JPH11297521A - ナノ結晶高磁歪合金ならびにそれを用いたセンサー - Google Patents
ナノ結晶高磁歪合金ならびにそれを用いたセンサーInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 盗難防止センサ、識別センサ、応力センサ、
圧力センサ、ショックセンサ等各種センサ−や超音波振
動子等に好適なナノ結晶高磁歪合金ならびにそれを用い
た高性能で信頼性に優れたセンサーを提供する。 【解決手段】 一般式：（Ｆｅ1-aＭa）100-y-zＭ’
yＸ’z（原子％）で表され、式中ＭはＮｉ，Ｃｏから選
ばれた少なくとも１種の元素、Ｍ’はＴｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗからなる群から選ばれた
少なくとも１種の元素、Ｘ’はＳｉおよびＢからなる群
から選ばれた少なくとも１種の元素であり、ａ、ｙおよ
びｚはそれぞれ０．０５≦ａ≦０．５、１≦ｙ≦１０、
４≦ｚ≦３０を満足する数で表され、アモルファス母相
中に平均粒径１００ｎｍ以下の結晶粒が分散しており、
かつ飽和磁歪定数λｓが＋１０×１０-6以上のナノ結晶
高磁歪合金。
圧力センサ、ショックセンサ等各種センサ−や超音波振
動子等に好適なナノ結晶高磁歪合金ならびにそれを用い
た高性能で信頼性に優れたセンサーを提供する。 【解決手段】 一般式：（Ｆｅ1-aＭa）100-y-zＭ’
yＸ’z（原子％）で表され、式中ＭはＮｉ，Ｃｏから選
ばれた少なくとも１種の元素、Ｍ’はＴｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗからなる群から選ばれた
少なくとも１種の元素、Ｘ’はＳｉおよびＢからなる群
から選ばれた少なくとも１種の元素であり、ａ、ｙおよ
びｚはそれぞれ０．０５≦ａ≦０．５、１≦ｙ≦１０、
４≦ｚ≦３０を満足する数で表され、アモルファス母相
中に平均粒径１００ｎｍ以下の結晶粒が分散しており、
かつ飽和磁歪定数λｓが＋１０×１０-6以上のナノ結晶
高磁歪合金。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、盗難防止センサ、
識別センサ、応力センサ、圧力センサ、ショックセンサ
等各種センサ−や超音波振動子等に好適なナノ結晶高磁
歪合金ならびにそれを用いた高性能で信頼性に優れたセ
ンサーに関するものである。
識別センサ、応力センサ、圧力センサ、ショックセンサ
等各種センサ−や超音波振動子等に好適なナノ結晶高磁
歪合金ならびにそれを用いた高性能で信頼性に優れたセ
ンサーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の高磁歪材料としては、結晶質のＮ
ｉ合金、Ｆｅ系のアモルファス合金やＴｂＦｅや（Ｔｂ
0.3Ｄｙ0.7）Ｆｅ2等の希土類化合物系の合金が知られ
ている。希土類合金は著しく大きな磁歪いわゆる超磁歪
を有するが、軟磁気特性が劣っているため、大きな磁界
を印加しないと磁歪が大きくならない問題があり、応用
する場合はバイアス磁界を印加するための磁石を使用し
たり大きな磁界を発生する励磁コイルと電源が必要とな
る。このため、磁歪を利用した小型センサーなどの用途
や小型アクチュエータや小型振動子等の用途には不適
で、特殊なポンプや潜水艦のソナー等特殊の用途にしか
使用されていないのが現状である。
ｉ合金、Ｆｅ系のアモルファス合金やＴｂＦｅや（Ｔｂ
0.3Ｄｙ0.7）Ｆｅ2等の希土類化合物系の合金が知られ
ている。希土類合金は著しく大きな磁歪いわゆる超磁歪
を有するが、軟磁気特性が劣っているため、大きな磁界
を印加しないと磁歪が大きくならない問題があり、応用
する場合はバイアス磁界を印加するための磁石を使用し
たり大きな磁界を発生する励磁コイルと電源が必要とな
る。このため、磁歪を利用した小型センサーなどの用途
や小型アクチュエータや小型振動子等の用途には不適
で、特殊なポンプや潜水艦のソナー等特殊の用途にしか
使用されていないのが現状である。
【０００３】ナノ結晶合金は優れた軟磁気特性を示すた
め、コモンモ−ドチョ−クコイル、高周波トランス、パ
ルストランス等の磁心に使用されている。代表的組成系
は特公平４−４３９３号公報や特開平１−２４２７５５
号公報に記載のＦｅ−Ｃｕ−（Ｎｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ）−Ｓｉ−Ｂ系合金やＦｅ−Ｃｕ−
（Ｎｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ）−Ｂ系合
金等が知られている。これらのナノ結晶合金は、通常液
相や気相から急冷しアモルファス合金とした後、これを
熱処理により微結晶化することにより製造される。軟磁
気特性が良好なナノ結晶合金の結晶粒径は１００ｎｍ以
下であり、非晶質合金にみられるような熱的不安定性が
ほとんどなく、Ｆｅ系アモルファス合金と同程度の高い
飽和磁束密度と低磁歪で優れた軟磁気特性を示すことが
知られている。
め、コモンモ−ドチョ−クコイル、高周波トランス、パ
ルストランス等の磁心に使用されている。代表的組成系
は特公平４−４３９３号公報や特開平１−２４２７５５
号公報に記載のＦｅ−Ｃｕ−（Ｎｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ）−Ｓｉ−Ｂ系合金やＦｅ−Ｃｕ−
（Ｎｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ）−Ｂ系合
金等が知られている。これらのナノ結晶合金は、通常液
相や気相から急冷しアモルファス合金とした後、これを
熱処理により微結晶化することにより製造される。軟磁
気特性が良好なナノ結晶合金の結晶粒径は１００ｎｍ以
下であり、非晶質合金にみられるような熱的不安定性が
ほとんどなく、Ｆｅ系アモルファス合金と同程度の高い
飽和磁束密度と低磁歪で優れた軟磁気特性を示すことが
知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら一般的な
ナノ結晶軟磁性合金は、前述のように磁歪が小さく、磁
歪を利用する方式の盗難防止センサ、識別センサ、応力
センサ等各種センサ−素子に使用する場合は磁歪が小さ
いことが欠点となり、これらの用途には使用されていな
かった。また、Ｆｅ系アモルファス合金は磁歪が大きく
前述の用途に適するが熱的安定性や経時変化の点で問題
がある。また、前述の希土類化合物は、磁歪が大きいが
軟磁気特性が劣っており、使用する際に大きな磁界を印
加しなければならず、用途がかなり限定されてしまう問
題点がある。
ナノ結晶軟磁性合金は、前述のように磁歪が小さく、磁
歪を利用する方式の盗難防止センサ、識別センサ、応力
センサ等各種センサ−素子に使用する場合は磁歪が小さ
いことが欠点となり、これらの用途には使用されていな
かった。また、Ｆｅ系アモルファス合金は磁歪が大きく
前述の用途に適するが熱的安定性や経時変化の点で問題
がある。また、前述の希土類化合物は、磁歪が大きいが
軟磁気特性が劣っており、使用する際に大きな磁界を印
加しなければならず、用途がかなり限定されてしまう問
題点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明者らは鋭意検討の結果、 一般式：（Ｆｅ1-aＭa）100-y-zＭ’yＸ’z（原子％）
で表され、式中ＭはＮｉ，Ｃｏから選ばれた少なくとも
１種の元素、Ｍ’はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｗからなる群から選ばれた少なくとも1種の
元素、Ｘ’はＳｉおよびＢからなる群から選ばれた少な
くとも１種の元素であり、ａ、ｙおよびｚはそれぞれ
０．０５≦ａ≦０．５、１≦ｙ≦１０、４≦ｚ≦３０を
満足する数で表され、アモルファス母相中に平均粒径１
００ｎｍ以下の結晶粒が分散しており、かつ飽和磁歪定
数λｓが＋１０×１０-6以上である合金、あるいは、
めに本発明者らは鋭意検討の結果、 一般式：（Ｆｅ1-aＭa）100-y-zＭ’yＸ’z（原子％）
で表され、式中ＭはＮｉ，Ｃｏから選ばれた少なくとも
１種の元素、Ｍ’はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｗからなる群から選ばれた少なくとも1種の
元素、Ｘ’はＳｉおよびＢからなる群から選ばれた少な
くとも１種の元素であり、ａ、ｙおよびｚはそれぞれ
０．０５≦ａ≦０．５、１≦ｙ≦１０、４≦ｚ≦３０を
満足する数で表され、アモルファス母相中に平均粒径１
００ｎｍ以下の結晶粒が分散しており、かつ飽和磁歪定
数λｓが＋１０×１０-6以上である合金、あるいは、
【０００６】一般式：（Ｆｅ1-aＭa）100-x-y-zＡxＭ’
yＸ’z（原子％）で表され、式中ＭはＮｉ、Ｃｏから選
ばれた少なくとも１種の元素、ＡはＣｕおよびＡｕから
なる群から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｍ’はＴ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗからなる群
から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｘ’はＳｉおよび
Ｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素であ
り、ａ，ｘ，ｙおよびｚはそれぞれ０．０５≦ａ≦０．
５，０＜ｘ≦３，１≦ｙ≦１０，４≦ｚ≦３０を満足す
る数で表される範囲の組成であり、アモルファス母相中
に平均粒径１００ｎｍ以下の結晶粒が分散しており、か
つ飽和磁歪定数λｓが＋１０×１０-6以上である合金が
熱的安定性に優れ、電気機械結合係数が大きくセンサー
に好適な高磁歪のナノ結晶合金を実現できることを見い
だし本発明に想到した。
yＸ’z（原子％）で表され、式中ＭはＮｉ、Ｃｏから選
ばれた少なくとも１種の元素、ＡはＣｕおよびＡｕから
なる群から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｍ’はＴ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗからなる群
から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｘ’はＳｉおよび
Ｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素であ
り、ａ，ｘ，ｙおよびｚはそれぞれ０．０５≦ａ≦０．
５，０＜ｘ≦３，１≦ｙ≦１０，４≦ｚ≦３０を満足す
る数で表される範囲の組成であり、アモルファス母相中
に平均粒径１００ｎｍ以下の結晶粒が分散しており、か
つ飽和磁歪定数λｓが＋１０×１０-6以上である合金が
熱的安定性に優れ、電気機械結合係数が大きくセンサー
に好適な高磁歪のナノ結晶合金を実現できることを見い
だし本発明に想到した。
【０００７】ＭはＣｏ，Ｎｉから選ばれた少なくとも一
種の元素であり、磁歪を増加させる効果と電気機械結合
係数を向上し、センサとしての性能を向上する効果を有
する。更に磁界中熱処理した場合、誘導磁気異方性を大
きくする効果があり、センサとしての性能をより向上す
る効果がある。Ｍ量比ａが０．０５未満では磁歪が小さ
くまた電気機械結合係数も小さくなるため好ましくな
く、０．５を超えると軟磁気特性が著しく劣化し、弱い
磁界で大きな電気機械結合係数を得ることができなくな
り好ましくない。このため、Ｍ量比ａは０．０５≦ａ≦
０．５である必要がある。より好ましくは０．１≦ａ≦
０．４である。この範囲で特に大きな磁歪と高い電気機
械結合係数が得られる。ＡはＣｕ，Ａｕから選ばれた少
なくとも１種の元素であり、熱処理後形成する結晶粒を
より微細化する効果およびより軟磁気特性を改善し、よ
り弱い磁界で最大の電気機械結合係数を得ることができ
る。Ａ量ｘが３原子％を超えると脆化が激しくなり、セ
ンサーとして使用する場合に用途が制限される。特に好
ましいｘの範囲は０．４≦ｘ≦１．５であり、この範囲
で特に弱い磁界で大きな電気機械結合係数および良好な
機械的特性が得られる。
種の元素であり、磁歪を増加させる効果と電気機械結合
係数を向上し、センサとしての性能を向上する効果を有
する。更に磁界中熱処理した場合、誘導磁気異方性を大
きくする効果があり、センサとしての性能をより向上す
る効果がある。Ｍ量比ａが０．０５未満では磁歪が小さ
くまた電気機械結合係数も小さくなるため好ましくな
く、０．５を超えると軟磁気特性が著しく劣化し、弱い
磁界で大きな電気機械結合係数を得ることができなくな
り好ましくない。このため、Ｍ量比ａは０．０５≦ａ≦
０．５である必要がある。より好ましくは０．１≦ａ≦
０．４である。この範囲で特に大きな磁歪と高い電気機
械結合係数が得られる。ＡはＣｕ，Ａｕから選ばれた少
なくとも１種の元素であり、熱処理後形成する結晶粒を
より微細化する効果およびより軟磁気特性を改善し、よ
り弱い磁界で最大の電気機械結合係数を得ることができ
る。Ａ量ｘが３原子％を超えると脆化が激しくなり、セ
ンサーとして使用する場合に用途が制限される。特に好
ましいｘの範囲は０．４≦ｘ≦１．５であり、この範囲
で特に弱い磁界で大きな電気機械結合係数および良好な
機械的特性が得られる。
【０００８】Ｍ’はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｏ，Ｗからなる群から選ばれた少なくとも１種の
元素でありアモルファス形成を促進し、熱処理により結
晶化させた際に形成する結晶粒を微細化する効果を有す
る。Ｍ’量ｙは１≦ｙ≦１０の範囲にある場合に弱い磁
界で高い電気機械結合係数を得ることができる。Ｙが１
原子%未満および１０原子%を超えると軟磁気特性が劣下
し、弱い磁界で高い電気機械結合係数が得られないため
である。特に望ましい範囲は２≦ｚ≦７であり、この範
囲で特に高い電気機械結合係数が得られる。Ｘ’はＳｉ
およびＢからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素
であり、Ｘ’量ｚは４≦ｚ≦３０の範囲である必要があ
る。Ｘ’量ｚが４原子%未満では熱処理後の合金の結晶
粒が微細化されにくく、弱い磁界で大きな電気機械結合
係数が得られず好ましくない。Ｘ’量ｚが３０原子%を
超えると、軟磁気特性が劣化し好ましくない。また、原
料から溶解中に混入する不可避不純物Ｎ，Ｏ，Ｓ等を含
む合金も本発明に含まれる。アモルファス母相中に分散
している結晶粒の平均粒径は弱い磁界で高い電気機械結
合係数を得るために１００ｎｍ以下である必要がある。
より好ましい平均粒径は５０ｎｍ以下、特に好ましくは
３０ｎｍ以下である。結晶粒の割合は特に好ましくは５
０％から１００％の体積分率であり、この範囲で特に経
時安定性や熱的安定性が優れている。
ａ，Ｍｏ，Ｗからなる群から選ばれた少なくとも１種の
元素でありアモルファス形成を促進し、熱処理により結
晶化させた際に形成する結晶粒を微細化する効果を有す
る。Ｍ’量ｙは１≦ｙ≦１０の範囲にある場合に弱い磁
界で高い電気機械結合係数を得ることができる。Ｙが１
原子%未満および１０原子%を超えると軟磁気特性が劣下
し、弱い磁界で高い電気機械結合係数が得られないため
である。特に望ましい範囲は２≦ｚ≦７であり、この範
囲で特に高い電気機械結合係数が得られる。Ｘ’はＳｉ
およびＢからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素
であり、Ｘ’量ｚは４≦ｚ≦３０の範囲である必要があ
る。Ｘ’量ｚが４原子%未満では熱処理後の合金の結晶
粒が微細化されにくく、弱い磁界で大きな電気機械結合
係数が得られず好ましくない。Ｘ’量ｚが３０原子%を
超えると、軟磁気特性が劣化し好ましくない。また、原
料から溶解中に混入する不可避不純物Ｎ，Ｏ，Ｓ等を含
む合金も本発明に含まれる。アモルファス母相中に分散
している結晶粒の平均粒径は弱い磁界で高い電気機械結
合係数を得るために１００ｎｍ以下である必要がある。
より好ましい平均粒径は５０ｎｍ以下、特に好ましくは
３０ｎｍ以下である。結晶粒の割合は特に好ましくは５
０％から１００％の体積分率であり、この範囲で特に経
時安定性や熱的安定性が優れている。
【０００９】更に、Ｍ’の一部をＣｒ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ｚ
ｎ，Ａｇ，Ｉｎ，白金属元素，Ｙ，希土類元素，Ｍｇ，
Ｃａ，Ｓｒから選ばれた少なくとも１種の元素で置換し
ても良く、耐食性を改善したり磁歪や電気機械結合係数
等を調整する効果がある。Ｘ’の一部をＰ，Ｃ，Ｇｅお
よびＧａから選ばれた少なくとも１種の元素で置換して
も良く、磁歪を調整したりすることができる。
ｎ，Ａｇ，Ｉｎ，白金属元素，Ｙ，希土類元素，Ｍｇ，
Ｃａ，Ｓｒから選ばれた少なくとも１種の元素で置換し
ても良く、耐食性を改善したり磁歪や電気機械結合係数
等を調整する効果がある。Ｘ’の一部をＰ，Ｃ，Ｇｅお
よびＧａから選ばれた少なくとも１種の元素で置換して
も良く、磁歪を調整したりすることができる。
【００１０】また望ましくは、最大の電気機械結合係数
が得られる磁界を５００Ａ／ｍ以下とすることで、励磁
するための電流を小さく出来、ひいては励磁回路を小型
化できる。また、最大の電気機械結合係数ｋmaxは、
０．３以上が望ましい。ｋmaxが０．３未満ではセンサ
ーに使用した場合、感度が低くなり好ましくない。
が得られる磁界を５００Ａ／ｍ以下とすることで、励磁
するための電流を小さく出来、ひいては励磁回路を小型
化できる。また、最大の電気機械結合係数ｋmaxは、
０．３以上が望ましい。ｋmaxが０．３未満ではセンサ
ーに使用した場合、感度が低くなり好ましくない。
【００１１】本発明材料は、通常は前記組成の溶湯を単
ロ−ル法、双ロール法、回転液中紡糸法、水アトマイズ
法、ガスアトマイズ法等の超急冷法により急冷あるいは
蒸着法、スパッタ法等の気相急冷法、メッキ法等によ
り、一旦アモルファス合金を作製後、これを結晶化温度
以上に昇温して熱処理を行い平均粒径１００ｎｍ以下の
微結晶を形成することにより作製する。アモルファス合
金を作製する際、一部に結晶を含んでいても良い。ま
た、冷却速度を調整して直接平均粒径１００ｎｍ以下の
結晶粒を形成し製造することも可能である。熱処理は通
常はアルゴンガス、窒素ガス等の不活性ガス中で行なう
が大気中等酸素を含む雰囲気で行っても良い。また、必
要に応じて熱処理期間の少なくとも一部の期間磁界を印
加して磁界中熱処理を行い誘導磁気異方性を付与しても
良い。磁界は合金がほぼ飽和する以上の強さ印加するの
が望ましい。薄帯の場合、磁界は薄帯の幅方向に印加す
る場合が多い。熱処理の際の最高到達温度は結晶化温度
以上であり、通常４５０℃から７００℃の範囲である。
一定温度に保持する熱処理工程を含む場合は、一定温度
での保持時間は通常は量産性の観点から２４時間以下で
あり、好ましくは４時間以下である。熱処理の際の平均
昇温速度は好ましくは０．１℃／ｍｉｎから２００℃／
ｍｉｎ、より好ましくは１℃／ｍｉｎから４０℃／ｍｉ
ｎ、平均冷却速度は好ましくは０．１℃／ｍｉｎから３
０００℃／ｍｉｎ、より好ましくは１０℃／ｍｉｎから
１０００℃／ｍｉｎであり、この範囲でセンサーに好適
な高い電気機械結合係数が得られる。
ロ−ル法、双ロール法、回転液中紡糸法、水アトマイズ
法、ガスアトマイズ法等の超急冷法により急冷あるいは
蒸着法、スパッタ法等の気相急冷法、メッキ法等によ
り、一旦アモルファス合金を作製後、これを結晶化温度
以上に昇温して熱処理を行い平均粒径１００ｎｍ以下の
微結晶を形成することにより作製する。アモルファス合
金を作製する際、一部に結晶を含んでいても良い。ま
た、冷却速度を調整して直接平均粒径１００ｎｍ以下の
結晶粒を形成し製造することも可能である。熱処理は通
常はアルゴンガス、窒素ガス等の不活性ガス中で行なう
が大気中等酸素を含む雰囲気で行っても良い。また、必
要に応じて熱処理期間の少なくとも一部の期間磁界を印
加して磁界中熱処理を行い誘導磁気異方性を付与しても
良い。磁界は合金がほぼ飽和する以上の強さ印加するの
が望ましい。薄帯の場合、磁界は薄帯の幅方向に印加す
る場合が多い。熱処理の際の最高到達温度は結晶化温度
以上であり、通常４５０℃から７００℃の範囲である。
一定温度に保持する熱処理工程を含む場合は、一定温度
での保持時間は通常は量産性の観点から２４時間以下で
あり、好ましくは４時間以下である。熱処理の際の平均
昇温速度は好ましくは０．１℃／ｍｉｎから２００℃／
ｍｉｎ、より好ましくは１℃／ｍｉｎから４０℃／ｍｉ
ｎ、平均冷却速度は好ましくは０．１℃／ｍｉｎから３
０００℃／ｍｉｎ、より好ましくは１０℃／ｍｉｎから
１０００℃／ｍｉｎであり、この範囲でセンサーに好適
な高い電気機械結合係数が得られる。
【００１２】また、熱処理は１段ではなく多段の熱処理
や複数回の熱処理を行なうこともできる。更には合金に
直流、交流あるいはパルス電流を流して合金を発熱させ
熱処理することもできる。また、合金に張力や圧力を印
加しながら熱処理し異方性を付与することにより電気機
械結合係数を改善することも可能である。本発明合金は
必要に応じて樹脂，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃｕなどの金属，Ａｌ
Ｎ，ＳｉＯ2，ＭｇＯ，Ａｌ2Ｏ3等のセラミックス粉末
あるいは膜で合金薄帯表面を覆い耐環境性を改善しても
良い。また、バイアス磁界を印加するためのハード磁性
層を表面に形成することもできる。
や複数回の熱処理を行なうこともできる。更には合金に
直流、交流あるいはパルス電流を流して合金を発熱させ
熱処理することもできる。また、合金に張力や圧力を印
加しながら熱処理し異方性を付与することにより電気機
械結合係数を改善することも可能である。本発明合金は
必要に応じて樹脂，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃｕなどの金属，Ａｌ
Ｎ，ＳｉＯ2，ＭｇＯ，Ａｌ2Ｏ3等のセラミックス粉末
あるいは膜で合金薄帯表面を覆い耐環境性を改善しても
良い。また、バイアス磁界を印加するためのハード磁性
層を表面に形成することもできる。
【００１３】単ロール法で作製した薄帯形状の場合、厚
さは通常３μｍから５０μｍ程度である。粉末あるいは
フレ−クは通常ガスアトマイズ法、水アトマイズ法やキ
ャビテーション法等、ワイヤ−形状の材料は回転液中紡
糸法等により製造可能であり、センサーに使用する場合
はバルク化して使用する場合が多い。磁性合金中に形成
している結晶相は主にｂｃｃＦｅ（−Ｃｏ，Ｎｉ）相で
あり、Ｓｉ、Ｂ、Ｇｅ等を固溶している場合もある。ま
た、ｂｃｃＦｅ相は規則格子を含むあるいは完全に規則
化している場合もある。前記結晶相以外の残部は主にア
モルファス相であるが、実質的に結晶相だけからなる合
金も本発明に含まれる。また、ｂｃｃ相以外にｆｃｃ構
造のＣｕやＡｕを主成分とする結晶粒が存在する場合も
ある。また、強磁性化合物相を含んでも良い。もう一つ
の本発明は、前記高磁歪合金を少なくとも一部に用い構
成されていることを特徴とするセンサーである。センサ
ーに使用する場合は用途にもよるが、ケースに入れた
り、紙や樹脂のシートで覆ったりして使用しても良い。
磁歪振動を利用する場合は中空の樹脂や紙のケースに入
れて使用する場合もある。また、必要に応じて合金薄帯
の場合は湾曲させて振動を妨げないように周囲との接触
面積を小さくして使用する場合もある。
さは通常３μｍから５０μｍ程度である。粉末あるいは
フレ−クは通常ガスアトマイズ法、水アトマイズ法やキ
ャビテーション法等、ワイヤ−形状の材料は回転液中紡
糸法等により製造可能であり、センサーに使用する場合
はバルク化して使用する場合が多い。磁性合金中に形成
している結晶相は主にｂｃｃＦｅ（−Ｃｏ，Ｎｉ）相で
あり、Ｓｉ、Ｂ、Ｇｅ等を固溶している場合もある。ま
た、ｂｃｃＦｅ相は規則格子を含むあるいは完全に規則
化している場合もある。前記結晶相以外の残部は主にア
モルファス相であるが、実質的に結晶相だけからなる合
金も本発明に含まれる。また、ｂｃｃ相以外にｆｃｃ構
造のＣｕやＡｕを主成分とする結晶粒が存在する場合も
ある。また、強磁性化合物相を含んでも良い。もう一つ
の本発明は、前記高磁歪合金を少なくとも一部に用い構
成されていることを特徴とするセンサーである。センサ
ーに使用する場合は用途にもよるが、ケースに入れた
り、紙や樹脂のシートで覆ったりして使用しても良い。
磁歪振動を利用する場合は中空の樹脂や紙のケースに入
れて使用する場合もある。また、必要に応じて合金薄帯
の場合は湾曲させて振動を妨げないように周囲との接触
面積を小さくして使用する場合もある。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下本発明を実施例にしたがって
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。 （実施例１）（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2）bal.Ｃｕ0.7Ｎｂ2.8Ｓ
ｉ10Ｂ9（原子％）からなる合金溶湯を大気中の単ロ−
ル法により急冷し、幅２５ｍｍ厚さ約１８μｍのアモル
ファス合金薄帯を作製した。比較のために、Ｆｅbal.Ｃ
ｕ1Ｎｂ3Ｓｉ13.5Ｂ9（原子％）からなる合金溶湯を大
気中の単ロ−ル法により急冷し、ほぼ同寸法のアモルフ
ァス合金薄帯を作製した。
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。 （実施例１）（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2）bal.Ｃｕ0.7Ｎｂ2.8Ｓ
ｉ10Ｂ9（原子％）からなる合金溶湯を大気中の単ロ−
ル法により急冷し、幅２５ｍｍ厚さ約１８μｍのアモル
ファス合金薄帯を作製した。比較のために、Ｆｅbal.Ｃ
ｕ1Ｎｂ3Ｓｉ13.5Ｂ9（原子％）からなる合金溶湯を大
気中の単ロ−ル法により急冷し、ほぼ同寸法のアモルフ
ァス合金薄帯を作製した。
【００１５】次に、これらのアモルファス合金薄帯を幅
３ｍｍにスリットし、長さ５０ｍｍに切断した。作製し
た試料を窒素ガス雰囲気の熱処理炉に挿入し、図１に示
す熱処理パタ−ンで熱処理を行った。熱処理後の合金は
結晶化しており、電子顕微鏡観察の結果組織の７０％が
粒径２０ｎｍ程度の微細な結晶粒が分散した組織からな
っていることが確認された。結晶粒は主にｂｃｃ（Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｓｉ）相であった。また一部に５ｎｍ前後のＣ
ｕを多量に含むｆｃｃ相が存在していた。残部である母
相はアモルファス相であった。比較のために熱処理を行
っていない（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2）bal.Ｃｕ0.7Ｎｂ2.8Ｓｉ
10Ｂ9（原子％）アモルファス合金についても検討し
た。
３ｍｍにスリットし、長さ５０ｍｍに切断した。作製し
た試料を窒素ガス雰囲気の熱処理炉に挿入し、図１に示
す熱処理パタ−ンで熱処理を行った。熱処理後の合金は
結晶化しており、電子顕微鏡観察の結果組織の７０％が
粒径２０ｎｍ程度の微細な結晶粒が分散した組織からな
っていることが確認された。結晶粒は主にｂｃｃ（Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｓｉ）相であった。また一部に５ｎｍ前後のＣ
ｕを多量に含むｆｃｃ相が存在していた。残部である母
相はアモルファス相であった。比較のために熱処理を行
っていない（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2）bal.Ｃｕ0.7Ｎｂ2.8Ｓｉ
10Ｂ9（原子％）アモルファス合金についても検討し
た。
【００１６】熱処理後の試料の飽和磁歪λｓと最大の電
気機械結合係数ｋmaxおよび最大の電気機械結合係数が
得られる磁界Ｈkmaxを測定した。更に２００℃に１時間
保持した後の電気機械結合係数ｋmaxtを測定した。測定
した結果を表１に示す。本発明合金は大きな磁歪λｓと
大きな電気機械結合係数ｋmaxを示し、かつＦｅ基アモ
ルファス合金等に比べて最大の電気機械結合係数ｋmax
が得られる磁界が小さく、安定性に優れるためセンサな
どの材料として好適な特性を有している。
気機械結合係数ｋmaxおよび最大の電気機械結合係数が
得られる磁界Ｈkmaxを測定した。更に２００℃に１時間
保持した後の電気機械結合係数ｋmaxtを測定した。測定
した結果を表１に示す。本発明合金は大きな磁歪λｓと
大きな電気機械結合係数ｋmaxを示し、かつＦｅ基アモ
ルファス合金等に比べて最大の電気機械結合係数ｋmax
が得られる磁界が小さく、安定性に優れるためセンサな
どの材料として好適な特性を有している。
【００１７】
【表１】
【００１８】（実施例２）表２に示す組成の合金溶湯を
単ロ−ル法により急冷し、幅３ｍｍ厚さ１６μｍのアモ
ルファス合金薄帯を得た。次にこの合金薄帯を長さ５０
ｍｍに切断し、５１０℃で１時間熱処理を行った。同様
の熱処理を行った後の合金のミクロ組織を透過電子顕微
鏡で観察した。アモルファス母相中に粒径１００ｎｍ以
下の結晶粒が分散した組織からなることが確認された。
次に、熱処理後の試料の飽和磁歪λｓと最大の電気機械
結合係数ｋmaxおよび最大の電気機械結合係数が得られ
る磁界Ｈkmaxを測定した。更に２００℃に１時間保持し
た後の電気機械結合係数ｋmaxtを測定した。測定した結
果を表２に示す。比較例としてＦｅ基アモルファス合金
の場合を示す。本発明合金は大きな磁歪λｓと大きな電
気機械結合係数ｋmaxを示し、かつＦｅ基アモルファス
合金等に比べて最大の電気機械結合係数ｋmaxが得られ
る磁界が小さく、安定性に優れるためセンサなどの材料
として好適な特性を有している。
単ロ−ル法により急冷し、幅３ｍｍ厚さ１６μｍのアモ
ルファス合金薄帯を得た。次にこの合金薄帯を長さ５０
ｍｍに切断し、５１０℃で１時間熱処理を行った。同様
の熱処理を行った後の合金のミクロ組織を透過電子顕微
鏡で観察した。アモルファス母相中に粒径１００ｎｍ以
下の結晶粒が分散した組織からなることが確認された。
次に、熱処理後の試料の飽和磁歪λｓと最大の電気機械
結合係数ｋmaxおよび最大の電気機械結合係数が得られ
る磁界Ｈkmaxを測定した。更に２００℃に１時間保持し
た後の電気機械結合係数ｋmaxtを測定した。測定した結
果を表２に示す。比較例としてＦｅ基アモルファス合金
の場合を示す。本発明合金は大きな磁歪λｓと大きな電
気機械結合係数ｋmaxを示し、かつＦｅ基アモルファス
合金等に比べて最大の電気機械結合係数ｋmaxが得られ
る磁界が小さく、安定性に優れるためセンサなどの材料
として好適な特性を有している。
【００１９】
【表２】
【００２０】（実施例３）（Ｆｅ1-aＣｏa）bal.Ｃｕ
0.6Ｎｂ2.6Ｓｉ8.5Ｂ9.5（原子%）の組成の合金溶湯を
単ロール法により急冷し、幅２０ｍｍ厚さ１２μｍのア
モルファス合金薄帯を作製し、２ｍｍ幅にスリット後こ
の合金薄帯を長さ５ｍｍに切断し、５００℃で１時間の
熱処理を行った。。同様の熱処理を行った後の合金のミ
クロ組織を透過電子顕微鏡で観察した。アモルファス母
相中に粒径１００ｎｍ以下の結晶粒が分散したナ結晶組
織からなることが確認された。次に図２に（Ｆｅ1-aＣ
ｏa）bal.Ｃｕ0.6Ｎｂ2.6Ｓｉ8.5Ｂ9.5（原子％）合金
のλｓおよびｋmaxを示す。Ｃｏの組成比ａが０．０５
≦ａ≦０．５の範囲において、＋１０×１０-6を超える
高いλｓが得られｋmaxも大きい。
0.6Ｎｂ2.6Ｓｉ8.5Ｂ9.5（原子%）の組成の合金溶湯を
単ロール法により急冷し、幅２０ｍｍ厚さ１２μｍのア
モルファス合金薄帯を作製し、２ｍｍ幅にスリット後こ
の合金薄帯を長さ５ｍｍに切断し、５００℃で１時間の
熱処理を行った。。同様の熱処理を行った後の合金のミ
クロ組織を透過電子顕微鏡で観察した。アモルファス母
相中に粒径１００ｎｍ以下の結晶粒が分散したナ結晶組
織からなることが確認された。次に図２に（Ｆｅ1-aＣ
ｏa）bal.Ｃｕ0.6Ｎｂ2.6Ｓｉ8.5Ｂ9.5（原子％）合金
のλｓおよびｋmaxを示す。Ｃｏの組成比ａが０．０５
≦ａ≦０．５の範囲において、＋１０×１０-6を超える
高いλｓが得られｋmaxも大きい。
【００２１】（実施例４）（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1）bal.Ｃｕ
0.7Ｎｂ2.6Ｓｉ8Ｂ10（原子％）の合金溶湯を単ロール
法により急冷し、幅５０ｍｍ厚さ１８μｍのアモルファ
ス合金薄帯を作製した。次にこの合金薄帯を幅３．５ｍ
ｍにスリットし、長さ２０ｍｍに切断し、この合金を５
００℃で２時間の熱処理を行った。この際、薄帯幅方向
に２４０ｋＡ／ｍの磁界を印加した。次に作製した本発
明合金に半硬質磁石シートを張り付け着磁を行い盗難防
止センサーを構成した。図３に盗難防止センサーからな
る検出回路構成の一例を示す。また、長さの異なる試料
を作製し組み合わせたものを並べ素子を作製した。コイ
ルにより高周波磁界を周波数を変化させながら印加し、
検出コイルにより出力電圧を計測した。各試料の共振周
波数が異なるため、複数の周波数帯で出力電圧が変化
し、この周波数の組み合わせを検知することにより物品
の識別センサーを構成することができることを確認し
た。
0.7Ｎｂ2.6Ｓｉ8Ｂ10（原子％）の合金溶湯を単ロール
法により急冷し、幅５０ｍｍ厚さ１８μｍのアモルファ
ス合金薄帯を作製した。次にこの合金薄帯を幅３．５ｍ
ｍにスリットし、長さ２０ｍｍに切断し、この合金を５
００℃で２時間の熱処理を行った。この際、薄帯幅方向
に２４０ｋＡ／ｍの磁界を印加した。次に作製した本発
明合金に半硬質磁石シートを張り付け着磁を行い盗難防
止センサーを構成した。図３に盗難防止センサーからな
る検出回路構成の一例を示す。また、長さの異なる試料
を作製し組み合わせたものを並べ素子を作製した。コイ
ルにより高周波磁界を周波数を変化させながら印加し、
検出コイルにより出力電圧を計測した。各試料の共振周
波数が異なるため、複数の周波数帯で出力電圧が変化
し、この周波数の組み合わせを検知することにより物品
の識別センサーを構成することができることを確認し
た。
【００２２】（実施例５）（Ｆｅ0.75Ｎｉ0.05Ｃ
ｏ0.2）bal.Ｃｕ0.6Ｎｂ2.5Ｓｉ9Ｂ9（原子％）の合金
溶湯単ロール法により急冷し、幅２ｍｍ厚さ２０μｍの
アモルファス合金薄帯を作製した。次にこの合金薄帯を
トロイダル状に巻回し、外径１０ｍｍ内径８ｍｍのトロ
イダル磁心を作製した。次にこの磁心を５３０℃で２時
間、２４０ｋＡ／ｍの磁界中で熱処理した。磁界は薄帯
幅方向に印加した。熱処理後の合金は粒径２０ｎｍの結
晶粒が６５％アモルファスマトリックス中に形成してい
た。この合金からなる磁心に図４に示すように巻線を施
し回路を構成し、径方向に応力を印加し出力電圧を測定
した。その結果、±５０ｇの外力に対して出力電圧３１
０ｍＶが得られた。また、２００℃に１時間磁心を保持
し、再度図４に示すような回路を構成したところ、０．
０２％程度の出力電圧の変化しかなくきわめて安定であ
った。
ｏ0.2）bal.Ｃｕ0.6Ｎｂ2.5Ｓｉ9Ｂ9（原子％）の合金
溶湯単ロール法により急冷し、幅２ｍｍ厚さ２０μｍの
アモルファス合金薄帯を作製した。次にこの合金薄帯を
トロイダル状に巻回し、外径１０ｍｍ内径８ｍｍのトロ
イダル磁心を作製した。次にこの磁心を５３０℃で２時
間、２４０ｋＡ／ｍの磁界中で熱処理した。磁界は薄帯
幅方向に印加した。熱処理後の合金は粒径２０ｎｍの結
晶粒が６５％アモルファスマトリックス中に形成してい
た。この合金からなる磁心に図４に示すように巻線を施
し回路を構成し、径方向に応力を印加し出力電圧を測定
した。その結果、±５０ｇの外力に対して出力電圧３１
０ｍＶが得られた。また、２００℃に１時間磁心を保持
し、再度図４に示すような回路を構成したところ、０．
０２％程度の出力電圧の変化しかなくきわめて安定であ
った。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、熱的安定性に優れ、電
気機械結合係数が大きくセンサーに好適な高磁歪のナノ
結晶合金ならびにそれを用いた高性能で安定性に優れた
センサを実現できるためその効果は著しいものがある。
気機械結合係数が大きくセンサーに好適な高磁歪のナノ
結晶合金ならびにそれを用いた高性能で安定性に優れた
センサを実現できるためその効果は著しいものがある。
【図１】本発明に係わる熱処理パタ−ンを示した図であ
る。
る。
【図２】本発明に係わる（Ｆｅ1-aＣｏa）bal.Ｃｕ0.6
Ｎｂ2.6Ｓｉ8.5Ｂ9.5（原子％）合金のλｓと最大の電
気機械結合係数ｋmaxを示した図である。
Ｎｂ2.6Ｓｉ8.5Ｂ9.5（原子％）合金のλｓと最大の電
気機械結合係数ｋmaxを示した図である。
【図３】本発明に係わる盗難防止センサーからなる検出
回路構成の一例を示した図である。
回路構成の一例を示した図である。
【図４】本発明に係わる応力センサからなる検出回路構
成の一例を示した図である。
成の一例を示した図である。
１ ナノ結晶高磁歪合金、２ 応力センサ、３、４、
５、６ コンデンサ ７、８、９、１０ 抵抗、１１、１２ トランジスタ、
１３ 可変抵抗 １４ 発振器、１５ ノッチフィルタ、１６ アンプ、
１７ 発振コイル １８ 検出コイル、１９ 盗難防止センサ、２０ ロッ
クインアンプ ２１ 信号処理回路
５、６ コンデンサ ７、８、９、１０ 抵抗、１１、１２ トランジスタ、
１３ 可変抵抗 １４ 発振器、１５ ノッチフィルタ、１６ アンプ、
１７ 発振コイル １８ 検出コイル、１９ 盗難防止センサ、２０ ロッ
クインアンプ ２１ 信号処理回路
Claims (7)
- 【請求項１】 一般式：（Ｆｅ1-aＭa）100-y-zＭ’
yＸ’z（原子％）で表され、式中ＭはＮｉ，Ｃｏから選
ばれた少なくとも１種の元素、Ｍ’はＴｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗからなる群から選ばれた
少なくとも１種の元素、Ｘ’はＳｉおよびＢからなる群
から選ばれた少なくとも１種の元素であり、ａ、ｙおよ
びｚはそれぞれ０．０５≦ａ≦０．５、１≦ｙ≦１０、
４≦ｚ≦３０を満足する数で表され、アモルファス母相
中に平均粒径１００ｎｍ以下の結晶粒が分散しており、
かつ飽和磁歪定数λｓが＋１０×１０-6以上であること
を特徴とするナノ結晶高磁歪合金。 - 【請求項２】 一般式：（Ｆｅ1-aＭa）100-x-y-zＡ
xＭ’yＸ’z（原子％）で表され、式中ＭはＮｉ、Ｃｏ
から選ばれた少なくとも１種の元素、ＡはＣｕおよびＡ
ｕからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｍ’
はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗからな
る群から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｘ’はＳｉお
よびＢからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素で
あり、ａ，ｘ，ｙおよびｚはそれぞれ０．０５≦ａ≦
０．５，０＜ｘ≦３，１≦ｙ≦１０，４≦ｚ≦３０を満
足する数で表される範囲の組成であり、アモルファス母
相中に平均粒径１００ｎｍ以下の結晶粒が分散してお
り、かつ飽和磁歪定数λｓが＋１０×１０-6以上である
ことを特徴とするナノ結晶高磁歪合金。 - 【請求項３】 前記Ｍ’の一部をＣｒ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ｚ
ｎ，Ａｇ，Ａｌ，Ｉｎ，白金属元素，Ｙ，希土類元素，
Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒから選ばれた少なくとも１種の元素で
置換したことを特徴とする請求項１又は２に記載のナノ
結晶高磁歪合金。 - 【請求項４】 前記Ｘ’の一部をＰ，Ｃ，Ｇｅ，Ｇａか
ら選ばれた少なくとも１種の元素で置換したことを特徴
とする請求項１ないし３のいずれかに記載のナノ結晶高
磁歪合金。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載のナ
ノ結晶高磁歪合金を用い構成されていることを特徴とす
るセンサー。 - 【請求項６】 前記センサーが盗難防止センサーあるい
は識別センサーであることを特徴とする請求項５に記載
のセンサー。 - 【請求項７】 前記センサーが応力センサーあるいは圧
力センサーであることを特徴とする請求項５に記載のセ
ンサ−。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10097361A JPH11297521A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | ナノ結晶高磁歪合金ならびにそれを用いたセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10097361A JPH11297521A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | ナノ結晶高磁歪合金ならびにそれを用いたセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297521A true JPH11297521A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14190374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10097361A Pending JPH11297521A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | ナノ結晶高磁歪合金ならびにそれを用いたセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11297521A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006349624A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Nec Tokin Corp | 荷重センサ及びその製造方法 |
| JP2007033296A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Nec Tokin Corp | 荷重センサ及びその使用方法並びに製造方法 |
| JP4716033B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2011-07-06 | 日立金属株式会社 | カレントトランス用磁心、カレントトランス及び電力量計 |
| JP2012508323A (ja) * | 2008-11-04 | 2012-04-05 | ザ・ナノスティール・カンパニー・インコーポレーテッド | 薄い製品形態における、産業用途のための変形メカニズムの開発 |
| JP2012516942A (ja) * | 2009-02-03 | 2012-07-26 | ザ・ナノスティール・カンパニー・インコーポレーテッド | 材料を切断する方法および製品 |
| CN103186967A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 洛阳希诺能源科技有限公司 | 一种防盗门闭门不严报警装置 |
| CN107345265A (zh) * | 2017-06-22 | 2017-11-14 | 东莞市大忠电子有限公司 | 一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺 |
-
1998
- 1998-04-09 JP JP10097361A patent/JPH11297521A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4716033B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2011-07-06 | 日立金属株式会社 | カレントトランス用磁心、カレントトランス及び電力量計 |
| JP2006349624A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Nec Tokin Corp | 荷重センサ及びその製造方法 |
| JP2007033296A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Nec Tokin Corp | 荷重センサ及びその使用方法並びに製造方法 |
| JP2012508323A (ja) * | 2008-11-04 | 2012-04-05 | ザ・ナノスティール・カンパニー・インコーポレーテッド | 薄い製品形態における、産業用途のための変形メカニズムの開発 |
| JP2015120201A (ja) * | 2008-11-04 | 2015-07-02 | ザ・ナノスティール・カンパニー・インコーポレーテッド | 薄い製品形態における、産業用途のための変形メカニズムの開発 |
| JP2012516942A (ja) * | 2009-02-03 | 2012-07-26 | ザ・ナノスティール・カンパニー・インコーポレーテッド | 材料を切断する方法および製品 |
| CN103186967A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 洛阳希诺能源科技有限公司 | 一种防盗门闭门不严报警装置 |
| CN107345265A (zh) * | 2017-06-22 | 2017-11-14 | 东莞市大忠电子有限公司 | 一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺 |
| CN107345265B (zh) * | 2017-06-22 | 2019-08-09 | 东莞市大忠电子有限公司 | 一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺 |
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