JPH11288529A

JPH11288529A - 電子ビーム描画装置

Info

Publication number: JPH11288529A
Application number: JP8737298A
Authority: JP
Inventors: Minoru Takeda; 実武田; Yuichi Aki; 祐一安芸
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-03-31
Filing date: 1998-03-31
Publication date: 1999-10-19

Abstract

(57)【要約】【課題】小型且つ構成簡素にして所望のピットやグル
ーブに対応したパターンを精度良く描画することができ
ると共に、生産性の向上を図ることができる電子ビーム
描画装置を提供する。【解決手段】電子銃１１と対物レンズ２３とが減圧状
態とされた環境内に配設されていると共に、対物レンズ
２３と基板５０との間にヘリウム雰囲気とされた部分が
設けられ、基板支持手段１３０が、大気中に設置され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学記録媒体の原
盤の作製に用いられる電子ビーム描画装置に関し、詳し
くは、電子銃より出射される電子ビームを基板上に形成
されたレジスト層に照射して、このレジスト層に所望の
パターンを描画する電子ビーム描画装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光ディスク等の情報記録媒体にお
いては、急速な記録密度の向上が図られており、ピット
やグルーブ等のパターンの微細化が進んでいる。このよ
うな微細なパターンを精度良く作製するために、半導体
作製プロセスで用いられていた電子ビーム描画装置を、
ディスク原盤の作製に用いる技術が提案されている。

【０００３】この電子ビーム描画装置１００は、図８に
示すように、電子ビームを発生する電子ビーム発生部１
１０と、電子ビーム発生部１１０からの電子ビームを集
束して基板上１０１に形成されたレジスト層１０２に照
射させる電子ビーム集束部１２０と、レジスト層１０２
が形成された基板１０１を移動可能に支持する基板支持
機構部１３０とにより構成される。

【０００４】電子ビーム発生部１１０は、電子ビームを
出射する電子銃１１１と、この電子銃１１１から出射さ
れた電子ビームを集束するコンデンサレンズ１１２と、
コンデンサレンズ１１２により集束された電子ビームを
変調信号に応じて偏向する電子ビーム変調手段１１３
と、電子ビーム変調手段１１３により偏向された電子ビ
ームを遮断し、電子ビーム変調手段１１３をそのまま通
過した電子ビームを透過するアパーチャー１１４とを備
えている。

【０００５】また、電子ビーム集束部１２０は、電子ビ
ーム発生部１１０のアパーチャー１１４を透過した電子
ビームをウォブリング信号に応じて偏向するビーム偏向
電極１２１と、電子ビーム偏向手段１２１を通過した電
子ビームのビーム径を調整するフォーカス調整レンズ１
２２と、フォーカス調整レンズ１２２によりビーム径が
調整された電子ビームを集束してレジスト層１０２に照
射させる対物レンズ１２３とを備えている。

【０００６】また、基板支持機構部１３０は、レジスト
層１０２が形成された基板１０１を回転操作するエアー
スピンドル装置１３１と、このエアースピンドル装置１
３１を基板１０１のラジアル方向に移動操作するエアー
スライド装置１３２とを備えている。

【０００７】エアースピンドル装置１３１は、基板１０
１を載置するステージと、ステージに取り付けられた回
転軸を支持するエアーベアリングと、ステージを回転駆
動する駆動モータとを備え、エアーベアリングにより回
転軸を支持することにより、回転速度を高精度に制御す
ることができるようになされている。また、エアースラ
イド装置１３２は、エアースピンドル装置１３１を基板
１０１のラジアル方向に移動操作する駆動モータと、エ
アースピンドル装置１３１を支持すると共にこのエアー
スピンドル装置１３１の基板１０１のラジアル方向への
移動を制御するエアーを用いたリニアガイド機構とを備
え、リニアガイド機構によりエアースピンドル装置１３
１の移動を制御することにより、エアースピンドル装置
１３１の移動量を高精度に制御することができるように
なされている。

【０００８】そして、この電子ビーム描画装置１００に
おいては、電子ビームが大気中において散乱、減衰する
ことにより良好な描画が阻害されることを考慮して、上
記各部を高真空状態に保たれた環境内に配設するように
している。

【０００９】すなわち、この電子ビーム描画装置１００
においては、電子ビーム発生部１１０を構成する各部と
電子ビーム集束部１２０を構成する各部とが、高真空状
態に保たれた電子光学鏡筒内１０３に配設され、基板支
持機構部１３０を構成する各部が、電子光学鏡筒１０３
を保持すると共に内部が高真空状態に保たれた真空チャ
ンバ１０４内に配設されている。

【００１０】この電子ビーム描画装置１００において
は、このように、電子ビーム発生部１１０を構成する各
部、電子ビーム集束部１２０を構成する各部及び基板支
持機構部１３０を構成する各部をそれぞれ高真空状態と
された環境内に配設することにより、電子ビームの散乱
や減衰が抑制されている。

【００１１】また、この電子ビーム描画装置１００にお
いては、真空チャンバ１０４が除振テーブル１０５上に
載置されることにより、外部振動による描画不良を抑制
するようになされている。

【００１２】以上のように構成される電子ビーム描画装
置１００を用いて基板１０１上に形成されたレジスト層
１０２にピットやグルーブに対応したパターンを描画す
る場合は、まず、電子銃１１１から電子ビームが出射さ
れる。

【００１３】電子銃１１１から出射された電子ビーム
は、コンデンサレンズ１１２により集束された後、電子
ビーム変調手段１１３を通過してアパーチャーに達す
る。このとき、電子ビーム変調手段１１３は、変調信号
に応じて電子ビームの変調（オン／オフの切り換え）を
行う。すなわち、この露光装置１００においては、電子
ビームをオフにする場合は、電子ビーム変調手段１１３
により電子ビームを偏向してアパーチャー１１４により
遮断されるようにする。一方、電子ビームをオンにする
場合は、電子ビームを偏向せずにそのまま通過させ、ア
パーチャー１１４を透過させるようにしている。

【００１４】アパーチャー１１４を透過した電子ビーム
は、必要に応じて電子ビーム偏向手段１２１により偏向
され、フォーカス調整レンズ１２２によりビーム径が調
整されて、対物レンズ１２３に入射する。対物レンズ１
２３に入射した電子ビームは、この対物レンズ１２３に
より集束されて、エアースピンドル装置１３１により回
転操作される基板１０１上に形成されたレジスト層１０
２に照射される。

【００１５】そして、エアースライド装置１３２によ
り、基板１０１を回転操作するエアースピンドル装置１
３１が基板１０１のラジアル方向に移動操作されること
により、電子ビームがレジスト層１０２上を例えばスパ
イラル状に走査してパターンを描画し、レジスト層１０
２に所望の潜像が精度良く形成される。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した電
子ビーム描画装置１００は、エアースピンドル装置１３
１やエアースライド装置１３２を備える基板支持機構部
１３０が、高真空状態に保たれた真空チャンバ１０４内
に収容されているため、エアースピンドル装置１３１の
エアーベアリングやエアースライド装置１３２のリニア
ガイド機構に用いられるエアーが真空チャンバ１０４内
に漏れないように、これらにエアーシールドを施す必要
がある。また、エアースピンドル装置１３１やエアース
ライド装置１３２に用いられる潤滑剤からの脱ガスによ
る真空度の劣化を防止する処置を講じる必要がある。

【００１７】更に、エアースピンドル装置１３１やエア
ースライド装置１３２の駆動モータから発生する磁場が
電子ビームの軌道に悪影響を及ぼさないように、これら
に磁気シールドを施す必要がある。

【００１８】このように、上述した電子ビーム描画装置
１００は、基板支持機構部１３０が高真空状態とされた
真空チャンバ１０４内に収容されているので、基板支持
機構部１３０にエアーシールド及び磁気シールドの二重
のシールドを施す必要があり、装置構成の複雑化、装置
の大型化を招いていた。

【００１９】また、この電子ビーム描画装置１００を用
いてレジスト層１０２にパターンを形成する場合、エア
ースピンドル装置１３１のテーブル上に基板１０１を載
置して、真空チャンバ１０４内を高真空の状態とした後
に描画を行い、描画が終了した時点で真空チャンバ１０
４内を常圧に戻して基板１０１を取り外す工程を経る必
要があり、生産性の低下を招いていた。

【００２０】そこで、本発明は、小型且つ構成簡素にし
て所望のピットやグルーブに対応したパターンを精度良
く描画することができると共に、生産性の向上を図るこ
とができる電子ビーム描画装置を提供することを目的と
する。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る電子ビーム
描画装置は、電子銃から出射される電子ビームを基板支
持手段に支持された基板上のレジスト層に照射して、こ
のレジスト層に光学記録媒体のパターンに対応したパタ
ーンを描画する電子ビーム描画装置において、少なくと
も電子銃とこの電子銃から出射された電子ビームを集束
してレジスト層に照射させる対物レンズとが大気中より
も減圧状態とされた環境内に配設されていると共に、対
物レンズと基板との間にヘリウム雰囲気とされた部分が
設けられ、基板支持手段は、大気中に設置されているこ
とを特徴としている。

【００２２】この電子ビーム描画装置によれば、基板を
移動可能に支持する基板支持手段が大気中に設置されて
いるので、基板支持手段にエアーを用いたエアースピン
ドル装置やエアースライド装置を用いた場合であって
も、これらにエアーシールドを施す必要がなく、基板支
持手段の構成の簡素化及び小型化を図ることができる。

【００２３】また、この電子ビーム描画装置によれば、
基板を移動可能に支持する基板支持手段が大気中に設置
されているので、電子銃と対物レンズとを収容する部分
を大気中よりも減圧状態とし、対物レンズと基板との間
にヘリウム雰囲気とされた部分を維持しながら、基板の
着脱を簡便に行うことができる。

【００２４】また、本発明に係る電子ビーム描画装置
は、減圧状態とされている部分とヘリウム雰囲気とされ
ている部分とを隔てる第１の隔膜と、ヘリウム雰囲気と
されている部分と大気とを隔てる第２の隔膜とを備え、
電子銃から出射された電子ビームが、第１の隔膜及び第
２の隔膜を透過してレジスト層に照射されることが望ま
しい。

【００２５】電子ビーム描画装置は、このように減圧状
態とされている部分とヘリウム雰囲気とされている部分
との間と、ヘリウム雰囲気とされている部分と大気との
間にそれぞれ隔膜を設けることにより、減圧状態とされ
ている部分の気圧及びヘリウム雰囲気とされている部分
の気圧を所定の範囲内の値に保持することができる。

【００２６】また、本発明に係る電子ビーム描画装置
は、減圧状態とされている部分とヘリウム雰囲気とされ
ている部分とを隔てる隔膜と、ヘリウム雰囲気とされて
いる部分にヘリウムガスを継続的に注入して、ヘリウム
雰囲気とされている部分の気圧を所定の範囲内の値に維
持する気圧維持手段とを備え、電子銃から出射された電
子ビームが、隔膜を透過してレジスト層に照射されるこ
とが望ましい。

【００２７】電子ビーム描画装置は、このように減圧状
態とされている部分とヘリウム雰囲気とされている部分
との間に隔膜を設けると共に、ヘリウム雰囲気とされて
いる部分にヘリウムガスを継続的に注入して、ヘリウム
雰囲気とされている部分の気圧を所定の値に維持する気
圧維持手段を備えることにより、減圧状態とされている
部分の気圧及びヘリウム雰囲気とされている部分の気圧
を所定の範囲内の値に保持することができる。

【００２８】また、この場合、ヘリウム雰囲気とされて
いる部分から大気中に流出したヘリウムガスが基板上に
供給されることになり、電子ビームの大気による散乱等
を更に抑制することができる。

【００２９】また、本発明に係る電子ビーム描画装置
は、ヘリウム雰囲気とされている部分にヘリウムガスを
流量調整しながら注入すると共に、排気して、ヘリウム
雰囲気とされている部分の気圧を所定の範囲内の値に維
持する第１の気圧維持手段と、ヘリウム雰囲気とされて
いる部分から減圧状態とされている部分へ流入するヘリ
ウムガスを排気して、減圧状態とされている部分の気圧
を所定の範囲内の値に維持する第２の気圧維持手段とを
備えることが望ましい。

【００３０】電子ビーム描画装置は、このように第１の
気圧維持手段と第２の気圧維持手段とを備えることによ
り、ヘリウム雰囲気とされている部分の気圧及び減圧状
態とされている部分の気圧を所定の範囲内の値に保持す
ることができる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。

【００３２】本発明に係る電子ビーム描画装置は、光デ
ィスクや光磁気ディスク等の光学記録媒体（以下、光デ
ィスクと称する。）の作製工程において用いられるディ
スク原盤を作製するためのものである。

【００３３】ディスク原盤は、作製する光ディスクのピ
ットやグルーブの反転パターンが形成されてなるもので
あり、射出成形機の備える一対の金型間のキャビディ内
に装着される。そして、ディスク原盤が装着された射出
成形機のキャビディ内に溶融された基板材料が注入さ
れ、冷却されることにより、予め所望のピットやグルー
ブが形成されたディスク基板が作製される。

【００３４】光ディスクは、このディスク基板上に、記
録層、保護層等が順次形成されて作製される。

【００３５】ディスク原盤を作製する際は、先ず、例え
ば、表面が精密研磨されたガラスよりなる円盤状の基板
が準備され、この基板の主面に、密着補強剤等を介して
レジスト材料が塗布され、レジスト材料の有機溶剤が揮
発されて、基板上にレジスト層が形成される。

【００３６】次に、基板上に形成されたレジスト層が、
光ディスクのピットやグルーブに対応したパターンで描
画される。これにより、レジスト層に、所定のピット、
グルーブに対応した凹凸パターンの潜像が形成される。

【００３７】次に、潜像が形成されたレジスト層が、ア
ルカリ性の現像液により現像され、光ディスクのピット
やグルーブに対応した凹凸パターンを有するレジスト原
盤が形成される。

【００３８】次に、レジスト原盤の凹凸パターンを有す
る主面に、スパッタリング法、蒸着法、無電解メッキ法
等の方法で、銀又はニッケル等の金属被膜が形成され
る。

【００３９】次に、金属被膜が形成されたレジスト原盤
が、電気メッキ装置にセットされ、金属被膜を電極とし
て、電気メッキが行われることにより、レジスト原盤の
主面上に、電気メッキ層が形成される。

【００４０】次に、金属被膜及び電気メッキ層からレジ
スト原盤が剥離され、余分な金属被膜がプレス除去され
て、ディスク原盤が完成する。

【００４１】本発明に係る電子ビーム描画装置は、電子
ビームを用いて基板上に形成されたレジスト層を光ディ
スクのピットやグルーブに対応したパターンで描画し、
所定のピットやグルーブに対応した凹凸パターンの潜像
を形成するものである。

【００４２】この電子ビーム描画装置１は、図１に示す
ように、電子ビームを発生する電子ビーム発生部１０
と、電子ビーム発生部１０からの電子ビームを集束して
基板５０上に形成されたレジスト層５１に照射させる電
子ビーム集束部２０と、レジスト層５１が形成された基
板５０を移動可能に支持する基板支持機構部３０とによ
り構成される。

【００４３】そして、この電子ビーム描画装置１におい
ては、電子ビーム発生部１０及び電子ビーム集束部２０
が電子光学鏡筒２内に配設されている。また、基板支持
機構部３０は、除振テーブル３上に載置されている。電
子光学鏡筒２は、例えば円筒状を呈し、一端部が基板支
持機構部３０に支持された基板５０と対向するように、
除振テーブル３上に設けられたホルダ４に支持されてい
る。

【００４４】電子ビーム発生部１０は、電子ビームを出
射する電子銃１１と、この電子銃１１から出射された電
子ビームを集束するコンデンサレンズ１２と、コンデン
サレンズ１２により集束された電子ビームを変調信号に
応じて偏向し又は通過させる電子ビーム変調手段１３
と、電子ビーム変調手段１３により偏向され又は電子ビ
ーム変調手段１３を通過した電子ビームを透過又は遮断
するアパーチャー１４とを備えている。

【００４５】電子銃１１は、ＬａＢ₆等よりなる電子ビ
ーム放出源より放出され、陽極により加速された電子ビ
ームを出射する。電子銃１１より出射された電子ビーム
は、静電レンズであるコンデンサレンズ１２により集束
され、電子ビーム変調手段１３を介してアパーチャー１
４に到達する。

【００４６】電子ビーム変調手段１３は、一対の電極を
備え、変調信号に応じてこれら電極間に電界を発生させ
て、コンデンサレンズ１２により集束された電子ビーム
を偏向させることにより、オン／オフの切り換えを行う
ものである。すなわち、電子ビーム変調手段１３は、電
子ビームをオフにする場合は、コンデンサレンズ１２に
より集束された電子ビームがアパーチャー１４により遮
断されるように、一対の電極間に大きな電界を発生さ
せ、電子ビームを大きく偏向させる。また、電子ビーム
変調手段１３は、電子ビームをオンにする場合は、コン
デンサレンズ１２により集束された電子ビームがアパー
チャー１４を透過するように、電子ビームを偏向せずに
そのまま通過させる。

【００４７】アパーチャー１４を透過した電子ビーム
は、このアパーチャー１４によりビーム径が絞られた状
態で、電子ビーム集束部２０へと移動する。

【００４８】電子ビーム集束部２０は、電子ビーム発生
部１０のアパーチャー１４を透過した電子ビームをウォ
ブリング信号に応じて偏向する電子ビーム偏向手段２１
と、電子ビーム偏向手段２１により偏向され又は電子ビ
ーム偏向手段２１を通過した電子ビームのビーム径を調
整するフォーカス調整レンズ２２と、フォーカス調整レ
ンズ２２によりビーム径が調整された電子ビームを集束
してレジスト層３に照射させる対物レンズ２３とを備え
ている。

【００４９】電子ビーム偏向手段２１は、一対の電極を
備え、ウォブリング信号に応じてこれら電極間に電界を
発生させて、アパーチャー１４を透過した電子ビームを
偏向させ、図２に示すように、基板５０上のレジスト層
５１に、僅かな振幅で蛇行するパターン（ウォブリング
グルーブ用パターン５２）を形成するためのものであ
る。したがって、この電子ビーム偏向手段２１は、ウォ
ブリンググルーブ用パターン５２を形成するときのみ電
子ビームを偏向させ、図３に示すピット用パターン５３
や図４に示すストレートグルーブ用パターン５４のよう
な直線的なパターンを形成するときは、電子ビームを偏
向せずにそのまま通過させる。

【００５０】電子ビーム偏向手段２１を透過した電子ビ
ームは、静電レンズ又は電磁型レンズよりなるフォーカ
ス調整レンズ２２によりスポット径が調整される。電子
ビームは、このフォーカス調整レンズ２２を透過するこ
とにより、常にレジスト層４上で焦点が合った状態とさ
れる。フォーカス調整レンズ２２によりスポット径が調
整された電子ビームは、対物レンズ２３に入射する。

【００５１】対物レンズ２３に入射した電子ビームは、
この対物レンズ２３により集束され、数ｎｍから数μｍ
のスポット径に絞り込まれて、基板支持機構部３０に支
持された基板５０上のレジスト層５１に照射される。

【００５２】基板支持機構部３０は、レジスト層５１が
形成された基板５０を回転操作するエアースピンドル装
置３１と、このエアースピンドル装置３１を基板５０の
ラジアル方向に水平移動させるエアースライド装置３２
とを備え、除振テーブル３上に配設されている。除振テ
ーブル３は、大気中に設置されており、この除振テーブ
ル３上に設けられた基板支持機構部３０も、除振テーブ
ル３と共に大気中に配設される。

【００５３】エアースピンドル装置３１は、基板５０を
載置するステージと、ステージに取り付けられた回転軸
を支持するエアーベアリングと、ステージを回転駆動す
る駆動モータとを備えており、高精度で制御される回転
速度で駆動される。例えば、エアースピンドル装置３１
は、基板５０を３６００ｒｐｍで回転させ、その回転速
度が例えば光学式ロータリーエンコーダを用いたサーボ
機構により、一回転当たり１０^-7以下の回転ジッタで制
御されている。

【００５４】エアースライド装置３２は、エアースピン
ドル装置３１を基板５０のラジアル方向に移動操作する
駆動モータと、エアースピンドル装置３１を支持すると
共にこのエアースピンドル装置３１の水平移動を制御す
るエアーを用いたリニアガイド機構とを備えている。こ
のエアースライド装置３２の移動速度は、例えばレーザ
スケールによる測長機構により精密に制御され、例えば
数ｎｍの移動精度でエアースピンドル装置３１を基板５
０のラジアル方向に水平移動させる。

【００５５】対物レンズ２３により集束された電子ビー
ムは、エアースピンドル装置３１により回転操作される
と共にエアースライド装置３２により水平移動される基
板５０上のレジスト層５１に照射される。これにより、
レジスト層５１に、光ディスクのピットやグルーブに対
応したパターンの潜像が、例えばスパイラル状に形成さ
れる。

【００５６】ところで、この電子ビーム描画装置１は、
電子ビームの大気中での散乱や減衰を抑制して良好な描
画を行えるようにするために、電子光学鏡筒２内の電子
ビーム発生部１０及び電子ビーム集束部２０が収容され
た部分が、１０^-3Ｐａ以下の高真空状態とされている。
また、電子光学鏡筒２の先端部、すなわち、電子光学鏡
筒２の基板５０と対向する側の端部の内部は、ヘリウム
雰囲気とされている。

【００５７】具体的には、電子光学鏡筒２は、例えば図
５に示すように、内部が分離壁５により、電子ビーム発
生部１０及び電子ビーム集束部２０が収容される第１の
領域２ａと、基板５０と対向する側の第２の領域２ｂと
の二つの領域に分離されている。そして、第１の領域２
ａが１０^-3Ｐａ以下の高真空状態とされ、第２の領域２
ｂがヘリウム雰囲気とされている。

【００５８】電子ビーム描画装置１は、ヘリウム雰囲気
とされている第２の領域２ｂ内の気圧を１〜９００Ｐａ
程度とすることにより、高真空状態とされた第１の領域
２ａと大気との圧力差を緩和することができる。

【００５９】分離壁５には、その略中央部に位置して、
電子ビームを透過させるためのビーム透過孔５ａが設け
られている。そして、分離壁５には、ビーム透過孔５ａ
を閉塞するように、第１の隔膜６が取り付けられてい
る。

【００６０】第１の隔膜６は、電子光学鏡筒２の第２の
領域２ｂから第１の領域２ａへのヘリウムガスの流入を
遮断しながら電子ビームを透過させるものである。した
がって、第１の隔膜６は、電子ビームをできるだけ小さ
なロスで透過させることが望ましく、その材質として
は、原子番号の小さい原子又はその化合物で、密度の小
さいものが選択される。また、第１の隔膜６の厚さは、
電子ビームの透過ロスを小さくするためには薄い方がよ
いが、第１の領域２ａと第２の領域２ｂとの圧力差に耐
え得る厚さが必要である。

【００６１】具体的には、第１の隔膜６の材質として
は、例えば、ベリリウム、硼素、シリコン、アルミニウ
ム、チタニウム又はこれらの化合物が挙げられる。化合
物としては、例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン、
窒化ボロン等の薄膜でも高い強度をもつものが挙げられ
る。第１の隔膜６は、これらの材質を用いて、厚さを１
００μｍ以下、例えば１０μｍ程度とすれば、第１の領
域２ａと第２の領域２ｂとの圧力差に耐えながら、電子
ビームの透過ロスを十分に抑えることができる。なお、
第１の隔膜６の最適な厚さは、電子ビームのパワー密
度、第１の隔膜６の材質及び形状等に基づいて決定され
る。

【００６２】また、電子光学鏡筒２の先端部には、その
略中央部に位置して中心孔２ｃが設けられており、この
中心孔２ｃに、電子ビーム透過部材７が密着嵌合されて
いる。電子ビーム透過部材７は、その略中央部にビーム
透過孔７ａを有する円環状に形成されており、先端部
が、電子光学鏡筒２の先端部から基板支持機構部３０に
支持された基板５０側に若干突出するように、電子光学
鏡筒２の中心孔２ｃに密着嵌合されている。また、電子
ビーム透過部材７の先端部には、ビーム透過孔７ａを閉
塞するように、第２の隔膜８が取り付けられている。

【００６３】第２の隔膜８は、電子光学鏡筒２外部の大
気中から電子光学鏡筒２内部の第２の領域２ｂへの空気
の流入を遮断しながら電子ビームを透過させるものであ
る。したがって、第２の隔膜８は、第１の隔膜６と同様
に、電子ビームをできるだけ小さなロスで透過させるこ
とが望ましく、その材質としては、原子番号の小さい原
子又はその化合物で、密度の小さいものが選択される。
また、第２の隔膜８の厚さは、第１の隔膜６と同様に、
電子ビームの透過ロスを小さくするためには薄い方がよ
いが、電子光学鏡筒２外部と電子光学鏡筒２内部の第２
の領域２ｂとの圧力差に耐え得る厚さが必要である。

【００６４】具体的には、第２の隔膜８の材質として
は、第１の隔膜６の材質と同様のものが用いられ、例え
ば、ベリリウム、硼素、シリコン、アルミニウム、チタ
ニウム又はこれらの化合物が挙げられる。化合物として
は、例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン、窒化ボロ
ン等の薄膜でも高い強度をもつものが挙げられる。第２
の隔膜８は、これらの材質を用いて、厚さを１００μｍ
以下、例えば１０μｍ程度とすれば、電子光学鏡筒２外
部と電子光学鏡筒２内部の第２の領域２ｂとの圧力差に
耐えながら、電子ビームの透過ロスを十分に抑えること
ができる。なお、第２の隔膜８の最適な厚さは、電子ビ
ームのパワー密度、第２の隔膜８の材質及び形状等に基
づいて決定される。

【００６５】この電子ビーム描画装置１においては、電
子ビーム透過部材７を、その先端部が電子光学鏡筒２の
先端部から基板５０側へ若干突出するように、電子光学
鏡筒２に取り付け、電子ビーム透過部材７の先端部に第
２の隔膜８を配設するようにしているので、第２の隔膜
８の電子ビーム透過に必要とされる面積を最小限にする
ことができる。電子ビーム描画装置１は、以上のような
構造を採ることにより、第２の隔膜８の強度を確保する
ことが容易になると共に、誤って電子光学鏡筒２が高速
回転する基板５０と接触した場合の衝撃を小さく抑える
ことができる。

【００６６】また、この電子ビーム描画装置１において
は、第２の隔膜８を透過した電子ビームが基板支持機構
部３０に支持された基板５０上のレジスト層５１に照射
されるまでの間に、大気中を通過することになるが、第
２の隔膜８とレジスト層５１との間の距離（ＷＤ：Work
ing Distance）を小さく設定することにより、電子ビー
ムの大気中における散乱や減衰を抑制することができ
る。具体的には、回転操作される基板５０の面振れ等を
考慮して、ＷＤを１０〜１００μｍ程度に設定すること
により、適切な描画を行うことができる。

【００６７】以上は、分離壁５に設けられたビーム透過
孔５ａを閉塞するように第１の隔膜６を設けて、電子光
学鏡筒２内の第２の領域２ｂから第１の領域２ａへのヘ
リウムガスの流入を防止し、電子ビーム透過部材７に設
けられたビーム透過孔７ａを閉塞するように第２の隔膜
８を設けて、電子光学鏡筒２の外部から電子光学鏡筒２
内の第２の領域２ｂへの空気の流入を防止して、電子光
学鏡筒２内の第１の領域２ａの真空度及び第２の領域２
ｂの気圧を維持する例について説明したが、本発明に係
る電子ビーム描画装置１は、図６に示すように、第２の
隔壁８を設けずに、第２の領域２ｂにヘリウムガスを継
続的に供給して、電子光学鏡筒２の外部から電子光学鏡
筒２内の第２の領域２ｂへの空気の流入を防止するよう
にしてもよい。

【００６８】この図６に示す電子ビーム描画装置１は、
電子光学鏡筒２に、第２の領域２ｂに連通するヘリウム
ガス供給口２ｄが設けられており、このヘリウムガス供
給口２ｄに供給管９ａを介して、図示しないヘリウムガ
ス供給装置が接続されている。そして、電子ビーム描画
装置１は、このヘリウムガス供給装置からのヘリウムガ
スが、ヘリウムガス供給口２ｄを介して第２の領域２ｂ
内に継続的に供給されるようになされている。

【００６９】この電子ビーム描画装置１においては、分
離壁５に設けられたビーム透過孔５ａが第１の隔膜６に
より遮断され、第２の領域２ｂから第１の領域２ａへの
ヘリウムガスの流入が防止されているので、ヘリウムガ
ス供給機構からのヘリウムガスが第２の領域２ｂ内に継
続的に供給されることにより、第２の領域２ｂ内の気圧
は電子光学鏡筒２の外部の大気圧よりも大となる。これ
により、電子光学鏡筒２の外部から第２の領域２ｂ内に
空気が流入することが防止されると共に、第２の領域２
ｂ内に充填されたヘリウムガスが、電子ビーム透過部材
７に設けられたビーム透過孔７ａを介して、電子光学鏡
筒２の外部に流出する。

【００７０】第２の領域２ｂから電子光学鏡筒２の外部
に流出したヘリウムガスは、レジスト層５１上に吹き付
けられる。これにより、レジスト層５１の電子ビームが
照射れる部分は、ヘリウム雰囲気とされる。ヘリウムガ
スは大気に比べて、電子ビームの散乱や減衰を小さく抑
えることができるので、電子ビーム描画装置１は、以上
のような構成とされることにより、より高精度の描画を
行うことができる。

【００７１】また、本発明に係る電子ビーム描画装置１
は、図７に示すように、第１の隔膜６及び第２の隔膜８
を設けずに、第２の領域２ｂから第１の領域２ａへと流
入するヘリウムガスを随時排気して、第１の領域２ａ内
の真空度を所定の値に維持すると共に、電子光学鏡筒２
の外部から第２の領域２ｂ内へと流入する空気を随時排
気しながら流量調整したヘリウムガスを第２の領域２ｂ
内へ供給して、第２の領域２ｂ内の気圧を所定の値に維
持するようにしてもよい。

【００７２】この図７に示す電子ビーム描画装置１は、
電子光学鏡筒２に、第２の領域２ｂに連通するヘリウム
ガス供給口２ｄが設けられており、このヘリウムガス供
給口２ｄに供給管９ａを介して、図示しないヘリウムガ
ス供給装置が接続されている。そして、電子ビーム描画
装置１は、このヘリウムガス供給装置により流量調整さ
れたヘリウムガスが、ヘリウムガス供給口２ｄを介して
第２の領域２ｂ内に供給されるようになされている。

【００７３】また、この電子ビーム描画装置１は、電子
光学鏡筒２に、第２の領域２ｂに連通する排気口２ｅが
設けられており、この排気口２ｅに排気管９ｂを介し
て、図示しない排気装置が接続されている。そして、電
子ビーム描画装置１は、この排気装置により、電子光学
鏡筒２の外部から第２の領域２ｂ内に流入した空気を排
気するようになされている。

【００７４】この電子ビーム描画装置１は、以上のよう
に、流量調整されたヘリウムガスを第２の領域２ｂ内に
供給すると共に、電子光学鏡筒２の外部から第２の領域
２ｂ内に流入した空気を排気することにより、第２の領
域２ｂ内の気圧を所定の値に維持するようになされてい
る。

【００７５】また、この電子ビーム描画装置１は、電子
光学鏡筒２に、第１の領域２ａに連通する排気口２ｆが
設けられており、この排気口２ｆに排気管９ｃを介し
て、図示しない排気装置が接続されている。そして、電
子ビーム描画装置１は、この排気装置により、第２の領
域２ｂから第１の領域２ａに流入したヘリウムガスを随
時排気するようになされている。

【００７６】この電子ビーム描画装置１は、以上のよう
に第２の領域２ｂから第１の領域２ａに流入したヘリウ
ムガスを随時排気することにより、第１の領域２ａ内の
真空度を所定の値に維持するようになされている。

【００７７】以上のように構成された電子ビーム描画装
置１は、ヘリウム雰囲気とされている第２の領域２ｂ内
の気圧を１〜９００Ｐａ程度とすることにより、高真空
状態とされた第１の領域２ａと大気との圧力差を緩和す
ることができる。

【００７８】以上説明した本発明に係る電子ビーム描画
装置１は、電子ビーム発生部１０及び電子ビーム集束部
２０の各部が、電子光学鏡筒２の高真空状態に保たれた
第１の領域２ａ内に配設されているので、電子ビームの
散乱や減衰が抑制され、適切な描画を行うことができ
る。

【００７９】また、この電子ビーム描画装置１は、基板
支持機構部３０が大気中に配設されているので、高精度
で回転速度を制御することが可能なエアースピンドル装
置３１や高精度で水平移動を制御することが可能なエア
ースライド装置３２を用いた場合であっても、これらに
エアーシールドを施す必要がなく、装置の簡素化及び小
型化を実現することができる。

【００８０】さらに、この電子ビーム描画装置１を用い
て描画を行うようにすれば、基板支持機構部３０を真空
状態とされた環境内に配設した場合のように、基板支持
機構部３０に光ディスクを装着し、又は基板支持機構部
３０から光ディスクを取り外す度に、真空引きや常圧に
戻す作業を繰り返す必要がなく、また基板支持機構部３
０の調整等も容易となり、作業効率が向上する。

【００８１】次に、以上説明した電子ビーム描画装置１
を用いて、実際に光ディスク用のディスク原盤を作製す
る方法について説明する。

【００８２】ここでは、図５に示した電子ビーム描画装
置１を用い、直径１２ｃｍのディスクの片面に３０ＧＢ
の容量の信号が記録された、読み出し専用のＲＯＭ型の
光ディスクのディスク原盤を作製する例について説明す
る。

【００８３】直径１２ｃｍのディスクの片面に、現行の
信号処理方式により３０ＧＢの容量の信号を記録するた
めには、最短ピット長を０．１６μｍとし、トラックピ
ッチを０．２９μｍ程度にまで微細化する必要がある。
このような微細なピットに対応したパターンを有するデ
ィスク原盤を精度良く形成するには、上述したような電
子ビーム描画装置１を用いることが有効である。

【００８４】電子ビーム描画装置１により描画を行った
場合、現像後に形成されるパターンの幅（以下、ピット
幅Ｗという。）及びパターンの最も短い長さ（以下、最
短ピット長Ｌという。）は、電子ビームのスポット径
と、いわゆる近接効果による電子のレジスト中での前方
散乱及び基板からの後方散乱の影響により決定される。
ここで、光ディスクのディスク原盤を作製する場合、レ
ジスト層の厚さは一般に０．１μｍ以下とされており、
非常に薄いので、電子の前方散乱による影響はほとんど
無い。また、例えば、光ディスクが読み出し専用のＲＯ
Ｍ型のディスクの場合、ピットパターンのデューティー
比、すなわちピット総面積／記録領域の総面積は、ＥＦ
Ｍ信号で記録されたものでは２０％以下と低いため、あ
まり問題とならないと考えられる。

【００８５】したがって、電子ビーム描画装置１を用い
て描画を行うようにすれば、ピット幅Ｗ及び最短ピット
長Ｌを電子ビームのスポット径と略等しいサイズとする
ことが可能であり、例えば、ピット幅Ｗ及び最短ピット
長Ｌが数十ｎｍのパターンを形成することが可能であ
る。

【００８６】このように、電子ビーム描画装置１を用い
れば、ピット幅Ｗ及び最短ピット長Ｌが数十ｎｍの微細
なパターンを形成することができるが、これを読み取る
光学ピックアップ装置の性能の限界を越えた微細なパタ
ーンを形成したのでは、適切な読み出しは行えない。し
たがって、電子ビーム描画装置１を用いて描画を行う場
合であっても、形成するパターンの最小ピットサイズ
は、光学ピックアップ装置の性能との兼ね合いから決定
される。

【００８７】光学ピックアップ装置の性能は、使用する
レーザ光の波長λと、使用する対物レンズの開口数ＮＡ
とに依存する。すなわち、光学ピックアップ装置の読み
取り用の集光ビーム径Ｒは、使用するレーザ光の波長λ
と使用する対物レンズの開口数ＮＡの比であるλ／ＮＡ
に比例し、経験的には、Ｒ＝ｋ×（λ／ＮＡ）とされ
る。ここで、比例係数ｋは０．８程度である。

【００８８】この光学ピックアップ装置の読み取り用の
集光ビームのスポットの中に、光ディスクのピットが、
光ディスクの回転方向又は半径方向につき２．５個以上
入ると、光学ピックアップ装置の性能の限界を越えてし
まうため、適切な読み出しを行うことができなくなる。
したがって、光ディスクの最小ピットのサイズは、０．
８（λ／ＮＡ）／２．５≒０．３（λ／ＮＡ）以上とす
る必要がある。

【００８９】また、光学ピックアップ装置の読み取り用
の集光ビームのスポットの中に、光ディスクの最小ピッ
トが２個以下しか入らないようにすると、記録密度の損
失となり、記録容量の増大が図れない。したがって、光
ディスクの最小ピットのサイズは、０．８（λ／ＮＡ）
／２＝０．４（λ／ＮＡ）以下とすることが望ましい。

【００９０】ところで、光ディスクにおいて、ディスク
の回転方向又は半径方向のどちらの記録密度を高くする
か、すなわちディスクの回転方向と半径方向の記録密度
のバランスについては、光学ピックアップ装置の特性や
ディスクの回転方向及び半径方向のチルトマージン、信
号読み出し方法等に応じて最適な状態に設定される。

【００９１】以上の点を考慮すると、電子ビーム描画装
置１を用いて描画されるパターンの最小ピットのサイズ
は、ディスクの半径方向のサイズであるピット幅Ｗとデ
ィスクの回転方向のサイズである最短ピット長Ｌの積、
すなわち最小ピットの面積から規定することが望まし
く、その範囲は、０．０９（λ／ＮＡ）²≦Ｗ・Ｌ≦
０．１６（λ／ＮＡ）²とされることが望ましい。

【００９２】ここで、読み取り用のレーザとして波長λ
約０．４１μｍの青色レーザを用い、開口数ＮＡが０．
８≦ＮＡ≦１．１を満たす対物レンズを用いた光学ピッ
クアップ装置により読み取りが行われることを想定する
と、ピット幅が０．１４μｍでトラックピッチが０．２
９μｍ、最短ピット長が０．１６μｍのパターンの形成
が可能である。したがって、電子ビーム描画装置を用い
て描画を行って、トラックピッチが０．２９μｍ、最短
ピット長が０．１６μｍのパターンが形成されたディス
ク原盤を作製し、このディスク原盤を用いて光ディスク
を作製することにより、直径１２ｃｍのディスクの片面
に３０ＧＢの容量の信号が記録された光ディスクを得る
ことができる。

【００９３】本発明に係る電子ビーム描画装置１を用い
て、直径１２ｃｍのディスクの片面に３０ＧＢの容量の
信号が記録された光ディスクのディスク原盤を作製する
際は、まず、電子線に感光するレジスト層５１が形成さ
れた基板５０が、エアースピンドル装置３１のステージ
上に載置される。このとき、エアースピンドル装置３１
は、大気中に設けられているので、エアースピンドル装
置３１が真空環境下におかれた場合のように、常圧に戻
す作業や真空状態にする作業を行う必要がなく、作業が
簡便である。

【００９４】エアースピンドル装置３１のステージ上に
載置された基板５０は、このエアースピンドル装置３１
により、高精度に制御された回転速度で回転操作され
る。

【００９５】一方、光学鏡筒２内に配設された電子銃１
１からは、ＬａＢ₆等よりなる電子ビーム放出源より放
出され、陽極により加速された電子ビームが出射され
る。

【００９６】電子銃１１より出射された電子ビームは、
コンデンサレンズ１２により集束され、電子ビーム変調
手段１３を通過してアパーチャー１４に到達する。この
とき、電子ビームは、電子ビーム変調手段１３により、
変調信号に応じて変調される。すなわち、電子ビームを
オフにする場合、電子ビームは、電子ビーム変調手段１
３により大きく偏向されてアパーチャー１４により遮断
される。一方、電子ビームをオンにする場合は、電子ビ
ームは偏向されずにそのまま電子ビーム変調手段１３を
通過してアパーチャー１４に到達し、アパーチャー１４
を透過する。なお、電子ビーム変調手段１３は、最終的
に形成されるパターンの最短ピット長が０．１６μｍと
なるように、電子ビームの変調を行う。

【００９７】アパーチャー１４を透過した電子ビーム
は、電子ビーム偏向手段２１を通過する。このとき、ウ
ォブリンググルーブに対応したパターンを形成する場合
は、電子ビームが、電子ビーム偏向手段２１によりウォ
ブリング信号に応じて偏向される。また、ピットに対応
したパターンやストレートグルーブに対応したパターン
を形成する場合は、電子ビームは、電子ビーム偏向手段
２１をそのまま通過する。

【００９８】電子ビーム偏向手段２１を通過した電子ビ
ームは、フォーカス調整レンズ２２によりビーム径が調
整され、対物レンズ２３により集束される。

【００９９】なお、ここまでの各電子光学系は、電子光
学鏡筒２の高真空状態に保たれた第１の領域２ａ内にそ
れぞれ配設されている。したがって、これら各電子光学
系を透過する電子ビームは、散乱や減衰が抑制され、良
好な状態で対物レンズ２３により集束される。

【０１００】対物レンズ２３により集束された電子ビー
ムは、電子光学鏡筒２のヘリウム雰囲気とされた第２の
領域２ｂを通過して、大気中に配設されたエアースピン
ドル装置３１に支持された基板５０上のレジスト層５１
に照射される。このとき、対物レンズ２３により集束さ
れた電子ビームは、分離壁５に設けられたビーム透過孔
５ａから第１の隔膜６を介して、電子光学鏡筒２の第２
の領域２ｂ内に入射し、電子ビーム透過部材７のビーム
透過孔７ａから第２の隔膜８を介して、電子光学鏡筒２
の外部へ出射される。

【０１０１】第１の隔壁６及び第２の隔壁８は、電子ビ
ームの透過ロスをできるだけ小さくしながら第２の領域
２ｂ内の気圧を維持するように設定されているので、こ
の電子ビーム描画装置１においては、第２の領域２ｂ内
は１〜９００Ｐａ程度の気圧に保たれている。

【０１０２】この電子ビーム描画装置１は、高真空状態
とされた第１の領域２ａと大気との間に１〜９００Ｐａ
程度の気圧のヘリウム雰囲気とされた第２の領域２ｂを
設けているので、第１の領域２ａと大気との圧力差が緩
和され、適切な描画を行うことができる。

【０１０３】第２の領域２ｂから電子光学鏡筒２の外部
に出射された電子ビームは、エアースピンドル装置３１
により回転操作される基板５０上のレジスト層５１に照
射される。このとき、電子ビームの照射スポットは、最
終的に形成されるパターンのピット幅が０．１４μｍと
なるように調整される。

【０１０４】そして、エアースライド装置３２がエアー
スピンドル装置３１及びこれに支持された基板５０を基
板５０のラジアル方向に移動操作することにより、レジ
スト層５１上に、所望のパターンの潜像が、例えばスパ
イラル状に形成される。このとき、エアースライド装置
３２の移動速度は、最終的に形成されるパターンのトラ
ックピッチが０．２９μｍとなるように設定される。

【０１０５】以上のようにして電子ビーム描画装置１に
より所望のパターンの潜像が形成されたレジスト層５１
は、基板５０と共にエアースピンドル装置３１から取り
外され、アルカリ性の現像液により現像される。これに
より、光ディスクのピットやグルーブに対応した凹凸パ
ターンを有するレジスト原盤が形成される。

【０１０６】そして、レジスト原盤の凹凸パターンを有
する主面には、スパッタリング法、蒸着法、無電解メッ
キ法等の方法で、銀又はニッケル等の金属被膜が形成さ
れ、この金属被膜を電極として、電気メッキが行われる
ことにより、レジスト原盤の主面上に、電気メッキ層が
形成される。この電気メッキ層が、最終的にレジスト原
盤から剥離されて、ディスク原盤となる。

【０１０７】このディスク原盤には、以上のように、電
子ビーム描画装置１により描画された微細なパターンが
形成されている。したがって、このディスク原盤を用い
てディスクを作製することにより、直径１２ｃｍのディ
スクの片面に、現行の信号処理方式により３０ＧＢの容
量の信号を記録することが可能な光ディスクを得ること
ができる。

【０１０８】

【発明の効果】本発明に係る電子ビーム描画装置は、電
子銃と対物レンズとが減圧状態とされている環境内に配
設されていると共に、対物レンズと基板との間にヘリウ
ム雰囲気とされた部分が設けられ、基板支持手段が、大
気中に設置されるようにしているので、基板支持手段に
エアーを用いたエアースピンドル装置やエアースライド
装置を用いた場合であっても、これらにエアーシールド
を施す必要がなく、基板支持手段の構成の簡素化及び小
型化を図ることができる。

【０１０９】また、この電子ビーム描画装置によれば、
基板を移動可能に支持する基板支持手段が大気中に設置
されているので、基板支持手段が真空中に配設された場
合のように、基板の着脱を行う度に真空引きや常圧に戻
す作業を行う必要がなく、基板の着脱を簡便に行うこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電子ビーム描画装置の一例を示す
構成図である。

【図２】上記電子ビーム描画装置を用いて形成されたウ
ォブリンググルーブに対応したパターンを示す斜視図で
ある。

【図３】上記電子ビーム描画装置を用いて形成されたピ
ットに対応したパターンを示す斜視図である。

【図４】上記電子ビーム描画装置を用いて形成されたス
トレートグルーブに対応したパターンを示す斜視図であ
る。

【図５】上記電子ビーム描画装置の一例の要部を拡大し
て示す要部拡大断面図である。

【図６】上記電子ビーム描画装置の他の例の要部を拡大
して示す要部拡大断面図である。

【図７】上記電子ビーム描画装置の更に他の例の要部を
拡大して示す要部拡大断面図である。

【図８】従来の電子ビーム描画装置を示す構成図であ
る。

【符号の説明】

１電子ビーム描画装置、２電子光学鏡筒、５分離
壁、６第１の隔膜、７電子ビーム透過部材、８第
２の隔膜、１０電子ビーム発生部、１１電子銃、２
０電子ビーム集束部、２３対物レンズ、３０基板
支持機構部、３１エアースピンドル装置、３２エア
ースライド装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子銃から出射される電子ビームを基板
支持手段に支持された基板上のレジスト層に照射して、
このレジスト層に光学記録媒体のパターンに対応したパ
ターンを描画する電子ビーム描画装置において、少なくとも上記電子銃とこの電子銃から出射された電子
ビームを集束して上記レジスト層に照射させる対物レン
ズとが大気中よりも減圧状態とされた環境内に配設され
ていると共に、上記対物レンズと上記基板との間にヘリウム雰囲気とさ
れた部分が設けられ、上記基板支持手段は、大気中に設置されていることを特
徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項２】上記減圧状態とされた部分の気圧が１０
^-3Ｐａ以下とされていることを特徴とする請求項１記載
の電子ビーム描画装置。
【請求項３】上記ヘリウム雰囲気とされた部分の気圧
が、１〜９００Ｐａの範囲内とされていることを特徴と
する請求項１記載の電子ビーム描画装置。
【請求項４】上記減圧状態とされている部分とヘリウ
ム雰囲気とされている部分とを隔てる第１の隔膜と、ヘ
リウム雰囲気とされている部分と大気とを隔てる第２の
隔膜とを備え、上記電子銃から出射された電子ビームは、上記第１の隔
膜及び第２の隔膜を透過して上記レジスト層に照射され
ることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画装
置。
【請求項５】上記第１及び第２の隔膜が、ベリリウ
ム、アルミニウム、チタニウム又はこれらの合金材料よ
りなることを特徴とする請求項４記載の電子ビーム描画
装置。
【請求項６】上記第１及び第２の隔膜が、シリコン又
はシリコン化合物よりなることを特徴とする請求項４記
載の電子ビーム描画装置。
【請求項７】上記第１及び第２の隔膜の厚さが、１０
０μｍ以下であることを特徴とする請求項４記載の電子
ビーム描画装置。
【請求項８】上記減圧状態とされている部分とヘリウ
ム雰囲気とされている部分とを隔てる隔膜と、上記ヘリウム雰囲気とされている部分にヘリウムガスを
継続的に注入して、ヘリウム雰囲気とされている部分の
気圧を所定の範囲内の値に維持する気圧維持手段とを備
え、上記電子銃から出射された電子ビームは、上記隔膜を透
過して上記レジスト層に照射されることを特徴とする請
求項１記載の電子ビーム描画装置。
【請求項９】上記隔膜が、ベリリウム、アルミニウ
ム、チタニウム又はこれらの合金材料よりなることを特
徴とする請求項８記載の電子ビーム描画装置。
【請求項１０】上記隔膜が、シリコン又はシリコン化
合物よりなることを特徴とする請求項８記載の電子ビー
ム描画装置。
【請求項１１】上記隔膜の厚さが、１００μｍ以下で
あることを特徴とする請求項８記載の電子ビーム描画装
置。
【請求項１２】上記ヘリウム雰囲気とされている部分
にヘリウムガスを流量調整しながら注入すると共に、排
気して、ヘリウム雰囲気とされている部分の気圧を所定
の範囲内の値に維持する第１の気圧維持手段と、上記ヘリウム雰囲気とされている部分から減圧状態とさ
れている部分へ流入するヘリウムガスを排気して、減圧
状態とされている部分の気圧を所定の範囲内の値に維持
する第２の気圧維持手段とを備えることを特徴とする請
求項１記載の電子ビーム描画装置。
【請求項１３】上記電子銃と上記対物レンズとの間
に、上記電子銃から出射された電子ビームを強度変調す
るビーム変調手段を備えることを特徴とする請求項１記
載の電子ビーム描画装置。
【請求項１４】上記電子銃と上記対物レンズとの間
に、上記電子銃から出射された電子ビームを偏向するビ
ーム偏向手段を備えることを特徴とする請求項１記載の
電子ビーム描画装置。
【請求項１５】上記電子銃と上記対物レンズとの間
に、上記レジスト層に照射させる電子ビームのスポット
径を調整するフォーカス調整手段を備えることを特徴と
する請求項１記載の電子ビーム描画装置。