JPH11304858A

JPH11304858A - 電磁波発生源探査装置およびその探査方法

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Publication number: JPH11304858A
Application number: JP10107307A
Authority: JP
Inventors: Koichi Kamisaka; 晃一上坂
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1998-04-17
Filing date: 1998-04-17
Publication date: 1999-11-05
Anticipated expiration: 2018-04-17
Also published as: US6643594B2; US20030018444A1; CA2269170A1; EP0950900B1; EP0950900A2; CA2269170C; EP0950900A3; US6470282B1; DE69923366T2; DE69923366D1; JP3709708B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明の目的は、検査時間の短縮が可能な全く
新規な電磁波発生源探査装置及びその方法を提供するこ
とにある。【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、被
測定対象物から発生される磁界‐時間特性を複数の位置
で測定し、該測定した複数の磁界‐時間特性を用いて該
被測定対象物から発生される電界‐周波数特性を算出
し、該算出した電界‐周波数特性において所定の電界値
を超える周波数成分を抽出し、該抽出した周波数成分を
有する電流が該被測定対象物内で存在する位置を出力す
るものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等から発
生する電磁波の発生源を探査する方法および装置に係
り、特に電磁波の発生源を短時間で探査するのに好適な
方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】不要電磁輻射抑制技術においては、近年
の情報通信機器等の普及にともなう電磁障害が頻発して
おり、その原因となる電磁波の発生源を検出する技術が
要求されている。電磁波発生源の探査方式としては、例
えば、電子情報通信学会論文誌Ｂ−ＩＩ１９８５年１
０月、菊池淳一著「開口合成による電磁波発生源の位置
推定方法の一提案」、電子情報通信学会論文誌Ｂ−ＩＩ
１９８６年９月、菊池淳一著「最大エントロピー法を
応用した電磁波発生源の位置推定」、ＮＥＣ技法１９９
３年９月、林昌世著「ＥＭＣにおける電磁界計測と数値
解析」等がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の電磁
波発生源の探査方法を図５に示す。

【０００４】まず、従来の探査方法では、法規制の対象
となる３mもしくは１０m遠方における周波数‐電界強度
特性E(f)を測定し（ステップ５０１）、その測定結果か
ら規制値を満足しない周波数成分を抽出する（ステップ
５０２）。そして、その抽出した周波数成分に対する被
測定対象物近傍の電磁界分布を測定し（ステップ５０
３）、その測定結果から被測定対象物内の対策箇所（位
置）を特定していた（ステップ５０４）。

【０００５】従って、対策箇所を特定するまでに、遠方
界と近傍界の両方を測定しなければならなかった。ま
た、基準値を満足しない周波数成分が多いと、その満足
しない周波数成分の数だけ被測定対象物近傍の電磁界分
布を測定する必要があるため、全体の探査時間が長期化
してしまうと言った問題があった。

【０００６】本発明の目的は、検査時間の短縮が可能な
全く新規な電磁波発生源探査装置及びその方法を提供す
ることにある。すなわち、従来の各周波数成分に対して
行われていた被測定対象物近傍での電磁界強度分布の測
定を不要とした電磁波発生源探査装置及びその方法を提
供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、従来の周波数領域での遠方電界測定値E
(f)を用いた探査とは異なり、時間領域での近傍磁界測
定値H(t)を用いて探査するものである。

【０００８】より具体的には、被測定対象物から発生さ
れる磁界‐時間特性を複数の位置で測定し、該測定した
複数の磁界‐時間特性を用いて該被測定対象物から発生
される電界‐周波数特性を算出し、該算出した電界‐周
波数特性において所定の電界値を超える周波数成分を抽
出し、該抽出した周波数成分を有する電流が該被測定対
象物内で存在する位置を出力するものである。

【０００９】もしくは、被測定対象物から発生される磁
界‐時間特性を測定する複数個の測定手段と、該プロー
バを用いて測定した磁界‐時間特性から該被測定対象物
から発生される電界‐周波数特性を算出する第一の算出
手段と、該算出した電界‐周波数特性において所定の電
界値を超える周波数成分を算出する第二の算出手段と、
該算出した周波数成分を有する電流が該被測定対象物内
で存在する位置を出力する出力手段とを備えたものであ
る。

【００１０】これにより、対策箇所を特定するまでに、
従来のような遠方界と近傍界の両方を測定する必要がな
く、近傍磁界だけを測定すれば良いので、検査時間の短
縮を図ることが出来る。特に、基準値を満足しない周波
数成分が多くても、従来のように周波数成分の数だけ被
測定対象物近傍の電磁界分布を測定する必要はなく、単
に計算処理により求めることが出来るので、検査時間の
大幅な短縮を図ることが出来る。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態を詳細に説明する。

【００１２】図１は、そのシステム構成である。

【００１３】図において、１０１は被測定対象物、１０
６はｘ方向磁界プローブ１０３、ｙ方向磁界プローブ１
０４、ｚ方向プローブ１０５を組み合わせた３次元磁界
プローブ、１０７は高周波増幅器、１０８は位相検波
器、１０９はA/Dコンバータ、１１０は演算用コンピュ
ータ、１１２は位相検波器１０８へクロックを供給する
サンプリングスタートクロックである。なお、直接探査
方式では測定装置による鏡像の影響が生じるので、本実
施例では、この影響を小さくするため測定装置本体と被
測定対象物との間に距離を置き、磁界を擾乱させない程
度に小さな磁界プローブのみを測定装置本体から被測定
対象物へと延ばして測定した。

【００１４】３次元磁界プローブ１０６は、３つのルー
プアンテナ１０３、１０４、１０５によって構成し、そ
れぞれのループ面をX方向、Y方向、Z方向に向けて配置
した。ループアンテナであれば、磁界強度をループアン
テナに誘起する誘起電圧により測定することが出来る。
また、３次元磁界プローブ１０６は、被測定対象物１０
１に対して電磁界的に近傍となる距離１０２の点に位置
させた。例えば、被測定対象物１０１に対して１cm程度
のごく近傍に配置した。また、図示していないが、３次
元磁界プローブ１０６は、被測定対象物１０１上を覆う
ように縦横方向に約１cm間隔に複数個配置した。いわゆ
る、格子状に配置した。

【００１５】次に、このシステムにおける動作について
説明する。

【００１６】まず、測定を開始すると、ｘ方向磁界プロ
ーブ１０３、ｙ方向磁界プローブ１０４、ｚ方向プロー
ブ１０５を組み合わせた３次元磁界プローブ１０６が、
被測定対象物１０１から発生する磁界を検出する。すな
わち、ループアンテナ１０３〜１０５を透過する磁束に
よって変化する誘起電圧を検出する。検出した誘起電圧
は高周波増幅器１０７によって増幅され、位相検波器１
０８へ送られる。なお、ループアンテナ１０３〜１０５
は、誘起電圧を時間波形で検出することとなる。

【００１７】位相検波器１０８へは、サンプリングスタ
ートクロック１１２から被測定対象物１０１のくり返し
動作周期と同じクロックを供給する。そして位相検波器
１０８は、このクロックに基づいて前述の誘起電圧の時
間波形をサンプリングする。これにより誘起電圧に関す
る大きさ及び位相の情報を得ることが出来る。ここで誘
起電圧を測定する時間は、探査したい下限周波数ｆｓ
［Ｈｚ］とすると、１／ｆｓ［ｓｅｃ］以上とした。ま
た、探査のために必要となる時間波形のサンプリング周
波数は探査したい上限周波数ｆｅ［Ｈｚ］とすると、２
ｆｅ［Ｈｚ］以上とした。これらは一般のサンプリング
定理に基づく条件である。

【００１８】次に、このサンプリングした誘起電圧の大
きさ及び位相の情報に関する信号をＡ／Ｄコンバータ１
０９によりA/D変換し、演算用コンピュータ１１０が読
み込む。演算用コンピュータ１１０では、この誘起電圧
に関する情報を所定の変換式を用いて磁界に関する情報
に変換し、磁界‐時間特性H(t)を得る。

【００１９】この磁界に関する時間情報（磁界‐時間特
性H(t)）を用いて被測定対象物の電磁波発生源を探査す
る方法を図４に示す。なお、この演算処理も演算コンピ
ュータ１１０により行われる。

【００２０】まず、前述の磁界‐時間特性H(t)から（実
際には、サンプリング時間毎の磁界の大きさから）、被
測定対象物上の電流‐時間特性I(t)を算出する（ステッ
プ４０１)。例えば、被測定対象物に存在する電流Ix
(n)、それにより発生する近傍磁界の計算値Hx,y,z x,y,
z(m,n)、測定値Hmx,y,z (m)とが数１の関係になること
を利用して、磁界‐時間特性H(t)から、被測定対象物上
の電流‐時間特性I(t)を算出する。なお、Hx,y,z x,y,z
(m,n)の意味は、Hの隣にあるxyzが、磁界の方向成分を
表し、このxyzの隣にあるx,y,zが、仮定した電流の方向
成分を表し、(m,n)が磁界測定位置と電流を仮定した位
置を表している。また、Hmx,y,z (m)の意味は、Hmが測
定値であることを表し、その隣にあるx,y,zが、磁界の
方向成分を表し、 (m)が磁界測定位置を表している。

【００２１】

【数１】

【００２２】すなわち、サンプリング時間毎のデータを
用いてこの数１における連立方程式を解くことで、磁界
‐時間特性H(t)から、被測定対象物上の電流‐時間特性
I(t)を算出する。

【００２３】なお、この算出した電流‐時間特性I(t)
とその被測定対象物上の位置とは対応づけて記憶する。

【００２４】次に、この電流‐時間特性I(t)を被測定対
象物上の位置における微小ダイポール波源とみなして、
法規制等の対象となる距離での電界E(t)を算出する（ス
テップ４０２)。例えば、被測定対象物から３m離れた位
置での遠方電界を算出する。

【００２５】次に、時間領域にある遠方電界E(t)から周
波数領域にある遠方電界E(f)へフーリエ変換する（ステ
ップ４０３）。

【００２６】以上の処理により、磁界‐時間特性H(t)か
ら電界‐周波数特性E(f)が得られるので、この電界‐周
波数特性E(f)のうちで電界値が設定値を超える周波数特
性を抽出する（ステップ４０４）。

【００２７】最後に、前述の記憶していた電流‐時間特
性I(t) とその被測定対象物上の位置とに関する情報か
ら、抽出した周波数特性を有する電流‐時間特性I(t)を
判断し、該当する被測定対象物上の位置を出力する（ス
テップ４０５）。

【００２８】この結果から、遠方における電磁波の支配
的要因となる被測定対象物内の発生源としての電流の大
きさ、位相および位置が得られるので、これに基づき電
磁波を抑制するような対策を施す。

【００２９】このように被測定対象物から発生される磁
界‐時間特性を複数の位置で測定し、該測定した複数の
磁界‐時間特性を用いて該被測定対象物から発生される
電界‐周波数特性を算出するようにし、また、被測定対
象物内の問題となる位置の検出も、測定した磁界‐時間
特性から算出するようにしたので、従来のような遠方界
と近傍界の両方を測定する必要がなく、検査時間の短縮
を図ることが出来る。特に、基準値を満足しない周波数
成分が多くても、従来のようにこの周波数成分の数だけ
被測定対象物近傍の電磁界分布を測定する必要はなく、
単に計算処理により求めることが出来るので、検査時間
の大幅な短縮を図ることが出来る。

【００３０】次に、前述のフローチャートの中で説明し
た磁界‐時間特性H(t)から電流分布を算出する他の例を
説明する。

【００３１】まず、その概念を説明する。図２はその概
念図であり、測定対象物Aに電流が存在するであろう微
小格子点（２０１、２０３、２０４等）を設定し、測定
エリアBに測定対象物Aから発生する磁界を測定する微小
格子点（２０５等）を設定している。

【００３２】図において、２０１は電流の存在を仮定す
る格子点、２０２は磁界を測定する格子点、２０３は電
流が実在する格子点、２０４は電流の存在を仮定する格
子点、２０５は磁界を測定する３次元プローブ、２０６
は測定により得られる測定磁界合成複素ベクトル、２０
７は計算により得られる計算磁界合成複素ベクトル、２
０８は測定磁界合成複素ベクトル２０６と計算磁界合成
複素ベクトル２０７がなす角度である。

【００３３】この算出方式では、測定対象物Aの各格子
点に所定の電流が存在した場合の磁界分布を計算により
求め、この求めた結果（計算磁界合成複素ベクトル２０
７）が実際の測定値（測定磁界合成複素ベクトル２０
６）に許容範囲内で一致するか否かを判断し、一致する
場合にその格子点に電流が存在したとして処理すること
で、サンプリング時間単位の電流分布（位置と大きさ）
を算出する。なお、一致するか否かは、測定磁界合成複
素ベクトル２０６と計算磁界合成複素ベクトル２０７が
なす角度２０８を用いて判断する。

【００３４】この計算処理に用いられる関数について説
明する。

【００３５】測定対象物Aの微小格子点ｎに電流のｘ、
ｙ、z方向成分Ｉ×、Ｉｙ、Ｉｚが存在すると仮定する
と、測定エリアBの微小格子点ｍでのベクトルポテンシ
ャルＡは数２のように時間tの関数として表すことがで
きる。

【００３６】

【数２】

【００３７】ここで、Ｊは電流密度、ωは角周波数、ｆ
ｅは測定対象とする周波数帯域の上限、rmnは格子点ｍ
と格子点ｎとの距離を示す。

【００３８】この数２は、数３に示すマクスウェルの方
程式から、数４に示す磁界に関する時間tの関数として
表すことができる。この数４を用いて測定エリアBにあ
る各格子点での磁界分布を算出する。なお、数４は、測
定対象物Aにある各々の格子点にXYZ座標系各方向に大き
さ１、位相０のパルス電流を仮定することで導いたもの
であり、この仮定した電流によって、測定エリアにある
各格子点（測定点）に発生する磁界分布を求めるもので
ある。なお、ここでは、表記簡略のため電流の時間項を
省略している。

【００３９】

【数３】

【００４０】

【数４】

【００４１】そして、数４を用いて算出した磁界分布
と、測定した測定エリアBにある各格子点でのXYZ座標方
向の磁界分布とについて、それぞれの格子数に等しい次
元数を持つ複素ベクトルを設定し、これら複素ベクトル
の各項を数５のように演算する。すなわち、両複素ベク
トルの内積を求める。

【００４２】

【数５】

【００４３】ここで、ｎ’は測定対象物Aに仮定した単
位電流の存在する格子点を示す。

【００４４】数５の下線部に含まれる電流成分が等しい
２式を取り上げ、これらの内積を求めると数６のように
展開できる。

【００４５】

【数６】

【００４６】一方、測定エリアBにある測定点の位置を
電磁波発生源である測定対象物Aの上方を囲むように設
けると、数７の条件が成立するので、これより数６の第
１項、第２項、第４項が０になり、数８のように簡略化
することができる。

【００４７】

【数７】

【００４８】

【数８】

【００４９】XYZ座標の他の成分についても同様に数９
のように表すことが出来る。

【００５０】

【数９】

【００５１】数８、９は内積値であるので、これを前述
の測定値と計算値に対応する複素ベクトルの大きさで除
算すると、磁界分布（計算値）と磁界分布（測定値）と
のマッチングの度合い（ｃｏｓθ）を算出することが出
来る。これは、測定対象物Aにある各格子点に電磁波源
（電流）が存在する確率（あるいは比率）であるので、
マッチングの度合いが大きければ、その格子点に電流が
存在すると判断することが出来る。

【００５２】この存在確率は数１０で表される。

【００５３】

【数１０】

【００５４】そして、マッチングの度合い（ｃｏｓθ）
が数１１の条件を満たせば、その格子点に電流が存在し
たとしてthen以降の値を算出し、満たさない場合はその
格子点には電流が存在しなかったとしてelseの値0とす
るような演算処理を行う。

【００５５】

【数１１】

【００５６】このようにサンプリング時間毎の磁界分布
に関する計算値及び測定値、数１０、数１１を用いるこ
とで、前述の磁界‐時間特性H(t)から電流‐時間特性I
(t)を算出することができる。

【００５７】前述の連立方程式による手法が格子数（m,
n）の３乗に比例した計算時間を必要としたのに対し
て、この手法では、格子数の２乗に比例した計算時間で
済み、大幅な計算時間の短縮を図ることが出来る。

【００５８】図３は、この概念を用いた実際の処理フロ
ーである。

【００５９】ここでは、１回のサンプリングに対してそ
の発生源を探査した。また、２回目以後のサンプリング
に対しては、仮定するパルス電流をサンプリング時間に
合わせて遅らせることとした。このように測定時のサン
プリング周波数に合わせてパルス電流を遅らせること
で、実際の電流の時間波形を得ることができる。図中の
(a,b,c)は、（x,y,z）（y,z,x）（z,x,y）の全ての場合
に適用するものである。すなわち、 (a,b,c)を（x,y,
z）もしくは（y,z,x）もしくは（z,x,y）に置き換えて
演算処理する。なお、図３の処理においても、図２のよ
うな測定対象物A上の格子点、測定エリアB内の格子点を
設定している。

【００６０】(a,b,c)が（x,y,z）である場合について説
明すると、測定対象物Aにある格子点にx方向のパルス電
流を仮定し、このパルス電流に直交するy方向、z方向の
磁界の計算値（Hyx(m,n,t)、Hzx(m,n,t)）を算出する
（ステップ３０１a,b）。これは、各格子点について算
出する。

【００６１】また、測定エリアにある格子点にあるy方
向、z方向の磁界（Hmy(m,t)、Hmz(m,t)）を測定する
（ステップ３０２ab）。これも、各格子点について測定
する。

【００６２】そして、これらの計算値、測定値、数１
０、数１１を用いて測定対象物Aの内で電流が存在する
格子点（位置）と、その電流値を算出する（ステップ３
０３）。すなわち、数１１により各格子点に於ける電流
が存在する確率（ｃｏｓθ）を算出し、数１１に示すｃ
ｏｓθの条件を満足する格子点についての電流値を算出
する。数１０の演算処理には、計算値３０１aと測定値
３０２aとの１/２feタイムステップ毎の内積演算（ステ
ップ３０３‐１a）と、計算値３０１bと測定値３０２b
との１/２feタイムステップ毎の内積演算（ステップ３
０３‐１b）、さらにはその内積演算結果（３０３‐１
a、３０３‐１b ）との内積演算（ステップ３０３‐
２）が含まれている。

【００６３】このような演算をサンプリングタイムステ
ップ毎の測定値に対して行うことで、電磁波発生源の位
置と、その位置における電流の時間波形とを算出する
（ステップ３０４）。

【００６４】さらに同様の演算をxyz各方向に仮定した
パルス電流に対して行い、それぞれの直交方向になる電
流成分の位置と時間波形を用い（ステップ３０５）、電
界強度が規制される距離（遠方）における電界強度の時
間波形をサンプリングステップ毎に算出する（ステップ
３０６）。

【００６５】そして、算出した電界強度の時間波形E(t)
を、時間領域から周波数領域へフーリエ変換して、遠方
電界のスペクトラムE(f)を算出する（ステップ３０
７）。

【００６６】そして、その遠方電界のスペクトラムE(f)
を用いて、各周波数における電界強度と規制値との比較
を行い（ステップ３０８）、被測定対象物が発生する電
磁波のどの周波数成分が規制値を越えるか否か判断す
る。

【００６７】規制値を超えた後の処理は前述の通りであ
り、該当する周波数成分を有する電流を算出し、その電
流が存在する格子点の位置を出力する。

【００６８】以上の処理によっても、対策箇所を特定す
るまでに、従来のような遠方界と近傍界の両方を測定す
る必要がなく、また、基準値を満足しない周波数成分が
多くても、従来のように周波数成分の数だけ被測定対象
物近傍の電磁界分布を測定する必要はないので、検査時
間の短縮を図ることが出来る。

【００６９】なお、これまで説明してきた３次元プロー
ブをアレー状に配置し、近傍磁界を測定点毎に時間差が
生じないように同時に時間波形として測定することでサ
ンプリングスタートクロック１１２を不要とすることが
できる。この場合、測定値の振幅（Ａ１、Ａ２、、、Ａ
ｎ）と時間遅れ（ｔ１，ｔ２，，，ｔｎ）から被測定対
象物上の電磁波発生源としての電流の位置と時間波形を
計算すれば良い。

【００７０】また、これまでは２次元的な被測定対象、
例えば回路基板の様なものについて説明してきたが、仮
定する電磁波発生源の位置を３次元被測定対象物の占有
空間に拡張して計算することで立体的な電子機器装置の
電磁波発生源の周波数、大きさ、位相および位置を探査
することも可能である。

【００７１】

【発明の効果】本発明によれば、対策箇所を特定するま
でに、従来のような遠方界と近傍界の両方を測定する必
要がなく、また、基準値を満足しない周波数成分が多く
ても、従来のように周波数成分の数だけ被測定対象物近
傍の電磁界分布を測定する必要はないので、検査時間の
短縮を図ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】電磁波発生源探査装置の構成図

【図２】電磁波発生源の逆算方式の概念図

【図３】電磁波発生源探査方式のフローチャート

【図４】本システムの処理手順を示したフローチャート

【図５】従来の処理手順を示したフローチャート

【符号の説明】

１０１被測定対象物１０２電磁界的に近傍となる距離１０３ｘ方向磁界プローブ１０４ｙ方向磁界プローブ１０５ｚ方向磁界プローブ１０６３次元磁界プローブ１０７高周波増幅器１０８位相検波器１０９Ａ／Ｄコンバータ１１０コンピュータ１１１出力装置１１２高周波増幅器２０１電流仮定点格子２０２近傍磁界測定点格子２０３実在する電流２０４仮定した電流２０５３次元プローブ２０６測定磁界合成複素ベクトル２０７計算磁界合成複素ベクトル２０８角

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被測定対象物から発生される磁界‐時間特
性を複数の位置で測定し、該測定した複数の磁界‐時間特性を用いて該被測定対象
物から発生される電界‐周波数特性を算出し、該算出した電界‐周波数特性において所定の電界値を超
える周波数成分を抽出し、該抽出した周波数成分を有する電流が該被測定対象物内
で存在する位置を出力することを特徴とする電磁波発生
源探査方法。
【請求項２】縦横方向にそれぞれ複数個配置されたプロ
ーバーにより前記磁界‐時間特性を測定することを特徴
とする請求項１記載の電磁波発生源探査方法。
【請求項３】前記電界‐周波数特性は、前記被測定対象
物から法規制された距離での特性であることを特徴とす
る請求項１又は２記載の電磁波発生源探査方法。
【請求項４】前記複数の磁界‐時間特性から被測定対象
物内の複数の位置における電流‐時間特性を算出し、こ
の算出した電流‐時間特性を用いて前記被測定対象物か
ら発生される電界‐周波数特性を算出することを特徴と
する請求項１〜３のいずれかに記載の電磁波発生源探査
方法。
【請求項５】前記抽出した周波数成分を有する電流が含
まれる電流‐時間特性を算出し、この算出した電流‐時
間特性を有する被測定対象物内の位置を出力すること特
徴とする請求項４記載の電磁波発生源探査方法。
【請求項６】被測定対象物から発生される磁界‐時間特
性を測定する複数個の測定手段と、該プローバを用いて
測定した磁界‐時間特性から該被測定対象物から発生さ
れる電界‐周波数特性を算出する第一の算出手段と、該算出した電界‐周波数特性において所定の電界値を超
える周波数成分を算出する第二の算出手段と、該算出した周波数成分を有する電流が該被測定対象物内
で存在する位置を出力する出力手段とを備えたことを特
徴とする電磁波発生源探査装置。
【請求項７】縦横方向にそれぞれ複数個配置されたプロ
ーバーにより前記磁界‐時間特性を測定することを特徴
とする請求項６記載の電磁波発生源探査装置。
【請求項８】前記電界‐周波数特性は、前記被測定対象
物から法規制された距離での特性であることを特徴とす
る請求項６又は７記載の電磁波発生源探査装置。
【請求項９】前記第一の算出手段が、前記複数の磁界‐
時間特性から被測定対象物内の複数の位置における電流
‐時間特性を算出し、この算出した電流‐時間特性を用
いて前記被測定対象物から発生される電界‐周波数特性
を算出することを特徴とする請求項６〜８のいずれかに
記載の電磁波発生源探査装置。
【請求項１０】前記出力手段が、前記抽出した周波数成
分を有する電流が含まれる電流‐時間特性を算出し、こ
の算出した電流‐時間特性を有する被測定対象物内の位
置を出力すること特徴とする請求項９記載の電磁波発生
源探査装置。