JPH11298020A - Thin-film solar cell module - Google Patents

Thin-film solar cell module

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JPH11298020A
JPH11298020A JP10097519A JP9751998A JPH11298020A JP H11298020 A JPH11298020 A JP H11298020A JP 10097519 A JP10097519 A JP 10097519A JP 9751998 A JP9751998 A JP 9751998A JP H11298020 A JPH11298020 A JP H11298020A
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JP
Japan
Prior art keywords
thin
solar cell
film solar
electrode layer
photoelectric conversion
Prior art date
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Application number
JP10097519A
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Japanese (ja)
Inventor
Hajime Saito
肇 齋藤
Hisashi Hayakawa
尚志 早川
Katsuhiko Nomoto
克彦 野元
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin-film solar cell module, in which lighting and design are improved by covering a second electrode layer side with a backside sealing compound to form a solar cell module, by considering maximum planar area of a photoelectric conversion layer and a second electrode layer to be specific with respect to the output surface of a substrate, and by constructing the backside sealing compound with a transparent material. SOLUTION: First electrode layers 11-13 are formed on a transparent insulating substrate 3, and photoelectric conversion layers 21-23 are prepared on first electrode layers 11-13, respectively. Next, second electrode layers 31-33 are formed on photoelectric conversion layers 21-23 to form thin-film solar cell, respectively. EVA (ethylene-vinyl rotate copolymer) resin 2 is coated on a tempered glass 1 of surface plastic material, and is further coated with photo- detecting surface of the thin-film solar cells. EVA resin 4 and backside transparent sealing material are formed sequentially on the second electrode layer side 31-33 to form a thin-film solar cell module. It is so constituted that the maximum planar area of the photoelectric layers 21-23 and the second electrode layers 31-33 is 90-30% of the surface area of the transparent insulating film 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜太陽電池モジ
ュールに関する。更に詳しくは、本発明は、採光性及び
デザイン性に優れた薄膜太陽電池モジュールに関する。
[0001] The present invention relates to a thin-film solar cell module. More specifically, the present invention relates to a thin-film solar cell module having excellent lighting and design.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、実開昭60−63958号公
報、特開平5−315631号公報及び特開平8−83
923号公報には、一般的な薄膜太陽電池モジュールが
記載されている。一般的な薄膜太陽電池モジュール10
0の概略斜視図を図13に、図13のG−G’方向の概
略断面図を図14に示す。図13及び図14を用いて薄
膜太陽電池モジュールの製造方法を以下に説明する。
2. Description of the Related Art For example, Japanese Unexamined Utility Model Publication No. Sho 60-63958, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei.
No. 923 describes a general thin-film solar cell module. General thin-film solar cell module 10
13 is a schematic perspective view of FIG. 13, and FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of FIG. A method for manufacturing a thin-film solar cell module will be described below with reference to FIGS.

【0003】最初に、絶縁性基板8のほぼ全面に第1電
極層を形成する。図14の場合、絶縁性基板8側より光
を入射させるため、第1電極層は透明材料から構成され
る。透明材料としては、SnO2 、ZnO、ITO等が
よく用いられる。次に、第1電極層にパターニングを施
す。図14の場合、10mm前後のピッチで100μm
程度の幅の直線状の分割溝201、202及び203を
設ける。パターニングの方法としては、化学的エッチン
グ法、機械的ケガキ法等が用いられる。また、上記の方
法では、第1電極層を基板全面に形成したのちに、パタ
ーニングを施しているが、マスクを介して積層すること
によって、成膜とパターニングを同時に行う方法もあ
る。パターニングにより、第1電極層は短冊状の複数の
第1電極層101、102及び103に分割される。
[0003] First, a first electrode layer is formed on almost the entire surface of the insulating substrate 8. In the case of FIG. 14, the first electrode layer is made of a transparent material so that light is incident from the insulating substrate 8 side. As the transparent material, SnO 2 , ZnO, ITO and the like are often used. Next, the first electrode layer is patterned. In the case of FIG. 14, 100 μm at a pitch of about 10 mm
Linear dividing grooves 201, 202, and 203 having a width of about 1 mm are provided. As a patterning method, a chemical etching method, a mechanical marking method, or the like is used. In the above method, patterning is performed after forming the first electrode layer on the entire surface of the substrate. However, there is also a method in which film formation and patterning are performed simultaneously by laminating through a mask. By patterning, the first electrode layer is divided into a plurality of strip-shaped first electrode layers 101, 102, and 103.

【0004】次に、第1電極層の上に、1層又は複数層
からなる光電変換層を、絶縁性基板のほぼ全面にわたっ
て成膜する。この成膜により、分割溝201、202及
び203も光電変換層で埋められる。その後、光電変換
層にパターニングを施す。図14の場合、分割溝と平行
に、かつ該分割溝から100μm程度の間隔をあけて、
100μm程度の幅の直線状の分割溝211、212及
び213を設ける。これにより、光電変換層は、短冊状
の複数の光電変換層111、112及び113に分割さ
れる。パターニングの方法としては、化学的エッチング
法、機械的ケガキ法等が用いられる。また、マスクを介
して積層してもよい。
Next, on the first electrode layer, a photoelectric conversion layer composed of one or more layers is formed over substantially the entire surface of the insulating substrate. With this film formation, the division grooves 201, 202, and 203 are also filled with the photoelectric conversion layer. After that, the photoelectric conversion layer is patterned. In the case of FIG. 14, in parallel with the dividing groove and at an interval of about 100 μm from the dividing groove,
Linear dividing grooves 211, 212 and 213 having a width of about 100 μm are provided. Thereby, the photoelectric conversion layer is divided into a plurality of strip-shaped photoelectric conversion layers 111, 112, and 113. As a patterning method, a chemical etching method, a mechanical marking method, or the like is used. Further, the layers may be stacked via a mask.

【0005】次に、光電変換層の上に、第2電極層を基
板上のほぼ全面に形成する。第2電極層は、反射により
光を有効に活用するため、Ag、Alといった反射率の
高い金属薄膜が用いられる。その後、第2電極層にパタ
ーニングを施す。図14の場合、光電変換層の分割溝と
平行に、かつ該分割溝から100μm程度の間隔をあけ
て、100μm程度の幅の直線状の分割溝221、22
2及び223を設けるようなパターニングを行う。これ
により、第2電極層は短冊状の複数の第2電極層12
1、122及び123に分割される。パターニングの方
法としては、化学的エッチング法、機械的ケガキ法等が
用いられる。また、マスクを介して積層してもよい。
Next, a second electrode layer is formed on substantially the entire surface of the substrate on the photoelectric conversion layer. As the second electrode layer, a metal thin film having high reflectivity such as Ag or Al is used in order to effectively utilize light by reflection. After that, the second electrode layer is patterned. In the case of FIG. 14, linear division grooves 221 and 22 having a width of about 100 μm are parallel to the division grooves of the photoelectric conversion layer and at an interval of about 100 μm from the division grooves.
Patterning is performed to provide 2 and 223. As a result, the second electrode layer becomes a plurality of strip-shaped second electrode layers 12.
1, 122 and 123. As a patterning method, a chemical etching method, a mechanical marking method, or the like is used. Further, the layers may be stacked via a mask.

【0006】上記のような成膜及びパターニングを行う
ことによって、各々対応する第1電極層、光電変換層及
び第2電極層が積層され、薄膜太陽電池セルが形作られ
る。また、第1電極層、光電変換層及び第2電極層が段
階状に形成され、分割溝211、212及び213には
第2電極層が充填されている。そのため個々の薄膜太陽
電池セルの第1電極層が、隣接する薄膜太陽電池セルの
第2電極層と接続されるので、複数の薄膜太陽電池セル
が、相互に直列接続されることになる。
[0006] By performing the above-described film formation and patterning, the corresponding first electrode layer, photoelectric conversion layer, and second electrode layer are respectively laminated, thereby forming a thin-film solar cell. Further, the first electrode layer, the photoelectric conversion layer, and the second electrode layer are formed in a stepwise manner, and the division grooves 211, 212, and 213 are filled with the second electrode layer. Therefore, the first electrode layer of each thin-film solar cell is connected to the second electrode layer of an adjacent thin-film solar cell, so that a plurality of thin-film solar cells are connected in series with each other.

【0007】薄膜太陽電池モジュールは、上記の製造方
法で作製した薄膜太陽電池セルを、表面保護用の強化ガ
ラス6、接着剤7及び9、裏面封止材料10で封止する
ことにより得ることができる。なお、裏面封止材料に
は、一般に不透明材料が用いられる。上記の薄膜太陽電
池モジュールは、絶縁性基板全面に薄膜太陽電池セルが
形成され、かつ、不透明材料からなる裏面封止材料が用
いられているため、裏面側に透過する光の量が少なく、
原理的に採光性が乏しかった。
A thin-film solar cell module can be obtained by sealing a thin-film solar cell manufactured by the above-described manufacturing method with a tempered glass 6 for surface protection, adhesives 7 and 9, and a back sealing material 10. it can. In addition, an opaque material is generally used as the back surface sealing material. In the above-mentioned thin-film solar cell module, the thin-film solar cell is formed on the entire surface of the insulating substrate, and the back-side sealing material made of an opaque material is used, so that the amount of light transmitted to the back side is small,
Lighting was poor in principle.

【0008】採光性を改善するために、特開平5−15
259号公報には、光電変換層及び第2電極層に光が通
過する孔を開けた薄膜太陽電池モジュールが記載されて
いる。
In order to improve the daylighting properties, Japanese Patent Application Laid-Open No.
No. 259 describes a thin-film solar cell module in which a hole through which light passes is formed in the photoelectric conversion layer and the second electrode layer.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記特開平5−152
59号公報で挙げられているような、孔を設けて光を透
過させる方法では、薄膜太陽電池モジュールの形成後に
行われるため、孔の形成工程を別途設ける必要があっ
た。また、薄膜太陽電池モジュールとしてデザイン的に
変化に乏しく、単調になりがちであった。
SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-152 is disclosed.
In the method of transmitting light by providing a hole as disclosed in JP-A-59-5959, since the method is performed after the formation of the thin-film solar cell module, it is necessary to separately provide a step of forming a hole. In addition, the design of the thin-film solar cell module is poorly changed and tends to be monotonous.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、基板上に透明な第1電極層、光電変換層及び第2電
極層をこの順で積層させた複数の太陽電池セルを形成
し、更に第2電極層側上に裏面封止材料で覆って太陽電
池モジュールとし、光電変換層及び第2電極層との平面
の最大面積が基板の表面積に対し90〜30%を占め、
裏面封止材料が透光性材料からなることを特徴とする薄
膜太陽電池モジュールが提供される。
Thus, according to the present invention, a plurality of solar cells are formed by laminating a transparent first electrode layer, a photoelectric conversion layer, and a second electrode layer in this order on a substrate, Furthermore, the solar cell module is covered with the back surface sealing material on the second electrode layer side, and the maximum area of the plane with the photoelectric conversion layer and the second electrode layer occupies 90 to 30% of the surface area of the substrate,
A thin-film solar cell module is provided, wherein the back surface sealing material is made of a translucent material.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明に使用することができる基
板としては、特に限定されないが、透光性のある絶縁性
基板であることが好ましい。具体的には、板状又はフィ
ルム状のガラス基板、有機基板等が挙げられる。この基
板上には複数の薄膜太陽電池セルが形成されている。個
々の薄膜太陽電池セルは、透明な第1電極層、光電変換
層及び第2電極層がこの順で積層された構成を有してい
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The substrate that can be used in the present invention is not particularly limited, but is preferably a translucent insulating substrate. Specifically, a plate-like or film-like glass substrate, an organic substrate, and the like can be given. A plurality of thin-film solar cells are formed on the substrate. Each thin film solar cell has a configuration in which a transparent first electrode layer, a photoelectric conversion layer, and a second electrode layer are stacked in this order.

【0012】第1電極層の材料としては、特に限定され
ず、当該分野で公知の材料をいずれも使用することがで
きる。具体的には、SnO2 、ZnO、ITO等が挙げ
られる。この第1電極層は、薄膜太陽電池セル毎に設け
られ、隣接する薄膜太陽電池セルの第1電極層と分離さ
れている。第1電極層の平面形状は、該第1電極層自体
が透光性を有しているため、特に限定されない。例え
ば、ストライプ状、島状等の平面形状が挙げられる。な
お、第1電極層の厚さは通常、0.5〜1μmである。
The material of the first electrode layer is not particularly limited, and any material known in the art can be used. Specifically, SnO 2 , ZnO, ITO and the like can be mentioned. The first electrode layer is provided for each thin-film solar cell, and is separated from the first electrode layer of an adjacent thin-film solar cell. The planar shape of the first electrode layer is not particularly limited because the first electrode layer itself has a light-transmitting property. For example, a planar shape such as a stripe shape and an island shape is given. In addition, the thickness of the first electrode layer is usually 0.5 to 1 μm.

【0013】第1電極層の形成方法としては、当該分野
で公知の方法をいずれも使用することができる。例え
ば、熱CVD法、MOCVD法等が挙げられる。また、
所望の平面形状を形成する方法としては、第1電極層の
形成時に、第1電極層の形成を望まない領域を覆うマス
クを利用して形成する方法、一旦第1電極層を基板全面
に形成した後、化学的エッチング、機械的ケガキ、レー
ザー等によって分離する方法が挙げられる。なお、第1
電極層の表面には、光路長を延ばすために微細な凹凸を
形成しておいてもよい。この微細な凹凸は、薄膜太陽電
池モジュールを透過する光を適度に乱反射させ、透過す
る光による眩しさを抑制することができる。
As a method for forming the first electrode layer, any method known in the art can be used. For example, a thermal CVD method, a MOCVD method, and the like can be given. Also,
As a method of forming a desired planar shape, a method of forming a first electrode layer using a mask covering a region where formation of the first electrode layer is not desired, or forming the first electrode layer on the entire surface of the substrate once After that, a method of separating by chemical etching, mechanical marking, laser or the like may be used. The first
Fine irregularities may be formed on the surface of the electrode layer in order to extend the optical path length. The fine irregularities appropriately reflect light transmitted through the thin-film solar cell module irregularly, and can suppress glare caused by the transmitted light.

【0014】更に、第1電極層のみで薄膜太陽電池セル
に発生した電流が流れる際の電圧降下による損失が問題
になるようであれば、第1電極層上の電流の流れる経路
に沿って金属膜(例えば、Ag膜)を積層してもよい。
この金属膜は、透光性を向上させる観点から、後に形成
される光電変換層及び第2電極層の下部に形成されてい
ることが好ましい。
Further, if the loss caused by the voltage drop when the current generated in the thin-film solar cell flows only in the first electrode layer becomes a problem, the metal along the current flowing path on the first electrode layer may be problematic. Films (for example, Ag films) may be stacked.
This metal film is preferably formed below the photoelectric conversion layer and the second electrode layer, which are formed later, from the viewpoint of improving light transmission.

【0015】光電変換層の材料としては、特に限定され
ず、当該分野で公知の材料をいずれも使用することがで
きる。具体的には、単結晶シリコン、非晶質シリコン、
多結晶シリコン等が挙げられる。この内、非晶質シリコ
ンが好ましい。また、光電変換層は、通常複数層からな
り、例えばp層、i層及びn層の順で第1電極層上に形
成されている。ここで、p層には、ホウ素等の不純物
が、n層には、リン、砒素等の不純物がドーピングされ
ている。この光電変換層は、薄膜太陽電池セル毎に設け
られ、隣接する薄膜太陽電池セルの光電変換層と分離さ
れている。光電変換層の平面形状は、薄膜太陽電池モジ
ュールの平面に占める割合が90%以下になる形状であ
れば特に限定されない。例えば、ストライプ状、島状等
の平面形状が挙げられる。なお、光電変換層の厚さは通
常、0.2〜0.5μmである。
The material for the photoelectric conversion layer is not particularly limited, and any material known in the art can be used. Specifically, single crystal silicon, amorphous silicon,
Polycrystalline silicon and the like can be given. Of these, amorphous silicon is preferred. The photoelectric conversion layer is usually composed of a plurality of layers, for example, formed on the first electrode layer in the order of a p-layer, an i-layer, and an n-layer. Here, the p layer is doped with impurities such as boron, and the n layer is doped with impurities such as phosphorus and arsenic. This photoelectric conversion layer is provided for each thin-film solar cell and is separated from the photoelectric conversion layer of an adjacent thin-film solar cell. The planar shape of the photoelectric conversion layer is not particularly limited as long as it accounts for 90% or less of the plane of the thin-film solar cell module. For example, a planar shape such as a stripe shape and an island shape is given. In addition, the thickness of the photoelectric conversion layer is usually 0.2 to 0.5 μm.

【0016】光電変換層の形成方法としては、当該分野
で公知の方法をいずれも使用することができる。例え
ば、蒸着法、プラズマCVD法等が挙げられる。また、
所望の平面形状を形成する方法としては、光電変換層の
形成時に、光電変換層の形成を望まない領域を覆うマス
クを利用して形成する方法、一旦光電変換層を基板全面
に形成した後、化学的エッチング、レーザー等によって
分離する方法が挙げられる。
As a method for forming the photoelectric conversion layer, any method known in the art can be used. For example, a vapor deposition method, a plasma CVD method, and the like can be given. Also,
As a method of forming a desired planar shape, a method of forming a photoelectric conversion layer using a mask covering a region where formation of a photoelectric conversion layer is not desired, once forming the photoelectric conversion layer over the entire substrate, A method of separating by chemical etching, laser or the like can be used.

【0017】第2電極層の材料としては、特に限定され
ず、当該分野で公知の材料をいずれも使用することがで
きる。具体的には、導電性が良好で、反射率の高いA
g、Al等の金属が挙げられる。この第2電極層は、薄
膜太陽電池セル毎に設けられ、隣接する薄膜太陽電池モ
ジュールの第2電極層と分離されている。第2電極層の
平面形状は、薄膜太陽電池モジュールの平面に占める割
合が90%以下になる形状であれば特に限定されない。
例えば、ストライプ状、島状等の平面形状が挙げられ
る。なお、第2電極層の厚さは通常、0.5〜1μmで
ある。また、第2電極層は、隣接する薄膜太陽電池セル
と直列又は並列になるように第1電極層と接続してもよ
い。
The material for the second electrode layer is not particularly limited, and any material known in the art can be used. Specifically, A having high conductivity and high reflectivity
g, metals such as Al. The second electrode layer is provided for each thin-film solar cell and is separated from the second electrode layer of an adjacent thin-film solar cell module. The planar shape of the second electrode layer is not particularly limited as long as the proportion occupying 90% or less of the plane of the thin-film solar cell module.
For example, a planar shape such as a stripe shape and an island shape is given. In addition, the thickness of the second electrode layer is usually 0.5 to 1 μm. Further, the second electrode layer may be connected to the first electrode layer so as to be in series or parallel with the adjacent thin film solar cell.

【0018】第2電極層の形成方法としては、当該分野
で公知の方法をいずれも使用することができる。例え
ば、蒸着法、プラズマCVD法等が挙げられる。また、
所望の平面形状を形成する方法としては、第2電極層の
形成時に、第2電極層の形成を望まない領域を覆うマス
クを利用して形成する方法、一旦第2電極層を基板全面
に形成した後、化学的エッチング、レーザー等によって
分離する方法が挙げられる。
As a method for forming the second electrode layer, any method known in the art can be used. For example, a vapor deposition method, a plasma CVD method, and the like can be given. Also,
As a method of forming a desired planar shape, a method of forming a second electrode layer using a mask that covers a region where formation of the second electrode layer is not desired, or forming the second electrode layer once on the entire surface of the substrate After that, a method of separating by chemical etching, laser or the like may be used.

【0019】次に、本発明では、上記第2電極層側は、
接着剤を介して裏面封止材料で覆われている。この裏面
封止材料は、透光性材料からなる。従って、薄膜太陽電
池モジュールの採光性が妨げられることはない。ここ
で、透光性材料としては、例えば、ガラス、フッ素系樹
脂等が挙げられる。裏面封止材料を固定するための接着
剤は、透光性が良好であれば特に限定されない。例え
ば、エチレンビニルアセテート(EVA)樹脂等が挙げ
られる。
Next, in the present invention, the second electrode layer side
It is covered with a back surface sealing material via an adhesive. This back surface sealing material is made of a translucent material. Therefore, the lighting performance of the thin-film solar cell module is not hindered. Here, examples of the light-transmitting material include glass and fluorine-based resin. The adhesive for fixing the back surface sealing material is not particularly limited as long as it has good translucency. For example, ethylene vinyl acetate (EVA) resin and the like can be mentioned.

【0020】なお、基板側を保護するために接着剤を介
して強化ガラス等で覆ってもよい。更に、薄膜太陽電池
セルは、隣接するセルと直列及び/又は並列に接続され
ていてもよい。また、薄膜太陽電池モジュールは、任意
の数の薄膜太陽電池セルを1つのグループとして、該グ
ループを複数個備えていてもよい。この場合、グループ
内のセル間の接続は直列であることが好ましい。更に、
グループ間の接続が第1電極層により、直列及び/又は
並列に接続されていてもよい。
The substrate may be covered with a tempered glass or the like via an adhesive to protect the substrate. Furthermore, the thin-film solar cells may be connected in series and / or in parallel with adjacent cells. Further, the thin-film solar cell module may include an arbitrary number of thin-film solar cells as one group and a plurality of groups. In this case, the connection between cells in the group is preferably in series. Furthermore,
The connection between the groups may be connected in series and / or in parallel by the first electrode layer.

【0021】このように本発明の薄膜太陽電池モジュー
ルは、薄膜太陽電池セルを構成する光電変換層及び第2
電極層との平面の最大面積が基板の表面積に対し90〜
30%となっている。従って、採光性に優れた薄膜太陽
電池モジュールである。ここで、平面の最大面積とは、
光電変換層と第2電極層の平面の面積の合計値から両層
の重なり部分の平面の面積を引いた値を意味する。な
お、発電効率と採光性の兼ね合いから、光電変換層及び
第2電極層の平面の最大面積は、基板の表面積に対し9
0〜70%であることが好ましい。
As described above, the thin-film solar cell module of the present invention comprises the photoelectric conversion layer and the second
The maximum area of the plane with the electrode layer is 90 to the surface area of the substrate.
It is 30%. Therefore, it is a thin-film solar cell module excellent in daylighting properties. Here, the maximum area of the plane is
It means a value obtained by subtracting the area of the plane of the overlapping portion of the two layers from the total value of the area of the plane of the photoelectric conversion layer and the second electrode layer. In addition, the maximum area of the plane of the photoelectric conversion layer and the second electrode layer is set to 9
Preferably it is 0-70%.

【0022】[0022]

【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。 実施例1 以下に本発明の実施例を図1〜3に基づき説明する。
1.1mmの厚さのガラス基板3からなる透光性絶縁性
基板上に、メタルマスクを介して、膜厚約3μmのSn
2 (透明材料)からなる第1電極層11、12及び1
3を熱CVD法で成膜した。第1電極層11、12及び
13は、30mmのピッチで、約100μmの幅の直線
状の分割溝により互いに絶縁されるように形成した。更
に、第1電極層には、光路長を延ばす目的で、その表面
に微細な凹凸を形成した。
The present invention will be specifically described below with reference to examples. Embodiment 1 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
On a translucent insulating substrate made of a glass substrate 3 having a thickness of 1.1 mm, an approximately 3 μm thick Sn
First electrode layers 11, 12 and 1 made of O 2 (transparent material)
3 was formed by a thermal CVD method. The first electrode layers 11, 12 and 13 were formed at a pitch of 30 mm so as to be insulated from each other by linear dividing grooves having a width of about 100 μm. Further, fine irregularities were formed on the surface of the first electrode layer for the purpose of extending the optical path length.

【0023】次に、各々の第1電極層上に、光電変換層
21、22及び23をマスクを介してプラズマCVD法
によって堆積させた。これら光電変換層は、図2に示す
ように、図1のA−A’方向において適当な間隙を設け
て形成した。光電変換層は非晶質シリコンからなり、基
板上にp層、i層及びn層の順で形成した。また、光電
変換層21、22及び23の幅を10mmとし、光電変
換層の各層の厚さを約500nmとした。
Next, on each of the first electrode layers, photoelectric conversion layers 21, 22 and 23 were deposited by a plasma CVD method via a mask. As shown in FIG. 2, these photoelectric conversion layers were formed with an appropriate gap in the AA ′ direction of FIG. The photoelectric conversion layer was made of amorphous silicon, and was formed on the substrate in the order of p-layer, i-layer, and n-layer. The width of the photoelectric conversion layers 21, 22, and 23 was 10 mm, and the thickness of each layer of the photoelectric conversion layer was about 500 nm.

【0024】次に、各々の光電変換層上に、第2電極層
31、32及び33をマスクを介してスパッタリング法
もしくは蒸着法によって堆積させた。第2電極層31、
32及び33は、幅10mm、膜厚500nmのAgか
らなる。このようにすることで、図1で示すように、ガ
ラス基板3上に薄膜太陽電池セルを、隣接する他のセル
と、間隔をあけて形成することができた。更に、セル間
は、第1電極層によって相互に接続した。
Next, the second electrode layers 31, 32 and 33 were deposited on each photoelectric conversion layer by a sputtering method or a vapor deposition method via a mask. A second electrode layer 31,
32 and 33 are made of Ag having a width of 10 mm and a film thickness of 500 nm. By doing so, as shown in FIG. 1, the thin-film solar battery cells could be formed on the glass substrate 3 at an interval from other adjacent cells. Further, the cells were interconnected by a first electrode layer.

【0025】次に、上記の方法で作製した薄膜太陽電池
セルを用いて、薄膜太陽電池モジュールを以下のように
作成した。表面保護材料として、薄膜太陽電池セルのガ
ラス基板3より若干大きなサイズの、厚さ3.2mmの
強化ガラス1の上に、強化ガラス1と同じ大きさのEV
A樹脂2を置き、さらにその上に薄膜太陽電池セルをガ
ラス基板面(受光面)を下にして置いた。薄膜太陽電池
セルの出力を、モジュールの両端から取りだせるように
セルにリード線を付けた後、強化ガラス1と同じ大きさ
のEVA4、透光性の裏面保護フィルム(裏面封止材
料)5を重ねた。次いで、ラミネート装置に入れ、各部
材間の脱気を行いながら熱癒着させた。このようにし
て、図1に示す薄膜太陽電池モジュール100を得るこ
とができた。
Next, a thin-film solar cell module was prepared as follows using the thin-film solar cells manufactured by the above method. As a surface protection material, an EV having the same size as the tempered glass 1 is placed on a 3.2 mm-thick tempered glass 1 slightly larger than the glass substrate 3 of the thin-film solar cell.
A resin 2 was placed, and a thin-film solar cell was placed thereon with the glass substrate surface (light receiving surface) facing down. After attaching a lead wire to the cell so that the output of the thin-film solar cell can be taken out from both ends of the module, an EVA 4 having the same size as the tempered glass 1 and a light-transmitting back protective film (back sealing material) 5 are provided. Stacked. Next, it was put in a laminating apparatus and heat-bonded while performing degassing between the members. Thus, the thin-film solar cell module 100 shown in FIG. 1 was obtained.

【0026】なお、実施例1の場合、光電変換層及び第
2電極層のモジュールの平面の最大面積は、34%であ
った。また、透過光は第1電極層の凹凸によって適度に
乱反射されるため、透過光による眩しさを抑えることが
できた。上記薄膜太陽電池モジュールは、AM1.5の
照射光下において、有効発電面積で換算して、Jsc=
15.0mA/cm2 、Voc(薄膜太陽電池セル1枚
当たり)=0.90V、F.F.=0.72、Pmax
=9.5mW/cm2 、光電変換率=9.5%であっ
た。実施例1の薄膜太陽電池モジュールは、優れた透光
性とデザイン性を有することがわかった。
In the case of Example 1, the maximum area of the photoelectric conversion layer and the second electrode layer in the plane of the module was 34%. Further, the transmitted light is appropriately irregularly reflected by the unevenness of the first electrode layer, so that glare caused by the transmitted light could be suppressed. The above thin-film solar cell module is converted into an effective power generation area under the irradiation light of AM1.5 to obtain Jsc =
15.0 mA / cm 2 , Voc (per thin-film solar cell) = 0.90 V, F.V. F. = 0.72, Pmax
= 9.5 mW / cm 2 , and the photoelectric conversion rate was 9.5%. It was found that the thin-film solar cell module of Example 1 had excellent translucency and design.

【0027】実施例2 以下に本発明の実施例を図4〜6に基づき説明する。実
施例1と同様にガラス基板3上に、第1電極層41、4
2及び43をメタルマスクを介して形成した。
Embodiment 2 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. The first electrode layers 41 and 4 are formed on the glass substrate 3 as in the first embodiment.
2 and 43 were formed via a metal mask.

【0028】次に、実施例1と同様にして、各々の第1
電極層上に、光電変換層51、52及び53をマスクを
介してプラズマCVD法によって堆積させた。但し、光
電変換層は、図5及び図6に示すように、図4のC−
C’方向及びD−D’方向において適当な間隙を設けて
形成した。
Next, in the same manner as in the first embodiment, each of the first
On the electrode layer, photoelectric conversion layers 51, 52 and 53 were deposited by a plasma CVD method via a mask. However, as shown in FIG. 5 and FIG.
An appropriate gap was provided in the C ′ direction and the DD ′ direction.

【0029】次に、実施例1と同様にして、各々の光電
変換層上に、第2電極層61、62及び63をマスクを
介して堆積させた。このようにすることで、図4で示す
ように、ガラス基板3上に薄膜太陽電池セルを、隣接す
る他のセルと、間隔をあけて形成することができた。
Next, in the same manner as in Example 1, second electrode layers 61, 62 and 63 were deposited on each of the photoelectric conversion layers via a mask. In this way, as shown in FIG. 4, thin-film solar cells could be formed on the glass substrate 3 with an interval from other adjacent cells.

【0030】次に、上記の方法で作製した薄膜太陽電池
セルを用いて、薄膜太陽電池モジュールを以下のように
して作成した。表面保護材料として、薄膜太陽電池セル
のガラス基板3より若干大きなサイズの、厚さ3.2m
mの強化ガラス1の上に、強化ガラス1と同じ大きさの
EVA樹脂2を置き、さらにその上に薄膜太陽電池セル
をガラス基板面(受光面)を下にして置いた。薄膜太陽
電池セルの出力を、モジュールの両端から取りだせるよ
うにセルにリード線を付けた後、強化ガラス1と同じ大
きさのEVA4、透光性の裏面保護フィルム(裏面封止
材料)5を重ねた。次いで、ラミネート装置に入れ、各
部材間の脱気を行いながら熱癒着させた。このようにし
て、図4に示すような薄膜太陽電池モジュール100を
得ることができた。
Next, a thin-film solar cell module was prepared as follows using the thin-film solar cell produced by the above method. As a surface protection material, a 3.2 m thick, slightly larger than the glass substrate 3 of the thin-film solar cell
The EVA resin 2 having the same size as the tempered glass 1 was placed on the tempered glass 1 of m, and the thin-film solar cell was further placed thereon with the glass substrate surface (light receiving surface) facing down. After attaching a lead wire to the cell so that the output of the thin-film solar cell can be taken out from both ends of the module, an EVA 4 having the same size as the tempered glass 1 and a light-transmitting back protective film (back sealing material) 5 are provided. Stacked. Next, it was put in a laminating apparatus and heat-bonded while performing degassing between the members. Thus, a thin-film solar cell module 100 as shown in FIG. 4 was obtained.

【0031】上記薄膜太陽電池モジュールは、AM1.
5の照射光下において、有効発電面積で換算して、Js
c=15.0mA/cm2 、Voc(薄膜太陽電池セル
1枚当たり)=0.90V、F.F.=0.72、Pm
ax=9.5mW/cm2 、光電変換効率=9.5%で
あった。実施例2の薄膜太陽電池モジュールは、実施例
1のモジュールに比べ、更に優れた透光性を有してい
た。
The above-mentioned thin-film solar cell module has the AM1.
Under the irradiation light of No. 5, Js
c = 15.0 mA / cm 2 , Voc (per thin-film solar cell) = 0.90 V, F.C. F. = 0.72, Pm
ax = 9.5 mW / cm 2 , and photoelectric conversion efficiency = 9.5%. The thin-film solar cell module of Example 2 had better translucency than the module of Example 1.

【0032】実施例3 以下に本発明の実施例を図7〜9に基づき説明する。実
施例1と同様にガラス基板3上に、第1電極層71、7
2、73、74、75及び76をメタルマスクを介して
形成した。但し、これら第1電極層71、72、73、
74、75及び76は図9に示すように、図7のF−
F’方向において適当な間隙を設けるようにして形成し
た。
Embodiment 3 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. The first electrode layers 71 and 7 are formed on the glass substrate 3 as in the first embodiment.
2, 73, 74, 75 and 76 were formed via a metal mask. However, these first electrode layers 71, 72, 73,
74, 75 and 76, as shown in FIG.
It was formed so as to provide an appropriate gap in the F 'direction.

【0033】次に、実施例1と同様にして、各々の第1
電極層上に、光電変換層81、82、83、84、85
及び86をマスクを介してプラズマCVD法によって堆
積させた。但し、光電変換層は図8及び図9に示すよう
に、図7のF−F’及びE−E’方向において適当な間
隙を設けて形成した。
Next, in the same manner as in the first embodiment, each of the first
On the electrode layers, the photoelectric conversion layers 81, 82, 83, 84, 85
And 86 were deposited by a plasma CVD method through a mask. However, as shown in FIGS. 8 and 9, the photoelectric conversion layer was formed with an appropriate gap provided in the FF ′ and EE ′ directions in FIG.

【0034】次に、実施例1と同様にして、各々の光電
変換層上に、第2電極層91、92、93、94、95
及び96をマスクを介して堆積させた。このようにする
ことで、図7で示すように、ガラス基板3上に3つの薄
膜太陽電池セルが集積した複数のグループを形成するこ
とができ、隣接するグループ間には所定の間隔が形成さ
れている。
Next, the second electrode layers 91, 92, 93, 94, 95 are formed on the respective photoelectric conversion layers in the same manner as in the first embodiment.
And 96 were deposited through a mask. In this way, as shown in FIG. 7, a plurality of groups in which three thin-film solar cells are integrated on the glass substrate 3 can be formed, and a predetermined interval is formed between adjacent groups. ing.

【0035】次に、上記の方法で作製した薄膜太陽電池
セルを用いて、薄膜太陽電池モジュールを以下のように
して作成した。表面保護材料として、薄膜太陽電池セル
のガラス基板3より若干大きなサイズの、厚さ3.2m
mの強化ガラス1の上に、強化ガラス1と同じ大きさの
EVA樹脂2を置き、さらにその上に薄膜太陽電池セル
をガラス基板面(受光面)を下にして置いた。薄膜太陽
電池セルの出力を、モジュールの両端から取りだせるよ
うにセルにリード線を付けた後、強化ガラス1と同じ大
きさのEVA4、透光性の裏面保護フィルム(裏面封止
材料)5を重ねた。次いで、ラミネート装置に入れ、各
部材間の脱気を行いながら熱癒着させた。このようにし
て、図7に示すような薄膜太陽電池モジュール100を
得ることができた。
Next, a thin-film solar cell module was prepared as follows using the thin-film solar cell produced by the above method. As a surface protection material, a 3.2 m thick, slightly larger than the glass substrate 3 of the thin-film solar cell
The EVA resin 2 having the same size as the tempered glass 1 was placed on the tempered glass 1 of m, and the thin-film solar cell was further placed thereon with the glass substrate surface (light receiving surface) facing down. After attaching a lead wire to the cell so that the output of the thin-film solar cell can be taken out from both ends of the module, an EVA 4 having the same size as the tempered glass 1 and a light-transmitting back protective film (back sealing material) 5 are provided. Stacked. Next, it was put in a laminating apparatus and heat-bonded while performing degassing between the members. Thus, a thin-film solar cell module 100 as shown in FIG. 7 was obtained.

【0036】上記薄膜太陽電池モジュールは、AM1.
5の照射光下において、有効発電面積で換算して、Js
c=15.0mA/cm2 、Voc(薄膜太陽電池セル
1枚当たり)=0.90V、F.F.=0.72、Pm
ax=9.5mW/cm2 、光電変換効率=9.5%で
あった。上記のプロセスによって作製された薄膜太陽電
池モジュールは、実施例2のモジュールにくらべ、更に
高電圧の出力を得ることができた。
The above thin-film solar cell module has the AM1.
Under the irradiation light of No. 5, Js
c = 15.0 mA / cm 2 , Voc (per thin-film solar cell) = 0.90 V, F.C. F. = 0.72, Pm
ax = 9.5 mW / cm 2 , and photoelectric conversion efficiency = 9.5%. The thin-film solar cell module manufactured by the above process was able to obtain a higher voltage output than the module of Example 2.

【0037】実施例4〜6 薄膜太陽電池セルの第2電極層と光電変換層の平面形状
を図10(実施例4)、11(実施例5)、12(実施
例6)の形状にすること以外は実施例1と同様にして、
薄膜太陽電池モジュール100を形成した。得られた薄
膜太陽電池モジュールは、透光性に優れているだけでな
く、デザイン性も優れていた。
Examples 4 to 6 The planar shapes of the second electrode layer and the photoelectric conversion layer of the thin-film solar cell are changed to the shapes shown in FIGS. 10 (Example 4), 11 (Example 5) and 12 (Example 6). Except that, in the same manner as in Example 1,
A thin-film solar cell module 100 was formed. The obtained thin-film solar cell module was not only excellent in translucency, but also excellent in design.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明によれば、採光性に優れた薄膜太
陽電池モジュールを得ることができる。更に、薄膜太陽
電池セルの第2電極層と光電変換層を所望の形状にパタ
ーニングすることができるので、本発明の薄膜太陽電池
モジュールはデザイン性にも優れている。
According to the present invention, it is possible to obtain a thin-film solar cell module excellent in daylighting properties. Furthermore, since the second electrode layer and the photoelectric conversion layer of the thin-film solar cell can be patterned into a desired shape, the thin-film solar cell module of the present invention is excellent in design.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の薄膜太陽電池モジュールの概略平面図
である。
FIG. 1 is a schematic plan view of a thin-film solar cell module according to the present invention.

【図2】図1の薄膜太陽電池モジュールのA−A’方向
の概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the thin-film solar cell module of FIG. 1 taken along the line AA ′.

【図3】図1の薄膜太陽電池モジュールのB−B’方向
の概略断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the thin-film solar cell module of FIG. 1 taken along the line BB ′.

【図4】本発明の薄膜太陽電池モジュールの概略平面図
である。
FIG. 4 is a schematic plan view of the thin-film solar cell module of the present invention.

【図5】図4の薄膜太陽電池モジュールのC−C’方向
の概略断面図である。
5 is a schematic cross-sectional view of the thin-film solar cell module of FIG. 4 taken along the line CC ′.

【図6】図4の薄膜太陽電池モジュールのD−D’方向
の概略断面図である。
6 is a schematic cross-sectional view of the thin-film solar cell module of FIG. 4 taken along the line DD ′.

【図7】本発明の薄膜太陽電池モジュールの概略平面図
である。
FIG. 7 is a schematic plan view of the thin-film solar cell module of the present invention.

【図8】図7の薄膜太陽電池モジュールのE−E’方向
の概略断面図である。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the thin-film solar cell module of FIG. 7 in the EE ′ direction.

【図9】図7の薄膜太陽電池モジュールのF−F’方向
の概略断面図である。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the thin-film solar cell module of FIG. 7 in the FF ′ direction.

【図10】本発明の薄膜太陽電池モジュールの概略平面
図である。
FIG. 10 is a schematic plan view of a thin-film solar cell module according to the present invention.

【図11】本発明の薄膜太陽電池モジュールの概略平面
図である。
FIG. 11 is a schematic plan view of a thin-film solar cell module according to the present invention.

【図12】本発明の薄膜太陽電池モジュールの概略平面
図である。
FIG. 12 is a schematic plan view of the thin-film solar cell module of the present invention.

【図13】従来の薄膜太陽電池モジュールの概略平面図
である。
FIG. 13 is a schematic plan view of a conventional thin-film solar cell module.

【図14】図13の薄膜太陽電池モジュールのG−G’
方向の概略断面図である。
FIG. 14 is GG ′ of the thin-film solar cell module of FIG.
It is a schematic sectional drawing of a direction.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、6 強化ガラス 2、4、7、9 EVA樹脂 3、8 ガラス基板 5、10 裏面封止材料 11、12、13、41、42、43、71、72、7
3、74、75、76、101、102、103 第1
電極層 21、22、23、51、52、53、81、82、8
3、84、85、86、111、112、113 光電
変換層 31、32、33、61、62、63、91、92、9
3、94、95、96、121、122、123 第2
電極層 100 薄膜太陽電池セル 201、202、203、211、212、213、2
21、222、223分割部
1,6 Tempered glass 2,4,7,9 EVA resin 3,8 Glass substrate 5,10 Back sealing material 11,12,13,41,42,43,71,72,7
3, 74, 75, 76, 101, 102, 103 First
Electrode layers 21, 22, 23, 51, 52, 53, 81, 82, 8
3, 84, 85, 86, 111, 112, 113 Photoelectric conversion layers 31, 32, 33, 61, 62, 63, 91, 92, 9
3, 94, 95, 96, 121, 122, 123 Second
Electrode layer 100 Thin-film solar cell 201, 202, 203, 211, 212, 213, 2
21, 222, 223 division unit

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に透明な第1電極層、光電変換層
及び第2電極層をこの順で積層させた複数の太陽電池セ
ルを形成し、更に第2電極層側上に裏面封止材料で覆っ
て太陽電池モジュールとし、光電変換層及び第2電極層
との平面の最大面積が基板の表面積に対し90〜30%
を占め、裏面封止材料が透光性材料からなることを特徴
とする薄膜太陽電池モジュール。
1. A plurality of solar cells in which a transparent first electrode layer, a photoelectric conversion layer, and a second electrode layer are stacked in this order on a substrate, and a back surface sealing on the second electrode layer side. The solar cell module is covered with a material, and the maximum area of the plane with the photoelectric conversion layer and the second electrode layer is 90 to 30% of the surface area of the substrate.
Wherein the back surface sealing material is made of a translucent material.
【請求項2】 太陽電池モジュールが、複数の薄膜太陽
電池セルからなるグループを複数備え、グループ内の薄
膜太陽電池セルが相互に直列で接続されている請求項1
のモジュール。
2. The solar cell module includes a plurality of groups each including a plurality of thin-film solar cells, and the thin-film solar cells in the group are connected to each other in series.
Module.
【請求項3】 グループが、隣接する他のグループと透
明電極により直列又は並列で接続されている請求項2の
モジュール。
3. The module according to claim 2, wherein the group is connected to another adjacent group in series or in parallel by a transparent electrode.
【請求項4】 光電変換層が、1層又は複数層からなる
請求項1〜3のいずれか1つのモジュール。
4. The module according to claim 1, wherein the photoelectric conversion layer comprises one layer or a plurality of layers.
【請求項5】 光電変換層が、非結晶シリコンを主成分
として含む請求項1〜4のいずれか1つのモジュール。
5. The module according to claim 1, wherein the photoelectric conversion layer contains amorphous silicon as a main component.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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