔ，ＩｎＰ系およびＧａＡｓ系等の半導体材料、ガーネ
ット等の結晶材料およびＰＭＭＡ、ポリイミド、エポキ
シ、ポリシロキサン、ポリウレタン等の高分子材料でで
きた導波路からなる平面光波回路を用いても、本発明の
作製コストが安くなる効果を得られることが確認され
た。
【０１０３】また、本実施形態１０のタイプＸＬＩＸ，
Ｌの２種類では分離合成部位１８および１８' の光ファ
イバカプラとしてＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 ガラスのコアとＳ
ｉＯ2 −Ｐ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 −ガラスのクラッドで構成
される光ファイバカプラを用いたが、レーザ光線を照射
して位相を調整できるならば、ＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 等の
他の石英系ガラス、多成分系ガラス、プラスチック等の
他の材料でできた光ファイバカプラを用いても、本発明
の作製コストが安くなる効果を得られることが確認され
た。更に分離合成部位１８および１８' の光ファイバカ
プラ１７の架台２１として石英ガラス基板を用いたが、
石英ガラス基板の代わりに他のガラス板、Ｓｉ基板等の
他の結晶板、ジルコニア等のセラミック板、アルミ等の
金属板、アクリル等の高分子材料板等を用いても本発明
の作製コストが安くなる効果を得られることが確認され
た。加えて、タイプＬIIではレンズ２６として単レンズ
を４枚用いたが、２枚のレンズを並列に組み合わせたア
レイ型複合レンズや複数枚のレンズを直列に組み合わせ
た複合レンズ等の他の種類のレンズを用いても本発明の
作製コストが安くなる効果を得られることが確認され
た。
Ｌの２種類では分離合成部位１８および１８' の光ファ
イバカプラとしてＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 ガラスのコアとＳ
ｉＯ2 −Ｐ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 −ガラスのクラッドで構成
される光ファイバカプラを用いたが、レーザ光線を照射
して位相を調整できるならば、ＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 等の
他の石英系ガラス、多成分系ガラス、プラスチック等の
他の材料でできた光ファイバカプラを用いても、本発明
の作製コストが安くなる効果を得られることが確認され
た。更に分離合成部位１８および１８' の光ファイバカ
プラ１７の架台２１として石英ガラス基板を用いたが、
石英ガラス基板の代わりに他のガラス板、Ｓｉ基板等の
他の結晶板、ジルコニア等のセラミック板、アルミ等の
金属板、アクリル等の高分子材料板等を用いても本発明
の作製コストが安くなる効果を得られることが確認され
た。加えて、タイプＬIIではレンズ２６として単レンズ
を４枚用いたが、２枚のレンズを並列に組み合わせたア
レイ型複合レンズや複数枚のレンズを直列に組み合わせ
た複合レンズ等の他の種類のレンズを用いても本発明の
作製コストが安くなる効果を得られることが確認され
た。
【０１０４】更に本実施形態では位相調整用のレーザ光
線を照射する部位２９を分離合成部位１３および１３'
と１８および１８' の図１２および図１３に示す位置に
設置したが、その他の位置に配置した場合でも本発明の
作製コストが安くなる効果を得られることが確認され
た。
線を照射する部位２９を分離合成部位１３および１３'
と１８および１８' の図１２および図１３に示す位置に
設置したが、その他の位置に配置した場合でも本発明の
作製コストが安くなる効果を得られることが確認され
た。
【０１０５】（実施形態１１）図１４および図１５は、
本発明の実施形態１１に係るタイプＬIII 〜ＬＸの８種
類の光非相反回路である干渉型光サーキュレータの構成
を示す図である。両図において、３０は位相調整用高分
子材料、３１は位相調整用高分子材料３０を挿入した溝
であり、その他は上述した各実施形態のものと同じであ
る。
本発明の実施形態１１に係るタイプＬIII 〜ＬＸの８種
類の光非相反回路である干渉型光サーキュレータの構成
を示す図である。両図において、３０は位相調整用高分
子材料、３１は位相調整用高分子材料３０を挿入した溝
であり、その他は上述した各実施形態のものと同じであ
る。
【０１０６】本実施形態１１のうち図１４に示す実施形
態および図１５に示すタイプＬＩＸ，ＬＸの実施形態は
分離合成部位として相反偏光面回転子２，２' の設置の
ためのガイド溝１４，１４' を設けた平面光波回路から
なる分離合成部位１３，１３' を用いたものである。ま
た、図１５に示すタイプＬＶII，ＬＶIII の実施形態は
分離合成部位として光ファイバカプラを架台２１の上に
固定した構成でかつ相反偏光面回転子２，２' の設置の
ためのガイド溝１９，１９' を設けた分離合成部位１
８，１８' を用いたものである。
態および図１５に示すタイプＬＩＸ，ＬＸの実施形態は
分離合成部位として相反偏光面回転子２，２' の設置の
ためのガイド溝１４，１４' を設けた平面光波回路から
なる分離合成部位１３，１３' を用いたものである。ま
た、図１５に示すタイプＬＶII，ＬＶIII の実施形態は
分離合成部位として光ファイバカプラを架台２１の上に
固定した構成でかつ相反偏光面回転子２，２' の設置の
ためのガイド溝１９，１９' を設けた分離合成部位１
８，１８' を用いたものである。
【０１０７】本実施形態１１において、作製する干渉型
光サーキュレータの動作波長は１．３μｍに設定した。
本実施形態１１のタイプＬIII 〜ＬＶＩ，ＬＩＸ，ＬＸ
の６種類では分離合成部位１３および１３' としてＳｉ
基板の上に火炎堆積法と反応性イオンエッチングにより
作製した石英系ガラス埋込み型導波路からなる平面光波
回路を用いた。石英系ガラス埋込み型導波路の導波光の
フィールド径２ωは１０．５μｍとした。タイプＬＶI
I，ＬＶIII の２種類では分離合成部位１８および１８'
としてＳｉ基板の上にシングルモード石英系ガラス光
ファイバからなる３ｄＢ光ファイバカプラ１７を張り付
けたものを用いた。光ファイバの導波光のフィールド径
２ωは１０．５μｍとした。ガイド溝１４，１４' ，１
９および１９' は、ダイシングソーを用いて形成した。
ガイド溝１４，１４' ，１９および１９' の幅および深
さは２３μｍおよび１５０μｍとした。本実施形態１１
では、実施形態１〜８とは異なり分離合成部位１３，１
３' および１８，１８' に位相調整部位２７を、平面光
波回路のコア部または光ファイバカプラのコア部の一部
に位相調整用高分子３０を挿入した溝３１を図１４およ
び図１５に示す配置でそれぞれ設置することにより設け
た。一部の実施形態では溝３１はガイド溝１４，１４'
，１９および１９' と兼用した。
光サーキュレータの動作波長は１．３μｍに設定した。
本実施形態１１のタイプＬIII 〜ＬＶＩ，ＬＩＸ，ＬＸ
の６種類では分離合成部位１３および１３' としてＳｉ
基板の上に火炎堆積法と反応性イオンエッチングにより
作製した石英系ガラス埋込み型導波路からなる平面光波
回路を用いた。石英系ガラス埋込み型導波路の導波光の
フィールド径２ωは１０．５μｍとした。タイプＬＶI
I，ＬＶIII の２種類では分離合成部位１８および１８'
としてＳｉ基板の上にシングルモード石英系ガラス光
ファイバからなる３ｄＢ光ファイバカプラ１７を張り付
けたものを用いた。光ファイバの導波光のフィールド径
２ωは１０．５μｍとした。ガイド溝１４，１４' ，１
９および１９' は、ダイシングソーを用いて形成した。
ガイド溝１４，１４' ，１９および１９' の幅および深
さは２３μｍおよび１５０μｍとした。本実施形態１１
では、実施形態１〜８とは異なり分離合成部位１３，１
３' および１８，１８' に位相調整部位２７を、平面光
波回路のコア部または光ファイバカプラのコア部の一部
に位相調整用高分子３０を挿入した溝３１を図１４およ
び図１５に示す配置でそれぞれ設置することにより設け
た。一部の実施形態では溝３１はガイド溝１４，１４'
，１９および１９' と兼用した。
【０１０８】相反偏光面回転子２および２' としては、
ポリイミド薄膜を熱延伸することにより複屈折性をもた
せた半波長板を用いた。相反偏光面回転子２および２'
の厚さは１５μｍとした。相反偏光面回転子２および
２' のデバイスへの組み込みにおいては、図１８〜図２
０のタイプＩ，II，II' ，II''，III ，III'，ＩＶおよ
びＶに示した従来の干渉型光サーキュレータに比べて、
その底辺２２をｓｌｏｗ軸７と角度＋π／８および−π
／８をなすように加工し、ガイド溝１４，１４'，１９
および１９' へその底辺２２が底面１６または２０と平
行に接触するように挿入することで、容易に（１）式を
満たすように配置することができた。
ポリイミド薄膜を熱延伸することにより複屈折性をもた
せた半波長板を用いた。相反偏光面回転子２および２'
の厚さは１５μｍとした。相反偏光面回転子２および
２' のデバイスへの組み込みにおいては、図１８〜図２
０のタイプＩ，II，II' ，II''，III ，III'，ＩＶおよ
びＶに示した従来の干渉型光サーキュレータに比べて、
その底辺２２をｓｌｏｗ軸７と角度＋π／８および−π
／８をなすように加工し、ガイド溝１４，１４'，１９
および１９' へその底辺２２が底面１６または２０と平
行に接触するように挿入することで、容易に（１）式を
満たすように配置することができた。
【０１０９】非相反偏光面回転子としては、本実施形態
１１のタイプＬIII 〜ＬＶIIではガドリニウムガリウム
ガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピタキシャル成
長法とイオンビームエッチングで作製したＬａX Ｙ3-X
ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本並列に並んだ
導波路型回転子３を用いた。非相反偏光面回転子３の長
さは３．０２ｍｍとし、偏光面回転角はπ／４とした。
タイプＬＶIII 〜ＬＸでは非相反偏光面回転子３' とし
てカチオン置換ガドリニウムガリウムガーネット基板の
上に液相エピタキシャル成長法で作製したＢｉX Ｙ3-X
Ｆｅ5 Ｏ12厚膜からなるバルク型回転子を用いた。バル
ク型の非相反偏光面回転子３' の厚さは０．５ｍｍと
し、偏光面回転角はπ／４とした。なお、非相反偏光面
回転子３および３' には磁気光学効果を引き起こすため
磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加した。
１１のタイプＬIII 〜ＬＶIIではガドリニウムガリウム
ガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピタキシャル成
長法とイオンビームエッチングで作製したＬａX Ｙ3-X
ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12埋込み型導波路が２本並列に並んだ
導波路型回転子３を用いた。非相反偏光面回転子３の長
さは３．０２ｍｍとし、偏光面回転角はπ／４とした。
タイプＬＶIII 〜ＬＸでは非相反偏光面回転子３' とし
てカチオン置換ガドリニウムガリウムガーネット基板の
上に液相エピタキシャル成長法で作製したＢｉX Ｙ3-X
Ｆｅ5 Ｏ12厚膜からなるバルク型回転子を用いた。バル
ク型の非相反偏光面回転子３' の厚さは０．５ｍｍと
し、偏光面回転角はπ／４とした。なお、非相反偏光面
回転子３および３' には磁気光学効果を引き起こすため
磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石により印加した。
【０１１０】本実施形態１１のタイプＬIII 〜ＬＩＸに
おいては分離合成部位１３および１３' または１８およ
び１８' と非相反偏光面回転子３または３' は石英系ガ
ラスと屈折率を整合させたＵＶ硬化型の接着剤により接
続固定した。この際、タイプＬIII 〜ＬＶＩ，ＬＩＸに
おいては接続面に隙間１２および１２' が存在する図１
８および図２０のタイプＩ，II，II' ，II''，ＩＶに示
した従来の干渉型光サーキュレータと異なり、十分な接
続強度がとれるため、接着面が剥がれるなどの障害の発
生は抑制され作製歩留まりが向上した。なお、非相反偏
光面回転子３および３' の端面には端面での反射を防止
するために石英系ガラスの屈折率に対する反射防止コー
トを施した。タイプＬＸにおいては分離合成部位１３，
１３' と非相反偏光面回転子３' はレンズ２６を介して
図１５に示すような位置で光学的に結合させた。非相反
偏光面回転子３' 、レンズ２６および分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' の非相反偏光面回転子
３' の向かい合った端面には端面での反射を防止するた
めに空気の屈折率に対する反射防止コートを施した。な
お、本実施形態１１のタイプＬIII 〜ＬＸの分離合成部
位１３，１３' および１８，１８' と非相反偏光面回転
子３および３' の向かい合った端面は、分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' の導波路に対して、タイ
プＬＩＶ，ＬＶＩおよびＬＶIIにおいては垂直とし、タ
イプＬIII ，ＬＶ，ＬＶIII 〜ＬＸにおいては垂直また
は端面での反射を防止するため導波路に対して垂直から
８度傾くように設定した。
おいては分離合成部位１３および１３' または１８およ
び１８' と非相反偏光面回転子３または３' は石英系ガ
ラスと屈折率を整合させたＵＶ硬化型の接着剤により接
続固定した。この際、タイプＬIII 〜ＬＶＩ，ＬＩＸに
おいては接続面に隙間１２および１２' が存在する図１
８および図２０のタイプＩ，II，II' ，II''，ＩＶに示
した従来の干渉型光サーキュレータと異なり、十分な接
続強度がとれるため、接着面が剥がれるなどの障害の発
生は抑制され作製歩留まりが向上した。なお、非相反偏
光面回転子３および３' の端面には端面での反射を防止
するために石英系ガラスの屈折率に対する反射防止コー
トを施した。タイプＬＸにおいては分離合成部位１３，
１３' と非相反偏光面回転子３' はレンズ２６を介して
図１５に示すような位置で光学的に結合させた。非相反
偏光面回転子３' 、レンズ２６および分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' の非相反偏光面回転子
３' の向かい合った端面には端面での反射を防止するた
めに空気の屈折率に対する反射防止コートを施した。な
お、本実施形態１１のタイプＬIII 〜ＬＸの分離合成部
位１３，１３' および１８，１８' と非相反偏光面回転
子３および３' の向かい合った端面は、分離合成部位１
３，１３' および１８，１８' の導波路に対して、タイ
プＬＩＶ，ＬＶＩおよびＬＶIIにおいては垂直とし、タ
イプＬIII ，ＬＶ，ＬＶIII 〜ＬＸにおいては垂直また
は端面での反射を防止するため導波路に対して垂直から
８度傾くように設定した。
【０１１１】本実施形態のタイプＬIII 〜ＬＸの８種類
の干渉型光サーキュレータの４つのポート１〜４に光フ
ァイバを接続した。なお、分離合成部位１３，１３' お
よび１８，１８' と光ファイバの接続面は、端面での反
射を防止するために導波路に対して垂直から８度傾くよ
うに設定した。光ファイバを通して１つのポートから光
を入射し、他のポートからの出射光をモニタしながら位
相調整用高分子３０に消光比の値が３３ｄＢを越えるま
でＸｅランプ光を照射し調整した。位相調整後、各々の
ポートから光を入射したところ、ポート１から入射した
光はポート２へ、ポート２から入射した光はポート３
へ、ポート３から入射した光はポート４へ、ポート４か
ら入射した光はポート１へ出射し、光サーキュレータと
して動作することが確認された。また、それぞれのポー
トにおける逆方向に光を入射した際のアイソレーション
の値は３３ｄＢ程度の値を示した。本実施形態のアイソ
レーションの値が実施形態１〜８の値よりも１０ｄＢ以
上高いのは、位相調整部位２７の効果によるものであ
る。各ポートの反射減衰量は分離合成部位１３，１３'
および１８，１８' と非相反偏光面回転子３，３' の向
かい合う端面が導波路に対して垂直な場合で３１ｄＢ程
度であり、８度傾けた場合で４１ｄＢ程度であった。
の干渉型光サーキュレータの４つのポート１〜４に光フ
ァイバを接続した。なお、分離合成部位１３，１３' お
よび１８，１８' と光ファイバの接続面は、端面での反
射を防止するために導波路に対して垂直から８度傾くよ
うに設定した。光ファイバを通して１つのポートから光
を入射し、他のポートからの出射光をモニタしながら位
相調整用高分子３０に消光比の値が３３ｄＢを越えるま
でＸｅランプ光を照射し調整した。位相調整後、各々の
ポートから光を入射したところ、ポート１から入射した
光はポート２へ、ポート２から入射した光はポート３
へ、ポート３から入射した光はポート４へ、ポート４か
ら入射した光はポート１へ出射し、光サーキュレータと
して動作することが確認された。また、それぞれのポー
トにおける逆方向に光を入射した際のアイソレーション
の値は３３ｄＢ程度の値を示した。本実施形態のアイソ
レーションの値が実施形態１〜８の値よりも１０ｄＢ以
上高いのは、位相調整部位２７の効果によるものであ
る。各ポートの反射減衰量は分離合成部位１３，１３'
および１８，１８' と非相反偏光面回転子３，３' の向
かい合う端面が導波路に対して垂直な場合で３１ｄＢ程
度であり、８度傾けた場合で４１ｄＢ程度であった。
【０１１２】表１１は本実施形態のタイプＬIII 〜ＬＸ
の干渉型光サーキュレータと従来例の分離合成部位１，
１' ，１''および１''' として石英系ガラス導波路から
なる平面光波回路および石英系ファイバカプラを用いた
図１８〜図２０のタイプＩ，II，II' ，II''，III ，II
I'，ＩＶ，Ｖに示した型の従来の干渉型光サーキュレー
タを１００個作製した際の１個あたりの作製コストを比
較したものである。従来例のタイプＩ，II，II' ，I
I''，III ，III'，ＩＶおよびＶは、それぞれ実施形態
のタイプＬIII ，ＬＩＶ，ＬＶ，ＬＶＩ，ＬＶII，ＬＶ
III ，ＬＩＸおよびＬＸに対応する従来例である。な
お、本実施形態の各従来例の干渉型光サーキュレータで
は実施形態１〜８の各従来例とは異なり、対応する実施
形態と同じ配置で位相調整用高分子３０を挿入した溝３
１を設置してある。
の干渉型光サーキュレータと従来例の分離合成部位１，
１' ，１''および１''' として石英系ガラス導波路から
なる平面光波回路および石英系ファイバカプラを用いた
図１８〜図２０のタイプＩ，II，II' ，II''，III ，II
I'，ＩＶ，Ｖに示した型の従来の干渉型光サーキュレー
タを１００個作製した際の１個あたりの作製コストを比
較したものである。従来例のタイプＩ，II，II' ，I
I''，III ，III'，ＩＶおよびＶは、それぞれ実施形態
のタイプＬIII ，ＬＩＶ，ＬＶ，ＬＶＩ，ＬＶII，ＬＶ
III ，ＬＩＸおよびＬＸに対応する従来例である。な
お、本実施形態の各従来例の干渉型光サーキュレータで
は実施形態１〜８の各従来例とは異なり、対応する実施
形態と同じ配置で位相調整用高分子３０を挿入した溝３
１を設置してある。
【０１１３】
【表１１】 表１１中の作製コストは、タイプＬIII ，ＬＩＶ，Ｌ
Ｖ，ＬＶＩについては、実施形態９の従来例Ｉの作製コ
ストを１００とした相対値、タイプＬＶII，ＬＶIII に
ついては、実施形態９の従来例III'の作製コストを１０
０した相対値、タイプＬＩＸについては実施形態９の従
来例ＩＶの作製コストを１００とした相対値、タイプＬ
Ｘについては実施形態９の従来例Ｖの作製コストを１０
０とした相対値である。表からわかるように本実施形態
の作製コストは、従来の作製方法の作製コストに比べ
て、相反偏光面回転子２および２' の配置に要するコス
ト削減により、またタイプＬIII ，ＬＩＶ，ＬＶ，ＬＶ
ＩおよびＬＩＸにおいては加え分離合成部位１３および
１３' と非相反偏光面回転子３または３' の接続固定に
おける歩留まり向上により、それぞれの従来例よりタイ
プＬIII ，ＬＩＶ，ＬＶ，ＬＶＩおよびＬＩＸにおいて
６割以上、タイプＬＶII，ＬＶIII およびＬＸにおいて
３割以上安くなることが確認された。
Ｖ，ＬＶＩについては、実施形態９の従来例Ｉの作製コ
ストを１００とした相対値、タイプＬＶII，ＬＶIII に
ついては、実施形態９の従来例III'の作製コストを１０
０した相対値、タイプＬＩＸについては実施形態９の従
来例ＩＶの作製コストを１００とした相対値、タイプＬ
Ｘについては実施形態９の従来例Ｖの作製コストを１０
０とした相対値である。表からわかるように本実施形態
の作製コストは、従来の作製方法の作製コストに比べ
て、相反偏光面回転子２および２' の配置に要するコス
ト削減により、またタイプＬIII ，ＬＩＶ，ＬＶ，ＬＶ
ＩおよびＬＩＸにおいては加え分離合成部位１３および
１３' と非相反偏光面回転子３または３' の接続固定に
おける歩留まり向上により、それぞれの従来例よりタイ
プＬIII ，ＬＩＶ，ＬＶ，ＬＶＩおよびＬＩＸにおいて
６割以上、タイプＬＶII，ＬＶIII およびＬＸにおいて
３割以上安くなることが確認された。
【０１１４】なお、本実施形態のタイプＬIII 〜ＬＶ
Ｉ，ＬＩＸ，ＸＬの６種類では分離合成部位１３および
１３' として石英系ガラス導波路からなる平面光波回路
を用いたが、多成分系ガラス、重金属酸化物ガラス（Ｔ
ａ酸化物、Ｎｂ酸化物等）、シリコンオキシナイトライ
ド、カルコゲナイドガラス等の他のガラス材料でできた
導波路からなる平面光波回路を用いても、本発明の作製
コストが安くなる効果を得られることが確認された。ま
た、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＰＬＺＴ，ＩｎＰ系
およびＧａＡｓ系等の半導体材料、ガーネット等の結晶
材料およびＰＭＭＡ，ポリイミド、エポキシ、ポリシロ
キサン、ポリウレタン等の高分子材料でできた導波路か
らなる平面光波回路を用いても、本発明の作製コストが
安くなる効果を得られることが確認された。
Ｉ，ＬＩＸ，ＸＬの６種類では分離合成部位１３および
１３' として石英系ガラス導波路からなる平面光波回路
を用いたが、多成分系ガラス、重金属酸化物ガラス（Ｔ
ａ酸化物、Ｎｂ酸化物等）、シリコンオキシナイトライ
ド、カルコゲナイドガラス等の他のガラス材料でできた
導波路からなる平面光波回路を用いても、本発明の作製
コストが安くなる効果を得られることが確認された。ま
た、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＰＬＺＴ，ＩｎＰ系
およびＧａＡｓ系等の半導体材料、ガーネット等の結晶
材料およびＰＭＭＡ，ポリイミド、エポキシ、ポリシロ
キサン、ポリウレタン等の高分子材料でできた導波路か
らなる平面光波回路を用いても、本発明の作製コストが
安くなる効果を得られることが確認された。
【０１１５】また、タイプＬＶII，ＬＶIII の２種類で
は分離合成部位１８および１８' の光ファイバカプラと
して石英系ガラスでできた光ファイバカプラを用いた
が、多成分系ガラス、プラスチック等の他の材料ででき
た光ファイバカプラを用いても、本発明の作製コストが
安くなる効果を得られることが確認された。更に分離合
成部位１８および１８' の光ファイバカプラ１７の架台
２１としてＳｉ基板を用いたが、Ｓｉ基板の代わりに他
の結晶板、ガラス基板等のガラス板、ジルコニア等のセ
ラミック板、アルミ等の金属板、アクリル等の高分子材
料板等を用いても本発明の作製コストが安くなる効果を
得られることが確認された。加えて、タイプＬＸではレ
ンズ２６として単レンズを４枚用いたが、２枚のレンズ
を並列に組み合わせたアレイ型複合レンズや複数枚のレ
ンズを直列に組み合わせた複合レンズ等の他の種類のレ
ンズを用いても本発明の作製コストが安くなる効果を得
られることが確認された。
は分離合成部位１８および１８' の光ファイバカプラと
して石英系ガラスでできた光ファイバカプラを用いた
が、多成分系ガラス、プラスチック等の他の材料ででき
た光ファイバカプラを用いても、本発明の作製コストが
安くなる効果を得られることが確認された。更に分離合
成部位１８および１８' の光ファイバカプラ１７の架台
２１としてＳｉ基板を用いたが、Ｓｉ基板の代わりに他
の結晶板、ガラス基板等のガラス板、ジルコニア等のセ
ラミック板、アルミ等の金属板、アクリル等の高分子材
料板等を用いても本発明の作製コストが安くなる効果を
得られることが確認された。加えて、タイプＬＸではレ
ンズ２６として単レンズを４枚用いたが、２枚のレンズ
を並列に組み合わせたアレイ型複合レンズや複数枚のレ
ンズを直列に組み合わせた複合レンズ等の他の種類のレ
ンズを用いても本発明の作製コストが安くなる効果を得
られることが確認された。
【０１１６】更に本実施形態では位相調整用高分子３０
を挿入した溝３１を分離合成部位１３および１３' と１
８および１８' の図１４〜図１５に示す位置に設置した
が、その他の位置に配置した場合でも本発明の作製コス
トが安くなる効果を得られることが確認された。
を挿入した溝３１を分離合成部位１３および１３' と１
８および１８' の図１４〜図１５に示す位置に設置した
が、その他の位置に配置した場合でも本発明の作製コス
トが安くなる効果を得られることが確認された。
【０１１７】なお、前記実施形態１〜１１では動作波長
を１．３μｍまたは１．５５μｍに設定したが、他の設
定波長の干渉型偏波無依存光アイソレータの作製方法に
適用しても同様な効果が確認された。また、相反偏光面
回転子２および２' にポリイミド半波長板を使用した
が、設定波長で適用可能ならば他の高分子材料や水晶、
方解石等の他の種類の半波長板を適用しても同様な効果
が確認された。更に、非相反偏光面回転子３および３'
の材料にＬａX Ｙ3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12またはＢｉX
Ｙ3-X Ｆｅ5 Ｏ12を使用したが、設定波長で適用可能な
らば鉛ガラス、希薄磁性半導体や他の種類の希土類鉄ガ
ーネット単結晶等の他の材料を適用しても同様な効果が
確認された。加えて、前記実施形態１〜１１では、相反
偏光面回転子２および２' のｓｌｏｗ軸７とＸ軸がなす
角度１０を＋π／８または−π／８としたが、角度１０
を（１）式を満たす範囲で他の角度に設定しても同様な
効果が確認された。更に前記実施形態１〜１１では非相
反偏光面回転子３および３'に磁気光学効果を引き起こ
すため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石を設置することにより印
加したが、磁気光学効果を引き起こすために必要な大き
さの磁場４が得られるならば、Ｓｍ−Ｃｏ磁石に代えて
フェライト系磁石、プラスチック磁石、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ
系磁石等の他の種類の永久磁石や電磁石を設置しても同
様な効果が確認された。また、一度磁場を印加すれば磁
化の方向と大きさを保持する磁気光学材料を用いた非相
反偏光面回転子３および３' を使用する磁石を用いない
構成の干渉型偏波無依存光アイソレータにおいても同様
な効果が確認された。
を１．３μｍまたは１．５５μｍに設定したが、他の設
定波長の干渉型偏波無依存光アイソレータの作製方法に
適用しても同様な効果が確認された。また、相反偏光面
回転子２および２' にポリイミド半波長板を使用した
が、設定波長で適用可能ならば他の高分子材料や水晶、
方解石等の他の種類の半波長板を適用しても同様な効果
が確認された。更に、非相反偏光面回転子３および３'
の材料にＬａX Ｙ3-X ＧａY Ｆｅ5-Y Ｏ12またはＢｉX
Ｙ3-X Ｆｅ5 Ｏ12を使用したが、設定波長で適用可能な
らば鉛ガラス、希薄磁性半導体や他の種類の希土類鉄ガ
ーネット単結晶等の他の材料を適用しても同様な効果が
確認された。加えて、前記実施形態１〜１１では、相反
偏光面回転子２および２' のｓｌｏｗ軸７とＸ軸がなす
角度１０を＋π／８または−π／８としたが、角度１０
を（１）式を満たす範囲で他の角度に設定しても同様な
効果が確認された。更に前記実施形態１〜１１では非相
反偏光面回転子３および３'に磁気光学効果を引き起こ
すため磁場４をＳｍ−Ｃｏ磁石を設置することにより印
加したが、磁気光学効果を引き起こすために必要な大き
さの磁場４が得られるならば、Ｓｍ−Ｃｏ磁石に代えて
フェライト系磁石、プラスチック磁石、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ
系磁石等の他の種類の永久磁石や電磁石を設置しても同
様な効果が確認された。また、一度磁場を印加すれば磁
化の方向と大きさを保持する磁気光学材料を用いた非相
反偏光面回転子３および３' を使用する磁石を用いない
構成の干渉型偏波無依存光アイソレータにおいても同様
な効果が確認された。
【０１１８】なお、上記各実施形態において、分離合成
部位１３，１３' の平面光波回路としては、所謂３ｄＢ
カプラと同等な機能を示す３ｄＢ分岐回路である方向性
結合器回路、Ｘ分岐回路、マッハツエンダ干渉計からな
る回路（例えば、K.Jinguji他：Electronics Letter,vo
l.26,No.17,pp.1325-1327,1990 ）およびマルチモード
干渉器からなる回路（例えば、L.B.Soldano 他：Journa
l of Lightwave Technolgy,vol.10,No.12,pp.1843-185
0,1992 ）等であればよい。また、架台２１としては、
ガイド溝１９，１９' を開けるための加工が可能であ
り、光ファイバカプラを保持する強度があるＳｉ基板等
の結晶板、ガラス基板等のガラス板、ジリコニア等のセ
ラミック板、アルミ等の金属板、アクリル等の高分子材
料板等であればよい。
部位１３，１３' の平面光波回路としては、所謂３ｄＢ
カプラと同等な機能を示す３ｄＢ分岐回路である方向性
結合器回路、Ｘ分岐回路、マッハツエンダ干渉計からな
る回路（例えば、K.Jinguji他：Electronics Letter,vo
l.26,No.17,pp.1325-1327,1990 ）およびマルチモード
干渉器からなる回路（例えば、L.B.Soldano 他：Journa
l of Lightwave Technolgy,vol.10,No.12,pp.1843-185
0,1992 ）等であればよい。また、架台２１としては、
ガイド溝１９，１９' を開けるための加工が可能であ
り、光ファイバカプラを保持する強度があるＳｉ基板等
の結晶板、ガラス基板等のガラス板、ジリコニア等のセ
ラミック板、アルミ等の金属板、アクリル等の高分子材
料板等であればよい。
【０１１９】また、上記各実施形態において、分離合成
部位に平面光波回路を使用し、かつ従来のようにレンズ
２６を用いない構成の干渉型光サーキュレータは、従来
の図１８〜図２０に示す分離合成部位に平面光波回路を
用いる構成の従来の干渉型光サーキュレータに比べて、
分離合成部位と非相反回転子３との間の幅数十μｍが隙
間１２，１２' が構造的にないため、分離合成部位と非
相反回転子間の接着において十分な接着強度がとれるた
め、接着面が剥がれ難く作製歩留まりが改善され、作製
コストを安くすることができる。
部位に平面光波回路を使用し、かつ従来のようにレンズ
２６を用いない構成の干渉型光サーキュレータは、従来
の図１８〜図２０に示す分離合成部位に平面光波回路を
用いる構成の従来の干渉型光サーキュレータに比べて、
分離合成部位と非相反回転子３との間の幅数十μｍが隙
間１２，１２' が構造的にないため、分離合成部位と非
相反回転子間の接着において十分な接着強度がとれるた
め、接着面が剥がれ難く作製歩留まりが改善され、作製
コストを安くすることができる。
【０１２０】なお、上記各実施形態においては、干渉型
光サーキュレータを構成する２つの分離合成部位を同種
類のものとしているが、相反偏光面回転子２，２' を設
置するためのガイド溝を設けた分離合成部位を使用する
かぎり、他の分離合成部位を使用してもよい。
光サーキュレータを構成する２つの分離合成部位を同種
類のものとしているが、相反偏光面回転子２，２' を設
置するためのガイド溝を設けた分離合成部位を使用する
かぎり、他の分離合成部位を使用してもよい。
【０１２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半波長板からなる第１の相反回転子を第１の光導波路に
設置した溝に挿入し、半波長板からなる第２の相反回転
子を第２の光導波路に設置した溝に挿入するため、すな
わち分離合成部位として相反偏光面回転子の設置のため
のガイド溝を設けた平面光波回路からなる分離合成部位
を使用したり、または光ファイバカプラを架台上に固定
した構成でかつ相反偏光面回転子の設置のためのガイド
溝を設けた分離合成部位を使用するので、相反偏光面回
転子の配置が飛躍的に簡易になり、作製コストを低減す
ることができる。
半波長板からなる第１の相反回転子を第１の光導波路に
設置した溝に挿入し、半波長板からなる第２の相反回転
子を第２の光導波路に設置した溝に挿入するため、すな
わち分離合成部位として相反偏光面回転子の設置のため
のガイド溝を設けた平面光波回路からなる分離合成部位
を使用したり、または光ファイバカプラを架台上に固定
した構成でかつ相反偏光面回転子の設置のためのガイド
溝を設けた分離合成部位を使用するので、相反偏光面回
転子の配置が飛躍的に簡易になり、作製コストを低減す
ることができる。
【図１】本発明の実施形態１〜４に係るタイプＩ〜ＩＶ
の４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュレータ
の構成を示す図である。
の４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュレータ
の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態１〜４に係るタイプＶ〜ＶII
I の４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュレー
タの構成を示す図である。
I の４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュレー
タの構成を示す図である。
【図３】本発明の実施形態１〜４に係るタイプＩＸ〜Ｘ
IIの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュレー
タの構成を示す図である。
IIの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュレー
タの構成を示す図である。
【図４】本発明の実施形態１〜４に係るタイプＸIII 〜
ＸＶＩの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュ
レータの構成を示す図である。
ＸＶＩの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュ
レータの構成を示す図である。
【図５】本発明の実施形態５，６に係るタイプＸＶII〜
ＸＸの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュレ
ータの構成を示す図である。
ＸＸの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュレ
ータの構成を示す図である。
【図６】本発明の実施形態５，６に係るタイプＸＸＩ〜
ＸＸＩＶの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキ
ュレータの構成を示す図である。
ＸＸＩＶの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキ
ュレータの構成を示す図である。
【図７】本発明の実施形態７に係るタイプＸＸＶ〜ＸＸ
ＶIII の４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュ
レータの構成を示す図である。
ＶIII の４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュ
レータの構成を示す図である。
【図８】本発明の実施形態８に係るタイプＸＸＩＸ〜Ｘ
ＸＸIIの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュ
レータの構成を示す図である。
ＸＸIIの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュ
レータの構成を示す図である。
【図９】本発明の実施形態８に係るタイプＸＸＸIII 〜
ＸＸＸＶＩの４種類の光非相反回路である干渉型光サー
キュレータの構成を示す図である。
ＸＸＸＶＩの４種類の光非相反回路である干渉型光サー
キュレータの構成を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態９に係るタイプＸＸＸＶII
〜ＸＬの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュ
レータの構成を示す図である。
〜ＸＬの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュ
レータの構成を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態９に係るタイプＸＬＩ〜Ｘ
ＬＩＶの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュ
レータの構成を示す図である。
ＬＩＶの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュ
レータの構成を示す図である。
【図１２】本発明の実施形態１０に係るタイプＸＬＶ〜
ＸＬＶIII の４種類の光非相反回路である干渉型光サー
キュレータの構成を示す図である。
ＸＬＶIII の４種類の光非相反回路である干渉型光サー
キュレータの構成を示す図である。
【図１３】本発明の実施形態１０に係るタイプＸＬＩＸ
〜ＬIIの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュ
レータの構成を示す図である。
〜ＬIIの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュ
レータの構成を示す図である。
【図１４】本発明の実施形態１１に係るタイプＬIII 〜
ＬＶＩの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュ
レータの構成を示す図である。
ＬＶＩの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュ
レータの構成を示す図である。
【図１５】本発明の実施形態１１に係るタイプＬＶII〜
ＬＸの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュレ
ータの構成を示す図である。
ＬＸの４種類の光非相反回路である干渉型光サーキュレ
ータの構成を示す図である。
【図１６】図１，２，７−１３に示す各実施形態の干渉
型光サーキュレータのＣ−Ｄ部の断面図である。
型光サーキュレータのＣ−Ｄ部の断面図である。
【図１７】図５，６，８−１３に示す各実施形態の干渉
型光サーキュレータのＣ′−Ｄ′部の断面図である。
型光サーキュレータのＣ′−Ｄ′部の断面図である。
【図１８】相反偏光面回転子として板状のバルク型半波
長板を用いた従来の干渉型光サーキュレータの構成を示
す図である。
長板を用いた従来の干渉型光サーキュレータの構成を示
す図である。
【図１９】相反偏光面回転子として板状のバルク型半波
長板を用いた従来の干渉型光サーキュレータの構成を示
す図である。
長板を用いた従来の干渉型光サーキュレータの構成を示
す図である。
【図２０】相反偏光面回転子として板状のバルク型半波
長板を用いた従来の干渉型光サーキュレータの構成を示
す図である。
長板を用いた従来の干渉型光サーキュレータの構成を示
す図である。
【図２１】図１８〜図２０に示す従来の干渉型光サーキ
ュレータにおけるＡ−ＢおよびＡ′−Ｂ′の断面構造を
示す図である。
ュレータにおけるＡ−ＢおよびＡ′−Ｂ′の断面構造を
示す図である。
２，２' 相反偏光面回転子 ３，３' 非相反偏光面回転子 ４ 磁場 ５，５' 光方向性結合器回路 ６，６' Ｘ分岐回路 ７ ｓｌｏｗ軸 ８ ｘ−ｙ軸 １１ 光ファイバカプラのコア部 １３，１３' ，１８，１８' 分離合成部位 １４，１４' ，１９，１９' ガイド溝 １５ 分離合成部位のコア部 １６，２０ ガイド溝の底面 １７ 光ファイバカプラ ２１ 架台 ２２ 相反偏光面回転子の底面 ２３，２３' ，２４，２４' ３ｄＢ分岐回路 ２６ レンズ ２７ 位相調整部位
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 館 彰之 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 久保田 英志 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 小澤口 治樹 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 加藤 雄二郎 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 分離された光が伝搬される第１および第
２の光導波路と、前記第１および第２の光導波路の一端
側に配置され、順方向に進む光を前記第１および第２の
光導波路に分離して出力するとともに、前記第１および
第２の光導波路から入力された逆方向に進む光を合成す
る第１の分離合成部位と、前記第１および第２の光導波
路の他端側に配置され、前記逆方向に進む光を第１およ
び第２の光導波路に分離して出力するとともに、前記第
１および第２の光導波路から入力される前記順方向に進
む光を合成する第２の分離合成部位と、光の進行方向と
垂直な面内に設定されたｘ−ｙ座標について、前記第１
の光導波路にファラデー回転角がθｆ1 である第１の非
相反回転子とｘ軸からのｓｌｏｗ軸角度がθｓ1である
半波長板からなる第１の相反回転子を順方向に沿って前
記第１の非相反回転子および前記第１の相反回転子の順
に配置した第１の偏光回転部位と、前記第２の光導波路
にｘ軸からのｓｌｏｗ軸角度がθｓ2 である半波長板か
らなる第２の相反回転子とファラデー回転角がθｆ2 で
ある第２の非相反回転子を順方向に沿って前記第２の相
反回転子および前記第２の非相反回転子の順に配置した
第２の偏光回転部位とを有し、前記第１および第２の光
導波路を伝搬する光のうち、順方向に進む光については
前記分離された光が同位相で干渉して合成され、逆方向
に進む光については前記分離された光が逆位相で干渉し
て合成されるように 【数１】θｓ1 −θｓ2 ＝±π／４ θｆ1 ＋θｆ2 ＝±π／２＋２ｎπ （但し、ｎは整
数） を満足するように設定される光非相反回路であって、 半波長板からなる板状の前記第１の相反回転子を前記第
１の光導波路に設置した溝に挿入することにより配置
し、半波長板からなる板状の前記第２の相反回転子を前
記第２の光導波路に設置した溝に挿入することにより配
置することを特徴とする光非相反回路。 - 【請求項２】 前記第１および第２の分離合成部位の少
なくとも一方は平面光波回路からなる光方向性結合器回
路を用いて構成されることを特徴とする請求項１記載の
光非相反回路。 - 【請求項３】 前記第１および第２の分離合成部位の少
なくとも一方は平面光波回路からなるＸ分岐回路を用い
て構成されることを特徴とする請求項１記載の光非相反
回路。 - 【請求項４】 前記第１および第２の分離合成部位の少
なくとも一方は平面光波回路からなるマッハツエンダ干
渉計回路を用いて構成されることを特徴とする請求項１
記載の光非相反回路。 - 【請求項５】 前記第１および第２の分離合成部位の少
なくとも一方は平面光波回路からなるマルチモード干渉
器回路を用いて構成されることを特徴とする請求項１記
載の光非相反回路。 - 【請求項６】 前記第１および第２の分離合成部位の少
なくとも一方は架台上に光ファイバカプラを固定して構
成されることを特徴とする請求項１記載の光非相反回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18404997A JPH1130766A (ja) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | 光非相反回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18404997A JPH1130766A (ja) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | 光非相反回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1130766A true JPH1130766A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16146485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18404997A Pending JPH1130766A (ja) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | 光非相反回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1130766A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010091900A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Nec Corp | 光回路素子 |
| WO2012102041A1 (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-02 | 日本電信電話株式会社 | 導波路型偏波ビームスプリッタ |
| JP2015219317A (ja) * | 2014-05-15 | 2015-12-07 | 日本電信電話株式会社 | 偏波分離回路 |
| US9235003B2 (en) | 2011-01-26 | 2016-01-12 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Waveguide-type polarization beam splitter |
| JP2016535302A (ja) * | 2014-05-23 | 2016-11-10 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 偏光制御デバイスおよび偏光制御方法 |
| JP2020086250A (ja) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 京セラ株式会社 | アイソレータ、光源装置、光送受信機、光スイッチ、光増幅器、及びデータセンター |
-
1997
- 1997-07-09 JP JP18404997A patent/JPH1130766A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010091900A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Nec Corp | 光回路素子 |
| WO2012102041A1 (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-02 | 日本電信電話株式会社 | 導波路型偏波ビームスプリッタ |
| JP5520393B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2014-06-11 | 日本電信電話株式会社 | 導波路型偏波ビームスプリッタ |
| JPWO2012102041A1 (ja) * | 2011-01-26 | 2014-06-30 | 日本電信電話株式会社 | 導波路型偏波ビームスプリッタ |
| US9235003B2 (en) | 2011-01-26 | 2016-01-12 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Waveguide-type polarization beam splitter |
| US9323000B2 (en) | 2011-01-26 | 2016-04-26 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Waveguide-type polarization beam splitter |
| JP2015219317A (ja) * | 2014-05-15 | 2015-12-07 | 日本電信電話株式会社 | 偏波分離回路 |
| JP2016535302A (ja) * | 2014-05-23 | 2016-11-10 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 偏光制御デバイスおよび偏光制御方法 |
| JP2020086250A (ja) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 京セラ株式会社 | アイソレータ、光源装置、光送受信機、光スイッチ、光増幅器、及びデータセンター |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040601 |