JPH11304743A - ガスセンサ - Google Patents

ガスセンサ

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Publication number
JPH11304743A
JPH11304743A JP10812498A JP10812498A JPH11304743A JP H11304743 A JPH11304743 A JP H11304743A JP 10812498 A JP10812498 A JP 10812498A JP 10812498 A JP10812498 A JP 10812498A JP H11304743 A JPH11304743 A JP H11304743A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas sensor
sensitive film
electrode
electrodes
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10812498A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisamitsu Akamaru
久光 赤丸
Mitsuyoshi Yoshii
光良 吉井
Yoshihiro Aoyama
佳弘 青山
Hiroki Kuyama
浩樹 九山
Junichi Kita
純一 喜多
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP10812498A priority Critical patent/JPH11304743A/ja
Publication of JPH11304743A publication Critical patent/JPH11304743A/ja
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ガスセンサの感度を向上させる。 【解決手段】 電極3a上の感応膜9の膜厚を電極3b
上の感応膜の膜厚より厚く形成することにより、感応膜
9の表面に凹凸を形成する。その結果、試料ガスと感応
膜9の接触面積が増大するので、従来のガスセンサに比
較して感度が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性高分子から
なる感応膜を用いてガスを測定し、定性や定量を行なう
ガスセンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】ガスセンサは、空気又は供給された試料
ガス中に含まれるにおい物質が、センサの感応面に付着
することにより生ずるセンサの物理的変化を電気的に測
定するものにも使用される。ガスセンサとしては、酸化
物半導体を用いたものが市販されている。また、酸化物
半導体ガスセンサを複数個用いた人工電子鼻と呼ばれる
ガス測定装置も市販が始められている。人工電子鼻は、
「におい」を検知するシステムとして、食品や香料の品
質検査、悪臭公害の定量基準、焦げ臭検知による火災警
報機などへの利用が試みられている。さらに高感度化し
て犬の鼻に匹敵するようになれば、人物の追跡、識別、
認証や薬物の検査といった分野にも利用可能になる。
【0003】しかし、酸化物半導体を用いたガスセンサ
の測定対象は、感応面で酸化還元反応を起こす物質に限
られる。また、センサ部が高温でないと動作しないた
め、その熱によって熱分解を受ける物質は測定対象にな
らない。さらに、分析にあたり、センサの温度が動作温
度まで上昇し安定するまで待つ必要があり、繰返し測定
に時間がかかるという問題もあるし、センサの表面状態
により経時変化があるという欠点もある。
【0004】他のガスセンサとしては、ポリピロールや
ポリチオフェン等の導電性高分子からなる感応膜を用い
たものがある。導電性高分子膜を用いたガスセンサで
は、におい物質のようなガス成分が感応面に付着する
と、分子の直接的又は間接的な関与により導電性高分子
の導電率が変化する。そこで、感応膜を挾んで設けた電
極間の抵抗又はインピーダンスの変化を測定することに
よりガス成分の検知を行なうことができる。
【0005】感応膜の製造方法の1つとして、電解重合
によるものが知られている。ピロールやチオフェン等の
高分子材料を溶媒に溶かした溶液に、2個の電極が同じ
面に形成された絶縁基板を浸し、両方の電極に同じ電圧
を同じ時間かけて、2個の電極上及び電極間の基板上に
導電性高分子からなる感応膜を形成している。導電性高
分子膜を感応膜として用いたガスセンサは、室温で動作
するので、測定対象を熱分解させることなく、におい物
質などをそのままの形で検出できるし、センサ部の温度
を所定温度まで上昇させるための予備時間も必要がなく
なる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の電解重合による
感応膜の製造方法では、同じ電圧を同じ時間かけられた
2個の電極に成膜する導電性高分子の膜厚が等しくなる
ため、感応膜の表面積を大きくすることは困難であっ
た。そのため、ガスセンサの感度を向上させるには、電
極面積を大きくして感応膜の表面積を大きくする必要が
あり、ガスセンサ自体が大きくなるという問題があっ
た。
【0007】そこで本発明は、ガスセンサの寸法を大き
くすることなく、感度を向上させることを目的とするも
のである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のガスセンサは、
絶縁基板表面に形成した2個の電極間に、導電性高分子
からなる感応膜を設け、その感応膜にガス中の測定対象
成分が付着した際の電極間の電気的特性の変化を測定す
るガスセンサであって、一方の電極上の感応膜の膜厚
と、他方の電極上の感応膜の膜厚が異なっているもので
ある。
【0009】2個の電極間に形成した感応膜の膜厚を一
方の電極上と他方の電極上とで異ならせることにより、
感応膜の表面に凹凸が形成される。その結果、試料ガス
と感応膜の接触面積を増大させることができる。
【0010】
【実施例】本発明による一実施例を図1及び図2を参照
して説明する。図1は、本実施例のガスセンサのセンサ
基板を表す図であり、(A)は上面図、(B)は(A)
のA−A線に沿った断面図である。図2は、図1のA−
A線に沿った、本実施例のガスセンサの製造工程を表す
断面図である。
【0011】厚さが200μmのシリコンウェハ1に、
絶縁酸化膜(膜厚が例えば5000Å)及びその上のチ
タン膜(膜厚が例えば1000Å)を介して、金膜(膜
厚が例えば500Å)が形成されて、櫛形部の櫛歯の対
向幅が150μmとなる2個の櫛形電極3a,3b及び
それにつながるそれぞれの端子5a,5bが形成されて
いる。シリコンウェハ9、電極3a,3b及び端子5
a,5bによりセンサ基板7が構成される。(図1)
【0012】対向する電極3a,3b上及び電極間の基
板1上に、例えばチオフェンポリマーからなる感応膜9
が形成されている。電極3a上の感応膜9の膜厚は、電
極b上の感応膜9の膜厚より厚く形成されている。セン
サ基板7及び感応膜9によりガスセンサが構成される
(図2(B))。このガスセンサは、試料ガスと感応膜
9が接触することによって感応膜9の電気抵抗値が変化
することを利用し、端子5a,5b間の電気抵抗値を測
定することにより測定対象成分を検知する。
【0013】次に、この実施例の感応膜9の作成過程を
説明する。溶媒にアセトニトリルを用い、その溶媒にチ
オフェンモノマーを0.5モル/リットルの濃度で加
え、さらに電解質としてテトラフルオロホウ酸テトラエ
チルアンモニウムを0.02モル/リットルの濃度で加
えたものを電解重合用の溶液として用意する。その溶液
に電極3a,3bが浸かるようにウェハ1を浸し、さら
に比較電極も浸す。
【0014】まず、電極3aに、比較電極に対して例え
ば1.2Vの電圧を3分間印加し、電極3a上及び電極
3a周辺のウェハ1上に、感応膜となる1μm程度のチ
オフェンポリマー9を成膜させる(図2(A))。次
に、両方の電極3a,3bに、比較電極に対して例えば
1.2Vの電圧を3分間印加し、両方の電極3a,3b
で成膜を行ない、電極3b上及び電極3b周辺のウェハ
上に1μm程度のチオフェンポリマー9を成膜させ、電
極3a上及び電極3a周辺のウェハ上の前工程で形成し
たチオフェンポリマー9上にさらに1μm程度のチオフ
ェンポリマー9を成膜させる(図2(B))。
【0015】このような工程によると、チオフェンポリ
マーからなる感応膜9の電極3a上での膜厚は2μm程
度であり、電極3b上での膜厚は1μm程度であるの
で、感応膜9の表面は凹凸になる。その結果、同じ電極
面積の場合、従来のガスセンサに比べて電極上及び電極
間に形成される感応膜の表面積が大きくなるので、高感
度化できる。
【0016】
【発明の効果】本発明のガスセンサは、絶縁基板表面に
形成した2個の電極間に、導電性高分子からなる感応膜
を設け、その感応膜にガス中の測定対象成分が付着した
際の電極間の電気的特性の変化を測定するガスセンサで
あって、一方の電極上の感応膜の膜厚と、他方の電極上
の感応膜の膜厚が異なり、感応膜の表面は凹凸になって
いるので、従来のガスセンサに比べて試料ガスと感応膜
の接触面積が増大し、ガスセンサを高感度化することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 一実施例のガスセンサのセンサ基板を表す図
であり、(A)は上面図、(B)は(A)のA−A線に
沿った断面図である。
【図2】 図1(A)のA−A線に沿った、本実施例の
ガスセンサの製造工程を表す断面図である。
【符号の説明】
1 シリコンウェハ 3a,3b 櫛形電極 5a,5b 端子 7 ガスセンサ基板 9 感応膜
フロントページの続き (72)発明者 九山 浩樹 京都府京都市中京区西ノ京桑原町1番地 株式会社島津製作所三条工場内 (72)発明者 喜多 純一 京都府京都市中京区西ノ京桑原町1番地 株式会社島津製作所三条工場内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板表面に形成した2個の電極間
    に、導電性高分子からなる感応膜を設け、その感応膜に
    ガス中の測定対象成分が付着した際の電極間の電気的特
    性の変化を測定するガスセンサにおいて、 一方の電極上の感応膜の膜厚と、他方の電極上の感応膜
    の膜厚とが異なっていることを特徴とするガスセンサ。
JP10812498A 1998-04-17 1998-04-17 ガスセンサ Pending JPH11304743A (ja)

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JP10812498A JPH11304743A (ja) 1998-04-17 1998-04-17 ガスセンサ

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JP10812498A JPH11304743A (ja) 1998-04-17 1998-04-17 ガスセンサ

Publications (1)

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JPH11304743A true JPH11304743A (ja) 1999-11-05

Family

ID=14476551

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10812498A Pending JPH11304743A (ja) 1998-04-17 1998-04-17 ガスセンサ

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JP (1) JPH11304743A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006501344A (ja) * 2002-10-01 2006-01-12 シエル・インターナシヨネイル・リサーチ・マーチヤツピイ・ベー・ウイ 潤滑油の識別システム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006501344A (ja) * 2002-10-01 2006-01-12 シエル・インターナシヨネイル・リサーチ・マーチヤツピイ・ベー・ウイ 潤滑油の識別システム

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